用于背面鈍化的圖案化的鋁背觸點的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的實施方式一般涉及具有減少的載子復合的太陽能電池，以及用于形成所述太陽能電池的方法。所述太陽能電池具有共晶局部觸點和鈍化層，所述共晶局部觸點和鈍化層通過促進背面電場(back?surface?field；BSF)的形成來減少復合。在所述鈍化層上設置圖案化的鋁背觸點，以用于去除來自所述太陽能電池的電流。所述圖案化的背觸點通過使用比完整表面的背觸點更少的材料來減少所述太陽能電池的每瓦特成本。所述形成所述太陽能電池的方法包括：在太陽能電池的背面上沉積包括氧化鋁和氮化硅的鈍化層，以及隨后形成穿過所述鈍化層的開口。圖案化的鋁背觸點設置在所述鈍化層上所述空穴的上方，并且經(jīng)熱處理以在所述開口內(nèi)形成硅鋁共晶體。
【專利說明】用于背面鈍化的圖案化的鋁背觸點
[0001] 發(fā)明背景 發(fā)明領域
[0002] 本發(fā)明的實施方式一般涉及具有減少的載子復合和因此較高效率的太陽能電池， 以及用于形成所述太陽能電池的方法。
[0003] 相關技術描述
[0004] 太陽能電池經(jīng)由光電效應產(chǎn)生功率，通過將太陽能電池暴露于諸如陽光之類的輻 射能夠進行該光電效應。輻射對太陽能電池的照射產(chǎn)生電流，因為被激發(fā)的電子和空穴沿 不同的方向移動穿過被輻射的電池。所述電流可以被從所述太陽能電池提取并用作能量。
[0005] 然而，如果在電流提取之前所述電子和所述空穴復合，那么能量以熱量形式從所 述太陽能電池散失。所述電子和所述空穴的復合減少了由所述太陽能電池產(chǎn)生的有用功率 的量，并且由此太陽能電池的效率同樣也被降低。
[0006] 因此，存在對具有減少的載子復合和增加的效率的太陽能電池的需要。 發(fā)明概要
[0007] 本發(fā)明的實施方式一般涉及具有減少的載子復合的太陽能電池，以及用于形成所 述太陽能電池的方法。所述太陽能電池具有共晶局部觸點和鈍化層，所述共晶局部觸點和 鈍化層通過促進背面電場（back surface field ;BSF)的形成來減少復合。在所述鈍化層上 設置圖案化的鋁背觸點，以用于去除來自所述太陽能電池的電流。所述圖案化的背觸點通 過使用比完整表面的背觸點更少的材料來減少所述太陽能電池的每瓦特成本。所述形成所 述太陽能電池的方法包括：在太陽能電池的背面上沉積包括氧化鋁和氮化硅的鈍化層，以 及隨后形成穿過所述鈍化層的開口。圖案化的鋁背觸點設置在所述鈍化層上所述空穴的上 方，并且經(jīng)熱處理以在所述開口內(nèi)形成硅鋁共晶體。
[0008] 在一個實施方式中，公開了一種太陽能電池。所述太陽能電池包括基板和設置在 所述基板的光接收表面上的前觸點。在非光接收表面上設置鈍化層。所述非光接收表面上 的所述鈍化層具有多個穿過所述鈍化層的開口，并且包括第一氧化鋁子層和第二氮化硅子 層。在所述非光接收表面上的鈍化層上設置含鋁并且具有網(wǎng)格狀形狀的背觸點。所述太陽 能還包括形成在所述基板和設置在所述開口內(nèi)的所述背觸點的界面處的多個局部觸點。所 述多個局部觸點包括硅-鋁共晶合金。
[0009] 在另一實施方式中，公開了一種形成太陽能電池的方法。所述方法包括：在基板的 非光接收表面上設置鈍化層。所述鈍化層包括第一氧化鋁子層，和設置在所述第一氧化鋁 子層上的第二氮化硅子層。隨后形成穿過所述鈍化層的多個開口，以及在所述鈍化層上以 包括所述開口的網(wǎng)格狀圖案的形式設置鋁涂料。隨后將所述基板和設置在所述基板上的所 述鋁涂料加熱到高于硅-鋁共晶點的溫度。
[0010] 在另一實施方式中，公開了一種形成太陽能電池的方法。所述方法包括：在基板的 非光接收表面上設置鈍化層。所述鈍化層包括第一氧化鋁子層，所述第一氧化鋁子層具有 約20納米或更大的厚度；以及第二氮化硅子層，所述第二氮化硅子層具有在約20納米到約 150納米范圍內(nèi)的厚度。隨后使用激光形成穿過所述鈍化層的多個開口，以及在所述鈍化層 上以網(wǎng)格狀圖案設置鋁涂料。所述鋁涂料設置在所述開口上和所述開口內(nèi)。隨后所述基板 經(jīng)熱處理，熱處理包括將所述基板和所述基板上的所述鋁涂料加熱到高于硅-鋁共晶點的 溫度，以及使基板冷卻。
[0011] 附圖簡沭
[0012] 因此，可詳細理解本發(fā)明的上述特征結(jié)構(gòu)的方式，即上文簡要概述的本發(fā)明的更 具體描述可參照實施方式進行，一些實施方式圖示于附圖中。然而，應注意，附圖僅圖示本 發(fā)明的典型實施方式，且因此不應被視為本發(fā)明范圍的限制，因為本發(fā)明可允許其他等效 的實施方式。
[0013] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的太陽能電池的示意性剖面圖。
[0014] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的太陽能電池的背面的示意性平面圖。
[0015] 圖3是圖示一種形成根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的太陽能電池的方法的流程圖。
[0016] 為了促進理解，在可能的情況下已使用相同元件符號以指定為諸圖所共有的相同 元件。預期一個實施方式之元件及特征可有利地并入其他實施方式中而無需進一步敘述。
[0017] 詳細描沭
[0018] 本發(fā)明的實施方式一般涉及具有減少的載子復合的太陽能電池，以及用于形成所 述太陽能電池的方法。所述太陽能電池具有共晶局部觸點和鈍化層，所述共晶局部觸點和 鈍化層通過促進背面電場（back surface field ;BSF)的形成來減少復合。在所述鈍化層上 設置圖案化的鋁背觸點，以用于去除來自所述太陽能電池的電流。所述圖案化的背觸點通 過使用比完整表面的背觸點更少的材料來減少所述太陽能電池的每瓦特成本。所述形成所 述太陽能電池的方法包括：在太陽能電池的背面上沉積包括氧化鋁和氮化硅的鈍化層，以 及隨后形成穿過所述鈍化層的開口。圖案化的鋁背觸點設置在所述鈍化層上所述空穴的上 方，并且經(jīng)熱處理以在所述開口內(nèi)形成硅鋁共晶體。
[0019] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的太陽能電池100的示意性剖面圖。所述太陽 能電池100包括半導體基板102,諸如硅基板（例如，單晶硅或多晶硅）。在一個實例中，所 述半導體基板102可以是p型結(jié)晶硅基板。所述太陽能電池100包括設置在所述太陽能電 池100的光接收表面上的前表面觸點104和設置在所述太陽能電池100的非光接收表面上 的背面觸點106。所述前觸點104和所述背觸點106以網(wǎng)格狀圖案設置，所述網(wǎng)格狀圖案 包括一或多個母線，以及與所述母線耦接并且設置為垂直于所述母線的多個指狀物（如圖 2所示）。所述前觸點104包括銀和鋁，以及所述背觸點106包括鋁。
[0020] 所述太陽能電池100還包括靠近所述前觸點104的η型區(qū)域108,以及在所述背觸 點106和所述基板102之間的鈍化層110。所述鈍化層110與局部觸點114 (所述局部觸點 114是由背觸點材料形成的）一起聯(lián)合促進在所述局部觸點114周圍的區(qū)域內(nèi)形成背面電 場，所述背面電場排斥少數(shù)載流子。所述少數(shù)載流子被排斥是由于在所形成的局部觸點114 內(nèi)存在高濃度的Ρ型摻雜劑，諸如鋁。排斥少數(shù)載流子減少了所述太陽能電池100的所述 非光接收表面附近的載子復合。在一種配置中，所述鈍化層110包括兩個子層，即氧化鋁層 ll〇a和氮化硅層110b。所述氧化鋁層110a鈍化所述太陽能電池100的背表面并且促進局 部觸點114的形成，同時所述氮化硅層110b充當所述氧化鋁層上的防護涂層。所述氮化硅 層110b保護所述氧化鋁層110a在熱處理步驟（例如，焙燒步驟）期間不接觸用于形成所 述背觸點106的材料。一些用于形成所述背觸點106的材料可能會不利地影響所述氧化鋁 層110a，例如通過溶解所述氧化鋁層110a，從而降低所述氧化鋁層110a的鈍化性能。所述 氧化鋁層ll〇a -般具有約20納米或更大的厚度，例如約50納米。所述氮化硅層110b - 般具有在約20納米到約100納米范圍內(nèi)的厚度，諸如約50納米到約80納米。在一個實例 中，所述鈍化層110的總厚度約為100納米。
[0021] 所述鈍化層110包括形成在所述鈍化層110中的多個開口 112,以允許在所述基板 102和所述背觸點106之間的電氣通信。所述開口具有在約20微米到約200微米范圍內(nèi) 的直徑，以及約100微米到約1000微米的節(jié)距。所述背觸點106延伸到所述開口 112中并 且經(jīng)熱處理以形成局部觸點114。所形成的局部觸點114是從所述基板102和所述背觸點 106形成的共晶合金材料。在一個實例中，所述共晶材料是鋁/硅共晶合金。在這樣的實例 中，所述局部觸點可在所述基板102附近包含硅中約百分之12(% )的鋁，以及可在所述背 觸點106附近包含鋁中約1%的硅。所述局部觸點114可延伸超出所述鈍化層110達距離 116,所述距離116在約5微米到約60微米的范圍內(nèi)。所述距離116 -般取決于所述開口 112的直徑，以及取決于所述加熱工藝的持續(xù)時間和溫度，所述加熱工藝用于在所述局部觸 點114內(nèi)形成共晶合金材料。
[0022] 圖1描述太陽能電池100的一個實施方式；然而也可考慮其他實施方式。例如， 可考慮將其他金屬用于形成所述前觸點104或者所述背觸點106,所述金屬包括金、銀、鋁、 鉬，或其組合。在另一實施方式中，可考慮除去所述氮化硅層ll〇b。在這樣的實施方式中， 所述氧化鋁層ll〇a可具有約100納米的厚度。在另一實施方式中，可考慮改變所述開口 112的直徑和節(jié)距，以通過增加所述基板102和所述背觸點106之間的接觸面積來提供所需 水平的電連接。另外，可以通過增加所述基板102和所述背觸點106之間的接觸面積（例 如，所述局部觸點114的直徑）來減少所述距離116。
[0023] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的太陽能電池100的背面（例如，非光接收表 面）的示意性平面圖。所述太陽能電池100包括背觸點106,所述背觸點106包括多個母線 218和與所述母線218電氣通信的多個指狀物220。設置穿過所述鈍化層110并且在所述 背觸點106下方的多個開口 112 (以虛線圖示），以促進太陽能電池100的所述背觸點106 和所述基板102之間的電連接。可考慮改變所述開口 112的大小和節(jié)距，以及改變所述母 線218和所述指狀物220的數(shù)量和間距，以提供所需的電流流動。所述背觸點106 -般具 有在約15微米到約35微米的范圍內(nèi)的厚度。在一個實例中，為了減少所述太陽能電池的 制造成本，所述背觸點106配置成覆蓋所述太陽能電池100的非光接收側(cè)面的表面積的約 50%或更少。所述背觸點106-般具有在約8毫歐/平方到約18毫歐/平方的范圍內(nèi)的 薄層電阻，以及在約1. 2毫歐·平方厘米到約3. 5毫歐?平方厘米（πιΩ-cm2)的范圍內(nèi)的 接觸電阻率。
[0024] 圖3是圖示一種形成根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的太陽能電池的方法的流程圖 350。所述流程圖350開始于操作351，在操作351中在基板（諸如，單晶硅基板）的非光 接收側(cè)面上設置鈍化層。所述鈍化層包括兩個子層：第一氧化鋁子層和設置在所述第一子 層上的第二氮化硅子層。在一個實例中，所述兩個子層各自通過等離子體增強化學氣相沉 積（plasma-enhanced chemical vapor deposition ;PECVD)沉積，并且可以在相同或者單 獨的處理腔室中沉積。在另一實例中，使用物理氣相沉積（physical vapor deposition; PVD)或者原子層沉積（atomic layer deposition ;ALD)工藝來沉積所述兩個子層中的一 或多個。所述氧化鋁層一般具有約20納米或更大的厚度，例如約50納米?？梢酝ㄟ^使含 鋁前驅(qū)物（諸如，乙酰丙酮鋁或者三甲基鋁（TMA))與含氧前驅(qū)物（諸如，雙原子氧（0 2)或 者臭氧（〇3))反應來形成所述氧化鋁子層。所述氮化硅層一般具有在約50納米到約150納 米范圍內(nèi)的厚度，諸如約50納米到約100納米，或者約50納米到約80納米?？梢酝ㄟ^使 含硅前驅(qū)物（諸如硅烷（SiH 4))與含氮前驅(qū)物（諸如，氨（NH3))反應來形成所述氮化硅子 層。
[0025] 所述氧化鋁層通過鈍化所述太陽能電池的背表面以及通過促進所述背表面上局 部觸點的形成來增加電池效率。然而，所述氧化鋁層容易由于隨后沉積的涂料（例如，關于 操作353描述的涂料）而剝蝕。因此，所述鈍化層通常還包括設置在所述氧化鋁層上的氮 化硅層，以防止或者減少隨后沉積的涂料與所述氧化鋁層的接觸。
[0026] 在操作351之后，形成穿過所述鈍化層的多個開口。所述多個開口經(jīng)劃片穿過所 述鈍化層以使能所述基板和隨后沉積的背觸點之間的電連接，所述背觸點用于電流提取。 使用激光（諸如，Nd:YAG激光）形成所述開口。在一個實例中，200 kHz的調(diào)Q頻率激光器 (Q-switch frequency laser)可以傳遞四個波長為355納米和能量為2. 7瓦特的激光脈 沖，以使所述開口形成所需深度。所述開口 一般具有在約20微米到約200微米范圍內(nèi)的直 徑，以及約100微米到約1000微米的節(jié)距（例如，各開口的中心之間的距離）。在一個實例 中，所述開口可以覆蓋所述基板的所述非光接收表面的約2%到約5%。
[0027] 在操作353中，在所述鈍化層上和在所述開口內(nèi)以圖案形式（所述圖案包含所述 開口）設置涂料，諸如鋁涂料。一般通過絲網(wǎng)印刷來沉積所述涂料，可以使用可購自意大利 應用材料私人有限公司（Applied Materials Italia S.r. 1.)(所述公司是加利福尼亞州， 圣克拉拉市的應用材料公司的分公司）的Softline工具來執(zhí)行絲網(wǎng)印刷。合適的涂料包 括可購自DuPont公司的PV381或PV361，可購自Monocrystal公司的PASE-1203,以及可購 自Ferro公司的AL5120。需要將選中的涂料適當?shù)卣掣降较路拟g化層。所述圖案一般是 網(wǎng)格圖案，包括母線以及與母線垂直的指狀物；然而也可以考慮其他圖案。所述背觸點的網(wǎng) 格圖案減少了形成所述背觸點所需的鋁的量，特別是與回墨-印刷的背觸點相比較時，所 述回墨-印刷的背觸點覆蓋所述太陽能電池的整個背面。鋁的減少，例如50%到約70%的 減少量，降低了所生成的每瓦特成本，這是因為制造所述太陽能電池的成本降低。在一個實 例中，使用回墨-印刷背觸點的太陽能電池的每瓦特成本是約兩美分，而使用網(wǎng)格狀背觸 點的太陽能電池的每瓦特成本是約一又四分之一美分。
[0028] 然后，在操作354中，在所述太陽能電池的光接收表面上設置銀涂料，以形成前觸 點網(wǎng)格。所述前觸點網(wǎng)格可以具有類似于所述背觸點網(wǎng)格的形狀或圖案，并且同樣也通過 絲網(wǎng)印刷工藝沉積。
[0029] 在操作355中，熱處理基板，所述基板上設置有涂料。所述基板的熱處理包括：將 所述基板快速地加熱到高于所述基板和所述背觸點的材料（例如，硅和鋁）的共晶溫度的 溫度，以及隨后冷卻所述基板。在熱處理期間達到的最高溫度，以及熱處理所述基板的時間 長度影響在所述局部背觸點中的鋁和硅濃度，以及影響所述局部觸點附近的所述背面電場 的深度。在一個實例中，當處理硅基板（該硅基板上具有含鋁涂料）時，可以在約90秒時 間內(nèi)將所述基板加熱到約800攝氏度的溫度。在所述加熱工藝期間，所述鋁涂料中的鋁變 成流體并且穿過所述開口而朝向所述基板擴散。同時，來自所述基板的硅穿過所形成的開 口向外朝向所述背觸點擴散。在所述工藝的結(jié)尾，所擴散的鋁和硅在所述開口的區(qū)域中固 化成硅-鋁共晶合金，從而形成局部背觸點。在所述開口中形成所述共晶合金材料減少了 所述開口區(qū)域中的載子復合，這是由于鋁擴散到所述基板中。在一個實施方式中，所述基板 的加熱和冷卻可以持續(xù)約兩分鐘到四分鐘。在另一實施方式中，所述基板的加熱和冷卻可 以持續(xù)約40秒到約50秒。
[0030] 圖案化的（例如，網(wǎng)格狀的）背觸點的使用促進了具有所需組成的共晶合金的形 成，從而最大化所述背面電場的減少載子復合的能力，以及減少所述背觸點的接觸電阻。據(jù) 信，在各圖案化的背觸點中共晶合金形成的一致性的增加至少部分是由于在所述背觸點中 存在的鋁減少。與回墨-印刷背觸點相比，圖案化的背觸點利用不到約50%的材料。在熱 處理期間，硅成為共晶合金形成過程期間的限制試劑，這是因為由于所述開口的大小，硅受 限地暴露于鋁。據(jù)信，在傳統(tǒng)的回墨印刷背觸點工藝中，在基板的背表面上設置傳統(tǒng)的鋁涂 料材料，在焙燒步驟期間形成的共晶合金材料無法達到所需的鋁/硅共晶組成，這是因為 在界面處存在過多的鋁。然而，因為當使用圖案化的背觸點時存在不到約50%的鋁，鋁比硅 的比率降低，從而促進具有所需組成的鋁/硅共晶材料的形成。具有所需組成的局部觸點 促進了所需背面電場的形成，所述背面電場減少載流子復合。由此，形成具有所需的共晶合 金組成的每一局部觸點。應當注意的是，可通過形成穿過所述鈍化層的較大開口，由此穿過 所述鈍化層暴露更多的硅基板表面來增加形成所述共晶組成可用的硅的量，這進一步減少 鋁比硅的比率。另外，通過使所述印刷涂料含硅、增加所述基板的熱處理時間以便為硅提供 較長的擴散時間，也可增加可用的硅的量。當添加硅到用于所述背觸點的涂料中時，硅可以 在約0. 5%到約5%的范圍內(nèi)，以及可包括形成于硅-鋁共晶合金中的硅。
[0031] 除促進具有所需組成的局部觸點的形成以外，所述圖案化的背觸點還促進每一局 部觸點相對于彼此的一致組成。當利用回墨-印刷背觸點時，在所述太陽能電池上印刷的 鋁涂料內(nèi)的鋁傾向于在熱處理期間在所述背觸點上擴散以及在所述背觸點的中心附近集 中。因此，所述太陽能電池中心附近的鋁濃度與所述太陽能電池的邊緣附近的涂料中的鋁 濃度相比不同。當冷卻所述太陽能電池以及形成共晶合金材料時，所述太陽能電池中心附 近的局部觸點具有與所述太陽能電池邊緣附近的局部觸點不同的鋁濃度。所述太陽能電池 上的各局部觸點組成的差異不利地影響背面電場的形成和電流提取。在回墨-印刷觸點中 的不同鋁濃度導致在所述太陽能電池中心附近處更深的鋁偏移。因此，與所述太陽能電池 邊緣附近的局部觸點相比，所述太陽能電池中心附近的局部觸點向所述基板中延伸更大的 距離，從而形成不均勻的背面電場。然而圖案化的背觸點的使用通過減少鋁穿過所述背觸 點的遷移率而克服了回墨-印刷背觸點的上述不足。與回墨-印刷背觸點相比，通過使用 沉積在所述鈍化層中所形成的開口上的圖案化的背觸點可減少鋁的遷移率，所述開口具有 所需的剖面開口大小。由于印刷背觸點的使用以及由此得到的益處，已發(fā)現(xiàn)與回墨-印刷 (flood-printed)背觸點的約18. 2%的太陽能電池效率相比，太陽能電池效率可以增加到 約 19%。
[0032] 流程圖350描述了本發(fā)明的一個實施方式；然而還可以考慮附加的實施方式。在 另一實施方式中，可以考慮除去鈍化層中的氮化硅層。在這樣的實施方式中，可以形成具有 約100納米或更大厚度的氧化鋁層，以允許所述氧化鋁層剝蝕的同時仍然可提供足夠的鈍 化性能。在其它實施方式中，可以考慮協(xié)同圖案化的背觸點使用附加的措施，以實現(xiàn)所需的 局部觸點組成。例如，可以考慮使印刷在所述基板的非光接收表面上以形成背觸點的涂料 可除鋁外還包括硅或硅/鋁共晶粒子，所述共晶粒子具有小于一微米的直徑。在又一實施 方式中，可以考慮使用含銀涂料而非含鋁涂料來形成所述背觸點。
[0033] 本發(fā)明的益處包括太陽能電池具有增加的效率和降低的成本。所述增加的效率和 減少的成本是通過圖案化的背觸點而促進的，所述圖案化的背觸點減少了制造太陽能電池 所需的鋁涂料量并且增加了共晶組成的一致性。由于受背面電場的幫助，太陽能電池背面 的復合減少，所以效率進一步增加。載子復合的減少是通過鈍化層和一致組成的局部觸點 的存在而促進的。另外，由于受具有所需組成的局部觸點的幫助，接觸電阻減少，所以效率 進一步增加。
[〇〇34] 盡管上述內(nèi)容是針對本發(fā)明的實施方式，但可在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況 下設計本發(fā)明的其他和進一步實施方式，且本發(fā)明的范圍是由以下權利要求書來確定。
【權利要求】
1. 一種太陽能電池，包含： 基板； 前觸點，所述前觸點設置在所述基板的光接收表面上； 鈍化層，所述鈍化層設置在非光接收表面上，所述鈍化層具有穿過所述鈍化層的多個 開口，以及所述鈍化層包括： 第一氧化鋁子層；和 第二氮化硅子層，所述第二氮化硅子層設置在所述第一氧化鋁子層上； 背觸點，所述背觸點設置在所述鈍化層上和所述開口內(nèi)，所述背觸點包括鋁并且具有 網(wǎng)格狀形狀；和 多個局部觸點，所述局部觸點形成在所述基板和設置在所述開口內(nèi)的所述背觸點的界 面處，所述多個局部觸點包括硅-鋁共晶合金。
2. 如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于： 所述基板包括娃； 所述開口具有在約100微米到約1000微米的范圍內(nèi)的節(jié)距；和 所述開口具有在約20微米到約200微米的范圍內(nèi)的直徑。
3. 如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于所述背觸點覆蓋所述非光接收表面的 約50 %或更少。
4. 如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于所述第一氧化鋁子層具有約20納米 或更大的厚度，以及其中所述第二氮化硅子層具有在約20納米到約100納米的范圍內(nèi)的厚 度。
5. -種形成太陽能電池的方法，包括： 在基板的非光接收表面上設置鈍化層，所述鈍化層包括： 第一氧化鋁子層；和 第二氮化硅子層，所述第二氮化硅子層設置在所述第一氧化鋁子層上； 形成穿過所述鈍化層的多個開口； 在所述鈍化層上以包含所述開口的網(wǎng)格狀圖案的形式設置鋁涂料；和 將所述基板和設置在所述基板上的所述鋁涂料加熱到高于硅-鋁共晶點的溫度。
6. 如權利要求5所述的方法，進一步包括在加熱所述基板之后使所述基板冷卻，以及 其中加熱和冷卻所述基板以在所述鈍化層的所述開口內(nèi)形成鋁硅合金共晶成分。
7. 如權利要求5所述的方法，其特征在于所述鋁涂料進一步包括硅。
8. 如權利要求5所述的方法，其特征在于所述鋁涂料進一步包括鋁硅合金共晶材料。
9. 如權利要求5所述的方法，其特征在于加熱所述基板和所述鋁涂料以形成圖案化的 背觸點，以及其中所述圖案化的背觸點覆蓋所述太陽能電池的所述非光接收表面的小于約 50 %的表面積。
10. 如權利要求5所述的方法，其特征在于所述第一子層和所述第二子層各自通過等 離子體增強化學氣相沉積形成。
11. 如權利要求5所述的方法，其特征在于所述第一氧化鋁子層具有約20納米或更大 的厚度。
12. 如權利要求5所述的方法，其特征在于所述開口具有在約20微米到約200微米的 范圍內(nèi)的直徑，以及約100微米到約1000微米的節(jié)距。
13. -種形成太陽能電池的方法，包括： 在基板的非光接收表面上設置鈍化層，所述鈍化層包括： 第一氧化鋁子層，所述第一氧化鋁子層具有約20納米或更大的厚度；和 第二氮化硅子層，所述第二氮化硅子層具有在約20納米到約150納米的范圍內(nèi)的厚 度； 使用激光形成穿過所述鈍化層的多個開口； 在所述鈍化層上以網(wǎng)格狀圖案設置鋁涂料，所述鋁涂料設置在所述開口上和所述開口 內(nèi)；和 熱處理所述基板，所述熱處理包括： 將所述基板和在所述基板上的所述鋁涂料加熱到高于硅-鋁共晶點的溫度，以及使所 述基板冷卻。
14. 如權利要求13所述的方法，其特征在于所述鋁涂料包括硅。
15. 如權利要求13所述的方法，其特征在于所述鋁涂料包括硅-鋁共晶合金材料。
【文檔編號】H01L31/0216GK104115286SQ201380009756
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2013年2月28日 優(yōu)先權日:2012年3月6日
【發(fā)明者】D·坦納, P·庫馬爾 申請人:應用材料公司