用于基板處理腔室的兩件式擋板盤組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了擋板盤組件，所述擋板盤組件用于使用在處理腔室中，以保護(hù)設(shè)置于所述擋板盤組件之下的基板支撐件免于不希望的材料沉積。在一些實(shí)施方式中，用于使用在處理腔室中以保護(hù)設(shè)置于擋板盤組件之下的基板支撐件的一種擋板盤組件可包括：上盤構(gòu)件，所述上盤構(gòu)件具有頂表面和底表面；及下承載構(gòu)件，所述下承載構(gòu)件的至少一部分被設(shè)置于所述上盤構(gòu)件的一部分之下，以支撐所述上盤構(gòu)件并且產(chǎn)生保護(hù)性重疊區(qū)域，所述保護(hù)性重疊區(qū)域在所述上盤構(gòu)件變形時(shí)防止所述基板支撐件的暴露。
【專利說明】用于基板處理腔室的兩件式擋板盤組件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的實(shí)施方式大體涉及基板處理腔室的領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002] 傳統(tǒng)半導(dǎo)體裝置形成通常在一或多個(gè)處理腔室中執(zhí)行，這些處理腔室具有在受控 制的處理環(huán)境中處理基板（例如半導(dǎo)體晶片）的能力。為了維持處理均勻性并且確保處理 腔室的最佳性能，周期性地執(zhí)行各種調(diào)節(jié)操作。例如，在物理氣相沉積（PVD)處理腔室中， 一個(gè)常用的調(diào)節(jié)操作是"預(yù)燒（burn-in) "處理，其中設(shè)置于PVD處理腔室中的靶材受到等 離子體離子的轟擊，以在執(zhí)行基板處理之前，從靶材移除氧化物或其他污染物。另一個(gè)常用 的調(diào)節(jié)操作是"上漿（pasting) "處理，其中在沉積于處理腔室表面上的材料之上施加覆蓋 物，以防止所述材料在后續(xù)的處理期間從處理腔室表面剝落并且污染基板。
[0003] 在前述兩個(gè)調(diào)節(jié)操作中，通過轉(zhuǎn)移機(jī)械手，可將擋板盤（shutterdisk)定位在設(shè) 置于處理腔室中的基板支撐件的頂部上，以防止任何材料沉積在基板支撐件上。擋板盤通 常包括具有足夠的機(jī)械剛性的材料以抵抗由于沉積材料的額外重量所導(dǎo)致的變形。例如， 擋板盤通常包括金屬合金，例如不銹鋼，或者陶瓷，例如碳化硅。
[0004] 但是，發(fā)明人已經(jīng)觀察到，在上漿處理期間，擋板盤會升溫。因?yàn)闊崽荻群?或盤 上的沉積，擋板盤會由于擋板盤的頂表面與底表面之間的熱失配而發(fā)生應(yīng)力，例如，導(dǎo)致?lián)?板盤變形（例如在端部處彎曲）。此種變形產(chǎn)生間隙，導(dǎo)致等離子體通過所述間隙而暴露至 基板支撐件?；逯渭系慕饘俪练e會導(dǎo)致基板晶片電弧放電（arcing)、基板晶片粘住 和/或破裂，如果基板支撐件是靜電夾盤，則會導(dǎo)致靜電夾力減少等。
[0005] 另外，擋板盤通常儲置為遠(yuǎn)離處理區(qū)域，且在使用期間通過緩沖腔室機(jī)械手移動 至所希望的位置中。為了使機(jī)械手能夠輸送擋板盤，擋板盤的重量與厚度必須要最小化。在 上漿與預(yù)燒處理期間，這些重量較輕/厚度較薄的擋板盤會變形得更嚴(yán)重。
[0006] 已經(jīng)嘗試各種解決方案來解決前述問題。例如，已經(jīng)嘗試使用較低的RF功率、較 長的冷卻周期以及增加冷卻氣體至擋板盤的背側(cè)。但是，發(fā)明人已經(jīng)觀察到，這些解決方案 沒有一個(gè)充分地保護(hù)基板支撐件免于不希望的材料沉積。
[0007]因此，在此提供了改良的擋板盤組件。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 在此提供了擋板盤組件，所述擋板盤組件用于使用在處理腔室中，以保護(hù)設(shè)置于 所述擋板盤組件之下的基板支撐件免于不希望的材料沉積。在一些實(shí)施方式中，用于使用 在處理腔室中以保護(hù)設(shè)置于擋板盤組件之下的基板支撐件的一種擋板盤組件可包括：上盤 構(gòu)件，所述上盤構(gòu)件具有頂表面與底表面；及下承載構(gòu)件，所述下承載構(gòu)件的至少一部分設(shè) 置于所述上盤構(gòu)件的一部分之下，以支撐所述上盤構(gòu)件并且產(chǎn)生保護(hù)性重疊區(qū)域，所述保 護(hù)性重疊區(qū)域在所述上盤構(gòu)件變形時(shí)防止所述基板支撐件的暴露。
[0009] 在一些實(shí)施方式中，用于使用在處理腔室中以保護(hù)設(shè)置于擋板盤組件之下的基板 支撐件的一種擋板盤組件可包括：上盤構(gòu)件，所述上盤構(gòu)件具有頂表面與底表面，其中所 述上盤構(gòu)件進(jìn)一步包括階狀特征，所述階狀特征設(shè)置于所述上盤構(gòu)件的外部直徑的周圍； 及下承載構(gòu)件，所述下承載構(gòu)件具有中心開口和向內(nèi)延伸的環(huán)狀突出部，所述環(huán)狀突出部 界定所述中心開口，其中環(huán)狀突出部依一定尺寸設(shè)計(jì)以在所述階狀特征處支撐所述上盤構(gòu) 件。
[0010] 在一些實(shí)施方式中，一種處理腔室可包括：腔室主體，所述腔室主體界定內(nèi)部空 間，所述內(nèi)部空間具有靶材，所述靶材包括要沉積于設(shè)置于所述腔室主體中的基板的頂部 上的材料；基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置于所述腔室主體內(nèi)，用以支撐所述基板；擋板 盤組件，所述擋板盤組件用于保護(hù)所述基板支撐件，所述擋板盤包括上盤構(gòu)件和下承載構(gòu) 件，所述上盤構(gòu)件具有頂表面和底表面，且所述下承載構(gòu)件的至少一部分設(shè)置于所述上盤 構(gòu)件的一部分之下，以支撐所述上盤構(gòu)件并且產(chǎn)生保護(hù)性重疊區(qū)域，所述保護(hù)性重疊區(qū)域 在所述上盤構(gòu)件變形時(shí)防止所述基板支撐件的暴露；及轉(zhuǎn)移機(jī)械手，所述轉(zhuǎn)移機(jī)械手被能 移動地耦接至所述腔室主體，以用于轉(zhuǎn)移所述擋板盤組件至所述基板支撐件并且從所述基 板支撐件轉(zhuǎn)移所述擋板盤組件。
[0011] 本發(fā)明的其他實(shí)施方式與變化則在下面更詳細(xì)地揭示。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 能通過參照附圖中繪示的本發(fā)明的說明性實(shí)施方式來了解以上簡要概述的且在 下面更詳細(xì)論述的本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，應(yīng)注意到，附圖僅示出本發(fā)明的典型實(shí)施方式 且因此不應(yīng)被視為對本發(fā)明范圍的限制，因?yàn)楸景l(fā)明可容許其他等同有效的實(shí)施方式。
[0013] 圖1是示例性處理腔室的示意圖，所述處理腔室適于與本發(fā)明的一些實(shí)施方式結(jié) 合使用。
[0014] 圖2A繪示了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的示例性兩件式擋板盤組件的部分截面 視圖。
[0015] 圖2B為根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的示例性兩件式擋板盤組件的頂視圖。
[0016] 圖3繪示了與基板支撐件聯(lián)合使用的示例性兩件式擋板盤組件。
[0017] 為了促進(jìn)了解，已盡可能使用相同的標(biāo)記數(shù)字來表示附圖中共用的相同元件。附 圖未依照比例繪制，且可以為了清楚加以簡化?？闪私獾?，一個(gè)實(shí)施方式的元件與特征可有 利地并入其他實(shí)施方式中，而不用另外詳述。

【具體實(shí)施方式】
[0018] 本發(fā)明的實(shí)施方式大體涉及用于使用在基板處理腔室中的擋板盤組件，所述基板 處理腔室比如例如半導(dǎo)體制造處理腔室，且本發(fā)明的實(shí)施方式涉及并入此種擋板盤組件的 基板處理腔室。在一些實(shí)施方式中，本發(fā)明的設(shè)備包括用于使用在處理腔室的調(diào)節(jié)與清潔 操作中的擋板盤組件。本發(fā)明的設(shè)備可有利地提供擋板盤組件，所述擋板盤組件能應(yīng)對使 用時(shí)由于加熱而導(dǎo)致的盤膨脹，而減少或消除基板支撐件（所述擋板盤組件設(shè)置在所述基 板支撐件上）的暴露，從而保護(hù)設(shè)置于所述擋板盤組件之下的基板支撐件免于不希望的材 料沉積。
[0019] 圖1是示例性處理腔室100的示意圖，處理腔室100用于與本發(fā)明的一些實(shí)施方 式結(jié)合使用。在一些實(shí)施方式中，處理腔室100可為多個(gè)腔室中的一個(gè)腔室，所述多個(gè)腔室 結(jié)合以形成多腔室處理系統(tǒng)（例如群集工具）。或者，處理腔室100可為單獨(dú)的處理腔室。 在一些實(shí)施方式中，處理腔室100可為沉積腔室，例如物理氣相沉積（PVD)腔室?；蛘撸?理腔室100可為任何合適的處理腔室，其中在腔室清潔和或干燥處理期間，擋板盤組件可 用以保護(hù)基板支撐件免于損傷。
[0020] 處理腔室100包括腔室主體102和蓋組件104,蓋組件104界定能排空的處理空 間106。腔室主體102通常包括一或多個(gè)側(cè)壁108和底部110。一或多個(gè)側(cè)壁108可以是 單一圓形側(cè)壁或者是處理腔室中具有非圓形構(gòu)造的多個(gè)側(cè)壁。側(cè)壁通常包括擋板盤組件口 112。擋板盤組件口 112被配置成當(dāng)擋板盤組件140在收回位置時(shí)，允許擋板盤組件140的 至少一部分通過其間。殼體116通常覆蓋擋板盤組件口 112,以維持處理空間106內(nèi)的真空 完整性。額外的口可設(shè)置在側(cè)壁中，例如能密封的出入口，用于使基板114從處理腔室100 進(jìn)與出。泵送口可設(shè)置在腔室主體102的底部和/或側(cè)壁中，且泵送口耦接至泵送系統(tǒng)，泵 送系統(tǒng)排空處理空間106且控制處理空間106內(nèi)的壓力。在其他實(shí)施方式中，位于處理腔 室100外的擋板庫（未示）可儲置擋板盤組件140,并通過處理腔室100中的開口（未示） 將擋板盤組件140移動進(jìn)入處理腔室100中。
[0021] 腔室主體102的蓋組件104通常支撐環(huán)狀屏蔽件118,環(huán)狀屏蔽件118支撐遮蔽環(huán) 120。遮蔽環(huán)120通常被配置以將沉積限制在通過遮蔽環(huán)120的中心而暴露的基板114的 一部分。蓋組件104通常包括靶材122和磁控管124。
[0022] 靶材122提供在沉積處理期間沉積在基板114上的材料，而磁控管124促進(jìn)在處 理期間靶材材料的均勻消耗。靶材122與基板支撐件126通過電源128而相對于彼此加偏 壓。惰性氣體（例如氬）從氣源130供給至處理空間106。等離子體由所述氣體形成于基 板114與靶材122之間。等離子體內(nèi)的離子朝向靶材122加速并且導(dǎo)致材料從靶材122脫 離。脫離的靶材材料被朝向基板114吸引并且在基板114上沉積材料膜。
[0023] 基板支撐件126通常設(shè)置于腔室主體102的底部110上并且在處理期間支撐基板 114。擋板盤組件機(jī)構(gòu)132通常鄰近基板支撐件126設(shè)置。擋板盤組件機(jī)構(gòu)132通常包括 葉部134和致動器136,葉部134支撐擋板盤組件140,致動器136通過軸138而耦接至葉 部134,以控制葉部134的位置。
[0024] 葉部134可在圖1所示的收回或撤回（cleared)位置與第二位置之間移動，第二 位置將擋板盤組件140放置成與基板支撐件126實(shí)質(zhì)上同心。在第二位置中，擋板盤組件 140可在靶材預(yù)燒和腔室上漿處理期間（通過利用升降銷而）轉(zhuǎn)移至基板支撐件126。葉 部134在靶材預(yù)燒和腔室上漿處理期間則返回至收回位置。致動器136可為任何裝置，所 述任何裝置可適于旋轉(zhuǎn)軸138通過一角度，以于撤回位置與第二位置之間移動葉部134。在 與本發(fā)明一致的其它實(shí)施方式中，定位基板114以用于處理的機(jī)械手機(jī)構(gòu)也可用來移動擋 板盤組件140至適當(dāng)位置，來保護(hù)基板支撐件126。
[0025] 圖2A繪示了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的示例性擋板盤組件140的截面?zhèn)纫晥D。 圖2B為根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的圖2A的示例性擋板盤組件的頂視圖。為了最佳地了 解本發(fā)明，讀者應(yīng)該同時(shí)參見圖2A與圖2B。
[0026] 示例性擋板盤組件140通常包括上盤構(gòu)件202以及下承載構(gòu)件210。雖然在此描 述為兩件式組件，但擋板盤組件可包括額外的部件。另外，雖然在此描述為盤，但擋板盤組 件與其部件可具有任何需要的合適幾何外形，以保護(hù)特定處理腔室內(nèi)的基板支撐件。
[0027] 下承載構(gòu)件210與上盤構(gòu)件202相對于彼此能移動地設(shè)置或耦接，使得下承載構(gòu) 件210與上盤構(gòu)件202可相對于彼此移動，例如，以允許部件的獨(dú)立熱膨脹與收縮。在一些 實(shí)施方式中，上盤構(gòu)件202可以僅支撐在下承載構(gòu)件210上。
[0028] 下承載構(gòu)件210支撐上盤構(gòu)件202。在一些實(shí)施方式中，下承載構(gòu)件210可為環(huán)， 所述環(huán)包括第一特征212 (例如向內(nèi)延伸的突出部），以支撐上盤構(gòu)件202,使得上盤構(gòu)件 202的底面206被設(shè)置于下承載構(gòu)件210的中心開口 218之上，中心開口 218具有直徑222。 雖然在圖2A中繪示了突出部來支撐上盤構(gòu)件202,但第一特征212也可為斜面（chamfer)、 突伸物或其他合適的特征，以支撐上盤構(gòu)件202。在與圖2A-致的實(shí)施方式中，下承載構(gòu) 件210的底表面與上盤構(gòu)件的底表面界定了實(shí)質(zhì)上平坦的表面，所述平坦的表面接觸基板 支撐件126并且受到基板支撐件126的支撐。在其他實(shí)施方式中，只有下承載構(gòu)件210接 觸基板支撐件126,其可用來控制/改變RF耦合。在與本發(fā)明一致的一些實(shí)施方式中，下盤 構(gòu)件中的中心開口 218的尺寸可根據(jù)所需的結(jié)構(gòu)支撐、所需的RF耦合、熱傳導(dǎo)性等來加以 最佳化。
[0029] 在一些實(shí)施方式中，承載構(gòu)件210可并非環(huán)，并且可沿著上盤構(gòu)件202的整個(gè)底表 面206來支撐上盤構(gòu)件202。例如，在一些實(shí)施方式中，下承載構(gòu)件可為沒有中心開口的固 體盤（未示），類似于上盤構(gòu)件202。
[0030] 承載構(gòu)件210也可包括第二特征216,第二特征216協(xié)助定位上盤構(gòu)件202并且 保持上盤構(gòu)件202大體上在適當(dāng)?shù)奈恢茫ɡ缑庥诨x適當(dāng)?shù)奈恢茫?，同時(shí)仍然允許上盤 構(gòu)件202例如因?yàn)闊崤蛎浐褪湛s而移動或變形。例如，在一些實(shí)施方式中，第二特征216可 為從承載構(gòu)件向上延伸的突伸物或唇狀物，以界定上盤構(gòu)件202可設(shè)置于其中的凹部。替 代地或組合地，在一些實(shí)施方式中，第二特征可為銷，所述銷沿著中心線224耦接上盤構(gòu)件 202和下承載構(gòu)件，同時(shí)仍然允許上盤構(gòu)件202例如因?yàn)闊崤蛎浐褪湛s而相對于下承載構(gòu) 件210徑向移動或變形。
[0031] 下承載構(gòu)件210可包括熱穩(wěn)定材料，以最小化下承載構(gòu)件210的熱變形。例如， 下承載構(gòu)件210可包括陶瓷、涂覆有碳化硅的石墨、固體碳化硅、固體燒結(jié)的碳化硅或利用 無金屬燒結(jié)劑（sinteringagent)(例如可從Bridgestone購得的PUREBETA?:或類似 物）制造的固體燒結(jié)的碳化硅中的至少之一。在一些實(shí)施方式中，下承載構(gòu)件210可包括 熱膨脹系數(shù)為約5. 6E-6m/mK至約22. 2E-6m/mK的材料。在一些實(shí)施方式中，下承載構(gòu)件 210可包括熱傳導(dǎo)材料。在一些實(shí)施方式中，下承載構(gòu)件210可包括電絕緣材料。在上述的 任何實(shí)施方式中，下承載構(gòu)件210可由下述合適材料構(gòu)成：具有足夠的機(jī)械剛性來實(shí)質(zhì)上 抵抗由于上盤構(gòu)件202以及在使用期間可沉積在上盤構(gòu)件202頂上的材料的額外重量所導(dǎo) 致的變形的材料。在一些實(shí)施方式中，所述材料也可為重量輕的，以允許擋板盤組件140容 易地被轉(zhuǎn)移機(jī)械手移動。在一些實(shí)施方式中，下承載構(gòu)件210和/或上盤構(gòu)件202彼此相 接觸的一或多個(gè)表面可加以拋光，以促進(jìn)容易移動，所述移動是由于下承載構(gòu)件210與上 盤構(gòu)件202之間的熱變形而導(dǎo)致的。
[0032] 在一些實(shí)施方式中，底表面214,下承載構(gòu)件210的底表面可為實(shí)質(zhì)上平面的。在 其他實(shí)施方式中，下承載構(gòu)件210的底表面214可包括特征來接合于擋板盤組件機(jī)構(gòu)132 的部件，以促進(jìn)穩(wěn)定和準(zhǔn)確的移動。用來接合于擋板盤組件機(jī)構(gòu)的部件的示例性擋板盤特 征被例如描述在美國專利申請案12/542,501中，所述申請案申請于2009年8月17日，且 標(biāo)題為"SHUTTERDISKHAVINGATUNEDCOEFFICIENTOFTHERMALEXPANSION"。
[0033] 上盤構(gòu)件202的頂表面204大體上為平面并且具有實(shí)質(zhì)上垂直于擋板盤組件140 的中心線224的取向。底表面206也大體上為平面并且具有實(shí)質(zhì)上垂直于擋板盤組件140 的中心線224的取向。在一些實(shí)施方式中，上盤構(gòu)件202可包括階狀特征208,階狀特征208 實(shí)質(zhì)上平行于底表面206。如圖2A所示，在一些實(shí)施方式中，可由下承載構(gòu)件210的第一特 征212使用階狀特征208來支撐上盤構(gòu)件202。
[0034] 上盤構(gòu)件202可由下述任何合適材料構(gòu)成：具有足夠的機(jī)械剛性來抵抗由于可沉 積在上盤構(gòu)件202的頂部上的材料的額外重量而導(dǎo)致的變形的材料。在一些實(shí)施方式中， 所述材料也可為重量輕的，以允許擋板盤組件140容易地被轉(zhuǎn)移機(jī)械手移動。在一些實(shí)施 方式中，上盤構(gòu)件202可由下述材料構(gòu)成：金屬合金（例如不銹鋼）、金屬復(fù)合物（例如鋁 硅（AlSi))或陶瓷（例如碳化硅）。上盤構(gòu)件202可經(jīng)由適于形成所希望的形狀的任何方 法來制造，例如鑄模鑄造、沖模鑄造、噴涂鑄造、噴涂沉積或類似方法。在一些實(shí)施方式中， 上盤構(gòu)件202包含處理腔室中用于沉積/蝕刻基板所使用的相同材料。
[0035] 在一些實(shí)施方式中，擋板盤組件140具有約6英寸至約12英寸的外部直徑220， 例如約6英寸、8英寸或11. 85英寸。在一些實(shí)施方式中，從上支撐盤202的頂表面204至 下支撐承載的底表面214的厚度可為約0. 1英寸至約0. 25英寸，例如約0. 15英寸。根據(jù) 基板支撐件的尺寸與構(gòu)造，可使用其他尺寸。在一些實(shí)施方式中，擋板盤組件140將具有等 于基板114的直徑的外部直徑220,公差為+/-50_。雖然以直徑來論述并且稱為盤，但擋 板盤組件140和上盤構(gòu)件并不限于圓形并且可具有任何適于使用在本文所揭示的處理腔 室中的形狀。雖然以直徑來論述，并且用語"環(huán)"或"盤"可用于描述擋板盤組件及其部件， 但可了解到，擋板盤組件和這些部件的形狀不需要是圓形，并且可具有任何形狀的周邊和/ 或開口，包括（但不限于）矩形、多邊形、橢圓形及類似形狀。
[0036] 圖3繪示了與本發(fā)明的至少一些實(shí)施方式一致的示例性擋板盤組件140與基板支 撐件126。擋板盤組件機(jī)構(gòu)132可將擋板盤組件140設(shè)置于基板支撐件126上的適當(dāng)位置 中。擋板盤組件140所保護(hù)的基板支撐件126的部分被顯示為受保護(hù)的支撐件表面304。 在一些實(shí)施方式中，擋板盤組件140的下承載構(gòu)件210可由基板支撐件126的頂表面302支 撐。另外，上盤構(gòu)件202的底表面可定位為近鄰基板支撐件126的頂表面302或者實(shí)體接 觸基板支撐件126的頂表面302。在一些實(shí)施方式中，上盤構(gòu)件202與基板支撐件126之間 設(shè)置的標(biāo)稱間隙是約〇. 04英寸。在其他實(shí)施方式中，上盤構(gòu)件202可接觸基板支撐件126， 以用于熱傳遞或其他原因。
[0037] 如上面論述的，靶材122和基板支撐件126通過電源128而相對于彼此加偏壓。在 上漿處理期間，例如，擋板盤組件因?yàn)榈入x子體功率（RF或DC源）而升溫。在下承載構(gòu)件 210是環(huán)的一些實(shí)施方式中，電力直接從基板支撐件126耦合至上盤構(gòu)件202。在下承載構(gòu) 件210是固體盤的其他實(shí)施方式中，電力先直接從基板支撐件126耦合至下承載構(gòu)件210， 且之后耦合至上盤構(gòu)件202。隨著上盤構(gòu)件202升溫，上盤構(gòu)件202開始變形且相對于下承 載構(gòu)件210而移動（如由變形的上盤構(gòu)件202'所示）。但是，變形的上盤構(gòu)件202'和下承 載構(gòu)件210仍然維持有重疊區(qū)域306,重疊區(qū)域306保護(hù)基板支撐件126。
[0038] 雖然前述內(nèi)容針對本發(fā)明的實(shí)施方式，但在不背離本發(fā)明的基本范圍的情況下， 可設(shè)計(jì)出本發(fā)明的其他及進(jìn)一步的實(shí)施方式，且本發(fā)明的范圍由下面的權(quán)利要求書來確 定。
【權(quán)利要求】
1. 一種擋板盤組件，所述擋板盤組件用于使用在處理腔室中，以保護(hù)設(shè)置于所述擋板 盤組件之下的基板支撐件，所述擋板盤組件包括： 上盤構(gòu)件，所述上盤構(gòu)件具有頂表面和底表面；及 下承載構(gòu)件，所述下承載構(gòu)件的至少一部分被設(shè)置于所述上盤構(gòu)件的一部分之下，以 支撐所述上盤構(gòu)件并且產(chǎn)生保護(hù)性重疊區(qū)域，所述保護(hù)性重疊區(qū)域在所述上盤構(gòu)件變形時(shí) 防止所述基板支撐件的暴露。
2. 如權(quán)利要求1所述的擋板盤組件，其中所述下承載構(gòu)件是具有中心開口的環(huán)，且其 中所述下承載構(gòu)件支撐所述上盤構(gòu)件，以使得所述上盤構(gòu)件的所述底表面被設(shè)置在所述下 承載構(gòu)件的中心開口之上。
3. 如權(quán)利要求2所述的擋板盤組件，其中所述下承載構(gòu)件進(jìn)一步包括： 第一特征，所述第一特征支撐所述上盤構(gòu)件；及 第二特征，所述第二特征將所述上盤構(gòu)件維持在所述下承載構(gòu)件的所述中心開口之上 的位置中。
4. 如權(quán)利要求3所述的擋板盤組件，其中所述上盤構(gòu)件包括階狀特征，所述階狀特征 被設(shè)置于所述下承載構(gòu)件的所述第一特征之上，其中所述第一特征使用所述階狀特征來支 撐上盤構(gòu)件，且其中所述上盤構(gòu)件的所述階狀特征與所述下承載構(gòu)件的所述第一特征形成 所述保護(hù)性重疊區(qū)域。
5. 如權(quán)利要求2至4的任一項(xiàng)所述的擋板盤組件，其中所述下承載構(gòu)件的底表面與所 述上盤構(gòu)件的所述底表面實(shí)質(zhì)上共平面。
6. 如權(quán)利要求2至4的任一項(xiàng)所述的擋板盤組件，其中所述上盤構(gòu)件的頂表面與底表 面是實(shí)質(zhì)上平面的并且實(shí)質(zhì)上互相平行。
7. 如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的擋板盤組件，其中所述下承載構(gòu)件包括熱穩(wěn)定材 料，所述熱穩(wěn)定材料具有約5. 4E-6m/m K至約22. 2E-6m/m K的熱膨脹系數(shù)。
8. 如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的擋板盤組件，其中所述下承載構(gòu)件包括陶瓷、涂覆 有碳化娃的石墨、固體碳化娃、固體燒結(jié)的娃碳或固體無金屬燒結(jié)的碳化娃中的至少之一。
9. 如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的擋板盤組件，其中所述上盤構(gòu)件包括導(dǎo)電材料。
10. 如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的擋板盤組件，其中所述上盤構(gòu)件包括金屬或金屬 復(fù)合材料。
11. 一種擋板盤組件，所述擋板盤組件用于使用在處理腔室中，以保護(hù)設(shè)置于所述擋板 盤組件之下的基板支撐件，所述擋板盤組件包括： 上盤構(gòu)件，所述上盤構(gòu)件具有頂表面和底表面，其中所述上盤構(gòu)件進(jìn)一步包括階狀特 征，所述階狀特征被設(shè)置于所述上盤構(gòu)件的外部直徑的周圍；及 下承載構(gòu)件，所述下承載構(gòu)件具有中心開口和向內(nèi)延伸的環(huán)狀突出部，所述環(huán)狀突出 部界定所述中心開口，其中環(huán)狀突出部依一定尺寸設(shè)計(jì)，以在所述階狀特征處支撐所述上 盤構(gòu)件。
12. -種處理腔室，包括： 腔室主體，所述腔室主體界定內(nèi)部空間，所述內(nèi)部空間具有靶材，所述靶材包括要沉積 在設(shè)置于所述腔室主體中的基板的頂部上的材料； 基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置于所述腔室主體內(nèi)，用以支撐所述基板； 擋板盤組件，所述擋板盤組件用于保護(hù)所述基板支撐件，所述擋板盤包括上盤構(gòu)件和 下承載構(gòu)件，所述上盤構(gòu)件具有頂表面和底表面，所述下承載構(gòu)件的至少一部分被設(shè)置于 所述上盤構(gòu)件的一部分之下，以支撐所述上盤構(gòu)件并且產(chǎn)生保護(hù)性重疊區(qū)域，所述保護(hù)性 重疊區(qū)域在所述上盤構(gòu)件變形時(shí)防止所述基板支撐件的暴露；及 轉(zhuǎn)移機(jī)械手，所述轉(zhuǎn)移機(jī)械手被能移動地耦接至所述腔室主體，用于轉(zhuǎn)移所述擋板盤 組件至所述基板支撐件并且從所述基板支撐件轉(zhuǎn)移所述擋板盤組件。
13. 如權(quán)利要求12所述的處理腔室，其中所述下承載構(gòu)件是具有中心開口的環(huán)，且其 中所述下承載構(gòu)件支撐所述上盤構(gòu)件，以使得所述上盤構(gòu)件的所述底表面被設(shè)置于所述下 承載構(gòu)件的中心開口之上。
14. 如權(quán)利要求13所述的處理腔室，其中所述下承載構(gòu)件進(jìn)一步包括： 第一特征，所述第一特征支撐所述上盤構(gòu)件；及 第二特征，所述第二特征將所述上盤構(gòu)件維持在所述下承載構(gòu)件的所述中心開口之上 的位置中。
15. 如權(quán)利要求14所述的處理腔室，其中所述上盤構(gòu)件包括階狀特征，所述階狀特征 被設(shè)置于所述下承載構(gòu)件的所述第一特征之上，其中所述第一特征使用所述階狀特征來支 撐上盤構(gòu)件，且其中所述上盤構(gòu)件的所述階狀特征與所述下承載構(gòu)件的所述第一特征形成 所述保護(hù)性重疊區(qū)域。
【文檔編號】H01L21/205GK104428885SQ201380034832
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年7月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月17日
【發(fā)明者】振雄·馬修·蔡, 阿南塔克里希納·朱普迪, 羅伯特·丁斯莫爾, 徐松文 申請人:應(yīng)用材料公司