天線、發(fā)送裝置、接收裝置、三維集成電路及非接觸通信系統的制作方法
【專利摘要】非接觸通信系統在包括第1芯片的裝置與包括第2芯片的裝置之間實現非接觸通信。第1芯片具備發(fā)送電路和發(fā)送天線。發(fā)送電路將并行數據向差動信號變換。發(fā)送天線將該差動信號向第2芯片發(fā)送。第2芯片具備接收天線和接收電路。接收天線從發(fā)送天線接受差動信號。接收電路將該差動信號向并行數據變換。發(fā)送天線和接收天線分別包括至少兩根天線元件、第1連接端、第2連接端、第1分岔部及第2分岔部。各天線元件由芯片上的配線形成。第1連接端和第2連接端連接于芯片上的電路。第1分岔部將天線元件的各自的一端結合為1個并向第1連接端連接。第2分岔部將天線元件的各自的另一端結合為1個并向第2連接端連接。
【專利說明】天線、發(fā)送裝置、接收裝置、三維集成電路及非接觸通信系統
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及非接觸通信技術，特別涉及向三維集成電路的芯片間通信的應用。
【背景技術】
[0002]所謂非接觸通信，是指在10厘米以下的極短距離以無線方式進行通信的技術。非接觸通信例如被用于IC卡與自動檢票機之間的通信、IC卡或便攜電話與自動售賣機或記錄器之間的通信、IC卡與安全系統之間的通信、以及向便攜電話等的移動設備的送電。進而，近年來，除了汽車的無鑰匙進入及移動設備與個人計算機之間的數據交換等以外，對于三維集成電路的芯片間通信應用非接觸通信的技術的開發(fā)也正在被推進。
[0003]所謂三維集成電路，是指將多個芯片層疊而收存到I個封裝中的半導體集成電路。對于半導體集成電路，以更加小型化、多功能化、高速化及節(jié)電化為目的，要求集成度的進一步的提高。但是，由于設計規(guī)則的微細化接近于極限，所以難以將集成度二維地進一步提高。所以，以將集成度三維地提高為目的而開發(fā)出的是三維集成電路。
[0004]作為三維集成電路的芯片間通信方式，領先的是娃通孔(TSV:Through SiliconVia)技術的開發(fā)。TSV是通過蝕刻而在硅制的基板上開設貫通孔，在其中填充銅等的導電材料的技術。TSV與相同芯片內的配線層電連接，當該芯片被層疊到別的芯片上時，被與該別的芯片內的配線層電連接。因而，安裝在各芯片中的電路能夠經由TSV與安裝在別的芯片中的電路交換信號。由于TSV能夠在I片芯片中設置許多，所以能夠使芯片間通信的帶寬充分變大。但另一方面，TSV由于構造微細，所以形成工序的進一步簡單化及可靠性的進一步提高較困難。
[0005]對三維集成電路的芯片間通信應用非接觸通信技術，被期待能夠通過比TSV簡單的結構使可靠性提高。在芯片間的非接觸通信中使用線圈天線(例如參照專利文獻I)。線圈天線是由基板上的配線形成的包含環(huán)形狀的天線元件的天線。線圈天線分別形成在上下層疊的兩片芯片上。在將這些芯片層疊的狀態(tài)下，在上下的芯片的線圈天線間，天線元件的中心軸一致。因而，當流過一方的線圈天線的電流量變化時，通過感應耦合，在另一方的線圈天線中產生電動勢。利用該現象，安裝在各芯片中的電路能夠與安裝在別的芯片中的電路交換信號。
[0006]現有技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特許第4131544號公報發(fā)明概要
[0009]發(fā)明要解決的技術問題
[0010]為了使芯片間的非接觸通信的可靠性提高，只要使在線圈天線間傳送的信號的強度變高就可以。為此，考慮只要使天線元件的環(huán)形狀的面積、構成天線元件的配線的寬度及天線元件的圈數中的至少某個增加就可以。但實際上，因為以下的理由，它們中的任何一個都較困難。首先，使天線元件的環(huán)形狀的面積增加會阻礙芯片的進一步的小型化。接著，使配線的寬度增加必須將設計規(guī)則至少部分地放寬，阻礙配線的進一步的高密度化或工藝的進一步的簡單化。進而，使天線元件的圈數增加，隨著構成天線元件的配線的長度的增加天線元件的電阻也增加。工藝越微細，該電阻的增加就越大地影響到在線圈天線間傳送的信號的強度，特別在高頻帶中將阻礙信號強度的上升。
[0011]
【發(fā)明內容】
[0012]本發(fā)明的目的是提供一種將非接觸通信的信號強度在高頻帶中也維持得較高、并能夠使可靠性進一步提高的非接觸通信系統。
[0013]用于解決技術問題的手段
[0014]本發(fā)明的一觀點的天線具備至少兩根天線元件、第I連接端、第2連接端、第I分岔部及第2分岔部。天線元件由芯片上的配線形成。第I連接端和第2連接端連接于芯片上的電路。第I分岔部將天線元件的各自的一端結合為I個，向第I連接端連接。第2分岔部將天線元件的各自的另一端結合為I個，向第I連接端連接。
[0015]本發(fā)明的一觀點的非接觸通信系統是在包括第I芯片的裝置與包括第2芯片的裝置之間實現非接觸通信的系統。第I芯片具備發(fā)送電路和發(fā)送天線。發(fā)送電路將并行數據向差動信號變換。發(fā)送天線將該差動信號向第2芯片發(fā)送。第2芯片具備接收天線和接收電路。接收天線從發(fā)送天線接受差動信號。接收電路將該差動信號向并行數據變換。發(fā)送天線和接收天線分別由本發(fā)明的上述技術方案的天線構成。
[0016]發(fā)明效果
[0017]在本發(fā)明的上述技術方案的天線中，至少兩根天線元件將第I分岔部與第2分岔部之間連接。因而，即使構成各天線元件的配線的寬度被限制得較小，也能夠使兩個分岔部之間的電阻充分變低。此外，能夠在將該電阻維持得較低的狀態(tài)下使各天線元件充分變長。結果，本發(fā)明的上述觀點的非接觸通信系統將信號強度在高頻帶中也維持得較高，能夠使可罪性進一步提聞。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0018]圖1是表示本發(fā)明的實施方式I的三維集成電路的構造的分解裝配圖。
[0019]圖2是表示沿著圖1所示的直線II — II的截面的示意圖。
[0020]圖3是在圖1所示的天線區(qū)域之一中包含的線圈天線的平面圖。
[0021]圖4是位于圖3所示的線圈天線的正上方或正下方的線圈天線的平面圖。
[0022]圖5是表示在圖1所示的芯片中被用于通信的要素的框圖。
[0023]圖6是表示僅包含I根天線元件的線圈天線和圖3所示的線圈天線各自的平面圖、以及各自的增益的頻率特性的曲線圖。
[0024]圖7是線圈天線的變形例I的平面圖。
[0025]圖8是線圈天線的變形例2的平面圖。
[0026]圖9是線圈天線的變形例3的平面圖。
[0027]圖10是線圈天線的變形例4的平面圖。
[0028]圖11是線圈天線的變形例5的平面圖。[0029]圖12 (a)是線圈天線的變形例6的平面圖。圖12 (b)是表示圖12 (a)所示的線圈天線能夠作為分岔部采用的配線的構造的另一例的放大平面圖。
[0030]圖13是線圈天線的變形例7的立體圖。
[0031]圖14是線圈天線的變形例8的立體圖。
[0032]圖15是線圈天線的變形例9的立體圖。
[0033]圖16是本發(fā)明的實施方式2的非接觸通信系統的示意圖。
【具體實施方式】
[0034]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。 [0035]〈〈實施方式I?
[0036]圖1是表示本發(fā)明的實施方式I的三維集成電路的構造的分解裝配圖。參照圖1，該集成電路100包括多個芯片110、120、130、140、150和I片插片(interposer) 160。這些芯片110 - 150交替地層疊在該插片160之上。各芯片110、…、150包括多個核心(core)電路111、多個天線區(qū)域112及通信電路113。這些要素111、112、113被在圖1中沒有表示的配線層覆蓋，通過該配線層相互連接。各核心電路111實現CPU、存儲器陣列、DSP(DigitalSignal Processor:數字信號處理器)、PLD(Programmable Logic Device:可編程邏輯設備)、隨機邏輯電路等的各功能。天線區(qū)域112以格狀配置在各芯片110、…、150之上，分別包括I個線圈天線。各線圈天線連接在通信電路113上。當將芯片110 - 150相互層疊時，各天線區(qū)域112被配置到其他芯片的天線區(qū)域的正上方或正下方。由此，各線圈天線被與其他芯片的線圈天線同心地配置。通信電路113電連接在相同芯片上的核心電路111上。通信電路113從核心電路111接收并行數據，將該數據向差動信號變換，向某個天線區(qū)域112傳送。相反，通信電路113從某個天線區(qū)域112接收由線圈天線捕捉到的差動信號，將該差動信號向并行數據變換，向某個核心電路111傳送。
[0037]圖2是表示沿著圖1所示的直線II — II的截面的示意圖。參照圖2，在芯片110、120、…、150之間填充有粘接層210、220、230、240，將芯片相互接合。各芯片110、…、150的天線區(qū)域112被配置在其他芯片的天線區(qū)域的正上方或正下方。當在某個天線區(qū)域112內電流流到線圈天線中時，由此產生的磁通MGF將位于該天線區(qū)域112的正上方及正下方的天線區(qū)域內的線圈天線貫穿。由此，在這些線圈天線間發(fā)生感應耦合。即，如果在某個線圈天線中電流變化，則磁通隨之而變化，所以在其他線圈天線中產生電動勢。這樣，能夠利用這些線圈天線進行芯片間通信。最下層的芯片150與插片160之間被用微凸塊(micix)bump) 250連接，插片160與外部端子(在圖2中沒有表示)之間被用凸塊260連接。
[0038]一般而言，天線的典型的尺寸與該天線實現的通信距離大致相等。芯片間通信的通信距離由芯片110、…、150的各厚度和芯片間隔、即由各粘接層210、…、240的厚度決定，所以線圈天線的尺寸根據芯片的制造工藝和層疊方法而不同。例如，在芯片的厚度是一百幾十μ m、芯片間隔是幾十μ m的情況下，在各天線區(qū)域112中線圈天線所占的面積被設定為幾μ m2~幾mm2。
[0039]圖3是在圖1所示的天線區(qū)域之一中包含的線圈天線的平面圖。該線圈天線300被用于從相同的芯片上的通信電路113向其他芯片的發(fā)送。參照圖3，該線圈天線300包括第I連接端301、第2連接端302、第I天線元件311、第2天線元件312、第I分岔部321及第2分岔部322。第I連接端301和第2連接端302連接在相同芯片上的通信電路113上，從該通信電路113接受差動信號。即，第I連接端301接受的信號電壓與第2連接端302接受的信號電壓是反相位。第I天線元件311、第2天線元件312、第I分岔部321及第2分岔部322都由芯片上的配線形成。這里，配線的寬度根據設計規(guī)則而為一定。第I天線元件311和第2天線元件312是同心的環(huán)形狀，第2天線元件312在第I天線元件311的內側與第I天線元件311并行。該環(huán)形狀實質上是方形的螺旋，從外側朝向內側逆時針卷繞了 3圈。在各天線元件311、312描繪的螺旋的各個角CRN上，將配線以比90度大的角度Θ彎折各兩次。第I天線元件311描繪的螺旋的間隔在各角CRN被維持為一定值GSC，在各邊SID被維持為一定值GSS。角CRN上的螺旋的間隔GSC比邊上的間隔GSS大。進而，該螺旋的間隔GSC、GSS是第I天線元件311與第2天線元件312的間隔GTC、GTS的2倍。因而，第2天線元件312描繪的螺旋位于第I天線元件311描繪的螺旋的中間。第I分岔部321將第I天線元件311和第2天線元件312的各自的一端結合為I個，向第I連接端301連接。第2分岔部322將第I天線元件311和第2天線元件312的各自的另一端結合為I個，向第2連接端302連接。因此，在第I連接端301與第2連接端302之間，伴隨著差動信號的電流分開流到兩條天線元件311、312中。
[0040]螺旋的角CRN的配線的彎折的角度Θ比90度大，例如是135度。進而，在各分岔部321、322，第2天線元件312的端部相對于第I天線元件311的端部傾斜地、例如以45度的角度相交。因而，在各天線元件311、312中流動的電流在螺旋的4個角CRN和兩個分岔部321、322的任意一個中，起因于反射的紊亂都較小。結果，在千兆赫茲水平的高頻帶、特別是IOGHz以上，信號的損失被抑制，所以線圈天線300的增益在高頻帶中也足夠高。此夕卜，在各分岔部321、322中，通過調節(jié)第2天線元件312的端部相對于第I天線元件311的端部的角度，能夠使兩根天線元件311、312的全長大致相等而一致。由此，隨著各天線元件311、312的圈數(在圖3中是“3”)增加，線圈天線300的電感增加。另一方面，線圈天線300的電阻等于各天線元件311、312的電阻的大致一半。
[0041]圖4是位于圖3所示的線圈天線的正上方或正下方的線圈天線的平面圖。該線圈天線400被用于從圖3所示的線圈天線300進行接收。比較圖3、圖4可知，該線圈天線400與圖3所示的線圈天線300處于鏡像的關系。具體而言，該線圈天線400與圖3所示的線圈天線300同樣,包括第I連接端401、第2連接端402、第I天線元件411、第2天線元件412、第I分岔部421及第2分岔部422。第I天線元件411、第2天線元件412、第I分岔部421及第2分岔部422都由芯片上的配線形成。第I天線元件411和第2天線元件412與圖3所示的兩根天線元件311、312同樣，實質上描繪方形的螺旋。但是，該螺旋與圖3所示的螺旋相反，從外側朝向內側順時針地卷繞。第I分岔部421將第I天線元件411和第2天線元件412的各自的一端結合為I個，向第I連接端401連接。第2分岔部422將第I天線元件411和第2天線元件412的各自的一端結合為I個，向第2連接端402連接。第I連接端401和第2連接端402連接在相同的芯片上的通信電路113上。該通信電路113通過這些連接端401、402，檢測被兩根天線元件411、412捕捉到的來自圖3所示的線圈天線300的差動/[目號。
[0042]圖5是表示在圖1所示的芯片中被用于通信的要素的框圖。參照圖5，第I芯片510和第2芯片520是圖1所示的芯片110 — 150中的兩片。第I芯片510包括發(fā)送電路511和發(fā)送天線512。發(fā)送電路511包含在第I芯片510上的通信電路113中。發(fā)送天線512是包括第I芯片510上的天線區(qū)域112的某個的線圈天線300。第2芯片520包括接收電路521和接收天線522。接收電路521包含在第2芯片520上的通信電路113中。接收天線522是包含位于第2芯片520上的天線區(qū)域112中的第I芯片510上的天線區(qū)域112的正上方或正下方者的線圈天線400。
[0043]再參照圖5，發(fā)送電路511包括8b/IOb編碼部501、并行/串行變換部502及發(fā)送緩沖器503，接收電路521包括接收緩沖器504、時鐘復原部505、串行/并行變換部506及8b/10b解碼部507。8b/10b編碼部501從發(fā)送源的核心電路111接收8比特的并行數據DAT，將該數據DAT變換為10比特的并行數據。并行/串行變換部502將該10比特的并行數據變換為串行數據。這里，該串行數據的各比特被按照規(guī)定的時鐘信號CLK送出。發(fā)送緩沖器503按照該串行數據使差動信號的電壓變化。該差動信號被向發(fā)送天線512送出。由此，在發(fā)送天線512中流動的電流變化，對應于該變化，貫穿發(fā)送天線512和接收天線522的磁通MGF變化，所以在接收天線522中產生電動勢。接收緩沖器504將該電動勢的變化作為差動信號的電壓變化進行放大，向時鐘復原部505傳遞。時鐘復原部505將該電壓變化整形為串行數據，并根據該電壓變化將時鐘信號CLK復原。串行/并行變換部506將該串行數據變換為10比特的并行數據。8b/10b解碼部507從該10比特的并行數據將8比特的并行數據DAT解碼，向目的地的核心電路111送出。這樣，從第I芯片510的核心電路向第2芯片520的核心電路傳遞8比特的并行數據DAT。
[0044][實施方式I的優(yōu)點]
[0045]圖6是僅包含I根天線元件的線圈天線(以下，稱作第I線圈天線)和圖3所示的線圈天線(以下，稱作第2線圈天線)的各自的平面圖、以及表示各自的增益的頻率特性的曲線圖。參照圖6，第I線圈天線600包括第I連接端601、第2連接端602及I根天線元件611。第I連接端601和第2連接端602從相同芯片上的通信電路113接受差動信號。天線元件611與圖3所示的兩根天線元件311、312同樣由芯片上的配線形成，實質上描繪方形的螺旋。配線的寬度、間隔及螺旋的尺寸在兩線圈天線600、300中是共用的。另一方面，第I線圈天線600的天線元件611的圈數是第2線圈天線300的各天線元件311、312的圈數的2倍=6。結果，第I線圈天線600與第2線圈天線300相比，面積和圈數相當，而另一方面，從第I連接端到第2連接端的配線的長度是大致2倍。因而，第I線圈天線600與第2線圈天線300電感相等、但另一方面電阻值是大致4倍。由此，在兩線圈天線600、300中，在增益的頻率特性上發(fā)生差別。圖6所示的虛線的曲線圖表示第I線圈天線600的增益的頻率特性，實線的曲線圖表示第2線圈天線300的增益的頻率特性。根據這些曲線圖可知，第2線圈天線300與第I線圈天線600不同，在千兆赫茲水平的高頻帶、特別是IOGHz以上增益足夠高(參照在圖6中用單點劃線包圍的區(qū)域RGN)。
[0046]這樣，在本發(fā)明的實施方式I的三維集成電路中，在芯片間的非接觸通信中利用的線圈天線300包括兩根天線元件311、312。這些天線元件311、312將第I分岔部321與第2分岔部322之間連接，相互并行而描繪同心的螺旋。因而，即使配線的寬度被設計規(guī)則限制為一定值，也能夠在將線圈天線300的電感維持得較高的狀態(tài)下使線圈天線300的電阻充分變低。結果，本發(fā)明的實施方式I的三維集成電路將芯片間的非接觸通信中的信號強度在千兆赫茲水平的高頻帶特別是IOGHz以上也維持得較高，能夠使可靠性進一步提聞ο
[0047]〈〈變形例>>
[0048](A)圖3所示的線圈天線300是發(fā)送用，圖4所示的線圈天線400是接收用。也可以相反，前者300是接收用，后者400是發(fā)送用。除此以外，也可以將這些線圈天線300、400兼用于收發(fā)。此外，線圈天線的圈數并不限定于圖3、圖4所示的值“3”，只要是I以上就可以，也可以是半整數。進而，也可以與圖3、圖4所示不同，在發(fā)送天線和接收天線的兩者中螺旋的方向相同。發(fā)送天線和接收天線也可以與圖3、圖4所示不同，也可以不處于鏡像的關系，也可以一方的尺寸比另一方的尺寸大。
[0049](B)在圖5中，發(fā)送側的芯片和接收側的芯片是1:1。除此以外，發(fā)送側的芯片和接收側的芯片的某個或兩者也可以是多個。在哪種情況下，都如圖1、圖2所示，在發(fā)送側和接收側的各芯片中，將同心配置的線圈天線用于通信。
[0050](C)圖7是線圈天線的變形例I的平面圖。參照圖7，該線圈天線700與圖3所示的線圈天線300相比，第I天線元件711和第2天線元件712的環(huán)形狀不同。其他特征與圖3所示的線圈天線300是同樣的。第I天線元件711和第2天線元件712是同心的環(huán)形狀，第2天線元件712在第I天線元件711的內側與第I天線元件711并行。其環(huán)形狀實質上是方形的螺旋，從外側朝向內側逆時針卷繞3圈。第I天線元件711描繪的螺旋與圖3所示的螺旋不同，是等間隔的。即，角CRN上的螺旋的間隔GSC與邊上的間隔GSS相等。進而，第I天線元件711和第2天線元件712等間隔地配置，其間隔GTC=GTS是第I天線元件711描繪的螺旋的間隔GSC=GSS的1/2。因而，在天線元件711、712的整體中配線是等間隔的，所以通過流過這些配線的電流產生的磁場在螺旋的4個角CRN的哪個中都只發(fā)生較小的紊亂。結果，信號的損失被抑制，所以線圈天線700的增益足夠高。
[0051](D)圖8是線圈天線的變形例2的平面圖。參照圖8，該線圈天線800與圖7所示的線圈天線700相比，第I分岔部821和第2分岔部822的形狀不同。其他特征與圖7所示的線圈天線700是同樣的。參照圖8，在各分岔部821、822中，與圖3所示的321、322不同，第I天線元件711的端部和第2天線元件712的端部的兩者在共用配線831、832的一端，相對于該共用配線831、832傾斜地以例如45度的角度相交。各共用配線831、832的另一端連接在各連接端301、302上。在這些分岔部821、822中，也與圖7所示的分岔部321、322同樣，流過各天線元件711、712的電流的起因于反射的紊亂較小。結果，信號的損失被抑制，所以線圈天線800的增益足夠高。
[0052](E)圖9是線圈天線的變形例3的平面圖。參照圖9，該線圈天線900與圖3所示的線圈天線300相比，第I天線元件911和第2天線元件912的環(huán)的形狀不同。其他特征與圖3所示的線圈天線300是同樣的。第I天線元件911和第2天線元件912是同心的環(huán)形狀，第2天線元件912在第I天線元件911的內側與第I天線元件911并行。其環(huán)形狀實質上是方形的螺旋，從外側朝向內側逆時針地卷繞3圈。與圖7所示的天線元件711、712同樣，第I天線元件911描繪的螺旋是等間隔，第I天線元件911和第2天線元件912等間隔地配置。另一方面，與圖7所示的天線元件711、712不同，第I天線元件911與第2天線元件912的間隔GTS比第I天線元件711描繪的螺旋的間隔GSS的1/2小。因而，流過第I天線元件911的各部的電流與流過在其內側相鄰接的第2天線元件912的部分的電流強烈地相互影響，另一方面，不易從流過各天線元件911、912的其他部分的電流受到影響。結果，信號的失真被抑制，所以線圈天線900的性能足夠高。
[0053](F)圖10是線圈天線的變形例4的平面圖。參照圖10，在該線圈天線1000中，與圖9所示的線圈天線900相比，第2連接端1002的位置距線圈天線的中心較近。其他特征與圖9所示的線圈天線900是同樣的。特別是，第I天線元件1011和第2天線元件1012與圖9所示的911、912同樣，實質上描繪出方形的螺旋，從外側朝向內側逆時針卷繞3圈。進而，第I天線元件1011描繪的螺旋是等間隔，第I天線元件1011和第2天線元件1012等間隔地配置。另一方面，與圖9所示的天線元件911、912相比，第I天線元件1011描繪的螺旋的間隔GSS和第I天線元件1011與第2天線元件1012的間隔GTS相比極端地大。因而，流過第I天線元件1011的各部的電流與流過在其內側相鄰接的第2天線元件1012的部分的電流強烈地相互影響，另一方面，從流過各天線元件1011、1012的其他部分的電流幾乎不受影響。結果，信號的失真被抑制，所以線圈天線1000的性能足夠高。此外，線圈天線1000生成的磁場在比圖9所示的線圈天線900生成的磁場大的范圍中是均勻的。在此情況下，容易調節(jié)該芯片的位置，以使該磁場將別的芯片上的線圈天線貫穿。在該意義下，圖10所示的線圈天線1000容易與別的線圈天線建立感應耦合。
[0054](G)圖11是線圈天線的變形例5的平面圖。參照圖11，在該線圈天線1100中，與圖7所示的線圈天線700相比，第2連接端1102的位置距線圈天線的中心較近。其他特征與圖7所示的線圈天線700是同樣的。特別是，第I天線元件1111和第2天線元件1112與圖7所示的711、712同樣，實質上描繪方形的螺旋，從外側朝向內側逆時針卷繞3圈。第I天線元件1111描繪的螺旋是等間隔的。第I天線元件1111和第2天線元件1112等間隔地配置，其間隔GTS是第I天線元件1111描繪的螺旋的間隔GSS的1/2。因而，在天線元件1111、1112的整體中配線是等間隔的，所以通過流過這些配線的電流產生的磁場在螺旋的4個角CRN的哪個中都只發(fā)生較小的紊亂。結果，信號的損失被抑制，所以線圈天線1100的增益足夠高。此外，配線的間隔與圖7所示相比很大，所以流過天線元件1111、1112的各部的電流從流過其他部分的電流幾乎不受影響。結果，信號的失真被抑制，所以線圈天線1100的性能足夠高。而且，線圈天線1100生成的磁場在比圖7所示的線圈天線700生成的磁場大的范圍中是均勻的。在此情況下，容易調節(jié)該芯片的位置，以使該磁場將別的芯片上的線圈天線貫穿。在該意義下，圖11所示的線圈天線1100容易與別的線圈天線建立感應耦合。
[0055] (H)圖12 Ca)是線圈天線的變形例6的平面圖。參照圖12 (a)，在該線圈天線1200中，與圖8所示的線圈天線800不同，3根天線元件1211、1212、1213在第I分岔部1221與第2分岔部1222之間并行。其他特征與圖8所示的線圈天線800是同樣的。特別是，各天線元件1211、…、1213是同心的環(huán)形狀，第2天線元件1212在第I天線元件1211的內側與第I天線元件1211并行，第3天線元件1213在第2天線元件1212的內側與第2天線元件1212并行。其環(huán)形狀實質上是方形的螺旋，從外側朝向內側逆時針卷繞了兩圈。由于各天線元件1211、…、1213的圈數是“2”，所以線圈天線1200的配線整體中的圈數是“6”。因而，線圈天線1200的電感與圖8所示的線圈天線800的電感大致相等。另一方面，線圈天線1200的電阻等于各天線元件1211、…、1213的電阻的約1/3。由于各天線元件1211、…、1213比圖8所示的各天線元件711、712短，所以線圈天線1200的電阻比圖8所示的線圈天線800的電阻的2/3倍低。因而，線圈天線1200的增益在千兆赫茲水平的高頻帶特別是IOGHz以上更高。[0056]再參照圖12 (a)，第I天線元件1211描繪的螺旋是等間隔的。此外，3根天線元件1211、1212、1213相互等間隔地配置，其間隔GT1、GT2是第I天線元件1211描繪的螺旋的間隔GSS的1/3。因而，在天線元件1211 - 1213的整體中，配線是等間隔的，所以通過流過這些配線的電流產生的磁場在螺旋的4個角CRN的哪個中都只發(fā)生較小的紊亂。而且，在各分岔部1221、1222中，第I天線元件1211的端部和第3天線元件1213的端部的兩者在第2天線元件1212上的相同位置上，相對于第2天線元件1212的端部傾斜地以例如45度的角度相交。在此情況下，流過各天線元件1211、...、1213的電流在兩個分岔部1221、1222的哪個中，起因于反射的紊亂都較小。以上的結果是，螺旋的角CRN和分岔部1221、1222處的信號的損失被抑制，所以線圈天線1200的增益足夠高。
[0057]圖12 (b)是表示圖12 (a)所示的線圈天線作為分岔部能夠采用的配線的構造的另一例的放大平面圖。在圖12 (b)所示的分岔部，與圖12 (a)所示的1221、1222不同，第2天線元件1212相對于第I天線元件1211傾斜地以例如45度相交，在與該交點不同的位置，第3天線元件1213相對于第2天線元件1212傾斜地以例如45度相交。在該分岔部中，也與圖12 (a)所示的分岔部1221、1222同樣，流過各天線元件1211、…、1213的電流起因于反射的紊亂較小。結果，信號的損失被抑制，所以線圈天線1200的增益足夠高。此外，在該分岔部，通過獨立調節(jié)第2天線元件1212的端部相對于第I天線元件1211的端部的角度、和第3天線元件1213的端部相對于第2天線元件1212的端部的角度，能夠使3根天線元件1211、…、1213的全長大致相等而一致。由此，哪個天線元件1211、…、1213都呈現大致相同的電阻，所以線圈天線1200的性能更高。
[0058](I)圖13是線圈天線的變形例7的立體圖。參照圖13，芯片包括第I配線層TR1、第2配線層TR2及層間絕緣膜INS。兩片配線層TR1、TR2被層間絕緣膜INS分隔，線圈天線1300跨越這兩片配線層TR1、TR2而形成。具體而言，該線圈天線1300在第I配線層TRl中包括第I連接端1301、第I天線元件的一半1311、第2天線元件的一半1312及第I分岔部1351，在第2配線層TR 2中包括第2連接端1302、第I天線元件的其余一半1331、第2天線元件的其余一半1332及第2分岔部1352，在層間絕緣膜INS中包括4種通孔1321、1322、1341、1342。第I連接端1301和第2連接端1302連接在相同芯片上的通信電路113上，從該通信電路113接受差動信號。第I配線層TRl上的第I天線元件的部分1311通過第I通孔1321和第3通孔1341連接在第2配線層TR2上的第I天線元件的部分1331上。第I配線層TRl上的第2天線元件的部分1312通過第2通孔1322和第4通孔1342連接在第2配線層TR2上的第2天線元件的部分1332上。這樣，第I天線元件和第2天線元件描繪同心的螺旋。當從與芯片的表面垂直的方向觀察時，各天線元件描繪的螺旋的形狀實質上是方形，從外側朝向內側逆時針卷繞3圈。在第I配線層TRl中，第2天線元件1312在第I天線元件1311的內側與第I天線元件1311并行，在第2配線層TR2中相反，第I天線元件1331在第2天線元件1332的內側與第2天線元件1332并行。由此，能夠使兩根天線元件的全長更高精度地一致。第I分岔部1351將第I天線元件1311和第2天線元件1312的各自的一端結合為I個，向第I連接端1301連接。第2分岔部1352將第I天線元件1331和第2天線元件1332的各自的一端結合為I個，向第2連接端1302連接。
[0059]在圖13中，以容易觀察線圈天線1300的構造的目的，相對于與芯片的表面平行的方向的比例尺，將垂直的方向的比例尺夸大表示。即，各通孔1321、1322、1341、1342的長度實際上相比與芯片的表面平行的方向的線圈天線1300的大小是充分小的。因而，通過通孔1321、…、1342的附近的電流的紊亂及流過通孔1321、…、1342的電流產生的磁場都足夠小。結果，由線圈天線1300產生的磁場在芯片的法線方向上最強，所以線圈天線1300能夠與配置在其正上方及正下方的別的線圈天線建立足夠強的感應耦合。
[0060](J)圖14是線圈天線的變形例8的立體圖。參照圖14，與圖13同樣，芯片包括第I配線層TR1、第2配線層TR2及層間絕緣膜INS，線圈天線1400跨越這兩片配線層TR1、TR2而形成。具體而言，該線圈天線1400在第I配線層TRl中包括第I連接端1401、第I天線元件的第I部分1411和第3部分1451、第2天線元件的第I部分1412和第3部分1452、以及第I分岔部1491，在第2配線層TR2中包括第2連接端1402、第I天線元件的第2部分1431和第4部分1471、第2天線元件的第2部分1432和第4部分1472、以及第2分岔部 1492，在層間絕緣膜 INS 中包括 8 種通孔 1421、1422、1441、1442、1461、1462、1481、1482。第I連接端1401和第2連接端1402連接在相同芯片上的通信電路113上，從該通信電路113接受差動信號。第I天線元件的第I部分1411通過第I通孔1421連接在第I天線元件的第2部分1431上，該第2部分1431通過第3通孔1441連接在第I天線元件的第3部分1451上，該第3部分1451通過第5通孔1461連接在第I天線元件的第4部分1471上，該第4部分1471通過第7通孔1481連接在第I天線元件的第I部分1411上。第2天線元件的第I部分1412通過第2通孔1422連接在第2天線元件的第2部分1432上，該第2部分1432通過第4通孔1442連接在第2天線元件的第3部分1452上，該第3部分1452通過第6通孔1462連接在第2天線元件的第4部分1472上，該第4部分1472通過第8通孔1482連接在第2天線元件的第I部分1412上。這樣，第I天線元件和第2天線元件描繪同心的螺旋。當從與芯片的表面垂直的方向觀察時，各天線元件描繪的螺旋的形狀實質上是方形，從外側朝向內側逆時針地卷繞了 3圈。在第I配線層TRl中，第2天線元件的第I部分1412在第I天線元件的第I部分1411的內側與該第I部分1411并行，第2天線元件的第3部分1452在第I天線元件的第3部分1451的內側與該第3部分1451并行。在第2配線層TR2中，第I天線元件的第2部分1431在第2天線元件的第2部分1432的內側與該第2部分1432并行，第I天線元件的第4部分1471在第2天線元件的第4部分1472的內側與該第4部分1472并行。由此，能夠使兩根天線元件的全長更高精度地一致。第I分岔部1491將第I天線元件的第I部分1411和第2天線元件的第I部分1412的各自的一端結合為I個，向第I連接端1401連接。第2分岔部1492將第I天線元件的第4部分1471和第2天線元件的第4部分1472的各自的一端結合為I個，向第2連接端1402連接。
[0061]在圖14中，與圖13同樣,相對于與芯片的表面平行的方向的比例尺,將垂直的方向的比例尺夸大表示。即，各通孔1421、…、1482的長度實際上相比芯片的表面的方向上的線圈天線1400的大小足夠小。因而,與圖13所示的線圈天線1300同樣,線圈天線1400能夠與配置在其正上方及正下方的別的線圈天線建立足夠強的感應耦合。
[0062](K)圖15是線圈天線的變形例9的立體圖。參照圖15，與圖13同樣，芯片包括第I配線層TR1、第2配線層TR2及層間絕緣膜INS，線圈天線1500跨越這兩片配線層TR1、TR2而形成。具體而言，該線圈天線1500在第I配線層TRl中包括第I連接端1501和第I天線元件1511，在第2配線層TR2中包括第2連接端1502和第2天線元件1512，在層間絕緣膜INS中包括兩個通孔1521、1522。第I連接端1501和第2連接端1502連接在相同的芯片上的通信電路113上，從該通信電路113接受差動信號。第I天線元件1511和第2天線元件1512是在配線的成形誤差的范圍內完全相同的尺寸及環(huán)形狀，優(yōu)選的是配置為，從與芯片的表面垂直的方向觀察整體重疊。該環(huán)形狀實質上是方形的螺旋，從外側朝向內側逆時針卷繞了 3圈。特別是，兩根天線元件1511、1512的全長實質上相等。第I通孔1521將第2天線元件1512的一端連接到第I天線元件1511的一端上，構成第I分岔部1531。第I分岔部1531向第I連接端1501連接。第2通孔1522將第I天線元件1511的另一端連接到第2天線元件1512的另一端上，構成第2分岔部1532。第2分岔部1532向第2連接端1502連接。
[0063]在圖15中，與圖13同樣,相對于與芯片的表面平行的方向的比例尺,將垂直的方向的比例尺夸大表示。即，各通孔1521、1522的長度實際上與各天線元件1511、1512的尺寸相比足夠小。因而，與圖13所示的線圈天線1300同樣，線圈天線1500能夠與配置在其正上方及正下方的別的線圈天線建立足夠強的感應耦合。
[0064]〈〈實施方式2?
[0065]圖16是本發(fā)明的實施方式2的非接觸通信系統的示意圖。參照圖16，該系統包括內置在便攜電話CPH中的第I芯片1610、和內置在托架(cradle)CRD中的第2芯片1620，被用于便攜電話CPH與托架CRD之間的數據交換。
[0066]第I芯片1610被安裝在便攜電話CPH的殼體的表面附近，包括第I線圈天線1611和第I收發(fā)電路1612。第I線圈天線1611由第I芯片1610上的配線形成，通過第I芯片1610的配線層(在圖16中沒有表示)連接在第I收發(fā)電路1612上。第I線圈天線1611是與圖3所示的線圈天線300同樣的形狀，特別是在第I線圈天線1611的兩端間，兩根天線元件并行地描繪同心的螺旋。第I收發(fā)電路1612包括與圖5所示的發(fā)送電路511及接收電路521同樣的要素。第I收發(fā)電路1612利用這些要素，將來自CPU等的并行數據變換為差動信號，向第I線圈天線1611送出，相反，將由第I線圈天線1611檢測出的差動信號變換為并行數據，向CPU等送出。
[0067]托架CRD外裝或內置在個人計算機等的信息設備中，在其殼體的上面，包括能夠載置便攜電話CPH的部分。第2芯片1620安裝在該部分的表面附近，包括第2線圈天線1621和第2收發(fā)電路1622。第2線圈天線1621由第2芯片1620上的配線形成，通過第2芯片1620的配線層(在圖16中沒有表示)連接在第2收發(fā)電路1622上。第2線圈天線1621是與圖4所示的線圈天線400同樣的形狀，特別是，在第2線圈天線1621的兩端間，兩根天線元件并行地描繪同心的螺旋。當便攜電話CPH被正確地載置在托架CRD的上面時，第I線圈天線1611被同心配置在第2線圈天線1621的正上方。由此，在兩線圈天線1611、1621之間建立感應耦合，能夠傳送差動信號。第2收發(fā)電路1622包括與圖5所示的發(fā)送電路511及接收電路521同樣的要素。第2收發(fā)電路1622利用這些要素，將來自信息設備的并行數據變換為差動信號并向第2線圈天線1620送出，相反，將由第2線圈天線1620檢測出的差動信號變換為并行數據并向CPU等送出。結果，信息設備能夠通過托架CRD與便攜電話CPH交換數據。 [0068]如圖16所示，在本發(fā)明的實施方式2的非接觸通信系統中，形成在兩片芯片1610、1620的各自上的線圈天線1611、1621與圖3、4所示的300、400同樣，包括兩根天線元件。這些天線元件在線圈天線1611、1621的兩端間并行地描繪同心的螺旋。因而，即使配線的寬度被設計規(guī)則限制為一定值，也能夠在將線圈天線1611、1621的電感維持得較高的狀態(tài)下，使線圈天線1611、1621的電阻充分變低。結果，本發(fā)明的實施方式2的非接觸通信系統將芯片1610、1620間的非接觸通信的信號強度在千兆赫茲水平的高頻帶特別是IOGHz以上
也維持得較高，能夠使可靠性進一步提高。
[0069]本發(fā)明的實施方式2的非接觸通信系統除了便攜電話CPH以外，也可以用于便攜游戲機、電視游戲機的控制器、便攜信息終端或數字照相機等的移動設備與托架CRD之間的數據交換。除此以外，該系統也可以用于不同的移動設備之間、或IC卡與讀卡器之間的數據交換。
[0070]? 附記 >>
[0071]基于本發(fā)明的上述實施方式，本發(fā)明也可以從以下的觀點賦予特征。
[0072]在本發(fā)明的一個觀點的天線中，也可以是，上述至少兩根天線元件是同心的環(huán)形狀，相互并行。由此，能夠在將天線的電感維持得高的狀態(tài)下使其電阻充分變低。
[0073]也可以是，各天線元件的環(huán)形狀實質上是方形，在該方形的角部，配線以比90度大的角度至少彎折兩次。在此情況下，流過各天線元件的電流在哪個角上起因于反射的紊亂都較小。結果，特別在高頻帶中信號的損失被抑制。
[0074]各天線元件的環(huán) 形狀也可以是等間隔的螺旋。此外，也可以至少兩根天線元件等間隔地配置。在此情況下，通過流過這些天線元件的電流產生的磁場僅發(fā)生較小的紊亂。結果，信號的損失被抑制。
[0075]也可以是，在第I分岔部和第2分岔部的各自中，至少兩根天線元件以比90度小的角度相交。也可以是，在第I分岔部和第2分岔部的至少某個中，至少兩根天線元件中的I根筆直地延伸，另I根相對于該I根斜向相交。除此以外，也可以是，在第I分岔部和第2分岔部的至少某個中，至少兩根天線元件分別相對于芯片上的I根配線以相同的角度相交。在哪種情況下，流過各天線元件的電流在哪個分岔部中起因于反射的紊亂都較小。結果，特別在高頻帶中信號的損失被抑制。此外，通過在各分岔部中調節(jié)天線元件的間的角度，能夠使各天線元件的全長大致相等而一致。由此，能夠將天線的電感和電阻同時調節(jié)為適當的值。
[0076]在本發(fā)明的另一觀點的天線中，也可以是，芯片包括第I配線層和第2配線層；至少兩根天線元件分別包括:屬于第I配線層的第I部分；屬于第2配線層的第2部分；將第I部分與第2部分之間連接的至少兩個通孔。此外，也可以是，至少兩根天線元件中的I根屬于第I配線層，另I根屬于第2配線層；第I分岔部和第2分岔部分別包括將第I配線層與第2配線層之間連接的通孔。在哪種情況下，都能夠使各天線元件的全長更高精度地一致，所以更容易將天線的電感和電阻同時調節(jié)為適當的值。
[0077]本發(fā)明的一觀點的發(fā)送裝置具備發(fā)送電路和發(fā)送天線。發(fā)送電路將并行數據向差動信號變換。發(fā)送天線形成在芯片上，將差動信號從發(fā)送電路向另一芯片發(fā)送。發(fā)送天線包括至少兩根天線元件、第I連接端、第2連接端、第I分岔部及第2分岔部。各天線元件由芯片上的配線形成。第I連接端和第2連接端連接在發(fā)送電路上。第I分岔部將各天線元件的一端結合為I個，向第I連接端連接。第2分岔部將各天線元件的另一端結合為I個，向第2連接端連接。
[0078]在該發(fā)送裝置中，至少兩根天線元件將第I分岔部與第2分岔部之間連接。因而，即使構成各天線元件的配線的寬度被限制得較小，也能夠使兩個分岔部之間的電阻充分變低。此外，能夠在將該電阻維持得較低的狀態(tài)下使各天線元件充分變長。結果，上述的發(fā)送電路將信號強度在高頻帶中也維持得較高，能夠使可靠性進一步提高。
[0079]本發(fā)明的一觀點的接收裝置具備接收天線和接收電路。接收天線形成在芯片上，從別的芯片接受差動信號。接收電路將該差動信號向并行數據變換。接收天線包括至少兩根天線元件、第I連接端、第2連接端、第I分岔部及第2分岔部。各天線元件由芯片上的配線形成。第I連接端和第2連接端連接在接收電路上。第I分岔部將各天線元件的一端結合為I個，向第I連接端連接。第2分岔部將各天線元件的另一端結合為I個，向第2連接端連接。
[0080]在該接收裝置中，至少兩根天線元件將第I分岔部與第2分岔部之間連接。因而，即使構成各天線元件的配線的寬度被限制得較小，也能夠使兩個分岔部之間的電阻充分變低。此外，能夠在將該電阻維持得較低的狀態(tài)下，使各天線元件充分變長。結果，上述接收電路將接收靈敏度在高頻帶中也維持得較高，能夠使可靠性進一步提高。
[0081]本發(fā)明的一觀點的三維集成電路是將第I芯片和第2芯片層疊的結構，具備發(fā)送電路、發(fā)送天線、接收天線及接收電路。發(fā)送電路形成在第I芯片上，將并行數據向差動信號變換。發(fā)送天線形成在第I芯片上，將該差動信號向第2芯片發(fā)送。接收天線形成在第2芯片上，從發(fā)送天線接受差動信號。接收電路形成在第2芯片上，將該差動信號向并行數據變換。發(fā)送天線包括第I天線元件、第2天線元件、第I連接端、第2連接端、第I分岔部及第2分岔部。第I天線元件和第2天線元件由第I芯片上的配線形成。第I連接端和第2連接端連接在發(fā)送電路上。第I分岔部將第I天線元件和第2天線元件的各自的一端結合為I個，向第I連接端連接。第2分岔部將第I天線元件和第2天線元件的各自的另一端結合為I個，向第2連接端連接。接收天線包括第3天線元件、第4天線元件、第3連接端、第4連接端、第3分岔部及第4分岔部。第3天線元件和第4天線元件由第2芯片上的配線形成。第3連接端和第4連接端連接在接收電路上。第3分岔部將第3天線元件和第4天線元件的各自的一端結合為I個，向第3連接端連接。第4分岔部將第3天線元件和第4天線元件的各自的另一端結合為I個，向第4連接端連接。
[0082]該三維集成電路將發(fā)送天線和接收天線用于第I芯片與第2芯片之間的非接觸通信。在各天線中，兩根天線元件將兩個分岔部之間連接。因而，即使配線的寬度被設計規(guī)則限制為一定值，也能夠在將各天線的電感維持得較高的狀態(tài)下使其電阻變得足夠低。結果，該三維集成電路將芯片間的非接觸通信中的信號強度即使在千兆赫茲水平的高頻帶、特別是IOGHz以上也維持得較高，能夠使可靠性進一步提高。
[0083]產業(yè)上的可利用性
[0084]本發(fā)明關于非接觸通信系統，如上述那樣，使兩根以上的天線元件并行于天線的兩端間。這樣，本發(fā)明顯然能夠在產業(yè)上利用。
[0085]標號說明
[0086]300線圈天線
[0087]301第I連接端
[0088]302第2連接端
[0089]311第I天線元件[0090]312第2天線元件
[0091]321第I分岔部
[0092]322第2分岔部
[0093]CRN天線元件描繪的螺旋的角
[0094]GSC第I天線元件描繪的螺旋的角上的該螺旋的間隔
[0095]GSS第I天線元件描繪的螺旋的邊上的該螺旋的間隔
[0096]GTC兩根天線元件描繪的螺旋的角上的這些天線元件的間隔
[0097]GTS兩根天線元件描繪的螺旋的邊上的這些天線元件的間隔。
【權利要求】
1.一種天線，其特征在于，具備: 至少兩根天線元件，由芯片上的配線形成； 第1連接端和第2連接端，連接于上述芯片上的電路； 第1分岔部，將上述至少兩根天線元件的各自的一端結合為1個，向上述第1連接端連接；以及 第2分岔部，將上述至少兩根天線元件的各自的另一端結合為1個，向上述第2連接端連接。
2.如權利要求1所述的天線，其特征在于， 上述至少兩根天線元件是同心的環(huán)形狀，相互并行。
3.如權利要求2所述的天線，其特征在于， 上述環(huán)形狀實質上是方形，在上述方形的角部，配線以比90度大的角度至少彎折兩次。
4.如權利要求2所述的天線，其特征在于， 上述環(huán)形狀是等間隔的螺旋。
5.如權利要求2所述的天線，其特征在于， 上述至少兩根天線元件等間隔地配置。
6.如權利要求1所述的天線，其特征在于， 在上述第1分岔部和上述第2分岔部的各自中，上述至少兩根天線元件以比90度小的角度相交。
7.如權利要求1所述的天線，其特征在于， 在上述第1分岔部和上述第2分岔部的至少某個中，上述至少兩根天線元件中的1根筆直地延伸，另1根相對于上述1根斜向相交。
8.如權利要求1所述的天線，其特征在于， 在上述第1分岔部和上述第2分岔部的至少某個中，上述至少兩根天線元件分別相對于上述芯片上的1根配線以相同的角度相交。
9.如權利要求1所述的天線，其特征在于， 上述芯片包括第1配線層和第2配線層； 上述至少兩根天線元件分別包括: 屬于上述第1配線層的第1部分； 屬于上述第2配線層的第2部分；以及 將上述第1部分與上述第2部分之間連接的至少兩個通孔。
10.如權利要求1所述的天線，其特征在于， 上述芯片包括第1配線層和第2配線層； 上述至少兩根天線元件中的1根屬于上述第1配線層，另1根屬于上述第2配線層；上述第1分岔部和上述第2分岔部分別包括將上述第1配線層與上述第2配線層之間連接的通孔。
11.一種發(fā)送裝置，具備將并行數據向差動信號變換的發(fā)送電路、以及形成在芯片上并且將上述差動信號向別的芯片發(fā)送的發(fā)送天線，其特征在于， 上述發(fā)送天線具有:至少兩根天線元件，由上述芯片上的配線形成； 第I連接端和第2連接端，連接于上述發(fā)送電路； 第I分岔部，將上述至少兩根天線元件的各自的一端結合為I個，向上述第I連接端連接；以及 第2分岔部，將上述至少兩根天線元件的各自的另一端結合為I個，向上述第2連接端連接。
12.一種接收裝置，具備形成在芯片上并且從別的芯片接受差動信號的接收天線、以及將上述差動信號向并行數據變換的接收電路，其特征在于， 上述接收天線具有: 至少兩根天線元件，由上述芯片上的配線形成； 第I連接端和第2連接端，連接于上述接收電路； 第I分岔部，將上述至少兩根天線元件的各自的一端結合為I個，向上述第I連接端連接；以及 第2分岔部，將上述至少兩根天線元件的各自的另一端結合為I個，向上述第2連接端連接。
13.—種三維集成電路，層疊有第I芯片和第2芯片，其特征在于， 具備: 發(fā)送電路，形成在上述第I芯片上，將并行數據向差動信號變換； 發(fā)送天線，形成在上述第I芯片上，將上述差動信號向上述第2芯片發(fā)送； 接收天線，形成在上述第2芯片上，從上述發(fā)送天線接受上述差動信號；以及 接收電路，形成在上述第2芯片上，將上述差動信號向上述并行數據變換； 上述發(fā)送天線具有: 第I天線元件和第2天線元件，由上述第I芯片上的配線形成； 第I連接端和第2連接端，連接于上述發(fā)送電路； 第I分岔部，將上述第I天線元件和上述第2天線元件的各自的一端結合為I個，向上述第I連接端連接；以及 第2分岔部，將上述第I天線元件和上述第2天線元件的各自的另一端結合為I個，向上述第2連接端連接； 上述接收天線具有: 第3天線元件和第4天線元件，由上述第2芯片上的配線形成； 第3連接端和第4連接端,連接于上述接收電路； 第3分岔部，將上述第3天線元件和上述第4天線元件的各自的另一端結合為I個，向上述第3連接端連接；以及 第4分岔部，將上述第3天線元件和上述第4天線元件的各自的另一端結合為I個，向上述第4連接端連接。
14.一種非接觸通信系統，在包括第I芯片的裝置與包括第2芯片的裝置之間實現非接觸通信，其特征在于， 上述第I芯片具備: 發(fā)送電路，將并行數據向差動信號變換；以及發(fā)送天線，將上述差動信號向上述第2芯片發(fā)送； 上述第2芯片具備: 接收天線，從上述發(fā)送天線接受上述差動信號；以及 接收電路，將上述差動信號向上述并行數據變換； 上述發(fā)送天線具有: 第I天線元件和第2天線元件，由上述第I芯片上的配線形成； 第I連接端和第2連接端，連接于上述發(fā)送電路； 第I分岔部，將上述第I天線元件和上述第2天線元件的各自的一端結合為I個，向上述第I連接端連接；以及 第2分岔部，將上述第I天線元件和上述第2天線元件的各自的另一端結合為I個，向上述第2連接端連接； 上述接收天線具有: 第3天線元件和第4天線元件，由上述第2芯片上的配線形成； 第3連接端和第4連接端,連接于上述接收電路； 第3分岔部，將上述第3天線元件和上述第4天線元件的各自的另一端結合為I個，向上述第3連接端連接；以及 第4分岔部，將上述第3天線元件和上述第4天線元件的各自的另一端結合為I個，向上述第4連接端連接。
【文檔編號】H01L25/065GK103999287SQ201380003150
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2013年8月23日 優(yōu)先權日:2012年9月18日
【發(fā)明者】淺井幸治, 中山武司 申請人:松下電器產業(yè)株式會社