有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，其包括襯底、設置在所述襯底上的絕緣層、設置在所述絕緣層上的第一電極、設置在所述第一電極上的有機層、設置在所述有機層上的第二電極、設置在所述絕緣層上的輔助電極、以及設置為與所述輔助電極相鄰且連接至所述輔助電極和所述第二電極的金屬層。
【專利說明】有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]本申請要求于2013年I月3日向韓國專利局提交的第10-2013-0000641號韓國專利申請的優(yōu)先權，該韓國專利申請的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。
【技術領域】
[0002]本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，更具體地涉及包括與陰極電極連接的輔助電極的有機發(fā)光顯示裝置和制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法。
【背景技術】
[0003]有機發(fā)光顯示裝置可包括多個像素，并且每個像素可包括第一電極、第二電極和位于第一電極與第二電極之間的有機層。有機層能夠以與在第一電極和第二電極之間流動的電流對應的亮度水平發(fā)光。有機發(fā)光顯示裝置可通過控制在第一電極和第二電極之間流動的電流顯示期望的圖像。
[0004]第一電極可以是設置在每個像素中的分離電極，與每個像素顯示的灰度水平對應的信號可被發(fā)送至第一電極。第二電極可被置于多個像素上，并且多個像素中的每個可包括分離的第二電極，第二電極所共有的信號被送往該分離的第二電極。第一電極、第二電極和有機層可充當二極管。第一電極可充當陽極，第二電極可充當陰極。
[0005]如果有機發(fā)光顯示裝置為通過經(jīng)由第二電極發(fā)光來顯示圖像的正面發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置，則第二電極可由透明導電材料形成。例如，第二電極可由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、鎂(Mg)和銀(Ag)的化合物、鈣(Ca)和Ag的化合物、或鋰(Li)和鋁(Al)的化合物形成。形成第二電極的透明導電材料一般比單一的金屬具有更高的電阻率。因此，可在遠離第二電極被施加電壓的部分的位置處出現(xiàn)電壓降。結果，有機發(fā)光顯示裝置的顯示質(zhì)量可能劣化。為了防止第二電極的這種電壓降，有機發(fā)光顯示裝置還可包括與第二電極連接且由具有低電阻率的金屬形成的輔助電極。
[0006]由于正面發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置通過第二電極發(fā)光，所以需要增強第二電極的透光率。為此，第二電極可被形成為薄的。然而，薄的第二電極可不連接至輔助電極。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的各方面提供了改善第二電極與輔助電極的連接的有機發(fā)光顯示裝置和制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法。
[0008]本發(fā)明的各方面還提供了改善第二電極與輔助電極的連接以增強顯示質(zhì)量的有機發(fā)光顯示裝置和制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法。
[0009]然而，本發(fā)明的各方面不局限于本文所述的內(nèi)容。通過引入下面給出的本發(fā)明的詳細描述，對本發(fā)明所屬領域的普通技術人員而言本發(fā)明的上面和其它方面將變得更加顯而易見。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，它包括襯底、設置在所述襯底上的絕緣層、設置在所述絕緣層上的第一電極、設置在所述第一電極上的有機層、設置在所述有機層上的第二電極、設置在所述絕緣層上的輔助電極、以及設置為與所述輔助電極相鄰且與所述輔助電極和所述第二電極連接的金屬層。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括:在襯底上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成第一電極和輔助電極，所述輔助電極與所述第一電極分離；在所述第一電極上形成有機層，并且在所述有機層上形成第二電極；以及在所述第二電極和所述輔助電極上形成金屬層，所述金屬層連接至所述第二電極和所述輔助電極。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]通過參考附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式，本發(fā)明的上面和其它方面和特征將變得更加明顯，在附圖中:
[0013]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0014]圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的像素限定層、第一孔口、第二孔口和輔助電極的布置的平面視圖；
[0015]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的像素限定層、第一孔口、第二孔口和輔助電極的布置的平面視圖；以及
[0016]圖4至圖9是有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。
【具體實施方式】
[0017]通過參考下面對優(yōu)選實施方式和附圖的詳細描述，可更容易地理解本發(fā)明的優(yōu)點和特征以及其實現(xiàn)方法。然而，本發(fā)明可以許多不同的形式實現(xiàn)并且不應該被理解至受限于本文所述的實施方式。而這些實施方式被提供為使得本公開透徹和完整且將本發(fā)明的概念傳達給本領域技術人員，并且本發(fā)明僅由所附的權利要求限定。因此，在一些實施方式中，已知的結構和裝置未顯示以不用不必要的細節(jié)模糊本發(fā)明的描述。在全文中相似的標號指向相似的元件。在附圖中，為了清楚起見層和區(qū)域的厚度被夸大。
[0018]將理解，當一個元件或層被稱為“位于”另一元件或層“之上”或者“連接至”另一元件或層時，它可間接位于另一元件或層之上或連接至另一元件或層，或者可存在中間元件或層。相反，當一個元件被稱為“直接位于”另一元件或層“之上”或“直接連接至”另一元件或層時，不存在中間元件或層。如本文中所使用的，術語“和/或”包括列出的相關項中的一個或多個的任意或所有組合。
[0019]將理解，盡管術語第一、第二等可在本文中用于描述各種元件，但是這些元件不受這些術語限制。這些術語僅用于區(qū)分一個元件與另一元件。因此，例如，下面討論的第一元件、第一部件或第一部分可被稱為第二元件、第二部件或第二部分而不背離本發(fā)明的教導。
[0020]下面將參考附圖描述本發(fā)明的實施方式。
[0021]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示裝置I的剖視圖。
[0022]參考圖1，有機發(fā)光顯示裝置I包括襯底10、平坦化層50、第一電極E1、有機層70、第二電極E2、輔助電極E3和金屬層90。
[0023]襯底10可支撐有機發(fā)光顯示裝置I的其它部件。襯底10可由絕緣材料形成。例如，襯底10可由但不限于玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸脂(PC)、聚醚砜(PES)、聚酰亞胺(PI)、或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成。根據(jù)一些實施方式，襯底10還可由柔性材料形成。
[0024]平坦化層50可被設置在襯底10上。為了提高設置在平坦化層50上的有機層70的發(fā)光效率，平坦化層50可被形成為具有平坦的上表面而沒有臺階差。平坦化層50可由絕緣材料形成。例如，平坦化層50可由選自但不限于聚丙烯酸酯類樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹月旨、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚亞苯基醚樹脂、聚亞苯基硫化物樹脂和苯并環(huán)丁烯(BCB)中的一種或多種材料形成。
[0025]接觸孔可形成于平坦化層50內(nèi)。接觸孔H可被形成為使將在下面描述的薄膜晶體管T的漏電極D的上表面暴露。第一電極El和漏電極D可通過接觸孔H彼此連接。
[0026]第一電極El可被設置在平坦化層50上。第一電極El可通過接觸孔H連接至漏電極D。從漏電極D發(fā)送至第一電極El的信號可控制有機層70的光發(fā)射。
[0027]第一電極El可由反射導電材料形成。例如，第一電極El可被形成為具有但不限于Ag/氧化銦錫(IT0)、IT0/Ag/IT0、Mo/IT0、Al/IT0或Ti/ITO的結構。由反射導電材料形成的第一電極El可朝向上的方向反射由有機層70產(chǎn)生的光。
[0028]輔助電極E3可形成于平坦化層50上且與第一電極El分離。輔助電極E3可與第一電極El形成于同一層上。輔助電極E3和第一電極El可由相同的工序形成。輔助電極E3可由與第一電極El相同的材料形成。然而，本發(fā)明不限于此。
[0029]輔助電極E3的截面形狀可像上側大于下側的倒梯形。如果輔助電極E3形狀像倒梯形，則有機層70可被設置為使得它在與輔助電極E3相鄰的區(qū)域中被中斷。設置在有機層70下的輔助電極E3和設置在有機層70上的第二電極E2可通過有機層70被中斷的區(qū)域彼此電連接。輔助電極E3可由與形成第二電極E2的材料相比具有更低電阻率的材料形成，并且可電連接至第二電極E2。因此，輔助電極E3可減少被施加至第二電極E2的電壓的降低。
[0030]如果輔助電極E3形狀像倒梯形，則第二電極E2可被設置為使得它在與輔助電極E3相鄰的區(qū)域中被中斷。因此，第二電極E2和輔助電極E3可不彼此接觸。有機發(fā)光顯示裝置I包括設置在與輔助電極E3相鄰的區(qū)域中的金屬層90以改善第二電極E2和輔助電極E3的電連接。
[0031]有機層70可被設置在第一電極El上。有機層70可被設置在有機發(fā)光顯示裝置I的整個表面上。流過有機層70的電流可受發(fā)送至第一電極El和第二電極E2的信號的控制。有機層70可以與流過有機層70的電流對應的亮度水平發(fā)光。有機層70可發(fā)出紅、藍和綠色之一的光。根據(jù)一些實施方式,有機層70可發(fā)出白光。從有機層70發(fā)出的光的顏色不限于上面的顏色并且可根據(jù)實施方式改變。
[0032]第二電極E2可被設置在有機層70上。第二電極E2可被置于多個像素上。第二電極E2可被置于有機發(fā)光顯示裝置I的整個表面上。第二電極E2可由光透明或半透明的導電材料形成。例如，第二電極E2可由但不限于氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、鎂(Mg)和銀(Ag)的化合物、鈣(Ca)和Ag的化合物、或鋰(Li)和鋁(Al)的化合物形成。由有機層70產(chǎn)生的光可通過第二電極E2被發(fā)射到有機發(fā)光顯示裝置I外。為了提高第二電極E2的透光率，第二電極E2可被形成為薄的。例如，第二電極E2可被形成為200A或更小的厚度。[0033]形成第二電極E2的材料可比典型的金屬具有相對高的電阻率。此外，由于第二電極E2可被形成為薄的，被施加至第二電極E2的電壓可因第二電極E2的電阻率而降低。由此，第二電極E2可在每個像素中具有不同的電壓值。然而，有機發(fā)光顯示裝置I可通過包括電連接至第二電極E2且比第二電極E2具有更低電阻率的輔助電極E3而減少第二電極E2的電壓降。
[0034]金屬層90可被設置為與輔助電極E3相鄰。金屬層90可通過使第二電極E2經(jīng)由金屬層90接觸輔助電極E3而電連接第二電極E2和輔助電極E3。形狀像倒梯形的輔助電極E3和被形成為薄的第二電極E2可不容易接觸彼此。然而，被設置為與輔助電極E3相鄰的金屬層90改善輔助電極E3和第二電極E2的電連接，從而減少由于第二電極E2的電阻率而導致的電壓降。由此，可提高有機發(fā)光顯示裝置I的顯示質(zhì)量。金屬層90可由單一的金屬或兩種或更多種金屬的化合物形成。例如，金屬層90可由選自但不限于Mg、Al、Ag和Cu的一種或多種材料形成。金屬層90可在不使用掩膜的情況下被沉積在與輔助電極E3相鄰的區(qū)域中。這將在隨后更詳細地描述。
[0035]有機發(fā)光顯示裝置I還可包括緩沖層20、半導體層SM、柵電極G、源電極S、漏電極D、柵絕緣層30、層間絕緣膜40、配線W、像素限定層60和封蓋層80。
[0036]緩沖層20可形成于襯底10的上表面上。緩沖層20可防止雜質(zhì)元素的侵入并且使襯底10的上表面平坦化。緩沖層20可由可執(zhí)行上面功能的各種材料形成。例如，緩沖層20可由氮化娃(SiNx)層、氧化娃(SiO2)層和氮氧化娃(SiOxNy)層中的任一個形成。根據(jù)一些實施方式，緩沖層20也可被省略。
[0037]半導體層SM可被設置在緩沖層20上。半導體層SM可由非晶硅層或多晶硅層形成。半導體層SM可包括未摻雜有雜質(zhì)的溝道區(qū)以及設置在溝道區(qū)兩側的源區(qū)和漏區(qū)，源區(qū)和漏區(qū)進行P+摻雜以分別接觸源電極S和漏電極D。用于摻雜半導體層SM的雜質(zhì)可以是包括硼(B)的P型雜質(zhì)，例如B2H6。用于摻雜半導體層SM的雜質(zhì)類型可根據(jù)實施方式改變。根據(jù)一些實施方式，半導體層SM還可被氧化物半導體層代替。
[0038]柵絕緣層30可被設置在半導體層SM上。柵絕緣層30可使隨后形成的柵電極G與半導體層SM彼此絕緣。柵絕緣層30可由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)形成。
[0039]柵電極G可被設置在柵絕緣層30上。柵電極G可與半導體層SM的至少一個區(qū)域重疊。施加至柵電極G的電壓可控制半導體層SM以具有導電性或非導電性。例如，如果相對高的電壓被施加至柵電極G，則半導體層SM可具有導電性，由此使漏電極D和源電極S彼此電連接。如果相對低的電壓被施加至柵電極，則半導體層SM具有非導電性，由此使漏電極D和源電極S彼此絕緣。
[0040]層間絕緣膜40可被設置在柵電極G上。層間絕緣膜40可覆蓋柵電極G并且使柵電極G與源電極S和漏電極D絕緣。層間絕緣膜40可由SiNx或SiO2形成。
[0041]源電極S和漏電極D可被設置在層間絕緣膜40上。源電極S和漏電極D可分別通過穿透層間絕緣膜40和柵絕緣層30的通孔連接至半導體層SM。源電極S、漏電極D、柵電極G和半導體層SM可形成薄膜晶體管T，薄膜晶體管T可基于被施加至柵電極G的電壓確定是否提供被發(fā)送至源電極S、至漏電極D的信號。
[0042]配線W可以是聯(lián)接至源電極S的數(shù)據(jù)線或連接至柵電極G的柵極線。如果配線W是數(shù)據(jù)線，則它可與源電極S形成于同一層上。在圖1中，配線W與源電極S形成于同一層上。然而，如果配線W是柵極線，則它可與柵電極G形成于同一層上。配線W的類型和設置有配線W的層不限于上面的實施例并且可根據(jù)實施方式改變。配線W可被置于輔助電極E3下以與輔助電極E3重疊。然而，本發(fā)明不限于此。
[0043]像素限定層60可被設置在平坦化層50上。像素限定層60可限定包括在有機發(fā)光顯示裝置I中的像素的區(qū)域。像素限定層60可不完全覆蓋平坦化層50的上表面。有機發(fā)光顯不裝置I可包括第一孔口 01和第二孔口 02,第一孔口 01使第一電極El暴露且未設置有像素限定層60，第二孔口 02使輔助電極E3暴露且未設置有像素限定層60。第一孔口01可被限定成像素。輔助電極E3和金屬層90可被設置在第二孔口 02中。
[0044]現(xiàn)在參考圖2更詳細地描述像素限定層60、第一孔口 01、第二孔口 02和輔助電極E3的布置。圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的像素限定層60、第一孔口 01、第二孔口 02和輔助電極E3的布置。
[0045]參考圖2，像素限定層60可分別圍繞第一孔口 01設置。第一孔口 01可被布置成矩陣圖像。在圖2中，第一孔口 01和像素限定層60為矩形。然而，第一孔口 01和像素限定層60的形狀不限于矩形形狀并且可根據(jù)實施方式改變。第二孔口 02可被布置成格子圖案。置于第二孔口 02內(nèi)的輔助電極E3也可根據(jù)第二孔口 02的布置圖案被布置成格子圖案。
[0046]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的像素限定層60、第一孔口 01、第二孔口 02和輔助電極E3的布置。參考圖3，第二孔口 02可被布置成條形圖案。置于第二孔口02內(nèi)的輔助電極E3也可根據(jù)第二孔口 02的布置圖案被布置成條形圖案。
[0047]回去參考圖1，封蓋層80可被設置在第二電極E2上。封蓋層80可被設置在第一電極El上或第一孔口 01中。封蓋層80可控制從有機層70發(fā)出的光的光學特征。封蓋層80可不被設置在與輔助電極E3相鄰的區(qū)域中。例如，封蓋層80可不被設置在第二孔口 02中。封蓋層80可由有機材料形成。如果封蓋層80由有機材料形成，則它對金屬的粘附力可能較低。因此，在封蓋層80形成之后，金屬層90可在沒有掩膜的情況下形成。也就是說，由于封蓋層80對金屬的低粘附力，形成金屬層90的金屬可不被沉積在封蓋層80上而僅沉積在未形成有封蓋層80的第二孔口 02內(nèi)。因此，由于有機發(fā)光顯示裝置I包括未設置在第二孔口 02內(nèi)的封蓋層80，因此金屬層90可在不使用掩膜的情況下形成，由此簡化制造有機發(fā)光顯示裝置I的過程。
[0048]現(xiàn)在參考圖4至圖9描述制造有機發(fā)光顯示裝置I的方法。圖4至圖9是有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。
[0049]參考圖4，制造有機發(fā)光顯示裝置I的方法可包括在襯底10上形成薄膜晶體管T。在形成薄膜晶體管T之前，可在襯底10上形成緩沖層20，以及可在襯底10上形成半導體層SM。在形成半導體層SM之后，可形成柵絕緣層30以覆蓋半導體層SM。在形成柵絕緣層30之后，可形成柵電極G。在形成柵電極G之后，可形成柵絕緣層40以覆蓋柵電極G。在形成柵絕緣膜40之后，可形成兩個接觸孔以穿透層間絕緣膜40和柵絕緣層30?？稍趦蓚€接觸孔上形成源電極S和漏電極D使得源電極S和漏電極D通過接觸孔電連接至半導體層SM。如上所述形成的半導體層SM、柵絕緣層30、柵電極G、層間絕緣膜40、源電極S和漏電極D可在襯底10上形成薄膜晶體管T。在本文中，例如柵絕緣層30或層間絕緣層40的絕緣層可被稱為絕緣層。[0050]制造有機發(fā)光顯示裝置I的方法可包括形成配線W。如果配線W是數(shù)據(jù)線，則它可由與源電極S和漏電極D相同的工序形成。如果配線W是柵極線，它可由與柵電極G相同的工序形成并且可與柵電極G形成于同一層上。
[0051]制造有機發(fā)光顯示裝置I的方法還可包括形成平坦化層50。可在薄膜晶體管T上形成平坦化層50?？稍谄教够瘜?0內(nèi)形成接觸孔以使漏電極D暴露。
[0052]參考圖5，制造有機發(fā)光顯示裝置I的方法可包括形成第一電極El和輔助電極E3。第一電極El和輔助電極E3可由相同的工序形成?？稍谄教够瘜?0上形成第一電極El和輔助電極E3。第一電極El可形成于接觸孔H上以電連接至漏電極D。輔助電極E3形狀可像倒梯形。如果輔助電極E3形狀像倒梯形，則有機層70的圖案可在輔助電極E3的附近被中斷，由此建立輔助電極E3和第二電極E2可彼此連接的路徑。
[0053]參考圖6，制造有機發(fā)光顯示裝置I的方法可包括形成像素限定層60?？稍谄教够瘜?0上設置像素限定層60?？尚纬上袼叵薅▽?0以包括第一孔口 01和第二孔口 02，其中第一孔口 01使第一電極El暴露，第二孔口 E2與第一孔口 01分離且使輔助電極E3暴露。
[0054]參考圖7，制造有機發(fā)光顯示裝置I的方法可包括形成有機層70?？稍诘谝浑姌OE1、像素限定層60、平坦化層50和輔助電極E3上形成有機層70?？稍谟袡C發(fā)光顯示裝置I的整個表面上形成有機層70。有機層70的圖案可在與像素電極E3相鄰的區(qū)域中被中斷。
[0055]參考圖8，制造有機發(fā)光顯示裝置I的方法可包括形成第二電極E2。可在有機層70上形成第二電極E2?？稍谟袡C發(fā)光顯示裝置I的整個表面上形成第二電極E2。為了提高由有機層70產(chǎn)生的光的透射率，第二電極E2可被形成為薄的。例如，第二電極E2可被形成為200人或更少的厚度。
[0056]參考圖9，制造有機發(fā)光顯示裝置I的方法可包括形成封蓋層80。封蓋層80可由有機材料形成?？稍诘诙姌OE2上形成封蓋層80。可不在與輔助電極E3相鄰的區(qū)域中形成封蓋層80。例如，可不在第二孔口 02內(nèi)形成封蓋層80。
[0057]制造有機發(fā)光顯示裝置I的方法可包括形成金屬層90。通過形成金屬層90可完成圖1的有機發(fā)光顯示裝置I。可在與輔助電極E3相鄰的區(qū)域中形成金屬層90。例如，可在第二孔口 02內(nèi)形成金屬層90。由有機材料形成的封蓋層80對金屬具有低粘附力。因此，即使在不使用掩膜的情況下在有機發(fā)光顯示裝置I的整個表面上沉積金屬層90，它也可不在封蓋層80上形成而在未形成封蓋層80的區(qū)域中形成。
[0058]本發(fā)明的實施方式提供下面優(yōu)點中的至少一個。
[0059]可改善有機發(fā)光顯示裝置中第二電極與輔助電極的連接。
[0060]此外，可提高有機發(fā)光顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0061]然而，本發(fā)明的效果不局限于本文所述的效果。通過參考權利要求，對本發(fā)明所述領域的普通技術人員而言本發(fā)明的上面和其它效果將變得更加顯而易見。
【權利要求】
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括: 襯底； 絕緣層，設置在所述襯底上； 第一電極，設置在所述絕緣層上； 有機層，設置在所述第一電極上； 第二電極，設置在所述有機層上； 輔助電極，設置在所述絕緣層上；以及 金屬層，設置為與所述輔助電極相鄰且連接至所述輔助電極和所述第二電極。
2.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二電極是光學透明或半透明的。
3.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一電極反射由所述有機層產(chǎn)生的光。
4.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一電極和所述金屬層由不同的材料形成。
5.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述金屬層包括鎂。
6.如權利要求1所述的顯示裝置，還包括設置在所述第二電極上的封蓋層，所述封蓋層被設置為不與所述輔助電極相鄰。
7.如權利要求6所述的顯示裝置，其中所述封蓋層由有機材料形成。
8.如權利要求6所述的顯示裝置，其中所述金屬層被設置在未設置有所述封蓋層的區(qū)域中。
9.如權利要求1所述的顯示裝置，還包括: 像素限定層，設置在所述絕緣層上；以及 第一孔口和第二孔口，未設置有所述像素限定層，所述第一電極被設置在所述第一孔口內(nèi)，并且所述輔助電極和所述金屬層被設置在所述第二孔口內(nèi)。
10.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 在襯底上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成第一電極和輔助電極，所述輔助電極與所述第一電極分離； 在所述第一電極上形成有機層，在所述有機層上形成第二電極；以及在所述第二電極和所述輔助電極上形成金屬層，所述金屬層連接至所述第二電極和所述輔助電極。
11.如權利要求10所述的方法，還包括在所述第二電極上形成封蓋層，在包括所述輔助電極的區(qū)域中不形成所述封蓋層。
12.如權利要求11所述的方法，其中在形成所述封蓋層之后形成所述金屬層。
13.如權利要求12所述的方法，其中在不使用掩膜的情況下形成所述金屬層。
14.如權利要求12所述的方法，其中所述封蓋層由有機材料形成，所述金屬層由Mg形成。
15.如權利要求10所述的方法， 還包括在所述絕緣層上形成像素限定層以形成使所述第一電極暴露的第一孔口和使所述輔助電極暴露的第二孔口。
16.如權利要求15所述的方法，其中在形成所述像素限定層之后形成所述有機層和所述第二電極。
17.如權利要求16所述的方法，還包括在所述第二電極上形成封蓋層，其中，在所述第二孔口內(nèi)不形成所述封蓋層。
18.如權利要求17所述的方法，其中在所述第二孔口內(nèi)形成所述金屬層。
19.如權利要求10所述的方法，其中所述電極由光學透明或半透明材料形成。
20.如權利要求10所述的方法，其中在所述有機發(fā)光顯示裝置的整個表面上形成所述有機層和所述第 二電極。
【文檔編號】H01L51/56GK103915479SQ201410003293
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年1月3日 優(yōu)先權日:2013年1月3日
【發(fā)明者】金慶昊, 鄭鎮(zhèn)九 申請人:三星顯示有限公司