滅弧室的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種滅弧室，其用于過壓放電器，具有多個(gè)進(jìn)行去電離的滅弧片或滅弧板，這些滅弧片或滅弧板以如下方式間隔開，即，形成用于接收電弧引起的氣體的多個(gè)通道，其中，所述滅弧片具有一狹縫形的進(jìn)入?yún)^(qū)域并且此外一氣體流出區(qū)域通過這些滅弧片之間的側(cè)向的和/或端側(cè)的開口組成。由所述滅弧室的對稱軸線出發(fā)，根據(jù)本實(shí)用新型，相鄰的滅弧片對之間的氣體流出區(qū)域分別交替地向一個(gè)或另一個(gè)室側(cè)面或室半部導(dǎo)向并且就此而言存在分隔接片，其中，氣體分流在一共同的降壓空間中才彼此混合或經(jīng)受并集。
【專利說明】滅弧室【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1的滅弧室，其用于過壓放電器，具有多個(gè)進(jìn)行去電離的滅弧片或滅弧板，這些滅弧片或滅弧板以如下方式間隔開，即，形成用于接收電弧引起的氣體的多個(gè)通道，其中，所述滅弧片具有一狹縫形的進(jìn)入?yún)^(qū)域并且此外一氣體流出區(qū)域通過這些滅弧片之間的側(cè)向的和/或端側(cè)的開口組成。本實(shí)用新型也涉及一種根據(jù)權(quán)利要求13的過壓放電器，其包括滅弧室。
【背景技術(shù)】
[0002]由DE102005015401A1在先公開了一種帶有兩個(gè)發(fā)散的電極和在所述電極之間起作用的火花隙。根據(jù)那里的教導(dǎo)，電弧的可運(yùn)動(dòng)性就在其點(diǎn)火之后通過一系列用于加強(qiáng)由電弧引起的特征磁場和分級氣體循環(huán)的措施的組合而得以提高。與其相關(guān)地存在特殊的電弧室或去電離室，其中，多個(gè)結(jié)構(gòu)上的措施進(jìn)行轉(zhuǎn)換，這些措施允許了在具有不同功能的多個(gè)回路中的氣體循環(huán)。不僅由所述滅弧室出來的氣體流動(dòng)而且可能存在的、到所述滅弧室中的氣體返回導(dǎo)向根據(jù)已知的現(xiàn)有技術(shù)通過至少兩個(gè)通道來進(jìn)行。所述返回導(dǎo)向和熱氣體的冷卻優(yōu)選地側(cè)向在所述電弧室旁邊進(jìn)行。被冷卻的氣體的所述返回導(dǎo)向一小部分地直接在所述發(fā)散電極之間的電弧點(diǎn)火區(qū)域和電極的根部區(qū)域中進(jìn)行并且用于在該區(qū)域中的去電離。
[0003]DE102005015401A1不僅涉及被封裝的過壓放電器，而且也公開了能夠設(shè)置向周圍環(huán)境的開口和用于氣體冷卻的系統(tǒng)。
[0004]為了減少通過熱氣體的根據(jù)DE102005015401A1的再燃的危險(xiǎn)，一氣體量為了強(qiáng)化冷卻而穿流一附加的區(qū)域。在該區(qū)域中，通過優(yōu)選由高熱容的金屬所制成的狹窄通道來導(dǎo)向所述氣體。在所述滅弧室中置入的去電離片在一實(shí)施方式中具有不同的高度尺寸，從而使得子電弧的數(shù)目僅逐漸地、也就是時(shí)間上錯(cuò)開地提高。根據(jù)DE102005015401A1也可以不同地或非對稱地設(shè)計(jì)所述片的進(jìn)入狹縫，以便強(qiáng)制電弧的逐漸劃分。
[0005]由滅弧室或去電離室出來的、根據(jù)DE102005015401A1的氣體流出不僅通過側(cè)向開口而且在所述室的上側(cè)上進(jìn)行。在這些側(cè)面上溢出的氣體，還有在所述上側(cè)上的氣體能夠在單獨(dú)的、相對彼此隔離的通道中被導(dǎo)向。用于結(jié)束所述流通的氣體返回導(dǎo)向可以在通過所述電極的點(diǎn)火區(qū)域和在電弧行進(jìn)區(qū)域中通過在那里存在的開口來進(jìn)行。
[0006]但是已證明的是，一簡單的通道形成用于氣體導(dǎo)向是不夠用于避免再燃的。在多個(gè)模塊式設(shè)備內(nèi)的小的空間關(guān)系的情況下，熱氣體相對未冷卻地流出所述去電離室并且還具有巨大的殘余導(dǎo)電能力。由此在現(xiàn)有技術(shù)的去電離室的情況下，各個(gè)片有時(shí)能夠由電弧橋接。即使在完全隔離的滅弧室的情況下是該情況，這是因?yàn)榛诖嬖诘姆e碳(Beru β ung)產(chǎn)生能傳導(dǎo)的通道，這些通道引起不希望的、上面提到的橋接。尤其通過封裝而有意義的子電流的該不期望的形成減少了與之相應(yīng)的放電器的電弧電壓并且由此減少了產(chǎn)生的電流限制。在相對低的運(yùn)行電壓，例如230V的情況下的這類現(xiàn)象還是微不足道的，而在較高的電壓、例如相電壓、也就是在440V電壓的情況下或在直流電壓的情況下，顯著的功能影響的危險(xiǎn)顯著地提高。
[0007]出于該原因，雷擊放電器實(shí)施有用于運(yùn)行電壓440V的去電離室并且更多地僅吹滅地實(shí)施。為了盡管如此能夠?qū)崿F(xiàn)足夠的續(xù)流限制，在這些放電器中有目的地分割電弧，例如通過一所謂的碎片(Splitter)。子電弧然后分別被輸送給具有較小功率能力的單獨(dú)的去電離室。雖然通過這類解決方案可以減少電弧室的跨接的危險(xiǎn)，但是具有多個(gè)單獨(dú)的去電離室的耗費(fèi)和吹滅行為以及由此所需的空間需要是不可接受的。就此而言參考DE4435968C2。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0008]本實(shí)用新型的任務(wù)由前述而因此是:說明一種進(jìn)一步改進(jìn)的滅弧室，其能夠以一在很小的結(jié)構(gòu)大小的情況下的去電離室也使用于提高的運(yùn)行電壓，并且其中，在電弧到所述去電離室中的優(yōu)化進(jìn)入速度的情況下能夠避免通過電弧或能導(dǎo)電氣體的旁路以及在所述去電離室之外的復(fù)燃和/或能夠有目的地提高各個(gè)去電離片之間的子電弧的電弧電壓。
[0009]本實(shí)用新型的另一任務(wù)是提供一種相應(yīng)地進(jìn)一步改善的過壓放電器。
[0010]本實(shí)用新型的該任務(wù)的解決通過根據(jù)權(quán)利要求1的特征組合的用于過壓放電器的滅弧室來進(jìn)行，其中，從屬權(quán)利要求至少是適宜的設(shè)計(jì)方案和改進(jìn)方案。本實(shí)用新型的解決也通過根據(jù)權(quán)利要求13的過壓放電器來進(jìn)行。
[0011]所提供的滅弧室尤其應(yīng)用在封裝的過壓放電器和根據(jù)(減緩(get^mpft))吹滅原理的過壓放電器。這些過壓放電器例如可以構(gòu)造用于雷擊電流的導(dǎo)出。在所述過壓放電器中構(gòu)造的火花隙可以 是牛角形火花隙。所提供的解決方案可以在較高的運(yùn)行電壓中使用，但是也可以在直流電壓中使用。根據(jù)本實(shí)用新型，通過去電離室的排氣氣體的單獨(dú)的和隔離的導(dǎo)向來避免在所述去電離室之外的通過熱氣體的電流或者說還有子電弧的點(diǎn)燃。通過有目的的排氣的該特殊方式來此外延長各個(gè)去電離片之間的電弧柱并且來影響在各個(gè)滅弧片上的電弧的行進(jìn)運(yùn)動(dòng)，由此能夠相對于現(xiàn)有技術(shù)的室明顯提高能達(dá)到的電弧電壓。
[0012]本實(shí)用新型相應(yīng)地由一滅弧室出發(fā)，其用于過壓放電器，具有多個(gè)進(jìn)行去電離的滅弧片或滅弧板，這些滅弧片或滅弧板以如下方式間隔開，即，形成用于接收電弧引起的氣體的多個(gè)通道，其中，所述滅弧片形成一狹縫形的進(jìn)入?yún)^(qū)域并且此外一氣體流出區(qū)域通過這些滅弧片之間的側(cè)向的和/或端側(cè)的開口組成。
[0013]由所述滅弧室的對稱軸線出發(fā)，根據(jù)本實(shí)用新型，相鄰的滅弧片對之間的氣體流出區(qū)域分別交替地向一個(gè)或另一個(gè)室側(cè)面或室半部導(dǎo)向并且就此而言地構(gòu)造分隔接片，其中，氣體分流在一共同的降壓空間中才彼此碰到或在那里被混合。
[0014]根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施方式，該過壓放電器是封裝的并且所述滅弧室這樣地構(gòu)造，使得有目的的氣體循環(huán)能夠在所述過壓放電器的所述封裝之內(nèi)預(yù)先給定。
[0015]在本實(shí)用新型的另一實(shí)施方式中設(shè)置:在用于形成所述過壓放電器的前面提到的封裝中置入有在牛角形火花隙的意義中的牛角形的、發(fā)散的電極組件，其中，這些電極具有用于實(shí)現(xiàn)氣體循環(huán)的缺口。
[0016]用于獲得有目的的氣體導(dǎo)向的分隔接片能夠是所述整個(gè)系統(tǒng)的殼體的或所述封裝的組成部分。
[0017]該電極組件側(cè)向地圍住所述滅弧室。就此而言，所述滅弧室因此沉入到電極中間空間中。
[0018]根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施方式，滅弧片的形成狹縫形進(jìn)入?yún)^(qū)域的端側(cè)設(shè)有一隔離覆蓋裝置，該隔離覆蓋裝置也可以構(gòu)造為流動(dòng)導(dǎo)引覆蓋裝置或流動(dòng)導(dǎo)引裝置。
[0019]在一優(yōu)選的實(shí)施方式中，該隔離覆蓋裝置具有梳子形狀或以具有梳子式的側(cè)壁的罩的形式構(gòu)造。
[0020]用于所述去電離室的滅弧片可以由一種鐵磁材料制成。
[0021]在具有所述梳子形狀的罩方面，每一個(gè)梳子齒各至少可以覆蓋兩個(gè)相鄰的滅弧片和由所述兩個(gè)相鄰的滅弧片所限界的中間空間。
[0022]在對應(yīng)的梳子齒之間的缺口在此可以大致相應(yīng)于前面提到的中間空間的寬度。
[0023]形成所述覆蓋裝置的兩個(gè)相對置的梳子的在對應(yīng)的梳子齒之間的缺口錯(cuò)開一個(gè)中間空間地布置。
[0024]滅弧室的結(jié)構(gòu)上的實(shí)施方案這樣地選擇，使得氣體進(jìn)入?yún)^(qū)域的面積基本上等于所述側(cè)向的和/或端側(cè)的氣體流出開口的面積的總和。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]本實(shí)用新型隨后應(yīng)當(dāng)根據(jù)一實(shí)施例以及參考附圖詳細(xì)闡釋。
[0026]在此情況下:
[0027]圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有去電離室和象征性地示出的內(nèi)部氣體循環(huán)的一封裝的火花隙的原理截面視圖；
[0028]圖2a示出了根據(jù)本實(shí)用新型的第一實(shí)施方式的一封裝的、具有去電離室的火花隙的側(cè)視圖；
[0029]圖2b示出了穿過根據(jù)圖2a的火花隙的截面視圖；
[0030]圖3示出了根據(jù)本實(shí)用新型的第二實(shí)施方式的具有減緩地吹滅的行為的火花隙的截面視圖；
[0031]圖4示出了根據(jù)本實(shí)用新型的第三實(shí)施方式的具有減緩地吹滅的行為的火花隙的截面視圖；
[0032]圖5示出了根據(jù)本實(shí)用新型的第四實(shí)施方式的具有減緩地吹滅的行為的火花隙的截面視圖；
[0033]圖6示出了根據(jù)本實(shí)用新型的第五實(shí)施方式的具有減緩地吹滅的行為的火花隙的截面視圖；
[0034]圖7示出了根據(jù)本實(shí)用新型的第六實(shí)施方式的具有減緩地吹滅的行為的火花隙的截面視圖；
[0035]圖8示出了根據(jù)本實(shí)用新型的第七實(shí)施方式的具有減緩地吹滅的行為的火花隙的側(cè)向視圖；
[0036]圖9示出了具有狹縫形進(jìn)入?yún)^(qū)域的去電離室的原理側(cè)視圖；
[0037]圖10示出了具有插入的去電離板的端側(cè)覆蓋裝置的去電離室的側(cè)視圖；
[0038]圖1la示出了具有梳子式的覆蓋裝置的去電離室的立體視圖；
[0039]圖1lb示出了到具有分隔接片和具有由此所形成的單獨(dú)的氣體返回導(dǎo)向通道的去電離室上的立體視圖；[0040]圖12a示出了在兩個(gè)去電離板之間的、具有在右側(cè)定向中的排氣的中間空間的截面視圖；
[0041]圖12b示出了類似于根據(jù)圖12a的、但是具有左側(cè)排氣的截面視圖；
[0042]圖12c示出了到去電離室的進(jìn)入?yún)^(qū)域上的正視圖(也見圖11a)，具有部分去除的覆蓋裝置和該覆蓋裝置的可識別的梳子結(jié)構(gòu)；
[0043]圖13示出了去電離室的截面視圖，具有去電離片的側(cè)向視圖，其具有子電弧的簡要示出的、原理的移動(dòng)；以及
[0044]圖14示出了具有簡要示出的電弧形成和由此獲得的流動(dòng)的去電離室的縱向截面視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0045]對于具有去電離室的高的續(xù)流限制的基礎(chǔ)是電弧的迅速的并且穩(wěn)定的劃分。為了在一封裝的、在牛角形原理上的放電器中獲得一快速的電弧劃分，按照該放電器的響應(yīng)的電弧必須順利地進(jìn)入所述去電離室中。在DE102005015401A1中對此為了具有去電離室的被封裝的牛角形火花隙描述了幾個(gè)原理上的可能性。因?yàn)橛糜谔岣咦饔玫诫娀∩系牧Φ目赡苄韵鄬κ芟?，所以直至入口的路徑、電弧的長度或去電離室的寬度以及流動(dòng)阻力應(yīng)當(dāng)因此盡可能小。
[0046]圖1示出了相應(yīng)于DE102005015401A1的具有去電離室I的牛角形火花隙的原理布置，具有通過隔離板2側(cè)向限界的電弧行進(jìn)區(qū)域和具有帶用于內(nèi)部的氣體循環(huán)5的側(cè)向缺口 4的電極3。所述去電離室在端側(cè)上和在側(cè)面上由隔離材料6圍住，該隔離材料具有開口，氣體能夠穿過這些開口由各個(gè)去電離片之間的區(qū)域出去。開口 7、8中的開口 7處在該去電離室的側(cè)向并且開口 8處在端側(cè)上。這些開口的位置為了毗鄰的中間板區(qū)域的排氣而優(yōu)選是變化的，從而使得相鄰的中間空間的開口不是直接并排的。中間空間在此情況下通過兩個(gè)去電離片10來限界，并且在所述室的兩個(gè)側(cè)面7上排氣并且向端側(cè)8排氣。去電離片10的側(cè)向棱邊9在進(jìn)入?yún)^(qū)域中通過隔離板2來覆蓋，鐵磁性的板11可以為了加強(qiáng)電弧的特征磁場而插入到這些隔離板中。
[0047]圖2示出了用于根據(jù)牛角形原理的被封裝的火花隙的優(yōu)化的去電離室的本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)。圖2a在此示出了具有兩個(gè)發(fā)散電極3、一具有觸發(fā)電路13的點(diǎn)火電極12的牛角形火花隙的側(cè)視圖。這些電極具有側(cè)向的缺口 4，用于實(shí)現(xiàn)內(nèi)部的氣體循環(huán)。這些缺口將被冷卻的氣體返回導(dǎo)向到發(fā)散電極3之間的電弧行進(jìn)區(qū)域中。所述電弧行進(jìn)區(qū)域側(cè)向地通過隔離板2 (也見圖2b)來限界。所述去電離室的進(jìn)入?yún)^(qū)域直接在其下開始并且能夠在去電離片(見圖2b)的V形的缺口之內(nèi)進(jìn)一步變窄。同樣地，電極和去電離室之間的過渡區(qū)域?qū)儆谶M(jìn)入?yún)^(qū)域。該區(qū)域同樣地影響電弧到所述室中的迅速進(jìn)入。也在該區(qū)域中保證了熱氣體的近似不受阻的通流。這些氣體在所述電極之上被收集并且同樣地被結(jié)合到流通回路中。所述這些氣體必要時(shí)同樣可以在所述室的區(qū)域中也在所述這些電極旁邊或通過這些電極上的其它側(cè)向缺口導(dǎo)向這些電極之后的一通道。用于氣體導(dǎo)向的橫截面可以在該區(qū)域中非常可變地設(shè)計(jì)，這是因?yàn)橥ㄟ^這些電極存在非常良好的冷卻并且在這些電極的側(cè)向或后面不存在室區(qū)域通過子電弧的橋接的危險(xiǎn)。子電弧的迅速的形成和其在所述室的對應(yīng)的外去電離片和電極之間的迅速的移動(dòng)是必須的，因此根部在電極上不保持在所述室之下，以便避免在電弧行進(jìn)區(qū)域中和也在點(diǎn)火區(qū)域上的較長的電離。這可能引起不希望的復(fù)燃。
[0048]所述去電離室的流出區(qū)域16由每個(gè)板中間空間的側(cè)向開口 7和端側(cè)開口 8組成。板中間空間的排氣僅向所述室的關(guān)于該室的對稱軸線的一側(cè)進(jìn)行，這是因?yàn)槊總€(gè)中間空間的開口7和8僅單側(cè)地布置。相疊地跟隨的板中間空間交替地向前或向后排氣。在所述室的端側(cè)的中部內(nèi)實(shí)施一接片14，該接片引起:板中間空間的在圖2a中所示的排氣分別通過三個(gè)開口(兩個(gè)側(cè)向的、一端側(cè))進(jìn)行，并且其氣體在一具有兩側(cè)的隔離接片18的、獨(dú)立的通道17中側(cè)向在所述室旁邊導(dǎo)向到一公共的降壓空間19中，在該降壓空間中最早地可以進(jìn)行以來自另一板中間空間的氣體的混合。
[0049]為了相對低地保持所述去電離室的流動(dòng)阻力，V形的進(jìn)入?yún)^(qū)域15和所述流出區(qū)域16僅應(yīng)當(dāng)適度地?cái)r阻(verdammt)并且具有一盡可能有利流動(dòng)的構(gòu)型。所述進(jìn)入?yún)^(qū)域應(yīng)當(dāng)相對于所述室之下的電弧行進(jìn)區(qū)域優(yōu)選不強(qiáng)于50%地?cái)r阻。在所述去電離室I本身中又應(yīng)當(dāng)提高橫截面。在各個(gè)去電離片之間的出口橫截面的總和應(yīng)當(dāng)盡可能導(dǎo)致所述室之內(nèi)的小的攔阻。如果所述室中的流動(dòng)阻力的提高是需要的，那么該提高為最大50%。為了避免高的流動(dòng)阻力，除了所述室的出口橫截面之外，還有其幾何形狀設(shè)計(jì)和到所述返回導(dǎo)向通道中的氣體流動(dòng)的設(shè)計(jì)和再一次地還有返回導(dǎo)向通道17的橫截面是有特別意義的。所述各個(gè)返回導(dǎo)向通道的橫截面應(yīng)當(dāng)不低于各個(gè)去電離片之間的橫截面積的大致25%。為了實(shí)現(xiàn)被封裝的火花隙之內(nèi)的優(yōu)化的氣體循環(huán)，除了所述去電離室的排氣之外還需要?dú)怏w到所述去電離室之下的電弧進(jìn)入?yún)^(qū)域中的有目的的返回導(dǎo)向,例如通過電極3中的缺口 4。
[0050]根據(jù)本實(shí)用新型，去電離片的多個(gè)中間空間關(guān)于所述去電離室的軸線交替地排氣。該排氣在此優(yōu)選地不僅該去電離室的側(cè)向地而且端側(cè)地進(jìn)行。在此，由所述去電離室出來的氣體每個(gè)中間空間地被收集到分別獨(dú)立的通道中。各個(gè)通道在此情況下例如通過與所述室的隔離材料直接連接的接片18無間隙地彼此分開。該接片的超出高度在此至少如所述去電離室材料6的壁厚的雙倍大。這些側(cè)向伸出的接片可以在一側(cè)上相同高度，但是也可以不同高地實(shí)施。在所述去電離室的端側(cè)上，各個(gè)排氣通道例如通過一沿軸向向所述去電離室走向的中間的接片14同樣地彼此分開。在所述室的每個(gè)側(cè)面上的側(cè)向的、單獨(dú)的通道17的數(shù)目由此取整地(abgerundet)相應(yīng)于所述去電離片的半數(shù)。
[0051]替代所述去電離室例如利用接片的隔離包封顯然也可以使用在相應(yīng)地包封的殼體部件中的簡單敞開的去電離室或去電離片，優(yōu)選的排氣幾何形狀整合到其中。在此情況下，于是例如隔離接片由所述殼體部件出來地交替局部地嵌入到所述去電離片之間。同樣地可以將這類實(shí)施方式也實(shí)現(xiàn)為分別由一作為插入部件或作為待注塑包封的元件的去電離片和一隔離元件構(gòu)成的堆疊幾何形狀(Stapelgeometrie)。用于實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的室的大量可能性在這里顯然沒能示出。其它實(shí)施方式因此被限制在一示例性的實(shí)施形式和其功能上。
[0052]因?yàn)檫@些附加的、例如實(shí)施為接片的隔離元件來附加地變大所述去電離室的由于小的結(jié)構(gòu)大小而造成的表面，從而使得還能夠有效地避免由于熱氣體或污染的滑動(dòng)閃絡(luò)(GleiUiberschiage)進(jìn)而能夠?qū)崿F(xiàn)隔離能力的明顯提高。
[0053]為了使電弧預(yù)期地、迅速地進(jìn)入去電離室中而有意義的是:在分別側(cè)向圍住所述去電離室的電極上的電弧行進(jìn)也不由于所述去電離室的太強(qiáng)的阻攔而阻礙。在電極3和去電離室I之間的氣體流動(dòng)也被有目的地輸送給整個(gè)火花隙之內(nèi)的流通。[0054]在此，氣體的單獨(dú)的導(dǎo)向不必強(qiáng)迫地直至牛角形電極之內(nèi)的回流通道地進(jìn)行。如下的獨(dú)立的氣體導(dǎo)向是足夠的，即，直至氣體如下程度地被冷卻，使得能排除通過該氣體的電流。所述去電離室之下和例如兩側(cè)地平行于電弧行進(jìn)區(qū)域地，氣體能夠共同導(dǎo)向到一相應(yīng)的降壓空間19中。
[0055]在一優(yōu)選的實(shí)施變型方案中，其中，氣體到電弧的行進(jìn)區(qū)域中的返回導(dǎo)向通過例如電極中的側(cè)向缺口 4進(jìn)行，氣體由所述去電離室出來地被側(cè)向地劃分成各兩個(gè)流體，由此所有四個(gè)氣體返回導(dǎo)向(每個(gè)電極在兩個(gè)側(cè)面上)強(qiáng)制性地經(jīng)受一氣體回流。電弧由此被加速地驅(qū)動(dòng)到所述去電離室中。這些返回導(dǎo)向通道的各個(gè)橫截面的總和相對于所述去電離室的整個(gè)排氣橫截面但是優(yōu)選僅小10%。
[0056]圖3示出了具有減緩地吹滅的行為的火花隙的截面視圖。來自去電離室I的氣體由所述開口 7和8出來進(jìn)入到彼此隔離的多個(gè)通道17中并且到達(dá)降壓空間19中。接下來，已經(jīng)冷卻并且降壓的氣體例如通過迷宮裝置(片(金屬-冷卻的))或接片(隔離的-轉(zhuǎn)向的)通過殼體28中的附加的開口 29向外導(dǎo)引。
[0057]圖4示出了具有減緩地吹滅的行為的另一火花隙的截面視圖。在此，冷卻板布置在流動(dòng)方向上。這些板可以直接在通道17的開口處開始，由此在改變的根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式中也能夠取消降壓空間19。
[0058]在圖5中示出的火花隙類似于圖3中的地構(gòu)造，但是，所述轉(zhuǎn)向板在降壓空間19之后僅具有相對彼此錯(cuò)開布置的開口。也在該布置中，這些板可以在通道17的開口之下相對接近地開始或甚至整合到相對彼此隔離的通道17中，由此同樣取消降壓空間19。
[0059]圖6示出了一火花隙，其中，氣體相對在沿電極的電弧行進(jìn)區(qū)域中向去電離室的流動(dòng)方向沒有被轉(zhuǎn)向。氣體由相對彼此隔離的通道17出來在離開所述去電離室I之后在一迷宮形的通道中向所述殼體28的外壁導(dǎo)向并且通過開口 29輸出給周圍環(huán)境。
[0060]在圖7中示出了一火花隙，其中，氣體由通道17出來在所述去電離室I之上轉(zhuǎn)向并且例如在平行于所述火花隙的系統(tǒng)的一側(cè)上通過一迷宮系統(tǒng)來冷卻并向外導(dǎo)向。
[0061]圖8示出了另一火花隙系統(tǒng)的側(cè)視圖。氣體在通過開口 7和8離開所述去電離室之后在被隔離的通道17中在火花隙的行進(jìn)區(qū)域旁邊轉(zhuǎn)向并被隔離地導(dǎo)向。然后，已經(jīng)冷卻的氣體在所述殼體28之內(nèi)輸出到具有向周圍環(huán)境的開口 29的區(qū)域中。這些開口 29例如可以處在接頭夾的區(qū)域中。所述去電離室的進(jìn)入?yún)^(qū)域尤其由于所述火花隙的完全封裝和電弧根部在去電離片上的運(yùn)動(dòng)而受到復(fù)燃的危險(xiǎn)。在此情況下，尤其要?jiǎng)澐謨蓚€(gè)區(qū)域，一方面是所述去電離片的在一般V形的進(jìn)入?yún)^(qū)域旁邊的直接端側(cè)并且另一方面是所述V形進(jìn)入?yún)^(qū)域本身。
[0062]圖9示出了這兩個(gè)區(qū)域。所述去電離室的片10在所述隔離外罩6中導(dǎo)向，該隔離外罩在端側(cè)和側(cè)面上圍住所述去電離室。所述片的在V形進(jìn)入?yún)^(qū)域旁邊的棱邊9 一般露出。所述V形進(jìn)入?yún)^(qū)域15在該視圖中例如還具有另一狹縫形的開口 20。復(fù)燃在沒有在區(qū)域9和15/20中的附加措施的情況下是可能的。
[0063]在電弧移動(dòng)的與圖2b和圖3至圖8相應(yīng)的、從點(diǎn)火部位直至具有兩側(cè)板形的限界部的所述去電離室的區(qū)域的一優(yōu)選的設(shè)計(jì)中有意義的是，所述去電離室I的直接端側(cè)9通過這些板2已經(jīng)覆蓋。如果應(yīng)當(dāng)需要將所述V形進(jìn)入?yún)^(qū)域比對應(yīng)的電弧行進(jìn)區(qū)域(板間距)更窄地例如相應(yīng)于圖10設(shè)計(jì)，那么在所述板2上可以優(yōu)選地安置有隔離材料制成的坡道形錐面21，這些坡道形錐面同樣覆蓋所述去電離片10的棱邊9。當(dāng)電極和電弧行進(jìn)區(qū)域的大的寬度被需要用于耐老化的行為或用于控制高的脈沖電流，而所述去電離室的熱負(fù)載也以小的熱容被控制時(shí)，這樣的實(shí)施方式例如于是可以使用。
[0064]顯然，側(cè)向的板2、錐面21或還有所述去電離室I可以這樣地設(shè)計(jì)，使得它們能夠分別接片式彼此交錯(cuò)嵌入并且例如也可以由用于封裝所述火花隙的殼體材料6來形成。
[0065]所述去電離片15的V形進(jìn)入?yún)^(qū)域在所述去電離室的常規(guī)的實(shí)施方式中通過電弧根部在所述去電離板上由于磁性力的運(yùn)動(dòng)，由于單個(gè)的子電弧的離開而經(jīng)常涉及局部的或完全的跨接。但是，這一般在交流電壓的情況下和在用于例如230V的運(yùn)行電壓的電弧室的常見設(shè)計(jì)的情況下是不加批判的。
[0066]在所述去電離室的該優(yōu)選的實(shí)施方案中，關(guān)于所預(yù)期的運(yùn)行電壓(例如440V)的被使用的去電離片的數(shù)目與現(xiàn)有技術(shù)相比直至少了 40%。這可以如已經(jīng)闡釋的那樣僅通過在所述去電離室中的所述電弧的冷卻和大大加長來實(shí)現(xiàn)，由此，電弧電壓由電弧柱(長度相關(guān))的分量與由于陽極/陰極降電壓(材料相關(guān))的電弧電壓幾乎等值并且由此根據(jù)已知的電弧等式(電弧總電壓=陽極/陰極降電壓+電弧柱長度*電弧電場強(qiáng)度)能夠?qū)崿F(xiàn)足夠大的總電壓。通過影響去電離片之間的電弧的行進(jìn)行為，除了電弧的良好冷卻之外，也通過電流在本來的去電離片中的歐姆電阻提高了總電壓。通過有目的地影響電弧移動(dòng)來最大化去電離片中的電流路徑的長度?？傠妷河纱艘部梢酝ㄟ^材料例如比電阻而比常見的室更強(qiáng)地被影響。
[0067]但是，如果在該情況下出現(xiàn)各個(gè)片的橋接，那么不僅以陽極/陰極降電壓減少總電壓,而且附加地也以對應(yīng)的電弧圈(Lichtbogenschleife)的弧柱區(qū)段的按比例非常高的電壓和電流路徑在所述片中的歐姆電壓降來降低總電壓。這會(huì)必然導(dǎo)致續(xù)流限制的大幅度降低。在所述去電離片的V形進(jìn)入?yún)^(qū)域中的復(fù)燃或所述室的子區(qū)域的由于通過出現(xiàn)的熱氣體的局部電流或側(cè)向閃絡(luò)的橋接因此能夠強(qiáng)制避免。
[0068]在此情況下但是要注意:電弧到所述室中的迅速進(jìn)入通過所述相應(yīng)的措施不被影響，這是因?yàn)檫@是用于迅速的和由此優(yōu)化的電流限制的基本前提條件。
[0069]根據(jù)本實(shí)用新型，這通過去電離片的V形進(jìn)入?yún)^(qū)域的隔離覆蓋來實(shí)現(xiàn)，其僅略微地影響所述室的流動(dòng)阻力。一相應(yīng)的實(shí)施方式在圖1la和圖1lb中示出。在該實(shí)施方式中，在V形的進(jìn)入?yún)^(qū)域旁邊的所述去電離片的端側(cè)的覆蓋可以同時(shí)地通過一罩形的覆蓋裝置連帶實(shí)現(xiàn)。
[0070]在兩側(cè)地和均勻地覆蓋所述進(jìn)入?yún)^(qū)域的覆蓋裝置的情況下，所述去電離室的流動(dòng)阻力顯著提高。電弧的進(jìn)入尤其在封裝的火花隙的情況下被顯著延遲或甚至被阻止，在所述這些火花隙的情況下，流動(dòng)阻力無論如何相對于進(jìn)行吹滅的開關(guān)或火花隙已經(jīng)提高。令人滿意的續(xù)流限制尤其在高的、可預(yù)料的續(xù)流的情況下因此不再可能。根據(jù)本實(shí)用新型，所述覆蓋裝置例如梳子形地實(shí)施，從而使得各兩個(gè)相鄰的片在該截段的每個(gè)側(cè)面上相對彼此隔離。由此來保證，V形進(jìn)入?yún)^(qū)域的流動(dòng)阻力尤其就在電弧的所預(yù)期的劃分之前僅相對低地被提高，由此能夠?qū)崿F(xiàn)電弧到所述室中的順利的移入。
[0071]在圖1la中通過所述室兩側(cè)的部件22實(shí)現(xiàn)了 V形進(jìn)入?yún)^(qū)域的所述梳子形覆蓋裝置。在所述覆蓋裝置的所述梳子的這些缺口之間在每個(gè)側(cè)面上分別有兩個(gè)去電離片。在所述梳子23中的這些缺口分別大致如這些去電離板之間的中間空間那樣寬并且已經(jīng)在所述片棱邊和所述梳子的端部之下允許了氣體到該空間中的單側(cè)進(jìn)入。在兩個(gè)相鄰的去電離片之間的直接閃絡(luò)或子電弧由所述室出來到狹縫形進(jìn)入?yún)^(qū)域中的離開基于梳子齒24相反地是不可能的，所述這些梳子齒分別搭接兩個(gè)去離子片和一中間空間。所述去電離片的V形進(jìn)入?yún)^(qū)域的相對置的側(cè)面的覆蓋以相同的方式，但是分別以一片錯(cuò)開地進(jìn)行。開始梳子形覆蓋的高度基本上確定了所述室在入口區(qū)域中的阻攔系數(shù)。梳子齒的端部在此可以直至V形進(jìn)入?yún)^(qū)域的端部地導(dǎo)向。
[0072]分別兩個(gè)相鄰的去電離板由所述梳子齒的覆蓋可靠地阻止了在所述進(jìn)入?yún)^(qū)域中的復(fù)燃。通過在所述梳子中的交替的缺口(梳子谷)相對于完全的覆蓋然而幾乎不提高流動(dòng)阻力，從而使得避免了不利地影響進(jìn)入速度和由此流限制。
[0073]在發(fā)散電極3之間的行進(jìn)區(qū)域中的電弧之前被排擠的熱氣體能夠在所述片之下分別交替地在兩個(gè)去電離片之間，在所述梳子的缺口的區(qū)域(梳子谷)中流出到所述室中，由此來避免或者說顯著減少在進(jìn)入?yún)^(qū)域15之下的堵塞(RUckstau)或反射。
[0074]在根據(jù)本實(shí)用新型的去電離室的一設(shè)計(jì)方案中設(shè)置有下列的尺寸設(shè)定(分別豎直地例如相應(yīng)于對稱軸線):
[0075]在去電離片10中的進(jìn)入?yún)^(qū)域的高度:8.7mm
[0076]所述片的總的高度:19.7mm,寬度:22.3mm
[0077]梳子齒24的高度:6.7mm
[0078]梳子谷22的高度:3.4mm
[0079]在本實(shí)用新型的另外的設(shè)計(jì)方案中，所述尺寸設(shè)定處在關(guān)于上述值的+/-50%的范圍中，尤其關(guān)于上述值的+/-25%的范圍中。
[0080]在本實(shí)用新型的其它設(shè)計(jì)方案中設(shè)置:關(guān)于所述去電離片中的進(jìn)入?yún)^(qū)域的缺口的高度，所述梳子谷是至少20%并且所述梳子齒是至少30%。
[0081]優(yōu)選地，所述覆蓋裝置的高度，谷大致是39%并且齒大致是77%。
[0082]在一優(yōu)選的實(shí)施方式中，作為對于梳子齒的上規(guī)格不超過所述去電離片中的進(jìn)入?yún)^(qū)域的缺口高度的90%。
[0083]滅弧室或過壓放電器可以這樣地設(shè)計(jì),使得其對于2TE (Reiheneinbaugerate,
即模塊化設(shè)備36_)的實(shí)施方案適用。這些相對關(guān)系在此是相應(yīng)的并且也能夠傳遞到較小的、例如對于ITE (18mm)的室上。
[0084]熱氣體(也見圖1lb)能夠在單側(cè)地流入兩個(gè)去電離片10之間的中間空間中之后，僅在所述室的一側(cè)上通過所述去電離室的同樣地關(guān)于所述室的對稱軸線一側(cè)設(shè)置的、端側(cè)的缺口 8或所述側(cè)向的缺口 7溢出該空間。通過開口 7和8由兩個(gè)去電離片之間的中間空間溢出的氣體被分別地收集在一單獨(dú)的返回導(dǎo)向通道17中。返回導(dǎo)向通道17側(cè)向地通過隔離接片18和端側(cè)地通過接片14來限界。來自所述去電離板之間的中間空間的氣體由此交替地并且彼此分開地在所述多個(gè)返回導(dǎo)向通道17中被導(dǎo)向降壓空間19 (例如見圖2b)。通過所述熱氣體貫穿所述去電離室之后的電流通過獨(dú)立的返回導(dǎo)向通道同樣地如由于電弧的局部跨接那樣被可靠地阻止。因此不出現(xiàn)所述電弧電壓的不期望的減少或隨機(jī)的減少。
[0085]通過氣體到所述去電離室的對應(yīng)的中間空間中的優(yōu)選交替流動(dòng)和其交替的排氣，在該系統(tǒng)內(nèi)提供了特別有利的流動(dòng)行為，由此，盡管減少的流動(dòng)橫截面而能夠?qū)崿F(xiàn)和必要時(shí)優(yōu)化電弧的迅速進(jìn)入和電弧的相對于一已知的和未被攔阻的室的劃分。圖12a示出了在進(jìn)入?yún)^(qū)域15之內(nèi)的電弧25和穿過梳子23中的缺口到兩個(gè)去電離片10之間的中間空間中的并在梳子齒24之上的氣體流動(dòng)。在所述室中的中間空間通過所述排氣開口 7、8單側(cè)地在所述室的右側(cè)上排氣。圖12b示出了穿過室的、在直接毗鄰的電弧片之間的、利用在左側(cè)上的排氣開口的氣體流動(dòng)。來自兩個(gè)去電離片之間的中間空間的氣體又聚集到對應(yīng)的單獨(dú)的返回導(dǎo)向通道17中并且在對應(yīng)的室側(cè)面上導(dǎo)向所述降壓空間19或最終冷卻地導(dǎo)向電極3中的缺口 4，由此獲得在所述火花隙內(nèi)部的閉合的氣體循環(huán)。圖12c示出了該室的端側(cè)，具有進(jìn)入?yún)^(qū)域15，各個(gè)去電離板10，排氣開口 7、8，板中間空間以及單獨(dú)的氣體返回導(dǎo)向通道17。
[0086]防止V形進(jìn)入?yún)^(qū)域中的復(fù)燃的該所提出的方式此外由于子電弧還直接地在去電離片的在V形進(jìn)入?yún)^(qū)域的側(cè)向旁邊的對應(yīng)側(cè)壁中的根部移動(dòng)還允許了所述去電離片的可靠使用。電弧在該區(qū)域中的根部移動(dòng)此外是可行的，這是因?yàn)橐苍谒鍪业脑搮^(qū)域中不會(huì)出現(xiàn)熱氣體的堵塞，因?yàn)槿魏螘r(shí)候都給出了通過梳子形實(shí)施的覆蓋裝置向所述去電離室內(nèi)部的通氣和通過側(cè)向的或端側(cè)的排氣開口的排氣。
[0087]圖13示例性示出電弧在一去電離片10上的原理行進(jìn)行為，在電弧在各個(gè)片上在所述室的狹縫形的進(jìn)入?yún)^(qū)域中劃分之后。在電弧25劃分之后，子電弧的根部在所述片10上以圈的形式向V形進(jìn)入?yún)^(qū)域的棱邊區(qū)域移動(dòng)。在沒有端側(cè)的覆蓋裝置9、24的情況下能夠出現(xiàn)電弧由所述室的離開并且電弧必須重新被劃分。所述去電離片10可以為了避免間隙或污染和泄漏路徑而在所述棱邊9的區(qū)域中或也環(huán)繞地沉入到所述室的隔離覆蓋裝置6中。梳子形的覆蓋裝置阻止該離開，而不通過所述進(jìn)入?yún)^(qū)域的阻攔而提高直至電弧劃分的時(shí)間。電弧在端側(cè)9上和在狹縫形的V區(qū)域24中被防止又離開。子電弧保留在所述去電離片的側(cè)壁區(qū)域中直至電弧階段的結(jié)束。虛線路徑示出了子電弧的根部在毗鄰的中間室中的在相同的去電離片的背側(cè)上的原理行進(jìn)行為。
[0088]通過所述去電離室的這些中間空間的完全交替地實(shí)施的通流和排氣(例如見圖12c)，基本上通過磁性造成的力來影響電弧柱的運(yùn)動(dòng)。進(jìn)入到所述室中的電弧通過所述交替的排氣已經(jīng)在進(jìn)入時(shí)向不同的側(cè)面，在各個(gè)中間室中偏轉(zhuǎn)并且被加長直至劃分。電弧在此情況下閃避通過板中間空間中的氣體的直接通流。在對應(yīng)相鄰的室的所述板中間空間中由此已經(jīng)產(chǎn)生側(cè)向錯(cuò)開的子電弧，它們也在相反方向上移動(dòng)和被加長。由此獲得電弧柱的總長度非常有效的變大。附加地，優(yōu)選由一種具有鐵磁特性的材料制成的并且一般具有糟糕的導(dǎo)熱的去電離片分別在前側(cè)面和背側(cè)面上僅在不同的區(qū)域中通過電弧來負(fù)載。因此相對于另外的解決方案而使用了所述這些板的全部的面積用于冷卻電弧并且優(yōu)化地充分使用了這些板的熱容。這對于板的老化也是有利的，這是因?yàn)橐虼四軌蚍浅Ａ己玫刈柚共牧系木植窟^熱和燒壞以及熔珠形成。
[0089]由此而出現(xiàn)多個(gè)正面效應(yīng)。在去電離室中，所述這些子電弧一般在豎直方向上互相排斥。在常見的室中，一子電弧在所述片上因此向所述室的上端側(cè)移動(dòng)，而另一個(gè)向具有進(jìn)入?yún)^(qū)域的下端側(cè)移動(dòng)。在沒有遮蓋裝置并且具有小的片高度的室中，這幾乎強(qiáng)制地導(dǎo)致電弧室之下的復(fù)燃。所述去電離片還經(jīng)常被單側(cè)地加熱和局部地過載。
[0090]通過子電弧橫向于流動(dòng)方向(室軸線)的交替的偏轉(zhuǎn)在本實(shí)用新型的去電離室中大幅減低了到所述這些子電弧上的垂直起作用的排斥力并且所述力更確切地說作用一附加的水平的力。交替偏轉(zhuǎn)的彼此跟隨的子電弧如已經(jīng)提到的那樣不在兩個(gè)側(cè)面上近似逐點(diǎn)地加熱所述共同的片，而是在該片的完全相反的區(qū)域中移動(dòng)。因?yàn)樗銎话憔哂蟹浅Ｔ愀獾膶?dǎo)熱，所以由此使用了該片的最大可能的熱容來冷卻所述電弧。這提高了電弧電壓并且避免了所述片的提前老化。
[0091]圖14在正視圖中示出了關(guān)于所述室的縱向軸線，在各個(gè)去電離片10之間的去電離室中的子電弧26的原理布置。通過所述子電弧電離的氣體已經(jīng)在通過相反方向的離開開口 7、8穿過所述去電離板離開所述板中間空間之前冷卻，由此進(jìn)一步減少了在所述室之外的由于熱氣體的復(fù)燃危險(xiǎn)和電流。
[0092]在圖13和圖14中變得清楚的是:在所述各個(gè)片之內(nèi)的電流路徑27從在所述片的所述一側(cè)上的電弧根部，直至在相同的片上的跟隨的子電弧的根部區(qū)域中的電流流出在本實(shí)用新型的去電離室中幾乎是最大化的。該路段的長度和通過這些片的狹縫形區(qū)域的被強(qiáng)迫的流動(dòng)導(dǎo)向(圖13)除了導(dǎo)致長的路段(幾個(gè)厘米)也導(dǎo)致在所述片中的提高的電流密度并且由此導(dǎo)致在片材料中的提高的歐姆電壓降。在常見的去電離室的情況下與之相反，經(jīng)常僅所述片的材料厚度(例如〈1mm)作為阻抗起作用。
[0093]沒有功率減少地由此能夠?qū)崿F(xiàn)有效的材料充分使用和空間充分使用或替換地能夠?qū)崿F(xiàn)功率提升，其尤其在封裝的模塊式設(shè)備中有最大的意義。
[0094]通過所述去電離片的幾何形狀和材料能夠有目的地和能重現(xiàn)地為了影響所述電弧電壓而使用歐姆電壓降的部分或還有根部運(yùn)動(dòng)。除了去電離片的勻質(zhì)的材料之外顯然也可以使用覆層的、層壓的或還有具有有目的的內(nèi)部的電流導(dǎo)向的片，以便因此進(jìn)一步提高歐姆電壓降。通過導(dǎo)電的和糟糕傳導(dǎo)的材料直至隔離的中間層必要時(shí)具有局部的引線(Durchfiihrung)的覆層可以附加地影響電流路徑和其阻抗以及電弧運(yùn)動(dòng)。這些用于設(shè)計(jì)滅弧片的、公知的措施能夠在當(dāng)前的室實(shí)施方案中尤其基于電弧的可重現(xiàn)的運(yùn)動(dòng)非常有效地使用。
[0095]所示的去電離室導(dǎo)致非常穩(wěn)定的和可重現(xiàn)的電弧行為，而沒有復(fù)燃的隨機(jī)現(xiàn)象，盡管每個(gè)去電離片的電弧電壓明顯提高。
[0096]去電離室的本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)導(dǎo)致每去電離片的能獲得的子電弧電壓的能重現(xiàn)的、明顯的提高。所述電弧電壓在完全劃分之后非常恒定并且沒有電壓驟降，由此，在交流和直流電中的非常高的并且可重現(xiàn)的電流限制是可行的。所述去電離室基于被隔離的氣體返回導(dǎo)向尤其適用于具有閉合的氣體循環(huán)的封裝的切換設(shè)備。
[0097]最佳的行為通過各個(gè)室中間空間到完全分開的并且隔離的通道中的有目的的、交替的排氣來獲得。閉合的流通在所述設(shè)備之內(nèi)，由所述電弧的點(diǎn)火區(qū)域向所述室的進(jìn)入?yún)^(qū)域，穿過所述室到該室的流出區(qū)域中，到降壓區(qū)域中并且返回到發(fā)散電極之間的電弧行進(jìn)區(qū)域中的氣體導(dǎo)向這樣地協(xié)調(diào)，使得流動(dòng)的導(dǎo)向和橫截面不導(dǎo)致電弧運(yùn)動(dòng)的影響和盡管該系統(tǒng)的封裝的電弧劃分的影響。通過所描述的措施來優(yōu)化地實(shí)現(xiàn)電弧的非常動(dòng)態(tài)的運(yùn)動(dòng)和所述室為了借助于去電離片的冷卻作用的全面積充分使用的可能性。通過有目的的氣體流動(dòng)和已經(jīng)描述的措施能夠有效地加長和冷卻所述電弧柱，從而使得由于電弧柱的和在所述片中的歐姆電壓降的電壓分量能夠在總電壓上為直至50%，其中，在常用的去電離室中該分量大多小于10%。
[0098]利用本實(shí)用新型的去電離室能夠相對于現(xiàn)有技術(shù)使每個(gè)去電離片的能獲得的電壓明顯多于30%地提高。子電弧由具有梳子式阻攔的本實(shí)用新型的去電離室的離開能夠在電弧在所述室中的完全劃分之后幾乎被排除，由此能夠在短路電流切斷的情況下獲得非常恒定的和最小的穿透累積(Durchlassintegrale)。所述室能夠?qū)⑦@在最小的空間和材料使用的情況下實(shí)現(xiàn)。
[0099]附圖標(biāo)記列表
[0100]1去電離室
[0101]2側(cè)向隔離板
[0102]3電極，發(fā)散式
[0103]4電極中的側(cè)向缺口
[0104]5氣體循環(huán)
[0105]6隔離裝置
[0106]7去電離室中的側(cè)向缺口
[0107]8去電離室中的端側(cè)缺口
[0108]9在進(jìn)入?yún)^(qū)域中的去電離片的棱邊
[0109]10去電離片
[0110]11鐵磁性板
[0111]12觸發(fā)電極
[0112]13觸發(fā)電路
[0113]14隔離壁(接片)
[0114]15V形進(jìn)入?yún)^(qū)域
[0115]16流出區(qū)域
[0116]17返回導(dǎo)向通道
[0117]18隔離接片/分隔接片
[0118]19降壓空間
[0119]20狹縫形開口
[0120]21錐面，坡道形，隔離式
[0121]22覆蓋裝置，梳子式，隔尚式
[0122]23在梳子形覆蓋裝置中的缺口
[0123]24所述覆蓋裝置的梳子齒
[0124]25電弧
[0125]26子電弧
[0126]27電流路徑
[0127]28殼體
[0128]29開口。
【權(quán)利要求】
1.滅弧室，其用于過壓放電器，具有進(jìn)行去電離的多個(gè)滅弧片或滅弧板，所述多個(gè)滅弧片或滅弧板以如下方式間隔開，即，形成用于接收電弧引起的氣體的多個(gè)通道，其中，所述滅弧片具有一狹縫形的進(jìn)入?yún)^(qū)域并且此外一氣體流出區(qū)域通過所述多個(gè)滅弧片之間的側(cè)向的和/或端側(cè)的開口組成，其特征在于，由所述滅弧室的對稱軸線出發(fā)，相鄰的滅弧片對之間的所述氣體流出區(qū)域分別交替地向一個(gè)或另一個(gè)室側(cè)面或室半部導(dǎo)向并且就此而言地構(gòu)造有分隔接片，其中，氣體分流在一共同的降壓空間中才混合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的滅弧室，其特征在于，所述過壓放電器是封裝的并且所述滅弧室這樣地構(gòu)造，使得有目的的氣體循環(huán)能夠在所述過壓放電器的所述封裝之內(nèi)預(yù)先給定。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的滅弧室，其特征在于，在所述封裝中置入一牛角式的、發(fā)散的電極組件，其中，所述電極組件的電極具有用于實(shí)現(xiàn)所述氣體循環(huán)的缺口。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的滅弧室，其特征在于，所述分隔接片是所述封裝的或一殼體的組成部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的滅弧室，其特征在于，所述電極組件側(cè)向地圍住所述滅弧室，并且就此而言，所述室沉入到電極中間空間中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的滅弧室，其特征在于，所述滅弧片的形成所述進(jìn)入?yún)^(qū)域的端側(cè)設(shè)有一隔離覆蓋裝置，所述隔離覆蓋裝置能夠構(gòu)造為流動(dòng)導(dǎo)引覆蓋裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的滅弧室，其特征在于，所述隔離覆蓋裝置具有梳子形狀或以具有梳子式側(cè)壁的罩的形式構(gòu)造。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的滅弧室，其特征在于，所述滅弧片由一種鐵磁材料制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的滅弧室，其特征在于，每一個(gè)梳子齒各至少覆蓋兩個(gè)相鄰的滅弧片和由所述兩個(gè)相鄰的滅弧片所限界的中間空間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的滅弧室，其特征在于，在對應(yīng)的梳子齒之間的缺口相應(yīng)于所述中間空間的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的滅弧室，其特征在于，兩個(gè)相對置的梳子的在對應(yīng)的梳子齒之間的缺口錯(cuò)開一個(gè)中間空間地布置。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的滅弧室，其特征在于，氣體進(jìn)入?yún)^(qū)域的面積等于所述側(cè)向的和/或端側(cè)的氣體流出區(qū)域的面積的總和。
13.過壓放電器，包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的滅弧室。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的過壓放電器，其特征在于，所述過壓放電器是被封裝的過壓放電器或具有吹滅的火花隙的過壓放電器。
【文檔編號】H01T4/14GK203747240SQ201320787769
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2013年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月3日
【發(fā)明者】L·許特納, F·瓦倫特, L·尤爾查奇科, C·瓦爾特, S·施賴特爾, A·埃爾哈特 申請人:德恩及索恩兩合股份有限公司