用于有機電子器件的基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于有機電子器件的基板、一種有機電子設備、一種制造所述基板或所述設備的方法、以及一種照明設備。本申請的用于有機電子器件的基板例如可用于制造一種有機電子設備，其防止外界物質(zhì)例如濕氣和氧氣滲入，且具有增加的耐久性和優(yōu)異的光提取效率。另外，通過使用所述基板，封裝結(jié)構(gòu)用于密封有機電子設備，所述基板可穩(wěn)定地粘附于所述封裝結(jié)構(gòu)，能夠制造在電極層被磨損或從外部施加壓力的環(huán)境下具有優(yōu)異的耐久性的器件。并且有機電子設備的外部端子部的表面硬度可保持在合適的水平。
【專利說明】用于有機電子器件的基板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及用于有機電子器件的基板、有機電子設備、制造所述設備或所述基板的方法、以及照明設備。

【背景技術(shù)】
[0002]有機電子器件(0ED ；Organic Electronic Device)是一種包括至少一個能夠傳導電流的有機材料層的器件。有機電子器件的類型包括有機發(fā)光器件(OLED)、有機太陽能電池、有機光導體(OPC)或有機晶體管等。
[0003]有機發(fā)光器件,作為有機電子器件的代表,通常依次包括基板、第一電極層、有機層和第二電極層。在一種已知為底部發(fā)光器件(bottom emitting device)的結(jié)構(gòu)中，第一電極層可形成為透明電極層，且第二電極層可形成為反射電極層。在一種已知為頂部發(fā)光器件(top emitting device)的結(jié)構(gòu)中，第一電極層可形成為反射電極層，且第二電極層可形成為透明電極層。由電極層注入的電子(electron)和空穴(hole)在存在于有機層的發(fā)光層中重新結(jié)合(recombinat1n)以產(chǎn)生光子。對于底部發(fā)光器件，光子可向基板側(cè)發(fā)射，而對于頂部發(fā)光器件，光子可向第二電極層側(cè)發(fā)射。在有機發(fā)光器件結(jié)構(gòu)中，通常用作透明電極層的銦錫氧化物(ΙΤ0，Indium Tin Oxide)、有機層和通常為玻璃的基板的折射率分別為約2.0、1.8、1.5。由于這些折射率之間的關(guān)系，例如，底部發(fā)光器件的發(fā)光層中產(chǎn)生的光子可被介于有機層和第一電極層的界面中或基板中的全內(nèi)反射(total internalreflect1n)現(xiàn)象等而捕獲(trap),因此,僅發(fā)射極少量的光子。
[0004]有機發(fā)光器件中應考慮的另一重要問題在于耐久性。由于有機層或電極層等極易被濕氣或氧氣等的外界物質(zhì)氧化，因此確保對環(huán)境因素的耐久性是非常重要的。為此，例如，對比文件I至4等提出可阻止外界物質(zhì)侵入的結(jié)構(gòu)。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻:
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:美國專利第6，226，890號
[0008]專利文獻2:美國專利第6，808, 828號
[0009]專利文獻3:日本公開專利第2000-145627號
[0010]專利文獻4:日本公開專利第2001-252505號


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]技術(shù)問題
[0012]本發(fā)明提供一種用于有機電子器件的基板、有機電子設備、制造所述基板或設備的方法以及照明設備。
[0013]技術(shù)方案
[0014]用于有機電子器件的示例性的基板包括基礎層、光學功能層、及電極層。如上所述，光學功能層和電極層可依次層疊于基礎層上，因此，光學功能層可位于基礎層和電極層之間。圖1和圖2示出示例性的基板，其中，光學功能層103和電極層102依次形成于基礎層101上。所述光學功能層可以具有與所述基礎層相比小的投影面積，電極層可以具有與所述光學功能層相比大的投影面積。本說明書中使用的術(shù)語“投影面積”是指，從所述基板表面的法線方向的上方觀察基板時可分辨的對象物的投影面積，例如，所述基礎層、光學功能層、電極層、或后述的中間層的面積。因此，例如，由于光學功能層的表面形成為凹-凸形狀等，因此，在所述光學功能層的實際表面積比電極層大的情況下，若從上方觀察所述光學功能層時可分辨的面積與從上方觀察所述電極層時可分辨的面積相比更小，則解釋為所述光學功能層具有與所述電極層相比小的投影面積。
[0015]若光學功能層的投影面積比基礎層小，且其投影面積比電極層小，則光學功能層可以以各種形態(tài)存在。例如，如圖1所示，光學功能層103可以僅在不包括基礎層101的外圍的區(qū)域形成，或如圖2所述，光學功能層103可以在基礎層101的外圍上部分地保留。
[0016]圖3是示出從上方觀察圖1中的基板的示例性實施方案的示意圖。如圖3所示，從上方觀察基板時可以分辨的電極層的面積(A)，即電極層的投影面積(A)大于位于電極層下部的光學功能層的投影面積(B)。電極層投影面積(A)與所述光學功能層的投影面積 (B)之比值(A/B)可以為例如1.04以上、1.06以上、1.08以上、1.1以上、1.15以上。若光學功能層的投影面積與所述電極層的投影面積相比小時，則可以實現(xiàn)后述的光學功能層不暴露在外部的結(jié)構(gòu)，因此，所述投影面積的比值(A/B)的上限不作特別限制。考慮到基板的一般制作環(huán)境，所述比值(A/B)的上限可以為，例如約2.0、約1.5、約1.4、約1.3、約1.25。在所述基板中，電極層還可形成于未形成光學功能層的所述基礎層的上方。所述電極層以接觸所述基礎層的方式形成，或在與基礎層之間包括附加的元件如后述的中間層等的方式形成。通過上述方式，在制造有機電子器件時，所述結(jié)構(gòu)中的光學功能層不暴露于外界環(huán)境。
[0017]例如，如圖3所示，電極層可以為在從上方觀察時還在超過光學功能層的全部外圍的區(qū)域形成。此時，例如，如圖2所示，在基礎層上存在多個光學功能層的情況下，電極層可形成至超過至少一個光學功能層的全部外圍的區(qū)域，例如，如下所述，光學功能層為例如包括至少一個其上待形成有機層的光學功能層。例如，如果在圖2結(jié)構(gòu)的右側(cè)和左側(cè)的光學功能層上也將形成有機層，則圖2的結(jié)構(gòu)可發(fā)生變化，以使電極層通過延伸至光學功能層的右側(cè)和左側(cè)而形成至超過位于所述右側(cè)和左側(cè)的光學功能層的全部外圍的區(qū)域。在上述結(jié)構(gòu)中，光學功能層不暴露于外部的結(jié)構(gòu)，可通過將后述的封裝結(jié)構(gòu)附著于在下方未形成光學功能層的電極層或形成導電層而形成。
[0018]光學功能層的投影面積與電極層的投影面積不相同，電極層也形成在未形成有光學功能層的基礎層的上方的情況下，通過在未形成有光學功能層的基礎層上形成的電極層(下面，可簡稱為基礎層上的電極層)和在光學功能層上形成的電極層(下面，可簡稱為光學功能層上的電極層)的界面的高度差(例如，在圖1中以附圖標記X表示的區(qū)域中的高度差)，可能會導致增加電極層的電阻。在使用所述基板而制造有機電子設備的情況下，這種電阻的增加可能會導致使施加于所述設備的電壓上升，由此產(chǎn)生降低效率的問題。因此，考慮到這種問題，需要將在所述光學功能層上形成的電極層和在未形成有所述光學功能層的基礎層上形成的電極層之間的電阻調(diào)節(jié)在適當?shù)姆秶鷥?nèi)。例如，以平行于在所述光學功能層上形成的電極層和在未形成所述光學功能層的基礎層上形成的電極層的界面的方式，在所述界面兩側(cè)的規(guī)定距離形成平行電極，在所述兩個平行電極之間測量的電阻率(resistivity)為:8.5 Ω.cm 至 20 Ω.cm、8.5 Ω.cm 至 15 Ω.cm、8.5 Ω.cm 至 13 Ω.cm、或9Ω._至12Ω._的程度。本說明書中使用的術(shù)語“電阻率”是指以如下方式測量的電阻值。即，首先，切割用于有機電子器件的基板而制作試樣。例如，如圖4所示，試樣可以形成平行電極401而制作，其中平行電極401是以在光學功能層上形成的電極層1022和在未形成有光學功能層的基礎層上形成的電極層1021的界面為基準，橫向長度(D1+D2，D1 =D2)為3mm、縱向長度(D4)為1mm程度的平行電極401。如上所述的平行電極與待測量的電極層1021、1022相比，可以以面電阻低10倍以上的物質(zhì)形成，例如，可以使用銀焊膏而形成，其橫向長度(D3)為約3mm或3mm以上。接著，在該平行電極401連接電阻測量儀402后，通過所述測量儀402可以測量電阻率。即，所述電阻率是，在所述平行電極401之間測量的電阻除以所述平行電極401間的寬度的數(shù)值。上述的長度方向是電流流動的方向，即為垂直于所述平行電極的長度方向的方向，寬度方向是指與所述平行電極平行的方向。另一方面，對在形成有所述高度差的電極層上用所述方法測量的電阻率值(Rl)和不具有高度差而平坦地形成的電極層，以相同的方式測量的電阻率值(R2)的差(R1-R2)例如為，10Ω -cm以下、9Ω.cm以下、7 Ω.cm以下、或5 Ω.cm以下。所述電阻值的差(R1-R2)，其數(shù)值越小越優(yōu)選，并且其下限沒有特別的限定。
[0019]在所述基板中，對將電極層間的電阻調(diào)節(jié)在所述范圍的方法沒有特別的限定。作為一種方法，例如，可以示出調(diào)節(jié)所述光學功能層和電極層的厚度的方法。上述的電極層的厚度是指，在未形成有光學功能層的基礎層上形成的電極層的厚度。通過適當?shù)卣{(diào)節(jié)所述光學功能層和電極層的厚度，能夠調(diào)節(jié)電極層間的電阻。例如，在所述基板中，所述光學功能層的厚度(Tl)和在未形成有所述光學功能層的基礎層的上方形成的電極層的厚度(T2)的比值(T1/T2)為，約3至15、約4至12、或約5至10。上述的光學功能層及電極層的厚度是指各自的平均厚度。若在上述范圍內(nèi)適當?shù)卣{(diào)節(jié)所述比值(T1/T2)，則能夠調(diào)節(jié)電極層間的電阻。
[0020]在所述基板中，所述基礎層上的電極層可以具有6H以上、7H以上、或8H以上的鉛筆硬度。如下所述，所述基礎層上的電極層與封裝結(jié)構(gòu)等一同可以形成光學功能層不暴露于外部的結(jié)構(gòu)，另外，在如有機電子設備等器件中可以與外部電源等連接。由于電極層可能會持續(xù)地被磨損或暴露在壓力環(huán)境中，因此，為了制造電連接等穩(wěn)定的器件，需要高耐久性。若基礎層上的電極層具有上述范圍內(nèi)的鉛筆硬度，則能夠?qū)崿F(xiàn)在被持續(xù)磨損或暴露在壓力環(huán)境下具有優(yōu)異的耐久性的結(jié)構(gòu)。另外，鉛筆硬度越高，能夠制造出在被持續(xù)磨損或暴露于環(huán)境下具有越優(yōu)異的耐久性的結(jié)構(gòu)，因此，對所述鉛筆硬度的上限沒有特別的限制。例如，常用的所述鉛筆硬度的上限可以是1H或9H左右。在所述基板，所述光學功能層上的電極層與所述基礎層上的電極層可以具有互不相同的鉛筆硬度。例如，在所述基板中，基礎層上的電極層可以具有上述范圍內(nèi)的鉛筆硬度，光學功能層上的電極層可以具有2B至5H、IH至5H、或IH至4H程度的鉛筆硬度。本說明書中的鉛筆硬度是，根據(jù)ASTM D3363，以500g的鉛筆荷重和250mm/min的鉛筆移動速度來測量的。
[0021]就所述基板而言，例如，還可以包括均與所述光學功能層上的電極層及所述基礎層上的電極層電連接的導電層。圖5示出一種基板的示例性實施方案，其中基板進一步包含導電物質(zhì)，導電物質(zhì)501通過均與基礎層上的電極層1021和光學功能層上的電極層1022這兩者物理接觸而實現(xiàn)電連接。本說明書中使用的術(shù)語“電連接”是指，在所連接的對象之間電流可以流動的所有的連接狀態(tài)。若導電物質(zhì)以如上方式形成，則如上所述，能夠解決在基礎層上的電極層和光學功能層上的電極層的界面的高度差所產(chǎn)生的電極層的電阻增加的問題，從而不局限在上述的光學功能層的厚度和基礎層上的電極層厚度的調(diào)節(jié)等方面，能夠更加自由地制造基板。另外，由于存在導電物質(zhì)，因此能夠更加有效地制造光學功能層未暴露于外部的結(jié)構(gòu)。所述導電物質(zhì)的種類，只要是能夠與所述電極層電連接的，就沒有特別的限制，例如，能夠使用多種電子產(chǎn)品領(lǐng)域中所使用的電極材料。例如，所述導電物質(zhì)能夠使用銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鑰(Mo)、或鋁(Al)等金屬電極材料等。在所述基板中，在存在有與所述電極層電連接的導電物質(zhì)的狀態(tài)下所測量的所述電阻率可以為，例如，
IΩ.cm 至 8.5 Ω.cm> I Ω.cm 至 8.0 Ω.αιι、*1Ω.cm 至 7.7 Ω.cm。所述電阻除了在存在有與電極層電連接的導電物質(zhì)的狀態(tài)下進行測量之外，可以與上述內(nèi)容用相同的方式進行測量。
[0022]所述基板還包括，例如，在所述光學功能層與所述電極層之間存在的中間層。就所述中間層而言，例如，與所述光學功能層相比具有更大的投影面積，另外可以形成在所述光學功能層的上方及未形成有所述光學功能層的基礎層的上方。圖6示出基板的示例性實施方案，其中基板還包括以如上所述的方案形成的中間層601。如上所述的中間層，使在由所述光學功能層而形成的光學功能層上的電極層和基礎層上的電極層的界面的高度差縮小，從而解決電極層的電阻增加的問題。另外，作為所述中間層使用勢壘層，即使用水分或濕氣的透過率低的物質(zhì)，則能夠更加有效地制造光學功能層未暴露于外部的結(jié)構(gòu)。所述中間層可以是，例如，與所述電極層的折射率之差的絕對值約為I以下、0.7以下、0.5以下、或0.3以下的層。若以如上方式調(diào)節(jié)折射率，則例如在電極層的上方產(chǎn)生的光，在所述電極層和中間層的界面等被捕獲，從而能夠防止光提取效率的下降。上述的中間層或電極層的折射率是對550nm程度的波長的光進行測量的折射率。形成所述中間層的物質(zhì)是，具有與如上所述的電極層的折射率的關(guān)系，根據(jù)需要，可以是具有勢壘性的物質(zhì)。這種物質(zhì)已被公知，例如，S1N, Ti02、Si02、A1203、Ta2O3> Ti3O3' T1、ZrO2, Nb2O3> CeO2、或 ZnS 等。所述中間層使用如上所述的物質(zhì)，例如通過沉積法或濕涂法等方法形成。對中間層的厚度沒有特別的限制，例如，可以在約1nm至lOOnm、或約20nm至80nm的范圍內(nèi)。所述厚度是指平均厚度,例如，在光學功能層上形成的中間層和在基礎層上形成的中間層可能具有互不相同的厚度。
[0023]在所述基板中，作為基礎層，可以無特別限制地使用合適的材料。例如，當用于底部發(fā)光(bottom emiss1n)器件時，可使用透明基礎層，例如使用相對于可見光區(qū)域的光的透光率為50%以上的基礎層。作為透明基礎層，可列舉玻璃基礎層或透明聚合物基礎層等。玻璃基礎層的實例可包括鈉鈣玻璃、含有鋇/鍶的玻璃、鉛玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃或石英等基礎層，聚合物基礎層的實例可包括含有聚酰亞胺(Pl，polyimide)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN, Polyethylene naphthalate)、聚碳酸酯(PC, polycarbonate)、丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET, poly (ethylenetrephthatle))、聚醚硫化物(PES, poly (ether sulfide))或聚砜(PS, polysulfone)等的基礎層，但不限于此。根據(jù)需要，基礎層可為具有用于驅(qū)動的TFT的TFT基板。如果將基板用于頂部發(fā)光(top emiss1n)器件，則基礎層無需必須為透明基礎層。根據(jù)需要，可在基礎層的表面等形成例如由鋁形成的反射層。例如，如上所述，需要將基礎層上的電極層的鉛筆硬度維持在高水平的情況下，能夠使用如玻璃基礎層等的具有剛性的基礎層。
[0024]所述基板中，電極層可為用于制造有機電子器件的常規(guī)的空穴注入或電子注入電極層。
[0025]空穴注入電極層例如可使用功函數(shù)(work fuct1n)相對較高的材料形成,根據(jù)需要，可使用透明材料形成。例如，空穴注入電極層可包括功函數(shù)為至少約4.0eV的金屬、合金、導電化合物或這些的至少兩種的混合物。這類材料的實例包括金屬，如金；CuI ;氧化物材料，如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅錫(ZTO)、摻雜鋁或銦的氧化鋅、氧化鎂銦、氧化鎳鎢、ZnO、SnO2或In2O3 ;金屬氮化物,如氮化鎵；金屬硒化物,如硒化鋅；和金屬硫化物，如硫化鋅。此外，透明空穴注入電極層可用金屬薄層和高折射透明材料的層疊體形成，所述金屬例如Au、Ag或Cu,所述高折射透明材料如ZnS、T12或ΙΤ0。
[0026]空穴注入電極層可通過任意方法形成，所述方法例如沉積法、噴濺法、化學沉積法或電化學方法。此外，根據(jù)需要，形成的電極層可通過已知的技術(shù)例如光刻法或蔭罩法形成圖案。
[0027]透明電子注入電極層可用例如功函數(shù)相對較小的透明材料形成，例如，可以使用上述用于形成所述空穴注入電極層的合適的材料，但不限于此。電子注入電極層還可以通過例如沉積法或噴濺法形成，并且，根據(jù)需要，可適當?shù)匦纬蓤D案。
[0028]對如上所述的電極層的厚度沒有特別的限定，但考慮到上述的電極層間的電阻等，例如，可以具有約90nm至200nm、90nm至180nm、或約90nm至150nm的厚度而形成。
[0029]在所述基板中，對位于電極層和基礎層之間的光學功能層的種類沒有特別的限制。由于光學功能層位于電極層和基礎層之間，至少發(fā)揮一種光學功能，因此，能夠使用如有機電子設備等能夠提高器件功能的任意種類的層。通常情況下，就這種光學功能層而言，由于對從外部滲入的水分或濕氣等物質(zhì)的耐久性下降，因此在制造器件后可能會提供所述水分或濕氣等向器件內(nèi)部滲入的路徑，從而對器件的性能產(chǎn)生惡劣影響。但是，由于在所述基板的結(jié)構(gòu)中的光學功能層或電極層等的投影面積和形成位置、或者導電物質(zhì)或中間層等的存在，在制造器件時，可以制造所述光學功能層未暴露于外部的結(jié)構(gòu)，由此，能夠制造耐久性優(yōu)異的器件。
[0030]光學功能層的一個例子可以例舉出光散射層。本申請中使用的“光散射層”是指例如以如下方式形成的所有類型的層:能夠散射、折射或衍射入射至所述光學功能層的光，并且能夠消除或減少從所述電極層方向入射的光被基礎層、光散射層、及電極層中的任意兩層之間的界面被捕獲的現(xiàn)象。只要光散射層可以具有上述功能，就不對所述光散射層的實施方案作特別的限制。
[0031]例如，光散射層可為包括基體材料和散射區(qū)域的層。圖7示出光散射層的示例性實施方案，其中光散射層包括用散射粒子形成的散射區(qū)域702及基體材料701，并且所述光散射層形成于基礎層101處。本說明書中使用的術(shù)語“散射區(qū)域”可以指例如折射率與周圍材料不同且尺寸合適的區(qū)域，因而可以散射、折射或衍射入射光，所述周圍材料為例如基體材料或在下文中描述的平整層(planarizat1n layer)。所述散射區(qū)域可為例如具有如上所述的折射率和尺寸的顆粒，或者可以為空置空間。例如，散射區(qū)域可用顆粒形成，所述顆粒的折射率與周圍材料不同且高于或低于周圍材料的折射率。散射顆粒的折射率與周圍材料例如所述基體材料及/或平整層的折射率之差可以大于0.3或為0.3以上。例如，散射顆粒的折射率可為約1.0至3.5或1.0至3.0。術(shù)語“折射率”是指以波長為約550nm的光測定的折射率。散射顆粒的折射率可以例如在1.0至1.6的范圍內(nèi)或在1.0至1.3的范圍內(nèi)。在另一個實施方案中，散射顆粒的折射率可以在約2.0至3.5的范圍內(nèi)或在2.2至
3.0的范圍內(nèi)。散射顆粒的實例可包括平均粒徑為至少50nm、至少lOOnm、至少500nm或至少1，OOOnm的顆粒。散射顆粒的平均粒徑可以為例如10，OOOnm以下。散射區(qū)域還可由空間形成，所述空間具有上述大小并填充有空氣而作為空置空間。
[0032]散射顆?；蛏⑸鋮^(qū)域可為球形、橢圓形或多面體，或者可以為不定形的，但不對散射顆粒的形狀作特別限定。散射顆粒的實例可包括例如顆粒:例如，有機材料，如聚苯乙烯或其衍生物，丙烯酸樹脂或其衍生物，硅樹脂或其衍生物，酚醛樹脂或其衍生物；或無機材料，如二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦或氧化鋯。散射顆粒可包括任一種或至少兩種上述材料而形成。例如，中空顆粒如中空二氧化硅(hollow silica)或芯/殼結(jié)構(gòu)的顆粒可用作散射顆粒。
[0033]光散射層還可包括基體材料，從而保持散射區(qū)域，例如散射顆粒形成的散射區(qū)域?；w材料可例如由折射率近似于或高于相鄰材料例如基礎層的折射率的材料形成。例如，可用作基體材料的為有機材料和無機材料或有機-無機復合材料，所述有機材料為聚酰亞胺、含有荷環(huán)的卡多樹脂(cardo resin)、聚氨酯、環(huán)氧樹脂、聚酯或丙烯酸酯基熱固化或光固化單體、低聚物或聚合物，所述無機材料例如二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或聚硅氧烷。
[0034]基體材料可包括聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亞胺。其中，聚硅氧烷可例如通過可縮合的硅烷化合物或硅氧烷低聚物的縮聚生成，從而形成基于硅氧鍵(S1-O)的基體材料。通過調(diào)芐基體材料形成過程中的縮合條件，聚硅氧烷可形成為僅基于硅氧鍵(S1-O)的材料，或包括部分殘留的有機基團例如烷基或可縮合的官能團例如烷氧基。
[0035]例如，可使用相對于波長為633nm的光的折射率為約1.5以上、約1.6以上、約
1.65以上或約1.7以上的聚酰胺酸或聚酰亞胺。這種高折射率的聚酰胺酸或聚酰亞胺可例如使用引入除氟以外的鹵原子、硫原子或磷原子的單體而制備。例如，可使用這樣的聚酰胺酸，其因存在可連接至顆粒的位點例如羧基而可以增加顆粒的分散穩(wěn)定性。聚酰胺酸可使用包括化學式I的重復單元的化合物。

【權(quán)利要求】
1.一種用于有機電子器件的基板，其特征在于， 所述用于有機電子器件的基板包括: 基礎層； 光學功能層，其在所述基礎層上形成，并具有與所述基礎層相比小的投影面積； 電極層，其具有與所述光學功能層相比大的投影面積，并且均形成在所述光學功能層的上方和未形成有所述光學功能層的基礎層的上方；及 導電物質(zhì)，其均與在所述光學功能層的上方形成的電極層和在未形成有所述光學功能層的所述基礎層的上方形成的電極層電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其特征在于， 所述電極層的投影面積(A)與所述光學功能層的投影面積(B)之比值(A/B)為1.04以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其特征在于， 所述光學功能層由所述基礎層、所述電極層、及所述導電物質(zhì)密封。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其特征在于， 所述基礎層具有透光性。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其特征在于， 所述導電物質(zhì)包括選自銀、銅、鎳、鑰、及鋁中的一種以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其特征在于， 所述電極層為空穴注入電極層或電子注入電極層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其特征在于， 所述光學功能層是光散射層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于有機電子器件的基板，其特征在于， 所述光散射層包含基體材料和光散射顆粒，所述光散射顆粒的折射率和所述基體材料的折射率不相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于有機電子器件的基板，其特征在于， 所述基體材料包含聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亞胺。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于有機電子器件的基板，其特征在于， 所述光散射顆粒的折射率為1.0-3.5。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于有機電子器件的基板，其特征在于， 所述光散射層為具有凹-凸結(jié)構(gòu)的層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其特征在于， 所述光學功能層包括光散射層及在所述光散射層的上方形成的平整層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于有機電子器件的基板，其特征在于， 所述平整層的折射率為1.7以上。
14.一種有機電子設備,其特征在于， 所述有機電子設備包括: 權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板； 有機層，其形成在所述基板的電極層上，并包括發(fā)光層 '及 第二電極層，其形成在所述有機層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機電子設備，其特征在于， 所述基板的光學功能層的形成區(qū)域的長度(B)與所述發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域的長度(C)之差(B-C)在10 μ m至2mm的范圍內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機電子設備，其特征在于， 所述有機電子設備還包括用于保護有機層和第二電極層的封裝結(jié)構(gòu)，并且所述封裝結(jié)構(gòu)粘附于在下方未形成有光學功能層的基板的電極層的上方。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機電子設備，其特征在于， 所述封裝結(jié)構(gòu)為玻璃罐或金屬罐，或者為覆蓋所述有機層和所述第二電極層的整個表面的薄膜。
18.一種用于有機電子器件的基板的制造方法，其特征在于， 所述用于有機電子器件的基板的制造方法包括: 在基礎層上形成光學功能層的步驟，其中，所述光學功能層以具有與所述基礎層相比小的投影面積的方式形成；和 將具有與所述光學功能層相比大的投影面積的電極層，均形成在所述光學功能層的上方及未形成有所述光學功能層的基礎層的上方形成，并且以均與在所述光學功能層的上方形成的電極層和在未形成有所述光學功能層的基礎層的上方形成的電極層電連接的方式形成導電物質(zhì)的步驟。
19.一種照明設備，其包括根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機電子設備。
【文檔編號】H01L51/52GK104205400SQ201380015612
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2013年3月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月23日
【發(fā)明者】金榮銀, 金鐘碩, 文英均, 黃珍夏, 李淵槿, 樸祥準, 金勇男 申請人:株式會社Lg化學