使用不對(duì)稱(chēng)嵌入式成像目標(biāo)的聚焦監(jiān)測(cè)方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種用于監(jiān)測(cè)掩模聚焦的方法，其包含測(cè)量包含亞分辨率輔助特征的目標(biāo)特征中的輪廓不對(duì)稱(chēng)性及基于輪廓與對(duì)應(yīng)掩模的聚焦之間的已知相關(guān)導(dǎo)出聚焦響應(yīng)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可在光刻工藝中基于此類(lèi)所導(dǎo)出的信息調(diào)整掩模聚焦以符合所要制造工藝。
【專(zhuān)利說(shuō)明】使用不對(duì)稱(chēng)嵌入式成像目標(biāo)的聚焦監(jiān)測(cè)方法
[0001]優(yōu)先權(quán)
[0002]本發(fā)明根據(jù)35口.8.0.5 119(6)主張2012年6月6日申請(qǐng)的第61/656，330號(hào)美國(guó)臨申請(qǐng)案的權(quán)益，所述申請(qǐng)案以引用方式并入本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明一般來(lái)說(shuō)涉及半導(dǎo)體晶片制造且更特定來(lái)說(shuō)，涉及在光刻工藝期間維持聚焦。

【背景技術(shù)】
[0004]制造半導(dǎo)體裝置(例如，邏輯及存儲(chǔ)器裝置)通常包含使用大量半導(dǎo)體制造工藝處理襯底(例如，半導(dǎo)體晶片)以形成半導(dǎo)體裝置的各種特征及多個(gè)層級(jí)。舉例來(lái)說(shuō)，光刻為涉及將圖案從比例掩模轉(zhuǎn)印到布置在半導(dǎo)體晶片上的抗蝕劑的半導(dǎo)體制造工藝。半導(dǎo)體制造工藝的額外實(shí)例包含(但不限于)光學(xué)機(jī)械拋光((^?)、蝕刻、沉積及離子植入?？砂茨骋徊贾迷趩蝹€(gè)半導(dǎo)體晶片上制造多個(gè)半導(dǎo)體裝置且接著將所述多個(gè)半導(dǎo)體裝置分成個(gè)別半導(dǎo)體裝置。
[0005]在半導(dǎo)體制造工藝期間的各種步驟下使用度量橫工藝來(lái)監(jiān)測(cè)及控制一或多個(gè)半導(dǎo)體層工藝。舉例來(lái)說(shuō)，在光刻期間，維持比例掩模與抗蝕劑之間的銳聚焦是至關(guān)重要的。在光刻目標(biāo)對(duì)聚焦特別敏感的情況下，亞分辨率輔助特征(3狀?)尤其有用。亞分辨率輔助特征(3狀?)為經(jīng)設(shè)計(jì)以通過(guò)額外相長(zhǎng)干涉或相消干涉改善工藝容限并增強(qiáng)隔離特征的分辨率的非常小的掩模特征，但不希望印制在所得晶片上?，F(xiàn)有光刻技術(shù)需要使用某種形式的03度量橫數(shù)據(jù)及數(shù)據(jù)分離進(jìn)行的劑量及聚焦的反卷積來(lái)確定聚焦響應(yīng)。
[0006]雖然亞分辨率輔助特征可用于在光刻期間輔助聚焦，但現(xiàn)有亞分辨率輔助特征并不提供用于維持聚焦的可靠機(jī)制。因此，將為有利的是，存在一種適于在光刻工藝中監(jiān)測(cè)掩模的聚焦的設(shè)備。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因此，本發(fā)明涉及一種用于在光刻工藝中監(jiān)測(cè)掩模的聚焦的新穎方法及設(shè)備。
[0008]在至少一個(gè)實(shí)施例中，一種光刻掩模包含亞分辨率輔助特征以產(chǎn)生輪廓或圖像布局或兩者的不對(duì)稱(chēng)性。不對(duì)稱(chēng)性增強(qiáng)或惡化圖像對(duì)數(shù)斜率?？山?jīng)由聚焦改變更改輪廓不對(duì)稱(chēng)性，且可在處理期間測(cè)量此類(lèi)改變。
[0009]在另一實(shí)施例中，一種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)在光刻工藝中監(jiān)測(cè)一或多個(gè)目標(biāo)特征的輪廓不對(duì)稱(chēng)性。使用輪廓不對(duì)稱(chēng)性的改變來(lái)導(dǎo)出聚焦的改變且借此在處理期間不斷監(jiān)測(cè)聚焦。
[0010]在另一實(shí)施例中，一種用于監(jiān)測(cè)掩模聚焦的方法包含測(cè)量目標(biāo)特征中的輪廓不對(duì)稱(chēng)性及基于輪廓與對(duì)應(yīng)掩模的聚焦之間的已知相關(guān)導(dǎo)出聚焦。可基于此類(lèi)所導(dǎo)出的信息調(diào)整掩模聚焦以符合所要的制造工藝。
[0011]應(yīng)理解，前述一般描述及以下詳細(xì)描述兩者僅為示范性及解釋性的且并不限制所主張的發(fā)明。并入說(shuō)明書(shū)中且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分的【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施例且連同一般描述一起用于解釋原理。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可通過(guò)參看附圖更好地理解本發(fā)明的眾多優(yōu)點(diǎn)，其中:
[0013]圖1展示可用于實(shí)施本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖；
[0014]圖2展示根據(jù)本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例的包含用于產(chǎn)生不對(duì)稱(chēng)輪廓的亞分辨率輔助特征的掩模元件的表示；
[0015]圖3展示通過(guò)光刻掩模中的亞分辨率輔助特征產(chǎn)生的不對(duì)稱(chēng)輪廓的表示；
[0016]圖4展示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的包含用于按雙重對(duì)應(yīng)設(shè)計(jì)產(chǎn)生不對(duì)稱(chēng)輪廓的亞分辨率輔助特征的掩模元件的表示；以及
[0017]圖5展示用于利用亞分辨率輔助特征來(lái)在光刻工藝期間監(jiān)測(cè)及維持聚焦的方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018]現(xiàn)將詳細(xì)參考在附圖中說(shuō)明的所揭示的標(biāo)的物。本發(fā)明的范圍僅通過(guò)權(quán)利要求書(shū)來(lái)限制；涵蓋眾多替代物、修改及等效物。出于清晰的目的，未詳細(xì)描述【技術(shù)領(lǐng)域】中已知的與所述實(shí)施例相關(guān)的技術(shù)性材料以避免不必要地混淆所述描述。
[0019]參看圖1，展示可用于實(shí)施本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖。所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可包含:處理器100 ；存儲(chǔ)器102，其連接到處理器100 ；及測(cè)量裝置106，其經(jīng)配置以測(cè)量輪廓不對(duì)稱(chēng)性且連接到處理器100。在光刻工藝中，使用具有多個(gè)主要特征及至少一個(gè)亞分辨率輔助特征的光刻掩模108來(lái)在半導(dǎo)體晶片110上生成元件。
[0020]在光刻工藝期間，處理器100通過(guò)測(cè)量裝置106接收第一投影輪廓并通過(guò)測(cè)量裝置106接收第二投影輪廓。第一投影輪廓與第二投影輪廓是不對(duì)稱(chēng)的，使得可測(cè)量輪廓不對(duì)稱(chēng)性以指示用于光刻工藝中的掃描儀的聚焦。
[0021]此外，測(cè)量裝置106可測(cè)量參考疊對(duì)標(biāo)記使得處理器100可確定疊對(duì)誤差?；谒霪B對(duì)誤差，處理器100可確定圖像布局誤差。不同于疊對(duì)誤差，圖像布局誤差是聚焦的函數(shù)。一旦計(jì)算出圖像布局誤差，處理器100便可使用所述圖像布局誤差確定聚焦誤差。
[0022]輪廓不對(duì)稱(chēng)性及圖像布局誤差為關(guān)于同一目標(biāo)的兩個(gè)單獨(dú)聚焦響應(yīng)。處理器100可組合輪廓不對(duì)稱(chēng)性與圖像布局誤差兩者以確定聚焦響應(yīng)。基于所述聚焦響應(yīng)，處理器100可更改掃描儀聚焦以產(chǎn)生所要的光刻圖像。本發(fā)明的實(shí)施例不需要?jiǎng)┝炕蚓劢沟姆淳矸e。此外，使用本發(fā)明的實(shí)施例，不需要03度量橫測(cè)量；劑量相對(duì)獨(dú)立于聚焦改變；且可從同一測(cè)量獲得聚焦及疊對(duì)數(shù)據(jù)。
[0023]參看圖2，展示根據(jù)本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例的包含用于產(chǎn)生不對(duì)稱(chēng)輪廓的亞分辨率輔助特征的掩模元件的表示。掩?？砂Ｍ诎雽?dǎo)體晶片上生成元件的主要特征200、202、204、208。所述掩模還可包含一或多個(gè)亞分辨率輔助特征206、210。亞分辨率輔助特征206、210產(chǎn)生或更改相長(zhǎng)或相消干涉以更改通過(guò)主要特征200、202、204、208產(chǎn)生的對(duì)應(yīng)元件的形狀或大小，且此類(lèi)更改可依據(jù)掩模的聚焦而變化。舉例來(lái)說(shuō)，與第三主要特征204相關(guān)聯(lián)的第一亞分辨率輔助特征206可更改在光刻處理期間被照明的半導(dǎo)體的面積的大小。此外，此類(lèi)更改可變化，使得所述面積的大小隨著掩模的聚焦變化而增大。
[0024]亞分辨率輔助特征206、210可通過(guò)對(duì)掃描儀的聚焦改變來(lái)相比于沒(méi)有對(duì)應(yīng)亞分辨率輔助特征206、210的特征增強(qiáng)或惡化圖像對(duì)數(shù)斜率及改變所投影特征的輪廓不對(duì)稱(chēng)性。輪廓不對(duì)稱(chēng)性可用于聚焦監(jiān)測(cè)且可通過(guò)所屬領(lǐng)域中已知的手段來(lái)測(cè)量。
[0025]所得目標(biāo)可含有嵌入式不對(duì)稱(chēng)性且聚焦靈敏度可通過(guò)亞分辨率輔助特征206、210的性質(zhì)(例如，此類(lèi)亞分辨率輔助特征206、210的數(shù)目或大小)來(lái)控制。并且，亞分辨率輔助特征206、210與對(duì)應(yīng)主要特征204、208之間的距離可用于控制聚焦靈敏度。
[0026]亞分辨率輔助特征206、210的設(shè)計(jì)取決于光刻工藝。度量橫工具可根據(jù)所屬領(lǐng)域中已知的手段測(cè)量亞分辨率輔助特征206、210。
[0027]參看圖3，展示通過(guò)光刻掩模中的亞分辨率輔助特征產(chǎn)生的不對(duì)稱(chēng)輪廓的表示。輪廓300、302表示通過(guò)具有主要特征及亞分辨率輔助特征的掩模產(chǎn)生的所投影圖像的橫截面。無(wú)輔助輪廓300可通過(guò)主要特征來(lái)產(chǎn)生。無(wú)輔助輪廓300在第一焦距304與第二焦距306處可實(shí)質(zhì)上相同。
[0028]受輔助輪廓302可通過(guò)主要特征及對(duì)應(yīng)亞分辨率輔助特征來(lái)產(chǎn)生。受輔助輪廓302可依據(jù)距投影掩模的距離而變化，使得受輔助特征302在第一焦距304下的所投影圖像的大小小于在第二焦距306下的所投影圖像的大小。
[0029]無(wú)輔助輪廓300與受輔助輪廓302是不對(duì)稱(chēng)的。在光刻成像期間，可通過(guò)比較對(duì)應(yīng)于無(wú)輔助輪廓300的圖像與對(duì)應(yīng)于受輔助輪廓302的圖像來(lái)監(jiān)測(cè)掃描儀的聚焦。替代地，可通過(guò)所屬領(lǐng)域中已知的手段測(cè)量無(wú)輔助輪廓300與受輔助輪廓302之間的輪廓不對(duì)稱(chēng)性。此外，可使用疊對(duì)技術(shù)測(cè)量亞分辨率輔助特征的布局誤差。
[0030]參看圖4，展示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的包含用于按雙重對(duì)應(yīng)設(shè)計(jì)產(chǎn)生不對(duì)稱(chēng)輪廓的亞分辨率輔助特征的掩模元件的表示。掩?？砂哂邢Ｍ诎雽?dǎo)體晶片上生成元件的第一設(shè)計(jì)主要特征400、402、404、408的第一設(shè)計(jì)。所述第一設(shè)計(jì)還可包含一或多個(gè)第一設(shè)計(jì)亞分辨率輔助特征406、410。第一設(shè)計(jì)亞分辨率輔助特征406、410產(chǎn)生或更改相長(zhǎng)或相消干涉以更改通過(guò)第一設(shè)計(jì)主要特征400、402、404、408產(chǎn)生的對(duì)應(yīng)元件的形狀或大小，且此類(lèi)更改可依據(jù)掩模的聚焦而變化。舉例來(lái)說(shuō)，與第一設(shè)計(jì)的第三主要特征404相關(guān)聯(lián)的第一設(shè)計(jì)的第一亞分辨率輔助特征406可更改在光刻處理期間被照明的半導(dǎo)體的面積的大小。此外，此類(lèi)更改可變化，使得所述面積的大小隨著掩模的聚焦變化而增大。
[0031]所述掩模還可包含具有第二設(shè)計(jì)主要特征412、414及一或多個(gè)第二設(shè)計(jì)亞分辨率輔助特征416的第二設(shè)計(jì)。第二設(shè)計(jì)主要特征412、414可包括希望彼此相長(zhǎng)或相消干涉以產(chǎn)生所投影圖像的多個(gè)元件。與第二設(shè)計(jì)的第二主要特征414相關(guān)聯(lián)的第二設(shè)計(jì)的第一亞分辨率輔助特征416可更改光刻處理期間被照明的半導(dǎo)體的面積的大小。
[0032]亞分辨率輔助特征406、410、416可通過(guò)對(duì)掃描儀的聚焦改變來(lái)相比于沒(méi)有對(duì)應(yīng)亞分辨率輔助特征406、410、412的特征增強(qiáng)或惡化圖像對(duì)數(shù)斜率及改變所投影特征的輪廓不對(duì)稱(chēng)性。輪廓不對(duì)稱(chēng)性可用于聚焦監(jiān)測(cè)且可通過(guò)所屬領(lǐng)域中已知的手段來(lái)測(cè)量。
[0033]所得目標(biāo)可含有嵌入式不對(duì)稱(chēng)性且聚焦靈敏度可通過(guò)亞分辨率輔助特征406、410,416的性質(zhì)(例如，此類(lèi)亞分辨率輔助特征406、410、416的數(shù)目或大小)來(lái)控制。并且，亞分辨率輔助特征406、410、416與對(duì)應(yīng)主要特征404、408、414之間的距離可用于控制聚焦靈敏度。
[0034]亞分辨率輔助特征406、410、416的設(shè)計(jì)取決于光刻工藝。度量橫工具可根據(jù)所屬領(lǐng)域中已知的手段測(cè)量亞分辨率輔助特征406、410、416。
[0035]在包含一個(gè)以上對(duì)應(yīng)設(shè)計(jì)的實(shí)施例中，可通過(guò)個(gè)別不對(duì)稱(chēng)性結(jié)果來(lái)測(cè)量聚焦。舉例來(lái)說(shuō)，第二設(shè)計(jì)可報(bào)告一個(gè)聚焦結(jié)果且第一設(shè)計(jì)可報(bào)告另一個(gè)聚焦結(jié)果。有差異結(jié)果也可用于測(cè)量聚焦。
[0036]參看圖5，展示用于利用亞分辨率輔助特征來(lái)在光刻工藝期間監(jiān)測(cè)及維持聚焦的方法的流程圖。在光刻工藝期間，可通過(guò)掩模將具有第一投影輪廓的第一圖像投影500在半導(dǎo)體上。還可通過(guò)掩模將具有第二投影輪廓的第二圖像投影502在半導(dǎo)體上。第一投影輪廓與第二投影輪廓是不對(duì)稱(chēng)的，使得可測(cè)量504輪廓不對(duì)稱(chēng)性以指示用于光刻工藝中的掃描儀的聚焦。
[0037]此外,用于光刻工藝中的測(cè)量工具可測(cè)量506參考疊對(duì)標(biāo)記以確定508疊對(duì)誤差?；诏B對(duì)誤差，可計(jì)算510圖像布局誤差。不同于疊對(duì)誤差，圖像布局誤差為聚焦的函數(shù)。一旦計(jì)算出圖像布局誤差，便可使用所述圖像布局誤差確定512聚焦誤差。
[0038]輪廓不對(duì)稱(chēng)性及圖像布局誤差為關(guān)于同一目標(biāo)的兩個(gè)單獨(dú)聚焦響應(yīng)?？墒褂幂喞粚?duì)稱(chēng)性及圖像布局誤差兩者或其中的任一者，但輪廓不對(duì)稱(chēng)性是優(yōu)選的，這是因?yàn)檩喞粚?duì)稱(chēng)性為奇異解?？山M合輪廓不對(duì)稱(chēng)性及圖像布局誤差兩者以確定514聚焦響應(yīng)?；诰劢鬼憫?yīng)，可更改516掃描儀聚焦以產(chǎn)生所要光刻圖像。本發(fā)明的實(shí)施例并不需要?jiǎng)┝炕蚓劢沟姆淳矸e。此外，使用本發(fā)明的實(shí)施例，并不需要03度量橫測(cè)量；劑量相對(duì)獨(dú)立于聚焦改變；且可從同一測(cè)量獲得聚焦及疊對(duì)數(shù)據(jù)。
[0039]利用本發(fā)明的實(shí)施例，可在晶片基礎(chǔ)上進(jìn)行通常在工具基礎(chǔ)上進(jìn)行的聚焦偏差或變差的檢測(cè)，從而允許實(shí)時(shí)反饋及借此允許對(duì)工藝控制及產(chǎn)量的改善。本發(fā)明的實(shí)施例還可利用在聚焦方面具有減少的工藝窗的工藝，借此允許以更積極的光刻工藝生產(chǎn)芯片，從而有可能避免包含先進(jìn)掃描儀、掩模及抗蝕劑的其它分辨率增強(qiáng)技術(shù)中的高成本。
[0040]據(jù)信，將通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施例的前述描述來(lái)理解本發(fā)明及其許多伴隨優(yōu)點(diǎn)，且將顯而易見(jiàn)的是，可在本發(fā)明的形式、構(gòu)造及組件布置方面做出各種改變而不脫離本發(fā)明的范圍及精神或犧牲本發(fā)明的所有實(shí)質(zhì)優(yōu)點(diǎn)。本文中之前描述的形式僅為本發(fā)明的解釋性實(shí)施例，且希望所附權(quán)利要求書(shū)涵蓋并包含此類(lèi)改變。
【權(quán)利要求】
1.一種用于在光刻期間監(jiān)測(cè)聚焦的設(shè)備，其包括: 處理器； 存儲(chǔ)器，其連接到所述處理器；以及 計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼，其經(jīng)配置以在所述處理器上執(zhí)行， 其中: 所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼經(jīng)配置以: 接收對(duì)應(yīng)于第一掩模元件的第一圖像輪廓； 接收對(duì)應(yīng)于包括至少一個(gè)亞分辨率輔助特征的第二掩模元件的第二圖像輪廓； 基于所述第一圖像輪廓及所述第二圖像輪廓測(cè)量輪廓不對(duì)稱(chēng)性；以及 基于所述輪廓不對(duì)稱(chēng)性確定聚焦響應(yīng)；且 所述第一圖像輪廓與所述第二圖像輪廓是不對(duì)稱(chēng)的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼經(jīng)進(jìn)一步配置以更改掃描儀聚焦。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼經(jīng)進(jìn)一步配置以: 測(cè)量參考疊對(duì)標(biāo)記； 確定疊對(duì)誤差； 計(jì)算圖像布局誤差；以及 確定聚焦誤差。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼經(jīng)進(jìn)一步配置以組合所述輪廓不對(duì)稱(chēng)性與所述圖像布局誤差。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼經(jīng)進(jìn)一步配置以更改掃描儀聚焦。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中: 所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼經(jīng)進(jìn)一步配置以: 接收對(duì)應(yīng)于第三掩模元件的第三圖像輪廓； 接收對(duì)應(yīng)于包括至少一個(gè)亞分辨率輔助特征的第四掩模元件的第四圖像輪廓； 基于所述第三圖像輪廓及所述第四圖像輪廓測(cè)量第二輪廓不對(duì)稱(chēng)性；以及 基于所述第二輪廓不對(duì)稱(chēng)性確定第二聚焦響應(yīng)； 所述第一掩模元件及所述第二掩模元件對(duì)應(yīng)于第一掩模設(shè)計(jì)；且 所述第三掩模元件及所述第四掩模元件對(duì)應(yīng)于第二掩模設(shè)計(jì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述聚焦響應(yīng)及所述第二聚焦響應(yīng)對(duì)應(yīng)于不同聚焦函數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼經(jīng)進(jìn)一步配置以基于所述第二聚焦響應(yīng)更改掃描儀聚焦。
9.一種用于在光刻期間監(jiān)測(cè)聚焦的方法，其包括: 接收對(duì)應(yīng)于第一掩模元件的第一圖像輪廓； 接收對(duì)應(yīng)于包括至少一個(gè)亞分辨率輔助特征的第二掩模元件的第二圖像輪廓； 基于所述第一圖像輪廓及所述第二圖像輪廓測(cè)量輪廓不對(duì)稱(chēng)性，其中所述第一圖像輪廓與所述第二圖像輪廓是不對(duì)稱(chēng)的；以及 基于所述輪廓不對(duì)稱(chēng)性確定聚焦響應(yīng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包括更改掃描儀聚焦。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包括: 測(cè)量參考疊對(duì)標(biāo)記； 確定疊對(duì)誤差； 計(jì)算圖像布局誤差；以及 確定聚焦誤差。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其進(jìn)一步包括組合所述輪廓不對(duì)稱(chēng)性與所述圖像布局誤差。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括更改掃描儀聚焦。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包括: 接收對(duì)應(yīng)于第三掩模元件的第三圖像輪廓； 接收對(duì)應(yīng)于包括至少一個(gè)亞分辨率輔助特征的第四掩模元件的第四圖像輪廓； 基于所述第三圖像輪廓及所述第四圖像輪廓測(cè)量第二輪廓不對(duì)稱(chēng)性；以及 基于所述第二輪廓不對(duì)稱(chēng)性確定第二聚焦響應(yīng)， 其中: 所述第一掩模元件及所述第二掩模元件對(duì)應(yīng)于第一掩模設(shè)計(jì)；且 所述第三掩模元件及所述第四掩模元件對(duì)應(yīng)于第二掩模設(shè)計(jì)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述聚焦響應(yīng)及所述第二聚焦響應(yīng)對(duì)應(yīng)于不同聚焦函數(shù)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其進(jìn)一步包括基于所述第二聚焦響應(yīng)更改掃描儀聚焦。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其進(jìn)一步包括基于所述聚焦響應(yīng)及所述第二聚焦響應(yīng)中的至少一者確定聚焦函數(shù)。
18.—種光刻掩模,其包括: 第一主要特征，其經(jīng)配置以將具有第一輪廓的圖像投影到半導(dǎo)體上； 第二主要特征，其經(jīng)配置以將具有第二輪廓的圖像投影到所述半導(dǎo)體上；以及第一亞分辨率輔助特征，其經(jīng)配置以更改所述第二輪廓使得所述第一輪廓與所述第二輪廓是不對(duì)稱(chēng)的， 其中所述第一輪廓與第二輪廓不對(duì)稱(chēng)性為光刻工藝中的掃描儀的聚焦的函數(shù)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光刻掩模，其進(jìn)一步包括: 第三主要特征，其經(jīng)配置以將具有第三輪廓的圖像投影到半導(dǎo)體上； 第四主要特征，其經(jīng)配置以將具有第四輪廓的圖像投影到所述半導(dǎo)體上；以及第二亞分辨率輔助特征，其經(jīng)配置以更改所述第四輪廓使得所述第三輪廓與所述第四輪廓是不對(duì)稱(chēng)的， 其中: 所述第一主要特征及所述第二主要特征對(duì)應(yīng)于第一掩模設(shè)計(jì)； 所述第一輪廓與第二輪廓不對(duì)稱(chēng)性對(duì)應(yīng)于第一聚焦響應(yīng)； 所述第三主要特征及所述第四主要特征對(duì)應(yīng)于第二掩模設(shè)計(jì)；且 所述第三輪廓與第四輪廓不對(duì)稱(chēng)性為光刻工藝中的掃描儀的聚焦的函數(shù)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的光刻掩模，其中所述第一輪廓與第二輪廓不對(duì)稱(chēng)性聚焦函數(shù)與所述第三輪廓與第四輪廓不對(duì)稱(chēng)性聚焦函數(shù)是不同的。
【文檔編號(hào)】H01L21/027GK104412359SQ201380036087
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2013年6月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月6日
【發(fā)明者】崔東燮, B·皮爾遜, 戴維·天, J·曼卡, 樸東順 申請(qǐng)人:科磊股份有限公司