太陽(yáng)能電池裝置及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】根據(jù)本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池裝置包括：包括多個(gè)圖案的支承基板；在支承基板上的背電極層；在背電極層上的光吸收層；在光吸收層上的緩沖層；以及在緩沖層上的前電極層，其中，圖案形成為包括第一內(nèi)側(cè)表面、第二內(nèi)側(cè)表面和底表面的切口結(jié)構(gòu)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】太陽(yáng)能電池裝置及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明實(shí)施方案涉及一種太陽(yáng)能電池裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]用于將陽(yáng)光轉(zhuǎn)化成電能的太陽(yáng)能電池裝置包括太陽(yáng)能電池板、二極管和框架。
[0003]太陽(yáng)能電池板具有板狀形狀。例如，太陽(yáng)能電池板具有矩形板狀形狀。太陽(yáng)能電池板設(shè)置在框架內(nèi)。太陽(yáng)能電池板的四個(gè)側(cè)表面設(shè)置在框架內(nèi)。
[0004]太陽(yáng)能電池板接收陽(yáng)光，并且將陽(yáng)光轉(zhuǎn)化成電能。太陽(yáng)能電池板包括多個(gè)太陽(yáng)能電池。太陽(yáng)能電池板還可以包括基板、膜或用于保護(hù)太陽(yáng)能電池的保護(hù)玻璃。
[0005]太陽(yáng)能電池板包括連接到太陽(yáng)能電池的匯流條(bus bar)。匯流條從最外太陽(yáng)能電池的上表面延伸并且分別連接到導(dǎo)線。
[0006]二極管并聯(lián)連接到太陽(yáng)能電池板。電流選擇性地流過(guò)二極管。也就是說(shuō)，當(dāng)太陽(yáng)能電池板的性能劣化時(shí)，電流流過(guò)二極管。因此，防止了根據(jù)本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池裝置的短路。太陽(yáng)能電池裝置還可以包括連接到二極管和太陽(yáng)能電池板的導(dǎo)線。導(dǎo)線連接彼此相鄰的太陽(yáng)能電池板。
[0007]框架將太陽(yáng)能電池板容納于其中?？蚣苡山饘僦瞥伞？蚣茉O(shè)置在太陽(yáng)能電池板的側(cè)表面上?？蚣軐⑻?yáng)能電池板的側(cè)表面容納于其中?？蚣芸梢园ǘ鄠€(gè)子框架。在這種情況下，子框架可以彼此連接。
[0008]這樣的太陽(yáng)能電池裝置安裝在戶外場(chǎng)地以將陽(yáng)光轉(zhuǎn)化成電能。因而，太陽(yáng)能電池裝置可以暴露于外部的物理影響、電影響和化學(xué)影響。
[0009]在韓國(guó)未經(jīng)審查的專(zhuān)利公開(kāi)第10-2009-0059529號(hào)中公開(kāi)了一種關(guān)于這樣的太陽(yáng)能電池裝置的技術(shù)。
[0010]同時(shí)，在這樣的太陽(yáng)能電池裝置中形成有彼此電連接的多個(gè)圖案。在形成圖案時(shí)，可能出現(xiàn)工藝錯(cuò)誤并且效率可能由于電阻損耗而降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]技術(shù)問(wèn)題
[0012]本實(shí)施方案提供了一種太陽(yáng)能電池裝置及其制造方法，在該太陽(yáng)能電池裝置中在支承基板上形成有具有切口(undercut)結(jié)構(gòu)的多個(gè)圖案，使得可以簡(jiǎn)化制造太陽(yáng)能電池裝置的工藝。
[0013]問(wèn)題的解決方案
[0014]根據(jù)本實(shí)施方案，提供了一種太陽(yáng)能電池裝置，該太陽(yáng)能電池裝置包括:包括多個(gè)圖案的支承基板；在支承基板上的背電極層；在背電極層上的光吸收層；在光吸收層上的緩沖層；以及在緩沖層上的前電極層，其中，圖案形成為包括第一內(nèi)側(cè)表面、第二內(nèi)側(cè)表面和底表面的切口結(jié)構(gòu)。
[0015]根據(jù)本實(shí)施方案，提供了一種制造太陽(yáng)能電池裝置的方法。該方法包括:在支承基板上形成多個(gè)圖案；在支承基板上形成背電極層；在背電極層上形成光吸收層；在光吸收層上形成緩沖層；以及在緩沖層上形成前電極層，其中，圖案被形成為包括第一內(nèi)側(cè)表面、第二內(nèi)側(cè)表面和底表面的切口結(jié)構(gòu)。
[0016]本發(fā)明的有益效果
[0017]根據(jù)本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池裝置，在支承基板上形成彼此隔開(kāi)預(yù)定間隔的圖案之后，在形成有圖案的支承基板上依次形成背電極層、光吸收層、緩沖層、高電阻緩沖層和前電極層。
[0018]此外，根據(jù)制造本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池裝置的方法，在在支承基板上形成背電極層的步驟之前執(zhí)行預(yù)處理工藝以在支承基板上以預(yù)定間隔形成具有切口形狀的多個(gè)圖案。
[0019]因而，由于形成有圖案的支承基板，所以可以省略在在支承基板上形成背電極層之后在背電極層中形成槽的工藝。
[0020]因此，根據(jù)本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池裝置及其制造方法，由于工藝省略而可以簡(jiǎn)化太陽(yáng)能電池裝置的模塊裝配工藝(module process),使得工藝時(shí)間可以減少，工藝效率可以提高并且工藝成本可以降低。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1是示出根據(jù)本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池裝置的平面圖。
[0022]圖2和圖3是示出圖1的太陽(yáng)能電池裝置的截面圖。
[0023]圖4是沿圖1的線A-A’截取的截面圖。
[0024]圖5至圖9是示出制造根據(jù)本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池裝置的工藝的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025]在對(duì)本實(shí)施方案的描述中，應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)板、條、框架、基板、凹槽或膜被稱(chēng)為在另一板、條、框架、基板、凹槽或膜“上”或“下”時(shí)，其可以“直接地”或“間接地”在其他板、條、框架、基板、凹槽或膜上，或者也可以存在一個(gè)或更多個(gè)插入層。參照附圖來(lái)描述元件的這樣的位置。
[0026]為方便或清晰的目的可以放大、省略或示意性繪制附圖中所示的每個(gè)元件的厚度和尺寸。此外，元件的尺寸不完全反映實(shí)際尺寸。
[0027]下文中，將參照附圖來(lái)描述本實(shí)施方案。
[0028]圖1是示出根據(jù)本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池板的平面圖。圖2和圖3是示出根據(jù)本實(shí)施方案的支承基板的截面圖。圖4是沿圖1的線A-A’截取的截面圖。
[0029]參照?qǐng)D1至圖4，太陽(yáng)能電池板包括支承基板100、背電極層200、光吸收層300、緩沖層400、高電阻緩沖層500和前電極層600。
[0030]支承基板100具有板狀形狀，并且支承背電極層200、光吸收層300、緩沖層400、高電阻緩沖層500和前電極層600。
[0031]支承基板100可以包括絕緣體。支承基板100可以是玻璃基板、塑料基板或金屬基板。更具體地，支承基板100可以是鈉鈣玻璃基板。支承基板100可以是透明的。支承基板100可以是柔性的或剛性的。
[0032]支承基板100可以包括多個(gè)圖案。下面具體描述該圖案。
[0033]支承基板100上設(shè)置有背電極層200。背電極層200是導(dǎo)電層。例如，用于背電極200的材料可以包括金屬如鑰(Mo)。
[0034]背電極層200可以包括至少兩層。在這種情況下，可以通過(guò)使用相同金屬或不同金屬來(lái)形成至少兩層中的各層。
[0035]背電極層200上設(shè)置有光吸收層300。
[0036]光吸收層300包括第1-1I1-VI族化合物。例如，光吸收層300可以具有CIGSS (Cu (IN, Ga) (Se, S)2)晶體結(jié)構(gòu)、CISS (Cu (IN) (Se, S)2)晶體結(jié)構(gòu)或 CGSS (Cu (Ga)(Se, S)2)晶體結(jié)構(gòu)。
[0037]光吸收層300可以具有在約IeV至約1.8eV范圍內(nèi)的能帶間隙。
[0038]光吸收層300上設(shè)置有緩沖層400。緩沖層400直接接觸光吸收層300。
[0039]緩沖層400上可以設(shè)置有高電阻緩沖層500。高電阻緩沖層500包括未摻雜雜質(zhì)的氧化鋅(1-ZnO)。高電阻緩沖層500的能帶間隙可以在約3.1eV至約3.3eV范圍內(nèi)。
[0040]光吸收層300上設(shè)置有前電極層600。更具體地，前電極層600設(shè)置在高電阻緩沖層500上。
[0041 ] 高電阻緩沖層500上設(shè)置有前電極層600。前電極層600是透明的。例如，用于前電極層600的材料可以包括鋁摻雜的氧化鋅(AZO)、銦鋅氧化物(IZO)或銦錫氧化物(ITO)。
[0042]前電極層600的厚度可以在約500nm至約1.5μπι的范圍內(nèi)。在前電極層600由鋁摻雜的氧化鋅(AZO)形成的情況下，鋁(Al)可以以約2.5wt%至約3.5wt%的量摻雜。前電極層600是導(dǎo)電層。
[0043]下文中，將參照附圖更加具體地描述支承基板100。
[0044]參照?qǐng)D2和圖3，支承基板100可以包括多個(gè)圖案。圖案10可以以預(yù)定間隔彼此隔開(kāi)。具體地，圖案10可以以切口結(jié)構(gòu)形成在支承基板100上。
[0045]可以通過(guò)蝕刻、針(needle)或注塑成型方案來(lái)制造圖案。優(yōu)選地，在基板可以是玻璃基板的情況下，可以通過(guò)使用蝕刻或針的機(jī)械加工在玻璃基板上形成切口結(jié)構(gòu)圖案。在基板可以是塑料基板或金屬基板的情況下，可以通過(guò)注塑成型方案來(lái)形成切口結(jié)構(gòu)圖案。然而，本實(shí)施方案不限于以上，而是可以使用可以在支承基板上形成圖案的各種方法。
[0046]具有切口結(jié)構(gòu)的圖案10可以包括第一內(nèi)側(cè)表面10a、第二內(nèi)側(cè)表面1b和底表面1c0
[0047]第一內(nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面1b可以彼此面對(duì)。此外,底表面1c可以將第一內(nèi)側(cè)表面1a連接到第二內(nèi)側(cè)表面10b。
[0048]第一內(nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面1b中之一可以相對(duì)于支承基板100的頂表面傾斜?；蛘?，第一內(nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面1b兩者均可以相對(duì)于支承基板100的頂表面傾斜。也就是說(shuō)，圖案的形狀可以形成為第一內(nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面1b中之一可以如圖2所不傾斜于支承基板100的頂表面,或者第一內(nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面1b兩者均可以如圖3所示傾斜于支承基板100的頂表面。
[0049]此外,第一內(nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面1b中之一可以與支承基板100的頂表面垂直。也就是說(shuō),如圖2所示，第一內(nèi)側(cè)表面1a可以與支承基板100的頂表面垂直，并且第二內(nèi)側(cè)表面1b可以相對(duì)于支承基板100的頂表面傾斜。
[0050]在第一內(nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面1b兩者可以相對(duì)于支承基板100的頂表面傾斜的情況下，可以有效地防止電短路。當(dāng)?shù)谝粌?nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面1b中之一可以相對(duì)于支承基板100的頂表面傾斜的情況下，可以減少死區(qū)使得效率可以提高。
[0051]在第一內(nèi)側(cè)表面1a和/或第二內(nèi)側(cè)表面1b傾斜的情況下,第一內(nèi)側(cè)表面1a與第二內(nèi)側(cè)表面1b之間的距離可以從支承基板100的頂表面向下逐漸增加。也就是說(shuō)，第一內(nèi)側(cè)表面1a和/或第二內(nèi)側(cè)表面1b可以沿這樣的方向傾斜:其中，第一內(nèi)側(cè)表面1a與第二內(nèi)側(cè)表面1b之間的距離可以從支承基板100的頂表面到圖案(也就是切口結(jié)構(gòu)的底表面1c)逐漸增加。換言之，第一內(nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面1b可以分別沿相互相對(duì)的方向傾斜。例如，在第一內(nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面1b傾斜的情況下，切口結(jié)構(gòu)可以具有梯形形狀。
[0052]在第一內(nèi)側(cè)表面1a和/或第二內(nèi)側(cè)表面1b傾斜的情況下，支承基板100的頂表面與第一內(nèi)側(cè)表面1a和/或第二內(nèi)側(cè)表面1b之間的角度(Θ)可以在10°至80°的范圍內(nèi)。然而，角度(Θ)不限于以上角度，并且角度(Θ)可以通過(guò)考慮電短路的危險(xiǎn)和太陽(yáng)能電池裝置的效率來(lái)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整。
[0053]支承基板100上可以設(shè)置有背電極層200，在支承基板100中形成有具有包括第一內(nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面1b以及底表面1c的切口結(jié)構(gòu)的圖案10。背電極層200可以設(shè)置成使得背電極層200直接接觸支承基板100的頂表面和圖案(也就是切口結(jié)構(gòu)的底表面1c)。
[0054]此外，設(shè)置在背電極層200上的光吸收層300可以設(shè)置成使得光吸收層300直接接觸背電極層200的頂表面和設(shè)置在底表面1c上的背電極層200的一部分或全部。
[0055]根據(jù)本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池裝置，在支承基板上形成彼此隔開(kāi)預(yù)定間隔的圖案之后，在其上形成有圖案的支承基板上依次形成背電極層、光吸收層、緩沖層、高電阻緩沖層和前電極層。
[0056]因此，由于工藝省略而可以簡(jiǎn)化太陽(yáng)能電池裝置的模塊裝配工藝，使得可以減少工藝時(shí)間，可以提高工藝效率并且可以減少工藝成本。
[0057]下文中，將參照?qǐng)D5至圖9來(lái)描述制造根據(jù)本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池裝置的方法。在下面的描述中，為了清楚和簡(jiǎn)單說(shuō)明的目的將省略與太陽(yáng)能電池裝置的結(jié)構(gòu)和部件相同或極為相似的結(jié)構(gòu)和部件的細(xì)節(jié)。
[0058]在圖5至圖9中依次描繪了制造根據(jù)本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池裝置的方法。
[0059]制造根據(jù)本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池裝置的方法包括如下步驟:在支承基板上形成多個(gè)圖案；在支承基板上形成背電極層；在背電極層上形成光吸收層；在光吸收層上形成緩沖層；以及在緩沖層上形成前電極層，其中，圖案形成為切口結(jié)構(gòu)使得各個(gè)圖案包括第一內(nèi)側(cè)表面、第二內(nèi)側(cè)表面和底表面。
[0060]在支承基板上形成圖案的步驟中，可以在支承基板上形成切口結(jié)構(gòu)的圖案。如圖5所不，切口可以包括第一內(nèi)側(cè)表面10a、第二內(nèi)側(cè)表面1b和底表面10c。
[0061]第一內(nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面1b彼此面對(duì),并且底表面1c連接到第一內(nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面10b。
[0062]第一內(nèi)側(cè)表面1a和/或第二內(nèi)側(cè)表面1b可以與支承基板100的頂表面傾斜或垂直。第一內(nèi)側(cè)表面1a和/或第二內(nèi)側(cè)表面1b可以傾斜,使得第一內(nèi)側(cè)表面1a和/或第二內(nèi)側(cè)表面1b之間的距離從支承基板的頂表面向下逐漸增加。也就是說(shuō)，第一內(nèi)側(cè)表面1a和第二內(nèi)側(cè)表面1b可以分別沿相互相對(duì)的方向傾斜。例如，圖案可以具有梯形形狀。
[0063]可以通過(guò)蝕刻工藝來(lái)形成圖案。例如，在支承基板100可以是玻璃基板的情況下，可以通過(guò)蝕刻工藝或通過(guò)使用針來(lái)形成圖案。在支承基板100可以是塑料基板或金屬基板的情況下，可以通過(guò)注塑成型方案由支承基板100形成圖案。
[0064]在支承基板上形成背電極層的步驟中，可以在支承基板100上形成背電極層200。背電極層200可以通過(guò)PVD (物理氣相沉積)方案或鍍覆方案來(lái)形成。如圖6所示，可以在支承基板100上形成背電極層200，使得背電極層200直接接觸支承基板100的頂表面和圖案(也就是支承基板100的切口的底表面1c)。
[0065]然后，在背電極層上形成光吸收層(例如，光吸收層300)的步驟中，為了形成光吸收層300，廣泛使用在同時(shí)或單獨(dú)蒸鍍銅、銦、鎵以及硒的同時(shí)形成銅-銦-鎵-硒基(Cu (In, Ga) (Se)2 ;CIGS基)光吸收層300的方法和在形成金屬前體層之后進(jìn)行硒化處理的方法。
[0066]關(guān)于在形成金屬前體層之后的硒化處理的細(xì)節(jié)，通過(guò)使用銅靶、銦靶和鎵靶的濺射工藝在背電極層200上形成金屬前體層。其后，對(duì)金屬前體層進(jìn)行硒化處理以形成Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)基光吸收層 300。
[0067]作為一個(gè)替代方案，可以同時(shí)執(zhí)行使用銅靶、銦靶和鎵靶的濺射工藝和硒化處理。作為另一替代方案，可以通過(guò)使用僅銅靶或銦靶或者通過(guò)使用銅靶和鎵靶來(lái)通過(guò)濺射工藝或硒化處理來(lái)形成CIS基光吸收層300或CIG基光吸收層300。
[0068]如圖7所示，光吸收層300可以直接接觸背電極層200的頂表面和設(shè)置在底表面1c上的背電極層200的一部分或全部。
[0069]然后，在光吸收層上形成緩沖層和在緩沖層上形成前電極層的步驟中，在光吸收層300上形成緩沖層400和高電阻緩沖層500，并且在緩沖層上形成前電極層600。
[0070]如圖8和圖9所示，可以在光吸收層300上形成緩沖層和高電阻緩沖層500?？梢酝ㄟ^(guò)化學(xué)浴沉積(CBD)方案在光吸收層300上沉積CdS來(lái)形成緩沖層400。此外，通過(guò)濺射工藝在緩沖層400上沉積氧化鋅，由此形成高電阻緩沖層500。
[0071]然后，在高電阻緩沖層500上設(shè)置前電極層600。在高電阻緩沖層500上沉積透明導(dǎo)電材料以形成前電極層600。例如，透明導(dǎo)電材料可以包括被摻雜有鋁(Al)或硼⑶的氧化鋅?？梢酝ㄟ^(guò)濺射摻雜有鋁(Al)或硼(B)的氧化鋅來(lái)形成前電極層600。
[0072]如上所述，根據(jù)制造本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池裝置的方法，在支承基板上形成背電極層的步驟之前執(zhí)行預(yù)處理工藝以在支承基板上以預(yù)定間隔形成具有切口形狀的多個(gè)圖案。
[0073]因而，由于形成有圖案的支承基板，可以省略在在支承基板上形成背電極層之后在背電極層中形成槽的工藝。
[0074]因此，根據(jù)本實(shí)施方案的太陽(yáng)能電池裝置及其制造方法，由于工藝省略而可以簡(jiǎn)化太陽(yáng)能電池裝置的模塊裝配工藝，使得工藝時(shí)間可以減少，工藝效率可以提高并且工藝成本可以降低。
[0075]在本說(shuō)明書(shū)中對(duì)“ 一個(gè)實(shí)施方案”、“實(shí)施方案”、“示例性實(shí)施方案”等的任何提及是指結(jié)合實(shí)施方案所描述的具體特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明中的至少一個(gè)實(shí)施方案中。在說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)位置中的這樣的短語(yǔ)的出現(xiàn)未必都指代相同的實(shí)施方案。此外，當(dāng)結(jié)合任意實(shí)施方案描述具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，認(rèn)為結(jié)合實(shí)施方案中的其他實(shí)施方案來(lái)實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性在本領(lǐng)域技術(shù)人員的能力范圍內(nèi)。
[0076]雖然到目前為止已主要描述了實(shí)施方案，但是它們僅是示例性的并且不對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限制。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將知道未示例的各種修改方案和應(yīng)用可以在不偏離實(shí)施方案的本質(zhì)特征的范圍內(nèi)執(zhí)行。例如，可以修改在示例性實(shí)施方案中詳細(xì)描述的構(gòu)件以執(zhí)行。此外，與這樣的修改方案和應(yīng)用相關(guān)的差異應(yīng)理解為包括在本發(fā)明的所附權(quán)利要求中指定的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種太陽(yáng)能電池裝置，包括: 包括多個(gè)圖案的支承基板； 在所述支承基板上的背電極層； 在所述背電極層上的光吸收層； 在所述光吸收層上的緩沖層；以及 在所述緩沖層上的前電極層， 其中，所述圖案形成為包括第一內(nèi)側(cè)表面、第二內(nèi)側(cè)表面和底表面的切口結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池裝置，其中，所述第一內(nèi)側(cè)表面和所述第二內(nèi)側(cè)表面中之一相對(duì)于所述支承基板的頂表面傾斜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池裝置，其中，所述第一內(nèi)側(cè)表面與所述第二內(nèi)側(cè)表面之間的距離從所述支承基板的所述頂表面到所述支承基板的底表面逐漸增加。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池裝置，其中，所述第一內(nèi)側(cè)表面與所述支承基板的所述頂表面之間的角度、或者所述第二內(nèi)側(cè)表面與所述支承基板的所述頂表面之間的角度在10°至80°的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池裝置，其中，所述第一內(nèi)側(cè)表面和所述第二內(nèi)側(cè)表面相對(duì)于所述支承基板的頂表面傾斜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能電池裝置，其中，所述第一內(nèi)側(cè)表面與所述第二內(nèi)側(cè)表面之間的距離從所述支承基板的所述頂表面到所述支承基板的底表面逐漸增加。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能電池裝置，其中，所述第一內(nèi)側(cè)表面與所述支承基板的所述頂表面之間的角度、以及所述第二內(nèi)側(cè)表面與所述支承基板的所述頂表面之間的角度在10°到80°的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池裝置，其中，所述第一內(nèi)側(cè)表面和所述第二內(nèi)側(cè)表面之一垂直于所述支承基板的頂表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池裝置，其中，所述背電極層直接接觸所述支承基板的頂表面和所述切口結(jié)構(gòu)的所述底表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池裝置，其中，所述光吸收層直接接觸所述背電極層的頂表面和所述背電極層的側(cè)表面以及設(shè)置在所述切口結(jié)構(gòu)的所述底表面上的所述背電極層的一部分或全部。
11.一種制造太陽(yáng)能電池裝置的方法，所述方法包括: 在支承基板上形成多個(gè)圖案； 在所述支承基板上形成背電極層； 在所述背電極層上形成光吸收層； 在所述光吸收層上形成緩沖層；以及 在所述緩沖層上形成前電極層， 其中，所述圖案形成為包括第一內(nèi)側(cè)表面、第二內(nèi)側(cè)表面和底表面的切口結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一內(nèi)側(cè)表面和所述第二內(nèi)側(cè)表面中之一相對(duì)于所述支承基板的頂表面傾斜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一內(nèi)側(cè)表面和所述第二內(nèi)側(cè)表面中之一垂直于所述支承基板的所述頂表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一內(nèi)側(cè)表面和所述第二內(nèi)側(cè)表面相對(duì)于所述支承基板的頂表面傾斜。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一內(nèi)側(cè)表面與所述第二內(nèi)側(cè)表面之間的距離從所述支承基板的所述頂表面到所述支承基板的底表面逐漸增加。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一內(nèi)側(cè)表面和所述第二內(nèi)側(cè)表面中的之一垂直于所述支承基板的頂表面。
【文檔編號(hào)】H01L31/0236GK104205349SQ201380018561
【公開(kāi)日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2013年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月6日
【發(fā)明者】南承勛, 張正仁 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司