有機(jī)el元件的制造方法及有機(jī)el元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機(jī)EL元件的制造方法和有機(jī)EL元件，其即使在使用了卷對卷式工藝的情況下，也可以通過減輕在各層端部的應(yīng)力集中而抑制應(yīng)力集中引起的剝離，從而提高有機(jī)EL元件的可靠性。有機(jī)EL元件的制造方法包含下述工序：從輸送輥向卷繞輥供給基板(101)的工序、在基板(101)上形成第1電極層(102)的工序、在第1電極層(102)上形成有機(jī)EL層(103)的工序、以及在有機(jī)EL層(103)上形成第2電極層(104)的工序，第1電極層(102)是使用蔭罩形成的，第1電極層(102)的側(cè)面的至少一部分為從下側(cè)朝上側(cè)向內(nèi)部方向傾斜的錐面(102T)，而且，錐面(102T)與基板(101)的形成有第1電極層(102)的側(cè)的面所成的角度θ為1°以下。
【專利說明】有機(jī)EL元件的制造方法及有機(jī)EL元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)EL元件的制造方法及有機(jī)EL元件。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，通過卷對卷式(roll to roll)工藝在窄幅帶狀基材上形成有機(jī)EL(電致發(fā)光)元件的手法是已知的(例如參照專利文獻(xiàn)I)。所謂的卷對卷式工藝是指連續(xù)生產(chǎn)工藝，其是使用柔性基板作為基材，將上述基板預(yù)先卷在輥上，使上述輥旋轉(zhuǎn)而使上述基板拉出并移動(dòng)，同時(shí)在上述基板上進(jìn)行電極和有機(jī)EL層的形成等加工，將上述加工后的基板再次卷繞于其它輥上，從而連續(xù)地生產(chǎn)有機(jī)EL元件。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-287996號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明要解決的問題
[0007]可是，通過卷對卷式工藝形成的有機(jī)EL元件因使用柔性基板，會(huì)有容易產(chǎn)生由在各層端部的應(yīng)力集中而引起的剝離、損害有機(jī)EL元件的可靠性(有機(jī)EL元件變得容易被破壞)的問題點(diǎn)。
[0008]本發(fā)明是鑒于上述問題點(diǎn)而完成的，其目的在于:即使在使用了卷對卷式工藝的情況下，也可以通過減輕在各層端部的應(yīng)力集中而抑制上述應(yīng)力集中引起的剝離，從而提高有機(jī)EL元件的可靠性。
[0009]解決問題的手段
[0010]本發(fā)明的有機(jī)EL元件的制造方法的特征在于，其包含下述工序:
[0011 ] 從輸送輥向卷繞輥供給基板的工序；
[0012]在所述基板上形成第I電極層的工序；
[0013]在所述第I電極層上形成有機(jī)EL層的工序；以及
[0014]在所述有機(jī)EL層上形成第2電極層的工序，
[0015]所述第I電極層是使用蔭罩(shadow mask)形成的,所述第I電極層的側(cè)面的至少一部分為從下側(cè)朝上側(cè)向內(nèi)部方向傾斜的錐面，
[0016]而且，所述錐面與所述基板的形成有所述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為1°以下。
[0017]另外，本發(fā)明的有機(jī)EL元件的特征在于，在柔性基板上，依次層疊有第I電極層、有機(jī)EL層及第2電極層，
[0018]所述第I電極層的側(cè)面的至少一部分為從下側(cè)朝上側(cè)向內(nèi)部方向傾斜的錐面，而且，所述錐面與所述基板的形成有所述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為1°以下。
[0019]發(fā)明的效果[0020]根據(jù)本發(fā)明，即使在使用了卷對卷式工藝的情況下，也可以通過減輕各層端部的應(yīng)力集中而抑制上述剝離，從而提高有機(jī)EL元件的可靠性。進(jìn)而，作為本發(fā)明的次要效果，也可以抑制光刻法等中產(chǎn)生的殘?jiān)纫鸬氖章实慕档汀?br> 【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是表示本發(fā)明的有機(jī)EL元件的構(gòu)成的一例的概略截面圖。
[0022]圖2是表示在本發(fā)明的有機(jī)EL元件的制造方法中使用的蔭罩的開口部附近的形狀的一例的概略截面圖。
[0023]圖3是表示在本發(fā)明的有機(jī)EL元件的制造方法中使用的蔭罩的開口部附近的形狀的另一例的概略截面圖。
[0024]圖4是表示在本發(fā)明的有機(jī)EL元件的制造方法中使用的蔭罩的開口部附近的形狀的又一例的概略截面圖。
[0025]圖5是說明第I電極層形成工序中的基板與蔭罩的配置的圖。
[0026]圖6是第I電極層形成工序中的蔭罩的開口部附近的立體圖。
[0027]圖7是表示比較例的有機(jī)EL元件的構(gòu)成的一例的概略截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]本發(fā)明的有機(jī)EL元件的制造方法中的上述蔭罩優(yōu)選為開口部內(nèi)側(cè)面的截面形狀具有錐狀或多階梯狀。
[0029]本發(fā)明的有機(jī)EL元件的制造方法中的上述蔭罩優(yōu)選為開口部的內(nèi)側(cè)端部具有一定厚度，上述厚度在5?500 μ m的范圍內(nèi)。
[0030]本發(fā)明的有機(jī)EL元件的制造方法中的上述有機(jī)EL層形成工序中，優(yōu)選使用有機(jī)EL層形成用蔭罩來形成上述有機(jī)EL層。
[0031]本發(fā)明的有機(jī)EL元件的制造方法中的上述第2電極層形成工序中，優(yōu)選使用第2電極層形成用蔭罩來形成上述第2電極層。
[0032]本發(fā)明的有機(jī)EL元件的制造方法中，作為上述基板，優(yōu)選使用寬度在10?IOOmm的范圍內(nèi)、且長度在10?2000m的范圍內(nèi)、并且曲率半徑為30mm以上的可復(fù)原的長條帶狀基板。
[0033]接著，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明。但是，本發(fā)明并不限于以下的記載。
[0034]有機(jī)EL元件具有在基板上將第I電極層、有機(jī)EL層及第2電極層依照該順序設(shè)定而成的層疊體。上述第I電極層與上述第2電極層中的任一方為陽極，另一方為陰極。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的制造方法為卷對卷式(roll to roll)工藝的有機(jī)EL元件的制造方法，其包含下述工序:從輸送輥向卷繞輥供給基板的工序、在上述基板上形成第I電極層的工序、在上述第I電極層上形成有機(jī)EL層的工序、以及在上述有機(jī)EL層上形成第2電極層的工序。而且，上述第I電極層是使用蔭罩形成的；上述第I電極層的側(cè)面的至少一部分為從下側(cè)朝上側(cè)向內(nèi)部方向傾斜的錐面，而且，上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為1°以下。
[0035]作為上述基板，可以使用鋁(Al)、銅(Cu)、不銹鋼(SUS)等金屬板及金屬箔、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亞胺(PI)、甲基丙烯酸樹脂(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、環(huán)烯烴樹脂(COP)等樹脂板及樹脂薄膜、柔性玻璃等。本發(fā)明中，不限于這些基板，也可以使用可適用于卷對卷式工藝的其他材料。作為上述基板，優(yōu)選使用寬度在10?IOOmm的范圍內(nèi)、且長度在10?2000m的范圍內(nèi)、并且曲率半徑為30mm以上的可復(fù)原的長條帶狀基板。更優(yōu)選為寬度在30?60mm的范圍內(nèi)、長度在200?2000m的范圍內(nèi)、可復(fù)原的曲率半徑在IOmm以上范圍內(nèi)的長條帶狀基板。
[0036]使用導(dǎo)電性基板作為上述基板時(shí)，有機(jī)EL元件的形成面需要確保絕緣性。因此，使用導(dǎo)電性基板時(shí)，導(dǎo)電性基板上需要設(shè)置絕緣層。作為上述絕緣層，可以使用例如無機(jī)絕緣層、有機(jī)絕緣層、及無機(jī)絕緣層與有機(jī)絕緣層的層疊體等。上述有機(jī)EL元件可在上述絕緣層上形成。
[0037]上述無機(jī)絕緣層優(yōu)選包含金屬和半金屬中的至少I種。上述金屬或上述半金屬中的至少I種優(yōu)選從氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物及氧化氮化碳化物構(gòu)成的組中選擇的至少I種。作為金屬，可以列舉出例如鋅、鋁、鈦、銅、鎂等，作為半金屬，可以列舉出例如硅、鉍、鍺等。
[0038]上述有機(jī)絕緣層可以使用絕緣性的樹脂層。由于上述導(dǎo)電性基板在制造工藝上有時(shí)會(huì)加熱到150?300°C，因此優(yōu)選選擇具有150°C以上的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的耐熱性樹脂。具體而言，可以列舉出丙烯酸樹脂、降冰片烯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚酯樹脂、聚芳香酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚酮樹脂、聚苯基砜樹脂及這些樹脂的復(fù)合體等。這些當(dāng)中，作為上述樹脂，優(yōu)選為從丙烯酸樹脂、降冰片烯樹脂、環(huán)氧樹脂及聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的組中選擇的至少I種。
[0039]作為上述第I電極層，可以使用銦錫氧化物(ITO)、包含氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)、銦鋅氧化物(ΙΖ0(注冊商標(biāo)))、金、鉬、鎳、鎢、銅及鋁等金屬、鋰及銫等堿金屬、鎂及鈣等堿土類金屬、鐿等稀土類金屬、鋁-鋰合金及鎂-銀合金等合金等。
[0040]本發(fā)明的有機(jī)EL元件的制造方法中，上述第I電極層是使用蔭罩形成的。上述第I電極層可以使用例如濺射法、蒸鍍法、CVD法等來形成。上述蔭罩可列舉出由不銹鋼(SUS)、鋁(Al)及銅(Cu)等金屬形成的蔭罩，但不限于這些。上述蔭罩的厚度優(yōu)選為10?2000 μ m,更優(yōu)選為20?500 μ m。
[0041]上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為1°以下，優(yōu)選為0.03°?1°的范圍，更優(yōu)選為0.1°?1°的范圍。對于上述角度，如后述實(shí)施例那樣，第I電極層的端部有時(shí)不為膜狀而為海島狀，但此時(shí)上述角度是指從第I電極層厚度的20%?80%之間的斜度所算出的角度。當(dāng)上述角度比1°大時(shí)，由于在第I電極層端部有機(jī)EL層的厚度就會(huì)局部地變薄、電場變大，因此會(huì)產(chǎn)生元件容易被破壞的問題。此外，當(dāng)在第I電極層的形成中使用光刻法工序時(shí)，由于除了不易使上述角度為1°以下，還有高成本化、進(jìn)而有上述工序中產(chǎn)生的殘?jiān)鸬目煽啃越档团c收率降低的問題發(fā)生，因此本發(fā)明中使用蔭罩。
[0042]上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度可以通過蔭罩開口部的內(nèi)側(cè)端部的厚度來調(diào)整。當(dāng)使上述厚度變薄時(shí)，就可以使上述角度變大，當(dāng)使上述厚度變厚時(shí)，就可以使上述角度變小。另外，也可以通過第I電極層形成時(shí)的基板與蔭罩之間的間隙的大小來調(diào)整。當(dāng)使上述間隙變小時(shí)，就可使上述角度變大，當(dāng)使上述間隙變大時(shí)，就可使上述角度變小。蔭罩開口部的內(nèi)側(cè)端部的厚度也可使蔭罩本身的厚度改變，也可以將蔭罩開口部的內(nèi)側(cè)端部的制膜源側(cè)的一面加以半蝕刻而僅使開口部的內(nèi)側(cè)端部的厚度變薄。將蔭罩開口部內(nèi)側(cè)面的截面形狀的例子顯示于圖2?4中。
[0043]在圖2的蔭罩中，由于開口部的內(nèi)側(cè)端部的厚度與其他部分的厚度相同，因此要使開口部的內(nèi)側(cè)端部的厚度變薄時(shí)，蔭罩本身的強(qiáng)度有可能成為問題。要使開口部的內(nèi)側(cè)端部的厚度變薄時(shí)，如圖3或圖4的截面形狀的蔭罩那樣，開口部內(nèi)側(cè)面S的截面形狀優(yōu)選為多階梯狀或錐狀。此時(shí)，開口部附近的厚度與圖2的蔭罩相同，但可使開口部附近以外的厚度變厚。如上所述，當(dāng)使用圖3或圖4的截面形狀的蔭罩時(shí)，就可獲得蔭罩本身的強(qiáng)度，因此是優(yōu)選的。上述蔭罩的開口部的內(nèi)側(cè)端部的厚度d優(yōu)選在5?500 μ m的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在50?300 μ m的范圍內(nèi)。當(dāng)上述厚度d在上述范圍時(shí)，可保持開口部附近的強(qiáng)度，在這點(diǎn)上是優(yōu)選的。另外，上述多階梯狀或錐狀的形成部的寬度L優(yōu)選在d/5?5d的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在d/3?3d的范圍內(nèi)。當(dāng)上述寬度L在上述范圍時(shí)，可保持開口部附近的強(qiáng)度并可以提高圖案的精度，因而是優(yōu)選的。
[0044]作為在第I電極層形成時(shí)在基板與蔭罩之間設(shè)置間隙的方法，有在蔭罩的開口部附近對上述基板側(cè)的面進(jìn)行半蝕刻的方法、在蔭罩與上述基板之間夾有空間的方法、對蔭罩或上述基板實(shí)施滾花法加工的方法、及在上述基板上通過光刻法來形成圖案的方法等。
[0045]圖5是上述第I電極層形成工序中的上述基板與上述蔭罩的配置的說明圖。圖6是對上述第I電極層形成工序中的蔭罩開口部附近從制膜源側(cè)來觀察的立體圖。如圖5和圖6所示的那樣，與基板101的形成第I電極層的側(cè)的面相對地配置有制膜源150。制膜源150為包含第I電極層的形成材料的蒸鍍源、濺射靶等。在基板101與制膜源150之間配置有蔭罩210。從制膜源150放出第I電極層的形成材料，與蔭罩210的開口部分的形狀配合而在基板101上形成第I電極層。在該圖中，基板101與蔭罩210被密合地配置，但本發(fā)明不限于此，基板與蔭罩之間也可以設(shè)置間隙(gap)。
[0046]上述有機(jī)EL層至少具有空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層，根據(jù)需要，也可以具有空穴注入層、電子注入層等。上述第I電極層為陽極、上述第2電極層為陰極時(shí)，對于有機(jī)EL層，從第I電極層朝向第2電極層例如依次層疊有空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層及電子注入層。另一方面，上述第I電極層為陰極、上述第2電極層為陽極時(shí)，對于有機(jī)EL層，從第2電極層朝向第I電極層例如依次層疊有空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層及電子注入層。
[0047]空穴輸送層的形成材料只要是具有空穴輸送功能的材料即可，沒有特別限定。作為上述空穴輸送層的形成材料，可以列舉出例如4，4’ -雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(NPB)及4，4’ -雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(TPD)等芳香族胺化合物、1，3-雙(N-咔唑基)苯等咔唑衍生物、高分子化合物等?？昭ㄝ斔蛯拥男纬刹牧峡梢詥为?dú)使用I種，也可以并用2種以上。另外，空穴輸送層也可以為2層以上的多層構(gòu)造。
[0048]空穴注入層的形成材料沒有特別限定，可以列舉出例如HAT_CN(1，4，5，8，9，12-六氮雜苯并菲六腈)、釩氧化物、鈮氧化物及鉭氧化物等金屬氧化物、酞菁等酞菁化合物、3,4-乙烯二氧噻吩與聚苯乙烯磺酸的混合物(PED0T/PSS)等高分子化合物、上述空穴輸送層的形成材料等?？昭ㄗ⑷雽拥男纬刹牧峡蓡为?dú)使用I種，也可以并用2種以上。
[0049]發(fā)光層的形成材料只要是具有發(fā)光性的材料即可，沒有特別限定。作為發(fā)光層的形成材料，可以使用例如低分子熒光發(fā)光材料或低分子磷光發(fā)光材料等低分子發(fā)光材料。另外，發(fā)光層的形成材料也可以同時(shí)具有發(fā)光功能及電子輸送功能或空穴輸送功能。
[0050]作為上述低分子發(fā)光材料，可以列舉出例如4，4’ - 二(2，2’ - 二苯基乙烯基)-聯(lián)苯(DPVBi)等芳香族二亞甲基化合物、5-甲基-2-[2-[4-(5-甲基-2-苯并噁唑基)苯基]乙烯基]苯并噁唑等噁二唑化合物、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑等三唑衍生物、1，4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯等苯乙烯基苯化合物、甲亞胺鋅絡(luò)合物及三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)等有機(jī)金屬絡(luò)合物苯醌衍生物、萘醌衍生物、蔥醌衍生物、芴酮衍生物等。
[0051]另外，作為發(fā)光層的形成材料，也可以使用在基質(zhì)材料中摻雜了發(fā)光性的摻雜劑材料而得到的材料。
[0052]作為上述基質(zhì)材料，可以使用例如上述低分子發(fā)光材料，除此以外還可以使用1，3雙(N-咔唑基)苯(mCP)、2，6-雙(N-咔唑基)吡啶、9，9- 二(4- 二咔唑-芐基)芴(CPF)、4，4’ -雙(咔唑-9-基)_9，9- 二甲基-芴(DMFL-CBP)等咔唑衍生物等。
[0053]作為上述摻雜劑材料，可以使用例如三(2-苯基吡啶基)銥(III) (Ir(ppy)3)及三(1-苯基異喹啉)銥(III) (Ir(Piq)3)等有機(jī)銥絡(luò)合物等磷光發(fā)光性金屬絡(luò)合物、苯乙烯基衍生物、茈衍生物等。
[0054]進(jìn)而，發(fā)光層的形成材料還可以含有上述空穴輸送層的形成材料、后述電子輸送層的形成材料及各種添加劑等。
[0055]電子輸送層的形成材料只要是具有電子輸送功能的材料即可，沒有特別限定。作為電子輸送層的形成材料，可以列舉出例如雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚基)鋁(BAlq)等金屬絡(luò)合物、2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)及1，3_雙[5-(對叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(0XD-7)等雜芳香族化合物、聚(2，5-吡啶-二基)(PPy)等高分子化合物等。電子輸送層的形成材料可以單獨(dú)使用I種，也可以并用2種以上。另外，電子輸送層也可以為2層以上的多層構(gòu)造。
[0056]電子注入層的形成材料沒有特別限定，可以列舉出例如氟化鋰(LiF)及氟化銫(CsF)等堿金屬化合物、如氟化鈣(CaF2)這樣的堿土類金屬化合物、及上述電子輸送層的形成材料等。電子注入層的形成材料可單獨(dú)使用I種，也可以并用2種以上。另外，電子注入層也可以為2層以上的多層構(gòu)造。
[0057]構(gòu)成上述有機(jī)EL層的各層的形成方法沒有特別限定，可以列舉出例如濺射法、蒸鍍法、噴墨法、涂布法等。作為上述有機(jī)EL層的圖案形成方法，可舉例蔭罩法或光刻法，但從對有機(jī)EL層的損傷、抗蝕劑殘?jiān)?、工序?shù)等的觀點(diǎn)來看，在有機(jī)EL層形成工序中，優(yōu)選使用有機(jī)EL層形成用蔭罩來形成。
[0058]作為上述第2電極層，可以使用銦錫氧化物(ITO)、包含氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)、金、鉬、鎳、鎢、銅及鋁等金屬、鋰及銫等堿金屬、鎂及鈣等堿土類金屬、鐿等稀土類金屬、鋁-鋰合金及鎂-銀合金等合金等。
[0059]上述第2電極層可用例如濺射法、蒸鍍法、CVD法等來形成。作為上述第2電極層的圖案形成方法，可以列舉出蔭罩法或光刻法，但從對有機(jī)EL層的損傷、抗蝕劑殘?jiān)?、工序?shù)等的觀點(diǎn)來看，在上述第2電極層形成工序中，優(yōu)選使用第2電極層形成用蔭罩來形成。
[0060]圖1是本發(fā)明的有機(jī)EL元件構(gòu)成的一例的概略截面圖。如圖所示,該有機(jī)EL元件100是在基板101上依次層疊有第I電極層102、有機(jī)EL層103、第2電極層104。第I電極層102的側(cè)面的至少一部分為從下側(cè)朝上側(cè)向內(nèi)部方向傾斜的錐面102T。錐面102T與基板101的形成有第I電極層102的側(cè)的面所成的角度Θ為1°以下。本發(fā)明的有機(jī)EL元件可通過上述本發(fā)明的有機(jī)EL元件的制造方法來制造，但并非限定于此。
[0061]實(shí)施例
[0062]接著，對本發(fā)明的實(shí)施例與比較例一并進(jìn)行說明。而且，本發(fā)明不受下述的實(shí)施例和比較例的任何限定和限制。另外，各實(shí)施例和各比較例中的各種特性及物性的測定及評價(jià)是通過下述的方法來實(shí)施。
[0063](錐面與基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度)
[0064]由于第I電極層的端部有時(shí)不是膜狀而是海島狀，因此上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度是從第I電極層厚度20%?80%之間的斜度算出。上述斜度是將有機(jī)EL元件的截面用株式會(huì)社日本電子制的掃描型電子顯微鏡(商品名為JSM-6610)來觀察，并加以測量。
[0065](漏電(元件破壞率))
[0066]制作100個(gè)在I處具有20mmX IOOmm的方形發(fā)光部(元件)的有機(jī)EL元件，并在有機(jī)EL元件的第I電極層與第2電極層之間從-8V到8V為止反復(fù)進(jìn)行100次的0.lV/sec的間隔的電壓施加。利用該操作，計(jì)算發(fā)生了漏電的有機(jī)EL元件的數(shù)量，并將元件的破壞率根據(jù)下述評價(jià)基準(zhǔn)來進(jìn)行評價(jià)。
[0067]A:元件的破壞比率為O?10%
[0068]B:元件的破壞比率超過10%但為30%以下
[0069]C:元件的破壞比率超過30%但為100%以下
[0070](收率(暗點(diǎn)數(shù)))
[0071]在進(jìn)行了上述漏電試驗(yàn)后的有機(jī)EL元件的第I電極層與第2電極層之間施加5V的電壓,將發(fā)光面用光學(xué)顯微鏡(株式會(huì)社Keyence制的數(shù)字顯微鏡(商品名為VHX-1000))來觀察，計(jì)算直徑為10 μ m以上的暗點(diǎn)(dark spot)數(shù)，將收率根據(jù)下述評價(jià)基準(zhǔn)來進(jìn)行評價(jià)。
[0072]G:每Icm2的暗點(diǎn)數(shù)為O?I個(gè)
[0073]NG:每Icm2的暗點(diǎn)數(shù)為2個(gè)以上
[0074][實(shí)施例1]
[0075]作為制作有機(jī)EL元件的基板，在全長1000m、寬度30mm、厚度50 μ m的SUS箔上，作為平坦化層，涂布有機(jī)EL用絕緣丙烯酸樹脂(JSR株式會(huì)社制商品名“ JEM-477” )，并進(jìn)行干燥、硬化，準(zhǔn)備由此得到的基板。對上述基板進(jìn)行了洗滌工序與加熱工序后，在KT4Pa以下的真空度的氣氛中，于上述基板上密合開口部內(nèi)側(cè)面的截面形狀為多階梯狀且開口部的內(nèi)側(cè)端部的厚度d為IOOym的SUS形成的第I電極層形成用蔭罩。在該狀態(tài)下，作為第I電極層，將Al用lA/sec (0.lnm/sec)的速度通過真空蒸鍍法進(jìn)行蒸鍍以使厚度為lOOnm。此時(shí)，上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為0.03°。此后，使有機(jī)EL層形成用蔭罩與基材密合，作為有機(jī)EL層，將HAT-CN (厚度10nm) /NPB (厚度50nm) /Alq3(厚度 50nm)/LiF(厚度 0.5nm)用I A/sec (0.lnm/sec)的速度進(jìn)行真空蒸鍍。接著，使第2電極層形成用蔭罩與基材密合，作為第2電極層，蒸鍍Al (厚度Inm) /Ag (厚度19nm)，在基板上形成有機(jī)EL元件，并且卷繞。之后，在不活潑氣體的氣氛中開卷，切斷成各個(gè)元件，分別在覆蓋發(fā)光部的狀態(tài)下，以成為可連接來自上述第I電極層(陽極)和上述第2電極層(陰極)的端子的狀態(tài)的方式，使用從厚度1.1mm的板狀體周邊部突出設(shè)置了高度0.4_、寬度2_的環(huán)狀凸部的玻璃制密封板來密封，獲得本實(shí)施例的有機(jī)EL元件。對于密封板的粘接，是在密封板周邊部涂布雙組份常溫硬化型環(huán)氧系粘接劑(KONISHI株式會(huì)社制商品名為“々^ y々5”)，并在該密封板的凹部貼附干燥劑(Dynic株式會(huì)社制商品名為“Moisture getter sheet，，)。
[0076][實(shí)施例2]
[0077]使第I電極層形成用蔭罩的開口部的內(nèi)側(cè)端部的厚度d為50 μ m，并使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為0.06°，除此以外，按照與實(shí)施例I同樣的步驟，獲得本實(shí)施例的有機(jī)EL元件。
[0078][實(shí)施例3]
[0079]使第I電極層形成用蔭罩的開口部的內(nèi)側(cè)端部的厚度d為25 μ m，并使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為0.11°，除此以外，按照與實(shí)施例I同樣的步驟，獲得本實(shí)施例的有機(jī)EL元件。
[0080][實(shí)施例4]
[0081]使第I電極層形成用蔭罩的開口部的內(nèi)側(cè)端部的厚度d為10 μ m，并使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為0.29°，除此以外，按照與實(shí)施例I同樣的步驟，獲得本實(shí)施例的有機(jī)EL元件。
[0082][實(shí)施例5]
[0083]使第I電極層形成用蔭罩的開口部的內(nèi)側(cè)端部的厚度d為5μπι，并使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為0.57°，除此以外，按照與實(shí)施例I同樣的步驟，獲得本實(shí)施例的有機(jī)EL元件。
[0084][實(shí)施例6]
[0085]作為第I電極層，將IZO以I AVsec (0.lnm/sec)的速度通過真空蒸鍍法按照厚度達(dá)到IOOnm的方式進(jìn)行蒸鍍，并使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為0.05°，除此以外，按照與實(shí)施例1同樣的步驟，獲得本實(shí)施例的有機(jī)EL元件。
[0086][實(shí)施例7]
[0087]作為第I電極層，將ITO以I A/sec (0.lnm/sec)的速度通過真空蒸鍍法按照厚
度達(dá)到IOOnm的方式進(jìn)行蒸鍍，除此以外，按照與實(shí)施例6同樣的步驟，獲得本實(shí)施例的有機(jī)EL元件。而且，使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為
0.05°。
[0088][比較例I]
[0089]在基板上，使用剝離用抗蝕劑(富士藥品工業(yè)株式會(huì)社制商品名“FNPR-L3”)，通過光刻法來形成圖案，并通過濺射法，形成厚度IOOnm的Al層，將上述圖案剝離，從而形成第I電極層，除此以外，按照與實(shí)施例1同樣的步驟，獲得本比較例的有機(jī)EL元件。另外，使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為3°。
[0090][比較例2]
[0091]在基板上，通過濺射法，形成厚度IOOnm的Al層，并通過光刻法對Al進(jìn)行蝕刻，從而形成第I電極層，除此以外，按照與實(shí)施例1同樣的步驟，獲得本比較例的有機(jī)EL元件。另外，使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為30°。
[0092][比較例3]
[0093]在基板上，通過濺射法，形成厚度IOOnm的IZO層，并通過光刻法對IZO進(jìn)行蝕刻，從而形成第I電極層，除此以外，按照與實(shí)施例1同樣的步驟，獲得本比較例的有機(jī)EL元件。而且，使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為40°。
[0094][比較例4]
[0095]在基板上，通過濺射法，形成厚度IOOnm的ITO層，并通過光刻法對ITO進(jìn)行蝕刻，從而形成第I電極層，除此以外，按照與實(shí)施例1同樣的步驟，獲得本比較例的有機(jī)EL元件。使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為80°。
[0096][評價(jià)]
[0097]對各實(shí)施例和比較例中所得的有機(jī)EL元件測定、評價(jià)漏電(元件破壞率)和收率(暗點(diǎn)數(shù))。結(jié)果示于表1中。
[0098]表1
[0099]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)EL元件的制造方法，其特征在于，其包含下述工序: 從輸送輥向卷繞輥供給基板的工序； 在所述基板上形成第I電極層的工序； 在所述第I電極層上形成有機(jī)EL層的工序；以及 在所述有機(jī)EL層上形成第2電極層的工序， 所述第I電極層是使用蔭罩形成的，所述第I電極層的側(cè)面的至少一部分為從下側(cè)朝上側(cè)向內(nèi)部方向傾斜的錐面， 而且，所述錐面與所述基板的形成有所述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為1°以下。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)EL元件的制造方法，其特征在于，所述蔭罩的開口部內(nèi)側(cè)面的截面形狀具有錐狀或多階梯狀。
3.如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)EL元件的制造方法，其特征在于，所述蔭罩的開口部的內(nèi)側(cè)端部具有一定厚度，所述厚度在5~500 μ m的范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL元件的制造方法，其特征在于，在所述有機(jī)EL層的形成工序中，使用有機(jī)EL層形成用蔭罩來形成所述有機(jī)EL層。
5.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL元件的制造方法，其特征在于，在所述第2電極層形成工序中，使用第2電極層形成用蔭罩來形成所述第2電極層。
6.如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL元件的制造方法，其特征在于，作為所述基板，使用寬度在10~IOOmm的范圍內(nèi)、且長度在10~2000m的范圍內(nèi)、并且曲率半徑為30mm以上的可復(fù)原的長條帶狀基板。
7.一種有機(jī)EL元件，其特征在于， 在柔性基板上，依次層疊有第I電極層、有機(jī)EL層及第2電極層， 所述第I電極層的側(cè)面的至少一部分為從下側(cè)朝上側(cè)向內(nèi)部方向傾斜的錐面，而且，所述錐面與所述基板的形成有所述第I電極層的側(cè)的面所成的角度為1°以下。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK103959903SQ201380004044
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2013年2月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月11日
【發(fā)明者】中井孝洋, 森田成紀(jì), 砂川博 申請人:日東電工株式會(huì)社