用于制造碳化硅半導(dǎo)體器件的方法
【專利摘要】在碳化硅襯底(100)中形成具有側(cè)壁(SW)和底部(BT)的溝槽(TR)。形成溝槽絕緣膜(201A)以覆蓋所述底部(BT)和所述側(cè)壁(SW)。形成硅膜(201S)以填充所述溝槽，在所述硅膜(201S)和所述溝槽之間設(shè)有所述溝槽絕緣膜(201A)。對(duì)所述硅膜(201S)進(jìn)行腐蝕以保留設(shè)置在所述底部(BT)上的一部分所述硅膜(201S)，在所述一部分所述硅膜(201S)和所述底部(BT)之間設(shè)有所述溝槽絕緣膜(201A)。將所述溝槽絕緣膜(201A)從所述側(cè)壁(SW)移除。通過(guò)將所述硅膜(201S)氧化，形成底部絕緣膜。在所述側(cè)壁(SW)上形成側(cè)壁絕緣膜。
【專利說(shuō)明】用于制造碳化硅半導(dǎo)體器件的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于制造碳化硅半導(dǎo)體器件的方法，特別地，涉及用于制造具有溝槽的碳化硅半導(dǎo)體器件的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]日本專利
【發(fā)明者】齋藤雄, 增田健良, 林秀樹(shù) 申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社