將襯底與探針卡抵接的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠良好地進行設置在襯底的半導體器件的電特性檢查的襯底檢查裝置的將襯底與探針卡抵接的方法。將晶片(W)隔著晶片板(37)載置在吸盤部件(22)后搬送至與探針卡(36)的位置，將搬送的晶片(W)與晶片板(37)一起利用升降裝置(43)向探針卡(36)移動，使設置在晶片(W)的半導體器件的多個電極與設置在探針卡(36)的多個探針各自抵接后，使晶片(W)進一步向探針卡(36)過驅動，然后，對探針卡(36)與晶片板(37)之間的空間(S)減壓，保持半導體器件的電極與探針卡(36)的探針的抵接狀態(tài)，使吸盤部件(22)從晶片板(37)分離。
【專利說明】將襯底與探針卡抵接的方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及將形成在襯底例如晶片上的半導體器件的電極抵接到設置在襯底檢查裝置的探針卡的探針的將襯底與探針卡抵接的方法。

【背景技術】
[0002]作為晶片檢查裝置，已知例如對形成在晶片上的多個半導體器件進行電特性檢查的探針裝置和老化(burn in)檢查裝置。
[0003]圖11是表示現(xiàn)有的探針裝置的概略結構的截面圖。
[0004]在圖11中，探針裝置100包括:形成搬送晶片W的搬送區(qū)域的加載室101 ;和進行形成在晶片W的多個半導體器件的電特性檢查的檢查室102，由控制裝置控制加載室101和檢查室102內的各種設備進行半導體器件的電特性檢查。檢查室102包括:載置由搬送臂103從加載室101搬入的晶片W并將其在X、Y、Z和Θ方向上移動的載置臺106;配置在載置臺106的上方的彈性架(pogo frame) 109 ;和支承于彈性架109的探針卡108 ;與載置臺106協(xié)作使設置在探針卡108的多個探針(檢查針)與形成在晶片W的多個半導體器件的各電極的相對位置對準的對位機構110。通過對位機構110和載置臺106的協(xié)作使晶片W和探針卡108的相對位置對準后，探針卡108的各探針分別抵接到晶片W的各電極，進行形成在晶片W的多個半導體器件的電特性檢查(例如參照專利文獻I)。
[0005]現(xiàn)有技術文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開2004-140241號公報


【發(fā)明內容】

[0008]發(fā)明想要解決的技術問題
[0009]然而，現(xiàn)有的晶片檢查裝置的探針卡與晶片的抵接方法存在如下問題:在將載置有晶片W的載置臺(吸盤部件)移動至支承于晶片檢查裝置的晶片檢查用接口的探針卡位置后，使晶片W由升降裝置(升降器)按每個載置臺上升，由此使設置在晶片W的半導體器件的各電極與設置在探針卡的各探針抵接，在半導體器件的各電極與各探針的抵接部分的接觸電阻容易發(fā)生偏差，無法良好地檢查半導體器件的電特性。
[0010]本發(fā)明想要解決的技術問題在于提供一種能夠良好地進行設置在襯底的半導體器件的電特性檢查的襯底檢查裝置的將襯底與探針卡抵接的方法。
[0011]用于解決問題的技術方案
[0012]根據(jù)本發(fā)明，提供一種將襯底與探針卡抵接的方法，用于將上述襯底抵接到對形成在襯底的半導體器件的電特性進行檢查的襯底檢查裝置的探針卡，上述將襯底與探針卡抵接的方法的特征在于，包括:將上述襯底隔著板狀部件載置在吸盤部件上后搬送至與上述探針卡相對的位置的搬送步驟；使在上述搬送步驟中所搬送的上述襯底與上述板狀部件一起向上述探針卡移動，使設置在上述襯底的上述半導體器件的多個電極與設置在上述探針卡的多個探針抵接后，使上述襯底與上述板狀部件一起進一步向上述探針卡移動規(guī)定量的抵接步驟；在上述抵接步驟后，對上述探針卡與上述板狀部件之間的空間進行減壓，保持上述半導體器件的上述多個電極與上述探針卡的上述多個探針的抵接狀態(tài)的保持步驟；和在上述保持步驟后，將上述吸盤部件從上述板狀部件分離的脫離步驟。
[0013]在本發(fā)明中，優(yōu)選:上述抵接步驟中的上述規(guī)定量為10?150 μπι。
[0014]在本發(fā)明中，優(yōu)選:上述保持步驟中的上述空間的減壓壓力被調整成能夠獲得如下抵接力的壓力，該抵接力能夠克服上述襯底與上述板狀部件的自重和上述半導體器件的上述多個電極與上述探針卡的上述多個探針的抵接反作用力的合計值。
[0015]在本發(fā)明中，優(yōu)選:在上述保持步驟中，階段性地對上述空間的壓力進行減壓。
[0016]在本發(fā)明中，優(yōu)選:在上述板狀部件的周圍設置有用于將該板狀部件與上述探針卡之間的上述空間密封的密封部件。
[0017]在本發(fā)明中，優(yōu)選:上述脫離步驟后的吸盤部件移動至對應于與上述探針卡不同的探針卡的位置，用于進行形成在與上述襯底不同的襯底的半導體器件的電特性的檢查。
[0018]在本發(fā)明中，優(yōu)選:在上述保持步驟中，基于對上述吸盤部件的上表面與上述探針卡的安裝面或者上述吸盤部件的上述上表面與上述探針卡的下表面之間的距離進行檢測的距離檢測傳感器的檢測值，對上述空間內的壓力進行調整。
[0019]在本發(fā)明中，優(yōu)選:還包括:在上述脫離步驟后，對上述空間進一步減壓，使上述半導體器件的上述多個電極與上述探針卡的上述多個探針的抵接壓力提高的減壓步驟。
[0020]發(fā)明效果
[0021]根據(jù)本發(fā)明，利用吸盤部件將設置在襯底的半導體器件的多個電極分別抵接設置在探針卡的多個探針后，使襯底進一步向探針卡移動規(guī)定量，然后，對探針卡與板狀部件之間的空間進行減壓，保持電極與探針的抵接狀態(tài)，然后，使吸盤部件脫離，所以，襯底中與探針卡抵接的抵接面和由探針卡的探針的前端部形成的假想平面一致，由此能夠使設置在襯底的半導體器件的各電極與設置在探針卡的各探針在不產(chǎn)生接觸電阻的偏差的狀態(tài)下接觸，而且能夠良好地進行設置在襯底的半導體器件的電特性檢查。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是表示應用于本發(fā)明的實施方式的將襯底與探針卡抵接的方法的晶片檢查裝置的概略結構的平面圖。
[0023]圖2是圖1的晶片檢查裝置的沿I1-1I線的截面圖。
[0024]圖3是表示圖2的檢查部與搬送機構的關系的截面圖。
[0025]圖4是表示本發(fā)明的將襯底與探針卡抵接的方法的步驟的圖。
[0026]圖5是表示本發(fā)明的將襯底與探針卡抵接的方法的步驟的圖。
[0027]圖6是表示本發(fā)明的將襯底與探針卡抵接的方法的步驟的圖。
[0028]圖7是表示本發(fā)明的將襯底與探針卡抵接的方法的步驟的圖。
[0029]圖8是將本實施方式的將襯底與探針卡抵接的方法的抵接步驟后的半導體器件的電極和探針卡的抵接部的接觸電阻的偏差與過驅動(overdrive)量的關系跟僅利用驅動裝置進行同樣的抵接操作的情況相比較而表示的圖。
[0030]圖9是表示對探針卡和晶片板之間的空間減壓時的減壓方法的圖。
[0031]圖10是表示在吸盤部件設置有距離檢測傳感器的襯底檢查裝置的檢查部的截面圖。
[0032]圖11是表示現(xiàn)有的探針裝置的概略結構的截面圖。

【具體實施方式】
[0033]以下，參照附圖，詳細對本發(fā)明的實施方式進行說明。
[0034]圖1是表示應用于本發(fā)明的實施方式的將襯底與探針卡抵接的方法的晶片檢查裝置的概略結構的平面圖。圖2是圖1的晶片檢查裝置的沿I1-1I線的截面圖。圖3是表示圖2的檢查部與搬送機構的關系的截面圖。該晶片檢查裝置是一次性地將設置在晶片的所有半導體器件的所有電極與探針卡的所有探針抵接進行電特性檢查的統(tǒng)一接觸型的檢查裝置。
[0035]在圖1中，晶片檢查裝置50主要由進行設置在晶片的半導體器件的電特性檢查的檢查區(qū)域S30、向該晶片檢查裝置進行晶片、晶片板、探針卡等的搬出搬入的搬出搬入?yún)^(qū)域S10、和設置在該搬出搬入?yún)^(qū)域SlO與檢查區(qū)域S30之間的搬送區(qū)域S20構成。
[0036]搬出搬入?yún)^(qū)域SlO被分隔成多個單位搬出搬入?yún)^(qū)域11。在各單位搬出搬入?yún)^(qū)域11，例如設置有前開式晶片盒F的接受機構。另外，能夠與單位搬出搬入?yún)^(qū)域11的一部分相鄰地設置有臨時對位裝置(預對位器)或對檢查后的晶片進行針跡檢查的針跡檢查裝置(均省略圖示)。
[0037]在搬送區(qū)域S20設置有搬出搬入機構21，該搬出搬入機構21將從搬出搬入?yún)^(qū)域SlO的前開式晶片盒F接受的檢查前的晶片沿著搬送區(qū)域S20搬送并交接到載置在檢查區(qū)域S30的后述的搬送機構42的上部的吸盤部件22的例如晶片板37 (參照圖3)，并且從載置在檢查區(qū)域S30的上述吸盤部件22的晶片板37接受將檢查后的晶片并搬送至搬出搬入?yún)^(qū)域S10。
[0038]在檢查區(qū)域S30設置有多個檢查部31 (測試器)。相鄰的檢查部31彼此沒有特別劃分，而是在連續(xù)的空間分別排列有具有晶片檢查用接口的多個檢查部31。
[0039]在圖2中，晶片檢查裝置50的檢查區(qū)域S30分成多層，在圖2中分成三層，在各層例如設置有相同數(shù)量的檢查部31，分別設置有在該檢查部31彼此間移動的搬送機構42和省略圖示的對位裝置和對位用攝像機。
[0040]搬送機構42將由搬出搬入機構21搬送至檢查區(qū)域S30和搬送區(qū)域S20的邊界部的檢查前的晶片W交接到載置在該搬送機構42的上部的吸盤部件22的晶片板(板狀部件)37上，然后如圖3所示，搬送至在檢查部31彼此間移動的對位裝置24，進行載置在吸盤部件22上的晶片板37與晶片W的對位、以及晶片W與設置在對應的檢查部31的晶片檢查用接口 32的探針卡36的對位。接著，搬送機構42將與探針卡36對位后的晶片W搬送至晶片檢查用接口 32的正下方，然后升降裝置43將晶片W和晶片板37與吸盤部件22 —起向上移向探針卡36，由此使晶片W與探針卡36抵接。檢查部31進行與探針卡36抵接的晶片W上設置的多個半導體器件的電特性檢查。
[0041]在半導體器件的電特性檢查結束后，升降裝置43使檢查完成的晶片W和晶片板37與吸盤部件22—起下降至晶片檢查用接口 32的下方，然后搬送機構42將檢查完成的晶片W與晶片板37 —起搬送至檢查區(qū)域S30與搬送區(qū)域S20的邊界部，將檢查完成的晶片W交接到搬出搬入機構21。從搬送機構42接受了檢查完成的晶片W的搬出搬入機構21將檢查完成的晶片W例如交接到設置在搬出搬入?yún)^(qū)域SlO的一部分的針跡檢查裝置(省略圖示)，針跡檢查裝置進行檢查完成的晶片的各半導體器件的電極的針跡(探針的接觸痕跡)的檢查，然后搬出搬入機構21將檢查完成的晶片W搬入到搬出搬入機構SlO的前開式晶片盒F。
[0042]在這種情況下，通過搬出搬入機構21和搬送機構42的協(xié)作，將從第一前開式晶片盒F搬出的第一晶片W對位后、搬入到第一檢查部31，但是在第一檢查部31進行形成在第一晶片W的半導體器件的電特性檢查的期間，能夠將從第二前開式晶片盒F搬出的第二晶片W對位后搬入到第二檢查部31。此外，在第一檢查部31進行形成在第一晶片W的半導體器件的電特性檢查的期間，也能夠通過搬出搬入機構21和搬送機構42的協(xié)作，從第三檢查部將檢查后的第三晶片W搬出并搬入到第三前開式晶片盒F。即，搬出搬入機構21和搬送機構42通過協(xié)作在多個前開式晶片盒F和多個檢查部31間依次進行晶片W的交接和搬出搬入，多個檢查部31依次對多個晶片進行形成在該晶片W的半導體器件的電特性檢查。
[0043]以下，對利用這種結構的晶片檢查裝置的本發(fā)明的實施方式的將襯底與探針卡抵接的方法進行說明。
[0044]圖4?圖7是表示圖1的晶片檢查裝置的將襯底與探針卡抵接的方法的步驟的圖。
[0045]在圖4中，首先，使檢查部31返回到初始狀態(tài)(圖4A)。此處，檢查部31的初始狀態(tài)是指如下的狀態(tài):在具有頂板(head plate) 33和形成該頂板33的下部的彈性架34的晶片檢查用接口 32的彈性架34的下表面隔著接觸板35支承有探針卡36的檢查部31中，將用于載置晶片的晶片板37配置成與探針卡36的下表面相對，通過對由晶片板37、設置在該晶片板37的周圍的密封部件(O形環(huán))38和接觸板35圍成而成的空間S進行減壓，晶片板37相對于晶片檢查用接口 32被吸附、支承。
[0046]此時，空間S的壓力例如調整至2kPa?lOkPa。另外，在本說明書中，以下，上述空間S是指探針卡36與晶片板37之間的空間。O形環(huán)38從外部對探針卡36和晶片板37之間的空間S進行密封。
[0047]接著，搬送機構42移動至初始狀態(tài)的檢查部31的下方(圖4B)，使該搬送機構42的升降裝置43驅動，由此使搬送機構42的上部的吸盤部件22與晶片板37的下表面抵接(圖4C)，在此狀態(tài)下，解除空間S的減壓狀態(tài)。在空間S的減壓狀態(tài)被解除后，升降裝置43驅動，搬送機構42在將晶片板37載置在吸盤部件22上的狀態(tài)下下降(圖5A)。此時，晶片板37吸附固定在吸盤部件22。另外，在初始狀態(tài)下，晶片板37由省略圖示的防落下用的鉤狀的支承部件懸吊支承在晶片檢查用接口 32，搬送機構42將晶片板37載置在吸盤部件22上下降時，暫時將該晶片板37稍微提升后，在水平方向上移動，避開鉤狀的支承部件后，在沒有該鉤狀的支承部件的區(qū)域下降。
[0048]接著，搬送機構42將載置在吸盤部件22的晶片板37搬送至檢查區(qū)域S30與搬送區(qū)域S20的邊界部。此外，搬送區(qū)域S20的搬出搬入機構21從搬出搬入機構SlO的前開式晶片盒F接受檢查前的晶片W，將其搬送至搬送區(qū)域S20與檢查區(qū)域S30的邊界部，交接到載置在上述搬送機構42的上部的吸盤部件22的晶片板37。此時，晶片板37使用以能夠從該晶片板37的上表面伸出和退入的方式設置的支承銷25接受晶片W(圖5B)，將所接受的晶片W吸附固定在晶片板37 (圖5C)。
[0049]接著，接受了晶片W的搬送機構42移動至與具有晶片檢查用接口 32的檢查部31相鄰的對位裝置24，進行晶片W對晶片板37的對位(圖6A)。此時，晶片W對晶片板37的對位通過一邊用監(jiān)視攝像機進行監(jiān)視一邊使搬送機構42在X、Y、Z方向和Θ方向上移動而進行。
[0050]另外，對位裝置24設置成能夠在檢查區(qū)域S30內移動，進入到與對應的檢查部31相鄰的位置進行上述對位，然后移動至規(guī)定的待機位置或者移動至該除檢查部31之外的檢查部31。
[0051]接著，搬送機構42將隔著晶片板37載置在吸盤部件22的晶片W搬送至檢查部31的晶片檢查用接口 32的下方，此處，進行晶片板37和晶片W與探針卡36的對位(圖6Β)。
[0052]接著，搬送機構42在載置有與探針卡36進行對位后的晶片W的狀態(tài)下移動至晶片檢查用接口 32的正下方(圖6C)，驅動升降裝置43，使晶片W和晶片板37與吸盤部件22一起上升，使設置在晶片W的半導體器件的多個電極與設置在探針卡36的多個探針抵接，然后接著使晶片W上升規(guī)定量，使設置在該晶片W的半導體器件的多個電極與設置在探針卡36的多個探針各自更可靠地抵接(圖7Α)。
[0053]在這種情況下，使晶片W向探針卡36移動規(guī)定量(以下，將該移動稱作“過驅動”。)的移動量例如為10?150 ymo
[0054]接著，通過省略圖示的的減壓單元對探針卡36和晶片板37之間的空間S進行減壓，然后將吸盤部件22從晶片板37分離，使吸盤部件22下降(圖7Β)。此時，空間S的壓力調整至能夠獲得如下抵接力的壓力、例如0.2kPa?20kPa，該抵接力能夠克服晶片W和晶片板37的自重和與半導體器件的多個電極和探針卡36的多個探針的抵接力相對的反作用力的合計值。另外，空間S的最佳減壓壓力根據(jù)處理條件例如設置在探針卡36的探針數(shù)等而變化。
[0055]像這樣，使晶片W抵接支承于檢查部31的晶片檢查用接口 32的探針36后，檢查部31進行設置在晶片W的半導體器件的電特性檢查。
[0056]根據(jù)本實施方式，使隔著晶片板37載置在吸盤部件22的晶片W與探針卡36抵接后，進一步過驅動規(guī)定量，然后對探針卡36與晶片板37之間的空間S進行減壓，保持晶片W與探針卡36的抵接狀態(tài)，所以能夠使半導體器件的多個電極與探針卡36的多個探針可靠抵接而降低抵接部的接觸電阻，并且能夠減少各電極與探針的抵接部的接觸電阻的偏差，而且能夠提高半導體器件的電特性的檢查精度。
[0057]圖8是將本實施方式的將襯底與探針卡抵接的方法的抵接步驟后的半導體器件的電極和探針卡的抵接部的接觸電阻的偏差與過驅動量的關系跟僅利用驅動裝置進行同樣的抵接操作的情況相比較進行表示的圖。
[0058]在圖8中可知，并用升降裝置和真空裝置(保持步驟)的本實施方式與僅利用升降裝置進行同樣的操作的情況相比較，接觸電阻迅速減少且偏差小的狀態(tài)下穩(wěn)定。這是因為，在保持步驟后的脫離步驟中，吸盤部件22從晶片板37脫離，所以由晶片W和晶片板37構成的結構系統(tǒng)的剛性下降，由此晶片W與探針卡36的抵接面變形為與由探針卡36的探針的前端部形成的假想平面一致，因此例如在探針卡36的探針長度不恒定的情況下、或者在探針卡36與晶片W不平行的情況下，也能使探針的前端部與半導體器件的各電極良好接觸。
[0059]此外，根據(jù)本實施方式，在對空間S減壓之前，使設置在晶片W的半導體器件的電極與設置在探針卡36的探針在過驅動狀態(tài)下抵接，所以電極與探針的抵接位置不會偏移，由此能夠防止針位置偏移而導致的產(chǎn)品不良。與此相對，例如在使半導體器件的電極與探針卡的探針抵接前、對空間S減壓由此使電極與探針抵接的方法中，存在電極與探針的抵接力不足，電極與探針的抵接位置容易偏移，針跡變大而產(chǎn)生產(chǎn)品不良的危險。
[0060]此外，根據(jù)本實施方式，與各檢查部31對應地可移動地設置對位裝置24和對位用攝像機，所以在各檢查部31能夠實時進行晶片W與探針卡36的對位，并且對位裝置24和對位用攝像機不會妨礙搬送機構42的移動。
[0061]在本實施方式中，脫離步驟后的吸盤部件22由搬送機構42移動至對應于與探針卡36不同的探針卡的位置，用于形成在與晶片W不同的晶片的半導體器件的電特性的檢查。
[0062]在本實施方式中，搬出搬入機構21和搬送機構42不僅能夠用于晶片W的搬送，還能夠用于探針卡36和其他構成部件的搬送。
[0063]在本實施方式的保持步驟中，優(yōu)選階段性地降低空間S的壓力。由此，能夠防止空間S降壓過低，能夠防止針跡變大導致產(chǎn)品的質量下降。
[0064]圖9是表示對探針卡與晶片板之間的空間S減壓時的減壓方法的圖。
[0065]在圖9中，例如記載了這樣一種減壓方法:令減壓至保持步驟中的最終減壓狀態(tài)的減壓壓力為100%，例如以20%階段性地增加減壓量的空間S。由此，不會對晶片W的半導體器件的電極與探針卡36的探針的抵接部產(chǎn)生不良影響，能夠對空間S減壓。
[0066]在圖9中，將全部減壓時間設為l(sec)，將使減壓量變化的單位時間設為200 (msec)，但不限于此，能夠根據(jù)條件改變全部減壓時間和單位減壓時間。另外，有規(guī)則地且階段性地增大了減壓壓力，但也能夠不規(guī)則地階段性地增大。
[0067]本實施方式的將襯底與探針卡抵接的方法不僅能夠用于具有圖1所示的多個檢查部和在該多個檢查部彼此間或該多個檢查部與多個單位搬出搬入?yún)^(qū)域之間各自搬送襯底的襯底搬送機構的襯底檢查裝置，還能夠用于在一個檢查室內具有與一個晶片檢查用接口相對的一個吸盤部件(襯底搬送機構)的探針裝置。
[0068]在本實施方式中，能夠應用用于檢測吸盤部件22的上表面(吸盤頂部)22a至作為探針卡36的安裝面的接觸板35的下表面35a的距離或者吸盤頂部22a至探針卡36的下表面(由各探針的前端構成的假想面)的距離的距離檢測傳感器。
[0069]S卩，設置在晶片W的半導體器件的各電極與設置在探針卡36的各探針的抵接狀態(tài)通過在抵接步驟后的保持步驟中對探針卡36與晶片板37之間的空間S減壓而被保持，但保持步驟中的空間S內的壓力變動時，晶片板37的位置、以及與晶片板37的下表面抵接的吸盤部件22的上表面即吸盤頂部22a移位。當吸盤頂部22a移位時，載置于吸盤頭22a的晶片W的半導體器件的各電極與設置在探針卡36的各探針的抵接狀態(tài)即抵接部的過驅動量發(fā)生變動，無法保持穩(wěn)定的抵接狀態(tài)。
[0070]因此，能夠應用檢測從吸盤頂部22a至接觸板35的下表面35a的距離(LI)或從吸盤頂部22a至探針卡36的下表面的距離(L2)(下面簡稱為“吸盤頂部22的高度”。)的距離檢測傳感器，在保持步驟中，一邊反饋距離檢測傳感器的檢測數(shù)據(jù)一邊對空間S減壓，由此避免空間S內的壓力變動導致的吸盤頂部22的移位以及設置在晶片W的半導體器件的各電極與設置在探針卡36的各探針的抵接部的過驅動量的變動。
[0071]圖10是表示在吸盤部件22設置有距離檢測傳感器45的襯底檢測裝置的檢查部的截面圖。
[0072]在圖10中，在吸盤部件22的端部設置有檢測吸盤頂部22a的高度的距離檢測傳感器45。
[0073]在這種結構的檢查部中，使設置在晶片W的半導體器件的多個電極與設置在探針卡36的多個探針抵接后，進一步使晶片W僅上升規(guī)定量，使設置在該晶片W的半導體器件的多個電極與設置在探針卡36的多個探針各自以規(guī)定的過驅動量抵接的抵接步驟后的保持步驟中，一邊反饋由距離檢測傳感器45檢測出的關于吸盤頂部22a的高度的數(shù)據(jù)一邊對空間S內進行減壓。
[0074]此時，例如當襯底檢查裝置的氣氛溫度的變化、空間S的泄漏等導致空間S內的壓力變動時，吸盤頂部22a的高度移位，無法保持規(guī)定的過驅動量。因此，由距離檢測傳感器45檢測吸盤頂部22a的高度，一邊將關于該檢測出的吸盤頂部22a的高度的數(shù)據(jù)反饋給空間S的減壓單元，一邊對空間S進行減壓，由此避免吸盤頂部22a的移位和過驅動量的變動，保持良好的抵接狀態(tài)。由此，即使氣氛溫度的變動等導致空間S內的壓力變動，也能夠抑制該壓力變動，所以能夠良好地保持半導體器件的電極與探針卡36的探針的抵接部的規(guī)定的過驅動量，而且能夠進一步提高半導體器件的電特性的檢查精度。
[0075]在本實施方式中，也能夠在使晶片板37與吸盤部件22脫離的脫離步驟后，使空間S進一步減壓，從而進一步提高晶片W的半導體器件的多個電極與探針卡36的多個探針的抵接壓力。由此，還能夠使半導體器件的多個電極與探針卡的多個探針可靠地抵接，實現(xiàn)抵接部的接觸電阻的進一步的降低。
[0076]以上，利用上述實施方式對本發(fā)明進行了說明，但本發(fā)明不限于上述實施方式。
[0077]本申請主張基于2012年7月31日申請的日本專利申請第2012-169513號的優(yōu)先權，記載于該日本專利申請的全部內容援引于本申請。
[0078]附圖標記說明
[0079]W 晶片
[0080]S 空間
[0081]21搬出搬入機構
[0082]22吸盤部件
[0083]24對位裝置
[0084]31檢查部
[0085]32晶片檢查用接口
[0086]36探針卡
[0087]37晶片板
[0088]38 O 形環(huán)
[0089]42搬送機構
[0090]43升降裝置(升降器)
[0091]45距離檢測傳感器
[0092]50晶片檢查裝置
【權利要求】
1.一種將襯底與探針卡抵接的方法，用于將所述襯底抵接到對形成在襯底的半導體器件的電特性進行檢查的襯底檢查裝置的探針卡，所述將襯底與探針卡抵接的方法的特征在于，包括: 將所述襯底隔著板狀部件載置在吸盤部件上后搬送至與所述探針卡相對的位置的搬送步驟； 使在所述搬送步驟中所搬送的所述襯底與所述板狀部件一起向所述探針卡移動，使設置在所述襯底的所述半導體器件的多個電極與設置在所述探針卡的多個探針抵接后，使所述襯底與所述板狀部件一起進一步向所述探針卡移動規(guī)定量的抵接步驟； 在所述抵接步驟后，對所述探針卡與所述板狀部件之間的空間進行減壓，保持所述半導體器件的所述多個電極與所述探針卡的所述多個探針的抵接狀態(tài)的保持步驟；和 在所述保持步驟后，將所述吸盤部件從所述板狀部件分離的脫離步驟。
2.如權利要求1所述的將襯底與探針卡抵接的方法，其特征在于: 所述抵接步驟中的所述規(guī)定量為10?150 μπι。
3.如權利要求1所述的將襯底與探針卡抵接的方法，其特征在于: 所述保持步驟中的所述空間的減壓壓力被調整成能夠獲得如下抵接力的壓力，該抵接力能夠克服所述襯底與所述板狀部件的自重和所述半導體器件的所述多個電極與所述探針卡的所述多個探針的抵接反作用力的合計值。
4.如權利要求3所述的將襯底與探針卡抵接的方法，其特征在于: 在所述保持步驟中，階段性地對所述空間的壓力進行減壓。
5.如權利要求1所述的將襯底與探針卡抵接的方法，其特征在于: 在所述板狀部件的周圍設置有用于將該板狀部件與所述探針卡之間的所述空間密封的密封部件。
6.如權利要求1所述的將襯底與探針卡抵接的方法，其特征在于: 所述脫離步驟后的吸盤部件移動至對應于與所述探針卡不同的探針卡的位置，用于進行形成在與所述襯底不同的襯底的半導體器件的電特性的檢查。
7.如權利要求1所述的將襯底與探針卡抵接的方法，其特征在于: 在所述保持步驟中，基于對所述吸盤部件的上表面與所述探針卡的安裝面或者所述吸盤部件的所述上表面與所述探針卡的下表面之間的距離進行檢測的距離檢測傳感器的檢測值，對所述空間內的壓力進行調整。
8.如權利要求1所述的將襯底與探針卡抵接的方法，其特征在于，還包括: 在所述脫離步驟后，對所述空間進一步減壓，使所述半導體器件的所述多個電極與所述探針卡的所述多個探針的抵接壓力提高的減壓步驟。
【文檔編號】H01L21/66GK104508812SQ201380040633
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2013年7月18日 優(yōu)先權日:2012年7月31日
【發(fā)明者】古屋邦浩, 山田浩史, 百留孝憲, 望月純 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社