組件的制造方法和組件的制造裝置制造方法
【專利摘要】在不同的實(shí)施例中提供了一種組件的制造方法，該方法具有：提供帶有導(dǎo)電表面的襯底；其中該表面具有第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域；在第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域之間形成電位差；和在第一電獨(dú)立區(qū)域或第二電獨(dú)立區(qū)域上敷設(shè)帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物；其中借助于該電位差調(diào)節(jié)該電獨(dú)立區(qū)域和/或所敷設(shè)的帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物的數(shù)量。
【專利說明】組件的制造方法和組件的制造裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]在不同的實(shí)施方式中提供了組件的制造方法和組件的制造裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]由第一波長的電磁輻射形成第二波長的電磁輻射稱為波長轉(zhuǎn)換。波長轉(zhuǎn)換用在用于顏色轉(zhuǎn)換的光電子組件中，例如，用于簡化例如在白光發(fā)光二極管閃光燈或白光發(fā)光二極管燈中的白光產(chǎn)生。在此，例如發(fā)光二極管(light emitting d1de LED)的藍(lán)光被轉(zhuǎn)換為綠色至紅光。藍(lán)光和綠色至紅光的顏色混合可以形成白光。
[0003]例如，波長轉(zhuǎn)換可以借助于在光電子組件的光路上，例如在LED上或上方形成的發(fā)光物質(zhì)實(shí)現(xiàn)。
[0004]在此，作為發(fā)光物質(zhì)可以理解為例如借助于磷光或熒光把一個(gè)波長的有損失的電磁輻射轉(zhuǎn)換為另一個(gè)(較長)波長的電磁輻射的物質(zhì)。被吸收的電磁輻射和所發(fā)射的電磁輻射的能量差可以被轉(zhuǎn)換為聲子，亦即熱量，和/或借助于波長與能量差成正比的電磁輻射的發(fā)射而被轉(zhuǎn)換。
[0005]在光電子組件上或上方敷設(shè)發(fā)光物質(zhì)可以例如借助于電泳淀積實(shí)現(xiàn)。為此可以把光電子組件，例如LED在外殼(封裝)中或在板上電接觸和浸入懸浮液內(nèi)。懸浮液可以具有懸浮在溶劑中的磷粒子，其中磷粒子可以理解為一種發(fā)光物質(zhì)。在此，電接觸的光電子組件形成一個(gè)電極。在懸浮液的其他位置上可以形成另一個(gè)電極。在此，該另一電極也可以稱為反電極。
[0006]該磷粒子可以在懸浮液中在粒子的表面上具有電荷。磷粒子可以由此在電場內(nèi)向光電子組件的方向移動(dòng)，并在光電子組件上淀積為磷層。在此，可以通過在電接觸的光電子組件和反電極之間施加電位差而形成電場。
[0007]在電泳淀積時(shí)，磷可以同時(shí)淀積在光電子組件表面的所有導(dǎo)電的和被接觸的區(qū)域上。因此，在光電子組件的電絕緣表面上或上方不會(huì)淀積磷。
[0008]在光電子組件表面的電絕緣區(qū)域上敷設(shè)發(fā)光物質(zhì)，例如磷的傳統(tǒng)方法可以是在光電子組件浸入懸浮液之前，在光電子組件表面的電絕緣區(qū)域上敷設(shè)導(dǎo)電層。傳統(tǒng)上為此可以在光電子組件表面上蒸鍍或派射(sputtern派射)厚度在lOOnm至200nm范圍內(nèi)的薄金屬層，例如鋁層。
[0009]在將發(fā)光物質(zhì)層，例如磷層電泳淀積在光電子組件的導(dǎo)電表面上之后，可以用濕化學(xué)方法，用堿性含水溶液從光電子組件表面移除鋁。在此，鋁可以轉(zhuǎn)變?yōu)殇X鹽。在此，發(fā)光物質(zhì)層可以留在光電子組件的表面上。
[0010]然而，在光電子組件表面上借助于蒸鍍或?yàn)R射敷設(shè)導(dǎo)電層導(dǎo)致整個(gè)導(dǎo)電表面都被涂敷了發(fā)光物質(zhì)。然而，用發(fā)光物質(zhì)涂敷整個(gè)金屬涂敷的表面只對(duì)少數(shù)應(yīng)用才是希望的。[0011 ] 在一種用于結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電的光電子組件表面的傳統(tǒng)方法中，可以用光刻的方法結(jié)構(gòu)化該導(dǎo)電層。為此，可以在光電子組件表面上敷設(shè)導(dǎo)電層之前敷設(shè)光刻漆層，接著，借助于光刻掩模對(duì)該光刻漆層選擇性曝光。然后，漆層的曝光或未曝光的區(qū)域視漆而定可以用濕化學(xué)方法移除。此后，可以在光電子組件的表面上淀積導(dǎo)電層。
[0012]然后，在該漆層上或上方的導(dǎo)電層可以用濕化學(xué)方法借助于從光電子組件表面溶解漆而被移除。
[0013]在此，光刻漆和導(dǎo)電層的化學(xué)特性應(yīng)該被形成為，使得該金屬不與光刻漆同時(shí)溶解。否則，連光電子組件表面沒有光刻漆的區(qū)域上的金屬也可能被移除。借助于物質(zhì)從導(dǎo)電層和漆層的可溶性的所要求的兼容性，可能使可用的漆和導(dǎo)電層的選擇受到限制。此外，相對(duì)于光刻方法的掩模尺寸，應(yīng)該使光電子組件的尺寸只具有小的偏差。否則，可能結(jié)構(gòu)化不應(yīng)該被結(jié)構(gòu)化的光電子組件表面區(qū)域，例如作為反射器、過電壓保護(hù)二極管、接觸墊或作為外殼部分而設(shè)計(jì)的區(qū)域。
[0014]在共同載體，例如板上有多個(gè)光電子組件時(shí)，這個(gè)小的容差往往無法達(dá)到。換句話說，在板上的光電子組件加起來可能具有太大的尺寸偏差。因此，用于在多個(gè)光電子組件上或上方同時(shí)結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層的光刻方法只能被有限地適用和使用。
[0015]在用于結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層的另一種傳統(tǒng)的方法中，在光電子組件表面上噴濺導(dǎo)電層時(shí)在粒子射線中使用掩模，例如，陰影掩模。由此可能在沒有掩模的區(qū)域內(nèi)形成導(dǎo)電層。然而，這個(gè)方法可能非常不準(zhǔn)確，而且可能對(duì)于不同的光電子組件需要不同的掩模。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]因此，在不同的實(shí)施方式中，提供一種組件的制造方法和組件的制造裝置，籍此可以把電泳淀積限制在組件表面的定義的區(qū)域上。
[0017]在本說明書的范圍內(nèi)，有機(jī)物質(zhì)，不考慮各自的聚集狀態(tài)，可以理解為在化學(xué)上以統(tǒng)一的形式存在的、以特征性物理和化學(xué)特性為特征的碳的化合物。此外，在本說明書的范圍內(nèi)，無機(jī)物質(zhì)，不考慮各自的聚集狀態(tài)，可以理解為在化學(xué)上以統(tǒng)一的形式存在的、以特征性物理和化學(xué)特性為特征的沒有碳的化合物或比較簡單的碳化合物。在本說明書的范圍內(nèi)，有機(jī)-無機(jī)物質(zhì)(混合物質(zhì))，不考慮各自的聚集狀態(tài)，可以理解為在化學(xué)上以統(tǒng)一的形式存在的、以特征性物理和化學(xué)特性為特征的與含碳和無碳的化合物部分的化合物。在本說明書的范圍內(nèi)“物質(zhì)”的概念包括上述所有物質(zhì)，例如，有機(jī)物質(zhì)、無機(jī)物質(zhì)和/或混合物質(zhì)。此外，在本說明書的范圍內(nèi)，物質(zhì)混合物大致上可以理解為其組分由兩種或更多種不同的物質(zhì)組成，這些物質(zhì)的組分分布例如非常細(xì)。作為一個(gè)物質(zhì)類別，理解為由一種或多種有機(jī)物質(zhì)、一種或多種無機(jī)物質(zhì)或一種或多種混合物質(zhì)組成的一種物質(zhì)或一種物質(zhì)混合物?！安牧稀钡母拍羁梢宰鳛椤拔镔|(zhì)”概念的同義詞使用。
[0018]在本說明書的范圍內(nèi)，帶電物質(zhì)理解為具有電荷，亦即至少臨時(shí)地不是電中性的物質(zhì)。在此，電荷可以借助于極化或離子化形成。
[0019]例如，帶電物質(zhì)可以采取粒子形式形成。
[0020]在不同的實(shí)施方式中，提供一種組件的制造方法，該方法具有:提供帶有導(dǎo)電表面的襯底；其中該表面具有第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域；在第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域之間形成電位差，并在第一電獨(dú)立區(qū)域和/或第二電獨(dú)立區(qū)域上敷設(shè)帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物；其中借助于電位差調(diào)節(jié)該電獨(dú)立區(qū)域和/或敷設(shè)的帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物的數(shù)量。在該方法的一種構(gòu)型中，提供帶有導(dǎo)電表面的襯底可以包括在襯底電絕緣表面上或上方形成導(dǎo)電層。
[0021]該導(dǎo)電層可以具有有機(jī)物質(zhì)、無機(jī)物質(zhì)或無機(jī)有機(jī)混合物質(zhì)，或由有機(jī)物質(zhì)、無機(jī)物質(zhì)或無機(jī)有機(jī)混合物質(zhì)形成。
[0022]由無機(jī)物質(zhì)形成的導(dǎo)電層作為物質(zhì)可以具有來自以下一組物質(zhì)的物質(zhì)或由其形成:鐵、鋼、招、銅、銀、金、鈕、鎂、鈦、鉬、鎳、錫、鋅、娃、鍺、α -錫、硼、硒;締；銦、鎵、砷、磷、銻、鋅、鎘、鈹，并例如形成為鋁層或銦錫氧化物層(ΙΤ0)。
[0023]由有機(jī)物質(zhì)形成的導(dǎo)電層作為物質(zhì)可以具有來自以下一組物質(zhì)的物質(zhì)或由其形成:并四苯、并五苯、酞菁染料、聚噻吩、PTCDA、MePTCD1、金雞納吖啶酮(Chinacridon)、吖唳酮、陰丹士林、黃燒士林、Perinon、Alq3。
[0024]由無機(jī)有機(jī)混合物質(zhì)形成的導(dǎo)電層作為物質(zhì)可以具有來自以下一組物質(zhì)的物質(zhì)或由其形成:聚乙烯咔唑、TCNQ絡(luò)合物。
[0025]該導(dǎo)電層的物質(zhì)或物質(zhì)混合物的選擇可以根據(jù)具體的組件和移除導(dǎo)電層和要敷設(shè)的帶電物質(zhì)的兼容性進(jìn)行，例如，載體、發(fā)光物質(zhì)和/或其他組件部分與含水堿溶液的兼容性，或在有機(jī)物質(zhì)或混合物質(zhì)的情況下還有與其他溶劑的兼容性。
[0026]該導(dǎo)電層可以具有在大約從20nm至大約500μπι范圍內(nèi)的厚度。
[0027]該導(dǎo)電層可以敷設(shè)在該襯底表面的所有區(qū)域上。
[0028]該導(dǎo)電物質(zhì)可以例如蒸鍍或?yàn)R射(sputtern)在該襯底表面上。
[0029]該襯底表面可以在該導(dǎo)電層形成之前就已經(jīng)具有導(dǎo)電的區(qū)域，例如接觸墊。因此，在襯底表面上形成該導(dǎo)電層之前，可以在襯底表面上形成電絕緣層。換句話說，可以在該襯底表面上形成完全電絕緣的表面。
[0030]在該方法的再一個(gè)構(gòu)型中，襯底的電絕緣表面可以借助于在襯底的部分或完全電絕緣的表面上或上方形成電絕緣層而形成。
[0031]否則，在電獨(dú)立區(qū)域之間隨后接著形成電絕緣區(qū)域時(shí)，可能通過襯底表面上的導(dǎo)電區(qū)域而以體接觸導(dǎo)電層的方式導(dǎo)致短路，亦即，如果在只有部分地電絕緣的襯底表面上沒有電絕緣層則可能阻止電獨(dú)立區(qū)域的形成。
[0032]該電絕緣層例如可以具有Si02或A1203,或由其形成。但是,該電絕緣層也可以具有其他絕緣的金屬氧化物、半金屬氧化物、金屬氮化物和/或半金屬氮化物，或由其形成。
[0033]但是，該電絕緣層也可以具有電絕緣聚合物和/或硅酮，或由其形成。
[0034]該電絕緣層的物質(zhì)或物質(zhì)混合物可以例如被蒸鍍或?yàn)R射在襯底表面上。
[0035]在該方法的又一個(gè)構(gòu)型中，該襯底可以具有載體和至少一個(gè)電子組件，例如二極管或例如光電子組件，例如發(fā)光二極管、有機(jī)發(fā)光二極管、太陽能電池或光電檢測(cè)器。
[0036]換句話說，該襯底可以理解為以下組件，它可以具有帶有一個(gè)或多個(gè)電子組件的載體，所述電子組件例如是光電子組件，例如發(fā)光二極管，例如GaN- 二極管、InGaN- 二極管或 InGaAlP- 二極管。
[0037]在此,該載體例如可以是板、芯片晶圓片或引線框(Leadframe)。
[0038]但是，該襯底也可以理解為帶有沒有電子組件的載體的組件，例如理解為外殼。
[0039]在該方法的再一個(gè)構(gòu)型中，襯底的提供可以包括形成電獨(dú)立區(qū)域，其中電獨(dú)立區(qū)域的形成包括在該導(dǎo)電襯底的表面中在電獨(dú)立區(qū)域之間的范圍內(nèi)形成電絕緣區(qū)域。
[0040]在襯底的導(dǎo)電表面中，例如在導(dǎo)電層中電絕緣區(qū)域和電獨(dú)立區(qū)域的形式例如可以匹配于在該導(dǎo)電層下面的結(jié)構(gòu)形式，例如匹配于載體上電子組件的形式，例如，大致相同。
[0041]在該方法的又一個(gè)構(gòu)型中，在電獨(dú)立區(qū)域之間形成電絕緣區(qū)域可以包括在電絕緣區(qū)域的范圍內(nèi)移除襯底的導(dǎo)電表面，例如移除該導(dǎo)電層。
[0042]在該方法的再一個(gè)構(gòu)型中，電絕緣區(qū)域的形成可以包括機(jī)械移除該導(dǎo)電表面的物質(zhì)或物質(zhì)混合物，例如，刮除。
[0043]該導(dǎo)電表面的刮除例如可以用尖端裝置形成。該尖端裝置例如具有金剛石或由金剛石形成，其中尖端裝置可以受計(jì)算機(jī)控制而移動(dòng)。
[0044]在該方法的又一個(gè)構(gòu)型中，電絕緣區(qū)域的形成可以包括導(dǎo)電表面、例如該導(dǎo)電層的物質(zhì)或物質(zhì)混合物的彈道移除，例如，用粒子、分子、原子、離子、電子和/或光子的轟擊，例如，激光燒蝕。
[0045]用光子轟擊導(dǎo)電表面例如可以形成為激光燒蝕或激光脫附，用波長在大約200nm至大約1500nm范圍內(nèi)的激光器形成，例如以在大約10 μ m至大約2000 μ m范圍內(nèi)的聚焦直徑聚焦，例如功率大約為50mW至大約1000mW，例如功率密度為100kW/cm2至大約10GW/cm2，例如作為連續(xù)波激光器，或例如作為脈沖式激光器，例如具有在大約lOOfs至大約0.5ms范圍內(nèi)的脈沖持續(xù)時(shí)間，和例如具有在大約100Hz至大約1000Hz范圍內(nèi)的重復(fù)頻率。
[0046]在該方法的再一個(gè)構(gòu)型中，在電獨(dú)立區(qū)域之間電絕緣區(qū)域的形成可以包括襯底導(dǎo)電表面、例如導(dǎo)電層的化學(xué)交聯(lián)或化學(xué)降解。
[0047]有機(jī)或有機(jī)無機(jī)導(dǎo)電層的化學(xué)交聯(lián)或降解例如可以包括拆除多次結(jié)合或開環(huán)反應(yīng)，和/或化學(xué)加成、化學(xué)排除、化學(xué)取代或化學(xué)換位，例如，借助于紫外射線。
[0048]在該方法的又一個(gè)構(gòu)型中，電絕緣區(qū)域可以具有氣體，例如空氣，或電絕緣聚合物，例如用紫外射線設(shè)立為電絕緣的導(dǎo)電聚合物。
[0049]在該方法的再一個(gè)構(gòu)型中，第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域之間電位差的形成可以包括至少一個(gè)電獨(dú)立區(qū)域與電壓源連接:或者換句話說，包括將該組件形成為至少一個(gè)第一電極。
[0050]在此，該電壓源可以在第一電極上形成靜態(tài)的或時(shí)間調(diào)制的電壓，例如，在時(shí)間上采取脈沖方式的電壓。
[0051]在該方法的又一個(gè)構(gòu)型中，第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域之間電位差的形成可以包括使至少一個(gè)區(qū)域帶靜電。
[0052]電位差可以這樣地形成，使得帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物的帶電粒子只能集聚在襯底導(dǎo)電表面的、例如該導(dǎo)電層的電獨(dú)立區(qū)域之一上。
[0053]在粒子帶正電時(shí)，該第一電獨(dú)立區(qū)域例如可以具有負(fù)電荷，而該第二電獨(dú)立區(qū)域例如可以不具有電荷。其中在這個(gè)構(gòu)型中帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物形成為粒子，并被第一電獨(dú)立區(qū)域電吸引。
[0054]然而，代替不帶電，該第二電獨(dú)立區(qū)域也可以具有正電荷，亦即帶正電的粒子除了被第一電獨(dú)立區(qū)域吸引以外，還被帶正電的第二電獨(dú)立區(qū)域靜電排斥。
[0055]該電壓源例如可以具有從大約-1000V至大約+1000V的電壓值。
[0056]在該方法的再一個(gè)構(gòu)型中，該第一帶電物質(zhì)或該第一帶電物質(zhì)混合物可以溶解在第一溶劑中，并形成第一懸浮液。
[0057]在該方法的又一個(gè)構(gòu)型中，為了在第一電獨(dú)立區(qū)域或第二電獨(dú)立區(qū)域上敷設(shè)第一帶電物質(zhì)或第一帶電物質(zhì)混合物，可以形成第一電獨(dú)立區(qū)域和/或第二電獨(dú)立區(qū)域與第一懸浮液的實(shí)體接觸，其中在第一懸浮液中可以設(shè)立第二電極。
[0058]換句話說，在電獨(dú)立區(qū)域之間形成電位差之后，該襯底可以浸入由第一溶劑和第一帶電物質(zhì)或第一帶電物質(zhì)混合物形成的懸浮液，其中第一帶電物質(zhì)或第一帶電物質(zhì)混合物可以形成為粒子，例如形成為第一發(fā)光物質(zhì)粒子。
[0059]附加地可以在第一懸浮液中浸入反電極。在此，第一帶電物質(zhì)或第一帶電物質(zhì)混合物的電荷還可以借助于通過電極施加的電壓才設(shè)立。
[0060]在電極之間，亦即在電獨(dú)立區(qū)域和該反電極之間和/或在電獨(dú)立區(qū)域之間的電場可以使第一懸浮液的第一帶電粒子的電泳淀積成為可能。由此可以在第一電獨(dú)立區(qū)域和/或第二電獨(dú)立區(qū)域上形成第一電泳層，例如作為第一發(fā)光物質(zhì)層。在此，該懸浮液中組件和反電極之間的電場可以使電獨(dú)立區(qū)域上的平面電泳淀積成為可能。在此，電泳淀積可以只在以下電獨(dú)立區(qū)域上形成，在該電獨(dú)立區(qū)域上設(shè)立電位，使得帶電粒子可以淀積，例如不被靜電排斥。因此，帶電粒子可以例如不淀積在第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域之間的電絕緣區(qū)域中。由此可以在電獨(dú)立區(qū)域的范圍內(nèi)形成電泳層的確定無疑的過渡，亦即界面。
[0061]第一帶電粒子例如可以具有發(fā)光物質(zhì)，或由該發(fā)光物質(zhì)形成。在此，該發(fā)光物質(zhì)作為第一帶電物質(zhì)或第一帶電物質(zhì)混合物可以具有來自以下一組物質(zhì)的物質(zhì)，或由該物質(zhì)形成:Ce3+摻雜的石榴石，諸如YAG:Ce和LuAG，例如(Y，Lu) 3 (Al，Ga) 5012:Ce3+ ；Eu2+摻雜的氮化物，例如 CaAlSiN3:Eu2\ (Ba, Sr)2Si5N8:Eu2+ ;Eu2+摻雜的硫化物，S1Ne、SiAlON、正硅酸鹽、例如(Ba，Sr)2Si04:Eu2+ ;氯硅酸鹽、氯磷酸鹽、BAM(鋁酸鋇鎂:Eu)和/或SCAP、鹵素磷酸鹽。
[0062]但是，第一帶電粒子也可以具有其他帶電物質(zhì)或化學(xué)計(jì)量化合物或由此形成，例如反射電磁輻射的物質(zhì)和/或散射電磁輻射的物質(zhì)，例如Ti02、Al203、Zr02、Si02、Au等。
[0063]在該方法的再一個(gè)構(gòu)型中，該第二電極作為物質(zhì)或物質(zhì)混合物可以具有第一帶電物質(zhì)或第一帶電物質(zhì)混合物，其中該第一帶電物質(zhì)或該第一帶電物質(zhì)混合物借助于該第一電極和第二電極之間的電位差溶解在該懸浮液中，亦即，釋放電流。
[0064]在該方法的再一個(gè)構(gòu)型中，在第一電獨(dú)立區(qū)域或第二電獨(dú)立區(qū)域上敷設(shè)第一帶電物質(zhì)或第一帶電物質(zhì)混合物之后，可以在第一電獨(dú)立區(qū)域或第二電獨(dú)立區(qū)域上或上方敷設(shè)第二帶電物質(zhì)或第二帶電物質(zhì)混合物。
[0065]在該方法的又一個(gè)構(gòu)型中，可以在第一電獨(dú)立區(qū)域或第二電獨(dú)立區(qū)域上或上方敷設(shè)其他帶電物質(zhì)或其他帶電物質(zhì)混合物。
[0066]在該方法的再一個(gè)構(gòu)型中，該再次敷設(shè)第二或其他帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物可以包括改變來自一組參數(shù)的一個(gè)或多個(gè)參數(shù):電位差、帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物、該懸浮液的溶劑，和/或敷設(shè)的其他帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物的層厚。
[0067]另外，在該方法的又一個(gè)構(gòu)型中，該方法還可以包括移除導(dǎo)電層，例如用濕化學(xué)方法移除，例如借助于含水堿溶液，例如含水氫氧化鉀溶液。
[0068]在該方法的再一個(gè)構(gòu)型中，該組件可以形成為帶有至少一個(gè)轉(zhuǎn)換波長的光電子組件，例如，轉(zhuǎn)換波長的發(fā)光二極管。
[0069]在該方法的又一個(gè)構(gòu)型中，該組件形成為帶有多個(gè)轉(zhuǎn)換波長的光電子組件，作為多色發(fā)射或吸收的光電子組件，例如多色發(fā)光二極管或多色吸收的太陽能電池。
[0070]在該方法的再一個(gè)構(gòu)型中，在第一電獨(dú)立區(qū)域上可以敷設(shè)發(fā)光物質(zhì)，而在第二電獨(dú)立區(qū)域上可以敷設(shè)反射器。
[0071]在不同的實(shí)施方式中提供了一種制造組件的裝置，該裝置具有:襯底支持器，其中該襯底具有導(dǎo)電表面，其中該表面具有第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域；用于在第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域之間形成第一電位差的電路；用于在第一電獨(dú)立區(qū)域和/或第二電獨(dú)立區(qū)域上敷設(shè)帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物的裝置；用于借助于該第一電位差控制電獨(dú)立區(qū)域和/或敷設(shè)的帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物數(shù)量的控制電路。
[0072]在一個(gè)構(gòu)型中，該襯底支持器可以這樣地設(shè)立，使得在工藝加工期間固定平面的襯底和/或幾何呈拱形的襯底。
[0073]在再一個(gè)構(gòu)型中，該襯底支持器可以具有電端子，其中該電端子這樣地設(shè)立，使得至少一個(gè)電獨(dú)立區(qū)域在電氣上與用于形成第一電位差的電路電連接，其中至少一個(gè)電連接的電獨(dú)立區(qū)域借助于該電連接形成第一電極。
[0074]在又一個(gè)構(gòu)型中，用于形成第一電位差的電路可以具有至少一個(gè)電壓源，其中該至少一個(gè)電壓源是為了形成至少一個(gè)電位差而設(shè)立的。
[0075]在再一個(gè)構(gòu)型中，用于形成第一電位差的電路可以這樣地設(shè)立，使得該至少一個(gè)電壓源借助于電連接與至少一個(gè)電獨(dú)立區(qū)域電連接，例如，借助于夾緊端子。
[0076]在又一個(gè)構(gòu)型中，用于形成第一電位差的電路可以這樣地設(shè)立，使得該控制電路控制該至少一個(gè)電壓源和該至少一個(gè)電連接的電獨(dú)立區(qū)域之間的電流流動(dòng)。
[0077]在再一個(gè)構(gòu)型中，該控制電路可以控制兩個(gè)或更多個(gè)電獨(dú)立區(qū)域之間第一電位差隨著時(shí)間的變化。
[0078]在又一個(gè)構(gòu)型中，該控制電路可以在第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域之間建立在時(shí)間上恒定的第一電位差。
[0079]在再一個(gè)構(gòu)型中，該控制電路可以在第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域之間建立在時(shí)間上可以改變的第一電位差。
[0080]在又一個(gè)構(gòu)型中，該第一電位差可以在時(shí)間上以脈沖方式建立。
[0081 ] 在再一個(gè)構(gòu)型中，用于敷設(shè)帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物的裝置可以具有帶有懸浮液和第二電極的容器，其中該懸浮液和該第二電極設(shè)立在該容器內(nèi)部。
[0082]在又一個(gè)構(gòu)型中，該容器可以具有第二電極或作為第二電極設(shè)立。
[0083]在再一個(gè)構(gòu)型中該容器可以接地。
[0084]在又一個(gè)構(gòu)型中，用于形成該第一電位差的電路可以這樣地設(shè)立，使得在該第一電極和第二電極之間形成第二電位差。
[0085]在再一個(gè)構(gòu)型中，該第二電極可以具有第一帶電物質(zhì)或第一帶電物質(zhì)混合物的物質(zhì)或物質(zhì)混合物，或由此形成。
[0086]在又一個(gè)構(gòu)型中，第二電極可以這樣地設(shè)立，使得第一帶電物質(zhì)或第一帶電物質(zhì)混合物的物質(zhì)或物質(zhì)混合物借助于第一電極和第二電極之間的第二電位差溶解在該懸浮液中。
[0087]在再一個(gè)構(gòu)型中，該懸浮液可以具有第一帶電物質(zhì)或第一帶電物質(zhì)混合物的物質(zhì)或物質(zhì)混合物，或由此形成。
[0088]在又一個(gè)構(gòu)型中，該容器可以這樣地設(shè)立，使得該襯底的至少一個(gè)與用于形成電位差的電路連接的電獨(dú)立區(qū)域在該容器中完全被該懸浮液包圍，其中該襯底被襯底支持器固定在該懸浮液中。
[0089]在再一個(gè)構(gòu)型中，該控制電路可以這樣地設(shè)立，使得該控制電路控制該第一電極和該第二電極之間的第二電位差。
[0090]在又一個(gè)構(gòu)型中，該控制電路可以在該第一電極和該第二電極之間建立在時(shí)間上恒定的第二電位差。
[0091]在再一個(gè)構(gòu)型中，該控制電路可以在該第一電極和該第二電極之間建立在時(shí)間上可以改變的第二電位差。
[0092]在又一個(gè)構(gòu)型中，該第二電位差可以在時(shí)間上以脈沖方式建立。
[0093]在再一個(gè)構(gòu)型中，該控制電路可以這樣地設(shè)立，使得該第二電位差的時(shí)間變化與第一電位差的時(shí)間變化耦合。
[0094]在又一個(gè)構(gòu)型中，該襯底支持器可以這樣地設(shè)立，使得該襯底支持器的電端子與該襯底的電獨(dú)立區(qū)域電氣上形成電連接，例如借助于打開和閉合夾緊端子。
[0095]在再一個(gè)構(gòu)型中，該控制電路可以控制襯底支持器的電端子與至少一個(gè)電獨(dú)立區(qū)域的電連接的形成，例如電接觸的電獨(dú)立區(qū)域的數(shù)目和/或電接觸的電獨(dú)立區(qū)域的選擇。
[0096]在又一個(gè)構(gòu)型中，該裝置可以被設(shè)立來在光電子組件上或上方形成發(fā)光物質(zhì)層和/或反射層。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0097]在附圖中顯示和在下面詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施例。附圖中:
[0098]圖1是按照不同的構(gòu)型的組件制造方法的流程圖；
[0099]圖2是按照不同的構(gòu)型的組件制造方法的流程圖；
[0100]圖3是按照一種構(gòu)型的組件制造方法中的組件示意俯視圖；
[0101]圖4的按照不同構(gòu)型的組件制造方法中組件的示意俯視圖；
[0102]圖5是按照不同構(gòu)型的組件制造方法中組件的示意俯視圖；
[0103]圖6是在按照不同的構(gòu)型的組件制造方法中組件的示意俯視圖；而
[0104]圖7是按照不同構(gòu)型的組件制造裝置的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0105]在以下的詳細(xì)描述中參照構(gòu)成說明書一部分的附圖，并在其中為了闡述而顯示可以實(shí)施本發(fā)明的特定的實(shí)施方式。在這方面諸如“上方” “下方” “前” “后” “向前” “向后”等方向術(shù)語都是相對(duì)于所描述的附圖的方向使用的。因?yàn)閷?shí)施方式的組件可能在若干個(gè)不同的方向定位，所以方向術(shù)語用來進(jìn)行闡述，而絕不起限制作用。顯然，可以利用其他實(shí)施方式和在結(jié)構(gòu)上或在邏輯上進(jìn)行改變，而不脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。顯然，這里描述的不同的示例性實(shí)施方式的特征，只要沒有專門指出，都可以彼此結(jié)合。因而以下的詳細(xì)描述不應(yīng)作限制性解釋，而本發(fā)明的保護(hù)范圍在后附的權(quán)利要求書中定義。
[0106]在本說明書的范圍內(nèi)，概念“連接”以及“耦合”不僅描述直接而且間接的連接以及直接或間接耦合。在圖中，相同的或相似的要素被設(shè)置有相同的附圖標(biāo)記，只要這是合適的。
[0107]圖1示出按照不同構(gòu)型的組件制造方法的流程圖。
[0108]該方法可以在襯底上或上方敷設(shè)導(dǎo)電層。該導(dǎo)電層可以具有有機(jī)物質(zhì)、無機(jī)物質(zhì)或有機(jī)無機(jī)物質(zhì)或由此形成。在本說明書的范圍內(nèi)，在襯底上敷設(shè)導(dǎo)電層可以理解為襯底的金屬化102，在此，在導(dǎo)電層的材料選擇方面沒有加以限制，亦即，在本說明書的范圍內(nèi)襯底還可以用有機(jī)導(dǎo)電物質(zhì)“金屬化”。
[0109]由無機(jī)物質(zhì)形成的導(dǎo)電層作為物質(zhì)可以具有一種來自下列一組物質(zhì)的物質(zhì)或由此形成:鐵、鋼、招、銅、銀、金、鈕、鎂、鈦、鉬、鎳、錫、鋅、娃、鍺、α-錫、硼、硒、締;銦、鎵、砷、磷、銻、鋅、鎘、鈹，并且例如形成為鋁層或銦錫氧化物層(ΙΤ0)。
[0110]由有機(jī)物質(zhì)形成的導(dǎo)電層作為物質(zhì)可以具有一種來自下列一組物質(zhì)的物質(zhì)或由此形成:并四苯、并五苯、酞菁染料、聚噻吩、PTCDA、MePT⑶1、金雞納吖啶酮(Chinacridon)、口丫卩定酮、陰丹士林(Indanthron)、黃燒士林(Flavanthron)、Perinon、Alq30
[0111]由無機(jī)有機(jī)混合物質(zhì)形成的導(dǎo)電層作為物質(zhì)可以具有來自以下一組物質(zhì)的物質(zhì)或由此形成:聚乙烯咔唑、TCNQ絡(luò)合物。
[0112]導(dǎo)電層的物質(zhì)或物質(zhì)混合物的選擇可以根據(jù)具體的組件和導(dǎo)電層的移除與組件的兼容性進(jìn)行，例如載體、發(fā)光物質(zhì)和/或其他系統(tǒng)組件與含水堿溶液的兼容性進(jìn)行。
[0113]襯底可以理解為一個(gè)組件，該組件可以具有帶有一個(gè)或多個(gè)電子組件的載體，所述電子組件例如是二極管，或例如光電子組件，例如，發(fā)光二極管，例如，GaN- 二極管、InGaN-二極管或InGaAlP-二極管。但該襯底也可以理解為帶有沒有電子組件的載體的組件，例如外殼。
[0114]該導(dǎo)電層可以具有在從大約20nm至大約500μπι范圍內(nèi)的厚度。
[0115]該導(dǎo)電層可以敷設(shè)在襯底表面的所有區(qū)域上。
[0116]該導(dǎo)電物質(zhì)可以例如蒸鍍或淀積(例如噴濺)，或例如還可以濺射在該襯底表面上。
[0117]該襯底表面可以在金屬化102之前就已經(jīng)具有導(dǎo)電區(qū)域。于是，在襯底表面金屬化102之前，可以在襯底表面上形成電絕緣層。該電絕緣層例如可以具有Si02*Al203或由此形成。該絕緣層的物質(zhì)或物質(zhì)混合物可以蒸鍍或噴濺在該襯底表面上。
[0118]襯底金屬化102之前，該襯底的導(dǎo)電區(qū)域可以借助于電絕緣層相對(duì)于用金屬化102在襯底表面上形成的導(dǎo)電層電絕緣。
[0119]在下一步驟中，該方法可以在該襯底表面金屬化102之后具有導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)化104。
[0120]在結(jié)構(gòu)化104該導(dǎo)電層時(shí)，該導(dǎo)電層可以這樣地從襯底表面區(qū)域移除，使得在該導(dǎo)電表面，例如該導(dǎo)電層上形成電不依賴區(qū)域。導(dǎo)電層內(nèi)的電不依賴區(qū)域例如可以借助于移除兩個(gè)電不依賴區(qū)域之間的導(dǎo)電層實(shí)現(xiàn)。因此，電不依賴區(qū)域還可以理解為電獨(dú)立區(qū)域，亦即，在電不依賴區(qū)域或電獨(dú)立區(qū)域之間不形成電連接。
[0121 ] 該導(dǎo)電層的電獨(dú)立區(qū)域的形式可以匹配于在襯底表面上的該導(dǎo)電層下方的結(jié)構(gòu)。例如，該導(dǎo)電層的電獨(dú)立區(qū)域的形式可以匹配于光電子組件的形式，例如匹配于在板或?qū)w框(Leadframe，引線框)上作為導(dǎo)電層的襯底的InGaN-二極管的形式。
[0122]該導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)化104例如可以具有機(jī)械過程和/或彈道過程。
[0123]機(jī)械過程例如可以形成為用尖端裝置刮除導(dǎo)電表面，例如導(dǎo)電層，其中該尖端裝置可以由計(jì)算機(jī)控制移動(dòng)。
[0124]彈道過程例如可以包括用粒子、分子、原子、離子、電子和光子轟擊導(dǎo)電表面，例如該導(dǎo)電層，例如，該導(dǎo)電層的激光燒蝕或激光脫附。
[0125]例如，激光燒蝕可以用激光器設(shè)立，該激光器的波長在大約從200nm至大約1500nm范圍內(nèi)，例如以從大約10 μ m至大約2000 μ m范圍內(nèi)的聚焦直徑進(jìn)行聚焦，例如，功率從大約50mW至大約100mW,例如，功率密度從100kW/cm2至大約10GW/cm2，例如作為連續(xù)波激光器(Dauerstrichlaser)或例如作為脈沖式激光器,例如脈沖持續(xù)時(shí)間在從大約10fs至大約0.5ms的范圍內(nèi)，和例如具有在從大約10Hz至大約1000Hz范圍內(nèi)的重復(fù)頻率。
[0126]在該方法的再一個(gè)構(gòu)型中，在電獨(dú)立區(qū)域之間形成電絕緣區(qū)域可以包括導(dǎo)電的襯底表面，例如由有機(jī)導(dǎo)電物質(zhì)構(gòu)成的導(dǎo)電層的化學(xué)交聯(lián)或化學(xué)降解。
[0127]化學(xué)交聯(lián)或降解可以例如包括多次結(jié)合或開環(huán)反應(yīng)的拆除，和導(dǎo)致化學(xué)加成、化學(xué)消除、化學(xué)取代和/或化學(xué)換位，例如借助于紫外射線。
[0128]在該方法的再一個(gè)構(gòu)型中該電絕緣區(qū)域可以具有氣體、例如空氣,或電絕緣聚合物。
[0129]在結(jié)構(gòu)化104該導(dǎo)電層之后，該方法可以包括電獨(dú)立區(qū)域，例如該導(dǎo)電層的第一電接觸106。
[0130]借助于該導(dǎo)電層下方的完全絕緣的襯底表面和導(dǎo)電層的電獨(dú)立區(qū)域之間的至少一個(gè)電絕緣區(qū)域，可以在電獨(dú)立區(qū)域之間不形成電連接。換句話說，第一電獨(dú)立區(qū)域可以在襯底的方向上借助于襯底的電絕緣表面和側(cè)向上借助于至少一個(gè)電絕緣區(qū)域與第二電獨(dú)立區(qū)域電絕緣。因此，可以使電獨(dú)立區(qū)域之間不再可能有電流流動(dòng)。
[0131]以此可以使電獨(dú)立區(qū)域彼此獨(dú)立地被電接觸。因此,該導(dǎo)電層的第一電接觸106可以理解為至少一個(gè)電獨(dú)立區(qū)域的電接觸106。
[0132]第一電接觸106可以包括電獨(dú)立區(qū)域與一個(gè)電壓源或多個(gè)電壓源的電連接。
[0133]電接觸的電獨(dú)立區(qū)域可以相對(duì)于反電極，例如在懸浮液中具有電位差。
[0134]在此，電位差可以這樣地形成，使得帶電粒子只能聚集在電獨(dú)立區(qū)域之一上，或聚集在多個(gè)電獨(dú)立區(qū)域上，但是以不同的速度。
[0135]可以把兩個(gè)電獨(dú)立區(qū)域之間的電位差理解為第一電位差。第一電位差可以包括第一電獨(dú)立區(qū)域和/或第二電獨(dú)立區(qū)域的電接觸106。
[0136]在此，同時(shí)電接觸的電獨(dú)立區(qū)域可以彼此具有或不具有電位差。
[0137]在一個(gè)襯底的表面上可以形成兩個(gè)以上的電獨(dú)立區(qū)域。在兩個(gè)以上的電獨(dú)立區(qū)域中至少可以有兩個(gè)電獨(dú)立區(qū)域被同時(shí)電接觸。在此，同時(shí)電接觸的電獨(dú)立區(qū)域可以彼此不具有電位差。
[0138]在本說明書的范圍內(nèi)，同時(shí)被電接觸的彼此沒有電位差的電獨(dú)立區(qū)域可以理解為第一電獨(dú)立區(qū)域。據(jù)此，不被電接觸的電獨(dú)立區(qū)域可以理解為第二電獨(dú)立區(qū)域。
[0139]兩個(gè)或更多個(gè)同時(shí)被電接觸的彼此沒有電位差的電獨(dú)立區(qū)域可以例如在該襯底表面的不同區(qū)域上形成。在襯底表面不同位置上的區(qū)域上或上方，例如可以以相同的層厚形成相同的第一帶電物質(zhì)或相同的第一帶電物質(zhì)混合物。
[0140]同時(shí)被電接觸的電獨(dú)立區(qū)域彼此的電位差可以相對(duì)于反電極形成不同的電泳淀積速度。由此可以在同時(shí)被電接觸的彼此具有電位差的電獨(dú)立區(qū)域上實(shí)現(xiàn)電泳淀積層的不同厚度。
[0141]然而，電獨(dú)立區(qū)域彼此的電位差在電泳淀積方面還可以被設(shè)立用于選擇同時(shí)被電接觸的電獨(dú)立區(qū)域中的一個(gè)電獨(dú)立區(qū)域。
[0142]粒子帶正電時(shí)，第一電獨(dú)立區(qū)域例如可以具有負(fù)電荷，而第二電獨(dú)立區(qū)域可以不具有電荷。于是，帶正電的粒子可以被第一電獨(dú)立區(qū)域電吸引。
[0143]然而，代替不帶電，第二電獨(dú)立區(qū)域也可以帶正電，亦即，帶正電的粒子附加地被帶正電的第二電獨(dú)立區(qū)域靜電排斥。
[0144]該電壓源可以具有在從大約-1000V至大約+1000V范圍內(nèi)的電壓值。
[0145]電獨(dú)立區(qū)域、例如該導(dǎo)電層的第一電接觸106之后，該襯底可以被浸入第一懸浮液。該懸浮液可以具有第一溶劑，和具有第一帶電物質(zhì)或第一帶電物質(zhì)混合物或由此形成。該第一帶電物質(zhì)或該第一帶電物質(zhì)混合物例如可以形成為帶電粒子。該第一懸浮液例如可以具有第一發(fā)光物質(zhì)。附加地可以把反電極浸入第一懸浮液中。
[0146]取決于該導(dǎo)電層的電獨(dú)立區(qū)域的電位，第一懸浮液的第一帶電粒子向該導(dǎo)電層的電獨(dú)立區(qū)域之一上的第一電泳層進(jìn)行第一電泳淀積108，例如作為第一發(fā)光物質(zhì)層。
[0147]在此，第一電泳淀積108可以只在導(dǎo)電層的以下電獨(dú)立區(qū)域上形成，在該電獨(dú)立區(qū)域上這樣地建立電位，使得第一帶電粒子可以淀積在該電獨(dú)立區(qū)域上。因此，第一帶電粒子例如可能不會(huì)淀積在電獨(dú)立區(qū)域之間的電絕緣區(qū)域上。
[0148]然而，第一電泳淀積108還可以同時(shí)在兩個(gè)電獨(dú)立區(qū)域上形成。在此，在電獨(dú)立區(qū)域之間的電位差可以這樣地形成，使得在第一電泳淀積108時(shí)形成第一帶電粒子的不同電泳擴(kuò)散速度。由此可以同時(shí)在電獨(dú)立區(qū)域上形成物質(zhì)相同的電泳層，然而這些電泳層具有不同的層厚。
[0149]第一帶電粒子例如可以具有發(fā)光物質(zhì)或由此形成。在此，該發(fā)光物質(zhì)可以作為物質(zhì)或物質(zhì)混合物具有一種來自下列一組物質(zhì)的物質(zhì)或由此形成=Ce3+摻雜的石榴石，諸如YAG =Ce 和 LuAG,例如(Y，Lu)3(A1，Ga)5012:Ce3+ ；Eu2+ 摻雜的氮化物，例如 CaAlSiN3:Eu2+,(Ba，S12Si5N8 =Eu2+ ;Eu2+摻雜的硫化物、S10Ne、SiA10N、正硅酸鹽，例如(Ba7Sr)2S14 =Eu2+ ；氯硅酸鹽、氯硫酸鹽、BAM(鋁酸鋇鎂:Eu)和/或SCAP、鹵素磷酸鹽。
[0150]然而，第一帶電粒子還可以具有其他帶電物質(zhì)或由此形成，例如反射物質(zhì)和/或散射物質(zhì)，例如 T12, Al2O3, ZrO2, S12, Au 等等。
[0151]第一懸浮液的第一溶劑作為物質(zhì)或物質(zhì)混合物可以具有來自以下一組物質(zhì)的物質(zhì)或由此形成:水、乙醇、酮、醛；芳(香)族和/或脂(肪)族碳?xì)浠铩奉?；二甲基亞砜?br> [0152]在將第一發(fā)光物質(zhì)層第一電泳淀積108在襯底表面上的導(dǎo)電層上之后,該方法可以包括移除110該導(dǎo)電層，只要該襯底預(yù)先被金屬化(102)。移除110該導(dǎo)電層例如可以用濕化學(xué)方法，例如用堿性含水溶液(例如氫氧化鉀溶液)從襯底表面移除導(dǎo)電層。在此，該金屬可以轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘冫}，而該發(fā)光物質(zhì)層則留在襯底表面上。對(duì)此重要的是該導(dǎo)電層物質(zhì)的可溶性可以不同于該電泳層物質(zhì)的可溶性。
[0153]圖2示出按照不同的構(gòu)型的組件制造方法的流程圖。
[0154]與按照?qǐng)D1描述的方法構(gòu)型不同，該方法在其他構(gòu)型中可以包括帶電物質(zhì)或物質(zhì)混合物在襯底表面上的至少另一次電泳淀積204。在此，該另一次電泳淀積204可以在移除金屬化110之前形成，其中襯底表面例如可以只具有該導(dǎo)電層的104。
[0155]第一電泳淀積106之后，可以改變導(dǎo)電層的電獨(dú)立區(qū)域的電位差，其方式例如是在第一電接觸106時(shí)不與電壓源連接的電獨(dú)立區(qū)域在對(duì)電獨(dú)立區(qū)域進(jìn)行第二電接觸202時(shí)與電壓源電連接。
[0156]然后在第二懸浮液中的第二電泳淀積204中，可以在導(dǎo)電的襯底表面的電獨(dú)立區(qū)域上形成第二電泳層。由此除了圖1構(gòu)型的電獨(dú)立區(qū)域以外，還可以對(duì)該襯底表面的另外的電獨(dú)立區(qū)域涂層。在此，第二懸浮液可以具有第二類型的帶電粒子和第二溶劑。
[0157]在此，該第二溶劑可以設(shè)立為在物質(zhì)上類似于或等同于第一溶劑。
[0158]例如，當(dāng)在襯底上應(yīng)該形成帶有不同層厚的區(qū)域的第一電泳層時(shí)，第二帶電粒子可以形成為與第一帶電粒子相同。
[0159]然而，第二帶電粒子還可以例如具有不同于第一帶電粒子的發(fā)光物質(zhì)。在此，第二帶電發(fā)光物質(zhì)粒子作為物質(zhì)或物質(zhì)混合物可以具有來自以下一組物質(zhì)的物質(zhì)或由此形成:Ce3+摻雜的石榴石，諸如YAG:Ce和LuAG，例如(Y，Lu)3(Al，Ga)5012:Ce3+ ;Eu2+摻雜的氮化物，例如 CaAlSiN3:Eu2\ (Ba, Sr)2Si5N8:Eu2+ ;Eu2+摻雜的硫化物、S1Ne、SiAlON、正硅酸鹽，例如(Ba，Sr)2Si04:Eu2+ ;氯硅酸鹽、氯磷酸鹽、BAM(鋁酸鋇鎂:Eu)和/或SCAP、鹵素磷酸鹽。
[0160]然而，第二帶電粒子還可以具有其他帶電物質(zhì)或由此形成，例如反射和/或散射物質(zhì)，例如 Ti02、Al203、Zr02、Si02、Au 等。
[0161]第二電泳淀積204或另外的電泳淀積204之后，可以形成導(dǎo)電層110的移除。
[0162]采用兩次或更多次電泳淀積過程，在襯底上借助于導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)化104和移除110可以形成不同結(jié)構(gòu)。例如，在該方法之后該表面可以具有兩個(gè)或更多個(gè)不同類型的發(fā)光物質(zhì)層區(qū)域。附加地或作為代替，在發(fā)光物質(zhì)層區(qū)域之間的表面可以具有反射層。于是，從反射層例如可以反射從發(fā)光物質(zhì)層朝襯底方向發(fā)射的電磁輻射。
[0163]在此，一種類型的發(fā)光物質(zhì)層區(qū)域可以理解為在襯底表面上側(cè)向隔開的區(qū)域，其中該區(qū)域具有帶有一種類型發(fā)光物質(zhì)的層。
[0164]可以在襯底上的兩個(gè)或更多個(gè)不同類型的發(fā)光物質(zhì)層區(qū)域可以被設(shè)立用于形成多LED，例如，由磷轉(zhuǎn)換芯片(例如Mint-Farbend)和非磷轉(zhuǎn)換芯片(例如優(yōu)選紅色)組成的混合物中的多芯片LED。
[0165]圖3示出在按照一種構(gòu)型的組件制造方法中組件的示意俯視圖。
[0166]示意地顯示在組件制造方法中按照?qǐng)D1描述的構(gòu)型之一的組件構(gòu)型300。
[0167]在不限制一般性的情況下，圖3顯示組件的一個(gè)構(gòu)型，其中該組件具有載體302，和在載體302上形成多個(gè)光電子組件306。在此，光電子組件306可以借助于電連接304部分地彼此電連接。
[0168]襯底300表面的一部分可以是導(dǎo)電的，例如電連接。
[0169]例如，光電子組件306可以設(shè)立為InGaN- 二極管。
[0170]因而，在對(duì)襯底金屬化102之前，在襯底表面上應(yīng)該敷設(shè)電絕緣層(未示出)，例如厚度大約20nm的Si02層。
[0171]接著，可以借助于金屬化102在襯底表面上敷設(shè)導(dǎo)電層308,例如，厚度大約lOOnm的銦錫氧化物層308或ΙΤ0-層308。
[0172]借助于結(jié)構(gòu)化104可以移除金屬層308的一部分318，從而釋放該電絕緣層。
[0173]借助于結(jié)構(gòu)化104，可以在該導(dǎo)電層308內(nèi)形成電獨(dú)立區(qū)域308，310，312，314，316。例如，可以在光電子組件306以及電連接304上或上方形成電獨(dú)立區(qū)域310，312，314，316。
[0174]例如，電獨(dú)立區(qū)域310，312，314，316的電接觸106可以使在電獨(dú)立區(qū)域310，312，314, 316和導(dǎo)電層308之間形成第一電位差成為可能。
[0175]第一電位差320可以借助于電壓源322產(chǎn)生，該電壓源借助于電端子324與電獨(dú)立區(qū)域310，312，314，316電連接。
[0176]例如，電壓源322可以具有大約400V的靜態(tài)電壓值。
[0177]電接觸106之后，襯底300可以浸入具有反電極的發(fā)光物質(zhì)懸浮液中。在此，可以使發(fā)光物質(zhì)326電泳淀積108在結(jié)構(gòu)化的電獨(dú)立區(qū)域310，312，314，316上。
[0178]例如，該發(fā)光物質(zhì)懸浮液可以是帶有YAG的含水溶液，發(fā)光物質(zhì)在懸浮液上的質(zhì)量比約為10%。
[0179]按照?qǐng)D2描述的構(gòu)型，淀積的發(fā)光物質(zhì)326也可以稱為第一電泳層326。
[0180]發(fā)光物質(zhì)326電泳淀積108之后，導(dǎo)電層308可以用濕化學(xué)方法，例如借助于含水氫氧化鉀溶液移除(110)。在此，含水氫氧化鉀溶液中氫氧化鉀相對(duì)于含水氫氧化鉀溶液總重量的質(zhì)量比可以是大約5%。
[0181]從襯底300移除110導(dǎo)電層308之后，在光電子組件306上或上方可以形成發(fā)光物質(zhì)層區(qū)域326。例如，發(fā)光物質(zhì)層區(qū)域326可以具有大約25 μ m至大約50 μ m的厚度。
[0182]載體302在從襯底300移除110導(dǎo)電層308之后借助于該方法可以沒有導(dǎo)電層302和發(fā)光物質(zhì)326。
[0183]圖4示出按照不同的構(gòu)型的組件制造方法中組件的示意俯視圖。
[0184]圖4中按照?qǐng)D2描述的方法的構(gòu)型，顯示圖3描述的組件制造方法構(gòu)型的不同構(gòu)型。
[0185]在圖3組件的另一個(gè)構(gòu)型400中，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電層302的電接觸106，以代替電獨(dú)立區(qū)域310，312，314，316的電接觸106。由此，電獨(dú)立區(qū)域310，312，314，316之間的區(qū)域，亦即在這個(gè)構(gòu)型中的導(dǎo)電層302可以被電泳地涂層。光電子組件306和電連接在該方法的這個(gè)構(gòu)型中例如可以不被涂層地形成。由此在移除導(dǎo)電層110之后，在在光電子組件306和電連接304之間的區(qū)域內(nèi)可以在載體102上或上方形成第二電泳層402。例如，第二電泳層402可以形成為Ti02反射層402。
[0186]為此，襯底300可以在第二懸浮液中被電泳涂層，其中第二懸浮液被設(shè)立為帶有Ti02粒子的水溶液。Ti02粒子在懸浮液中的質(zhì)量比可以約為0.1%至大約1%。
[0187]圖5示出按照不同構(gòu)型的組件制造方法中組件的示意俯視圖。
[0188]在另一個(gè)構(gòu)型中，在襯底300上可以按照?qǐng)D3構(gòu)型的描述，在電泳淀積108之后和在移除導(dǎo)電層110之前形成第二電位差。例如，電連接324可以從結(jié)構(gòu)化的電獨(dú)立區(qū)域310，312，314，316解除并施加在導(dǎo)電層308上。于是，在該導(dǎo)電層上可以在第二懸浮液中例如按照構(gòu)型400形成Ti02反射層402。
[0189]移除導(dǎo)電層110之后，該構(gòu)型500可以在光電子組件306和電連接304上或上方具有發(fā)光物質(zhì)326，而在發(fā)光物質(zhì)層區(qū)域326之間形成Ti02反射層402。
[0190]圖6示出按照不同構(gòu)型的組件制造方法中組件的示意俯視圖。
[0191]在另一個(gè)構(gòu)型中，在襯底300上可以按照?qǐng)D3構(gòu)型的描述，在形成結(jié)構(gòu)化的電不依賴區(qū)域310，312，314，316之后和在移除導(dǎo)電層110之前的電泳淀積108之前只在幾個(gè)電獨(dú)立區(qū)域310，312，314，316上形成第一電位差。于是，在這些區(qū)域上，例如，在區(qū)域312和316上，可以按照?qǐng)D1和圖3的描述形成第一電泳層326。換句話說，在該方法中電獨(dú)立區(qū)域310，312可以理解為第一電獨(dú)立區(qū)域，而電獨(dú)立區(qū)域308，314，316可以理解為第二電獨(dú)立區(qū)域。
[0192]于是，移除110導(dǎo)電層308之前，可以在電獨(dú)立區(qū)域310，314上形成第二電位差，并使之與第二懸浮液實(shí)體接觸。然后，按照?qǐng)D2的描述，在電獨(dú)立區(qū)域310，314上或上方可以電泳敷設(shè)第二電泳層602。在此，按照?qǐng)D2描述的構(gòu)型，該第二電泳層可以具有第二發(fā)光物質(zhì)或由此形成。
[0193]在一個(gè)構(gòu)型中，在形成第二發(fā)光物質(zhì)層區(qū)域602之后可以移除導(dǎo)電層308。由此可以在一個(gè)襯底上形成不同厚度的發(fā)光材料層和/或不同的發(fā)光物質(zhì)。
[0194]在另一個(gè)構(gòu)型中，在另一次電泳淀積(未示出)時(shí)，例如可以在導(dǎo)電層308上或上方，在第一發(fā)光物質(zhì)層區(qū)域和第二發(fā)光物質(zhì)層區(qū)域之間按照?qǐng)D5構(gòu)型形成T12反射層402。
[0195]圖7示出按照不同構(gòu)型的組件制造裝置的示意圖。
[0196]顯示一個(gè)帶有導(dǎo)電層的電獨(dú)立區(qū)域720，722的襯底。
[0197]電獨(dú)立區(qū)域720，722可以借助于在導(dǎo)電層下方的絕緣區(qū)域728和電絕緣襯底彼此電絕緣。
[0198]該襯底可以例如按照?qǐng)D1-圖6描述的構(gòu)型之一形成。
[0199]該襯底固定在襯底支持器714上，并浸入帶有第一懸浮液或第一分散液的容器718。
[0200]在此，第一懸浮液或第一分散液可以按照?qǐng)D1-圖6描述的構(gòu)型之一設(shè)立。
[0201]襯底支持器714僅是高度簡化的并示意地顯示，因?yàn)椴煌尚偷囊r底可能需要不同的襯底支持器。
[0202]該懸浮液可以具有第一溶劑726和第一帶電物質(zhì)716或第一帶電物質(zhì)混合物716，其中第一帶電物質(zhì)716或第一帶電物質(zhì)混合物716可以形成為帶電粒子716。
[0203]該襯底這樣地浸入第一懸浮液或第一分散液，使得電獨(dú)立區(qū)域720，722部分地或完全被該懸浮液或分散液包圍。
[0204]電獨(dú)立區(qū)域720，722可以與電端子724電接觸和實(shí)體接觸。在此，電端子724可以是襯底支持器714的一部分,并被設(shè)立為與襯底支持器714電絕緣。
[0205]電獨(dú)立區(qū)域720，722可以借助于襯底支持器714的電端子724和電連接710，712與控制電路704電連接。
[0206]控制電路704可以借助于電連接706與電路702電連接，或形成為電路702的一部分。
[0207]此外，控制電路704還可以借助電連接708與第二電極、例如容器718電連接。
[0208]電路702可以具有至少一個(gè)電壓源，例如交流電源或直流電源，例如用電位器調(diào)節(jié)，例如，最大電壓230V。
[0209]電路702可以提供該裝置的第一電位差和/或第二電位差。第一電位差和/或第二電位差的時(shí)間變化可以借助于控制電路704加以調(diào)節(jié)，例如，時(shí)間上調(diào)制。
[0210]在此，第一電位差可以在第一電獨(dú)立區(qū)域720和第二電獨(dú)立區(qū)域722之間形成。
[0211]第二電位差可以在第一電獨(dú)立區(qū)域720和容器718之間形成，和/或在第二電獨(dú)立區(qū)域722和容器718之間形成。
[0212]第一電位差和/或第二電位差的形成還可以理解為電獨(dú)立區(qū)域720，722與電路702的電連接。
[0213]該電連接可以手動(dòng)或用機(jī)器，亦即，用電氣的方法借助于打開或閉合端子724建立。
[0214]在此，端子724可以例如形成為夾緊端子或銷釘(未示出)。夾緊端子可以打開和閉合，其中在例如“閉合”狀態(tài)下與電獨(dú)立區(qū)域形成實(shí)體接觸和電接觸。
[0215]例如，銷釘可以插入或拔起，其中，例如借助于銷釘插入可以與電獨(dú)立區(qū)域建立實(shí)體接觸和電接觸。
[0216]端子724的打開和/或閉合例如可以以電氣方式形成，例如借助于電動(dòng)機(jī)。
[0217]此外，端子724的插入或閉合還可以例如用控制電路704控制。
[0218]電獨(dú)立區(qū)域720，722與電端子724的電連接和實(shí)體連接可以與第一電獨(dú)立區(qū)域720和/或第二電獨(dú)立區(qū)域722形成。
[0219]在一個(gè)構(gòu)型中，該控制電路704可以借助于整流器(未示出)把電路702的交流轉(zhuǎn)換為直流。于是直流電路可以例如借助于控制電路704中電獨(dú)立區(qū)域720，722和容器718之間的開關(guān)和/或電位器(未示出)而閉合。
[0220]例如，控制電路704可以形成時(shí)間上恒定的第二電位，例如在大約-50V至大約+50V的范圍內(nèi)。
[0221]例如，容器718可以接地。
[0222]粒子716帶正電時(shí)，例如溶解在水726中的磷粒子716，例如在容器718和第一導(dǎo)電區(qū)域720上方可以形成數(shù)值約為-20V的負(fù)電壓。借助于第二電位，帶正電的磷粒子716可以向第一電獨(dú)立區(qū)域720擴(kuò)散，和淀積在第一電獨(dú)立區(qū)域720的表面上。
[0223]然而，第一電位和第二電位的調(diào)整還可以用計(jì)算機(jī)控制，亦即通過用戶圖形界面進(jìn)行。
[0224]在不同的實(shí)施方式中，提供了組件制造方法和組件制造裝置，籍此可以將一種物質(zhì)或物質(zhì)混合物的電泳淀積限制在組件表面的定義的區(qū)域上。組件表面的定義的區(qū)域的形成與光刻過程相比可以用激光和刮除過程(Ritzprozessen)較快和成本低廉地實(shí)現(xiàn)。借助于激光對(duì)導(dǎo)電表面的結(jié)構(gòu)化可以迅速地和簡單地匹配于組件的不同形狀。此外，激光和刮除過程不需要在組件、例如光電子組件(前端)分割成單片之前進(jìn)行。電泳淀積借助于定義的區(qū)域自動(dòng)調(diào)整。由此對(duì)于例如發(fā)光物質(zhì)的淀積可以降低對(duì)組件的要求，亦即，該組件例如在與硅酮接觸之后仍舊可以被加工。此外，采用該方法可以簡單地形成多色光電子組件或在光電子組件之間帶有反射材料的光電子組件。
【權(quán)利要求】
1.用于制造組件的方法，該方法具有: 籲提供帶有導(dǎo)電表面的襯底；其中該表面具有第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域； ?在第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域之間形成電位差；和 ?在第一電獨(dú)立區(qū)域和/或第二電獨(dú)立區(qū)域上敷設(shè)帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物； 籲其中借助于電位差調(diào)節(jié)電獨(dú)立區(qū)域和/或所敷設(shè)的帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物的數(shù)量。
2.按照權(quán)利要求1的方法， 其中提供帶有導(dǎo)電表面的襯底包括在該襯底的電絕緣表面上或上方形成導(dǎo)電層。
3.按照權(quán)利要求2的方法， 其中該襯底的電絕緣表面借助于在襯底的部分或完全電絕緣表面上或上方形成電絕緣層而形成。
4.按照權(quán)利要求1至3之一的方法，其中提供襯底包括電獨(dú)立區(qū)域的形成，其中電獨(dú)立區(qū)域的形成包括在襯底導(dǎo)電的表面中在電獨(dú)立區(qū)域之間形成電絕緣區(qū)域。
5.按照權(quán)利要求4的方法， 其中電獨(dú)立區(qū)域之間的電絕緣區(qū)域的形成包括襯底導(dǎo)電表面的物質(zhì)或物質(zhì)混合物的移除、化學(xué)交聯(lián)或化學(xué)降解。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5之一的方法， 其中在第一電獨(dú)立區(qū)域和第二電獨(dú)立區(qū)域之間形成電位差包括至少一個(gè)電獨(dú)立區(qū)域與電壓源的連接，并形成第一電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一的方法， 其中為了在第一電獨(dú)立區(qū)域或第二電獨(dú)立區(qū)域上敷設(shè)第一帶電物質(zhì)或第一帶電物質(zhì)混合物，形成第一電獨(dú)立區(qū)域和/或第二電獨(dú)立區(qū)域與懸浮液的實(shí)體接觸，其中該懸浮液在第一溶劑中具有第一帶電物質(zhì)或第一帶電物質(zhì)混合物，和其中在該懸浮液中設(shè)立第二電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7之一的方法，另外還包括在第一電獨(dú)立區(qū)域或第二電獨(dú)立區(qū)域上或上方敷設(shè)其他帶電物質(zhì)或其他帶電物質(zhì)混合物。
9.按照權(quán)利要求8的方法， 其中所述其他帶電物質(zhì)或其他帶電物質(zhì)混合物的其他敷設(shè)包括改變來自以下一組參數(shù)的一個(gè)或多個(gè)參數(shù): ?電位差； ?帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物； ?懸浮液的溶劑；和/或 ?所敷設(shè)的其他帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物的層厚。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9之一的方法， 其中所述組件被形成為帶有至少一個(gè)轉(zhuǎn)換波長的光電子組件，尤其轉(zhuǎn)換波長的發(fā)光二極管。
11.按照權(quán)利要求10的方法， 其中帶有多個(gè)轉(zhuǎn)換波長的光電子組件的組件形成為多色發(fā)射或吸收的光電子組件，尤其是多色發(fā)光二極管。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11之一的方法， 其中在第一電獨(dú)立區(qū)域上敷設(shè)發(fā)光物質(zhì)，而在第二電獨(dú)立區(qū)域上敷設(shè)反射器。
13.用于制造組件的裝置，該裝置具有: ?襯底支持器(714),其中該襯底具有導(dǎo)電表面,其中該表面具有第一電獨(dú)立區(qū)域(720)和第二電獨(dú)立區(qū)域(722)； ?用于在第一電獨(dú)立區(qū)域(720)和第二電獨(dú)立區(qū)域(722)之間形成第一電位差的電路(702)； ?用于在第一電獨(dú)立區(qū)域(720)或第二電獨(dú)立區(qū)域(722)上敷設(shè)帶電物質(zhì)或帶電物質(zhì)混合物的裝置； 籲用于借助于第一電位差控制電獨(dú)立區(qū)域(720，722)和/或所敷設(shè)的帶電物質(zhì)(716)或帶電物質(zhì)混合物(716)數(shù)量的控制電路(704)。
14.按照權(quán)利要求13的裝置， 其中該控制電路控制與至少一個(gè)電獨(dú)立區(qū)域(720，722)的電連接的形成，尤其被電接觸的電獨(dú)立區(qū)域(720，722)的數(shù)目和/或被電接觸的電獨(dú)立區(qū)域(720，724)的選擇。
【文檔編號(hào)】H01L33/50GK104395507SQ201380028747
【公開日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2013年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月29日
【發(fā)明者】M·薩巴蒂爾, I·施托爾 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司