發(fā)光二極管封裝的制作方法
【專利摘要】一個實(shí)施例包括第一和第二發(fā)光芯片，該第一和第二發(fā)光芯片每個均包括：封裝本體，該封裝本體具有腔體；第一至第四引線框架，該第一至第四引線框架被布置在封裝本體內(nèi)；第一半導(dǎo)體層；有源層；以及第二半導(dǎo)體層，并且該第一和第二發(fā)光芯片發(fā)射彼此不同的波長的光，其中第一至第四引線框架中的每一個均包括：上表面部分，該上表面部分被暴露于腔體；和側(cè)表面部分，該側(cè)表面部分從上表面部分的一個側(cè)部分彎曲并且通過封裝本體的一個表面被暴露。另外，第一發(fā)光芯片被布置在第一引線框架的上表面部分上，并且第二發(fā)光芯片被布置在第三引線框架的上表面部分上。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]實(shí)施例涉及一種用于產(chǎn)生光的發(fā)光二極管封裝、光源模塊以及發(fā)光燈。

【背景技術(shù)】
[0002]燈指的是為了特定用途而供應(yīng)或者調(diào)節(jié)光的裝置。作為燈的光源，可以使用白熾燈泡、熒光燈以及霓虹燈，并且近來已經(jīng)使用發(fā)光二極管(LED)。
[0003]LED是使用化合物半導(dǎo)體特性將電信號變成紅外光或者其它光的元件。LED沒有使用任何有害的材料，諸如汞等等，這不同于熒光燈，從而具有較少的環(huán)境污染誘因。另外，LED具有比白熾燈、熒光燈和霓虹燈長的壽命。另外，與白熾燈泡、熒光燈以及霓虹燈相比較，LED具有較低的功耗和較高的色溫，從而具有優(yōu)異的可視性并且減少炫光。
[0004]根據(jù)其使用用途，在背光、顯示設(shè)備、照明器、汽車指示燈、頭燈等等中，可以利用使用LED的燈。
[0005]這樣的燈可以包括被安裝在板上的LED封裝。每個LED封裝均可以包括封裝本體和被布置在封裝本體上的發(fā)光芯片。發(fā)光芯片在燈發(fā)光時溫度增加。此溫度增加可能變化發(fā)光芯片的特性(例如，發(fā)光強(qiáng)度和波長變化)并且，因此，有必要提供用于限制發(fā)光芯片的溫度的增加的裝置。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]技術(shù)問題
[0007]實(shí)施例提供一種能夠產(chǎn)生兩種或者更多種顏色的光的發(fā)光二極管封裝。
[0008]技術(shù)解決方案
[0009]在一個實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝包括:封裝本體，該封裝本體具有腔體；第一至第四引線框架，該第一至第四引線框架被布置在封裝本體內(nèi)；第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片，該第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片每個均包括第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層，該第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片發(fā)射不同波長范圍的光，其中第一至第四引線框架中的每一個均包括被暴露于腔體的上表面部分和從上表面部分的一側(cè)彎曲的側(cè)表面部分，該側(cè)表面部分從封裝本體的一個表面被暴露，其中第一發(fā)光芯片被放置在第一引線框架的上表面部分上，并且其中第二發(fā)光芯片被放置在第三引線框架的上表面部分上。
[0010]第一引線框架可以位于第二引線框架和第四引線框架之間，并且第三引線框架可以位于第一引線框架和第四弓I線框架之間。
[0011]第一發(fā)光芯片可以被構(gòu)造成發(fā)射具有600nm?690nm的波長范圍的紅色光,并且第二發(fā)光芯片可以被構(gòu)造成發(fā)射具有550nm?600nm的波長范圍的琥拍色的光。
[0012]第一至第四引線框架中的至少一個可以具有在上表面部分和側(cè)表面部分之間的邊界處的通孔。
[0013]封裝本體的一部分可以位于第一引線框架和第二引線框架之間、在第一引線框架和第三引線框架之間以及在第三引線框架和第四引線框架之間。
[0014]第一引線框架的上表面部分和第三引線框架的上表面部分可以被彼此連接。第一引線框架的側(cè)表面部分和第三引線框架的側(cè)表面部分可以被彼此連接。
[0015]第二引線框架的上表面部分可以被構(gòu)造成包圍第一引線框架的上表面部分的兩個相鄰的側(cè)表面，并且第四引線框架的上表面部分可以被構(gòu)造成包圍第二引線框架的上表面部分的兩個相鄰的側(cè)表面。
[0016]第一引線框架和第三引線框架中的每一個的側(cè)表面部分均可以包括上端部分和下端部分，并且下端部分可以在橫向方向上從上端部分突出。
[0017]發(fā)光二極管封裝可以進(jìn)一步包括:第一電線，該第一電線被構(gòu)造成將第一發(fā)光芯片和第二引線框架的上表面部分彼此電連接；和第二電線，該第二電線被構(gòu)造成將第二發(fā)光芯片和第四引線框架的上表面部分彼此電連接。
[0018]發(fā)光二極管封裝可以進(jìn)一步包括:第一齊納二極管，該第一齊納二極管被放置在第二引線框架的上表面部分上；第二齊納二極管，該第二齊納二極管被放置在第四引線框架的上表面部分上；第三電線，該第三電線被構(gòu)造成將第一齊納二極管和第一引線框架的上表面部分彼此電連接；以及第四電線，該第四電線被構(gòu)造成將第二齊納二極管和第三引線框架的上表面部分彼此電連接。
[0019]第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片中的每一個均可以包括:第一電極層，該第一電極層被布置在第一半導(dǎo)體層上；反射層，該反射層被布置在第二半導(dǎo)體層下；以及第二電極層，該第二電極層被布置在反射層下。
[0020]第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層可以包括AlGalnP、AIN、AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs以及AlInP中的任意一個,并且第二發(fā)光芯片中的Al的含量可以大于第一發(fā)光芯片中的Al的含量。第一發(fā)光芯片中的Al的含量是0.65?0.75，并且第二發(fā)光芯片中的Al的含量是0.85?0.95。
[0021]有利效果
[0022]實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)兩種或者更多種顏色的光的發(fā)射以及減少要被安裝的發(fā)光芯片的數(shù)目和占用面積。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光燈的視圖。
[0024]圖2至圖20是示出在圖1中示出的光源模塊的第一至第十九實(shí)施例的視圖。
[0025]圖21是示出在圖4中示出的反射圖案的一個實(shí)施例的視圖。
[0026]圖22是示出在圖1中示出的光源模塊的第二十實(shí)施例的視圖。
[0027]圖23是示出在圖1中示出的光源模塊的第二i^一實(shí)施例的平面圖。
[0028]圖24是沿著圖23中示出的光源模塊的線AA’截取的截面圖。
[0029]圖25是沿著圖23中示出的光源模塊的線BB’截取的截面圖。
[0030]圖26是沿著圖23中示出的光源模塊的線CC’截取的截面圖。
[0031]圖27是示出根據(jù)實(shí)施例的汽車前照燈的視圖。
[0032]圖28是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝的透視圖。
[0033]圖29是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝的頂視圖。
[0034]圖30是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝的前視圖。
[0035]圖31是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝的側(cè)視圖。
[0036]圖32是示出在圖28中示出的第一引線框架和第二引線框架的透視圖。
[0037]圖33是示出在圖32中示出的第一引線框架和第二引線框架的各個部分的尺寸的視圖。
[0038]圖34是示出在圖33中示出的連接部分的擴(kuò)大視圖。
[0039]圖35至圖40是示出根據(jù)不同實(shí)施例的第一引線框架和第二引線框架的視圖。
[0040]圖41是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝的透視圖。
[0041]圖42是示出在圖41中示出的發(fā)光二極管封裝的頂視圖。
[0042]圖43是示出在圖41中示出的發(fā)光二極管封裝的前視圖。
[0043]圖44是沿著圖41中示出的發(fā)光二極管封裝的線CD截取的截面圖。
[0044]圖45是示出在圖41中示出的第一引線框架和第二引線框架的視圖。
[0045]圖46是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝的測量溫度的視圖。
[0046]圖47是示出在圖28中示出的發(fā)光芯片的一個實(shí)施例的視圖。
[0047]圖48是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光燈的視圖。
[0048]圖49是示出以點(diǎn)光源的形式的通用汽車前照燈的視圖。
[0049]圖50是示出根據(jù)實(shí)施例的汽車尾燈的視圖。
[0050]圖51是示出通用汽車尾燈的視圖。
[0051]圖52a和圖52b是示出根據(jù)實(shí)施例的在汽車尾燈中使用的光源模塊的發(fā)光二極管封裝之間的距離的視圖。
[0052]圖53是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝的透視圖。
[0053]圖54是在圖53中示出的發(fā)光二極管封裝的頂視圖。
[0054]圖55是示出在圖53中示出的發(fā)光二極管封裝的前視圖。
[0055]圖56是示出沿著在圖53中示出的發(fā)光二極管封裝的線1_11截取的橫截面的透視圖。
[0056]圖57是示出沿著在圖53中示出的發(fā)光二極管封裝的線II1-1V截取的橫截面的透視圖。
[0057]圖58是示出在圖53中示出的第一至第四引線框架的透視圖。
[0058]圖59是示出在圖58中示出的第一至第四引線框架的各個部分的尺寸的放大視圖。
[0059]圖60至圖63是示出在圖58中示出的第一至第四引線框架的可替代實(shí)施例的視圖。
[0060]圖64是示出在圖53中示出的發(fā)光二極管封裝的可替代實(shí)施例的視圖。
[0061]圖65是示出包括具有在圖53或者圖64中示出的發(fā)光二極管封裝的光源模塊的汽車尾燈的視圖。
[0062]圖66是示出被包括在圖65中的光源模塊的視圖。
[0063]圖67是示出被安裝在圖65中示出的汽車尾燈中的發(fā)光二極管封裝的第一發(fā)光芯片在操作時的發(fā)光類型的視圖。
[0064]圖68是示出被安裝在圖65中示出的汽車尾燈中的發(fā)光二極管封裝的第二發(fā)光芯片在操作時的發(fā)光類型的視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0065]在下文中，將會參考附圖經(jīng)由其描述清楚地揭露實(shí)施例。在實(shí)施例的以下描述中，將會理解的是，當(dāng)諸如層(膜)、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)的元件被稱為是在另一元件“上”或者“下”時，其能夠“直接地”在另一元件上或者下或者可以被“間接地”形成使得也可以存在中間元件。另外，也將會理解的是，在上或者下的準(zhǔn)則是以附圖為基礎(chǔ)。
[0066]在附圖中，為了清楚和便于描述，層的尺寸被擴(kuò)大、省略或者示意性地圖示。另外，組成元件的尺寸沒有完全地反映實(shí)際尺寸。如有可能，貫穿附圖相同的附圖標(biāo)記將會被使用以指示相同或者相似的部分。在下文中，將會參考附圖描述根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光燈和發(fā)光二極管封裝。
[0067]圖1示出根據(jù)一個實(shí)施例的發(fā)光燈I。
[0068]參考圖1,發(fā)光燈I包括以平面光源的形式的光源模塊100和外殼150,光源模塊100被容納在該外殼150中。
[0069]光源模塊100可以包括產(chǎn)生光的至少一個發(fā)光二極管20。光源模塊可以以點(diǎn)光源的形式經(jīng)由從發(fā)光二極管產(chǎn)生的光的擴(kuò)散和分布構(gòu)造平面光源，并且由于其柔性可以是可彎曲的。
[0070]外殼150可以是由如下材料形成(例如，由丙烯形成)，該材料能夠保護(hù)光源模塊100免受沖擊并且透射從光源模塊100發(fā)射的光。另外，在設(shè)計(jì)方面，外殼150可以包括彎曲的部分。由于其柔性，光源模塊100可以被容易地容納在彎曲的外殼150中。
[0071]圖2示出在圖1中示出的光源模塊的第一實(shí)施例100-1。
[0072]圖2是沿著在圖1中示出的線AB截取的截面圖。參考圖2，光源模塊100_1包括柔性板10、發(fā)光二極管20以及導(dǎo)光層40。
[0073]柔性板10可以是具有柔性和電絕緣的印刷電路板。例如，柔性板10可以包括基礎(chǔ)構(gòu)件5和被布置在基礎(chǔ)構(gòu)件5的至少一個表面上的電路圖案6或者7?；A(chǔ)構(gòu)件5可以由柔性和絕緣膜，例如，聚酰亞胺或者環(huán)氧樹脂(諸如FR-4)膜形成。
[0074]柔性板10可以包括絕緣膜5 (諸如聚酰亞胺或者FR-4膜)、第一銅箔圖案6、第二銅箔圖案7以及貫通接觸部(via-contact)8。第一銅箔圖案6可以被形成在絕緣膜5的一個表面(例如，上表面)上，并且第二銅箔圖案7可以被形成在絕緣膜5的另一表面(例如，下表面)上。貫通接觸部8可以穿透絕緣膜5以將第一銅箔圖案6和第二銅箔圖案7彼此連接。
[0075]一個或者更多個發(fā)光二極管20被布置在柔性板10上以發(fā)射光。例如，發(fā)光二極管20可以構(gòu)造成側(cè)視型發(fā)光二極管封裝，其中在導(dǎo)光層40的橫向方向3上直射從發(fā)光二極管發(fā)射的光。在這樣的情況下，盡管被安裝在發(fā)光二極管封裝上的發(fā)光芯片可以是豎直發(fā)光芯片，例如，在圖7中示出的紅色發(fā)光芯片，但是實(shí)施例不限于此。
[0076]導(dǎo)光層40可以被布置在柔性板10和發(fā)光二極管20上使得發(fā)光二極管20被嵌入在導(dǎo)光層40中。朝向?qū)Ч鈱?0的一個表面(例如,上表面)，導(dǎo)光層40可以擴(kuò)散和引導(dǎo)在導(dǎo)光層40的橫向方向3上從發(fā)光二極管20發(fā)射的光。
[0077]導(dǎo)光層40可以由是能夠擴(kuò)散光的材料的樹脂形成。例如，導(dǎo)光層40可以是由包含低聚物的高耐熱紫外固化樹脂形成。在這樣的情況下，低聚物的含量可以是40至50重量份。此外，紫外固化樹脂可以是聚氨酯丙烯酸酯但不限于此，并且可以是環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚丁二烯丙烯酸酯以及含硅丙烯酸酯中的至少一個。
[0078]特別地，當(dāng)聚氨酯丙烯酸酯被用作低聚物時，兩種類型的聚氨酯丙烯酸酯的混合物可以被用于同時實(shí)現(xiàn)不同的物理特性。
[0079]例如，在聚氨酯丙烯酸酯的合成中使用異氰酸酯，并且由異氰酸酯確定聚氨酯丙烯酸酯的物理特性(例如，黃化、耐候性以及耐化學(xué)性)。在這樣的情況下，根據(jù)實(shí)施例的低聚物可以包括:作為一種類型聚氨酯丙烯酸酯的聚氨酯丙烯酸酯異氰酸酯，在該聚氨酯丙烯酸酯異氰酸酯中對苯二異氰酸酯(PDI)或者異佛爾酮二異氰酸酯(iroi)的NC0%變成37% (在下文中被稱為“第一低聚物”)；和作為另一種類型聚氨酯丙烯酸酯的聚氨酯丙烯酸酯異氰酸酯，在該聚氨酯丙烯酸酯異氰酸酯中對苯二異氰酸酯(PDI)或者異佛爾酮二異氰酸酯(iroi)的NC0%變成30?50%或者25?35% (在下文中被稱為“第二低聚物”)。這樣，取決于NC0%調(diào)節(jié)，具有不同的物理特性的第一低聚物和第二低聚物可以被獲得，并且可以通過將第一低聚物和第二低聚物彼此混合來制備組成導(dǎo)光層40的低聚物。在這樣的情況下，第一低聚物的重量比例可以在15至20的范圍內(nèi)，并且第二低聚物的重量比例可以是在25至35的范圍內(nèi)。
[0080]同時，導(dǎo)光層40可以進(jìn)一步包括單體和光引發(fā)劑中的至少一個。在這樣的情況下，單體的含量可以是65至90重量份。更加具體地，導(dǎo)光層40可以包括35?45重量份的丙烯酸異冰片酯(IBOA)、10?15重量份的甲基丙烯酸2-羥乙酯(2-HEMA)以及15?20重量份的2-丙烯酸羥丁酯(2-HBA)的混合物。另外，光引發(fā)劑(例如，1-羥基環(huán)己基苯基酮、苯基酮、或者二苯基(2，4，6-三甲基苯甲酰基氧化膦)可以以0.5至I重量份的含量出現(xiàn)。
[0081]另外，導(dǎo)光層40可以是由高耐熱熱固性樹脂形成。更具體地，導(dǎo)光層40可以是由如下熱固性樹脂形成，該熱固性樹脂包括聚酯多元醇樹脂、丙烯多元醇樹脂以及烴基和/或酯基溶劑中的至少一個。此熱固性樹脂可以進(jìn)一步包括用于涂覆強(qiáng)度加強(qiáng)件的熱固化劑。
[0082]在聚酯多元醇樹脂的情況下，其含量可以是熱固性樹脂的總重量的9%?30%。另外，在丙烯多元醇樹脂的情況下，其含量可以是熱固性樹脂的總重量的20%?40%。
[0083]在烴基和/或酯基溶劑的情況下，其含量可以是熱固性樹脂的總重量的30%?70%。在熱固化劑的情況下，其含量可以是熱固性樹脂的總重量的1%?10%。
[0084]當(dāng)導(dǎo)光層40是由上述材料形成時，導(dǎo)光層40可以展示被加強(qiáng)的耐熱性并且使由于熱導(dǎo)致的亮度劣化最小化(即使當(dāng)導(dǎo)光層40在輻射高溫?zé)岬陌l(fā)光燈中使用時)這能夠提供高可靠性的發(fā)光燈。
[0085]另外，在實(shí)施例中，當(dāng)在上面描述的材料被用于構(gòu)造平面光源時，導(dǎo)光層40的厚度的創(chuàng)新減少可以被完成，這使產(chǎn)品變得更薄。另外，在該實(shí)施例中，導(dǎo)光層包括柔性材料并且被容易地構(gòu)造成被彎曲的形式，這可以改進(jìn)設(shè)計(jì)的自由度并且允許導(dǎo)光層被應(yīng)用于其它的柔性顯示器。
[0086]導(dǎo)光層40可以包括擴(kuò)散材料41,該擴(kuò)散材料41包含中空(或者小孔)。擴(kuò)散材料41可以與組成導(dǎo)光層40的樹脂一起混合或者被擴(kuò)散到組成導(dǎo)光層40的樹脂中，并且用于增強(qiáng)光的反射和擴(kuò)散。
[0087]例如，當(dāng)從發(fā)光二極管20發(fā)射到導(dǎo)光層40中的光被擴(kuò)散材料41的中空反射并且經(jīng)過擴(kuò)散材料41的中空時，在導(dǎo)光層40中出現(xiàn)光的擴(kuò)散和集中。然后被擴(kuò)散的和被集中的光可以從導(dǎo)光層40的一個表面(例如,上表面)發(fā)射。在這樣的情況下，擴(kuò)散材料41可以增加光的反射和擴(kuò)散，從而實(shí)現(xiàn)從導(dǎo)光層40的上表面發(fā)射的光的增強(qiáng)的發(fā)光亮度和增強(qiáng)的均勻度并且，因此，增強(qiáng)光源模塊100-1的亮度。
[0088]擴(kuò)散材料41的含量可以被適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)以便于實(shí)現(xiàn)所期望的光擴(kuò)散效應(yīng)。更具體地，相對于整個導(dǎo)光層40的重量，可以將擴(kuò)散材料的含量調(diào)節(jié)在0.01 %?0.3 %的范圍內(nèi)，但不限于此。擴(kuò)散材料41可以是從硅、硅石、玻璃氣泡、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、尿烷、Zn、Zr、Al203以及丙烯當(dāng)中選擇的任意一個,并且可以具有I μ m?20 μ m的粒度,但不限于此。
[0089]由于柔性板10和導(dǎo)光層40的柔性，第一實(shí)施例的光源模塊可以具有被減少的厚度并且被容易地安裝到彎曲的外殼等等，這可以增強(qiáng)產(chǎn)品設(shè)計(jì)的自由度。
[0090]圖3示出在圖1中示出的光源模塊的第二實(shí)施例100-2。與圖2中的相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件，并且在上面已經(jīng)描述了的這些相同的部件將不會被重復(fù)地描述或者將會簡要地描述。
[0091]參考圖3，為了增強(qiáng)輻射效率，與第一實(shí)施例100-1相比較第二實(shí)施例可以進(jìn)一步包括福射構(gòu)件110。
[0092]輻射構(gòu)件10被布置在柔性板10的下表面上并且用于向外輻射在發(fā)光二極管20中產(chǎn)生的熱。換言之，輻射構(gòu)件10可以增強(qiáng)在發(fā)光二極管20中產(chǎn)生的熱的向外輻射效率。
[0093]例如，輻射構(gòu)件110可以被布置在柔性印刷電路板10的下表面的一部分上。輻射構(gòu)件110可以包括被彼此隔開的多個輻射層(例如，110-1和110-2)。這些輻射層110-1和110-2可以在豎直方向上至少部分地重疊發(fā)光二極管20以便于改進(jìn)輻射效應(yīng)。在此，豎直方向可以是從柔性印刷電路板10到導(dǎo)光層40的方向。
[0094]輻射構(gòu)件110可以是由高導(dǎo)熱性的材料，諸如，例如，鋁、鋁合金、銅或者銅合金形成?？商娲?，輻射構(gòu)件I1可以是金屬基印刷電路板(MCPCB)。借助于丙烯基粘合劑(未示出)可以將輻射構(gòu)件110附接到柔性板10的下表面。
[0095]通常，當(dāng)發(fā)光二極管的溫度由在其中產(chǎn)生的熱增加時，發(fā)光二極管可以呈現(xiàn)被減少的發(fā)光強(qiáng)度并且經(jīng)歷光的波長偏移。在紅色發(fā)光二極管的情況下這樣的波長偏移和發(fā)光強(qiáng)度的減少是特別嚴(yán)重的。
[0096]然而，光源模塊100-2可以使用被附接到柔性板10的下表面的輻射構(gòu)件110有效地輻射在發(fā)光二極管20中產(chǎn)生的熱，從而限制發(fā)光二極管的溫度的增加，這可以限制光源模塊100-2的發(fā)光強(qiáng)度的減少或者光源模塊100-2的波長偏移的發(fā)生。
[0097]圖4示出在圖1中示出的光源模塊的第三實(shí)施例100-3。與圖3中的相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件，并且在上面已經(jīng)描述的這些相同部件將不會被重復(fù)地描述或者將會被簡要地描述。
[0098]參考圖4，與第二實(shí)施例相比較，光源模塊100-3可以進(jìn)一步包括反射片30、反射圖案31以及第一光學(xué)片52。
[0099]反射片30可以被插入在柔性板10和導(dǎo)光層40之間并且發(fā)光二極管20可以穿透反射片30。例如，反射片30可以位于除了發(fā)光二極管20被布置的區(qū)域之外的柔性板10的剩余區(qū)域處。
[0100]反射片30可以是由高反射率的材料形成。反射片30可以將從發(fā)光二極管20發(fā)射的光反射到導(dǎo)光層40的一個表面(例如，上表面)以防止光從導(dǎo)光層40的另一表面(例如，下表面)泄露，從而減少光損失。反射片30可以采用膜的形式，并且可以包括合成樹脂，該合成樹脂包含被分布在其中的白色顏料，以便于有助于光的反射和分布。
[0101]例如，白色顏料可以是氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、碳酸鉛、硫酸鋇、碳酸鈣等等，并且合成樹脂可以是聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯、丙烯樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚烯烴、醋酸纖維素、耐候的氯乙烯等等，但不限于此。
[0102]反射圖案31可以被布置在反射片30的表面上并且用于散射和分布入射光。通過將反射墨水印刷在反射片30的表面上可以形成反射圖案31，但不限于此，反射墨水包括Ti02、CaC03、BaS04、Al203、硅以及聚苯乙烯(PS)中的任意一個。
[0103]另外，反射圖案31可以構(gòu)造多個規(guī)則的或者不規(guī)則的突出。為了增強(qiáng)光散射，反射圖案31可以具有棱鏡形、雙透鏡形、透鏡形或者其組合，但不限于此。在圖4中，反射圖案31的橫截面可以具有包括例如，諸如三角形和矩形的多邊形、半圓形以及正弦形的各種形狀中的任意一個。當(dāng)從頂部看時，反射圖案31可以具有多邊形(例如，六面體的形狀)、圓形、橢圓形或者半圓形。
[0104]圖21是示出在圖4中示出的反射圖案的一個實(shí)施例。參考圖21，反射圖案31可以具有取決于離發(fā)光二極管20的距離而變化的直徑。
[0105]例如，反射圖案31可以隨著離發(fā)光二極管20的距離的減少而直徑增加。更具體地，按照第一反射圖案71、第二反射圖案72、第三反射圖案73以及第四反射圖案74的順序，直徑可以變大。然而，實(shí)施例不限于此。
[0106]第一光學(xué)片52被布置在導(dǎo)光層40上并且透射從導(dǎo)光層40的一個表面(例如，上表面)上發(fā)射的光。使用良好透射率的材料，例如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)可以形成第一光學(xué)片52。
[0107]圖5示出在圖1中示出的光源模塊的第四實(shí)施例100-4。
[0108]參考圖5，與第三實(shí)施例100-3相比較，光源模塊100-4可以進(jìn)一步包括第一光學(xué)片52、粘合構(gòu)件56、光屏蔽圖案60以及第二光學(xué)片54。
[0109]第二光學(xué)片54被布置在第一光學(xué)片52上。使用透射率好的材料,例如,PET可以形成第二光學(xué)片54。
[0110]粘合構(gòu)件56被插入在第一光學(xué)片52和第二光學(xué)片54之間以將第一光學(xué)片52和第二光學(xué)片54彼此附接。
[0111]光學(xué)圖案60可以被布置在第一光學(xué)片52的上表面或者第二光學(xué)片54的下表面中的至少一個上。借助于粘合構(gòu)件56光學(xué)圖案60可以被附接到第一光學(xué)片52的上表面或者第二光學(xué)片54的下表面中的至少一個。在一些實(shí)施例中，一個或者更多個光學(xué)片(未不出)可以被附加地設(shè)置在第二光學(xué)片54上。在這樣的情況下,包括第一光學(xué)片52、第二光學(xué)片54、粘合構(gòu)件56以及光學(xué)圖案60的結(jié)構(gòu)可以被定義為光學(xué)圖案層50-1。
[0112]光學(xué)圖案60可以是光屏蔽圖案以防止從發(fā)光二極管20發(fā)射的光的集中。光學(xué)圖案60可以與發(fā)光二極管20對準(zhǔn)并且經(jīng)由粘合構(gòu)件56被附接到第一光學(xué)片52和第二光學(xué)片54。
[0113]使用透射率好的材料,例如，PET,可以形成第一光學(xué)片52和第二光學(xué)片54。
[0114]光學(xué)圖案60主要用于防止從發(fā)光二極管20發(fā)射的光的集中。換言之，光學(xué)圖案60可以結(jié)合在上述反射圖案31實(shí)現(xiàn)均勻的平面光發(fā)射。
[0115]光學(xué)圖案60可以是屏蔽從發(fā)光二極管20發(fā)射的光的一部分的光屏蔽圖案并且可以防止由于光的過多強(qiáng)度而導(dǎo)致的光學(xué)特性的劣化或者黃光的引出。例如，光學(xué)圖案60可以用于防止光集中在緊鄰發(fā)光二極管的區(qū)域上并且用于實(shí)現(xiàn)光的分布。
[0116]通過使用光屏蔽墨水在第一光學(xué)片52的上表面上或者第二光學(xué)片54的下表面上執(zhí)行印刷工藝可以形成光學(xué)圖案60。為了允許光學(xué)圖案60不是用于完全地屏蔽光，而是屏蔽光的一部分并且擴(kuò)散光，光學(xué)圖案的密度和/或尺寸可以被調(diào)節(jié)以能夠進(jìn)行光屏蔽的調(diào)節(jié)或者光的擴(kuò)散。例如，隨著離發(fā)光二極管20的距離增加光學(xué)圖案的密度可以被減少，以便于實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的發(fā)光效率，但不限于此。
[0117]更具體地，光學(xué)圖案60可以具有復(fù)雜圖案的重疊印刷結(jié)構(gòu)。重疊印刷結(jié)構(gòu)指的是通過形成一個圖案并且然后在先前的圖案上印刷另一圖案而獲得的結(jié)構(gòu)。
[0118]例如，光學(xué)圖案60可以包括擴(kuò)散圖案和光屏蔽圖案，擴(kuò)散圖案和光屏蔽圖案彼此重疊。例如，可以使用包括從Ti02、CaCO3> BaSO4, Al2O3以及硅當(dāng)中選擇的任意一個或者更多個材料的光屏蔽墨水在發(fā)光方向上在聚合物膜(例如，第二光學(xué)片54)的下表面上形成漫射圖案。然后，可以使用包括Al或者Al和T12的混合物的光屏蔽墨水在聚合物膜的表面上形成光屏蔽圖案。
[0119]更具體地,通過經(jīng)由黑白印刷(white printing)在聚合物膜的表面上形成擴(kuò)散圖案，并且隨后，在擴(kuò)散圖案上形成光屏蔽圖案可以獲取這樣的雙結(jié)構(gòu)，或者反之亦然。當(dāng)然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會清楚地理解，鑒于發(fā)光效率和強(qiáng)度和光屏蔽效率可以以各種方式變更該圖案形成設(shè)計(jì)。
[0120]可替代地，在一些實(shí)施例中，光學(xué)圖案60可以具有三重結(jié)構(gòu)，該三重結(jié)構(gòu)包括第一擴(kuò)散圖案、第二擴(kuò)散圖案以及被插入在第一和第二擴(kuò)散圖案之間的光屏蔽圖案。通過選擇性地使用前述材料可以獲取三重結(jié)構(gòu)。例如，第一擴(kuò)散圖案可以包括具有高折射率的T12,第二擴(kuò)散圖案可以包括具有優(yōu)異的光穩(wěn)定性并且展示生動色彩的CaCO3和T12,并且光屏蔽圖案可以包括提供優(yōu)異屏蔽的Al。該實(shí)施例可以確保光經(jīng)由具有三重結(jié)構(gòu)的光學(xué)圖案的效率和均勻性。特別地，CaCO3用于通過減少黃光的曝露而發(fā)射白光，導(dǎo)致穩(wěn)定的發(fā)光效率。除了 CaCO3之外在擴(kuò)散圖案中使用的其它擴(kuò)散材料可以包括具有粒度大并且結(jié)構(gòu)相似的無機(jī)材料，諸如BaS04、Al2O3以及硅。
[0121]粘合構(gòu)件56可以包圍光學(xué)圖案60的外圍并且將光學(xué)圖案60固定到第一光學(xué)片52和/或第二光學(xué)片54。在這樣的情況下，粘合構(gòu)件56可以是熱固性壓敏粘合劑(PSA)、熱固性粘合劑或者紫外固化PSA型材料，但不限于此。
[0122]擴(kuò)散板70被布置在導(dǎo)光層40上。擴(kuò)散板70可以被布置在光學(xué)圖案層50-1上并且用于遍及其表面均勻地?cái)U(kuò)散已經(jīng)經(jīng)過導(dǎo)光層40并且從導(dǎo)光層40發(fā)射的光。擴(kuò)散板70通常可以是由丙烯樹脂形成，但不限于此，并且具有光擴(kuò)散功能的各種材料中的任一個，即，高透射率塑料，諸如聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、環(huán)烯烴共聚物(C0C)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)以及樹脂，可以被用于形成擴(kuò)散板70。
[0123]第一氣隙80可以存在于擴(kuò)散板70和導(dǎo)光層40之間。第一氣隙80的存在可能增加要被直射到擴(kuò)散板70的光的均勻性并且，因此，增強(qiáng)通過擴(kuò)散板70擴(kuò)散和發(fā)射的光的均勻性。在這樣的情況下，為了最小化透射通過導(dǎo)光層40的光的偏差，第一氣隙80的厚度可以是零以上和20mm以下，但不限于此，并且根據(jù)需要能夠設(shè)計(jì)改變第一氣隙。盡管在附圖中未被不出，但是在一些實(shí)施例中，一個或者根多個光學(xué)片可以被附加地布置在光學(xué)圖案層50-1上。
[0124]圖6示出在圖1中示出的光源模塊的第五實(shí)施例100-5。
[0125]參考圖6，與第四實(shí)施例100-4相比較光源模塊100-5可以進(jìn)一步包括第二氣隙81。S卩，第五實(shí)施例100-5可以包括在第一光學(xué)片52和第二光學(xué)片54之間的第二氣隙81。
[0126]例如，第二氣隙81可以被形成在粘合構(gòu)件56中。通過將粘合材料施加到除了被限定在光學(xué)圖案60周圍的空間(即，第二氣隙81)之外的剩余區(qū)域以將第一光學(xué)片52和第二光學(xué)片54彼此附接，可以形成粘合構(gòu)件56。
[0127]粘合構(gòu)件56可以以這樣的方式構(gòu)造使得第二氣隙81位于光學(xué)圖案60的外圍處?？商娲?，粘合構(gòu)件56可以被構(gòu)造成包圍光學(xué)圖案60的外圍，并且第二氣隙81可以位于除了光學(xué)圖案60的外圍之外的剩余區(qū)域處。第一光學(xué)片52和第二光學(xué)片54的附接也可以用于固定印刷光學(xué)圖案60。包括第一光學(xué)片52、第二光學(xué)片54、第二氣隙81、粘合構(gòu)件56以及光學(xué)圖案60的結(jié)構(gòu)可以被限定為光學(xué)圖案層50-2。
[0128]第二氣隙81可以增強(qiáng)從第一光學(xué)片52前進(jìn)到第二光學(xué)片54的光的擴(kuò)散和分布，這因?yàn)榈诙庀?1和粘合構(gòu)件56具有不同的折射率。這樣，該實(shí)施例可以提供均勻的平面光源。
[0129]圖7示出在圖1中示出的光源模塊的第六實(shí)施例100-6。
[0130]參考圖7,與第五實(shí)施例100-5相比較光源模塊100-6可以進(jìn)一步包括光反射構(gòu)件160。光反射構(gòu)件160可以被布置在導(dǎo)光層40的側(cè)表面40-1的一部分處或整體處并且用作引導(dǎo)件以防止從發(fā)光二極管20發(fā)射的光通過導(dǎo)光層40的側(cè)表面40-1被向外排放。
[0131]光反射構(gòu)件160可以是由高反射率材料，例如，白色阻抗物形成。另外，光反射構(gòu)件160可以是由包含被分布在其中的白色顏料的合成樹脂形成，或者由包含被分布在其中的高反射率金屬微粒的合成樹脂形成。在這樣的情況下，白色顏料可以是氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、碳酸鉛、硫酸鋇、碳酸I丐等等。當(dāng)反射構(gòu)件160包含金屬粉末時,金屬粉末可以是Ag粉末。另外，光反射構(gòu)件160可以進(jìn)一步包括單獨(dú)的熒光增白劑。
[0132]光反射構(gòu)件160可以被直接地模塑聯(lián)接到導(dǎo)光層40的側(cè)表面或者經(jīng)由單獨(dú)的粘合材料(或者膠帶)被間接地附接到導(dǎo)光層40的側(cè)表面。
[0133]作為防止光從導(dǎo)光層40的側(cè)表面40-1泄露的結(jié)果,第六實(shí)施例可以減少光損失并且增加發(fā)光效率并且，伴隨地，基于相同的電力，增強(qiáng)光源模塊100-5的亮度和照度。盡管未被示出，但是在另一實(shí)施例的構(gòu)造中，光發(fā)射構(gòu)件160可以被添加到根據(jù)第一實(shí)施例100-1至第四實(shí)施例100-4中的任意一個的導(dǎo)光層40的側(cè)表面40。
[0134]圖8示出在圖1中示出的光源模塊的第七實(shí)施例100-7。參考圖8，光源模塊100-7可以以這樣的方式構(gòu)造使得根據(jù)第一實(shí)施例的柔性板10具有用于增強(qiáng)輻射的通孔212和214。
[0135]這些通孔212和214可以穿透在柔性板10中以暴露相應(yīng)的發(fā)光二極管20的一部分或者導(dǎo)光層40的一部分。例如，這些通孔212和214可以包括使發(fā)光二極管20的一部分暴露的第一通孔212和使導(dǎo)光層40的下表面的一部分暴露的第二通孔214。
[0136]可以通過第一通孔212直接地向外輻射在發(fā)光二極管20中產(chǎn)生的熱，并且通過第二通孔214可以直接地向外輻射從發(fā)光二極管20傳導(dǎo)到導(dǎo)光層40的熱。第七實(shí)施例可以增強(qiáng)輻射效率，這是因?yàn)橥ㄟ^通孔212和214可以向外輻射在發(fā)光二極管20中產(chǎn)生的熱。第一通孔212和第二通孔214可以具有諸如多邊形、圓形或者橢圓形的各種形狀中的任意一個。
[0137]圖9示出在圖1中示出的光源模塊的第八實(shí)施例100-8。參考圖9，與第七實(shí)施例相比較光源模塊100-8可以進(jìn)一步包括反射片30、反射圖案31以及第一光學(xué)片52。由于第一和第二通孔212和214，第八實(shí)施例100-8可以實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的輻射效率。這些被添加的部件30、31以及52可以與圖4的上述相同。
[0138]圖10示出在圖1中示出的光源模塊的第九實(shí)施例100-9。參考圖10，與第八實(shí)施例相比較光源模塊100-9可以進(jìn)一步包括第一光學(xué)片52、粘合構(gòu)件56、光屏蔽圖案60以及第二光學(xué)片54。這些被添加的部件52、54、56以及60可以與圖5的上述相同。
[0139]圖11示出在圖1中示出的光源模塊的第十實(shí)施例100-10。參考圖11，與第八實(shí)施例相比較光源模塊100-10可以進(jìn)一步包括第一光學(xué)片52、粘合構(gòu)件56、光屏蔽圖案60、第二光學(xué)片54以及第二氣隙81。第二氣隙81可以存在于第十實(shí)施例100-10的第一光學(xué)片52和第二光學(xué)片54之間，并且第二氣隙81可以與圖6的上述相同。
[0140]圖12示出在圖1中示出的光源模塊的第i^一實(shí)施例100-11。參考圖12，與第十實(shí)施例100-10相比較光源模塊100-11可以進(jìn)一步包括光反射構(gòu)件160。光反射構(gòu)件160可以被布置在導(dǎo)光層40的側(cè)表面40-1的一部分處或者導(dǎo)光層40的整個側(cè)表面40-1處。盡管未被示出，但是在另一實(shí)施例的構(gòu)造中，光反射構(gòu)件160可以被添加到根據(jù)第七實(shí)施例100-7至第九實(shí)施例100-9中的任意一個的導(dǎo)光層40的側(cè)表面。
[0141]圖13示出在圖1中示出的光源模塊的第十二實(shí)施例100-12。與圖1中的那些相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件，并且在上面已經(jīng)描述了的這些相同部件將不會被重復(fù)地描述或者將會被簡要地描述。
[0142]參考圖13，不同于第一實(shí)施例100-1的輻射構(gòu)件110，光源模塊100-12的輻射構(gòu)件310可以包括:下輻射層310-1，該下輻射層310-1被布置在柔性板10的下表面處；和穿孔310-2，該穿孔310-2允許下輻射層310-1的一部分通過柔性板10接觸每個發(fā)光二極管20。
[0143]例如，穿孔310-2可以接觸下面將會描述的發(fā)光二極管封裝200-1或者200_2的第一引線框架620或者620’的第一側(cè)表面部分714。
[0144]第十二實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的輻射效率，這是因?yàn)樵诎l(fā)光二極管20中產(chǎn)生的熱通過穿孔310-2被直接地傳導(dǎo)到輻射構(gòu)件310，從而被向外輻射。
[0145]圖14示出在圖1中示出的光源模塊的第十三實(shí)施例100-13。參考圖14，與第十二實(shí)施例相比較光源模塊100-13可以進(jìn)一步包括反射片30、反射圖案31以及第一光學(xué)片52。這些被添加的部件30、31以及52可以與圖4的上述相同。
[0146]圖15示出在圖1中示出的光源模塊的第十四實(shí)施例100-14。參考圖15，與第十三實(shí)施例100-13相比較，光源模塊100-14可以進(jìn)一步包括第一光學(xué)片52、粘合構(gòu)件56、光屏蔽圖案60以及第二光學(xué)片54。這些被添加的部件52、54、56以及60可以與圖5的上述相同。
[0147]圖16示出在圖1中示出的光源模塊的第十五實(shí)施例100-15。參考圖15，與第十四實(shí)施例100-14相比較光源模塊100-15可以進(jìn)一步包括第二氣隙81。S卩，第二氣隙81可以存在于第十五實(shí)施例的第一光學(xué)片52和第二光學(xué)片54之間。第二氣隙81可以與圖6的上述相同。
[0148]圖17示出在圖1中示出的光源模塊的第十六實(shí)施例100-16。參考圖17，與第十五實(shí)施例100-15相比較光源模塊100-16可以進(jìn)一步包括光反射構(gòu)件160。光反射構(gòu)件160可以被布置在導(dǎo)光層40的側(cè)表面40-1的一部分處或者導(dǎo)光層40的整個側(cè)表面40-1處。盡管未被示出，但是在另一實(shí)施例的構(gòu)造中，光反射構(gòu)件160可以被添加到根據(jù)第十二實(shí)施例100-12至第十四實(shí)施例100-14中的任意一個的導(dǎo)光層40的側(cè)表面。
[0149]圖18示出在圖1中示出的光源模塊的第十七實(shí)施例，圖19示出在圖1中示出的光源模塊的第十八實(shí)施例，并且圖20示出在圖1中示出的光源模塊的第十九實(shí)施例。
[0150]在圖18至圖20中示出的反射片30-1、第二光學(xué)片54_1以及擴(kuò)散板70_1是在圖6、圖11以及圖16中示出的反射片30、第二光學(xué)片54以及擴(kuò)散板70的可替代實(shí)施例。
[0151]反射片30-1、第二光學(xué)片54-1以及擴(kuò)散板70_1中的至少一個可以在其一個表面或者兩個表面處被設(shè)置有脊Rl、R2以及R3。脊Rl、R2以及R3用于反射和擴(kuò)散入射光，導(dǎo)致具有幾何圖案的光的向外發(fā)射。
[0152]例如，第一脊Rl可以被形成在反射片30-1的一個表面(例如，上表面)處，第二脊R2可以被形成在第二光學(xué)片54-1的一個表面(例如，上表面)處，并且第三脊R3可以被形成在擴(kuò)散板70-1的一個表面(例如，下表面)處。這些脊R1、R2以及R3可以限定多個規(guī)則的或者不規(guī)則的圖案，并且具有棱鏡形、雙透鏡形、凹透鏡形、凸透鏡形或者其組合以增強(qiáng)光的反射和擴(kuò)散，但不限于此。
[0153]另外，脊Rl、R2以及R3的橫截面可以具有諸如三角形、矩形或者正弦形的各種形狀中的任意一個。每個圖案的尺寸或者密度可以根據(jù)離發(fā)光二極管20的距離而變化。
[0154]通過直接地加工反射片30-1、第二光學(xué)片54-1以及擴(kuò)散板70_1可以形成脊R1、R2以及R3，但不限于此，并且可以通過當(dāng)前被開發(fā)和商業(yè)化的方法，諸如，例如，被設(shè)置有給定圖案的膜的附接，或者可以根據(jù)未來的技術(shù)發(fā)展實(shí)現(xiàn)的其它方法中的任意一個形成脊R1、R2 以及 R3。
[0155]該實(shí)施例可以經(jīng)由第一至第三脊Rl、R2以及R3的圖案的組合容易地實(shí)現(xiàn)幾何光圖案。在一些實(shí)施例中，脊可以被形成在第二光學(xué)片52的一個表面或者兩個表面處。
[0156]采用脊R1、R2或者R3的實(shí)施例不限于圖18至圖20，并且被包括在其它的實(shí)施例中的反射片30、第一光學(xué)片52、第二光學(xué)片54以及擴(kuò)散板70中的至少一個可以在其一個表面或者兩個表面處被設(shè)置有脊以增強(qiáng)光的反射和擴(kuò)散。
[0157]圖22是示出在圖1中示出的光源模塊的第二十實(shí)施例。參考圖22，光源模塊100-22包括平面發(fā)光單元1000和間接發(fā)光單元1001。
[0158]平面發(fā)光單元1000執(zhí)行轉(zhuǎn)變成平面光和平面光的向外發(fā)射。另外，間接發(fā)光單元1001反射從平面光發(fā)光單兀1000發(fā)射的光以產(chǎn)生被反射的光,從而引起光泄露(或者閃爍現(xiàn)象)。雖然圖22示出間接發(fā)光單元1001被形成在平面發(fā)光部分1000的整個側(cè)表面處，但是這通過示例簡單地給出，并且間接發(fā)光單元可以被形成在平面發(fā)光單元1000的側(cè)表面的至少一部分處。
[0159]平面發(fā)光單元1000可以是上述實(shí)施例100-1至100-5、100-7至100-10、100-12至100-15以及100-17至100-19中的任意一個。
[0160]間接發(fā)光單元1001可以包括位于平面發(fā)光單元1000的側(cè)表面處的反射構(gòu)件1100。反射構(gòu)件1100可以從平面發(fā)光單元1000間隔開，例如，從平面發(fā)光單元1000的導(dǎo)光層40間隔開給定的距離M。
[0161]第三氣隙83可以存在于平面發(fā)光單元1000和反射構(gòu)件1100之間的空間中。反射構(gòu)件1100反射從平面發(fā)光單兀1000的導(dǎo)光層40的側(cè)表面發(fā)射的光以產(chǎn)生被反射的光(或者間接光)。這樣，由反射構(gòu)件1100再反射通過導(dǎo)光層40的側(cè)表面消散的光，導(dǎo)致閃爍現(xiàn)象以使光柔和。這可以被用于實(shí)現(xiàn)可以被應(yīng)用于室內(nèi)/室外內(nèi)部和汽車燈具的各種照明效應(yīng)。
[0162]同時，為了最大化上述閃爍現(xiàn)象，第三氣隙83可以被形成在反射構(gòu)件1100和平面發(fā)光單元1000之間。這樣，當(dāng)從導(dǎo)光層40的側(cè)表面發(fā)射的光被散射在間接發(fā)光氣隙83中并且由反射構(gòu)件1100再反射被散射的光時，閃爍現(xiàn)象可以被最大化。反射構(gòu)件1100可以是由與參考圖7所上述的反射構(gòu)件160的材料相同的材料形成。
[0163]同時，反射構(gòu)件1100的高度可以與導(dǎo)光層40、第一光學(xué)片52、第二光學(xué)片54以及擴(kuò)散板70中的任意一個的高度相同，但不限于此。
[0164]雖然圖22示出反射構(gòu)件110垂直于平面發(fā)光單元1000的水平表面，例如，導(dǎo)光層40的上表面，但是這通過示例簡單地給出，并且必要時反射構(gòu)件可以相對于平面發(fā)光單元的水平表面傾斜給定的角度。
[0165]在圖22中示出的實(shí)施例可以進(jìn)一步包括支撐構(gòu)件1200，該支撐構(gòu)件1200被構(gòu)造成包圍反射構(gòu)件1100的外表面和平面發(fā)光單元1000的底部。
[0166]支撐構(gòu)件1200用于支撐和保護(hù)平面發(fā)光單元1000和反射構(gòu)件1100，這可能引起增強(qiáng)的耐久性和可靠性。支撐構(gòu)件1200不受到材料的限制。例如，支撐構(gòu)件1200可以是由金屬材料形成或者可以是由塑料材料形成。另外，將會理解的是，支撐構(gòu)件1200可以是由具有給定的柔性的材料形成。
[0167]圖23是示出圖1中示出的光源模塊的第二i^一實(shí)施例100-21的平面圖，圖24是沿著在圖23中示出的光源模塊100-21的線AA’截取的截面圖，圖25是沿著圖23中示出的光源模塊100-21的線BB’截取的截面圖，并且圖26是沿著圖23中示出的光源模塊100-21的線CC’截取的截面圖。
[0168]參考圖23至圖26，光源模塊100-21可以包括多個子光源模塊101-1至101_n(n是大于I的自然數(shù))，并且子光源模塊101-1至101-n可以被彼此分離或者聯(lián)接。另外，被聯(lián)接的子光源模塊101-1至101-n可以被彼此電連接。
[0169]子光源模塊101-1至101-n中的每一個均包括可以被連接到外部部件的至少一個連接器(例如，510、520或者530)。例如，第一子光源模塊101-1可以包括具有一個或者更多個端子(例如，SI和S2)的第一連接器510。第二子光源模塊101-2可以包括適于分別被連接到外部部件的第一連接器520和第二連接器530。第一連接器520可以具有一個或者更多個端子(例如，Pl和P2)，并且第二連接器530可以具有一個或者更多個端子(例如，Ql和Q2)。在這樣的情況下，第一端子S1、P1以及Ql可以是正端子，并且第二端子S2、P2以及Q2可以是負(fù)端子。雖然圖23示出每個連接器(例如，510、520或者530)具有兩個端子，但是端子的數(shù)目不限于此。
[0170]雖然圖24至圖26示出通過將連接器510、520或者530連接到第五實(shí)施例100-5而獲取的構(gòu)造，但是實(shí)施例不限于此，并且可以通過將連接器(例如，510、520或者530)和連接固定部分(例如，410-1，420-1和420-2)添加到根據(jù)上述實(shí)施例的光源模塊100-1至100-20中的任意一個來構(gòu)造子光源模塊101-1至101-n中的每一個。
[0171]參考圖24和圖25，子光源模塊101-1至101_n中的每一個均包括柔性板10、發(fā)光二極管20、反射片30、反射圖案31、導(dǎo)光層40、第一光學(xué)片52、第二光學(xué)片54、粘合構(gòu)件56、光學(xué)圖案60、擴(kuò)散板70、輻射構(gòu)件110、至少一個連接器510、520或者530以及至少一個連接固定部分410和420。與圖1中的那些相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件，并且在上面已經(jīng)描述的這些相同的部件將不會被重復(fù)地描述或者將會被簡要地描述。與其它的實(shí)施例相比較，雖然根據(jù)第二十一實(shí)施例的相應(yīng)的子光源模塊101-1至101-n可以在發(fā)光二極管的尺寸或者數(shù)目方面不同，但是除了連接器和連接固定部分之外它們可以具有相同的構(gòu)造。
[0172]第一子光源模塊101-1可以包括第一連接器510，該第一連接器510被布置在柔性板10上，用于與發(fā)光二極管20的電連接和與外部部件的電連接。例如，第一連接器510可以在柔性板10上被構(gòu)型。
[0173]另外，例如，第二子光源模塊101-2可以包括第一連接器520和第二連接器520，用于與發(fā)光二極管20的電連接。第一連接器520可以位于柔性板10的一側(cè)處，用于與外部部件(例如，第一子光源模塊101-1)的第一連接器510電連接，并且第二連接器530可以位于柔性板10的另一側(cè)處，用于與另一外部部件(例如，第三子光源模塊101-3)的連接器(未示出)電連接。
[0174]連接固定部分(例如，410-1、420_1以及420_2)被聯(lián)接到其它的外部子光源模塊并且用于將兩個被聯(lián)接的子光源模塊彼此固定。連接固定部分(例如，410-1、420-1以及420-2)可以是被形成在導(dǎo)光層40的側(cè)表面的一部分處的突出，或者可以是被縮進(jìn)在導(dǎo)光層40的側(cè)表面的一部分中的凹槽。
[0175]參考圖26，第一子光源模塊101-1可以包括從導(dǎo)光層40的側(cè)表面的一部分突出的第一連接固定部分410-1。另外，第二子光源模塊101-2可以包括被縮進(jìn)在導(dǎo)光層40的側(cè)表面的一部分中的第一連接固定部分420-1和從導(dǎo)光層40的側(cè)表面的另一部分突出的第二連接固定部分420-2。
[0176]第一子光源模塊101-1的第一連接固定部分410-1和第二子光源模塊101_2的第一連接固定部分420-1可以經(jīng)由其間的公母聯(lián)接被彼此固定。
[0177]該實(shí)施例示出連接固定部分(例如，410-1、420_1以及420_2)是導(dǎo)光層40的一部分，但不限于此。單獨(dú)的連接固定部分可以被設(shè)置并且這些連接固定部分可以被更改成其它的可連接形式。
[0178]這些子光源模塊101-1至101-n (η是大于I的自然數(shù))可以被成形為具有給定的突出部分，但不限于此，并且可以具有各種形狀中的任何一個。例如，當(dāng)從頂部看時，這些子光源模塊101-1至101-n (η是大于I的自然數(shù))可以具有圓形、橢圓形或者多邊形，并且這些子光源模塊101-1至101-n的一部分可以在橫向方向上突出。
[0179]例如，第一子光源模塊101-1的一端可以具有中心突出540，并且第一連接器510可以被形成在與突出540相對應(yīng)的柔性板10處。第一連接固定部分410-1可以被形成在與除了突出540之外的第一子光源模塊101-1的該端部的剩余部分相對應(yīng)的導(dǎo)光層40處。
[0180]第二子光源模塊101-2可以在其一端處被設(shè)置有中心凹槽545，并且第一連接器520可以被形成在與凹槽545相對應(yīng)的柔性板10處。第一連接固定部分420-1可以被形成在與除了凹槽545之外的第二子光源模塊101-2的該端部的剩余部分相對應(yīng)的導(dǎo)光層40處。另外，第二子光源模塊101-2的另一端可以具有中心突出560，并且第二連接器530可以被形成在與突出560相對應(yīng)的柔性板10處。第二連接固定部分420-2可以被形成在與除了突出560之外的第二子光源模塊101-2的該另一端的剩余部分相對應(yīng)的導(dǎo)光層40處。
[0181]該實(shí)施例可以增強(qiáng)產(chǎn)品設(shè)計(jì)的自由度，這是因?yàn)樽庸庠茨K101-1至101-n中的每個均可以用作獨(dú)立的光源并且可以被更改成各種形狀，并且經(jīng)由連接固定部分可以將兩個或者更多個子光源模塊彼此組裝以構(gòu)造獨(dú)立的光源。另外，在該實(shí)施例中，當(dāng)被組裝的子光源模塊中的一些被損壞或者破壞時，可以替換僅被破壞的子光源模塊。
[0182]上述光源模塊可以在要求平面光源的顯示裝置、指示器裝置以及照明系統(tǒng)中使用。特別地，根據(jù)實(shí)施例的這些光源模塊甚至可以被容易地安裝在要求安裝照明器的地點(diǎn)處，但是因?yàn)楸仨毎惭b照明器的區(qū)域(例如，具有曲率的天花板或者地板)的曲率而在照明器的安裝中具有困難。例如，照明系統(tǒng)可以包括燈、街燈等等，并且燈可以是汽車前照燈，但不限于此。
[0183]圖27示出根據(jù)實(shí)施例的汽車前照燈900-1，并且圖49是示出以點(diǎn)光源的形式的通用的汽車前照燈。參考圖27，汽車前照燈900-1包括光源模塊910和燈外殼920。
[0184]光源模塊910可以是上述實(shí)施例100-1至100-21中的任意一個。燈外殼920可以被構(gòu)造成容納光源模塊910并且是由透光材料形成。根據(jù)用于安裝汽車燈外殼920的面積和設(shè)計(jì)，汽車燈外殼920可以具有曲率。光源模塊910可以被容易地安裝到具有曲率的汽車燈外殼920，這是因?yàn)楣庠茨K包括柔性板10和導(dǎo)光層40并且具有柔性。另外，因?yàn)檫@些光源模塊100-1至100-21被構(gòu)造成實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的輻射效率，所以根據(jù)實(shí)施例的汽車前照燈900-1可以限制波長偏移的發(fā)生和發(fā)光強(qiáng)度的減少。
[0185]在圖49中示出的通用汽車前照燈是點(diǎn)光源并且可以在發(fā)光期間在發(fā)光平面的一部分處引起斑點(diǎn)930。另一方面，根據(jù)實(shí)施例的汽車前照燈900-1是平面光源并且可以遍及發(fā)光平面實(shí)現(xiàn)均勻的亮度和照度。
[0186]圖28是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝200-1的透視圖，圖29是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝200-1的頂視圖，圖30是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝200-1的前視圖，并且圖31是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝200-1的側(cè)視圖。
[0187]在圖28中示出的發(fā)光二極管封裝200-1可以是被包括在根據(jù)上述實(shí)施例的光源模塊100-1至100-21中的發(fā)光二極管封裝，但不限于此。
[0188]參考圖28至圖31，發(fā)光二極管封裝200-1包括封裝本體610、第一引線框架620、第二引線框架630、發(fā)光芯片640、齊納二極管645以及電線650-1。
[0189]封裝本體610可以被形成為具有良好的電絕緣或?qū)嵝缘陌?，諸如，硅基晶片級封裝、硅板、碳化硅(SiC)板、氮化鋁(AIN)板等等，并且可以是多個板的堆疊。然而，實(shí)施例不限于上述本體的材料、結(jié)構(gòu)以及形狀。
[0190]例如，封裝本體610在第一方向上(例如，沿著X軸)可以具有5.95mm?6.05mm的長度Xl并且在第二方向上(例如，沿著Y軸)可以具有1.35mm?1.45mm的長度Yl。封裝本體610可以在第三方向上(例如，沿著Z軸)具有1.6mm?1.7mm的長度Y2。例如，第一方向可以是平行于封裝本體610的較長側(cè)的方向。
[0191]封裝本體610可以具有腔體601，該腔體601具有敞開的頂部并且由側(cè)壁602和底部603來限定。腔體601可以具有杯形、凹陷的容器形狀等等，并且腔體601的側(cè)壁602可以相對于底部603垂直或者傾斜。當(dāng)從頂部看時，腔體601可以具有圓形、橢圓形或者多邊形(例如，矩形)。以多邊形的形式的腔體601可以具有圓角。例如，腔體601在第一方向上(例如，沿著X軸)可以具有4.15mm?4.25mm的長度X3，在第二方向上(例如，沿著Y軸)可以具有0.64mm?0.9mm的長度X4，并且(例如，沿著Z軸)可以具有0.33mm?
0.53mm的深度Ti。
[0192]考慮到其輻射或發(fā)光芯片640與其的安裝，第一引線框架620和第二引線框架630可以被布置在封裝本體610的表面上以便彼此電隔離。發(fā)光芯片640被電連接到第一引線框架620和第二引線框架630。發(fā)光芯片640的數(shù)目可以是I或者更多。
[0193]反射構(gòu)件(未示出)可以被設(shè)置在限定腔體的封裝本體610的側(cè)壁處，以反射從發(fā)光芯片640發(fā)射的光以便在規(guī)定的方向上直射。
[0194]第一引線框架620和第二引線框架630可以被放置在封裝本體610的上表面上以便彼此分隔開。封裝本體610的一部分(例如，腔體601的底部603)可以位于第一引線框架620和第二引線框架630之間以使引線框架兩者彼此電隔離。
[0195]第一引線框架620可以具有:一端(例如,712),該一端(例如,712)被暴露于腔體601 ;和另一端(例如，714)，該另一端(例如，714)穿透封裝本體610從而從封裝本體610的一個表面被暴露。另外，第二引線框架630可以具有從封裝本體610的表面的一側(cè)暴露的一端(例如，744-1)、從封裝本體610的表面的另一側(cè)暴露的另一端(例如，744-2)以及被暴露于腔體601的中間部分(例如，742-2)。
[0196]在第一引線框架620和第二引線框架630之間的距離X2可以是0.1mm?0.2mm。第一引線框架620的上表面和第二引線框架630的上表面可以位于與腔體601的底部603相同的平面上。
[0197]圖32是示出在圖28中示出的第一引線框架620和第二引線框架630的透視圖，圖33是示出在圖32中示出的第一引線框架620和第二引線框架630的各個部分的尺寸的視圖，并且圖34是示出與在圖33中示出的第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714之間的邊界801緊鄰的第一引線框架620的連接部分732、734以及736的放大圖。
[0198]參考圖32至圖34，第一引線框架620包括第一上表面部分712和從第一上表面部分712的第一側(cè)彎曲的第一側(cè)表面部分714。
[0199]第一上表面部分712可以位于與腔體601的底部相同的平面上并且可以暴露于腔體601以允許發(fā)光芯片642和644被放置在其上。
[0200]如在圖33中示例性地示出，第一上表面部分712的兩個遠(yuǎn)端可以被設(shè)置有基于第一側(cè)表面部分714在第一方向上(沿著X軸)突出的部分S3。第一上表面部分712的突出部分S3可以是支撐第一引線框架的引線框架陣列(array)的部分。第一上表面部分712的突出部分S3可以具有0.4mm?0.5mm的第一方向長度。第一上表面部分712可以具有3.45mm?3.55mm的第一方向長度K和0.6mm?0.7mm的第二方向長度J1。第一方向可以是XYZ坐標(biāo)系統(tǒng)中的X軸并且第二方向可以是Y軸。
[0201]第一上表面部分712可以在其第二側(cè)處被設(shè)置有至少一個凹槽701。在這樣的情況下，第一上表面部分712的第二側(cè)可以被布置成面對第一上表面部分712的第一側(cè)。例如，第一上表面部分712的第二側(cè)可以在其中心處被設(shè)置有凹槽701，但不限于此，并且兩個或者更多個凹槽可以被形成在第二側(cè)處。凹槽701可以具有與突出702的形狀對應(yīng)的形狀，該突出702被形成在下面將會描述的第二引線框架630處。
[0202]在圖33中示出的凹槽701具有梯形，但不限于此，并且可以具有諸如圓形、多邊形或者橢圓形的各種形狀中的任一。凹槽701可以具有1.15mm?1.25mm的第一方向長度S2和0.4mm?0.5mm的第二方向長度S2。
[0203]在凹槽701的底部701-1和側(cè)表面701-2之間的角度Θ I可以是90°或者更大并且在180°以下。發(fā)光芯片642和644可以被放置在凹槽701的兩側(cè)處的第一上表面部分712 上。
[0204]第一側(cè)表面部分714可以從第一上表面部分712的第一側(cè)向下彎曲給定的角度。第一側(cè)表面部分714可以從封裝本體610的一個側(cè)表面被暴露。例如,在第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714之間的角度可以是90°或者更大并且在180°以下。
[0205]第一引線框架620可以具有在第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714中的至少一個中穿透的一個或者更多個通孔720。例如，第一引線框架620可以具有與在第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714之間的邊界緊鄰的一個或者根多個通孔720。雖然圖32示出在緊鄰第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714之間的邊界的位置處被彼此間隔開的兩個通孔722和724，但是實(shí)施例不限于此。
[0206]可以在與在第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714之間的邊界緊鄰的第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714的各自的區(qū)域中穿透通孔720。在這樣的情況下，在第一上表面部分712的區(qū)域中穿透的通孔(例如，722-1)和在第一側(cè)表面部分714的區(qū)域中穿透的通孔(例如，722-2)可以被彼此連接。
[0207]通孔720可以被填充有封裝本體610的一部分，從而用于增強(qiáng)第一引線框架620和封裝本體之間的聯(lián)接強(qiáng)度。另外，通孔720可以用于使能夠在第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714之間的邊界處容易地彎曲。然而，當(dāng)通孔720具有過大的尺寸或者被設(shè)置過多的數(shù)目時，在第一引線框架620彎曲時，第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714可以被彼此斷開。為此，有必要適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)通孔720的尺寸和數(shù)目。另外，通孔720的尺寸與下面將會描述的連接部分732、734以及736的尺寸有關(guān)并且，因此，與發(fā)光二極管封裝的福射有關(guān)。
[0208]考慮到根據(jù)下面將會描述的具有通孔的第一引線框架620和第二引線框架630的尺寸的聯(lián)接強(qiáng)度和容易彎曲，該實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)最佳輻射效率。
[0209]為了增強(qiáng)與封裝本體610的聯(lián)接強(qiáng)度，為了有助于第一引線框架620容易彎曲并且防止彎曲時的損壞，該實(shí)施例可以包括第一通孔722和第二通孔724，并且第一通孔722和第二通孔724可以分別具有0.58mm?0.68mm的第一方向長度Dll和第一方向長度D12以及0.19mm?0.29mm的第二方向長度D2。第一通孔722的面積可以等于第二通孔724的面積，但是不限于此，并且第一和第二通孔可以具有不同的面積。
[0210]參考圖34，第一引線框架620可以具有連接部分732、734以及736，以將第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714彼此連接，這些連接部分位于與在第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714之間的邊界801緊鄰并且借助于通孔720被彼此間隔開。例如，這些連接部分732、734以及736中的每一個均可以包括與第一上表面部分712的部分相對應(yīng)的第一部分732-1、734-1或者736-1和與第一側(cè)表面部分714的部分相對應(yīng)的第二部分732-2,734-2或者736-2。通孔720可以位于各自的相鄰的連接部分732、734以及736之間。
[0211]第一引線框架620可以包括至少一個連接部分，該至少一個連接部分位于對應(yīng)于或者對準(zhǔn)發(fā)光芯片642或者644。
[0212]更具體地，第一引線框架620可以包括第一至第三連接部分732、734以及736。第一連接部分732可以位于對應(yīng)于或者對準(zhǔn)第一發(fā)光芯片642，并且第二連接部分734可以位于對應(yīng)于或者對準(zhǔn)第二發(fā)光芯片644。另外，第三連接部分736可以位于第一連接部分732和第二連接部分734之間并且沒有對準(zhǔn)第一發(fā)光芯片642或者第二發(fā)光芯片644。例如，第三連接部分736可以位于對應(yīng)于或者對準(zhǔn)第一引線框架620的凹槽701，但是不限于此。
[0213]第一連接部分732的第一方向長度Cl I和第二連接部分734的第一方向長度C2可以大于第三連接部分736的第一方向長度E。例如，第一連接部分732的第一方向長度Cll和第二連接部分734的第一方向長度C2可以是0.45mm?0.55mm,并且第三連接部分736的第一方向長度E可以是0.3mm?0.4mm。第三連接部分736位于第一通孔722和第二通孔724之間的理由是，在彎曲時防止在第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714之間斷開。
[0214]第三連接部分736的第一方向長度E與第一連接部分732的第一方向長度Cll的比率可以是1: 1.2?1: 1.8。通孔722的第一方向長度Dll或者D12與第一側(cè)表面部分714的上端部分714-1的第一方向長度BI的比率可以是1:3.8?1:6.3。
[0215]因?yàn)榈谝贿B接部分732對準(zhǔn)第一發(fā)光芯片642并且第二連接部分734對準(zhǔn)第二發(fā)光芯片644，所以可能主要從第一連接部分732向外輻射在第一發(fā)光芯片642中產(chǎn)生的熱并且可能主要從第二連接部分734向外輻射在第二發(fā)光芯片644中產(chǎn)生的熱。
[0216]在該實(shí)施例中，第一連接部分732和第二連接部分734具有比第三連接部分736的面積大的面積，這是因?yàn)榈谝贿B接部分732和第二連接部分734的第一方向長度Cll和C12大于第三連接部分736的第一方向長度E。因此，隨著與發(fā)光二極管20緊鄰的連接部分732和734的面積增加,可以以增強(qiáng)的效率向外福射在第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644中產(chǎn)生的熱。
[0217]第一側(cè)表面部分714可以被劃分成被連接到第一上表面部分712的上端部分714-1和被連接到上端部分714-1的下端部分714-2。即，上端部分714-1可以包括第一至第三連接部分732、734以及736的部分，并且下端部分714-2可以位于上端部分714-1下方。
[0218]上端部分714-1的第三方向長度Fl可以是0.6mm?0.7mm,并且下端部分714-2的第三方向長度F2可以是0.4mm?0.5mm。第三方向可以是XYZ坐標(biāo)系統(tǒng)的Z軸。
[0219]上端部分714-1和下端部分714-2可以具有階梯側(cè)表面以便于增強(qiáng)與封裝本體620的聯(lián)接強(qiáng)度和用于防止?jié)駳馊肭值臍饷苄?。例如，下端部?14-2的兩個側(cè)端可以在橫向方向上從上端部分714-1的側(cè)表面更遠(yuǎn)地突出。上端部分714-1的第一方向長度BI可以是2.56mm?2.66mm,并且下端部分714-2的第一方向長度B2可以是2.7mm?3.7mm。第一引線框架620的厚度tl可以是0.1mm?0.2mm。
[0220]第二引線框架630可以被布置成包圍第一引線框架620的至少一側(cè)。例如，第二引線框架630可以被布置在除了第一側(cè)表面部分714之外的第一引線框架620的其它側(cè)周圍。
[0221]第二引線框架630可以包括第二上表面部分742和第二側(cè)表面部分744。第二上表面部分742可以被布置成包圍除了第一側(cè)之外的第一上表面部分712的其它側(cè)。如在圖28和圖32中示例性地示出的，第二上表面部分742可以位于與腔體601的底部和第一上表面部分712相同的平面上，并且可以借助于腔體601被暴露。第二引線框架630的厚度t2可以是0.1mm?0.2_。
[0222]根據(jù)第二上表面部分742在第一上表面部分712周圍的位置，第二上表面部分742可以被劃分成第一部分742-1、第二部分742-2以及第三部分742-3。第二上表面部分742的第二部分742-2可以對應(yīng)于或者面對第一上表面部分712的第二側(cè)。第二上表面部分742的第一部分742-1可以被連接到第二部分742-2的一端并且可以對應(yīng)于或者面對第一上表面部分712的其它側(cè)中的任意一個。第二上表面部分742的第三部分742-3可以被連接到第二部分742-2的另一端并且可以對應(yīng)于或者面對第一上表面部分712的其它側(cè)中的另一個。
[0223]第一部分742-1和第三部分742_3可以具有0.65mm?0.75mm的第二方向長度Hl和0.78mm?0.88mm的第一方向長度H2。第二部分742-2可以具有4.8mm?4.9mm的第一方向長度I。
[0224]第二上表面部分742的第二部分742-2可以被設(shè)置有與第一上表面部分712的凹槽701相對應(yīng)的突出702。例如，突出702可以具有與凹槽701的形狀相對應(yīng)的形狀并且可以位于對準(zhǔn)凹槽701。突出702可以位于凹槽701內(nèi)。突出702和凹槽701可以在數(shù)目上相等。突出702和凹槽701可以彼此間隔開以允許封裝本體610的一部分位于其間。突出702是用于第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644之間的電線結(jié)合(wire bonding)的區(qū)域。當(dāng)突出702位于第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644之間以被對準(zhǔn)時，容易的電線結(jié)合是可能的。
[0225]突出702可以具有0.85mm?0.95mm的第一方向長度S5和0.3mm?0.4mm的第二方向長度S4。在突出702和第二部分742-2之間的角度Θ 2可以是90°或者更大并且在180。以下。
[0226]第二側(cè)表面部分744可以從第二上表面部分742的至少一側(cè)處被彎曲。第二側(cè)表面部分744可以從第二上表面部分742被向下彎曲給定的角度(例如，90° )。
[0227]例如，第二側(cè)表面部分744可以包括從第二上表面部分742的第一部分742_1的一側(cè)彎曲的第一部分744-1和從第二上表面部分742的第三部分742-3的一側(cè)彎曲的第二部分744-2。
[0228]第二側(cè)表面部分744的第一部分744-1和第二部分744_2可以被彎曲成位于第二引線框架630的相同側(cè)處。第二側(cè)表面部分744的第一部分744-1可以與第一側(cè)表面部分714間隔開并且位于第一側(cè)表面部分714的一側(cè)處(例如，在左側(cè)處)。第二側(cè)表面部分744的第二部分744-2可以與第一側(cè)表面部分714間隔開并且位于第一側(cè)表面部分714的另一側(cè)處(例如，在右側(cè)處)。第一側(cè)表面部分714和第二側(cè)表面部分744可以位于相同的平面上?？傊?，如在圖28中示例性地示出的，第一側(cè)表面部分714和第二側(cè)表面部分744可以從封裝本體610的相同側(cè)表面被暴露。第二側(cè)表面部分744可以具有0.4mm?0.5mm的第一方向長度A和1.05mm?1.15mm的第三方向長度G。
[0229]第二上表面部分742的第一部分742-1和第三部分742_3中的每一個均可以在其一個側(cè)表面處被設(shè)置有階梯部分gl。例如，階梯部分gl可以位于緊鄰如下位置，該位置是第二上表面部分742的第一部分742-1的一個側(cè)表面和第二側(cè)表面部分744的第一部分744-1的一個側(cè)表面彼此相接的位置。該實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)輻射面積和輻射效率增加，這是因?yàn)槲挥趯?yīng)于階梯部分gl的第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714借助于階梯部分gl可以增加面積。這是因?yàn)榈谝灰€框架620的面積與發(fā)光芯片642和644的輻射有關(guān)。
[0230]第二上表面部分742的第一部分742-1和第三部分742_3中的每一個均可以在其另一側(cè)表面處被設(shè)置有階梯部分g2。階梯部分g2被設(shè)置的原因是為了允許，用于將發(fā)光二極管封裝200-1結(jié)合到柔性板10的結(jié)合材料(例如，焊料)被容易可視。
[0231 ] 第一引線框架620的第一側(cè)表面部分714和第二引線框架630的第二側(cè)表面部分744可以被安裝成接觸根據(jù)實(shí)施例的光源模塊100-1至100-21的柔性板10。這樣，發(fā)光芯片640可以在導(dǎo)光層40的橫向方向3上發(fā)射光。即，發(fā)光二極管封裝200-1可以具有側(cè)視型結(jié)構(gòu)。
[0232]齊納二極管654可以被放置在第二引線框架630上以便于增強(qiáng)發(fā)光二極管封裝200-1的耐受電壓。例如，齊納二極管645可以被放置在第二引線框架630的第二上表面部分742上。
[0233]第一發(fā)光芯片642可以經(jīng)由第一電線652被電連接到第二引線框架630，第二發(fā)光芯片644可以經(jīng)由第二電線654被電連接到第二引線框架630，并且齊納二極管645可以經(jīng)由第三電線656被電連接到第一引線框架620。
[0234]例如,第一電線652可以在其一端處被連接到第一發(fā)光芯片642并且在其另一端處被連接到突出702。另外，第二電線654可以在其一端處被連接到第二發(fā)光芯片644并且在其另一端處被連接到突出702。
[0235]發(fā)光二極管封裝200-1可以進(jìn)一步包括填充腔體601以包封發(fā)光芯片的樹脂層(未示出)。樹脂層可以是由無色透明的聚合物樹脂材料，諸如環(huán)氧樹脂或者硅樹脂形成。
[0236]發(fā)光二極管封裝200-1可以在沒有使用熒光物質(zhì)的情況下僅使用紅色發(fā)光芯片來發(fā)射紅色光，但不限于此。樹脂層可以包含熒光物質(zhì)以變化從發(fā)光芯片640發(fā)射的光的波長。例如，即使除了紅色發(fā)光芯片之外的其它顏色的發(fā)光芯片被使用，可以通過使用熒光物質(zhì)變化光的波長來實(shí)現(xiàn)能夠發(fā)射所期望顏色光的發(fā)光二極管封裝。
[0237]圖35示出根據(jù)另一實(shí)施例的第一引線框架620-1和第二引線框架630。與圖32的那些相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件，并且在上面已經(jīng)描述的這些相同部件將不會被重復(fù)地描述或者被簡要地描述。
[0238]參考圖35，與在圖32中示出的第一引線框架620相比較，從第一引線框架620_1省略第三連接部分736。在這樣的情況下，第一引線框架620-1可以具有與在第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714’之間的邊界緊鄰的單個通孔720-1。第一連接部分732可以位于通孔720-1的一側(cè)處并且第二連接部分734可以位于通孔720-1的另一側(cè)處。
[0239]圖36示出根據(jù)另一實(shí)施例的第一引線框架620-2和第二引線框架630-1。與圖32的那些相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件，并且在上面已經(jīng)描述了的這些相同部件將不會被重復(fù)地描述或者將會被簡要地描述。
[0240]參考圖36，與在圖32中示出的第一上表面部分712相比較，從第一引線框架620-2的第一上表面部分712’可以省略凹槽701。另外，與在圖32中示出的第二引線框架630的第二上表面部分742的第二部分742-2相比較，可以從第二引線框架630-1的第二上表面部分742’的第二部分742-2’省略突出702。其它的部件可以與圖32的上述相同。
[0241]圖37示出根據(jù)另一實(shí)施例的第一引線框架620-3和第二引線框架630。與圖32的那些相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件，并且在上面已經(jīng)描述了的這些相同部件將不會被重復(fù)地描述或者將會被簡要地描述。
[0242]參考圖37，通過在圖32中示出的第一引線框架620的連接部分732、734以及736中的至少一個中形成精細(xì)的通孔h1、h2以及h3可以獲得第一引線框架620-3。
[0243]第一引線框架620-3的連接部分732-1、734-1以及736-1中的至少一個可以具有精細(xì)的通孔h1、h2以及h3，該精細(xì)的通孔h1、h2以及h3被形成在第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714之間的邊界處。在這樣的情況下，精細(xì)的通孔hl、h2以及h3可以具有比通孔722和724的第一方向長度Dll和D12或者第二方向長度D2小的直徑。另外，被形成在第一連接部分732-1和第二連接部分734-1中的精細(xì)的通孔hi和h2的數(shù)目可以大于被形成在第三連接部分736-1中的精細(xì)的通孔h3的數(shù)目，但不限于此。另外，精細(xì)的通孔h1、h2以及h3可以具有圓形、橢圓形或者多邊形。精細(xì)的通孔h1、h2以及h3使第一引線框架620-3能夠容易彎曲并且增強(qiáng)第一引線框架620-3和封裝本體610之間的聯(lián)接強(qiáng)度。
[0244]圖38不出根據(jù)另一實(shí)施例的第一引線框架620-4和第二引線框架630。與圖32的那些相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件，并且在上面已經(jīng)描述了的這些相同部件將不會被重復(fù)地描述或者將會被簡要地描述。
[0245]參考圖38，第一引線框架620-4包括第一上表面部分712”和第一側(cè)表面部分714”。第一上表面部分712”和第一側(cè)表面部分714”是在圖32中示出的第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714的可替代實(shí)施例。更具體地，與在圖32中示出的第一引線框架620的第一上表面部分712和第一側(cè)表面部分714相比較，從第一引線框架620-4省略通孔722和724，并且多個精細(xì)的通孔h4被形成以便在不具有通孔722和724的第一上表面部分712”和第一側(cè)表面部分714”之間的邊界Q的區(qū)域Q2中被彼此間隔開。
[0246]在第一上表面部分712”和第一側(cè)表面部分714”之間的邊界Q可以被劃分成第一邊界區(qū)域Q1、第二邊界區(qū)域Q2以及第三邊界區(qū)域Q3。第一邊界區(qū)域Ql可以對應(yīng)于或者對準(zhǔn)第一發(fā)光芯片642,第二邊界區(qū)域Q2可以對應(yīng)于或者對準(zhǔn)第一發(fā)光芯片642,并且第三邊界區(qū)域Q3可以位于第一邊界區(qū)域Ql和第二邊界區(qū)域Q2之間。例如，第一邊界區(qū)域Ql可以對應(yīng)于在圖32中示出的第一連接部分732，并且第二邊界區(qū)域Q2可以對應(yīng)于在圖32中示出的第二連接部分734。
[0247]第一邊界區(qū)域Ql和第二邊界區(qū)域Q2可以用作傳遞在第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644中產(chǎn)生的熱的通道，并且精細(xì)的通孔h4可以用于促進(jìn)在第一上表面部分712”和第一側(cè)表面部分714”之間的邊界處的容易彎曲。雖然圖38示出精細(xì)的通孔h4具有相同的直徑并且被彼此間隔開相同的距離，但是實(shí)施例不限于此。在一些實(shí)施例中，精細(xì)的通孔h4中的至少一個可以具有不同的直徑，或者可以與相鄰的精細(xì)的通孔間隔開不同的距離。
[0248]圖39示出根據(jù)另一實(shí)施例的第一引線框架620和第二引線框架630_2。圖39的第二引線框架630-2可以是在圖32中示出的第二引線框架630的可替代實(shí)施例。與圖32的那些相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件，并且在上面已經(jīng)描述了的這些相同部件將不會被重復(fù)地描述或者將會被簡要地描述。
[0249]參考圖39，不同于在圖32中示出的第二上表面部分742的第二部分742_2，在圖39中示出的第二上表面部分742”的第二部分742-2”被斷開以便不將第一部分742-1和第三部分742-3彼此連接。
[0250]第二引線框架630-2的第二上表面部分742”可以包括第一部分742_1、第二部分742-2”以及第三部分742-3。第一至第三部分742-1、742-2”以及742-3可以分別被布置在與第一引線框架620的第一上表面部分712的側(cè)中的相對應(yīng)的一個的周圍。
[0251]第二上表面部分742”的第二部分742-2”可以被劃分成被連接到第一部分742_1的第一區(qū)域704和被連接到第三部分742-3的第二區(qū)域705，第一區(qū)域和第二區(qū)域被彼此間隔開。在第一區(qū)域704和第二區(qū)域705之間的空間706被填充有封裝本體610，這可以增強(qiáng)在封裝本體610和第二引線框架630-2之間的聯(lián)接強(qiáng)度。在圖39中示出的第二引線框架630-2可以被劃分成可以被彼此電隔離的第一子框架744-1、742-1以及704和第二子框架744-2,742-3 以及 705。
[0252]圖40是示出根據(jù)另一實(shí)施例的第一引線框架810和第二引線框架820。
[0253]參考圖40，第一引線框架810可以包括第一上表面部分812和從第一上表面部分812的第一側(cè)彎曲的第一側(cè)表面部分814和第二側(cè)表面部分816。發(fā)光芯片642和644可以被放置在第一上表面部分812上。
[0254]第一上表面部分812可以在其第二側(cè)處被設(shè)置有一個或者更多個第一凹槽803和804和一個第一突出805。在這樣的情況下，第一上表面部分812的第二側(cè)可以被布置成面對第一上表面部分812的第一側(cè)。例如，第一上表面部分812的第二側(cè)可以被設(shè)置有兩個第一凹槽803和804和位于第一凹槽803和804之間的單個第一突出805，但不限于此。第一凹槽803和804可以具有與下面將會描述的第二引線框架820的第二突出813和814的形狀相對應(yīng)的形狀，并且第一突出805可以具有與被形成在第一引線框架820中的第二凹槽815 (未示出)的形狀相對應(yīng)的形狀。在圖40中示出的第一凹槽803和804和第一突出805具有矩形的形狀，但不限于此，并且可以具有諸如圓形、多邊形或者橢圓形的各種形狀中的任一。發(fā)光芯片642和644可以被放置在第一凹槽803和804的兩側(cè)處的第一上表面部分812上。
[0255]第一側(cè)表面部分814可以被連接到第一上表面部分812的第一側(cè)的一個區(qū)域，第二側(cè)表面部分816可以被連接到第一上表面部分812的第一側(cè)的另一區(qū)域，并且第一側(cè)表面部分814和第二側(cè)表面部分816可以被彼此間隔開。第一側(cè)表面部分814和第二側(cè)表面部分816可以從封裝本體610的相同側(cè)表面被暴露。
[0256]第一引線框架810可以具有被形成在第一上表面部分812和第一側(cè)表面部分814中的至少一個中的一個或者更多個通孔820。例如，第一引線框架810可以具有與在第一上表面部分812和第一側(cè)表面部分814之間的邊界緊鄰的一個或者更多個通孔840。通孔820可以具有與圖32和圖34的上述相同的構(gòu)造并且可以具有相同的功能。
[0257]第一引線框架810可以具有連接部分852、854以及856，該連接部分852、854以及856將第一上表面部分812和第一側(cè)表面部分814彼此連接，這些連接部分位于緊鄰在第一上表面部分812和第一側(cè)表面部分814之間的邊界801并且通過通孔840被彼此間隔開。連接部分852、854以及856可以具有與圖32和圖34的上述相同的構(gòu)造和功能。第一引線框架810可以具有與發(fā)光芯片642或者644相對應(yīng)或者位于緊鄰發(fā)光芯片642或者644的至少一個連接部分。
[0258]與發(fā)光芯片642或者644相對應(yīng)或者位于緊鄰發(fā)光芯片642或者644的連接部分(例如，852和854)可以具有比不對應(yīng)于或者不位于緊鄰發(fā)光芯片642和644的連接部分(例如，856)的第一方向長度大的第一方向長度。
[0259]為了增強(qiáng)與封裝本體620的聯(lián)接強(qiáng)度和用于防止?jié)駳馊肭值臍饷苄裕诙?cè)表面部分814的側(cè)表面的下端可以在橫向方向上突出。
[0260]第二引線框架820可以位于在第一引線框架810的至少一側(cè)的周圍。第二引線框架820可以包括第二上表面部分822和第三側(cè)表面部分824。根據(jù)第二上表面部分822在第一上表面部分812周圍的位置,第二上表面部分822可以被劃分成第一部分832和第二部分834。
[0261]第二上表面部分822的第二部分834可以對應(yīng)于或者面對第一上表面部分812的第二側(cè)。第二上表面部分822的第一部分832可以被連接到第二部分834的一端，并且可以對應(yīng)于或者面對第一上表面部分812的第三側(cè)。第三側(cè)可以垂直于第一側(cè)或者第二側(cè)。
[0262]第二上表面部分822的第二部分834可以具有與第一上表面部分812的第一凹槽803和804相對應(yīng)的第二突出813和814。第二突出813和814是用于與第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644電線結(jié)合的區(qū)域,并且可以位于第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644之間以便于簡易的電線結(jié)合。
[0263]第三側(cè)表面部分824可以從第二上表面部分822向下彎曲給定的角度(例如，90° )。例如，第三側(cè)表面部分824可以從第二上表面部分822的第一部分832的一側(cè)被彎曲。第二側(cè)表面部分816和第三側(cè)表面部分824可以基于第一側(cè)表面部分814而彼此水平地對稱。為了增強(qiáng)與封裝本體620的聯(lián)接強(qiáng)度和用于防止?jié)駳馊肭值臍饷苄?，第三?cè)表面部分824的側(cè)表面的下端可以在橫向方向上突出。第一側(cè)表面部分814、第二側(cè)表面部分816以及第三側(cè)表面部分824可以從封裝本體610的相同側(cè)表面被暴露。
[0264]圖41是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝200-2的透視圖，圖42是示出在圖41中示出的發(fā)光二極管封裝200-2的頂視圖，圖43是示出在圖41中示出的發(fā)光二極管封裝200-2的前視圖，圖44是沿著在圖41中示出的發(fā)光二極管封裝200-2的線CD截取的截面圖，并且圖45是示出在圖41中示出的第一引線框架620’和第二引線框架630’的視圖。與圖28至圖32的那些相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件，并且在上面已經(jīng)描述了的這些相同部件將不會被重復(fù)地描述或者將會被簡要地描述。
[0265]參考圖41至圖45，發(fā)光二極管封裝200-2的第一引線框架620’可以包括第一上表面部分932和第一側(cè)表面部分934。不同于在圖32中不出的第一上表面部分712,在圖45中示出的第一上表面部分932不具有凹槽。另外，與在圖32中示出的第二上表面部分742相比較，可以從第二引線框架630’的第二上表面部分742省略第二部分742-2。
[0266]第一側(cè)表面部分934可以具有與在圖32中示出的第一側(cè)表面部分714相同的構(gòu)造。第一上表面部分932的第一方向長度Pl可以小于在圖32中不出的第一上表面部分712的長度,并且第一上表面部分932的第二方向長度J2可以大于第一上表面部分712的第二方向長度Jl。例如，第一上表面部分932可以具有4.8mm?4.9mm的第一方向長度Pl和0.67mm?0.77mm的第二方向長度J2。這樣，圖41的實(shí)施例使能夠安裝較大尺寸的發(fā)光芯片，這是因?yàn)榈谝簧媳砻娌糠?32具有比在圖32中示出的第一上表面部分712的面積大的面積。第一側(cè)表面部分944、通孔722和724、以及連接部分可以分別具有與圖33的上述相同的尺寸。
[0267]第二引線框架630’可以包括第二上表面部分942和第二側(cè)表面部分944。第二上表面部分942可以包括位于第一上表面部分932的第三側(cè)周圍的第一部分942-1和位于第一上表面部分932的第四側(cè)周圍的第二部分942-2。第一上表面部分932的第三側(cè)可以垂直于第一上表面部分932的第一側(cè)并且第一上表面部分932的第四側(cè)可以被布置成面對第一上表面部分932的第三側(cè)。
[0268]第二上表面部分942的第一部分942-1和第二部分942_2可以被彼此間隔開并且被彼此電隔離。
[0269]第二側(cè)表面部分944可以包括被連接到第二上表面部分942的第一部分942_1的第一部分944-1和被連接到第二上表面部分942的第二部分942-2的第二部分944-2。第二上表面部分942的第一部分944-1和第二部分942-2的第一方向長度P2可以大于在圖32中示出的第二上表面部分742的第一部分742-1和第三部分742-3的第一方向長度H2。
[0270]例如，第二上表面部分942的第一部分942-1和第二部分942_2可以具有
1.04mm?1.14mm的第一方向長度P2和0.45mm?0.55mm第二方向長度P3。
[0271]在引線框架陣列中，第一上表面部分932可以具有支撐第一引線框架620’的突出部分S22，該突出部分具有0.14mm?0.24mm的第一方向長度。
[0272]第一發(fā)光芯片642可以經(jīng)由第一電線653被電連接到第二上表面部分942的第一部分942-1，并且第二發(fā)光芯片644可以經(jīng)由第二電線655被電連接到第二上表面部分942的第一部分942-2。
[0273]第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644兩者可以發(fā)射相同波長范圍的光。例如，第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644可以是產(chǎn)生紅色光的紅色發(fā)光芯片。
[0274]另外，第一發(fā)光芯片642可以發(fā)射具有不同波長范圍的光。例如，第一發(fā)光芯片642可以是紅色發(fā)光芯片并且第二發(fā)光芯片644可以是黃色發(fā)光芯片。被安裝在根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝200-2中的第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644可以單獨(dú)地操作。
[0275]第一電力(例如，負(fù)電力)可以被供應(yīng)到第一引線框架620’并且第二電力(例如，正電力)可以被供應(yīng)到第二引線框架630’。因?yàn)榈诙€框架630’被劃分成兩個被電隔離的部分942-1和944-1與942-2和944-2，所以第一引線框架620’用作公共電極并且第二電力被供應(yīng)到第二引線框架630’的第二上表面部分942的第一部分942-1和第二部分942-2，這使第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644能夠單獨(dú)地操作。
[0276]因此，當(dāng)在圖41中示出的發(fā)光二極管封裝200-2被安裝在根據(jù)實(shí)施例的光源模塊100-1至100-21中時，光源模塊100-1至100-21可以產(chǎn)生各種顏色的平面光源。例如，在其中僅操作第一發(fā)光芯片642的實(shí)施例中，可以產(chǎn)生紅色平面光源，并且在其中僅操作第二發(fā)光芯片644的實(shí)施例中，可以產(chǎn)生黃色平面光源。
[0277]圖46是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝200-1和200_2的測量溫度的視圖。當(dāng)發(fā)光二極管封裝發(fā)射光時，在圖46中示出的測量溫度指示發(fā)光芯片的溫度。
[0278]情況I示出在如下情況下的發(fā)光芯片的測量溫度，其中第一引線框架的側(cè)表面部分包括第一部分、第二部分以及第三部分，并且第一部分和第二部分的第一方向長度等于第三部分的長度，情況2示出在圖26中示出的發(fā)光芯片的測量溫度，并且情況3示出在圖39中示出的發(fā)光芯片的測量溫度。
[0279]參考圖46，情況I的測量溫度tl是44.54°C，情況2的測量溫度t2是43.66°C，并且情況3的測量溫度t3是43.58 0C。
[0280]因此，通過改變第一引線框架620的第一側(cè)表面部分714的連接部分732、734以及736的設(shè)計(jì)，該實(shí)施例可以獲得被改進(jìn)的輻射效應(yīng)并且在發(fā)光期間限制被安裝在發(fā)光二極管封裝200-1和200-2中的發(fā)光芯片640的溫度的增加，這可以防止發(fā)光強(qiáng)度的減少和波長偏移的發(fā)生。
[0281]圖47是示出在圖28中示出的發(fā)光芯片640的一個實(shí)施例的視圖。在圖47中示出的發(fā)光芯片640可以是發(fā)射具有600nm?690nm的波長范圍的紅色光的豎直芯片。
[0282]參考圖47，發(fā)光芯片640包括第二電極層1801、反射層1825、發(fā)光結(jié)構(gòu)1840、鈍化層1850以及第一電極層1860。
[0283]第二電極層1801將電力供應(yīng)給與第一電極層1860結(jié)合的發(fā)光結(jié)構(gòu)1840。第二電極層1801可以包括用于引入電流的電極材料層1810、被布置在電極材料層1810上的支撐層1815以及被布置在支撐層1815上的結(jié)合層1820。第二電極層1801可以被結(jié)合到在圖32中示出的發(fā)光二極管封裝200-1的第一引線框架620，例如，第一上表面部分712。
[0284]電極材料層1810可以是由Ti/Au形成，并且支撐層1815可以是由金屬或者半導(dǎo)體材料形成。另外，支撐層1815可以是由高導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性的材料形成。例如，支撐層1815可以是由包括銅(Cu)、銅合金(Cu合金)、金(Au)、鎳(Ni)、鑰(Mo)以及銅鎢(Cu-W)中的至少一個的金屬形成，或者可以是由包括S1、Ge、GaAs> ZnO以及SiC中的至少一個的半導(dǎo)體形成。
[0285]結(jié)合層1820可以位于支撐層1815和反射層1825之間并且用于將支撐層1815結(jié)合到反射層1825。結(jié)合層1820可以包括結(jié)合金屬材料，例如，In、Sn、Ag、Nb、Pd、N1、Au以及Cu中的至少一個。結(jié)合層1820被形成用于結(jié)合支撐層1815，并且當(dāng)經(jīng)由涂鍍或者沉積形成支撐層1815時可以省略結(jié)合層1820。
[0286]反射層1825被布置在結(jié)合層1820上。反射層1825可以反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)1840直射的光，從而增強(qiáng)光提取效率。反射層1825可以是由反射金屬材料,例如,包括Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf中的至少一個的金屬或者合金形成。
[0287]另外，使用導(dǎo)電氧化物，例如，氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化銦鋅錫(ΙΖΤ0)、氧化銦鎵鋅(IGTO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銻錫(ATO)等等，以單層或者多層形式可以形成反射層1825。另外，使用金屬或者導(dǎo)電氧化物，諸如IZO/N1、AZO/Ag、IZO/Ag/N1、AZO/Ag/Ni等等可以以多層的形式形成反射層1825。
[0288]歐姆區(qū)域1830可以位于反射層1825和發(fā)光結(jié)構(gòu)1840之間。歐姆區(qū)域1830是用于歐姆接觸發(fā)光結(jié)構(gòu)1840的區(qū)域并且用于確保將電力順暢地供應(yīng)到發(fā)光結(jié)構(gòu)1840。
[0289]通過促使歐姆接觸材料接觸發(fā)光結(jié)構(gòu)1840可以形成歐姆區(qū)域1830，該歐姆接觸材料包括Be、Au、Ag、N1、Cr、T1、Pd、Ir、Sn、Ru、Pt以及Hf中的至少一個。例如，歐姆區(qū)域1830可以包括AuBe并且可以具有點(diǎn)形狀。
[0290]發(fā)光結(jié)構(gòu)1840可以包括窗口層1842、第二半導(dǎo)體層1844、有源層1846以及第一半導(dǎo)體層1848。窗口層1842是被布置在反射層1825上的半導(dǎo)體層并且可以包括GaP的合成物。在一些實(shí)施例中，窗口層1842可以被省略。
[0291]第二半導(dǎo)體層1844被布置在窗口層1842上。第二半導(dǎo)體層1844可以是由II1-V或者I1-VI族化合物半導(dǎo)體形成，并且可以被摻雜有第二導(dǎo)電摻雜質(zhì)。例如，第二半導(dǎo)體層 1844 可以包括 AlGaInP、GaInP、AlInP、GaN, AIN、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs、GaP、GaAs以及GaAsP中的任意一個,并且可以被摻雜有P型摻雜質(zhì)(例如，Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba)。更具體地，第二半導(dǎo)體層1844的合成物可以是被摻雜有P型摻雜質(zhì)的AlGaInP0
[0292]有源層1846可以被插入在第二半導(dǎo)體層1844和第一半導(dǎo)體層1848之間，并且可以經(jīng)由由第二半導(dǎo)體層1844和第一半導(dǎo)體層1848提供的電子和空穴的復(fù)合產(chǎn)生的能量產(chǎn)生光。
[0293]有源層1846可以是由II1-V或者I1-VI族化合物半導(dǎo)體形成并且可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)或者量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。
[0294]例如，有源層1846可以具有單或者多量子阱結(jié)構(gòu)，該單或者多量子阱結(jié)構(gòu)具有阱層和阻擋層。阱層可以是由具有比阻擋層的能帶隙小的能帶隙的材料形成。例如，有源層1846可以是由AlGaInP或者GaInP形成。
[0295]第一半導(dǎo)體層1848可以是由化合物半導(dǎo)體形成。第一半導(dǎo)體層1848可以是由II1-V或者I1-VI族化合物半導(dǎo)體形成并且可以被摻雜有第一導(dǎo)電摻雜質(zhì)。例如，第一半導(dǎo)體層 1848 可以包括 AlGaInP、GaInP、AlInP、GaN、AlN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN, AlInN,AlGaAs、GaP、GaAs以及GaAsP中的任意一個，并且可以被摻雜有η型摻雜質(zhì)(例如，S1、Ge以及Sn) ο
[0296]發(fā)光結(jié)構(gòu)1840可以產(chǎn)生具有600nm?690nm的波長范圍的紅色光，并且第一半導(dǎo)體層1848、有源層1846以及第二半導(dǎo)體層1844可以具有用于產(chǎn)生紅色光的合成物。為了增加光提取效率，半導(dǎo)體層1848可以具有粗糙的上表面1870。
[0297]鈍化層1850被形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)1840的側(cè)表面處。鈍化層1850用于電保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)1840。鈍化層1850可以是由絕緣材料，例如，Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4或者Al2O3形成。鈍化層1850可以被布置在第一半導(dǎo)體層1848的上表面的至少一部分上。
[0298]第一電極層I860可以被布置在第一半導(dǎo)體層1848上并且具有規(guī)定的圖案。第一電極層1860可以以單層或者多層的形式形成。例如，第一電極層1860可以包括被彼此順序地堆疊的第一層1862、第二層1864以及第三層1866。第一層1862可以歐姆接觸第一半導(dǎo)體層1848并且是由GaAs形成。第二層1864可以是由AuGe/Ni/Au合金形成。第三層1866可以是由Ti/Au合金形成。
[0299]如在圖28和圖41中示例性地示出，第一電極層1860可以經(jīng)由電線652、654、653或者655被電結(jié)合到第二引線框架630或者630’。
[0300]通常，發(fā)光芯片的溫度的增加引起波長偏移的發(fā)生和發(fā)光強(qiáng)度的減少。與產(chǎn)生藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)光芯片和產(chǎn)生黃光的黃色發(fā)光芯片相比較，由于溫度的增加而導(dǎo)致的這樣的波長偏移和發(fā)光強(qiáng)度的減少在產(chǎn)生紅色光的紅色發(fā)光芯片中是非常嚴(yán)重的。因此，在使用紅色發(fā)光芯片的發(fā)光二極管封裝和光源模塊的情況下，非常重要的是，提供用于限制發(fā)光芯片的溫度的增加的措施。
[0301]根據(jù)實(shí)施例被包括在發(fā)光燈I中的光源模塊100-1至100-21和發(fā)光二極管封裝200-2和200-2可以實(shí)現(xiàn)如上所述的被增強(qiáng)的輻射效率，從而限制發(fā)光芯片的溫度的增加，即使使用紅色發(fā)光芯片，這可以防止波長偏移的發(fā)生并且減少發(fā)光強(qiáng)度。
[0302]圖48是不出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光燈2的視圖。參考圖48,發(fā)光燈2包括外殼1310、光源模塊1320、擴(kuò)散板1330以及微透鏡陣列1340。
[0303]外殼1310可以被構(gòu)造成容納光源模塊1320、擴(kuò)散板1330以及微透鏡陣列1340并且是由透光材料形成。
[0304]光源模塊1320可以是上述實(shí)施例100-1至100-21中的任意一個?？商娲?，光源模塊1320可以是其中不包括擴(kuò)散板70的實(shí)施例100-1至100-3、100-7、100-8、100-12、100-13以及100-20中的任意一個。可替代地，光源模塊1320可以是從其省略擴(kuò)散板70的實(shí)施例100-4至100-6、100-9至100-11以及100-14至100-21中的任意一個。
[0305]擴(kuò)散板1330可以用于遍及其表面將已經(jīng)經(jīng)過光源模塊1320的光均勻地?cái)U(kuò)散。擴(kuò)散板1330可以是由與上述擴(kuò)散板70相同的材料形成，但不限于此。在一些實(shí)施例中，擴(kuò)散板1330可以被省略。
[0306]微透鏡陣列1340可以包括被布置在基膜1342上的多個微透鏡1344。各個微透鏡1344可以被彼此間隔開預(yù)定的距離。各個微透鏡1344可以以50?500微米的間距被彼此間隔開并且平坦的平面可以存在于各個微透鏡1344之間。
[0307]雖然圖48示出擴(kuò)散板1330和微透鏡陣列1340為單獨(dú)的部件，但是在一些實(shí)施例中，擴(kuò)散板1330和微透鏡陣列1340可以彼此一體化。
[0308]圖50是示出根據(jù)實(shí)施例的汽車尾燈900-2的視圖，并且圖51是示出通用汽車尾燈的視圖。
[0309]參考圖50,汽車尾燈900-2可以包括第一光源模塊952、第二光源模塊954、第三光源模塊956以及外殼970。
[0310]第一光源模塊952可以是用作轉(zhuǎn)向信號燈的光源，第二光源模塊954可以是用作側(cè)方標(biāo)示燈的光源，并且第三光源模塊956可以是用作剎車燈的光源，但不限于此，并且這些光源模塊的角色可以被互換。
[0311]外殼970可以被構(gòu)造成容納第一至第三光源模塊952、954以及956并且是由透光材料形成。根據(jù)車身的設(shè)計(jì)外殼970可以具有曲率。第一至第三光源模塊952、954以及956中的至少一個可以是上述實(shí)施例100-1至100-21中的任意一個。
[0312]尾燈必須在汽車的停止期間發(fā)射具有100坎德拉(Cd)或者更多的強(qiáng)度的光，以實(shí)現(xiàn)間隔距離的可視性，并且尾燈通常要求光的強(qiáng)度比上述水平大30%或者更多。另外，為了輸出這樣的30%或者更大強(qiáng)度的光，被包括在光源模塊(例如，952、954或者956)中的發(fā)光二極管封裝的數(shù)目必須被增加25%?35%或者更多，或者各個發(fā)光二極管封裝的輸出必須被增加25%?35%或者更多。
[0313]然而，由于有限的布置空間，增加發(fā)光二極管封裝的數(shù)目可能引起制造困難。因此，期望的是，通過增加被安裝在光源模塊中的各個發(fā)光二極管封裝的輸出，使用少量的發(fā)光二極管封裝實(shí)現(xiàn)所期望的光的強(qiáng)度(例如，110坎德拉或者更多)。通常通過將每個發(fā)光二極管封裝的輸出W乘以發(fā)光二極管封裝的數(shù)目來計(jì)算光源模塊的整個輸出。因此，取決于光源模塊的面積可以確定實(shí)現(xiàn)所期望光強(qiáng)度的發(fā)光二極管封裝的適當(dāng)?shù)妮敵龊蛿?shù)目。
[0314]例如，在每個均具有0.2瓦特的消耗和13流明(Im)的輸出的發(fā)光二極管封裝的情況下，37至42個發(fā)光二極管封裝可以被布置在給定的區(qū)域內(nèi)以實(shí)現(xiàn)高達(dá)大約100坎德拉的光的強(qiáng)度。另一方面，在每個均具有0.5瓦特的消耗和30流明(Im)的輸出的發(fā)光二極管封裝的情況下，有必要將僅13至15個發(fā)光二極管封裝布置在相同的區(qū)域內(nèi)以實(shí)現(xiàn)與前述值相似的光的強(qiáng)度。根據(jù)間距、導(dǎo)光層中的光擴(kuò)散材料的含量以及反射層的圖案形狀，可以確定要實(shí)現(xiàn)給定的輸出而必須被安裝在具有給定區(qū)域的光源模塊中的發(fā)光二極管封裝的數(shù)目。在此，間距可以被稱為從兩個相鄰的發(fā)光二極管封裝中的任意一個的中心到另一個的中心的距離。
[0315]發(fā)光二極管封裝通常被布置在光源模塊內(nèi)以保持其間的恒定距離。當(dāng)使用高輸出發(fā)光二極管封裝時，能夠減少發(fā)光二極管封裝的數(shù)目并且以寬的間距布置發(fā)光二極管封裝，這能夠進(jìn)行有效的空間利用。另外，當(dāng)高輸出發(fā)光二極管封裝以狹窄的間距被布置時，與發(fā)光二極管封裝以寬的間距被布置的情況相比較可以實(shí)現(xiàn)大的光的強(qiáng)度。
[0316]圖52a和圖52b是示出根據(jù)實(shí)施例的在汽車尾燈中使用的發(fā)光二極管封裝和光源模塊之間的距離的視圖。更具體地，圖52a示出在圖50中示出的第一光源模塊952，并且圖52b示出在圖50中示出的第二光源模塊954。
[0317]參考圖52a和圖52b，發(fā)光二極管封裝99_1至99_n或者98_1至98_m可以被布置在板10-1或者10-2上以便被彼此間隔開。在此，“η”是大于I的自然數(shù)，并且“m”是大于I的自然數(shù)。
[0318]雖然在兩個各自相鄰的發(fā)光二極管封裝之間的間距(例如，phl、ph2以及ph3，或者pc1、pc2以及pc3)可以不同，但是適當(dāng)?shù)拈g距范圍是8?30mm。
[0319]這是因?yàn)?，?dāng)這些間距(例如，phl、ph2以及ph3,或者pc1、pc2以及pc3)是8mm或者更少時，由于光干擾，相鄰的發(fā)光二極管封裝(例如，99-3和99-4)可能引起可感知的亮點(diǎn)，盡管此間距值可以根據(jù)發(fā)光二極管封裝99-1至99-n或者98_1至98_n的功耗而變化。另外，當(dāng)間距(例如，phl、ph2以及ph3,或者pcl、pc2以及pc3)是30mm或者更多時，因?yàn)楣饪赡懿荒艿竭_(dá)一些區(qū)域所以可能出現(xiàn)暗點(diǎn)。
[0320]如上所述，光源模塊100-1至100-21具有柔性并且可容易地安裝到具有曲率的外殼970，這可以為根據(jù)實(shí)施例的汽車尾燈900-2提供增強(qiáng)的設(shè)計(jì)自由度。
[0321]另外，根據(jù)本實(shí)施例的汽車尾燈900-2可以防止波長偏移的發(fā)生并且發(fā)光強(qiáng)度的減少，這是因?yàn)楣庠茨K100-1至100-21具有增強(qiáng)的輻射構(gòu)造。
[0322]在圖51中示出的通用汽車尾燈是點(diǎn)光源并且在發(fā)射光時在發(fā)光平面的一些點(diǎn)處引起點(diǎn)962和964，然而根據(jù)實(shí)施例的汽車尾燈900-2是平面光源，從而遍及發(fā)光平面實(shí)現(xiàn)均勻的亮度和照度。
[0323]圖53是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝300的透視圖，圖54是在圖53中示出的發(fā)光二極管封裝300的頂視圖，圖55是示出在圖53中示出的發(fā)光二極管封裝300的前視圖，圖56是示出沿著圖53中的發(fā)光二極管封裝300的線1-1I截取的橫截面的透視圖，并且圖57是示出沿著圖53中示出的發(fā)光二極管封裝300的線II1-1V截取的橫截面的透視圖。
[0324]參考圖53至圖57，發(fā)光二極管封裝300包括封裝本體1610、第一引線框架1622、第二引線框架1624、第三引線框架1626、第四引線框架1628、第一發(fā)光芯片1632、第二發(fā)光芯片1634以及電線1642和1644。
[0325]封裝本體1610可以具有與圖28的上述相同的材料或者形狀，但不限于此。例如，封裝本體1610在第一方向上(例如，沿著X軸)可以具有5.95mm?6.05mm的長度Xll并且在第二方向上(例如，沿著Y軸)可以具有1.0lmm?1.1lmm的長度Y11。封裝本體1610可以在第三方向上(例如，沿著Z軸)具有1.6mm?1.7mm的長度Y22。例如，第一方向可以是與封裝本體1610的較長側(cè)平行的方向。
[0326]封裝本體1610可以具有腔體1601，該腔體1601具有敞開的頂部并且由側(cè)壁1602和底部1603來限定。腔體1601可以具有與圖28的上述相同的形狀，但不限于此。例如，腔體1601在第一方向上(例如，沿著X軸)可以具有4.95mm?5.05mm的長度X13，在第二方向上(例如，沿著Y軸)可以具有0.64mm?0.74mm的長度X4，并且(例如，沿著Z軸)可以具有0.33mm?0.53mm的深度Y3。
[0327]第一至第四引線框架1622、1624、1626以及1628 (在下文中，被稱為“ 1622至1628”)可以被布置在封裝本體內(nèi)，以便被部分地暴露，并且可以被彼此間隔開以便被彼此電隔離。
[0328]例如，第一引線框架1622可以位于第二引線框架1624和第四引線框架1628之間，并且第三引線框架1626可以位于第一引線框架1622和第四引線框架1628之間。
[0329]封裝本體1610的一部分可以位于第一引線框架1622和第二引線框架1624之間、在第一引線框架1622和第三引線框架1626之間以及第三引線框架1626和第四引線框架1628之間。正因如此，第一至第四引線框架1622至1628可以被彼此電隔離。
[0330]在第一引線框架1622與第二引線框架1624之間的第一距離X21和在第三引線框架1626與第四引線框架1628之間的第二距離X22可以彼此相等。例如，第一距離X21和第二距離X22可以是0.15mm?0.2_。在這樣的情況下，第一距離X21和第二距離X22的下限可以是注入用于形成封裝本體的樹脂所需的最小距離。
[0331]另外，在第一引線框架1622和第三引線框架1626之間的第三距離X23可以大于第一距離X21和第二距離X22。例如,第三距離X23可以是0.3臟?0.4mm。
[0332]第一至第四引線框架1622至1628中的每一個的上表面均可以位于與腔體1601的底部1603相同的平面上。
[0333]圖58是示出在圖53中示出的第一至第四引線框架1622至1628的透視圖，并且圖59是示出在圖58中示出的第一至第四引線框架1622至1628的各個部分的尺寸的放大視圖。
[0334]參考圖58和圖59，第一至第四引線框架1622至1628分別包括上表面部分1622-1至1628-1，和從該上表面部分1622-1至1628-1的一側(cè)彎曲的側(cè)表面部分1622-2至 1628-2。
[0335]上表面部分1622-1至1628-1可以位于與腔體1601的底部1603相同的平面上并且借助于腔體1601暴露。側(cè)表面部分1622-2至1628-2可以以給定的角度從上表面部分的一側(cè)被向下彎曲并且從封裝本體1610的一個側(cè)表面被暴露。例如,在上表面部分1622-1至1628-1與側(cè)表面部分1622-2至1628-2之間的角度可以是90°或更多并且在180°以下。
[0336]第一引線框架1622可以包括第一上表面部分1622-1和從第一上表面部分1622-1的一側(cè)彎曲的第一側(cè)表面部分1622-2。另外，第二引線框架1624可以包括第二上表面部分1624-1和從第二上表面部分1624-1的一側(cè)彎曲的第二側(cè)表面部分1624-1。另外，第三引線框架1626可以包括第三上表面部分1626-1和從第三上表面部分1626-1的一側(cè)彎曲的第三側(cè)表面部分1626-1。另外，第四引線框架1628可以包括第四上表面部分1628-1和從第四上表面部分1628-1的一側(cè)彎曲的第四側(cè)表面部分1628-1。
[0337]第一至第四上表面部分1622-1至1628-1可以位于與腔體1601的底部1603相同的平面上并且借助于腔體1601被暴露。第一發(fā)光芯片1632可以被放置在第一引線框架1622的第一上表面部分1622-1上，并且第二發(fā)光芯片1634可以被放置在第三引線框架1626的第三上表面部分1626-1上。
[0338]基于切割線II1-1V，第一引線框架1622和第三弓I線框架1626可以彼此對稱，并且第二引線框架1624和第四引線框架1628可以彼此對稱。由于在引線框架1622和1626之間與在引線框架1624和1628之間的對稱關(guān)系，經(jīng)由注入樹脂可以有效地和均勻地形成封裝本體1610并且可以將發(fā)光芯片1632和1634安裝在引線框架1622和1626上以便彼此沒有偏尚。
[0339]第一上表面部分1622-1和第三上表面部分1626-1均在第一方向上(沿著X軸)具有1.37mm?1.47mm的長度II,并且在第二方向上(沿著Y軸)具有0.6mm?0.7mm的長度12。
[0340]第一上表面部分1622-2可以具有被連接到第一上表面部分1622-1的第一上端部分1712和被連接到第一上端部分1712并且位于第一上端部分1712下方的第一下端部分1714。第三側(cè)表面部分1626-2可以具有被連接到第三上表面部分1626-1的第二上端部分1722和被連接到第二上端部分1722并且位于第二上端部分1722下方的第二下端部分1724。
[0341]第一上端部分1712和第二上端部分1722每個均在第三方向上(沿著Z軸)可以具有0.6mm?0.7mm的長度L3，并且第一下端部分1714和第二下端部分1724每個均可以具有0.4mm?0.5mm的第三方向長度L4。
[0342]第一上端部分1712的側(cè)表面和第一下端部分1714的側(cè)表面可以是階梯的，并且第二上端部分1722的側(cè)表面和第二下端部分1724的側(cè)表面可以是階梯的。此階梯的側(cè)表面用于增強(qiáng)與封裝本體610的聯(lián)接強(qiáng)度并且增強(qiáng)用于防止?jié)駳馊肭值臍饷苄浴?br> [0343]例如，第一下端部分1714的一側(cè)端(例如，左端)可以從第一上端部分1712的側(cè)表面(例如，左表面)在橫向方向上突出。另外，第二下端部分1724的一側(cè)端(例如，右端)可以從第二上端部分1722的側(cè)表面(例如，右表面)在橫向方向上突出。
[0344]第一上端部分1712和第二上端部分1722每個均可以具有1.08mm?1.18mm的第一方向長度LI，并且第一下端部分1714和第二下端部分1724每個均可以具有1.38mm?1.48mm的第一方向長度L2。S卩，第一至第四框架中的每一個均可以具有0.1mm?0.2mm的厚度til。
[0345]第二引線框架1624的第二上表面部分1624-1可以位于第一上表面部分1622-1的一側(cè)(例如，左側(cè))處，并且第四引線框架1628的第四上表面部分1628-1可以位于第三上表面部分1626-1的一側(cè)(例如,右側(cè))處。
[0346]第二上表面部分1624-1和第四上表面部分1628-1每個均可以在第一方向上(沿著X軸)具有0.7mm?0.8mm的長度H21，并且在第二方向上(沿著Y軸)具有0.65mm?0.75mm 的長度 HlI。
[0347]第二側(cè)表面部分1624-2和第四側(cè)表面部分1628-2每個均可以具有0.4mm?0.5mm的第一方向長度Al和1.05mm?1.15mm的第三方向長度Gl。
[0348]如在圖53中示例性地示出的，第一至第四上表面部分1622-1至1628-1中的每一個均可以從腔體1601被至少部分地暴露，并且第一至第四側(cè)表面部分1622-2至1628-2中的每一個均可以從封裝本體1610的相同表面(例如，下表面)被至少部分地暴露。
[0349]第一上表面部分1622-1和第二上表面部分1624-1的相鄰面對的側(cè)表面1401和1402可以具有相同的長度。另外,第三上表面部分1626-1和第四上表面部分1628-1的相鄰面對的側(cè)表面1403和1404可以具有相同的長度。
[0350]第一上表面部分1622-1和第二上表面部分1624-1的面對的側(cè)表面1401和1402可以具有階梯部分gll和gl2。另外，第三上表面部分1626-1和第四上表面部分1628-1的面對的側(cè)表面1403和1404可以具有階梯部分g21和g22。例如，階梯部分gll、gl2、g21以及g22可以是直角部分。
[0351]例如，階梯部分gll、gl2、g21以及g22可以緊鄰如下位置定位，該位置是上表面部分1622-1至1628-1和側(cè)表面部分1622-2至1628-2彼此相接的位置。
[0352]由于階梯部分gll、gl2、g21以及g22，第一側(cè)表面部分1622-2和第三側(cè)表面部分1626-2可以被設(shè)計(jì)成具有比第二側(cè)表面部分1624-2和第四側(cè)表面部分1628-2的面積大的面積。因此，該實(shí)施例可以通過增加第一引線框架1622和第三引線框架1626的面積來實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的輻射效率，在該第一引線框架1622和第三引線框架1626上安裝發(fā)光芯片1632和1634。這是因?yàn)榈谝灰€框架1622和第三引線框架1626的面積與發(fā)光芯片1632和1634的福射有關(guān)。
[0353]第二上表面部分1624-1和第四上表面部分1628-1的側(cè)表面1405和1406可以具有階梯部分gl3和g23。階梯部分gl3和g23可以位于側(cè)表面1405和1406處，這些側(cè)表面1405和1406分別面對第二上表面部分1624-1的側(cè)表面1401和第四上表面部分1628-1的側(cè)表面1404。另外，階梯部分gl3和g23可以位于緊鄰第二上表面部分1624-1和第二側(cè)表面部分1624-2彼此相接的位置和第四上表面部分1628-1和第四側(cè)表面部分1628-2彼此相接的位置。
[0354]階梯部分gl3和g23存在的理由是，為了允許用于將發(fā)光二極管封裝300-1結(jié)合到柔性板10的結(jié)合材料(例如，焊料)是容易可視的。
[0355]第二上表面部分1624-1和第四上表面部分1628-1的其它側(cè)表面1407和1408可以具有階梯部分g31和g32。在這樣的情況下，階梯部分g31可以存在于側(cè)表面1407處，該側(cè)表面1407面對第二上表面部分1624-1和第二側(cè)表面部分1624-2彼此相接的側(cè)表面，并且階梯部分g32可以存在于側(cè)表面1408處,該側(cè)表面1408面對第四上表面部分1628-1和第四側(cè)表面部分1628-2彼此相接的側(cè)表面。
[0356]第一至第四側(cè)表面部分1622-2至1628-2可以被安裝成接觸根據(jù)實(shí)施例的光源模塊100-1至100-21的柔性板10，這可以允許發(fā)光芯片1632和1634朝向?qū)Ч鈱?0的側(cè)表面在橫向方向3上發(fā)射光。即，發(fā)光二極管封裝300可以具有側(cè)視型結(jié)構(gòu)。
[0357]第一發(fā)光芯片1632可以被安裝在第一引線框架1622的第一上表面部分1622-1上并且借助于第一電線1642被電連接到第二引線框架1624的第二上表面部分1624-1。第二發(fā)光芯片1634可以被安裝在第三引線框架1626的第三上表面部分1626-1上并且借助于第二電線1644被電連接到第四引線框架1628的第四上表面部分1628-1。
[0358]發(fā)光二極管封裝300可以進(jìn)一步包括填充腔體1601的樹脂層(未示出)以包封發(fā)光芯片1632和1634。樹脂層可以是由諸如環(huán)氧樹脂或者硅樹脂的無色透明的聚合物樹脂材料形成。
[0359]第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634可以產(chǎn)生具有不同的波長范圍的光。例如，第一發(fā)光芯片1632可以是豎直芯片，該豎直芯片發(fā)射具有600nm?690nm的波長范圍的紅色光。優(yōu)選地，第一發(fā)光芯片1632可以發(fā)射具有615nm?630nm的波長范圍的光。
[0360]例如,第一發(fā)光芯片1632可以具有在上面參考圖47描述的豎直發(fā)光芯片結(jié)構(gòu)。第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634每個均可以具有355 μ mx355 μ m的尺寸。
[0361]第二發(fā)光芯片1634可以是豎直芯片，該豎直芯片發(fā)射具有550nm?600nm的波長范圍的琥拍色的光。優(yōu)選地，從第二發(fā)光芯片1634發(fā)射的光可以具有589nm的波長。第二發(fā)光芯片1634可以具有在圖47中示出的豎直發(fā)光芯片結(jié)構(gòu)。為了產(chǎn)生具有不同的波長范圍的光，第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634可以包括不同成分的半導(dǎo)體層。另外,第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634可以在驅(qū)動電流、發(fā)光強(qiáng)度等等方面不同。
[0362]例如，第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634中的每一個的第一半導(dǎo)體層1848和第二半導(dǎo)體層 1844 均可以包括 AlGaInP、AlN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs 以及 AlInP中的任意一個。第一發(fā)光芯片1632的第一半導(dǎo)體層1848和第二半導(dǎo)體層1844中的每一個均可以包括含量是0.65?0.75的Al，并且第二發(fā)光芯片1634的第一半導(dǎo)體層1848和第二半導(dǎo)體層1844中的每一個均可以包括含量是0.85?0.95的Al。
[0363]因?yàn)榈诙l(fā)光芯片1634的第一半導(dǎo)體層1848和第二半導(dǎo)體層1844中的Al含量大于第一發(fā)光芯片1632的第一半導(dǎo)體層1848和第二半導(dǎo)體層1844中的Al含量，所以第二發(fā)光芯片可以呈現(xiàn)較大的蝕刻率。
[0364]另外，當(dāng)相同的驅(qū)動電流被施加時，第一發(fā)光芯片1632可以具有比第二發(fā)光芯片1634的發(fā)光強(qiáng)度大的發(fā)光強(qiáng)度并且可以具有比第二發(fā)光芯片1634的初始閾值電壓低的初始閾值電壓。另外，第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634可能要求不同的驅(qū)動電流。
[0365]第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634可以被單獨(dú)地驅(qū)動。例如,第一電力可以被供應(yīng)到第一引線框架1622的第一側(cè)表面部分1622-2，第二電力可以被供應(yīng)到第二引線框架1624的第二側(cè)表面部分1624-2，第三電力可以被供應(yīng)到第三引線框架1626的第三側(cè)表面部分1626-2，并且第四電力可以被供應(yīng)到第四引線框架1628的第四側(cè)表面部分1628-2。
[0366]第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634中的至少一個可以經(jīng)由第一電力至第四電力的控制進(jìn)行操作。例如，當(dāng)?shù)谝浑娏偷诙娏Ρ还?yīng)并且第三電力和第四電力被中斷時，第一發(fā)光芯片1632可以發(fā)射光。另外，當(dāng)?shù)谝浑娏偷诙娏Ρ恢袛嗖⑶业谌娏偷谒碾娏Ρ还?yīng)時，第二發(fā)光芯片1634可以發(fā)射光。在一些實(shí)施例中,第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634可以同時操作。
[0367]使用第一電力和第二電力驅(qū)動第一發(fā)光芯片1632的驅(qū)動電流可以具有70mA的最大值，并且發(fā)光強(qiáng)度可以是500mcd。在此，“mcd”是毫坎德拉。
[0368]使用第三電力和第四電力驅(qū)動第二發(fā)光芯片1634的驅(qū)動電流可以具有70mA的最大值，并且發(fā)光強(qiáng)度可以是450mcd。
[0369]另外，通過使用于第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634的驅(qū)動電流的強(qiáng)度差異化可以產(chǎn)生不同數(shù)量的光。如上所述，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝300可以發(fā)射兩種或者更多種顏色的光。
[0370]圖60示出在圖58中示出的第一至第四引線框架的可替代實(shí)施例。參考圖60，第一至第四引線框架1622至1628中的至少一個可以在上表面部分1622-1至1628-1和側(cè)表面部分1622-2至1628-2之間的邊界處具有至少一個通孔hi I至hl4。
[0371]通孔hll和hl2可以具有圓形、橢圓形或者多邊形。通孔hll和hl2可以促進(jìn)第一引線框架1622和第三引線框架1626的容易彎曲，并且可以增強(qiáng)第一引線框架1622和封裝本體1610之間的聯(lián)接強(qiáng)度以及第三引線框架1626和封裝本體1610之間的聯(lián)接強(qiáng)度。
[0372]圖61示出在圖58中示出的第一至第四引線框架的另一可替代的實(shí)施例。與圖58的那些相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件，并且在上面已經(jīng)描述了的這些相同部件將不會被重復(fù)地描述或者將會被簡要地描述。
[0373]參考圖58和圖61,第一上表面部分1622_1’和第三上表面部分1626_1’的面積小于在圖58中不出的第一上表面部分1622-1和第三上表面部分1626-1的面積。
[0374]圖58中示出的第二上表面部分1624位于僅面對第一上表面部分1622的一個側(cè)表面1402，然而第二上表面部分1624-1’可以位于包圍第一上表面部分1622-1’的兩個相鄰側(cè)表面。
[0375]例如,第二上表面部分1624-1’可以包括:第一部分1812,該第一部分1812具有面對第一上表面部分1622-1’的一個側(cè)表面1402的側(cè)表面1401 ;和第二部分1814，該第二部分1814具有面對第一上表面部分1622-1’的另一側(cè)表面1503的側(cè)表面1501。第二部分1814可以從第一部分1812的側(cè)表面1401被擴(kuò)大，并且第二側(cè)表面部分1624-2可以被連接到第一部分1812。
[0376]第四上表面部分1628-1’可以位于包圍第三上表面部分1626_1’的兩個相鄰側(cè)表面。
[0377]例如，第四上表面部分1628-1’可以包括:第三部分1822，該第三部分1822具有面對第三上表面部分1626-1’的側(cè)表面1403的側(cè)表面1404 ;和第四部分1824，該第四部分1824具有面對第三上表面部分1626-1’的另一側(cè)表面1504的側(cè)表面1502。第四部分1824可以從第三部分1822的側(cè)表面1404被擴(kuò)大，并且第四側(cè)表面部分1628-2可以被連接到第三部分1822。
[0378]圖62示出在圖58中示出的第一至第四引線框架的另一可替代實(shí)施例。與圖58的那些相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件，并且在上面已經(jīng)描述了的這些相同部件將不會被重復(fù)地描述或者將會被簡要地描述。
[0379]在圖62中示出的實(shí)施例中，在圖58中示出的第一引線框架1622的第一上表面部分1622-1和第三引線框架1626的第三上表面部分1626-1被彼此連接以構(gòu)造單個公共的上表面部分1732。S卩，第一引線框架1622和第三引線框架1626可以經(jīng)由公共的上表面部分1732被彼此連接以構(gòu)造第一公共引線框架1730。第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634可以被布置在第一公共引線框架1730的公共上表面部分1732上以便被彼此間隔開。
[0380]圖63示出在圖58中示出的第一至第四引線框架的另一可替代實(shí)施例。與圖58的那些相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件，并且在上面已經(jīng)描述了的這些相同部件將不會被重復(fù)地描述或者將會被簡要地描述。
[0381]在圖63中示出的實(shí)施例中，在圖58中示出的第一引線框架1622的第一側(cè)表面部分1622-2和第三引線框架1626的第三側(cè)表面部分1626-2被彼此連接以構(gòu)造單個公共側(cè)表面部分1742。S卩，第一引線框架1622和第三引線框架1626可以經(jīng)由公共側(cè)表面部分1742被彼此連接以構(gòu)造第二公共引線框架1740。
[0382]當(dāng)?shù)谝话l(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634單獨(dú)地操作時，包括在圖63中示出的第二公共引線框架1740的發(fā)光二極管封裝可以具有比包括在圖62中示出的第一公共引線框架1730的發(fā)光二極管封裝大的輻射效率。
[0383]在第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634中產(chǎn)生的熱可以被傳遞到第一公共引線框架1730的第一公共上表面部分1732，然而第二公共引線框架1740的上表面部分1622-1和1626-1具有不同的熱源。
[0384]另外，第一公共引線框架1730可以具有被分離的側(cè)表面部分1622-2和1626-2，然而第二公共引線框架1740具有被一體化的公共側(cè)表面部分1742。因此，由于比第一公共引線框架1730大的輻射面積，所以第二公共引線框架1740可以實(shí)現(xiàn)較高的輻射效率。
[0385]圖64是示出在圖53中示出的發(fā)光二極管封裝的可替代實(shí)施例的視圖。
[0386]與在圖53中示出的發(fā)光二極管封裝300相比較，在圖64中示出的實(shí)施例進(jìn)一步包括第一齊納二極管1636和第二齊納二極管1638。
[0387]第一齊納二極管1636可以被放置在第二引線框架1624的第二上表面部分1624-1上以便于增強(qiáng)發(fā)光二極管封裝300的耐受電壓。另外，第二齊納二極管1638可以被布置在第四引線框架1628的第四上表面部分1628-1上。第一齊納二極管1636可以經(jīng)由電線1646被電連接到第一引線框架1622的第一上表面部分1622-1。另外，第二齊納二極管1638可以經(jīng)由電線1648被電連接到第三引線框架1626的第三上表面部分1626-1。
[0388]圖65示出包括光源模塊1520的汽車尾燈900_3，該光源模塊1520具有在圖53或者圖64中示出的發(fā)光二極管封裝，并且圖66示出在圖65中包括的光源模塊1520。
[0389]參考圖65和圖66，汽車尾燈900-3可以包括外殼1510和光源模塊1520。外殼1510可以被構(gòu)造成容納光源模塊1520并且是由透光材料形成。根據(jù)車身的設(shè)計(jì)，外殼1510可以具有曲率。
[0390]光源模塊1520可以包括光源單元1910、支撐單元1920以及控制器1930。光源單元1910可以具有與上述實(shí)施例100-1至100-21中的任意一個相同的構(gòu)造。在這樣的情況下，發(fā)光二極管封裝20可以是在圖53或者圖64中示出的發(fā)光二極管封裝(例如，300或者300-1)或者包括在圖53或者圖63中示出的引線框架結(jié)構(gòu)中的任意一個的發(fā)光二極管封裝。
[0391]支撐單元1920可以被構(gòu)造成支撐光源單元1910和控制器1930并且輻射在光源單元1910中產(chǎn)生的熱。例如，支撐單元1920可以包括第一支撐部分1922和從第一支撐部分1922彎曲的第二支撐部分1924。
[0392]光源單元1910可以被固定到第一支撐部分1922的上表面，并且控制器1930可以被固定到第二支撐部分1924的背表面。
[0393]控制器1930可以被電連接到光源單元1910并且控制來自于發(fā)光二極管封裝300或者300-1的第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634的光的發(fā)射。
[0394]控制器1930可以產(chǎn)生控制信號并且將產(chǎn)生的控制信號傳送到發(fā)光二極管封裝(例如，300或者300-1)。例如，控制器1930可以產(chǎn)生四種控制信號并且將產(chǎn)生的四種信號中的任意一個傳送到任一發(fā)光二極管封裝(例如，300或者300-1)的第一至第四引線框架1622至1628中的相對應(yīng)的一個。
[0395]基于被傳送到第一至第四引線框架1622至1628的控制信號，以給定的間隔，可以僅接通第一發(fā)光芯片1632或者可以僅接通和切斷第二發(fā)光芯片1634。
[0396]在一些實(shí)施例中，控制器1930可以位于光源模塊1520的外部,并且通過來自于外部控制器的控制信號可以控制來自于被安裝在光源模塊1520中的發(fā)光二極管封裝(例如，300或者300-1)的第一發(fā)光芯片1632和第二發(fā)光芯片1634的光的發(fā)射。
[0397]包括在圖53或者圖64中示出的發(fā)光二極管封裝(例如，300或者300_1)的光源模塊1520不僅可以用作汽車轉(zhuǎn)向信號燈,而且可用作剎車燈。
[0398]圖67示出被安裝在圖65中示出的汽車尾燈900_3中的發(fā)光二極管封裝(例如，300或者300-1)的第一發(fā)光芯片1632在操作時的發(fā)光，并且圖68是示出被安裝在圖65中示出的汽車尾燈900-3中的發(fā)光二極管封裝(例如，300或者300-1)的第二發(fā)光芯片1634在操作時發(fā)光的視圖。
[0399]參考圖67，當(dāng)僅操作發(fā)光二極管封裝(例如，300或者300-1)的第一發(fā)光芯片1632以響應(yīng)于來自于控制器1930的控制信號而發(fā)射光時，汽車尾燈900-3可以用作具有紅色平面光源的剎車燈。
[0400]參考圖68，當(dāng)響應(yīng)于來自于控制器1930的控制信號以給定的間隔僅接通和切斷發(fā)光二極管封裝(例如，300或者300-1)的第二發(fā)光芯片1634時，可以獲得具有琥珀色的平面光源的閃爍的(抖動的)轉(zhuǎn)向信號燈。
[0401]在圖50中示出的汽車尾燈900-2使用兩個單獨(dú)的光源模塊952和956提供剎車燈和轉(zhuǎn)向信號燈，然而在圖65中示出的汽車尾燈900-3可以使用單個光源模塊1520提供剎車燈和轉(zhuǎn)向信號燈。因此，實(shí)施例900-3可以減少構(gòu)造剎車燈和轉(zhuǎn)向信號燈所需的芯片的數(shù)目，這可以增強(qiáng)經(jīng)濟(jì)效益并且減少車身內(nèi)的汽車尾燈的占用面積。
[0402]在上面的實(shí)施例中描述的特性、構(gòu)造、效應(yīng)等等被包括在本發(fā)明的至少一個實(shí)施例中，但是本質(zhì)上不限于僅一個實(shí)施例。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯然的是，能夠?qū)υ谙鄳?yīng)的實(shí)施例中示例的特性、構(gòu)造、效應(yīng)等等進(jìn)行各種修改或者組合。因此，應(yīng)分析的是，與這些修改或者組合有關(guān)的所有內(nèi)容屬于本發(fā)明的范圍。
[0403]工業(yè)實(shí)用性
[0404]根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝可以在照明裝置和汽車燈中使用。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管封裝，包括: 封裝本體，所述封裝本體具有腔體； 第一至第四引線框架，所述第一至第四弓I線框架被布置在所述封裝本體內(nèi)； 第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片，所述第一發(fā)光芯片和所述第二發(fā)光芯片每個均包括第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層，所述第一發(fā)光芯片和所述第二發(fā)光芯片發(fā)射不同波長范圍的光， 其中，所述第一至第四引線框架中的每一個均包括: 上表面部分，所述上表面部分被暴露于所述腔體；和 側(cè)表面部分，所述側(cè)表面部分從所述上表面部分的一側(cè)彎曲，所述側(cè)表面部分從所述封裝本體的一個表面暴露， 其中，所述第一發(fā)光芯片被放置在所述第一引線框架的上表面部分上，并且 其中，所述第二發(fā)光芯片被放置在所述第三引線框架的上表面部分上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述第一引線框架位于所述第二引線框架和所述第四引線框架之間，并且所述第三弓I線框架位于所述第一弓I線框架和所述第四弓I線框架之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述第一發(fā)光芯片被構(gòu)造成發(fā)射具有600nm?690nm的波長范圍的紅色光,并且所述第二發(fā)光芯片被構(gòu)造成發(fā)射具有550nm?600nm的波長范圍的琥珀色光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述第一至第四引線框架中的至少一個具有在所述上表面部分和所述側(cè)表面部分之間的邊界處的通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述封裝本體的一部分位于所述第一引線框架和所述第二引線框架之間、位于所述第一引線框架和所述第三引線框架之間以及位于所述第三弓I線框架和所述第四弓I線框架之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述第一引線框架的上表面部分和所述第三引線框架的上表面部分彼此連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述第一引線框架的側(cè)表面部分和所述第三引線框架的側(cè)表面部分彼此連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述第二引線框架的上表面部分被構(gòu)造成包圍所述第一引線框架的上表面部分的兩個相鄰的側(cè)表面，并且所述第四引線框架的上表面部分被構(gòu)造成包圍所述第二引線框架的上表面部分的兩個相鄰的側(cè)表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述第一引線框架和所述第三引線框架中的每一個的側(cè)表面部分包括上端部分和下端部分，并且所述下端部分在橫向方向上從所述上端部分突出。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，進(jìn)一步包括: 第一電線，所述第一電線被構(gòu)造成將所述第一發(fā)光芯片與所述第二引線框架的上表面部分彼此電連接；和 第二電線，所述第二電線被構(gòu)造成將所述第二發(fā)光芯片與所述第四引線框架的上表面部分彼此電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，進(jìn)一步包括: 第一齊納二極管，所述第一齊納二極管被放置在所述第二引線框架的上表面部分上；第二齊納二極管，所述第二齊納二極管被放置在所述第四弓I線框架的上表面部分上；第三電線，所述第三電線被構(gòu)造成將所述第一齊納二極管與所述第一引線框架的上表面部分彼此電連接；以及 第四電線，所述第四電線被構(gòu)造成將所述第二齊納二極管與所述第三弓I線框架的上表面部分彼此電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述第一發(fā)光芯片和所述第二發(fā)光芯片中的每一個均包括: 第一電極層，所述第一電極層被布置在所述第一半導(dǎo)體層上； 反射層，所述反射層被布置在所述第二半導(dǎo)體層的下方；以及 第二電極層，所述第二電極層被布置在所述反射層的下方。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝，其中，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層包括AlGaInP, AIN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs 以及 AlInP 中的任一種，并且 其中，所述第二發(fā)光芯片中的Al的含量大于所述第一發(fā)光芯片中的Al的含量。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝,其中，所述第一發(fā)光芯片中的Al的含量是0.65?0.75，并且所述第二發(fā)光芯片中的Al的含量是0.85?0.95。
【文檔編號】H01L33/62GK104396034SQ201380030136
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2013年6月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月8日
【發(fā)明者】吳南錫, 曹永準(zhǔn), 崔廣奎, 文永玟, 文善美 申請人:Lg 伊諾特有限公司