用以接合襯底的裝置及方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用以使用以下步驟、尤其按以下順序在該襯底(3、8)的接觸表面(3k、8k)上將第一襯底(3)接合至第二襯底(8)的方法：- 在第一接納設備(1)的第一接納表面(2o)上安置該第一襯底(3)且在第二接納設備(4)的第二接納表面(2o')上接納該第二襯底(8)，- 在接合起始位點(20)上接觸該接觸表面(3k、8k)，- 沿著自該接合起始位點(20)行進至該襯底(3、8)的側(cè)邊緣(3s、8s)的接合波將該第一襯底(3)接合至該第二襯底(8)，其特征在于：該第一襯底(3)和/或該第二襯底(8)經(jīng)變形以在該接合之前和/或在該接合期間使該接觸表面(3k、8k)在該接合起始位點(20)外對準。此外，本發(fā)明涉及一種對應裝置。
【專利說明】用以接合襯底的裝置及方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明是涉及一種如權利要求1中所主張的用以將第一襯底接合至第二襯底的方法及一種如權利要求9中所主張的對應裝置。

【背景技術】
[0002]微電子及微系統(tǒng)工程中的幾乎全部零件的不斷發(fā)展的小型化提供全部技術的持續(xù)發(fā)展，使用該技術可增加襯底上的各種功能單元的密度。這種功能單元包含(例如)微控制器、內(nèi)存組件、MEMS、各種傳感器或微流體組件。
[0003]在近幾年已大程度改良用以增加這個功能單元的側(cè)向密度的技術。在微電子或微系統(tǒng)工程的一些分支中即使迄今為止該功能單元的側(cè)向密度的進一步增加是不再可能的。在微芯片生產(chǎn)中對于待平版印刷產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的最大可達成分辨率限制已達極限。在幾年后，實體或技術限制因此將不再允許功能單元的側(cè)向密度的任何增加。近年來業(yè)界經(jīng)由
2.5D及3D技術的發(fā)展一直企圖解決此問題。使用這個技術可使相同或甚至不同類型的功能單元彼此對準、使其互相堆疊、使其彼此永久結(jié)合且經(jīng)由對應印刷電路使其彼此聯(lián)網(wǎng)。
[0004]用以實施這個結(jié)構(gòu)的關鍵技術是永久接合。永久接合所定義的方法可使襯底彼此結(jié)合，使得其僅能經(jīng)由高能量消耗及襯底的相關聯(lián)破壞而分離。存在不同類型的永久接合。
[0005]一種最重要永久接合的方法是熔化接合，也稱為直接接合或分子接合。熔化接合定義為經(jīng)由形成共價連接使兩個襯底永久結(jié)合的過程。熔化接合主要形成于非金屬無機材料的表面上。
[0006]基本上，應區(qū)分預接合與實際永久接合。預接合定義為在兩個表面接觸時自發(fā)形成的表面的連接；其接合強度是小于經(jīng)由隨后熱處理產(chǎn)生的永久接合的接合強度。然而，經(jīng)由預接合引起的接合強度是足以在不引起兩個襯底彼此偏移的情況下運輸該襯底。因此盡管兩個襯底之間的接合強度是非常可能足以使易于運輸該襯底堆疊，然而該接合強度如此低使得可使用特殊裝置實現(xiàn)該兩個襯底的重復、非破壞性分離。此具有主要優(yōu)點:在預接合之后，兩個襯底的結(jié)構(gòu)可經(jīng)測量且其相對位置、扭曲及定向可經(jīng)判定。若在測量過程期間確定存在該結(jié)構(gòu)的誤差定向和/或局部和/或全局扭曲或接口中存在微粒，則襯底堆疊可相應地再次分離及再處理。在成功并且經(jīng)大致確認的預接合之后，經(jīng)由熱處理過程產(chǎn)生永久接合。在該熱處理過程期間經(jīng)由熱能的供應而發(fā)生化學和/或物理強化兩個襯底的表面的連接。此永久接合是不可逆的，即兩個襯底不再可能非破壞性分離。隨后不能再明確區(qū)分預接合與永久接合，一般而言僅存在接合。
[0007]最常見熔化接合是在硅及氧化硅襯底上進行。硅是歸因于其半導體性質(zhì)而用作用以產(chǎn)生微電子組件(諸如微芯片及內(nèi)存)的基底材料。所謂直接接合也可形成于高度拋光金屬表面之間。其中的接合性質(zhì)不同于熔化接合的性質(zhì)，但兩個表面經(jīng)由前進接合波互相接觸所使用的機構(gòu)也可經(jīng)由相同物理學描述。也可考慮兩個混合表面經(jīng)由所謂混合接合的結(jié)合?；旌媳砻娑x為由至少兩個不同材料組成的表面。該兩個材料其中之一一般而言是局限于小空間而第二材料圍繞該第一材料。例如，金屬接觸件是由電介質(zhì)圍繞。當經(jīng)由兩個混合表面的接合產(chǎn)生混合接合時，接合波是主要經(jīng)由該電介質(zhì)之間的熔化接合驅(qū)動，而該金屬接觸件經(jīng)由該接合波自動相接。電介質(zhì)及低k材料的實例包含:
-基于非硅的:
聚合物聚酰亞胺芳族聚合物聚對二甲苯 PTFE 非晶碳 -基于娃的:
基于硅酸鹽的 TEOS (原硅酸四乙酯)
S1F
S1CH
玻璃(硼硅玻璃、鋁硅玻璃、硅酸鉛玻璃、堿硅酸鹽玻璃等)
一般的
Si3N4
SiC
S12
SiCN
乙基娃倍半環(huán)丙燒(Silsesqu1xane)
HSSQ
MSSQ
在兩個襯底的永久結(jié)合中的最大技術問題其中之一是個別襯底之間的功能單元的對準精確度。盡管該襯底可經(jīng)由對準系統(tǒng)非常精確地彼此對準，然在接合過程本身期間可發(fā)生該襯底的扭曲。歸因于以此方式發(fā)生的該扭曲，功能單元將不一定在全部位置處正確地彼此對準。在襯底上的特定點處的對準精確度可為扭曲、按比例調(diào)整誤差、透鏡誤差(放大或縮小誤差)等的結(jié)果。
[0008]在半導體工業(yè)中與這個問題有關的全部副主題可納入術語“覆蓋”下。對此主題的對應介紹可在以下找到(例如):Mack, Chris.Fundamental Principles of OpticalLithography - The Science of Microfabricat1n.WILEY, 2007 年，2012 年重印。
[0009]在實際制造過程之前各功能單元是于計算機中設計。(例如)印刷電路、微芯片、MEMS或可使用微系統(tǒng)技術產(chǎn)生的任何其它結(jié)構(gòu)是以CAD (計算機輔助設計)設計。然而，在產(chǎn)生功能單元期間顯示在設計于計算機上的理想功能單元與在空曠空間中產(chǎn)生的真實功能單元之間總是存在偏差。該差異可主要歸因于硬件的限制(因此為工程設計問題)，但很多時候歸因于實體限制。因此，經(jīng)由光平版印刷過程產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的分辨率精確度是受到光罩的孔徑的尺寸及所使用的光的波長所限制。屏蔽扭曲將直接轉(zhuǎn)移至抗蝕劑上。機械的線性馬達僅可在給定容差內(nèi)趨近可重現(xiàn)位置等。因此不足為奇的是，襯底的功能單元不能精確等于計算機設計結(jié)構(gòu)。因此，全部襯底在接合過程之前已與理想狀態(tài)有不可忽略的偏差。
[0010]若在兩個襯底中沒有一個受到結(jié)合過程扭曲的假定下比較兩個襯底的兩個相對功能單元的位置和/或形狀，則可確定一般而言存在該功能單元的不完全迭合，此是因為這個由上文描述的誤差影響而偏離理想計算機模型。最頻繁誤差是展示于圖8中(復制自:http://commons.wikimedia.0rg/wiki/File: Overlay - typical model terms DE.svg,2013 年 5 月 24 日及 Mack, Chris.Fundamental Principles of Optical Lithography -The Science of Microfabricat1n.Chichester: WILEY,第 312 頁，2007 年，2012 年重印)。根據(jù)附圖可大致區(qū)分全局及局部以及對稱及不對稱覆蓋誤差。全局覆蓋誤差是均勻的，因此獨立于位點。無論位置如何，其在兩個相對功能單元之間產(chǎn)生相同偏差。經(jīng)典全局覆蓋誤差是經(jīng)由使兩個襯底彼此平移或旋轉(zhuǎn)而形成的誤差I及誤差II。該兩個襯底的該平移或旋轉(zhuǎn)對于當時在襯底上相對的全部功能單元產(chǎn)生對應平移或旋轉(zhuǎn)誤差。局部覆蓋誤差取決于位置而發(fā)生，主要源于彈性和/或塑性的問題，在此情況中主要由連續(xù)傳播的接合波引起。在所描述的覆蓋誤差中，主要地，誤差III及誤差IV是稱為偏轉(zhuǎn)(run-out)誤差。這個誤差主要經(jīng)由接合過程期間的至少一個襯底的扭曲發(fā)生。參考第二襯底的功能單元的第一襯底的功能單元也是經(jīng)由至少一個襯底的扭曲而扭曲。然而，誤差I及誤差II也可經(jīng)由接合過程發(fā)生，但一般而言是經(jīng)由誤差III及誤差IV顯著迭加使得僅可困難地辨識及測量它們。
[0011]在先前技術中已存在系統(tǒng)，使用該系統(tǒng)可至少部分降低局部扭曲。此是歸因于使用主動控制組件的局部扭曲的問題(W02012/083978A1)。
[0012]在先前技術中存在校正偏轉(zhuǎn)誤差的起始方法。US20120077329A1描述用以在經(jīng)由未固定的下部襯底接合期間及在其后獲得兩個襯底的功能單元之間的所要對準精確度的方法。以此方式該下部襯底并不受邊界條件支配且可在接合過程期間自由地接合至上部襯底。先前技術中的重要特征主要是襯底的平坦固定(大多經(jīng)由真空裝置)。
[0013]發(fā)生的偏轉(zhuǎn)誤差是在徑向?qū)ΨQ地圍繞接觸位點的大多數(shù)情況中更顯著，因此自該接觸位點增加至周邊。在大多數(shù)情況中為偏轉(zhuǎn)誤差的線性增加的強化。在特殊條件下該偏轉(zhuǎn)誤差也可非線性增加。
[0014]在尤其最佳條件下，偏轉(zhuǎn)誤差可不僅經(jīng)由對應測量裝置判定(EP2463892)而且也可經(jīng)由數(shù)學函數(shù)描述。因為偏轉(zhuǎn)誤差構(gòu)成良好定義點之間的平移和/或旋轉(zhuǎn)和/或按比例調(diào)整，所以它們有利地經(jīng)由向量函數(shù)描述。一般而言此向量函數(shù)是函數(shù)f:R2 —R2，因此使局部坐標的二維定義區(qū)域成像至偏轉(zhuǎn)誤差向量的二維值范圍中的成像標準。盡管不能完成對應向量場的精確數(shù)學分析，然而關于函數(shù)性質(zhì)作出假定。向量函數(shù)極大機率地為Cn η>=1函數(shù)，因此其至少可連續(xù)求微分一次。因為偏轉(zhuǎn)誤差自接觸點朝向邊緣增加，所以向量函數(shù)的發(fā)散將可能不同于零。因此，向量場具有極大機率將為源場。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]本發(fā)明的目的是提供一種用以接合兩個襯底的裝置及方法，經(jīng)由該裝置及該方法提高接合精度(尤其在該襯底的邊緣上)。
[0016]經(jīng)由權利要求1及9的特征達成此目的。本發(fā)明的有利發(fā)展是在隨附權利要求書中給定。說明書、權利要求書和/或附圖中給定的特征的至少兩者的全部組合落在本發(fā)明的范疇內(nèi)。對于給定值范圍，介于所指示限制內(nèi)的值應視為揭示為邊界值且能夠以任何組合所要求保護。
[0017]本發(fā)明是基于以下理念:兩個襯底的至少一個(優(yōu)選地第二襯底和/或下部襯底)經(jīng)變形以在接合之前和/或在該接合期間，尤其在接合波的行進期間，優(yōu)選地在熔化接合中使接觸表面尤其僅在接合起始位點外對準。變形尤其意謂偏離起始狀態(tài)(尤其襯底的起始幾何形狀)的狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明，在尤其經(jīng)由允許第一 /上部襯底落下或經(jīng)由使其脫離而使接觸表面接觸之后起始接合。尤其根據(jù)該裝置提供對應接合構(gòu)件。
[0018]在起始狀態(tài)中襯底是大致(尤其在接觸表面上)或多或少平坦，除突出超出該接觸表面的任何結(jié)構(gòu)(微芯片、功能組件)及襯底容差(諸如彎曲和/或厚度波動)以外。在該起始狀態(tài)中(但在大多數(shù)情況中)襯底具有不同于零的曲率。對于300 _晶圓而言小于50 ym的曲率是常見的。從數(shù)學上考慮，曲率可視為曲線局部偏離其平面狀態(tài)的測量。在特定情況中檢查其厚度相較于直徑較小的襯底。因此在良好逼近中可解決平面的曲率。在平面的情況中，起始提及的平坦狀態(tài)是在其中檢查曲率的該點處的曲線的切向平面。一般而言，本體(在特殊情況中為襯底)并不具有均勻曲率使得該曲率是位點的顯函數(shù)。因此可(例如):在中心的非平面襯底具有凹曲率，然而在其它位點處具有凸曲率。隨后在最簡單情況中曲率是僅在未探究數(shù)學家、物理學家及工程師已知的更多數(shù)學細節(jié)的情況下描述為凹曲率或凸曲率。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的大多數(shù)實施例的尤其獨立核心理念主要在于:彼此接合的兩個襯底的曲率半徑是至少在該襯底的接觸區(qū)域中相同，因此在接合波的接合前部或接合線，或至少僅在邊緣上彼此偏離。因此，在襯底的接合前部/接合線的兩個曲率半徑的差異是小于10 m，優(yōu)選地小于I m，更有利地小于I cm，最有利地小于I mm，又更有利地小于0.01 mm,最優(yōu)選地小于I μ m。一般而言，根據(jù)本發(fā)明的最小化曲率半徑Rl的全部實施例是有利的。換言之，本發(fā)明是關于一種方法及系統(tǒng)，使用該方法及該系統(tǒng)可將兩個襯底彼此接合使得其局部對準誤差(稱為偏轉(zhuǎn)誤差)變?yōu)樽钚?。此外，本發(fā)明是基于以下理念:尤其經(jīng)由幾何、熱力學和/或機械補償機構(gòu)控制待彼此接合的兩個襯底使得選取形成接合波的影響因素使得該兩個襯底并不彼此局部偏移，因此正確對準。此外，本發(fā)明描述一種根據(jù)本發(fā)明的由具有已減少的偏轉(zhuǎn)誤差的已彼此接合的兩個襯底組成的物品。
[0020]如本發(fā)明所主張般在接合，尤其永久接合，優(yōu)選熔化接合方面有特性的過程是兩個襯底的盡可能中心的點接觸。一般而言，兩個襯底的接觸也可在非中心發(fā)生。自非中心接觸點傳播的接合波將在不同時間到達襯底邊緣的不同位置處。接合波行為及所得偏轉(zhuǎn)誤差補償?shù)耐耆珨?shù)學物理描述將會相應地復雜。但一般而言該接觸點將不遠離襯底的中心使得可能所得效應是至少在邊緣上可忽略?？赡芊侵行慕佑|點與襯底的中心之間的距離是小于100 mm,有利地小于10 mm,更有利地小于I mm,最有利地小于0.1 mm,最優(yōu)選地最優(yōu)選地小于0.01 mm。在以下描述中接觸通常意謂中心接觸。中心在較廣泛意義上是有利地定義為下放的理想本體的幾何中心點，(若需要)其關于不對稱補償。在具有凹口的工業(yè)常見的晶圓中，中心是因此為圍繞不具有凹口的理想晶圓的圓的中點。在具有平坦部分(平坦化側(cè))的工業(yè)常見的晶圓中，中心是圍繞不具有平坦部分的理想晶圓的圓的中點。類似考慮應用于任何形狀的襯底。然而，在特殊實施例中，將襯底的重心定義為中心可為有用的。為確保精確、中心的點接觸，可經(jīng)由其中的平移而移動的具有中心孔及接針的上部接納設備(襯底固持件)是具有徑向?qū)ΨQ固定。使用噴嘴(該噴嘴使用流體，優(yōu)選地氣體)代替接針施加壓力也將可想象的。此外，當在進一步假定(兩個襯底的至少一個，優(yōu)選地上部襯底，歸因于重力在另一襯底的方向上具有外加曲率且因此在所提及的互相平移趨近中，在離對應第二襯底相對較小距離處，自動接觸)下提供可經(jīng)由平移移動使兩個襯底朝向彼此移動的裝置時，甚至可完全放棄使用這個組件。
[0021]徑向?qū)ΨQ固定是附接真空孔、圓真空唇緣或類似的真空組件，可使用其固定上部晶圓。使用靜電接納設備也可想象的。上部襯底固持件的中心孔中的接針是用于經(jīng)固定的上部襯底的可控制撓曲。
[0022]在使兩個襯底的中心完全接觸之后，釋放上部襯底固持件的固定。該上部襯底一方面歸因于重力而墜落且另一方面歸因于沿著接合波及在襯底之間作用的接合力而墜落。該上部襯底自中心至側(cè)邊緣徑向連接至下部襯底。因此，尤其自該中心延伸至該側(cè)邊緣的徑向?qū)ΨQ接合波的發(fā)明形成發(fā)生。在接合過程期間兩個襯底按壓在接合波前部，存在于該襯底之間的氣體(尤其空氣)且因此提供不具有氣包體的接合邊界表面。上部襯底在墜落時基本上位于類型的氣墊上。
[0023]第一 /上部襯底在于接合起始位點處起始接合之后并不受額外固定，因此除接合起始位點處的固定以外其可自由移動且也可經(jīng)扭曲。相對于其徑向厚度無窮小的各圓片段將經(jīng)由根據(jù)本發(fā)明的前進的接合波、發(fā)生于接合波前部上的應力狀態(tài)及現(xiàn)有幾何邊界條件而經(jīng)受扭曲。但因為襯底代表剛性本體，所以該扭曲依據(jù)距中心的距離的函數(shù)而合計。此導致偏轉(zhuǎn)誤差，該偏轉(zhuǎn)誤差將經(jīng)由根據(jù)本發(fā)明的方法及根據(jù)本發(fā)明的裝置消除。
[0024]因此本發(fā)明也涉及一種用以在接合期間尤其經(jīng)由熱力學和/或機械補償機構(gòu)減少或甚至完全避免兩個接合襯底之間的偏轉(zhuǎn)誤差的方法及裝置。此外，本發(fā)明處理使用根據(jù)本發(fā)明的裝置及根據(jù)本發(fā)明的方法制造的對應物品。
[0025]在本發(fā)明的第一實施例中，接納表面上的用以接納第一襯底的第一、尤其下部接納或接納設備經(jīng)磨光和/或經(jīng)拋光和/或凸形或凹形地搭接。優(yōu)選地，該接納設備經(jīng)凸形磨光使得固定于其上的襯底是在接觸點或接合起始位點的方向上彎曲。
[0026]第一和/或第二接納表面的曲率半徑是尤其大于0.01 m，有利地大于0.1 m，更有利地大于I m，還更有利地大于10 m，最有利地大于100 m，最優(yōu)選地大于1000 m。在特殊實施例中第一/下部接納設備的曲率半徑是與經(jīng)由第二/上部接納設備憑借致動構(gòu)件(尤其接針)產(chǎn)生的第二 /上部襯底的曲率半徑尺寸相同，尤其在十的冪(Zehnerpotenz)的相同數(shù)量級內(nèi)。由此導致相對于用以接合的幾何形狀對稱的起始位置。
[0027]若第一 /下部接納表面經(jīng)磨光使得實體不對稱是經(jīng)由垂直作用于接納表面上的重力場校正使得接合波總是在相同水平平面內(nèi)移動，則這是有利的。
[0028]第一和/或第二襯底是優(yōu)選徑向?qū)ΨQ。盡管該襯底可具有任何直徑，然晶圓直徑尤其為I英寸、2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸、18英寸或大于18英寸。第一和/或第二襯底的厚度是優(yōu)選介于I μπι與2000 μπι之間，有利地介于10 μ m與1500 μ m之間，更有利地介于100 μ m與1000 μπι之間。
[0029]在特殊實施例中，襯底可具有矩形形狀或偏離圓形的至少一個。在下文中襯底尤其定義為晶圓。
[0030]在下部/第一接納設備的第二實施例中，可調(diào)整下部/第一接納表面的曲率半徑。在尤其簡單實施例中，下部接納設備具有支撐板，該支撐板是足夠厚以并不經(jīng)由非必要外部影響變形，但該支撐板已制造為足夠薄以經(jīng)由自下面作用的控制力而形成凸形或凹形形狀。尤其是，該支撐板具有大于10_7 Nm2，有利地大于10_3 Nm2，更有利地大于I Nm2，還更有利地大于13 Nm2，最優(yōu)選地大于17 Nm2的抗彎硬度。根據(jù)本發(fā)明的實施例，下部/第一接納設備的尤其內(nèi)部零件由優(yōu)選高度彈性隔膜組成，該彈性隔膜可由氣動作用和/或水壓作用和/或壓電作用而膨脹和/或收縮。該氣動和/或水壓和/或壓電組件是優(yōu)選均勻分布且可個別控制。
[0031]在根據(jù)本發(fā)明的另一實施例中，制造下部/第一接納設備使得下部/第一襯底是甚至在接觸的前經(jīng)由加熱和/或冷卻構(gòu)件以受控制方式變形(尤其側(cè)向壓縮或膨脹)程度，該變形程度是在稍后接觸中最佳、理想地完全補償發(fā)生的偏轉(zhuǎn)誤差所必要的。因為在此實施例中下部/第一襯底的固定僅在對應變形的后發(fā)生，所以不需要對該下部/第一襯底或下部/第一接納設備的熱膨脹系數(shù)指定特殊值。
[0032]在根據(jù)本發(fā)明的另一特殊程序中，下部/第一襯底的接觸在加熱和/或冷卻過程之前發(fā)生。經(jīng)由在加熱和/或冷卻過程之前固定，下部/第一襯底遵循下部/第一接納設備的熱膨脹使得該下部/第一接納設備的熱膨脹系數(shù)可用以指示該襯底的(熱)膨脹。尤其優(yōu)選的是，下部/第一襯底及下部/第一接納設備的熱膨脹系數(shù)是相同的使得在加熱和/或冷卻過程中沒有熱應力或至少小熱應力發(fā)生于該下部/第一襯底中。也可根據(jù)本發(fā)明想象熱膨脹系數(shù)為不同的。在不同熱膨脹系數(shù)的情況中，在中間的下部/第一襯底將遵循下部/第一接納設備的熱膨脹。
[0033]此處在第一接納設備與第二接納設備之間設定的溫度差異是小于20°C，有利地小于10°c。更有利地小于5°C，最有利地小于2°C，最優(yōu)選地小于1°C。各接納設備是根據(jù)本發(fā)明透過盡可能均勻加熱。尤其是，存在溫度場，其在任何兩點處的溫度差異是小于5°C，有利地小于3°C，更有利地小于1°C，最有利地小于0.1°C，最有利地小于0.05°C。
[0034]在根據(jù)本發(fā)明的另一實施例中，第一接納設備經(jīng)設計使得接納表面上的該接納設備可經(jīng)由機械致動構(gòu)件以受控制方式變形(尤其壓縮和/或膨脹)。固定于第一接納設備的表面上的第一襯底是歸因于其相對于該接納設備較小的厚度同時經(jīng)由該接納設備的變形而變形。該接納設備是使用氣動和/或水壓和/或壓電致動器變形，該致動器分布于襯底接納座周圍，優(yōu)選徑向?qū)ΨQ而配置。對于完全對稱、純粹徑向扭曲需要在的120°的角距離處配置的至少三個致動器。需要有利地超過5個致動器，更有利地超過10個致動器，更有利地超過20個致動器，還更有利地超過30個致動器，最有利地超過50個致動器。
[0035]在根據(jù)本發(fā)明的另一實施例中，兩個襯底的接觸表面是在垂直位置處彼此接合。此特殊實施例的任務主要在于經(jīng)由重力降低晶圓的變形，優(yōu)選使其至少對稱配置，尤其有利地完全防止和/或補償經(jīng)由重力的變形。有利地，在垂直位置中兩個襯底是各經(jīng)由致動構(gòu)件，尤其是各經(jīng)由接針尤其同時對稱地彎曲至接合起始位點使得凸形表面可在該接合起始位點中接觸。使用接合波的尤其自動的接合過程是經(jīng)由使襯底的至少一個自接納表面脫離而開始。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的實施例是優(yōu)選在所定義、尤其可控制氛圍中，尤其在正常壓力操作。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的全部所提及實施例在特殊版本中可實施于低真空中、更有利地高真空中，還更有利地超高真空中，尤其是具有小于100 mbar、有利地小于KT1 bar、更有利地小于ICT3 bar、還有利地小于ICT5 bar、最有利地小于ICT8 bar的壓力。
[0038]在根據(jù)本發(fā)明的進一步實施例中，控制影響接合波的傳播(尤其是傳播速度)的至少一個因素和/或影響接觸表面的對準的至少一個因素。監(jiān)測該接合波，尤其關于其速度。尤其是，該速度是經(jīng)由在其中完成接合的氛圍中的氣體的成分和/或密度和/或溫度間接控制。盡管根據(jù)本發(fā)明的方法是優(yōu)選在低壓氛圍中，優(yōu)選在真空中進行，然在另一氛圍中，尤其是在正常壓力的范圍中進行接合過程可為有利的。歸因于點接觸，根據(jù)本發(fā)明的接合中的接合波總是自中心徑向?qū)ΨQ地行進至側(cè)邊緣且在此過程中按壓在其前部中的環(huán)形氣墊。沿著該接合波的尤其是大致圓環(huán)形接合線(接合前部)，此較大接合力盛行使得氣泡的包體完全不能出現(xiàn)。因此，上部/第二襯底在接合過程期間位于類型的氣墊上。
[0039]經(jīng)由根據(jù)本發(fā)明選擇氣體/氣體混合物及定義氣墊的性質(zhì)而確定第二襯底可多快速及多強烈地降低和/或膨脹。此外，接合波的速度也可經(jīng)由該氣體的性質(zhì)予以控制。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的另一、尤其是獨立方面選取氣體混合物的成分。優(yōu)選地，使用盡可能輕的具有原子和/或分子類型的氣體，該氣體在給定溫度下具有相應低慣性。因此氣體成分的至少一個的莫耳質(zhì)量是小于1000 g/mole,優(yōu)選小于100 g/mole,更佳小于10 g/mole,最優(yōu)選地小于I g/mole。更佳地，將所使用的氣體混合物的密度設定為尤其是盡可能小，和/或?qū)囟仍O定為尤其是如所需要般高。根據(jù)本發(fā)明將氣體密度設定為小于10 kg/m3,優(yōu)選小于I kg/m3,更佳小于0.1 kg/m3,最佳小于0.01 kg/m3。根據(jù)本發(fā)明將氣體的溫度設定為大于0°C，優(yōu)選大于100°C，更佳大于200°C，最佳大于300°C，最優(yōu)選地大于400°C。根據(jù)本發(fā)明選取前述參數(shù)使得選定氣體混合物或該氣體混合物的個別成分并不冷凝。以此方式避免在接合過程期間襯底的表面上的液包體。
[0041]類似考慮應用于氣體混合物，該氣體混合物的熱力學性質(zhì)是展示于多組分相圖中。經(jīng)由改變氣體混合物的成分和/或壓力和/或溫度，影響第一和/或第二襯底的運動學且因此也減少偏轉(zhuǎn)誤差。
[0042]尤其優(yōu)選的是，選取全部可變參數(shù)使得接合波參考現(xiàn)有起始及邊界條件以盡可能最佳的速度傳播。主要對于現(xiàn)有氛圍，尤其在正常壓力下，盡可能緩慢的接合波的速度是有利的。接合波的速度是小于200 cm/s,優(yōu)選小于100 cm/s,更佳小于50 cm/s,最佳小于10cm/s,最優(yōu)選地小于I cm/s。尤其是接合波的速度是大于0.1 cm/s。尤其是沿著接合前部的接合波的速度是恒定的。在真空環(huán)境中接合波的速度自動變快，這是因為沿著接合線結(jié)合的襯底不需要克服經(jīng)由氣體的任何阻力。
[0043]根據(jù)另一、尤其是獨立本發(fā)明的方面，加強板是插入于上部/第二接納設備上的接納表面與上部/第二襯底之間。該加強板是尤其是暫時接合至該襯底且在接合期間改變該上部/第二襯底的行為。該加強板與該上部/第二襯底之間的連接經(jīng)由該加強板中的構(gòu)造設計固定而發(fā)生。該固定是優(yōu)選真空固定。靜電固定、將襯底重新卡緊于邊緣上的非常精簡機械固定及經(jīng)由高度拋光加強板表面的黏合固定也將可想象的。
[0044]根據(jù)本發(fā)明的另一特定獨立方面，偏轉(zhuǎn)誤差是在接觸之前和/或在接合起始位點外經(jīng)由兩個襯底之間的非常小距離設定。該距離是尤其是小于100 μ m，優(yōu)選小于50 μπι,更佳小于20 μ m,最佳小于10 μπι。
[0045]根據(jù)本發(fā)明尤其優(yōu)選的是，若兩個襯底的曲率半徑(尤其在接合前部上)彼此偏離小于5%，若兩個襯底的曲率半徑優(yōu)選相同的。
[0046]在根據(jù)本發(fā)明的全部實施例的另一特殊改進方案中，下部/第一接納設備和/或上部/第二接納設備具有如致動構(gòu)件尤其中心孔及接針，使用該致動構(gòu)件可在接合起始位點的方向上實現(xiàn)各自襯底的凸曲率。
[0047]尤其用以襯底的撓曲的接針、襯底的互相趨近、監(jiān)測溫度、壓力及氣體成分的上文所描述的步驟和/或移動和/或順序是優(yōu)選經(jīng)由中央控制單元，尤其具有控制軟件的計算機予以控制。
[0048]可使用任何已知技術以任何可想象方式將襯底接納及固定于接納設備上。真空樣本固持件、靜電樣本固持件、使用機械夾箝的樣本固持件是根據(jù)本發(fā)明尤其是可想象的。優(yōu)選地，襯底是僅固定于在側(cè)邊緣的區(qū)域外盡可能遠的圓片段中以提供襯底在固定內(nèi)膨脹的最大可撓性及自由。
[0049]本發(fā)明的另一、尤其是獨立方面在于:以盡可能協(xié)調(diào)的方式且同時經(jīng)由暴露至預應力的襯底的至少一個準獨立地接觸，該預應力在接觸的前尤其同心地延伸至該襯底的接觸表面的中間M徑向至外部且接著僅接觸的開始受影響，而在區(qū)段(尤其是該襯底的中間M)的接觸之后，該襯底經(jīng)釋放且基于其預應力自動接合至受控制的相對襯底。該預應力是經(jīng)由第一襯底憑借變形構(gòu)件的變形達成，該變形構(gòu)件尤其基于其形狀作用于背離接合側(cè)的側(cè)上且該變形可經(jīng)由使用不同(尤其可互換)變形構(gòu)件相應地控制。該控制也經(jīng)由壓力或力發(fā)生，變形構(gòu)件使用該壓力或該力作用于襯底上。此處減小具有半導體襯底的接納設備的有效接納表面使得該半導體襯底是僅部分經(jīng)由接納設備支撐是有利的。以此方式較小接觸表面產(chǎn)生晶圓與樣本固持件或接納設備之間的較小黏合。固定是根據(jù)本發(fā)明應用于(尤其僅)半導體襯底(第一襯底)的周邊的區(qū)域中使得在接納設備的接納輪廓與半導體襯底之間的同時盡可能小的有效接納表面的情況下存在有效固定。因此同時半導體襯底的適度及可靠脫離是可能的，此是因為使晶圓脫離所需的脫離力是盡可能小。該脫離是主要可(尤其)經(jīng)由降低接納表面上的負壓力予以控制?！翱煽刂啤币庵^在晶圓與第二晶圓接觸之后樣本固持件上的晶圓仍保持固定且僅經(jīng)由接納表面上的負壓力的專屬(受控制)降低實現(xiàn)襯底(晶圓)自樣本固持件(接納設備)的脫離，尤其自內(nèi)部至外部。根據(jù)本發(fā)明的實施例主要導致能夠經(jīng)由非常小的力實現(xiàn)的脫離。
[0050]襯底(晶圓)是在接合過程之前彼此對準以確保在其表面上的對應結(jié)構(gòu)的相同迭合(精確對準，尤其具有小于2 μ m，優(yōu)選小于250 nm，更佳小于150 nm，最佳小于100 nm的精度)。在根據(jù)本發(fā)明的接合方法中，晶圓并未彼此平坦堆疊，但經(jīng)由兩個晶圓其中之一輕輕按壓抵靠第二晶圓或在相對晶圓的方向上相應地變形而首先在中間M中彼此接觸。在經(jīng)變形(在相對晶圓的方向上)撓曲的晶圓的脫離之后，發(fā)生連續(xù)及更均勻熔接，其是尤其是至少很大程序上自動的且其是與最小力相關聯(lián)且因此與經(jīng)由接合波的前進的沿著接合前部的最小主要水平扭曲相關聯(lián)。
[0051]本發(fā)明的另一、尤其是獨立方面在于:取決于對于接合波行進的給定影響因素控制第一襯底和/或第二襯底的變形。該影響因素尤其包含圍繞襯底的氛圍的周圍壓力、存在于該氛圍中的氣體/氣體混合物的類型、溫度、接合起始位點外襯底之間的距離、該襯底的接合強度、任何預處理步驟、表面的成分、表面粗糙度、表面上的材料及晶圓厚度/彎曲強度。
[0052]只要達到接合起始位點布置在襯底的接觸表面的中心的程度，可實現(xiàn)接合波的均勻、尤其是同心行進。
[0053]若第一襯底和/或第二襯底的變形在側(cè)向方向上和/或凸形和/或凹形地，又更佳鏡像對稱地發(fā)生，則此是尤其是有利的。換言之，該變形根據(jù)本發(fā)明尤其經(jīng)由第一襯底和/或第二襯底的膨脹或壓縮或彎曲而進行。
[0054]優(yōu)選地，襯底具有大致相同直徑D1、D2，該直徑D1、D2尤其是彼此偏離小于5 mm,優(yōu)選小于3 mm,又更佳小于I mm。
[0055]根據(jù)本發(fā)明的另一尤其獨立方面，變形經(jīng)由機械致動構(gòu)件和/或經(jīng)由第一和/或第二接納設備的溫度控制而發(fā)生。
[0056]經(jīng)由將第一襯底和/或第二襯底僅固定于第一和/或第二接納表面上的側(cè)壁的區(qū)域中，可更容易完成根據(jù)本發(fā)明的變形。
[0057]根據(jù)裝置所揭示的特征也應如根據(jù)方法所公開般考慮且反之亦然。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0058]將自使用附圖的優(yōu)選例示性實施例的以下描述明白本發(fā)明的其它優(yōu)點、特征及細節(jié):
圖1展示根據(jù)本發(fā)明的裝置的第一實施例的示意截面圖，
圖2展示根據(jù)本發(fā)明的該裝置的第二實施例的示意截面圖，
圖3展示如發(fā)明中所主張的該裝置的第三實施例的示意截面圖，
圖4展示如發(fā)明中所主張的該裝置的第四實施例的示意截面圖，
圖5展示如發(fā)明中所主張的該裝置的第五實施例的示意截面圖，
圖6展示根據(jù)本發(fā)明的接合的方法步驟的示意圖，
圖7a展示在襯底的側(cè)邊緣的區(qū)域中的具有對準誤差dx的經(jīng)接合襯底對的示意圖，
圖7b展示根據(jù)本發(fā)明的在接合波的區(qū)域中的兩個襯底的放大示意圖，
圖7c展示不具有對準誤差/偏轉(zhuǎn)誤差的兩個襯底的放大示意圖，
圖7d展示具有對準誤差/偏轉(zhuǎn)誤差的兩個襯底的放大示意圖，及圖8展示可能覆蓋或偏轉(zhuǎn)誤差的符號表示。
[0059]在該附圖中相同組件及具有相同功能的組件使用相同組件符號標記。

【具體實施方式】
[0060]圖1展示由基體9及接納體2組成的作為襯底樣本固持件的下部第一接納設備I。該接納體2具有在相對第二接納設備4的方向上布置在頂部且在所繪示情況中為凸形彎曲的第一接納表面20。可使該接納體2互換為模塊且可與基體9分離。因此，該基體9是用作接納體2與接合器的下部接納單元(未展示)的間的配接器。(若需要)則此使有可能根據(jù)本發(fā)明進行具有不同曲率R的不同模塊化接納體2之間的迅速變化。
[0061]在接納體2上布置有呈真空路徑形式的固定構(gòu)件6，使用該固定構(gòu)件6可將下部第一襯底3固定于接納表面2o上。
[0062]因為曲率半徑R是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選非常大且因此該曲率使用肉眼基本上不可偵測(附圖中的表示經(jīng)高度放大及示意性的)，所以可根據(jù)本發(fā)明想象執(zhí)行不具有固定構(gòu)件6的第一接納設備且最終將第一襯底放置于接納表面2ο上。經(jīng)由靜電、電或磁性固定構(gòu)件的黏合也可根據(jù)本發(fā)明想象。
[0063]制造成襯底樣本固持件的第二接納設備4由基體2’組成，該基體2’具有可尤其是在同心區(qū)段中等距對準至第一接納表面2ο的對應同心區(qū)段的第二接納表面20’。
[0064]基體2’具有呈孔的形式的開口 5及類似于第一接納設備I的固定構(gòu)件的固定構(gòu)件6。
[0065]該固定構(gòu)件6’是用于將上部、第二襯底8固定于背離該第二襯底8的接觸表面8k的側(cè)上。
[0066]呈接針7的形式的致動構(gòu)件是用于變形(此處為撓曲)且因此用于第二襯底8至彎曲的第一襯底3的主要點趨近，尤其在曲率最大的區(qū)域中。
[0067]在特殊實施例中，可根據(jù)本發(fā)明想象使接納體2作為可由氣動作用和/或水壓作用膨脹及收縮的可伸展組件，尤其是枕墊，尤其用耐熱和/或耐腐蝕材料。
[0068]圖2展示具有接納體2〃的第二實施例，其中第一接納表面2ο可經(jīng)由制造為拉桿和/或推桿的致動組件10以受控制方式變形。該接納座2"具有尤其同心地延伸的固定區(qū)段16及包含第一接納表面2ο的變形區(qū)段17。該變形區(qū)段17具有至少主要地恒定厚度且因此主要地恒定抗彎硬度。致動組件10定位于(尤其固定于)變形區(qū)段17的背離接納表面2ο的致動側(cè)上。經(jīng)由致動組件10變形區(qū)段17可在微米范圍中變形，尤其可凸形或凹形地彎曲。該致動組件10此處行進大于0.01 μ m，優(yōu)選大于+/-1 μ m,更佳大于+/- 10Pm,又更佳大于+/- 100 μπι,最佳大于+/-1 mm,最優(yōu)選地大于+/- 10 mm。以其它方式，根據(jù)圖2的實施例對應于根據(jù)圖1的實施例。
[0069]圖3展示具有第一接納設備I (該第一接納設備I具有接納體2〃’)的第三實施例。該接納體2"’具有用以安置第一襯底3的第一接納表面20。此外，該第一接納設備I在此實施例中具有用以接納體2"’的至少在第一接納表面2o的區(qū)域中，優(yōu)選整個接納體2〃’的溫度控制(加熱和/或冷卻)的溫度控制構(gòu)件11。
[0070]在第一程序中第一襯底3是僅在達到經(jīng)由溫度差異引起的其膨脹的后固定于經(jīng)加熱的接納體2〃’上。以此方式該第一襯底3根據(jù)其自身熱膨脹系數(shù)膨脹。
[0071]在第二程序中第一襯底3是在經(jīng)由溫度控制構(gòu)件11熱負載之前固定于接納體2〃’上。經(jīng)由改變溫度控制構(gòu)件11，接納體2〃’且因此具有第一襯底3固定于其上的第一接納表面2ο尤其在側(cè)向方向上膨脹。優(yōu)選地，接納體2〃’具有基本上與第一襯底3相同的熱膨脹系數(shù)。以其它方式，第三實施例對應于上文所描述的第一及第二實施例。
[0072]圖4展示具有基體9’(該基體9’具有用以安置接納體2IV的接納區(qū)段18)的第四實施例。此外，該基體9’包括肩部區(qū)段19，該肩部區(qū)段19鄰接于該接納區(qū)段18且使該肩部區(qū)段19尤其為圓周的。該肩部區(qū)段19是用作致動組件12的止動器，該致動組件12是用于接納體2IV在側(cè)向方向上的變形。尤其呈復數(shù)個牽拉和/或推動組件12的形式的該致動組件12是分布于接納體2IV的側(cè)向周邊上而配置。該致動組件12是用于接納體2IV在側(cè)向方向上的尤其經(jīng)由機械膨脹和/或壓縮的優(yōu)選在微米范圍中的變形。該接納體2IV經(jīng)膨脹和/或壓縮大于0.01 μπι,優(yōu)選大于+/-1 ym,更佳大于+/- 10 μπι,又更佳大于+/-100 μπι,最佳大于+/-1 mm,最優(yōu)選地大于+/- 10 mm。致動組件12可制造為純粹機械和/或氣動和/或水壓和/或壓電組件。
[0073]以其它方式，第四實施例對應于上文所描述的第一、第二及第三實施例。在該第四實施例中，尤其重要的是，襯底I與接納體2IV之間的黏合是如此大使得該襯底I在該接納體2IV的伸長或壓縮期間是同樣經(jīng)由致動組件12相應地伸長或壓縮。
[0074]圖5展示其中第一接納設備I與第二接納設備4垂直對準的第五實施例。該第一接納設備I具有基體9"及經(jīng)由該基體9"固定的接納體2V。該接納體2V包含第一接納表面2o,該第一接納表面2o在此實施例中垂直定位且第一襯底3經(jīng)由固定組件6固定于該第一接納表面2o上。
[0075]第二接納設備4包含相對布置以用于安置及固定接納體2VI的基體9"’。該接納體2VI是用于將第二襯底8安置及固定于其垂直配置的接納表面20’上。為該第二襯底8的變形存在具有呈接針7的形式的致動構(gòu)件的類似于根據(jù)圖1的開口 5的開口 5，該致動構(gòu)件經(jīng)制造以透過該開口 5使第二襯底8變形，確切地說在背離該第二襯底8的接觸表面8k的側(cè)上。當襯底3、8經(jīng)由第二襯底8的變形而接觸時,該接針7界定接合起始位點20。
[0076]除開口 5及接針7以外，在此實施例中根據(jù)圖5使第一接納設備I及第二接納設備4對稱。優(yōu)選地，第一接納設備也具有對應開口及對應接針使得致能襯底3、8的對稱變形。經(jīng)由在經(jīng)變形襯底3、8于接合起始位點20 (該接合起始位點20尤其是定位于該襯底
3、8的中心)處接觸之后同時釋放固定構(gòu)件6、6’，該襯底3、8表現(xiàn)相同使得即使缺乏重力對在彼此的上的接觸表面3k、8k的方向上的變形的影響也沒有對準誤差在接合波的前進期間發(fā)生。此尤其在根據(jù)本發(fā)明的影響接合波或?qū)收`差，尤其襯底的厚度或襯底的抗彎硬度的因素的主要數(shù)目相同時應用。該抗彎硬度是本體抵抗外加于其上的彎曲的阻力。抗彎硬度愈高，為達成相同曲率彎曲矩必須愈大。
[0077]抗彎硬度是獨立于彎曲矩的純粹材料及幾何上的特性(假定該彎曲矩并不經(jīng)由截面中的變化改變慣性矩)。晶圓的穿過其中心的截面是在具有厚度t3及晶圓直徑D的非常良好近似矩形中?？箯澯捕仁菍τ诰鶆蚪孛娴膹椥阅?shù)及平面慣性矩的乘積。圍繞相對于厚度垂直的軸的矩形的平面慣性矩將直接與該厚度的三次冪成比例。因此，慣性矩且因此彎曲矩是經(jīng)由厚度影響。彎曲矩經(jīng)由重力沿著襯底的作用而發(fā)生。對于恒定彎曲矩，因此恒定重力，因此具有較大厚度的襯底歸因于其較大彎曲矩而比具有較小厚度的襯底彎曲程度小。
[0078]圖6示意性地展示接合過程，其中為圖解目的將第一接納設備I的曲率半徑R高度放大展示。該曲率半徑是根據(jù)本發(fā)明的在I英寸至18英寸的范圍中的襯底3、8的直徑及在I μπι至2000 μπι的范圍中的該襯底3、8的厚度處的若干米。
[0079]在使襯底3、8接觸于接觸表面3k、8k上于接合起始位點20 (該接合起始位點20位于該襯底3、8的中心)的區(qū)域中之后及在取消自第二接納設備4固定(釋放)第二襯底8之后，接合開始。具有接合前部13的接合波自接合起始位點20同心地延伸至襯底3、8的側(cè)邊緣8s、3s。
[0080]在此情況下接合波移位經(jīng)由接觸表面3k、8k之間的箭頭所展示的氣體15 (或氣體混合物15)。
[0081]襯底3是根據(jù)本發(fā)明經(jīng)由接納設備I變形使得最小化襯底3、8的對應結(jié)構(gòu)14的對準誤差。
[0082]襯底8在接合波的行進期間(在接合起始及自接納設備4釋放之后)基于以下作用力變形:氣體壓力、氣體密度、接合波的速度、重量、襯底8的固有頻率(彈簧行為)。
[0083]在尤其是對應于根據(jù)圖1及圖2之前兩個實施例的所繪示的例示性實施例中，變形經(jīng)由襯底3、8的曲率發(fā)生，其中上部襯底8的曲率半徑R (尤其在接合前部13的各時間點)基本上對應于下部襯底3的曲率半徑R1。若兩個接納表面2o、2o’其中之一是平坦的且因此同時支撐于平坦接納表面2ο或20’上的對應襯底3或8的半徑是無窮大，則對應相對襯底8或3的半徑是設定為相應較大，在邊界情況中無窮大。因此，本發(fā)明也揭示經(jīng)由互相趨近的兩個襯底3及8 (其曲率半徑無窮大，因此其接觸表面3k、8k彼此平行)的偏轉(zhuǎn)誤差的發(fā)明補償。本發(fā)明的特殊情況將主要適于真空環(huán)境中以將兩個襯底3及8彼此結(jié)合，此是因為將不必經(jīng)由將在其前部中的一定量的氣體推出接合接口及自接合中心傳播的接合波將兩個襯底3及8彼此接合。根據(jù)本發(fā)明曲率半徑Rl及R的差異是尤其小于100m,優(yōu)選小于10 m,更佳小于I m,最佳小于I cm,最優(yōu)選地小于I mm。
[0084]可根據(jù)本發(fā)明想象經(jīng)由選取氣體15或氣體混合物15及壓力和/或溫度及接合速度而控制環(huán)境。
[0085]圖7a至圖7d繪示根據(jù)圖7a及圖7d的呈放大形式的可能對準誤差dx，該可能誤差dx根據(jù)本發(fā)明根據(jù)圖7b及圖7c是至少主要經(jīng)由襯底3、8的變形消除。
[0086]所描述的方法步驟，尤其移動及參數(shù)是經(jīng)由尤其軟件支持的控制設備(未展示)予以控制。
[0087]附圖標記列表
I第一接納設備
2、2’、2〃、2〃’、2IV、2V、2VI 接納體 2o 第一接納表面 20’ 第二接納表面 3第一襯底 3k 第一接觸表面 3s 側(cè)邊緣 4第二接納設備 5開口
6、6’ 固定構(gòu)件 7接針 8第二襯底 8k 第二接觸表面 8s 側(cè)邊緣 9、9’、9〃、9〃’ 基體
10致動組件
11溫度控制構(gòu)件
12致動組件
13接合前部 14、14’結(jié)構(gòu)
15氣體/氣體混合物
16固定區(qū)段17變形區(qū)段
18接納區(qū)段
19肩部區(qū)段
20接合起始位點dx對準誤差dl、d2直徑
R、R1曲率半徑
【權利要求】
1.一種用以將第一襯底(3)和第二襯底(8)在襯底(33)的接觸表面(31810上接合的方法，其具有以下步驟、尤其具有以下流程: -第一接納設備(1)的第一接納表面(20)上接納所述第一襯底(3)且第二接納設備(4)的第二接納表面〈20’)上接納所述第二襯底(8)， -在接合起始位點(20)上接觸所述接觸表面(31810, -沿著自所述接合起始位點(20)行進至所述襯底(33)的側(cè)邊緣(3^88)的接合波將所述第一襯底(3)與所述第二襯底(8)接合， 其特征在于:所述第一襯底(3)和/或所述第二襯底(8)經(jīng)變形以在所述接合之前和/或在接合期間使所述接觸表面(31810在所述接合起始位點(20)外對準。
2.如權利要求1的方法，其中所述第一襯底(3)和/或所述第二襯底(8)的變形取決于對于所述接合波的行進的給定影響因素發(fā)生。
3.如前述權利要求其中一項的方法，其中所述接合起始位點(20)布置在所述接觸表面(31810的中心。
4.如前述權利要求其中一項的方法，其中所述第一襯底(3)和/或所述第二襯底(8)的變形在所述側(cè)向方向上和/或凸形和/或凹形地實現(xiàn)。
5.如前述權利要求其中一項的方法，其中變形經(jīng)由所述第一襯底(3)和/或所述第二襯底(8)的膨脹或壓縮或彎曲而實現(xiàn)。
6.如前述權利要求其中一項的方法，其中所述襯底(3,8)的直徑((1132)彼此偏離小于5臟,尤其是小于3臟，優(yōu)選地小于1臟。
7.如前述權利要求其中一項的方法，其中所述變形經(jīng)由機械致動構(gòu)件和/或經(jīng)由所述第一和/或第二接納設備(14)的溫度控制而發(fā)生。
8.如前述權利要求其中一項的方法，其中將所述第一襯底(3)和/或所述第二襯底(8)僅固定于所述第一和/或第二接納表面(2^2^)上的所述側(cè)邊緣(3^88)的所述區(qū)域中。
9.一種用以在所述襯底(33)的接觸表面(31810上接合第一襯底(3)與第二襯底(8)的裝置，其具有: 用以在第一接納表面(20)上接納所述第一襯底(3)的第一接納設備(1)及用以在第二接納表面〈20’)上接納所述第二襯底(8)的第二接納設備(4)， 用以在接合起始位點(20)上接觸所述接觸表面(31810的接觸構(gòu)件， 其特征在于:用以使所述第一襯底(3)和/或所述第二襯底(8)變形以在所述接合之前和/或在接合期間使所述接觸表面(31810在所述接合起始位點(20)外對準的變形構(gòu)件。
10.如權利要求9的裝置，其中所述變形構(gòu)件包含可尤其是在所述側(cè)向方向上在所述第一接納表面(20)上變形和/或可凸形或凹形地變形的所述第一接納設備(丄)。
11.如權利要求9的裝置，其中所述變形構(gòu)件包含可尤其是在所述側(cè)向方向上在所述第二接納表面(20,)上變形和/或可凸形或凹形地變形的所述第二接納設備(4)。
12.如權利要求9至11中至少一項的裝置，其中所述變形構(gòu)件具有機械致動構(gòu)件和/或用于所述第一和/或第二接納設備(14)的溫度控制的溫度控制構(gòu)件。
13.如權利要求9至12中至少一項的裝置，其中用以固定所述第一襯底(3)和/或所述第二襯底(8)的固定構(gòu)件僅布置在所述第一和/或第二接納表面(2(^20,)上的側(cè)邊緣(38,88)的所述區(qū)域中。
【文檔編號】H01L21/18GK104364882SQ201380031975
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2013年5月29日 優(yōu)先權日:2013年5月29日
【發(fā)明者】T.瓦根萊特納, M.溫普林格, P.林德納, T.普拉赫, F.庫爾茨 申請人:Ev 集團 E·索爾納有限責任公司