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      均質(zhì)線形強(qiáng)度輪廓的激光器模塊的制作方法

      文檔序號(hào):7038940閱讀:221來(lái)源:國(guó)知局
      均質(zhì)線形強(qiáng)度輪廓的激光器模塊的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及一種激光器模塊,其包括沿著第一軸線(10)并排布置在公共載體上的若干個(gè)子模塊(1)。所述子模塊(1)中的每一個(gè)包括激光器區(qū)域(8),該激光器區(qū)域(8)由布置在子模塊(1)的表面上的一個(gè)或若干個(gè)半導(dǎo)體激光器陣列形成。由所述半導(dǎo)體激光器(2)的每一個(gè)發(fā)射的激光輻射在面對(duì)子模塊(1)的所述表面的工作平面中形成強(qiáng)度分布。子模塊(1)和激光器區(qū)域(8)設(shè)計(jì)并布置成使得相鄰子模塊(1)的激光器區(qū)域(8)在垂直于所述第一軸線(10)的方向上部分地重疊。利用這樣的激光器模塊,能夠產(chǎn)生細(xì)激光線焦點(diǎn),所述細(xì)激光線焦點(diǎn)具有獨(dú)立于模塊與工作平面之間的距離的、沿著激光線的長(zhǎng)度的均質(zhì)強(qiáng)度分布。單獨(dú)的半導(dǎo)體激光器(2)可以是具有矩形形狀發(fā)射的VCSEL。
      【專利說(shuō)明】均質(zhì)線形強(qiáng)度輪廓的激光器模塊

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種包括并排布置在公共載體上的若干個(gè)子模塊的激光器模塊,所述子模塊中的每一個(gè)包括由一個(gè)或若干個(gè)半導(dǎo)體激光器陣列形成的激光器區(qū)域。
      [0002]在許多現(xiàn)有和即將到來(lái)的應(yīng)用領(lǐng)域中,利用半導(dǎo)體激光器加熱是興趣日益增長(zhǎng)的話題。一些應(yīng)用需要均質(zhì)線形強(qiáng)度輪廓,意味著具有高邊長(zhǎng)比的頂帽(top-hat)矩形輪廓。一個(gè)示例為專業(yè)印刷機(jī)中墨水的干燥,需要長(zhǎng)達(dá)1.1m長(zhǎng)度和僅幾毫米寬度的激光線。其它應(yīng)用領(lǐng)域是金屬或塑料的加熱、脫毛、皮膚處理或在生產(chǎn)中對(duì)膠水和油漆的干燥。

      【背景技術(shù)】
      [0003]當(dāng)使用激光器加熱線用于印刷、墨水干燥、輥到輥制造過(guò)程或其它應(yīng)用時(shí),將在表面處被加熱的對(duì)象在垂直于線方向的方向上經(jīng)過(guò)加熱線的下方??商娲?,加熱線相對(duì)于該對(duì)象在垂直于線方向的方向上移動(dòng)。為了利用半導(dǎo)體激光器產(chǎn)生具有充分高激光功率的激光線,必須在公共載體上并排布置載有表面發(fā)射半導(dǎo)體激光器陣列的若干個(gè)子模塊。因此,單個(gè)半導(dǎo)體激光器的發(fā)射通過(guò)適當(dāng)?shù)耐哥R系統(tǒng)(具體地,柱面透鏡)聚焦成為工作平面上期望的線形狀。利用這樣的模塊,由于單獨(dú)的子模塊之間的不可避免的間隙而產(chǎn)生問(wèn)題,這導(dǎo)致沿著激光線的若干個(gè)強(qiáng)度極小值。為了避免或減小這樣的強(qiáng)度極小值,W02011/21140A2提出了用于將激光輻射聚集到工作平面上的光學(xué)的專門設(shè)計(jì),該設(shè)計(jì)使相鄰子模塊的強(qiáng)度分布沿著激光線重疊。因此,對(duì)于模塊與工作平面之間的某些距離,兩個(gè)子模塊之間的光學(xué)間隙能夠被封閉。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種激光器模塊,該激光器模塊包括若干個(gè)子模塊,所述激光器模塊允許產(chǎn)生激光線,該激光線具有沿著該線的均質(zhì)強(qiáng)度分布,而無(wú)需專門設(shè)計(jì)的光學(xué)兀件。
      [0005]該目的通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器模塊實(shí)現(xiàn)。該激光器模塊的有利的實(shí)施例是從屬權(quán)利要求的主題或在說(shuō)明書的后續(xù)部分中被描述。
      [0006]所提出的激光器模塊包括沿著第一軸線并排布置在公共載體上的若干個(gè)子模塊。這些子模塊中的每一個(gè)包括激光器區(qū)域,該激光器區(qū)域由布置在子模塊的表面上的一個(gè)或若干個(gè)半導(dǎo)體激光器陣列形成。由半導(dǎo)體激光器發(fā)射的激光輻射在面對(duì)子模塊的所述表面的工作平面中形成強(qiáng)度分布。激光器區(qū)域可以與子模塊的表面的表面面積完全相同或也可以小于該表面面積。子模塊和激光器區(qū)域設(shè)計(jì)并布置成使得相鄰子模塊的激光器區(qū)域在垂直于第一軸線的方向上部分地重疊。
      [0007]在優(yōu)選實(shí)施例中,激光器區(qū)域由半導(dǎo)體激光器陣列的布置形成,其包括兩個(gè)平行的側(cè)邊緣。相鄰子模塊的激光器區(qū)域的平行側(cè)邊緣平行于彼此并且相對(duì)于所述第一軸線以角度β傾斜,其中,0° <β〈90°。通常,激光器區(qū)域以及還有子模塊的表面具有矩形形狀,但是具有兩個(gè)平行側(cè)邊緣的其它形狀(例如,梯形幾何設(shè)計(jì))也是可能的。
      [0008]利用這樣的模塊產(chǎn)生的強(qiáng)度分布優(yōu)選地具有細(xì)長(zhǎng)形式,例如在工作平面中長(zhǎng)度比寬度大的矩形形式。在優(yōu)選實(shí)施例中,強(qiáng)度輪廓具有線形形式。這樣的線形的強(qiáng)度輪廓在半導(dǎo)體激光器和工作平面之間需要適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)元件,以便在垂直于激光線的方向上將發(fā)射的激光輻射聚焦到期望的線寬度。在工作平面中強(qiáng)度輪廓的較長(zhǎng)側(cè)的方向平行于第一軸線,多個(gè)子模塊沿著該第一軸線布置在載體上。該載體可以是其上能夠安裝子模塊的任意結(jié)構(gòu),例如板或框架。
      [0009]在上述實(shí)施例中,子模塊布置為激光器區(qū)域的平行側(cè)邊緣在載體上平行于彼此。與這些側(cè)邊緣相對(duì)于第一軸線的已知垂直布置相比,在提出的模塊中,子模塊布置為它們的激光器區(qū)域的側(cè)邊緣相對(duì)于第一軸線成大于0°且小于90°的角度。依據(jù)相鄰子模塊的表面的平行側(cè)邊緣之間的距離或相鄰子模塊的激光器區(qū)域之間的距離來(lái)選擇角度,使得在平行于所述第一軸線的方向上在工作平面中的強(qiáng)度輪廓的強(qiáng)度變化相對(duì)于0°或90°的布置減小。
      [0010]由于子模塊表面或激光器區(qū)域環(huán)繞它們的光軸的這種旋轉(zhuǎn),具體地在激光線的情況下,所產(chǎn)生的強(qiáng)度輪廓的均勻性在平行于第一軸線的方向上具體地在強(qiáng)度輪廓的長(zhǎng)度方向上得到改善。在子模塊的激光器區(qū)域之間給定距離處,通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)角,由子模塊之間或激光器區(qū)域之間的間隙引起的工作平面中的強(qiáng)度極小值能夠不依賴于工作平面離激光器模塊的距離而被完美地消除。這不依賴于為了將激光輻射準(zhǔn)直和/或聚焦至期望的形狀而在激光器前面所使用的任意光學(xué)元件。所提出的設(shè)計(jì)不需要任意專門的光學(xué)元件以實(shí)現(xiàn)上述效果并且因此允許使用便于制造的光學(xué)布置。這同樣適用于激光器陣列中半導(dǎo)體激光器的設(shè)計(jì),所述半導(dǎo)體激光器可以是例如圓形或矩形形狀的VCSEL (VCSEL:垂直腔表面發(fā)射激光器)或VECSEL (VECSEL:垂直延伸腔表面發(fā)射激光器)。在子模塊和激光器區(qū)域的其它設(shè)計(jì)和布置的情況下,實(shí)現(xiàn)相同的優(yōu)點(diǎn),使得相鄰子模塊的激光器區(qū)域在垂直于第一軸線的方向上部分地重疊。為此,子模塊和激光器區(qū)域可以例如也具有三角形式。
      [0011]子模塊和激光器區(qū)域的設(shè)計(jì)和布置優(yōu)選選定為使得,除激光器模塊的邊界區(qū)域之夕卜,由半導(dǎo)體激光器發(fā)射的激光輻射的激光功率當(dāng)在垂直于第一軸線的方向上積分時(shí),對(duì)于第一軸線的各部分,符合±10%以內(nèi)的精確度。第一軸線的該部分的大小當(dāng)然大于相鄰半導(dǎo)體激光器之間的距離但是小于相鄰激光器區(qū)域之間的間隙,上述的積分強(qiáng)度在第一軸線上被求和或積分。第一軸線的該部分的大小的下限是必需的,因?yàn)閱为?dú)的激光器之間的相互距離促使在激光器模塊的平面中沿著該軸線的小規(guī)模的強(qiáng)度變化。利用激光器模塊的這種設(shè)計(jì),完全避免了沿著所產(chǎn)生的激光線的強(qiáng)度變化,這種強(qiáng)度變化通常由于相鄰激光器區(qū)域或子模塊之間的間隙而產(chǎn)生。
      [0012]在所提出的激光器模塊的優(yōu)選實(shí)施例中,單獨(dú)的半導(dǎo)體激光器布置在平方(quadratic)網(wǎng)格布置中,其側(cè)邊平行于激光器區(qū)域的側(cè)邊緣,并且具有矩形或方形發(fā)射區(qū)域,其中,方形或矩形發(fā)射區(qū)域的邊緣取向?yàn)榕c激光器區(qū)域的平行側(cè)邊緣成45°的角度。可替代地,方形或矩形發(fā)射區(qū)域的邊緣取向?yàn)槠叫杏谄椒骄W(wǎng)格布置的側(cè)邊,并且平方網(wǎng)格布置取向?yàn)榕c激光器區(qū)域的平行側(cè)邊緣成45°的角度。激光器區(qū)域的平行側(cè)邊緣在兩種情況下布置成與所述第一軸線成45°的角度,使得激光器的方形或矩形發(fā)射區(qū)域的邊緣平行于第一軸線并且平行于工作平面中強(qiáng)度輪廓的較長(zhǎng)側(cè)的方向。
      [0013]在另一個(gè)有利的實(shí)施例中,各激光器陣列包括在六邊形布置中的激光器,六邊形布置取向?yàn)槭沟弥鬏S線與子模塊的表面的所述側(cè)邊緣成30°或60°的角度。在該實(shí)施例中,子模塊布置成與所述第一軸線成30°或60°的角度。兩個(gè)實(shí)施例均具有激光器陣列的大致傳統(tǒng)布局的優(yōu)點(diǎn),因此如果必要,則能夠?qū)⑦@樣的激光器陣列與傳統(tǒng)微透鏡陣列或單個(gè)大柱面透鏡組合用于準(zhǔn)直。柱狀微透鏡能夠在形成透鏡的行和列的這樣的情況下使用,其不必相對(duì)于強(qiáng)度輪廓的較長(zhǎng)側(cè)的方向(具體地,激光線)或第一軸線旋轉(zhuǎn)。當(dāng)使用單個(gè)大柱面透鏡時(shí)同樣如此。
      [0014]本專利申請(qǐng)中的術(shù)語(yǔ)子模塊涉及任何載有一個(gè)或若干個(gè)半導(dǎo)體激光器陣列的單元。取決于模塊的結(jié)構(gòu)或大小,這樣的子模塊能夠由其上安裝有若干個(gè)半導(dǎo)體激光器芯片或載有半導(dǎo)體激光器小陣列的芯片的子底座形成。這樣的單元或子模塊還能夠由微冷卻器形成,在上述微冷卻器上安裝有若干個(gè)上述子底座或在上述微冷卻器上安裝有具有半導(dǎo)體激光器或半導(dǎo)體激光器陣列的若干個(gè)芯片。
      [0015]在矩形激光器區(qū)域的優(yōu)選實(shí)施例中,傾角,即,第一軸線與激光器區(qū)域的直平行邊緣之間的角度根據(jù)下列條件選定:H X cos β = η X (B + G)/sin β,其中,η是任意整數(shù),β是傾角,B是在兩個(gè)平行側(cè)邊緣之間的激光器區(qū)域的寬度,H是矩形激光器區(qū)域的長(zhǎng)度,并且G是子模塊的激光器區(qū)域之間的間隙(即,相鄰子模塊表面的相對(duì)的側(cè)邊緣之間的間隙-或,如果激光器區(qū)域的寬度B小于子模塊表面的寬度的話,相鄰激光器區(qū)域之間的間隙)的大小。利用這個(gè)條件,能夠完全避免由于多個(gè)子模塊或多個(gè)激光器區(qū)域之間的間隙而沿著所產(chǎn)生的激光線或沿著細(xì)長(zhǎng)激光器強(qiáng)度分布的強(qiáng)度極小值。利用所提出的布置所實(shí)現(xiàn)的均勻性不再依賴于工作平面離模塊的距離。
      [0016]所提出的激光器模塊能夠被用于在工作平面中需要細(xì)長(zhǎng)激光強(qiáng)度輪廓的任意應(yīng)用,所述細(xì)長(zhǎng)激光強(qiáng)度輪廓在沿著最長(zhǎng)延伸的方向上具有高均勻性。通過(guò)沿著第一軸線在載體上布置足夠高數(shù)量的子模塊,所提出的激光器模塊允許產(chǎn)生具有大長(zhǎng)度和小寬度的激光線。利用這樣的激光器模塊,如已經(jīng)在說(shuō)明書的介紹性部分中所描述的,類似在專業(yè)印刷機(jī)中墨水的干燥、加熱金屬或塑料、脫毛、皮膚處理或在制造中對(duì)膠水和油漆的干燥等的應(yīng)用是可能的。但是,該激光器模塊也適合于其中需要這樣的均質(zhì)強(qiáng)度輪廓的任意其它應(yīng)用。

      【專利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0017]在下文中通過(guò)結(jié)合附圖舉例來(lái)描述所提出的激光器模塊,而不限制如由權(quán)利要求所限定的保護(hù)范圍。這些圖示出了:
      圖1根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的激光器模塊的子模塊的布置的示例;
      圖2示出當(dāng)在對(duì)象上方沿y方向移動(dòng)時(shí),單個(gè)激光器陣列、子模塊和傾斜的子模塊的積分強(qiáng)度輪廓的圖示;
      圖3示出傾斜的子模塊和子模塊的激光器和激光器陣列的對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)的圖示;
      圖4示出圖3a的傾斜子模塊的激光器和激光器陣列的設(shè)計(jì)的進(jìn)一步的示例的圖示;
      以及
      圖5根據(jù)本發(fā)明的若干個(gè)子模塊的布置的示意圖。

      【具體實(shí)施方式】
      [0018]圖1以示意圖示出現(xiàn)有技術(shù)的激光器模塊中的子模塊I的布置。完整的模塊由較多數(shù)量的具有激光器區(qū)域8的子模塊構(gòu)建,該激光器區(qū)域8具有長(zhǎng)度H (在y方向上)和寬度B (在X方向上)。子模塊I沿著第一軸線10布置。y方向?yàn)橐患訜峄蛘丈涞膶?duì)象相對(duì)于激光器模塊移動(dòng)的方向,或反之亦然。利用激光器模塊在對(duì)象上(即,工作平面內(nèi))產(chǎn)生的激光線沿X方向延伸。子模塊I的激光器區(qū)域8由半導(dǎo)體激光器陣列(具體地,具有小VCSEL陣列的VCSEL芯片)形成。當(dāng)將子模塊I安裝在公共載體上時(shí),因?yàn)殡娺B接、裝配公差、安全要求和其它原因,所以在相鄰子模塊I之間,具有間隙寬度為G的間隙通常是不可避免的。
      [0019]當(dāng)使用這樣的激光器模塊在工作平面中產(chǎn)生期望的激光線或激光強(qiáng)度分布時(shí),積分強(qiáng)度分布/ I (X,y) dy在X方向上變化。這在圖1的下部中示出,呈現(xiàn)未完美準(zhǔn)直的單獨(dú)激光器的激光輻射。強(qiáng)度分布中的極小值9或非均勻性分別由多個(gè)激光器區(qū)域8之間的間隙或多個(gè)子模塊I之間的間隙引起。
      [0020]圖2示出描繪根據(jù)本發(fā)明的單個(gè)激光器的或載有激光器小陣列的單個(gè)芯片2 (圖2a)的、單個(gè)子模塊I (圖2b)的和傾斜子模塊I或子模塊表面(圖2c)的該積分強(qiáng)度分布的三個(gè)圖示。如該圖中所示,子模塊表面以角ct的傾斜抹開(smear out) x方向上的積分強(qiáng)度分布。另外,在該圖中,單獨(dú)的激光器的激光輻射呈現(xiàn)為不完美地準(zhǔn)直。積分考慮被照射的目標(biāo)沿y方向的快速移動(dòng)。子模塊I的該傾斜減小了總積分強(qiáng)度輪廓積分/ I (X,y)dy的調(diào)制深度。
      [0021]本發(fā)明利用了該效果并且將子模塊表面或整個(gè)子模塊I在激光器模塊中布置成使得它們的平行側(cè)邊緣與移動(dòng)方向(y方向)成角度α古0°且α古90°。由于子模塊I沿著平行于X方向的第一軸線10布置在該激光器模塊中,所以這意味著,子模塊I布置成使得它們的表面的平行側(cè)邊緣與第一軸線10成角度β=90° -α。該傾斜角被選定使得相鄰子模塊I的激光器區(qū)域8相對(duì)于作為觀察方向的I方向部分地重疊。
      [0022]為了實(shí)現(xiàn)細(xì)線焦點(diǎn)(y方向上的小尺寸),常常需要的是,單獨(dú)的半導(dǎo)體激光器的輻射在y方向上由例如柱狀微透鏡陣列準(zhǔn)直。完整模塊的輻射還可以利用適當(dāng)?shù)闹嫱哥R聚焦至期望的線寬度。因此,半導(dǎo)體芯片上的半導(dǎo)體激光器的陣列布置-在非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱VCSEL形狀的情況下,還有單獨(dú)的VCSEL的取向,以及在VCSEL前面的柱狀微透鏡的取向,需要相對(duì)于I軸傾斜相同的角度β。
      [0023]對(duì)于一些特別的傾角,VCSEL布局可以像如圖3和圖4所示的那樣更傳統(tǒng)。圖3a示出子模塊1,其表面相對(duì)于X方向傾斜角度β。在圖中示意性地指示具有附接的微透鏡陣列的VCSEL陣列芯片4。在優(yōu)選實(shí)施例中,對(duì)于具有六邊形布置的VCSEL陣列,且六邊形布置的主軸線6之一與芯片邊緣之一呈30°或60°的角,且在平行于X方向的安裝的子模塊I上,傾斜角β為30°或60°。這在圖3b中被指示,圖3b示出了具有六邊形布置中的單個(gè)VCSEL 5的VCSEL陣列芯片2。圖3c示出也以30°或60°傾斜于芯片2的對(duì)應(yīng)的側(cè)邊緣的微透鏡陣列的行7的布置。
      [0024]在進(jìn)一步的實(shí)施例中,對(duì)于主軸線垂直于如圖4所指示的芯片軸線的具有平方陣列布置的VCSEL陣列,傾斜角β為45°。該圖示出具有平方陣列的芯片2的示例,其中矩形VCSEL5布置成與芯片邊緣成45°。
      [0025]傾斜角β優(yōu)選被選定為使得激光器區(qū)域8之間的間隙或子模塊I之間的間隙相對(duì)于投影的激光線完美地封閉。因此,必須滿足如圖5所示的條件H X cos β = η X (B+ G)/sin β,其中,n是整數(shù)。圖5示出對(duì)于η=2的激光器模塊中的表面或子模塊I的傾斜布置。子模塊I沿著第一軸線10 (平行于X軸)布置并傾斜為使得它們的平行側(cè)邊緣3相對(duì)于所述第一軸線成角度β = 90° - α , α為側(cè)邊緣3對(duì)于y方向的角度。對(duì)于子模塊I的表面的平行側(cè)邊緣3之間的固定的間隙寬度G,所述子模塊I在該實(shí)施例中與激光器區(qū)域8—致,能夠在其它模塊要求內(nèi)找到的若干個(gè)解集{H,B, β }。例如,H還影響每單位長(zhǎng)度的功率,β優(yōu)選為30°、45°或60°等。對(duì)于以上條件,能夠完全避免激光線中的光學(xué)間隙。均勻性不取決于激光器模塊和工作平面之間的距離。圖5的下部示出取決于X軸上的位置的激光線的積分強(qiáng)度分布/ I U,y) dy。對(duì)于在條件xl ( X ( x3下的所有位置X,激光線為均質(zhì)的,其中,X1和X3在圖的上部分中被指示。
      [0026]雖然已經(jīng)在附圖和前述描述中說(shuō)明并且詳細(xì)描述了本發(fā)明,但是這些說(shuō)明和描述將被視為說(shuō)明性或示例性且非限制性的;本發(fā)明不限于公開的實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在實(shí)踐要求保護(hù)的發(fā)明中,通過(guò)對(duì)附圖、本公開以及所附權(quán)利要求的研究,能夠理解并實(shí)現(xiàn)所公開的實(shí)施例的其它變型。在權(quán)利要求中,詞語(yǔ)“包括”不排除其它元件或步驟,并且不定冠詞“一”或“一個(gè)”不排除復(fù)數(shù)。在相互不同的從屬權(quán)利要求中敘述某些措施的純粹事實(shí)并不指示不可有利地使用這些措施的組合。裝置的所有權(quán)利要求的特征能夠自由地組合。權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記不應(yīng)被解釋為對(duì)本發(fā)明的范圍的限制。
      [0027]附圖標(biāo)記列表 I子模塊
      2 VCSEL陣列芯片 3平行側(cè)邊緣
      4具有微透鏡陣列的VCSEL陣列 5單個(gè)VCSEL 6六邊形布置的主軸線 7微透鏡的行 8激光器區(qū)域 9強(qiáng)度分布的極小值 10第一軸線。
      【權(quán)利要求】
      1.一種激光器模塊,包括沿著第一軸線(10)并排布置在公共載體上的若干個(gè)子模塊(1),所述子模塊(I)中的每一個(gè)包括由在所述子模塊(I)的表面上的一個(gè)或若干個(gè)半導(dǎo)體激光器(5)陣列形成的激光區(qū)域(8),并且由所述半導(dǎo)體激光器(5)發(fā)射的激光輻射在面對(duì)所述子模塊(I)的所述表面的工作平面中形成強(qiáng)度分布, 其中,所述子模塊(I)和激光器區(qū)域(8)設(shè)計(jì)并布置成使得相鄰子模塊(I)的激光器區(qū)域(8)在垂直于所述第一軸線的方向上部分地重疊。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器模塊, 其中,所述激光器區(qū)域(8)由所述半導(dǎo)體激光器(5)陣列的布置形成,所述激光器區(qū)域(8)包括兩個(gè)平行側(cè)邊緣(3),相鄰激光器區(qū)域(8)的所述平行側(cè)邊緣(3)平行于彼此并且對(duì)于所述第一軸線(10)以角度β傾斜,其中0° <β<90°。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光器模塊, 其中,所述半導(dǎo)體激光器(5)陣列的布置形成矩形區(qū)域。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的激光器模塊, 其中,所述角度β根據(jù)下列條件選定:H X cos β = η X (B + G)/sin β,其中,η是任意整數(shù),B是矩形激光器區(qū)域(8)的寬度,H是矩形激光器區(qū)域(8)的長(zhǎng)度,并且G是相鄰子模塊(I)的激光器區(qū)域(8 )之間的間隙的寬度。
      5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光器模塊, 其中,所述布置的所述平行側(cè)邊緣(3)對(duì)于所述第一軸線(10)以β=45°的角度傾斜,所述半導(dǎo)體激光器(5)具有矩形或方形發(fā)射區(qū)域,矩形或方形發(fā)射區(qū)域的側(cè)邊緣取向與所述布置的所述平行側(cè)邊緣(3)成45°的角度。
      6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光器模塊, 其中,所述布置的所述平行側(cè)邊緣(3)對(duì)于所述第一軸線(10)以β =30°或β=60°的角度傾斜,每個(gè)半導(dǎo)體激光器(5)陣列包括在六邊形布置中所述激光器(5),所述六邊形布置的主軸線(6)取向?yàn)槠叫杏谒龅谝惠S線(10)。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器模塊, 其中,所述子模塊(I)包括在所述半導(dǎo)體激光器(5)前面的單獨(dú)的微透鏡和/或單個(gè)柱面透鏡,所述微透鏡和/或柱面透鏡設(shè)計(jì)并布置成對(duì)由所述半導(dǎo)體激光器(5)發(fā)射的激光輻射進(jìn)行準(zhǔn)直或聚焦,在所述工作平面中產(chǎn)生激光線,所述激光線平行于所述第一軸線(10)延伸。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器模塊, 其中,所述半導(dǎo)體激光器(5)是VCSEL或VECSEL。
      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器模塊, 其中,所述子模塊(I)和激光器區(qū)域(8)設(shè)計(jì)并布置成使得至少在覆蓋若干個(gè)所述子模塊(I)的所述激光器模塊的中部中,由所述半導(dǎo)體激光器(5)發(fā)射的激光輻射的激光功率,當(dāng)在垂直于所述第一軸線(10)的方向上積分時(shí),對(duì)于所述第一軸線(10)的各部分,符合±10%以內(nèi)的精確度,所述第一軸線(10)的所述部分大于相鄰半導(dǎo)體激光器(5)之間的距離且小于相鄰激光器區(qū)域(8)之間的間隙。
      10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器模塊, 所述的激光器模塊安裝在設(shè)備中,所述設(shè)備使對(duì)象表面在所述工作平面中垂直于所述第一軸線(10)移動(dòng),或使所述激光器模塊垂直于所述第一軸線(10)移動(dòng)。
      【文檔編號(hào)】H01S5/022GK104396101SQ201380033508
      【公開日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2013年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月26日
      【發(fā)明者】S.格龍恩博爾恩, J.波曼恩-雷特施 申請(qǐng)人:皇家飛利浦有限公司
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