用于制作半導(dǎo)體芯片面板的方法
【專利摘要】用于制作半導(dǎo)體芯片面板的方法。該方法包括提供載體，提供多個(gè)半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片均包括第一主面和與第一主面相對(duì)的第二主面和連接第一和第二主面的側(cè)面，將半導(dǎo)體芯片放置在載體上，其中第二主面面向載體，并且將密封材料施加到半導(dǎo)體芯片的側(cè)面。
【專利說(shuō)明】用于制作半導(dǎo)體芯片面板的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于制作半導(dǎo)體芯片面板的方法并且涉及半導(dǎo)體芯片封裝。
【背景技術(shù)】
[0002]在功率電子設(shè)備中，非常經(jīng)常地使用具有垂直晶體管比如，例如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的半導(dǎo)體芯片，或者通常是其中至少一個(gè)電接觸焊盤(pán)被布置在半導(dǎo)體芯片的第一主面上并且至少一個(gè)其它電接觸焊盤(pán)被布置在與第一主面相對(duì)的第二主面上的晶體管。可以連接這些半導(dǎo)體芯片中的幾個(gè)芯片以形成功率模塊或功率系統(tǒng)。這樣的功率模塊中的一個(gè)示例是所謂的智能功率模塊(IPM)。
[0003]在半導(dǎo)體芯片封裝的制作過(guò)程中，單個(gè)半導(dǎo)體芯片或者包括幾個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片模塊可以被嵌入在模塑料(mold compound)中,模塑料可以包括任何種類的密封材料?？梢栽诰?jí)基礎(chǔ)上執(zhí)行該制作過(guò)程。在該制作過(guò)程期間，可能需要在一個(gè)半導(dǎo)體芯片模塊內(nèi)的不同半導(dǎo)體芯片之間制作電互連。如同在許多情況中那樣，半導(dǎo)體功率芯片包括在其兩個(gè)主表面上的接觸元件，其可能是有利的，如果半導(dǎo)體芯片可以容易地從兩側(cè)被接近(access)以制作電互連的話。一個(gè)另外的方面是用于功率半導(dǎo)體芯片的新的半導(dǎo)體材料(比如，例如SiC或GaN)的出現(xiàn)和開(kāi)發(fā)，其需要與在硅功率芯片中的條件不同的條件，t匕如，例如用于高效和快速開(kāi)關(guān)的較高溫度。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0004]附圖被包括用以提供對(duì)實(shí)施例的進(jìn)一步理解并且被并入和構(gòu)成該說(shuō)明書(shū)的一部分。這些圖示出實(shí)施例并且與描述一起用來(lái)解釋實(shí)施例的原理。將容易領(lǐng)會(huì)其它實(shí)施例和實(shí)施例的多個(gè)預(yù)期的優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)參考以下詳細(xì)描述它們變得更好理解。這些圖的元件不一定相對(duì)于彼此按比例。相似的參考數(shù)字表示相應(yīng)的相似部分。
[0005]圖1示出用于說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例制作半導(dǎo)體芯片面板的方法的流程圖。
[0006]圖2A-2D示出用于說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例制作半導(dǎo)體芯片面板的方法的示意截面?zhèn)纫晥D表示。
[0007]圖3A-3C示出用于說(shuō)明制作包括邊緣支撐結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片面板的方法的示意截面?zhèn)纫晥D表示。
[0008]圖4A-4E示出半導(dǎo)體芯片面板的示例的示意截面?zhèn)纫晥D表示。
[0009]圖5A-5C示出用于說(shuō)明通過(guò)另外使用引線框來(lái)制作半導(dǎo)體芯片面板的方法的示意截面?zhèn)纫晥D表示。
[0010]圖6示出通過(guò)另外使用引線框來(lái)制作半導(dǎo)體芯片面板的示例的示意截面?zhèn)纫晥D表不。
[0011]圖7示出根據(jù)示例的在進(jìn)一步處理之后的半導(dǎo)體芯片面板的示意截面?zhèn)纫晥D表
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[0012]圖8A-8C示出用于說(shuō)明制作其中密封材料與半導(dǎo)體芯片的主面的邊緣部分重疊的半導(dǎo)體芯片封裝和半導(dǎo)體芯片面板的方法的示例的示意截面?zhèn)纫晥D表示(A，B)和頂視圖表示(C)。
【具體實(shí)施方式】
[0013]現(xiàn)在參照各圖描述各方面和實(shí)施例，其中從頭到尾相似的參考數(shù)字通常用來(lái)指代相似的元件。在下面的描述中，為了解釋的目的，許多特定的細(xì)節(jié)被闡述以便提供對(duì)實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面的透徹理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以顯然的是實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面可以以更少程度的特定細(xì)節(jié)來(lái)被實(shí)施。在其它實(shí)例中，以示意的形式示出已知結(jié)構(gòu)和元件以便便于描述實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面。應(yīng)該理解在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以利用其它實(shí)施例并且可以作出結(jié)構(gòu)或邏輯變化。應(yīng)該進(jìn)一步注意到各圖不是按比例或者不必要按比例。
[0014]另外，雖然可以相對(duì)于幾個(gè)實(shí)施方式中的僅一個(gè)來(lái)公開(kāi)實(shí)施例的特定特征或方面，但是這樣的特征或方面可以與其它實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)其它特征或者方面組合，這可能對(duì)于任何給定的或特定的應(yīng)用是期望的和有利的。此外，就在詳細(xì)的描述或者權(quán)利要求中使用的術(shù)語(yǔ)“包括”，“具有”，“有”或者其其它變型來(lái)說(shuō)，這樣的術(shù)語(yǔ)以與術(shù)語(yǔ)“包含”相似的方式旨在是包括一切的(inclusive)?？梢允褂眯g(shù)語(yǔ)“耦合”和“連接”以及派生詞。應(yīng)該理解這些術(shù)語(yǔ)可以被用來(lái)表示兩個(gè)元件互相協(xié)作或互相作用，不管它們是直接物理或電接觸，還是它們不互相直接接觸。而且，術(shù)語(yǔ)“示例性的”僅意指作為示例，而不是最好的或最佳的。因此，下面詳細(xì)的描述不是在限制性意義上來(lái)進(jìn)行的，并且本發(fā)明的范圍被所附權(quán)利要求限定。
[0015]用于制作半導(dǎo)體芯片面板的方法和半導(dǎo)體芯片封裝的實(shí)施例可以使用各種類型的半導(dǎo)體芯片或者并入在半導(dǎo)體芯片中的半導(dǎo)體芯片模塊或電路，在它們之中有邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號(hào)集成電路、傳感器電路、MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))、功率集成電路、具有集成無(wú)源部件(passives)的芯片、二極管(比如續(xù)流二極管(flyback diode))等。實(shí)施例也可以使用半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括MOS晶體管結(jié)構(gòu)或垂直晶體管結(jié)構(gòu)，比如，例如IGBT (絕緣柵雙極晶體管)結(jié)構(gòu)，或者通常是其中至少一個(gè)電接觸焊盤(pán)被布置在半導(dǎo)體芯片的第一主面上并且至少一個(gè)其它電接觸焊盤(pán)被布置在與半導(dǎo)體芯片的第一主面相對(duì)的半導(dǎo)體芯片的第二主面上的晶體管或其它結(jié)構(gòu)或裝置。半導(dǎo)體芯片也可以包括光學(xué)裝置，比如，例如發(fā)光二極管、激光二極管、或者光接收器二極管。
[0016]半導(dǎo)體芯片可以包括在其外表面的一個(gè)或多個(gè)上的接觸元件或接觸焊盤(pán)，其中接觸元件用于電接觸半導(dǎo)體芯片。接觸元件可以具有任何所需的形式或形狀。它們可以例如具有接觸面(land)的形式，即在半導(dǎo)體芯片的外表面上的平坦的接觸層?？梢杂扇魏螌?dǎo)電材料(例如由金屬(諸如如鋁、金、或銅)或者金屬合金、或者導(dǎo)電有機(jī)材料、或者導(dǎo)電半導(dǎo)體材料)來(lái)制作接觸元件或接觸焊盤(pán)。接觸元件也可以被形成為上面提到的材料中的一個(gè)或多個(gè)的層堆疊。
[0017]半導(dǎo)體芯片面板可以包括使半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊嵌入在其中的密封劑或密封材料。密封材料可以是任何電絕緣材料，比如，例如任何種類的模制材料、任何種類的樹(shù)脂材料、或任何種類的環(huán)氧材料。密封材料也可以是聚合物材料、聚酰亞胺材料、熱塑性材料、硅酮材料、陶瓷材料、和玻璃材料。密封材料也可以包括上面提到的材料中的任何一個(gè)并且進(jìn)一步包括嵌入在其中的填充材料，比如，例如導(dǎo)熱增量。這些填充物增量可以例如由AlO或A1203、AIN、BN、或SiN制成。半導(dǎo)體芯片面板可以具有晶片的形式(即圓形形式)，但不局限于晶片的形式和形狀，而是可以具有半導(dǎo)體芯片或嵌入在其中的半導(dǎo)體芯片模塊的任何尺寸和形狀和任何適當(dāng)?shù)牟贾谩?br> [0018]在權(quán)利要求中并且在下面的描述中，尤其是在流程圖中，用于制作半導(dǎo)體芯片面板的方法的不同實(shí)施例被描述為特定順序的工藝或措施。應(yīng)該注意到實(shí)施例不應(yīng)局限于所描述的特定順序。也可以同時(shí)或以任何其它有用且適當(dāng)?shù)捻樞騺?lái)進(jìn)行不同工藝或措施中的特定的一些或全部。
[0019]半導(dǎo)體芯片面板可以包括單個(gè)半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊中的一個(gè)或多個(gè)。半導(dǎo)體芯片模塊可以包括兩個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體芯片，尤其是功率晶體管芯片，并且它們可以包括至少一個(gè)另外的半導(dǎo)體芯片，其可以包括邏輯電路或驅(qū)動(dòng)器電路中的一個(gè)或多個(gè)。特別地，半導(dǎo)體芯片模塊可以包括所謂的智能功率模塊(IPM)。半導(dǎo)體芯片面板也可以包括如上面所提到的任何其它種類的半導(dǎo)體芯片。
[0020]圖1示出用于說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例制作半導(dǎo)體芯片面板的方法的流程圖。圖1的方法100包括提供載體(110)，其可以包括任何種類的固體材料，比如，例如金屬、玻璃、陶瓷、半導(dǎo)體(Si)等。載體可以以一種方式被制備在其上部主面處，使得半導(dǎo)體芯片的臨時(shí)結(jié)合是可能的。例如，載體可以包括被施加到載體的主面的粘合劑層或粘合箔。該方法進(jìn)一步包括提供多個(gè)半導(dǎo)體芯片(120)，其中半導(dǎo)體芯片可以每個(gè)包括第一主面和與第一主面相對(duì)的第二主面和連接第一和第二主面的側(cè)面。該方法進(jìn)一步包括將半導(dǎo)體芯片放置在載體上，其中第二主面面向載體(130)，其中可以用其第二主面來(lái)將半導(dǎo)體芯片附著到位于載體上的粘合劑層或粘合箔。該方法進(jìn)一步包括將密封材料施加到半導(dǎo)體芯片(140)的側(cè)面，其中可以以如此的方式來(lái)施加密封材料使得僅半導(dǎo)體芯片的側(cè)面被覆蓋有密封材料并且采取適當(dāng)?shù)拇胧┮?guī)定使得密封材料將不被施加到半導(dǎo)體芯片的第一主面。
[0021]根據(jù)圖1的方法100的實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片的第一主面由所謂的離型膜覆蓋，其用于防止密封材料被施加到第一主面的目的。離型膜可以包括熱塑箔、聚合物膜或聚合物箔，尤其是包括聚四氟乙烯、PTFE、ETFE或PET。離型膜也可以以如此的方式被形成使得它允許在半導(dǎo)體芯片面板的邊緣處形成支撐結(jié)構(gòu)，其尤其是在形成由非常薄的半導(dǎo)體芯片所得到的非常薄的半導(dǎo)體芯片面板的情況下可能是有利的。將在后面以一些更多的細(xì)節(jié)示出其實(shí)施例。
[0022]根據(jù)圖1的方法100的實(shí)施例，施加密封材料包括模塑，尤其是傳遞模塑。密封材料可以包括絕緣材料、模制材料、聚合物材料、聚酰亞胺材料、樹(shù)脂材料、環(huán)氧樹(shù)脂材料、硅酮材料、陶瓷材料、和玻璃材料中的一個(gè)或多個(gè)。根據(jù)圖1的方法100的實(shí)施例，待制作的半導(dǎo)體芯片面板包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊。半導(dǎo)體芯片可以包括第一主面和與第一主面相對(duì)的第二主面，其中第一主面包括第一接觸元件并且第二主面包括第二接觸元件。半導(dǎo)體芯片的至少一部分可以包括晶體管、功率晶體管、垂直晶體管、MOS晶體管、絕緣柵雙極晶體管、邏輯電路、傳感器、和無(wú)源部件中的一個(gè)或多個(gè)。半導(dǎo)體芯片面板可以包括單個(gè)半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊中的一個(gè)或多個(gè)。半導(dǎo)體芯片模塊可以包括兩個(gè)或更多半導(dǎo)體芯片，尤其是功率半導(dǎo)體芯片，并且它們可以包括至少一個(gè)另外的半導(dǎo)體芯片，其可以包括邏輯電路或驅(qū)動(dòng)器電路中的一個(gè)或多個(gè)。特別地，半導(dǎo)體芯片模塊可以包括所謂的智能功率模塊(IPM)。
[0023]根據(jù)圖1的方法100的實(shí)施例，在未被研磨的半導(dǎo)體晶片的情況下，半導(dǎo)體芯片的厚度可以覆蓋從5 μ m至800 μ m或者甚至Imm的寬范圍。半導(dǎo)體芯片的至少一部分可以包括在從5 μ m-100 μ m的范圍中的厚度，尤其是從30 μ m-80 μ m。
[0024]根據(jù)圖1的方法100的實(shí)施例，待制作的半導(dǎo)體芯片面板包括多個(gè)相似的或者相同的半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片可以被放置在具有同一個(gè)空間取向的載體上，其意味著例如半導(dǎo)體芯片以如此方式被放置使得包括電接觸元件的有源表面位于遠(yuǎn)離載體的位置或者位于面向載體的位置。還可以以不同的空間取向?qū)雽?dǎo)體芯片放置在載體上，其中，例如第一組半導(dǎo)體芯片使它們的有源表面位于面向載體的位置并且第二組半導(dǎo)體芯片使它們的有源表面位于遠(yuǎn)離載體的位置，其中特別地半導(dǎo)體芯片可以沿著半導(dǎo)體芯片的行以交替的方式被放置。
[0025]根據(jù)圖1的方法100的實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片的至少一部分可以首先被放置在一個(gè)或多個(gè)插入機(jī)構(gòu)(interposer)(如，例如引線框)上并且其后插入機(jī)構(gòu)被安裝在載體上。
[0026]根據(jù)圖1的方法100的實(shí)施例，通孔可以被形成在密封材料中，尤其用于形成電直通連接的目的，用以將不同的半導(dǎo)體芯片互相電連接以便建立半導(dǎo)體芯片模塊。
[0027]圖2A-2D示出用以說(shuō)明制作半導(dǎo)體芯片面板的方法的示例的示意截面?zhèn)纫晥D表示。根據(jù)圖2A，提供載體200，其可以具有晶片的形狀，即圓形形狀，并且其可以包括任何固體材料，比如，例如金屬、陶瓷、玻璃、或硅酮。在載體200的上部主面上可以附著粘合劑層210，比如，例如雙面粘合箔或帶，其可以被選擇成使得其可以在模塑工藝結(jié)束時(shí)被容易地剝離載體200和被制作的半導(dǎo)體芯片面板。在粘合劑層210上可以例如利用拾取和放置工藝來(lái)附著多個(gè)半導(dǎo)體芯片220。半導(dǎo)體芯片220可以被放置成矩陣布置。半導(dǎo)體芯片220可以在前面的制作工藝中已經(jīng)被制作在半導(dǎo)體晶片上并且然后從半導(dǎo)體晶片中被切割以形成多個(gè)可單獨(dú)管理的芯片，然后其可以以相互間預(yù)定的空間距離被放置在粘合劑層210上。半導(dǎo)體芯片220可以由例如半導(dǎo)體功率芯片(尤其是具有垂直結(jié)構(gòu)的那些半導(dǎo)體功率芯片)構(gòu)成。半導(dǎo)體芯片220也可以包括如上概述的任何其它電裝置或機(jī)電裝置。半導(dǎo)體芯片220包括位于遠(yuǎn)離載體200的位置的第一上部主面和與第一主面相對(duì)并且位于面向載體200的位置的第二下部主面。半導(dǎo)體芯片220可以具有通常矩形形式使得它們包括連接第一和第二主面的四個(gè)側(cè)面。
[0028]圖2B示出其中包括載體200和被施加的半導(dǎo)體芯片220的組件可以被放置在模塑裝置內(nèi)(尤其是在傳遞模塑裝置中)的情形，此處為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)未示出其技術(shù)細(xì)節(jié)。在模塑裝置內(nèi)部可以提供離型膜230，其覆蓋半導(dǎo)體芯片220的上部第一主面。利用離型膜230以便防止密封材料被施加到半導(dǎo)體芯片220的上部第一表面。為此目的，可以利用壓型器(stamp) 240來(lái)將離型膜230向下按壓到半導(dǎo)體芯片220的上表面上。
[0029]如在圖2C中所示，這之后可以是通常的傳遞模塑工藝，其中密封或模塑材料首先通過(guò)熱和壓強(qiáng)被液化，并且然后被迫使進(jìn)入模塑裝置的封閉的和排空的模具腔中并且在另外的熱和壓強(qiáng)之下保持在那里直到所有密封材料250被凝固(即固化)為止。凝固的密封材料250由陰影區(qū)域表示。在模塑工藝中密封材料250僅流到半導(dǎo)體芯片220之間的中間空間中，而由于離型膜230的存在不在半導(dǎo)體芯片220的第一上表面上。在圖2C中還示出的是由傳遞模塑工藝得到的柱塞251。[0030]如在圖2D中所示，在打開(kāi)模塑裝置之后，密封的半導(dǎo)體芯片220以半導(dǎo)體芯片面板260的形式被卸載。在半導(dǎo)體芯片面板260中所有半導(dǎo)體芯片220僅在其四個(gè)側(cè)面處而不在其第一和第二主面處被密封材料250密封。因此該制作方法產(chǎn)生包括僅在側(cè)面處被密封材料250密封的雙暴露的半導(dǎo)體芯片220的半導(dǎo)體芯片面板260。
[0031]接下來(lái),可以在模腔(mold form)的一個(gè)末端處由膜卷供應(yīng)并且在模腔的相對(duì)端處被卷起的離型膜230，可以被傳送跨過(guò)模腔的一個(gè)長(zhǎng)度并且可以通過(guò)再次將具有半導(dǎo)體芯片220的載體200放置在模塑裝置的模塑腔內(nèi)部來(lái)開(kāi)始新的循環(huán)。
[0032]圖3A-3C示出其中非常薄的半導(dǎo)體芯片被密封的制作工藝的另一示例，其必然導(dǎo)致對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片的厚度的厚度的半導(dǎo)體芯片面板。該半導(dǎo)體芯片面板將因此需要穩(wěn)定結(jié)構(gòu)以便在模塑工藝之后允許或便于進(jìn)一步處理。
[0033]如在圖3A中所示，穩(wěn)定或者支撐結(jié)構(gòu)可以通過(guò)包括環(huán)狀突出物231.1的離型膜231來(lái)產(chǎn)生。再次如在圖2A-2D的實(shí)施例中，離型膜231的形式可以由從上面按壓在離型膜231上、向下到半導(dǎo)體芯片220的上表面的壓型器(這里未示出)來(lái)確定。然后根據(jù)圖3B來(lái)執(zhí)行傳遞模塑工藝。如在圖3C中所示，突出物231.1允許制作的半導(dǎo)體芯片面板261的穩(wěn)定環(huán)261.1的形成。
[0034]圖4A-4E示出半導(dǎo)體芯片面板的幾個(gè)示例的示意截面?zhèn)纫晥D表示，其可以通過(guò)上面描述的制作工藝來(lái)制作。半導(dǎo)體芯片可以具有有源表面，所述有源表面可以被定義為在其上電接觸元件的表面。從這個(gè)意義上來(lái)說(shuō)半導(dǎo)體芯片也可以具有兩個(gè)有源表面，如在垂直晶體管裝置芯片的情況下。
[0035]圖4A示出其中半導(dǎo)體芯片222被如此取向使得當(dāng)半導(dǎo)體芯片222被放置在載體上時(shí)有源表面定位遠(yuǎn)離載體的半導(dǎo)體芯片面板262的示例，而圖4B示出其中半導(dǎo)體芯片223被如此放置在載體上使得有源表面面向載體的半導(dǎo)體芯片面板263的示例。
[0036]圖4C示出其中半導(dǎo)體芯片224以不同的空間取向放置在載體上的半導(dǎo)體芯片面板的另一示例，即第一組半導(dǎo)體芯片使其有源表面面向載體并且第二組半導(dǎo)體芯片使其有源表面遠(yuǎn)離載體。
[0037]圖4D示出其中直通孔251被形成在密封材料250中的半導(dǎo)體芯片面板265的另一示例。這些直通孔251可以在模塑工藝之后通過(guò)例如打孔或激光作用來(lái)形成。如將在后面表明的，它們可以被用來(lái)在不同的半導(dǎo)體芯片之間形成電連接。
[0038]圖4E示出半導(dǎo)體芯片面板266的另一示例，其中直通孔253被形成在密封材料250中并且此外盲孔252被形成在密封材料250中，盲孔252從密封材料250的主表面延伸直到半導(dǎo)體芯片225中的特定的一個(gè)半導(dǎo)體芯片的有源表面為止。盲孔252也可以通過(guò)打孔或者激光作用來(lái)形成。
[0039]圖5A-5C示出用于說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例制作半導(dǎo)體芯片面板的方法的示意截面?zhèn)纫晥D表示。根據(jù)該實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片220中的至少一個(gè)可以被放置在插入機(jī)構(gòu)235上并且然后具有附著的半導(dǎo)體芯片220的插入機(jī)構(gòu)235可以被附著到位于載體200上的粘合劑層210上。插入機(jī)構(gòu)235中的每一個(gè)可以載送一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)、或者甚至更多個(gè)半導(dǎo)體芯片220。最后得到半導(dǎo)體芯片面板267，如在圖5C中所示。在該半導(dǎo)體芯片面板267中，半導(dǎo)體芯片220中的至少一個(gè)的上部主面被暴露，即沒(méi)有被密封材料250覆蓋，并且下部主面被附著到插入機(jī)構(gòu)235中的一個(gè)并且插入機(jī)構(gòu)235的下表面本身被暴露。原則上插入機(jī)構(gòu)235可以由任何種類的固體材料構(gòu)成。它們可以由一個(gè)或多個(gè)引線框構(gòu)成，使得例如在圖5A-5C中示出的插入機(jī)構(gòu)235由同一個(gè)連續(xù)引線框的各部分構(gòu)成。它們也可以由例如絕緣體、任何種類的塑料材料，如例如導(dǎo)熱塑料材料、陶瓷材料、或者DCB (直接銅結(jié)合)襯底構(gòu)成。
[0040]在如圖5A-5C中示出的實(shí)施例中，插入機(jī)構(gòu)235被提供在半導(dǎo)體芯片220的第二主面上。作為替代或者除此以外，還可以在半導(dǎo)體芯片220的第一、上部主面上提供一個(gè)或多個(gè)插入機(jī)構(gòu)，使得它們位于第一、上部主面和離型層231之間。而且在這種情況下，可以存在覆蓋多個(gè)或者全部半導(dǎo)體芯片220的僅一個(gè)連續(xù)插入機(jī)構(gòu)或者其可以是多于一個(gè)插入機(jī)構(gòu)，其每一個(gè)覆蓋一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片。
[0041]圖6示出用于說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例制作半導(dǎo)體芯片面板的方法的另外示例的示意截面?zhèn)纫晥D表示。關(guān)于圖5A-5C的實(shí)施例的差別在于密封材料255也覆蓋半導(dǎo)體芯片220的一部分的第一上表面并且盲孔252被形成在密封材料255中，從密封材料255的上表面向下到半導(dǎo)體芯片220的第一表面。盲孔252可以通過(guò)打孔或激光作用來(lái)形成。
[0042]如到目前為止描述的，用于制作半導(dǎo)體芯片面板的方法的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是其生產(chǎn)一種半導(dǎo)體芯片面板，其中半導(dǎo)體芯片在其兩個(gè)主表面上被暴露，或者一個(gè)表面被暴露并且另一表面被附著到被暴露的引線框(圖5C)，或者其中一個(gè)表面被通過(guò)密封材料的盲孔暴露并且另一表面被附著到被暴露的引線框(圖6)。在下面，示出半導(dǎo)體芯片面板的示例，其已經(jīng)通過(guò)如到目前為止描述的方法被處理并且其已經(jīng)通過(guò)施加電連接布線和介電層被進(jìn)一步處理。
[0043]圖7示出包括嵌入在密封材料750中的半導(dǎo)體芯片720的半導(dǎo)體芯片面板700的示例的示意截面?zhèn)纫晥D表示。利用電布線層751來(lái)將半導(dǎo)體芯片720互相電連接，并且另外介電層735被沉積在半導(dǎo)體芯片面板700的上和下表面的預(yù)定部分上。如在前面不例中所示的形成在密封材料750中的直通孔和盲孔被填充有導(dǎo)電材料并且可以因而被用來(lái)將不同的半導(dǎo)體芯片互相電連接。這可以以與其中使用例如如在圖6中示出的那些引線框的引線框的半導(dǎo)體芯片面板相似的方式來(lái)完成。
[0044]圖8A-8C示出用于制作半導(dǎo)體芯片面板和半導(dǎo)體芯片封裝的方法的另一示例。圖8A示出載體800、施加到載體800上的粘合劑層810和放置到粘合劑層810上的半導(dǎo)體芯片820的局部截面。在模塑裝置中離型層830以如此方式被布置在半導(dǎo)體芯片820的上部第一表面上，沒(méi)有被離型層830完全覆蓋并且相反離型層830在半導(dǎo)體芯片820的第一上表面上的邊緣的整個(gè)圓周上沿向外的方向在邊緣部分處被提升。離型層830的該形狀可以由加載彈簧的壓型器840提供，其在半導(dǎo)體芯片820中的每一個(gè)上向下按壓離型層830。結(jié)果，在下面的傳遞塑模工藝中，密封材料850將以如此方式被施加到半導(dǎo)體芯片820使得其覆蓋半導(dǎo)體芯片820的上部第一表面的圓周邊緣部分并且還覆蓋側(cè)邊緣，如在圖SB的截面表示和圖8C的頂視圖中可以看到的。
[0045]圖8A-8C的實(shí)施例的一個(gè)可能的應(yīng)用是傳感器封裝的制作，其中半導(dǎo)體芯片820由傳感器芯片構(gòu)成并且密封材料850的向上突出的部分可以例如被用來(lái)使膜片與其固定，所述膜片可以被保持在密封材料850的突出部分的內(nèi)壁之間并且因而位于半導(dǎo)體芯片820的第一上表面上。
[0046]圖8A-8C的實(shí)施例的一個(gè)另外的應(yīng)用是LED (發(fā)光二極管)封裝的制作，其中半導(dǎo)體芯片820由發(fā)光二極管構(gòu)成。密封材料850的向上突出部分可以例如被用來(lái)使光學(xué)透鏡與其固定，所述光學(xué)透鏡可以被保持在密封材料850的突出部分的內(nèi)壁之間并且所述光學(xué)透鏡用于使由發(fā)光二極管發(fā)射的光成束的目的。
[0047]圖8A-8C的實(shí)施例也可以被用于任何種類的半導(dǎo)體芯片，其將在其上部主面上被保護(hù)免受可能在制作工藝中使用的任何種類的材料的影響。在這個(gè)應(yīng)用中被密封材料覆蓋的邊緣部分用于保護(hù)或者屏蔽半導(dǎo)體面的上部主面的目的。
[0048]雖然已經(jīng)相對(duì)于一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式示出和描述了本發(fā)明，但是在不脫離所附權(quán)利要求的精神和范圍的情況下，可以作出對(duì)圖示示例的改變和/或修改。尤其關(guān)于由上面描述的部件或結(jié)構(gòu)(組件，器件，電路，系統(tǒng)等)所執(zhí)行的各種功能，除非另外表明，用來(lái)描述這種部件的術(shù)語(yǔ)(包括對(duì)“裝置”的引用)旨在對(duì)應(yīng)于執(zhí)行所描述部件的指定功能的任何部件或結(jié)構(gòu)(例如，其是功能上等同的)，即使結(jié)構(gòu)上不等同于執(zhí)行本發(fā)明于此示出的示例性實(shí)施方式中的功能的公開(kāi)結(jié)構(gòu)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制作半導(dǎo)體芯片面板的方法，所述方法包括: 提供載體； 提供多個(gè)半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片均包括第一主面和與所述第一主面相對(duì)的第二主面和連接所述第一和第二主面的側(cè)面； 將所述半導(dǎo)體芯片放置在所述載體上，其中所述第二主面面向所述載體；并且 將密封材料施加到所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法， 進(jìn)一步包括在施加所述密封材料之前覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的所述第一主面使得所述密封材料將不被施加到所述第一主面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述第一主面被聚合物膜或聚合物箔覆蓋。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中施加所述密封材料包括傳遞模塑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述半導(dǎo)體芯片中的至少一些包括功率晶體管、垂直晶體管、MOS晶體管、絕緣柵雙極晶體管、邏輯電路、傳感器、和無(wú)源部件中的一個(gè)或多個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述半導(dǎo)體芯片是相似的或相同的并且以相似或不同的空間取向被放置在所述載體上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述半導(dǎo)體芯片包括不同的電裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述半導(dǎo)體芯片中的至少一些包括在從5μπι-1000μπι的范圍中的厚度，尤其是從30 μ m-80 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中全部半導(dǎo)體芯片具有相等的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述半導(dǎo)體芯片包括不同的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述密封材料包括絕緣材料、模制材料、聚合物材料、聚酰亞胺材料、樹(shù)脂材料、環(huán)氧樹(shù)脂材料、硅酮材料、陶瓷材料、和玻璃材料中的一個(gè)或多個(gè)。
12.—種半導(dǎo)體芯片封裝，包括: 包含第一主面和與所述第一主面相對(duì)的第二主面和連接所述第一和第二主面的側(cè)面的半導(dǎo)體芯片；和 覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面的密封材料，其中所述密封材料不被施加在所述第一和第二主面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體芯片封裝，其中所述半導(dǎo)體芯片包括功率晶體管、垂直晶體管、MOS晶體管、絕緣柵雙極晶體管、邏輯電路、傳感器、續(xù)流二極管、和無(wú)源部件中的一個(gè)或多個(gè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體芯片封裝，其中所述半導(dǎo)體芯片包括在從30μ m-80 μ m的范圍中的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體芯片封裝，其中所述密封材料包括絕緣材料、模制材料、聚合物材料、聚酰亞胺材料、樹(shù)脂材料、環(huán)氧樹(shù)脂材料、硅材料、陶瓷材料、和玻璃材料中的一個(gè)或多個(gè)。
16.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體芯片封裝，其中所述密封材料覆蓋邊緣部分上的第一和/或第二主面。
17.一種半導(dǎo)體芯片封裝，包括: 包含兩個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片模塊，其中半導(dǎo)體芯片中的至少一個(gè)包括第一主面和與所述第一主面相對(duì)的第二主面和連接所述第一和第二主面的側(cè)面；以及 覆蓋所述至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的密封材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的半導(dǎo)體芯片封裝，其中所述密封材料不被施加在所述至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片的所述第一和第二主面上。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的半導(dǎo)體芯片封裝，其中所述至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片包括功率晶體管、垂直晶體管、MOS晶體管、絕緣柵雙極晶體管、邏輯電路、傳感器、和無(wú)源部件中的一個(gè)或多個(gè)。
20.根據(jù)權(quán)利要求17的半導(dǎo)體芯片封裝，進(jìn)一步包括從所述側(cè)面延伸并且突出到所述第一或第二主面中的一個(gè)的平面以外的所述密封材料的環(huán)狀部分。
【文檔編號(hào)】H01L21/50GK103928352SQ201410015654
【公開(kāi)日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年1月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月14日
【發(fā)明者】E.菲爾古特, D.波爾沃爾 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司