制造具有局部背表面場(chǎng)(lbsf)的太陽(yáng)能電池的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及使用堿性蝕刻膏制造具有局部背表面場(chǎng)(LBSF)太陽(yáng)能電池的方法，所述方法使得在單一的方法步驟中的背面拋光以及背面邊緣絕緣化成為可能。
【專(zhuān)利說(shuō)明】制造具有局部背表面場(chǎng)（LBSF)的太陽(yáng)能電池的方法
[0001] 本發(fā)明涉及使用可印刷的蝕刻膏制造具有局部背表面場(chǎng)的太陽(yáng)能電池的方法。 現(xiàn)有技術(shù)
[0002] 對(duì)于制造硅太陽(yáng)能電池，已知將鈍化抗反射層涂覆在前面上并且在整個(gè)背面上提 供金屬化（背表面場(chǎng)）。對(duì)于該金屬化，通常使用基于鋁的絲網(wǎng)印刷膏，其在>800°C的燒結(jié) 溫度下焙燒。在該燒結(jié)過(guò)程中形成的低熔點(diǎn)的Al/Si共晶體在硅表面形成合金并且具有 P-摻雜行為。
[0003] 此外，通常還使用銀膏將接觸點(diǎn)印制在背面上。這些對(duì)于將電池焊接到模塊上是 必需的。使用銀膏印刷的背面匯流條可以條帶形式應(yīng)用（在前面匯流條之下）并且可以具 有兩倍前面匯流條的寬度。
[0004] 標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)能電池的背面設(shè)計(jì)被用于產(chǎn)品的許多變體中。
[0005] 在以下出版物中給出了這種技術(shù)的描述：
[0006] P. Choulat 等；22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference (2007)， 米蘭，意大利，和
[0007] G. Agostinelli 等，20th European Photovoltaic Conference (2005)，巴塞羅那， 西班牙
[0008] 此外，文獻(xiàn)指出通過(guò)使用氧化鈍化層替代整面的鋁層優(yōu)化背表面場(chǎng)。此處，背面接 觸通過(guò)使用P-摻雜鋁經(jīng)由小點(diǎn)或線接觸產(chǎn)生。這種特殊的背面接觸結(jié)構(gòu)被稱(chēng)為局部背表 面場(chǎng)（LBSF)。
[0009] 目前經(jīng)常已經(jīng)描述和使用的用于產(chǎn)生局部背表面場(chǎng)（LBSF)結(jié)構(gòu)的方法通過(guò)激光 進(jìn)行。此處，薄鋁層借助激光穿過(guò)氧化層（SiO 2或Al2O3)與硅熔融。然而，該方法的主要缺 點(diǎn)是破壞硅表面，由此產(chǎn)生在表面處增加的電子重組率。
[0010] 與局部背表面場(chǎng)（LBSF)相關(guān)的新電池概念被描述為具有超過(guò)20%效率的高效 太陽(yáng)能電池（M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, S. R. Wenham, Solar Energy Materials&Solar Cells 65 (2001)9-16,Progress and outlook for high efficiency crystalline solar cells)〇
[0011] 通過(guò)使用LBSF技術(shù)，太陽(yáng)能電池的效率（更好的獲知自PERC-鈍化發(fā)射極背接 觸）能夠獲得超過(guò)0.5% (絕對(duì)值）的顯著增加。根據(jù)已知的現(xiàn)有技術(shù)，將由氧化鋁或SiO2 和氮化硅組成的雙層施加到晶片的背面上（借助PECVD)用于背面鈍化。
[0012] 圖1、2和3描述了迄今在制造具有局部背表面場(chǎng)（LBSF)的太陽(yáng)能電池中必須進(jìn) 行的必要過(guò)程步驟的方法流程圖。這些制造方法已經(jīng)被引入到太陽(yáng)能電池的工業(yè)制造中。
[0013] 根據(jù)如在圖1中描繪的方法變體A，具有LBSF的太陽(yáng)能電池的制造包括以下步 驟：
[0014] 1.使用金字塔結(jié)構(gòu)將表面紋理化
[0015] 2.磷摻雜（65 Ω /sq POCl3 的擴(kuò)散）
[0016] 3.使用HF/HN03在背面上邊緣絕緣化并且PSG蝕刻
[0017] 4.沉積鈍化層（SiO2 或 Al2O3)和 SiNx 層（PECVD SiNx)
[0018] 5.絲網(wǎng)印刷用以金屬化表面（銀膏）和背面（鋁膏）/燒結(jié)
[0019] 6.背面鋁與硅激光接觸
[0020] 根據(jù)如在圖2中描繪的方法變體B，具有LBSF的太陽(yáng)能電池的制造包括以下步 驟：
[0021] 1.使用金字塔結(jié)構(gòu)將表面紋理化
[0022] 2.背面拋光（使用HF/HN03蝕刻拋光）
[0023] 3.磷摻雜（65 Ω /sq POCl3 的擴(kuò)散）
[0024] 4.使用HF/HN03在背面上邊緣絕緣化并且PSG蝕刻
[0025] 5.沉積鈍化層（SiO2 或 Al2O3)和 SiNx 層（PECVD SiNx)
[0026] 6.借助激光選擇性刻開(kāi)鈍化層和SiNx層
[0027] 7.絲網(wǎng)印刷用以金屬化前面（銀膏）和背面（鋁膏）/燒結(jié)
[0028] 自從2011年，已知如圖3中描繪的方法變體C(在PVSEC會(huì)議2011中提出），由此 可制造具有比變體B更高效率的具有LBSF的太陽(yáng)能電池。
[0029] 該方法變體C包括以下七步，其也在圖3中描繪：
[0030] 1.使用金字塔結(jié)構(gòu)將表面紋理化
[0031] 2.背面拋光（使用HF/HN03蝕刻拋光）
[0032] 3.磷摻雜（65 Ω /sq POCl3 的擴(kuò)散）
[0033] 4.使用HF/HN03在背面上邊緣絕緣化并且PSG蝕刻
[0034] 5.沉積鈍化層（SiO2 或 Al2O3)和 SiNx 層（PECVD SiNx)
[0035] 6.通過(guò)蝕刻膏（SolarEtch AQS印刷，加熱，沖洗）選擇性刻開(kāi)鈍化層和SiNx層
[0036] 7.絲網(wǎng)印刷用以金屬化表面（銀膏）和背面（鋁膏）/燒結(jié)
[0037] 在該方法變體中，在堿性紋理化（在Cz-Si晶片的情況下）或酸性紋理化（在 mc-Si晶片的情況下）之后，使用HF/HN03混合物在背面上化學(xué)拋光晶片（去除紋理）。隨 后，將晶片在約800-850°C的溫度下使用POCl 3處理約25分鐘。在此，磷擴(kuò)散到晶片的表面。 同時(shí)，由此將表面電阻調(diào)整至約650hm/Sq(Q/ Sq)。在晶片的背面上通過(guò)HF/HNCV混合物進(jìn) 行邊緣絕緣化（使p/n結(jié)分開(kāi)）（來(lái)自RENA的設(shè)備）。對(duì)于該蝕刻步驟，調(diào)整蝕刻浴濃度和 停留時(shí)間以獲得最終電池的理想的蝕刻深度或理想的分流值。30-40kQ cm2的分流值通常 是使用背面蝕刻設(shè)置的。
[0038] 借助氫氟酸去除前面上的PSG玻璃（磷硅酸鹽玻璃）。隨后將晶片沖洗和干燥并 且送至下一個(gè)制造步驟，其中將鈍化層沉積。后者可以通過(guò)熱沉積SiO 2或?qū)τ贏l2O3通過(guò) ALD方法（原子層沉積）進(jìn)行。隨后將SiNx層沉積在背面和前面上。這相當(dāng)于用抗反射層 遮蔽（ARC沉積）并且通過(guò)氮化硅（SiN x)的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積進(jìn)行。借助絲網(wǎng)印 刷（具有約70-100 μ m直徑的點(diǎn)形式）將SolarEtch AQS蝕刻膏印刷在背面上并且在390°C 下在帶式爐中活化。隨后在超聲浴中使用0. 1% KOH溶液將蝕刻膏沖掉，使用去離子水沖洗 并且干燥。在銀膏已經(jīng)印刷用于前面接觸和鋁膏已經(jīng)作為局部背表面場(chǎng)印刷之后，在帶式 爐中加熱（燒）。
[0039] 制造具有局部背表面場(chǎng)（LBSF)的太陽(yáng)能電池的該方法的缺點(diǎn)是大量的方法步驟 (其耗時(shí)且昂貴）和HF/HN0 3的高消耗。
[0040] 目的
[0041] 因此，本發(fā)明的目的在于，提供可以簡(jiǎn)單進(jìn)行的制造具有局部背表面場(chǎng)及高度有 效性的太陽(yáng)能電池的方法，通過(guò)所述方法使得時(shí)間和成本以及方法步驟得以節(jié)省。本發(fā)明 的目的還在于，提供對(duì)環(huán)境更友好的方法，例如限制或如果可能避免使用HF和ΗΝ0 3。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0042] 利用各種蝕刻膏組合物的實(shí)驗(yàn)，已經(jīng)令人驚訝地顯示，該目的可以通過(guò)使用新的 含KOH的蝕刻膏組合物和通過(guò)同時(shí)修改方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0043] 因此，本發(fā)明涉及制造具有局部背表面場(chǎng)（LBSF)的太陽(yáng)能電池的方法，其特征在 于借助堿性蝕刻膏在一個(gè)方法步驟中使得背面拋光和背面邊緣絕緣化成為可能。在進(jìn)一步 的方法步驟中，借助酸性蝕刻膏將接觸窗蝕刻在背面多層上（鈍化層和SiNx)，其中所使用 的酸性蝕刻膏對(duì)于硅層具有特別的選擇性。
[0044] 特別地，該新的根據(jù)本發(fā)明的方法通過(guò)以下事實(shí)不同于迄今已知的方法，即不使 用hf/hno3混合物進(jìn)行蝕刻拋光和邊緣絕緣化。通過(guò)使用堿性蝕刻膏以有利的方式使得化 學(xué)廢氣清理能夠完全省略。
[0045] 在優(yōu)選的實(shí)施方案中，如在圖4中所描繪的，根據(jù)本發(fā)明制造具有局部背表面場(chǎng) 的太陽(yáng)能電池的方法包括以下方法步驟：
[0046] I.表面紋理化
[0047] II.憐慘雜（?65 Ω/sq POCl3 擴(kuò)散）
[0048] III.借助堿性蝕刻膏蝕刻背面，由此拋光了表面并且同時(shí)使p/n結(jié)分開(kāi)，其中使 用模版印刷將蝕刻膏印刷在背面上，在約150°C下帶式爐中活化2分鐘，并且用去離子水沖 洗晶片，
[0049] IV.用SiO2或Al2O3鈍化層（15-30nm)涂覆背面并且隨后借助等離子體增強(qiáng)化學(xué) 氣相沉積用氮化硅（70-100nm)涂覆背面和前面（PECVD-SiN x)
[0050] V.通過(guò)絲網(wǎng)印刷來(lái)印刷蝕刻膏，在帶式爐中加熱并且用去離子水沖洗。
[0051] VI.絲網(wǎng)印刷用以金屬化前面和背面，隨后燒結(jié)（共燒）。
[0052] 在改變次序后的修改方式中（圖5)，根據(jù)本發(fā)明具有單步發(fā)射極的制造太陽(yáng)能電 池的根據(jù)本發(fā)明的方法包括以下步驟：
[0053] I.表面紋理化
[0054] II.憐慘雜（?65 Ω/sq POCl3 擴(kuò)散）
[0055] III.借助堿性蝕刻膏蝕刻背面，由此拋光了表面并且同時(shí)使p/n結(jié)分開(kāi)（使用模 版印刷將蝕刻膏印刷在背面上，在約150°C下帶式爐中活化2分鐘，并且用去離子水沖洗晶 片）
[0056] IV.用SiO2或Al2O3鈍化層（15_30nm)涂覆背面并且隨后借助等離子體增強(qiáng)化學(xué) 氣相沉積用氮化硅（70-100nm)涂覆背面和前面（PECVD-SiN x)
[0057] V.通過(guò)激光刻開(kāi)Si02/SiNx層或Al203/SiN x層（具有約70 μ m直徑的點(diǎn)開(kāi)口）
[0058] VI.絲網(wǎng)印刷用以金屬化前面和背面，隨后燒結(jié)（共燒結(jié)）。
[0059] 特別地通過(guò)使用堿性蝕刻膏作出貢獻(xiàn)以實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的目的，所述堿性蝕刻膏 優(yōu)選包含NaOH、KOH或其混合物作為堿性蝕刻組分并且其描述于用于制造具有局部背表面 場(chǎng)的太陽(yáng)能電池所描述的方法中。關(guān)于蝕刻膏，特別優(yōu)選包含KOH的蝕刻膏作為蝕刻組分。
[0060] 為此，特別合適的是含KOH的蝕刻膏，其包含5-40wt%量的Κ0Η。
[0061] 除了 KOH之外，根據(jù)本發(fā)明的膏還包含溶劑或溶劑的混合物。在這種情況下，用于 該目的特別優(yōu)選的溶劑為選自以下的溶劑，即甘油、乙二醇、聚乙二醇、辛醇、1，3-丙二醇、 1，4-丁二醇、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、二甲基亞砜和Y-丁內(nèi)酯，其各自可以以純的 形式或以混合物的形式使用。在膏中，溶劑或溶劑混合物可以以20-70wt%的量存在。 [0062] 此外，這些組合物優(yōu)選包含至少一種非粒狀增稠劑。特別地，這些膏包含選自以純 形式或以混合物形式的聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸酯、羧甲基纖維素和羥丙基纖維素的非 粒狀增稠劑。包含粒狀增稠劑的相應(yīng)膏具有特別好的性能，所述粒狀增稠劑選自純形式或 以混合物形式的炭黑、熱解硅酸，硅酸鎂鋁和低熔點(diǎn)蠟顆粒。
[0063] 非常特別適用于根據(jù)本發(fā)明方法的是同時(shí)包含非粒狀和粒狀增稠劑的膏。該膏優(yōu) 選包含〇· l_35wt%，優(yōu)選0· 5-35wt%量的增稠劑。
[0064] 通過(guò)使用含KOH的蝕刻膏來(lái)制造具有LBSF(局部背表面場(chǎng)）的太陽(yáng)能電池得到了 具有改進(jìn)效率的太陽(yáng)能電池。這里已經(jīng)證明有利的是根據(jù)簡(jiǎn)化的方法使用含有磷酸的蝕刻 膏用于刻開(kāi)背面鈍化層來(lái)制造這種具有LBSF的太陽(yáng)能電池。
[0065] 發(fā)明詳述
[0066] 通過(guò)實(shí)驗(yàn)已經(jīng)令人驚訝地發(fā)現(xiàn)，對(duì)于磷硅酸鹽玻璃（PSG或磷玻璃）通過(guò)使用新的 含KOH的蝕刻膏得到非常好的蝕刻結(jié)果。這里已經(jīng)發(fā)現(xiàn)特別有利的是，位于下面的硅層可 以同時(shí)在一步中蝕刻。通過(guò)新的蝕刻膏制劑的實(shí)驗(yàn)還已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的組 合物既能夠得到非常好的拋光效果又在短時(shí)間在結(jié)構(gòu)化蝕刻中可獲得足以使p/n結(jié)分開(kāi) 的蝕刻深度，更確切地說(shuō)，在此獲得了 >5 μ m的蝕刻深度。
[0067] 此外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)將新的蝕刻膏組合物整合至具有局部背表面場(chǎng)（LBSF)的太陽(yáng)能 電池的制備方法中使得方法能夠成功地被簡(jiǎn)化并且不那么昂貴。同時(shí)蝕刻拋光和邊緣絕緣 化（使p/n結(jié)分開(kāi)）位于下面的硅層，使得通過(guò)改進(jìn)的根據(jù)本發(fā)明的方法能夠制造具有更 高效率的LBSF的太陽(yáng)能電池。
[0068] 在根據(jù)本發(fā)明的方法中，在使用HF和HNO3酸性紋理化或使用KOH和異丙醇?jí)A性 紋理化之后，將晶片在整個(gè)晶片表面強(qiáng)烈摻雜。為此，在約800-850°C的溫度下在約30-90 分鐘的停留時(shí)間期間使用POCl3將磷摻雜。通過(guò)摻雜，將電池前面的導(dǎo)電率調(diào)整至約60 -700hm/sq。隨后通過(guò)具有特定篩網(wǎng)布置的絲網(wǎng)印刷或借助鋼制模版將新的蝕刻膏印刷在Si 晶片的背面上，優(yōu)選在整個(gè)背面上，并且加熱。為此，將晶片表面加熱至100-150°C的溫度。 加熱持續(xù)時(shí)間為2-5分鐘。加熱優(yōu)選在帶式爐中進(jìn)行。在加熱步驟期間，PSG層和硅層均 被蝕刻。當(dāng)達(dá)到>5μπι的蝕刻深度時(shí)，蝕刻結(jié)束。這時(shí)可以看出，背面開(kāi)始強(qiáng)烈發(fā)光。在用 去離子水簡(jiǎn)單清潔之后，借助氫氟酸在下一個(gè)方法步驟中去除晶片前面上的PSG玻璃（磷 玻璃）。用去離子水重新沖洗晶片并且干燥。隨后將鈍化層施加到背面上。為此，SiO 2可 以被施加30nm的層厚（通過(guò)熱表面氧化）或Al2O3可以被施加20nm的層厚（使用原子層 沉積）。隨后將90nm的層厚的氮化硅通過(guò)PECVD沉積在背面和前面上。將SolarEtch AQS 蝕刻膏以點(diǎn)圖案印刷在背表面上（具有90 μ m直徑的約25000個(gè)點(diǎn)）（通過(guò)絲網(wǎng)印刷）。隨 后將晶片表面加熱至350-450°C的溫度。此處加熱持續(xù)時(shí)間為1分鐘和5分鐘之間。加熱 優(yōu)選在帶式爐中進(jìn)行。在加熱步驟期間，SiN x層和SiO2或Al2O3層均被蝕刻。在該方法步 驟之后，在超聲浴中使用0. l-o. 4%的KOH溶液清洗晶片表面，用去離子水沖洗并且干燥。 將相應(yīng)的銀膏印刷在前面上用于前面接觸，而將鋁膏印刷在背面上預(yù)期的區(qū)域中用于背面 接觸。為此，優(yōu)選使用特定的LBSF鋁膏，其具有降低的玻璃料濃度（例如來(lái)自DuPont的 Solamet'? LBSF鋁膏）。最后在帶式爐中加熱經(jīng)印刷的晶片并且干燥。
[0069] 因此，使用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻膏組合物制造具有局部背表面場(chǎng)的太陽(yáng)能電池的根 據(jù)本發(fā)明的方法包括以下方法步驟，其在圖4中再現(xiàn)：
[0070] 1.使用金字塔結(jié)構(gòu)將表面紋理化
[0071] 2.磷摻雜（?65 Ω /sq POCl3的擴(kuò)散）
[0072] 3.使用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻膏蝕刻背面，由此拋光了表面并且同時(shí)使p/n結(jié)分開(kāi) (通過(guò)模版印刷將蝕刻膏印刷在背面上，在約150°C下在帶式爐中活化2分鐘，用去離子水 沖洗晶片）
[0073] 4.使用HF進(jìn)行PSG蝕刻（PSG :磷硅酸鹽玻璃）
[0074] 5.用SiO2或Al2O3鈍化層涂覆背面并且用氮化硅涂覆背面和前面 [PECVD-SiN x (PECVD:等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）]
[0075] 6.借助蝕刻膏選擇性刻開(kāi)鈍化層和SiNx層（SolarEtch AQS印刷、加熱、沖洗）
[0076] 7.絲網(wǎng)印刷用以金屬化表面（銀膏）和背面（鋁膏）/在帶式爐中燒結(jié)。
[0077] 與已知的用于制造具有局部背表面場(chǎng)（LBSF)的太陽(yáng)能電池的方法相比，根據(jù)本 發(fā)明的方法包括較少的方法步驟。因此，通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻膏組合物的修改的方 法可以同時(shí)節(jié)省時(shí)間和化學(xué)制品，這些對(duì)于兩個(gè)省略的步驟是必需的。由此，整個(gè)制造方法 同時(shí)也變得不那么昂貴。
[0078] 為了制造具有局部背表面場(chǎng)（LBSF)的太陽(yáng)能電池，根據(jù)本發(fā)明的方法和由此制 造的太陽(yáng)能電池相對(duì)上述已知的方法A、B和C顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：
[0079] 1.對(duì)于制造具有選擇性發(fā)射極的太陽(yáng)能電池而言較少的方法步驟
[0080] 2.進(jìn)行整個(gè)方法的低成本
[0081] 3.更加環(huán)境友好的方法，因?yàn)槭÷粤耸褂糜蒆F/HN03混合物組成的酸混合物的蝕 刻步驟（拋光步驟）并且因此避免形成亞硝氣體
[0082] 4.比標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)能電池更高的效率或更高的電池效率
[0083] 除了這些方法優(yōu)點(diǎn)和經(jīng)制造的太陽(yáng)能電池的更高的效率之外，已經(jīng)確定的是，晶 片的背面在使用根據(jù)本發(fā)明的新堿性蝕刻膏蝕刻之后具有非常低的粗糙度。通過(guò)該低的粗 糙度顯著地降低了電子重組率。這樣的電子重組率反過(guò)來(lái)對(duì)于制備的太陽(yáng)能電池的效率具 有正面影響。
[0084] 特別地，這些優(yōu)點(diǎn)通過(guò)在方法步驟3中使用堿性蝕刻膏而得到。Na0H、K0H或其混 合物可以作為堿性蝕刻組分存在于其中。優(yōu)選包含KOH作為堿性蝕刻組分的蝕刻膏。相 應(yīng)的堿性膏包含基于整個(gè)組合物計(jì)5-40wt%濃度的堿性蝕刻組分。蝕刻組分的濃度優(yōu)選 為10-37wt%的范圍。所述濃度特別優(yōu)選為12-35wt% KOH或KOH與NaOH的混合物。通 過(guò)實(shí)驗(yàn)已經(jīng)發(fā)現(xiàn)特別好的結(jié)果，即組合物包含20-35wt%濃度的Κ0Η。除了水作為溶劑之 夕卜，可以在根據(jù)本發(fā)明所使用的堿性蝕刻膏中存在選自純形式或以混合物形式的甘油、乙 二醇、聚乙二醇、辛醇、1，3-丙二醇、1，4-丁二醇、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、二甲基亞 砜和Y-丁內(nèi)酯的溶劑。這些溶劑可以以20-70wt%，優(yōu)選20-60wt%，特別優(yōu)選20-40wt% 的量加入到組合物中。為了增稠，所述膏包含選自純形式或以混合物形式的聚乙烯基吡咯 烷酮、聚丙烯酸酯、羥甲基纖維素和羥丙基纖維素的非粒狀增稠劑。此外，可以將選自炭 黑、熱解硅酸、硅酸鎂鋁和低熔點(diǎn)蠟顆粒的粒狀增稠劑加入到膏中。這些粒狀增稠劑可以 純形式或以混合物形式加入。取決于增稠劑的選擇，增稠劑可以在這樣的蝕刻膏中以總共 0. l-35wt%的量存在。優(yōu)選地，在相應(yīng)的具有良好蝕刻性能的蝕刻膏中增稠劑的濃度優(yōu)選 為 0· 5-35wt%。
[0085] 圖6顯示了與在用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻膏處理之后的晶片相比的未處理晶片的表 面的照片。在使用堿性蝕刻膏的蝕刻步驟之后，清楚可見(jiàn)光滑反射性表面。
[0086] 圖7顯示了部分蝕刻的晶片的表面輪廓。在此，為了證明晶片表面的一半未使用 根據(jù)本發(fā)明的蝕刻膏印刷和蝕刻。因此，可以在一個(gè)測(cè)量操作中測(cè)量未處理的一側(cè)和經(jīng)蝕 刻的一側(cè)。
[0087] 如上所述，可以使用可商購(gòu)的蝕刻膏（例如名稱(chēng)為SolarEtch AQS的蝕刻膏） 進(jìn)行鈍化層和3丨隊(duì)層的選擇性刻開(kāi)。尤其在W003/034504 Al中更詳細(xì)描述的這些蝕 刻膏是不含HF/氟化物的蝕刻介質(zhì)，其適于蝕刻無(wú)機(jī)層。它們通常包含磷酸和/或其 鹽作為蝕刻組分，所述鹽在加熱時(shí)分解成相應(yīng)的磷酸。由于它們的膏形式，可以將蝕刻 膏選擇性地施加到待刻開(kāi)的表面區(qū)域，使得晶片表面的局部開(kāi)口可以在隨后的加熱至 250-350°C范圍的溫度下維持30-120秒來(lái)產(chǎn)生。就根據(jù)本發(fā)明的應(yīng)用而言，作為蝕刻組分 的合適的組合物是包含合適濃度的正磷酸、偏磷酸、焦磷酸或其鹽，并且這里特別是銨鹽 ((NH 4)2HPO4, NH4H2PO4, (NH4)3PO4)和在其熱分解時(shí)形成這些化合物之一的其它化合物的那 些，使得它們能夠在大于250°C的溫度下在數(shù)秒至數(shù)分鐘內(nèi)完全蝕刻70nm層厚度的氮化硅 層。除了蝕刻組分之外，這些蝕刻膏還包含溶劑、增稠劑和任選的添加劑，例如消泡劑、觸變 齊U、流動(dòng)控制劑、除氣劑、粘合促進(jìn)劑。在此，基于蝕刻膏的總重量計(jì)，蝕刻組分在組合物中 以l-80wt %的濃度范圍存在，優(yōu)選在中等至高濃度范圍?；谖g刻膏的總重量計(jì)，在組合物 中溶劑的比例可以是20-80wt %的范圍，優(yōu)選在較低至中等的范圍。合適的溶劑可以是純無(wú) 機(jī)或有機(jī)溶劑或它們的混合物，例如水，低元和/或多元醇，醚特別是乙二醇單丁醚、三甘 醇單乙醚或[2, 2-丁氧基（乙氧基）]乙酸乙酯。此外，基于蝕刻膏的總重量計(jì)，在膏中包含 的增稠劑的比例，其對(duì)于粘度范圍有目的地設(shè)定和原則上對(duì)于獲得組合物的可印刷性（即 形成可印刷的膏）所必需的，為l_20wt%的范圍。可以包含的作為增稠劑的為有機(jī)或無(wú)機(jī) 產(chǎn)品或其混合物，例如纖維素/纖維素衍生物例如乙基、羥丙基、羥乙基、鈉羧甲基纖維素， 或淀粉/淀粉衍生物例如羧甲基淀粉鈉（vivastar? )，或陰離子雜多糖，丙烯酸酯（例 如Borchigel? )，聚合物例如聚乙烯基醇（Mowiol? )、聚乙烯基吡咯燒酮（pvp),或 高度分散的硅酸例如Aerosil?。有機(jī)和無(wú)機(jī)兩種類(lèi)型的增稠劑也可以如所需合并。任選 包含的添加劑可以是消泡劑、觸變劑、流動(dòng)控制劑/阻流劑、除氣劑和粘度促進(jìn)劑。
[0088] 為了使用銀膏選擇性金屬化表面，可以使用相應(yīng)的絲網(wǎng)可印刷組合物， 如市售的例如杜邦的商品名為PV145 Conduetoi*?,或Metalor?的商品名為 MetPaste HeliSi丨5718'?1的絲網(wǎng)可印刷組合物的那些。這樣的膏可以含有基于總重量 50-80wt %量的銀，和溶劑或溶劑的混合物，其它有機(jī)添加劑和水，以及無(wú)機(jī)氧化物例如氧 化鋅、二氧化硅、氧化鉈、玻璃料中的鉛。尤其可以包含的物質(zhì)例如2, 2, 4-三甲基-1，3-戊 二醇單異丁酸酯、鄰苯二甲酸二丁酯、萜品醇、2-(2-丁氧基乙氧基）乙酸乙酯或乙基纖維 素，更確切地說(shuō)在各種情況下以匹配的量，由此得到絲網(wǎng)可印刷的膏。這里應(yīng)當(dāng)以這種方式 選擇組合物，使得通過(guò)在金屬化膏印刷之后加熱形成其中不存在任何干擾的有機(jī)物質(zhì)的導(dǎo) 電金屬層，通過(guò)所述干擾的有機(jī)物質(zhì)將會(huì)損害導(dǎo)電性。
[0089] 如上所述，使用同樣地絲網(wǎng)可印刷的并且可以通過(guò)在升高的溫度下加熱燒結(jié)相應(yīng) 的導(dǎo)電涂層的鋁膏進(jìn)行背面的金屬化。合適的膏是以名稱(chēng)AG/AL 8205PC銀鋁膏由PEMCO EUROINKS S. r. I售賣(mài)。相應(yīng)的鋁膏除了 50-85wt%量的銀之外還包含至少l-10wt%的鋁并 且如上述銀膏一樣可以包含相應(yīng)的溶劑和添加劑，其中特別提及的鋁膏包含Ι-wt%量的基 于硼娃酸鹽玻璃的釉烙塊，l_5wt%量的鉛化合物和小于20wt%量的α -廠品醇。如上述銀 膏那樣，這里還將絲網(wǎng)可印刷的鋁膏應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的方法中。因此，一方面鋁膏必須可 以良好地印刷，和另一個(gè)方面必須良好地粘合到表面，使得它們可以選擇性印刷并且在高 溫下良好地連接到晶片的層上并且形成了均勻?qū)щ娦缘慕饘倩瘜印?br> [0090] 為了制造單晶或多晶太陽(yáng)能電池，基本上通常使用線鋸自拉制硅棒或鑄造硅塊切 割出相應(yīng)的晶片（Dietl J·，Helmreich D·，Sirtl E.，Crystals:Growth, Properties and Applications,第 5 卷，Springer Verlag 1981,第 57 和 73 頁(yè)）。一種例外是通過(guò) EFG 方 法拉制娃（定邊膜喂法）（Wald, F.V. ;Crystals:Growth, Properties and Applications, 第 5 卷，Springer Verlag 1981,第 157 頁(yè)）。
[0091] 為了通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的方法制備具有局部背表面場(chǎng)（LBSF)的太陽(yáng)能電池，可 以采用相應(yīng)制備的單晶或多晶硅晶片，其可以反過(guò)來(lái)用硼摻雜[P型硅，5 "尺寸（125X 125mm, D 150mm)，厚度為 200 - 260 μ m，電阻率為 I. 0 - 1. 5 Ω · cm]。
[0092] 所述晶片通常由單-或多晶硅棒鋸成。依此方式獲得的經(jīng)鋸切的單晶或多晶硅晶 片具有粗糙的表面。此粗糙度也被稱(chēng)為鋸切損壞，其中粗糙高度為約20-30 μ m。在該表面 平面的這些差異對(duì)于進(jìn)一步制造高性能的太陽(yáng)能電池是不利的。因此，在進(jìn)一步將晶片加 工成太陽(yáng)能電池之前，進(jìn)行所謂的鋸切損害蝕刻，但特別地用于實(shí)現(xiàn)盡可能高的效率。除了 消除實(shí)際預(yù)期的鋸切損害（具有數(shù)Pm深度晶片的非常嚴(yán)重?fù)p害的表面區(qū)域）之外，在該 鋸切損害蝕刻期間還去除位于表面凹槽中的污染。在此，污染特別地是鋸線的金屬磨損， 還有少量磨料。鋸切損害蝕刻通常在約70°C的溫度，優(yōu)選更高的溫度，特別是在90°C的溫 度下在大約30%的氫氧化鉀或氫氧化鈉溶液中進(jìn)行。由于約2 μ m/min的蝕刻速率（其在 這些條件下也是相對(duì)低的），10分鐘和可能更長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間可能是必需的以達(dá)到所需的效 果。通常以這種方式去除在晶片兩側(cè)上約7μπι厚度的Si層。
[0093] 雖然通過(guò)該蝕刻在基板上產(chǎn)生粗糙的表面，但是在此在表面得到的打開(kāi)角是非常 平的并且總體上不適于降低表面上的反射或甚至多重反射。然而，這樣的反射效果是實(shí)現(xiàn) 電池的高效率所需的。因此，許多出版物和專(zhuān)利涉及在所有類(lèi)型的太陽(yáng)能電池上降低反射， 例如也涉及無(wú)定型太陽(yáng)能電池 （US 4, 252, 865A)。
[0094] 附圖列表：
[0095] 圖1:制造具有LBSF的太陽(yáng)能電池的標(biāo)準(zhǔn)方法的方法變體A
[0096] 圖2:制造具有LBSF的太陽(yáng)能電池的標(biāo)準(zhǔn)方法的方法變體B
[0097] 圖3:制造具有LBSF的太陽(yáng)能電池的較新方法的變體C
[0098] 圖4:根據(jù)本發(fā)明方法D的圖示，包括6個(gè)方法步驟（使用蝕刻膏刻開(kāi)鈍化層）
[0099] 圖5:根據(jù)本發(fā)明方法E的圖示，包括6個(gè)方法步驟（使用激光刻開(kāi)鈍化層）
[0100] 圖6:未處理表面和處理后表面的對(duì)比圖，根據(jù)本發(fā)明的蝕刻膏在硅表面上的作 用。
[0101] 圖7:晶片的經(jīng)蝕刻背面的表面輪廓，從右到左（從未處理側(cè)至蝕刻側(cè)）表面粗糙 度的輪廓測(cè)量
[0102] 圖8:在根據(jù)本發(fā)明的方法之前，未處理晶片的表面的REM圖像
[0103] 圖9:使用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻膏的根據(jù)本發(fā)明的方法之后，晶片的表面的REM圖像
[0104] 圖10:將蝕刻膏模版印刷到晶片的背面上的詳細(xì)草圖（帶尺寸）
[0105] 圖11:在加熱步驟之前印刷膏的詳細(xì)草圖（邊緣區(qū)域的側(cè)視圖）。在印刷后邊緣 的膏間隔為約100 μ m。
[0106] 圖12:在加熱步驟之后印刷膏的詳細(xì)草圖（邊緣區(qū)域的側(cè)視圖）。膏已經(jīng)流至邊 緣。
[0107] 在進(jìn)一步的描述中，給出了根據(jù)本發(fā)明制造具有LBSF的太陽(yáng)能電池的方法和其 中在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)所使用的蝕刻膏的實(shí)施例以更好的理解和闡明本發(fā)明。這些實(shí)施 例還用于說(shuō)明可能的方法變體或用于蝕刻步驟的合適的膏組合物的可能變體。然而，由于 所述本發(fā)明原理的一般有效性，所述實(shí)施例不適于減小本申請(qǐng)的保護(hù)范圍至這些實(shí)施例本 身。
[0108] 在實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)以及在權(quán)利要求中給出的溫度總是以1：計(jì)。除非另有說(shuō)明，否 則含量數(shù)據(jù)以Wt %或重量比給出。
[0109] 此外，技術(shù)人員將容易理解，在給出的實(shí)施例中和在說(shuō)明書(shū)的剩余部分中，在組合 物中存在組分量總是僅最大加至IOOwt %、mol %或vol %，基于總組合物計(jì)，并且不能超過(guò) 此，即使更高的值可以由所示的百分?jǐn)?shù)范圍產(chǎn)生。除非另有說(shuō)明，％數(shù)據(jù)視為wt%，但不包 括在體積數(shù)據(jù)中顯示的比。
[0110] 根據(jù)本發(fā)明的太陽(yáng)能電池的制造：
[0111] 通常通過(guò)使用優(yōu)選由KOH溶液和異丙醇組成的堿溶液，或使用由HF和HNO3的酸 混合物組成的酸性溶液紋理化實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電池反射的降低。
[0112] 在紋理化之后，以以下次序使用含酸水溶液、使用熱去礦物質(zhì)水或還在烘箱中處 理進(jìn)行表面清理：
[0113] 冊(cè)、此1、冊(cè)、熱去礦物質(zhì)水、冊(cè)、在烘箱中處理。
[0114] 在晶片的表面被清理之后，在擴(kuò)散步驟中形成了單級(jí)發(fā)射極。這是分批的方法，其 中在約1小時(shí)，優(yōu)選在約40分鐘內(nèi)，在高于800°C，最高895°C的溫度下，使用磷摻雜晶片的 表面。使用液體POCl 3進(jìn)行摻雜。在約40分鐘之后，已經(jīng)達(dá)到了約650hm/sq的所需導(dǎo)電 率。
[0115] 使用堿性蝕刻膏，在一個(gè)方法步驟中進(jìn)行背面拋光和背面邊緣絕緣化。這里在模 版印刷中施加蝕刻膏。對(duì)于蝕刻步驟而言，使用了含KOH的蝕刻膏?？梢允褂媒z網(wǎng)印刷機(jī) (例如來(lái)自Baccini的合適機(jī)器，使用四個(gè)照相機(jī)進(jìn)行印刷監(jiān)控）施加膏?？梢允褂美缇?有500 μ m模板厚度的來(lái)自Koenen的模版印刷來(lái)印刷蝕刻膏。所述膏可以使用鋼制刮刀非 常良好地印刷。設(shè)置以下參數(shù)用于膏印刷：無(wú)間隔；印刷速度 ：150mm/s。將蝕刻膏在整個(gè)表 面上施加，尚晶片邊緣200 μ m的間隔（參見(jiàn)圖10的草圖）。將印刷的晶片在最商至150°C 的溫度下加熱約5分鐘的時(shí)間引起活化蝕刻膏用以蝕刻。為此，使用帶式爐。所述爐分為 四個(gè)加熱區(qū)域。區(qū)域1設(shè)置為250°C，區(qū)域2設(shè)置為200°C，區(qū)域3設(shè)置為150°C和區(qū)域4設(shè) 置于150°C。所述帶速度為51cm/min?，F(xiàn)使用Rena線內(nèi)清理裝置清理蝕刻晶片。在兩步 中進(jìn)行清理。在第一個(gè)步驟中，在連續(xù)超聲浴中（2x500W，40kHz)處理晶片。在第二個(gè)步驟 中，使用水射流在兩側(cè)清理晶片并且隨后干燥（壓縮空氣）。
[0116] 使用HF、熱去礦物質(zhì)水和再次使用HF進(jìn)行PSG玻璃蝕刻和濕化學(xué)表面清理。將具 有20nm厚度的熱SiO 2的薄層沉積在背面上。隨后將90nm的LPCVD SiNx沉積在前面和背 面上。
[0117] 在最高至790°C下在兩側(cè)進(jìn)行LPCVD SiNx沉積。沉積90nm的層厚度的方法持續(xù) 時(shí)間為約2小時(shí)。為了沉積Si3N 4，使用二氯硅烷和NH3作為反應(yīng)氣體。
[0118] 隨后將具有約90000個(gè)點(diǎn)（約100 μ m的直徑和500 μ m的間隔）的點(diǎn)圖案印刷在 晶片的背面上?？梢允褂媒z網(wǎng)印刷機(jī)器施加膏?？梢岳缡褂脕?lái)自Koenen的具有280目 /英寸和25 μ m線直徑規(guī)格的絲網(wǎng)印刷蝕刻膏。絲網(wǎng)的夾角優(yōu)選為22.4°。所使用的絲網(wǎng) 乳液是來(lái)自Kissel&Wolf的Azokol Z130類(lèi)型?？梢允褂媒饎偸蔚逗?0肖氏刮刀硬度 非常良好地印刷膏。
[0119] 這里設(shè)置以下參數(shù)用于印刷膏：
[0120] 間隔：1. 2mm ;壓力：70N ;速度：150mm/s
[0121] 在高至400°C的溫度下加熱印刷的晶片約5分鐘的時(shí)間活化蝕刻膏用以蝕刻。為 此，使用帶式爐。所述爐分為四個(gè)加熱區(qū)域。區(qū)域1設(shè)置為550°c，區(qū)域2設(shè)置為400°C，區(qū) 域3設(shè)置為400°C和區(qū)域4設(shè)置于300°C。所述帶速度為51cm/min。隨后使用線內(nèi)清理裝 置（例如獲自Rena)清理蝕刻晶片。在兩步中進(jìn)行清理。在第一個(gè)步驟中，在連續(xù)超聲浴中 (2x500W，40kHz)處理晶片。在第二個(gè)步驟中，使用水射流在兩側(cè)清理晶片并且隨后干燥，例 如使用壓縮空氣。
[0122] 可在以下條件下制備所需的背面。
[0123] 可以使用絲網(wǎng)印刷機(jī)施加該膏。在此，連續(xù)監(jiān)控印刷結(jié)果是有利的。在實(shí)驗(yàn)采用 的裝置中，使用四個(gè)照相機(jī)進(jìn)行監(jiān)控。使用Ag/Al膏作為標(biāo)準(zhǔn)物。對(duì)于所描述的方法，在實(shí) 驗(yàn)中使用來(lái)自DuPont的相應(yīng)膏，PV 502?？梢允褂美鐏?lái)自Koenen的具有230目/英寸 和36μπι線直徑規(guī)格的絲網(wǎng)用以印刷膏。絲網(wǎng)的夾角優(yōu)選為45°。所使用的絲網(wǎng)乳液是來(lái) 自Koenen的ISAR類(lèi)型。在此，可以使用金剛石刮刀和60肖氏刮刀硬度非常良好地印刷所 使用的膏。
[0124] 以下參數(shù)設(shè)定已經(jīng)證明對(duì)于印刷膏是有利的：
[0125] 間隔：1.2mm;
[0126] 壓力：70N ;
[0127] 速度！lSOmm/s- tOias] 使用Ag/Al膏，將測(cè)量為5mm X 124mm的兩個(gè)匯流條印刷在背面上。印刷膏厚度 為約15μπι。為了干燥，將印刷的晶片加熱至最高200°C約3分鐘的時(shí)間。為此，可以使用 帶式爐。
[0129]鋁 LBSF 接觸：
[0130] 使用以名稱(chēng)"Baccini printer"售賣(mài)的絲網(wǎng)印刷機(jī)（具有四個(gè)照相機(jī)）施加膏。 對(duì)所述方法而言，使用Solamet'? PV36X鋁膏（來(lái)自DuPont的用于局部背表面場(chǎng)太陽(yáng)能 電池的導(dǎo)電膏）。使用來(lái)自Koenen的具有330目/英寸和34μπι線直徑規(guī)格的絲網(wǎng)用以印 刷膏。對(duì)于此目的，絲網(wǎng)的夾角優(yōu)選為45°。所使用的絲網(wǎng)乳液是來(lái)自Koenen的ISAR類(lèi) 型的乳液?？梢允褂媒饎偸蔚逗?0肖氏刮刀硬度非常良好地印刷膏。在該情況下，以下 參數(shù)設(shè)定已經(jīng)證明是有利的：間隔：1. 2mm ;壓力：70Ν ;速度：150mm/s。使用標(biāo)準(zhǔn)的Al膏印 刷整個(gè)背面。膏的印刷厚度優(yōu)選為約22 μ m，其中施加的膏的量為約2. 64mg/cm2。將經(jīng)印 刷的晶片加熱至最高290°C約3分鐘的時(shí)間用以干燥。這在帶式爐中進(jìn)行。
[0131] 前面接觸（線）：
[0132] 使用以名稱(chēng)"Baccini printer"售賣(mài)的絲網(wǎng)印刷機(jī)（具有四個(gè)照相機(jī)）施加膏。對(duì) 于所描述的方法，通過(guò)示例性的方式使用來(lái)自DuPont公司的PV 145銀膏。使用來(lái)自Koenen 的具有280目/英寸和25μπι線直徑規(guī)格的絲網(wǎng)用以印刷膏。絲網(wǎng)的夾角優(yōu)選為22.5°。 在該情況下所使用的絲網(wǎng)乳液是來(lái)自Koenen的ISAR類(lèi)型。可以使用金剛石刮刀和60肖 氏刮刀硬度非常良好地印刷膏。對(duì)于印刷膏而言，在測(cè)試條件下，以下參數(shù)設(shè)置已經(jīng)證實(shí)對(duì) 于印刷膏是合適的：
[0133] 間隔：1.2mm;
[0134] 壓力：70N ;
[0135] 速度！lGOmm/s- tOISe] 使用銀膏，印刷具有兩個(gè)匯流條和手指的前面布局。線寬為80 μ m和手指之間的 間隔是1.7mm。總匯流條的寬度為2mm。印刷的膏厚度為約20 μ m。將經(jīng)印刷的晶片加熱至 最高290°C約3分鐘的時(shí)間用以干燥。為此，可以使用帶式爐。
[0137] 火燒條件：
[0138] -將使用金屬膏印刷的硅晶片傳送通過(guò)IR帶式爐，在那里被加熱至最高880°C的 溫度并且加熱（火燒）。該加熱步驟是用于燒出有機(jī)膏組分和用于燒結(jié)和熔融金屬顆粒和 玻璃料組分。這產(chǎn)生了長(zhǎng)期穩(wěn)定的表面接觸（現(xiàn)有技術(shù)"共燒結(jié)"和"ARC燒穿"）?？梢允?用具有7個(gè)區(qū)域的帶式爐進(jìn)行所述方法中的火燒，其中已經(jīng)證明以下溫度曲線是有利的： 250-350-400-480-560-560-88(TC，帶速度為 I. 5m/min。
[0139] LBSF電池的性能：
[0140] 借助太陽(yáng)光模擬器（Xe燈）在標(biāo)準(zhǔn)條件下（STC，1000W/sqm，AM L 5,溫度：25°C ) 下表征經(jīng)制造的太陽(yáng)能電池。在此，模型式制造的電池具有以下：
[0141]

【權(quán)利要求】
1. 制造具有局部背表面場(chǎng)（LBSF)的太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于在一個(gè)蝕刻步驟 中使用經(jīng)印刷的蝕刻膏蝕刻磷硅酸鹽玻璃層（PSG或PSG層）和位于其下的硅層，和由此在 一個(gè)方法步驟中借助堿性蝕刻膏進(jìn)行背面拋光和背面邊緣絕緣化。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于所述背面拋光和背面邊緣絕緣化借助堿性蝕刻 膏進(jìn)行，所述堿性蝕刻膏包含NaOH、KOH或其混合物作為蝕刻組分，并且其在一個(gè)方法步驟 中蝕刻磷硅酸鹽玻璃層（PSG或PSG層）和位于其下的硅層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于使用對(duì)于硅層具有特定選擇性的酸性蝕刻 膏將接觸窗蝕刻至晶片的背面多層（鈍化層和SiNx)中。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求1、2或3之一的方法，包括以下方法步驟： I. 表面紋理化 II. 磷摻雜（?65 Q /sq P0C13擴(kuò)散） III. 借助堿性蝕刻膏蝕刻背面，由此拋光了表面并且同時(shí)使p/n結(jié)分開(kāi)，其中使用模 版印刷將蝕刻膏印刷在背面上，將該膏在約150°C下的帶式爐中活化5分鐘，并且隨后用去 離子水沖洗晶片， IV. 用具有15-30nm厚度的Si02或A1203鈍化層涂覆背面，并且隨后借助等離子體增 強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD-SiNx)用氮化硅（70-100nm)涂覆背面和前面， V. 使用絲網(wǎng)印刷來(lái)印刷蝕刻膏，在帶式爐中加熱并且用去離子水 沖洗， VI. 絲網(wǎng)印刷用以金屬化前面和背面，隨后燒結(jié)（共燒結(jié)）。
5. 堿性蝕刻膏在根據(jù)權(quán)利要求1或2之一的方法中的用途，其特征在于所述膏包含 5-40wt%量的選自NaOH、K0H和其混合物的堿性蝕刻組分。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的含K0H蝕刻膏的用途，所述蝕刻膏包含選自以純形式或混合物形 式的甘油、乙二醇、聚乙二醇、辛醇、1，3-丙二醇、1，4-丁二醇、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙 醚、二甲亞砜和丁內(nèi)酯的溶劑。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6的含K0H蝕刻膏的用途，包含至少一種非粒狀的增稠劑。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5-7的一項(xiàng)或多項(xiàng)的含K0H蝕刻膏的用途，包含選自以純形式或混合 物形式的聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸酯、羧甲基纖維素和羥丙基纖維素的非粒狀增稠劑。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5-8的一項(xiàng)或多項(xiàng)的含K0H蝕刻膏的用途，包含選自以純形式或混合 物形式的炭黑、熱解硅酸、硅酸鎂鋁和低熔點(diǎn)蠟顆粒的粒狀增稠劑。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5-9的一項(xiàng)或多項(xiàng)的含K0H蝕刻膏的用途，包含0. l-35wt%量的增 稠劑。
11. 含K0H蝕刻膏在根據(jù)權(quán)利要求1-4的一項(xiàng)或多項(xiàng)的方法中用于制造具有LBSF的太 陽(yáng)能電池的用途。
12. 含磷酸蝕刻膏在根據(jù)權(quán)利要求1-4的一項(xiàng)或多項(xiàng)的方法中用于制造具有LBSF的太 陽(yáng)能電池的用途，用于刻開(kāi)背面鈍化層。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK104396027SQ201380032451
【公開(kāi)日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2013年5月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月25日
【發(fā)明者】W·斯托庫(kù)姆, O·多爾, I·科爾勒, C·馬托斯徹克 申請(qǐng)人:默克專(zhuān)利股份有限公司