蝕刻液、蝕刻力回復(fù)劑、太陽能電池用半導(dǎo)體基板的制備方法及太陽能電池用半導(dǎo)體基板的制作方法
【專利摘要】作為用于處理太陽能電池用半導(dǎo)體基板的表面的堿性蝕刻液，使用含有選自特定的磺酸化合物及其鹽的至少一種和硅酸和/或硅酸鹽的堿性蝕刻液。在本發(fā)明中，磺酸化合物優(yōu)選為對甲苯磺酸。
【專利說明】蝕刻液、蝕刻力回復(fù)劑、太陽能電池用半導(dǎo)體基板的制備方 法及太陽能電池用半導(dǎo)體基板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及蝕刻液、蝕刻力回復(fù)劑、太陽能電池用半導(dǎo)體基板的制備方法及太陽 能電池用半導(dǎo)體基板。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，為了提高太陽能電池的發(fā)電效率，使用在太陽能電池用半導(dǎo)體基板的表 面形成凹凸，將自基板表面的入射光有效地吸收至基板內(nèi)部的方法。作為在基板表面均勻 地形成細(xì)小的凹凸的方法，例如已知：使用氫氧化鈉和異丙醇的混合水溶液對單晶硅基板 的（100)面進(jìn)行各向異性蝕刻處理，形成由（111)面構(gòu)成的棱錐狀（四棱錐狀）凹凸的方 法。但是，由于該方法使用異丙醇，所以在廢液處理或操作環(huán)境、安全性的方面存在問題。另 夕卜，在該方法中，在基板表面形成的凹凸的形狀或大小有偏差，難以在基板表面均勻地形成 具有所希望的大小的細(xì)小的凹凸。
[0003] 因此，在專利文獻(xiàn)1中記載了下述方法：通過在堿性蝕刻液中含有特定的脂族羧 酸和硅，穩(wěn)定蝕刻基板表面時的蝕刻速度，以在基板表面均勻地形成具有所希望的大小的 棱錐狀凹凸。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)1 :國際公開第2007/129555號。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 發(fā)明所要解決的課題 如上所述，在專利文獻(xiàn)1中公開了在基板表面均勻地形成了具有所希望的大小的凹凸 的太陽能電池用半導(dǎo)體基板的制備方法。但是，在專利文獻(xiàn)1所記載的蝕刻液中，若不進(jìn)行 蝕刻液的更換等而繼續(xù)基板表面的蝕刻處理，則難以在基板表面均勻地形成具有所希望的 大小的凹凸。
[0006] 為了防止形成在基板表面形成有不均勻的凹凸的太陽能電池用半導(dǎo)體基板，必須 頻繁地確認(rèn)是否在基板表面均勻地形成具有所希望的大小的凹凸，當(dāng)開始在基板表面形成 不均勻的凹凸時，不得不更換蝕刻液。
[0007] 本發(fā)明是為了解決上述課題而完成，其目的在于，提供即使連續(xù)對多片太陽能電 池用半導(dǎo)體基板進(jìn)行蝕刻處理，也可在基板表面均勻地形成具有所希望的大小的凹凸的技 術(shù)。
[0008] 解決課題的手段 本發(fā)明人為了解決上述課題而反復(fù)深入研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，可通過使用含有選自特定的 磺酸化合物及其鹽的至少一種和硅酸和/或硅酸鹽的堿性蝕刻液來解決上述課題，從而完 成本發(fā)明。更具體而言，本發(fā)明提供以下方案。
[0009] (1)蝕刻液，所述蝕刻液為用于處理太陽能電池用半導(dǎo)體基板的表面的堿性蝕刻 液，含有選自以下列通式（I)表示的磺酸化合物及其鹽的至少一種和硅酸和/或硅酸鹽： [化1]

【權(quán)利要求】
1. 蝕刻液，所述蝕刻液為用于處理太陽能電池用半導(dǎo)體基板的表面的堿性蝕刻液， 含有選自以下列通式（I)表示的磺酸化合物及其鹽的至少一種和硅酸和/或硅酸鹽： [化1]
上述通式（I)中的n為0飛的整數(shù)，R分別獨立地為氫原子或碳原子數(shù)1~12的烷基。
2. 權(quán)利要求1的蝕刻液，其中，上述磺酸化合物為苯磺酸、甲苯磺酸、二甲苯磺酸、異 丙基苯磺酸。
3. 蝕刻力回復(fù)劑，所述蝕刻力回復(fù)劑為在用權(quán)利要求1或2的蝕刻液處理太陽能電池 用半導(dǎo)體基板后添加于上述蝕刻液中使蝕刻力回復(fù)的蝕刻力回復(fù)劑， 含有選自以下列通式（I)表示的磺酸化合物及其鹽的至少一種和/或堿。
4. 太陽能電池用半導(dǎo)體基板的制備方法，所述制備方法具備：用權(quán)利要求1或2的蝕 刻液蝕刻太陽能電池用半導(dǎo)體基板的基板表面，在上述基板表面形成凹凸的蝕刻工序。
5. 太陽能電池用半導(dǎo)體基板，所述太陽能電池用半導(dǎo)體基板是用權(quán)利要求1或2的蝕 刻液對表面進(jìn)行蝕刻處理而成。
【文檔編號】H01L31/0236GK104411797SQ201380036667
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2013年7月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月9日
【發(fā)明者】齋田利典, 大八木伸, 鐮田義輝, 橫田行永, 米田照正 申請人:攝津制油株式會社