一種紫光led制備方法、紫光led和芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種紫光LED制備方法、紫光LED和芯片，方法包括：在藍寶石襯底上生長氮化鎵緩沖層；對氮化鎵緩沖層進行退火形成至少一個晶核島；以晶核島為基礎橫向生長氮化鎵層直至各晶核島相互連接，形成整體晶核島；在整體晶核島上生長非摻雜的氮化鎵層；在非摻雜的氮化鎵層上生長N型摻雜的氮化鎵摻雜層；在N型摻雜的氮化鎵摻雜層上按照第一周期數(shù)生長至少一個量子阱結構，其中，量子阱結構為在按照第二周期數(shù)生長的超晶格結構上生成一層量子阱層，超晶格結構作為量子阱結構中的壘層；在最后生成的量子阱結構的有源區(qū)上生長P型摻雜的氮化鎵摻雜層。能夠提高紫光LED載流子復合幾率、發(fā)光效率和抗靜電性能。
【專利說明】一種紫光LED制備方法、紫光LED和芯片
【技術領域】
[0001]本發(fā)明實施例涉及半導體發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode,LED)領域,尤其涉及一種紫光LED制備方法、紫光LED和芯片。
【背景技術】
[0002]LED具有發(fā)光效率高，壽命長，尺寸小，顏色豐富等特點而受到廣泛應用，尤其是短波長LED在環(huán)境保護，醫(yī)療器械，生物工程等領域的廣泛應用使其發(fā)展迅速。LED是利用電子和空穴在夾于N型摻雜區(qū)和P型摻雜區(qū)之間的有源區(qū)內進行輻射復合來發(fā)光的。為了增加電子與空穴復合幾率，提高亮度，傳統(tǒng)LED有源區(qū)采用量子阱結構，量子阱結構的原理是:利用不同帶隙的材料將電子或空穴限制在勢壘較低的阱層即發(fā)光層內，進行復合，從而增加了輻射復合的幾率，一般量子壘的勢壘高度越高，晶體質量越好，對載流子的限制能力越強，輻射復合的幾率也就越大。
[0003]但是傳統(tǒng)的藍光LED采用氮化鎵作為量子阱的壘層，銦鎵氮作為量子阱的阱層，但是短波長紫光LED由于阱層即發(fā)光層的材料特性決定，如果依然采用傳統(tǒng)LED結構中的氮化鎵作為壘層，則材料間的帶隙寬度偏小且勢壘高度較低，對載流子的限制能力減弱，使得亮度較低。另外，傳統(tǒng)的量子阱結構由于氮化鎵銦InGaN阱中In的偏析易產生位錯，位錯的產生對紫光LED的抗靜電能力造成極大的損壞，導致紫光LED抗靜電性能較差。因此，短波長的紫光LED存在載流子復合幾率偏低，發(fā)光效率差，抗靜電性差等問題。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明實施例提供一種紫光LED制備方法、紫光LED和芯片，能夠提高紫光LED載流子復合幾率、發(fā)光效率和抗靜電性能。
[0005]第一方面，本發(fā)明實施例提供一種紫光LED制備方法,包括:
[0006]在藍寶石襯底上生長氮化鎵緩沖層；
[0007]對所述氮化鎵緩沖層形進行退火形成至少一個晶核島；
[0008]以所述晶核島為基礎橫向生長氮化鎵層直至各所述晶核島相互連接，形成整體晶核島；
[0009]在所述整體晶核島上生長非摻雜的氮化鎵層；
[0010]在所述非摻雜的氮化鎵層上生長N型摻雜的氮化鎵摻雜層；
[0011]在所述N型摻雜的氮化鎵摻雜層上按照第一周期數(shù)生長至少一個量子阱結構，其中，所述量子阱結構為在按照第二周期數(shù)生長的超晶格結構上生成一層量子阱層，超晶格結構作為量子阱結構中的壘層；
[0012]在最后生成的所述量子阱結構的有源區(qū)上生長P型摻雜的氮化鎵摻雜層。
[0013]第二面，本發(fā)明實施例提供一種紫光LED，包括:紫光上述紫光LED制備方法制備的紫光LED。
[0014]第三面，本發(fā)明實施例提供一種芯片，包括:至少一個上述的紫光LED。[0015]本發(fā)明實施例提供的紫光LED制備方法、紫光LED和芯片，制備方法包括:在藍寶石襯底上生長氮化鎵緩沖層；對氮化鎵緩沖層形進行退火形成至少一個晶核島；以晶核島為基礎橫向生長氮化鎵層直至各晶核島相互連接，形成整體晶核島；在整體晶核島上生長非摻雜的氮化鎵層；在非摻雜的氮化鎵層上生長N型摻雜的氮化鎵摻雜層；在”型摻雜的氮化鎵摻雜層上按照第一周期數(shù)生長至少一個量子阱結構，其中，量子阱結構為在按照第二周期數(shù)生長的超晶格結構上生成一層量子阱層，超晶格結構作為量子阱結構中的壘層；在最后生成的量子阱結構的有源區(qū)上生長P型摻雜的氮化鎵摻雜層。這樣一來，紫光LED的壘層有超晶格結構構成，對載流子的限制能力增強，可以增強載流子復合幾率，使得亮度較高，且這種超晶格結構和量子阱構成的量子阱層結構可以有效的避免阱層的偏析產生的位錯，從而提高抗靜電性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1為本發(fā)明提供的紫光LED制備方法的流程圖；
[0018]圖2為本發(fā)明提供的紫光LED另一制備方法的流程圖；
[0019]圖3為本發(fā)明提供的紫光LED的結構示意圖；
[0020]圖4為本發(fā)明提供的芯片的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0021]為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0022]實施例一
[0023]圖1為本發(fā)明提供的紫光LED制備方法的流程圖，如圖1所示，該方法包括:
[0024]需要說明的是，該方法可以在生長設備中實施，可以是金屬有機化學氣相沉積設備(Metal-organic Chemical Vapor Deposition, M0CVD)、分子束外延設備(MolecularBeam Epitaxy, MBE)或氫化物氣相外延設備(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE)。
[0025]SlOl、反應室在藍寶石襯底上生長氮化鎵緩沖層。
[0026]舉例來說，反應室在溫度為530°C時，壓力為500torr時，同時通入三甲基鎵和NH3大致3.5分鐘，在藍寶石襯底上生長至少一個厚度為5nm-60nm氮化鎵GaN緩沖層，其中，三甲基鎵的通入量為150ml/min。優(yōu)選的，生長的氮化鎵緩沖層厚度為35nm。
[0027]S102、反應室對氮化鎵緩沖層形進行退火形成至少一個晶核島。
[0028]舉例來說，反應室將溫度升高至1080°C，維持壓力500torr，設定時間為8分鐘使緩沖層進行退火，形成至少一個晶核島，即晶核小島。
[0029]S103、反應室以晶核島為基礎橫向生長氮化鎵層直至各晶核島相互連接，形成整體晶核島。
[0030]S104、反應室在整體晶核島上生長非摻雜的氮化鎵層。
[0031]舉例來說，反應室維持溫度1080°C，壓力200torr，設定時間為48分鐘同時通入三甲基鎵和氨氣，生長一層厚度為1500nm的非摻雜氮化鎵GaN層，其中，三甲基鎵的通入量為300ml/min,氨氣的通入量為501/min。
[0032]S105、反應室在非摻雜的氮化鎵層上生長N型摻雜的氮化鎵摻雜層。
[0033]舉例來說，反應室將溫度下降至1070°C，壓力下降到200torr，設定時間為58分鐘，通入硅烷，生長一層3200nm的N型摻雜的氮化鎵摻雜層，摻雜濃度為5 X 1018cm3。
[0034]S106、反應室在N型摻雜的氮化鎵摻雜層上按照第一周期數(shù)生長至少一個量子阱結構，其中，量子阱結構為在按照第二周期數(shù)生長的超晶格結構上生成一層量子阱層，超晶格結構作為量子阱結構中的壘層。
[0035]進一步地，下述步驟I主要是生長超晶格結構，步驟2主要是按照第二周期生長超晶格結構，步驟3主要是生長量子阱結構，步驟4主要是按照第一周期生長量子阱結構。
[0036]步驟1、反應室將溫度降為950°C，壓力下降至300torr，設定時間為I分30秒，同時三甲基鋁、三甲基鎵和氨氣(251/min)，并摻入硅烷，生長厚度為lnm_3nm，優(yōu)選2nm，Al組分可以為1%_100%，優(yōu)選為20%，氮化鎵鋁AlGaN層中的N型摻雜濃度5X1016cm3-5 X 1017cm3優(yōu)選為5 X 1017cm3的AlGaN層，其中，三甲基鋁的通入量為IOml/min,三甲基鎵的通入量為40ml/min，氨氣的通入量為251/min，維持上述條件，將通入的三甲基鋁替換為通入的三甲基銦，三甲基銦的通入量為130ml/min，生長45秒生長厚度為lnm_3nm優(yōu)選厚度為Inm, N型慘雜濃度5 X 1016cm3?5 X 1017cm3優(yōu)選為5 X 1017cm3的氣化鎵銦InGaN層。
[0037]步驟2、按照第二周期數(shù)重復步驟I。如第二周期為3，則先在N型摻雜的氮化鎵摻雜層生長一個超晶格結構，再在該超晶格結構上生長一個超晶格結構，以此類推，得到第二周期數(shù)各超晶格結構，第二周期的取值范圍可以是2-20。
[0038]步驟3、反應室降溫至750°C -800°C，如800°C，降壓至200torr，設定時間為2.5分鐘，通入三乙基鎵、三甲基銦和氨氣，在最后一層生長的InGaN層上生長厚度為lnm_5nm，優(yōu)選為2.5nm的非摻雜的InGaN量子阱層，其中，三乙基鎵通入量為120ml/min、三甲基銦通入量260ml/min,氨氣通入量401/min,其In組分高于超晶格中InGaN層中In的組分。
[0039]步驟4、按照第一周期數(shù)依次重復步驟1、步驟2和步驟3。第一周期數(shù)的取值范圍為2-20，如第一周期為10，則順序重復步驟1、步驟2和步驟3共10個循環(huán)，形成10個周期的量子講結構。
[0040]需要說明的是，本實施例將傳統(tǒng)的量子阱結構做的壘層做超晶格結構，超晶格結構的使用可以阻擋位錯進入阱層，提高有源區(qū)的晶體質量。將AlGaN加入到壘層可使得量子阱中阱與壘的禁帶寬度加大，從而使得阱層對電子和空穴的限制能力大大加強，且由于電子在超晶格層中的橫向遷移能力提高，可以使電子更均勻的進入到量子阱中，提高了器件的抗靜電能力。
[0041]進一步地，由于超晶格中InGaN的使用，可以調節(jié)阱層與壘層由于材料不同所產生的應力,減小內建電場對于發(fā)光效率的影響,進而增加發(fā)光效率。
[0042]S107、反應室在最后生成的量子阱結構的有源區(qū)上生長P型摻雜的氮化鎵摻雜層。
[0043]舉例來說，反應室將溫度調整至980°C，壓力調整至200torr，時間設定為24分鐘，通入三甲基鎵、二茂鎂和氨氣，生長厚度為250nm，濃度為2X 1019cm3的P型摻雜層，其中，三甲基鎵通入量為190ml/min，二茂鎂通入量為360ml/min，氨氣通入量為601/min。
[0044]本發(fā)明實施例提供的紫光LED制備方法，制備方法包括:在藍寶石襯底上生長氮化鎵緩沖層；對氮化鎵緩沖層形進行退火形成至少一個晶核島；以晶核島為基礎橫向生長氮化鎵層直至各晶核島相互連接，形成整體晶核島；在整體晶核島上生長非摻雜的氮化鎵層；在非摻雜的氮化鎵層上生長N型摻雜的氮化鎵摻雜層；在N型摻雜的氮化鎵摻雜層上按照第一周期數(shù)生長至少一個量子阱結構，其中，量子阱結構為在按照第二周期數(shù)生長的超晶格結構上生成一層量子阱層，超晶格結構作為量子阱結構中的壘層；在最后生成的量子阱結構的有源區(qū)上生長P型摻雜的氮化鎵摻雜層。這樣一來，紫光LED的壘層有超晶格結構構成，對載流子的限制能力增強，可以增強載流子復合幾率，使得亮度較高，且這種超晶格結構和量子阱構成的量子阱層結構可以有效的避免阱層的偏析產生的位錯，從而提高抗靜電性能。
[0045]實施例二
[0046]圖2為本發(fā)明提供的紫光LED另一制備方法的流程圖，以MOCVD反應室如生長波長為390nm的紫光LED為例進行說明，如圖2所示，該方法包括:
[0047]S20UMOCVD反應室將溫度升至530°C，壓力設為為500torr，時間設定為3.5分鐘，并同時通入三甲基鎵和NH3，在藍寶石襯底上生長25nm的GaN緩沖層，其中，三甲基鎵的通入量為 150ml/min。
[0048]S202、M0CVD反應室將溫度升高至1080°C，壓力維持500torr，時間設定為8分鐘，使GaN緩沖層發(fā)生反應，形成晶核小島。
[0049]S203,MOCVD反應室將溫度維持在1080°C，壓力維持500torr，時間設定為48分鐘，并同時通入三甲基鎵和氨氣，在晶核小島上生長一層厚度為1500nm的非摻雜GaN層，其中，三甲基鎵的通入量為300ml/min，氨氣的通入量為150ml/min。
[0050]S204、M0CVD反應室將溫度下降至1070°C，壓力下降到200torr，時間設定為58分鐘，并通入硅烷在非摻雜GaN層生長一層厚度為3200nm、摻雜濃度為5X1018cm3的N型GaN層的。
[0051]S205、MOCVD反應室將反應室降溫至950°C，壓力上升降至300torr，時間設定為I分5秒，通入三甲基鋁、三甲基鎵和氨氣，并摻入硅烷，生長厚度為1.5nm，Al組分15%，摻雜濃度為3X 1017cm3的AlGaN層，其中，三甲基鋁的通入量為10ml/min、三甲基鎵的通入量為35ml/min,氨氣通入量為251/min。
[0052]S206,MOCVD反應室維持上述條件，時間設定為I分5秒將通入三甲基鋁替換為通入三甲基銦生長厚度為1.5nm、摻雜濃度為3X 1017cm3的InGaN層，其中，三甲基銦的通入量為 130ml/min。
[0053]S207、MOCVD反應室重復S205和S2063個循環(huán)，形成3個周期的超晶格結構。
[0054]S208,MOCVD反應室將溫度下降至800°C，壓力維持300torr，時間設定為45秒，通入三乙基鎵、三甲基銦和氨氣，生長厚度為1.5nm的InGaN量子阱層，其中，三乙基鎵的通入量為120ml/min，三甲基銦的通入量為300ml/min，氨氣的通入量為401/min。[0055]S209、MOCVD按順序重復S205-S208步10個循環(huán)，形成10個周期的量子阱結構。
[0056]S210, MOCVD將溫度上升至980°C，壓力下降為200torr，時間設定為24分鐘，通入三甲基鎵、二茂鎂和氨氣生長厚度為250nm、濃度為2X 1019cm3的P型摻雜層，其中，三甲基鎵的通入量為190ml/min，二茂鎂的通入量為360ml/min，和氨氣的通入量為601/min。
[0057]本發(fā)明實施例提供的紫光LED制備方法，制備方法包括:在藍寶石襯底上生長氮化鎵緩沖層；對氮化鎵緩沖層形進行退火形成至少一個晶核島；以晶核島為基礎橫向生長氮化鎵層直至各晶核島相互連接，形成整體晶核島；在整體晶核島上生長非摻雜的氮化鎵層；在非摻雜的氮化鎵層上生長N型摻雜的氮化鎵摻雜層；在N型摻雜的氮化鎵摻雜層上按照第一周期數(shù)生長至少一個量子阱結構，其中，量子阱結構為在按照第二周期數(shù)生長的超晶格結構上生成一層量子阱層，超晶格結構作為量子阱結構中的壘層；在最后生成的量子阱結構的有源區(qū)上生長P型摻雜的氮化鎵摻雜層。這樣一來，紫光LED的壘層有超晶格結構構成，對載流子的限制能力增強，可以增強載流子復合幾率，使得亮度較高，且這種超晶格結構和量子阱構成的量子阱層結構可以有效的避免阱層的偏析產生的位錯，從而提高抗靜電性能。
[0058]實施例三
[0059]圖3為本發(fā)明提供的紫光LED的結構示意圖，如圖3所示，該紫光LEDlO包括:
[0060]GaN緩沖層101、未摻雜的GaN覆蓋層102、N型摻雜層103、超晶格中的AlGaN層104、超晶格中的InGaN105、InGaN量子阱層106、P型電子阻擋層107和P型摻雜層108，且，圖3中的X為2-20，Y為2-20。
[0061]進一步地，超晶格中的AlGaN層104和超晶格中的InGaN105構成超晶格結構作為
量子阱結構中的量子壘層。
[0062]需要說明的是，紫光LEDlO可以根據(jù)上述實施例以及圖1和圖2所示的方法制備，結構如圖3所示。
[0063]本發(fā)明實施例提供的紫光LED，制備方法包括:在藍寶石襯底上生長氮化鎵緩沖層；對氮化鎵緩沖層形進行退火形成至少一個晶核島；以晶核島為基礎橫向生長氮化鎵層直至各晶核島相互連接，形成整體晶核島；在整體晶核島上生長非摻雜的氮化鎵層；在非摻雜的氮化鎵層上生長N型摻雜的氮化鎵摻雜層；在N型摻雜的氮化鎵摻雜層上按照第一周期數(shù)生長至少一個量子阱結構，其中，量子阱結構為在按照第二周期數(shù)生長的超晶格結構上生成一層量子阱層，超晶格結構作為量子阱結構中的壘層；在最后生成的量子阱結構的有源區(qū)上生長P型摻雜的氮化鎵摻雜層。這樣一來，紫光LED的壘層有超晶格結構構成，對載流子的限制能力增強，可以增強載流子復合幾率，使得亮度較高，且這種超晶格結構和量子阱構成的量子阱層結構可以有效的避免阱層的偏析產生的位錯，從而提高抗靜電性倉泛。
[0064]實施例四
[0065]再進一步地，圖4為本發(fā)明提供的芯片的結構示意圖，如圖4所示，芯片包括至少一個圖3提供的紫光LED10。
[0066]舉例來說，如果紫光LEDlO為根據(jù)實施例一舉例說明的方法制備的，則可以得到生長波長為400nm的紫光LED，該紫光LED可以用于制作成350 μ mX 350 μ m的芯片，在通入20mA電流，負載工作電壓3.12V時可以達到的發(fā)光亮度為31mW。[0067]如果紫光LEDlO為根據(jù)實施例二的方法制備的，則可以得到生長波長為390nm的紫光LED，該紫光LED可以用于制作成350 μ mX 350 μ m的芯片，在通入20mA電流，負載工作電壓3.17V時可以達到的發(fā)光亮度為30.5mW。
[0068]本發(fā)明實施例提供的芯片，包括的紫光LED制備方法包括:在藍寶石襯底上生長氮化鎵緩沖層；對氮化鎵緩沖層形進行退火形成至少一個晶核島；以晶核島為基礎橫向生長氮化鎵層直至各晶核島相互連接，形成整體晶核島；在整體晶核島上生長非摻雜的氮化鎵層；在非摻雜的氮化鎵層上生長N型摻雜的氮化鎵摻雜層；在N型摻雜的氮化鎵摻雜層上按照第一周期數(shù)生長至少一個量子阱結構，其中，量子阱結構為在按照第二周期數(shù)生長的超晶格結構上生成一層量子阱層，超晶格結構作為量子阱結構中的壘層；在最后生成的量子阱結構的有源區(qū)上生長P型摻雜的氮化鎵摻雜層。這樣一來，紫光LED的壘層有超晶格結構構成，對載流子的限制能力增強，可以增強載流子復合幾率，使得亮度較高，且這種超晶格結構和量子阱構成的量子阱層結構可以有效的避免阱層的偏析產生的位錯，從而提高抗靜電性能。
[0069]最后應說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。
【權利要求】
1.一種紫光LED制備方法，其特征在于，包括: 在藍寶石襯底上生長氮化鎵緩沖層； 對所述氮化鎵緩沖層形進行退火形成至少一個晶核島； 以所述晶核島為基礎橫向生長氮化鎵層直至各所述晶核島相互連接，形成整體晶核島; 在所述整體晶核島上生長非摻雜的氮化鎵層； 在所述非摻雜的氮化鎵層上生長N型摻雜的氮化鎵摻雜層； 在所述N型摻雜的氮化鎵摻雜層上按照第一周期數(shù)生長至少一個量子阱結構，其中，所述量子阱結構為在按照第二周期數(shù)生長的超晶格結構上生成一層量子阱層，超晶格結構作為量子阱結構中的壘層； 在最后生成的所述量子阱結構的有源區(qū)上生長P型摻雜的氮化鎵摻雜層。
2.根據(jù)權利要求1所述的LED制備方法，其特征在于，所述在藍寶石襯底上生長氮化鎵緩沖層包括: 反應室在溫度為530°C時同時通入三甲基鎵和氨氣，在藍寶石襯底上生長至少一個厚度為5nm-60nm氮化鎵緩沖層，其中反應室為金屬有機化學氣相沉積設備的反應室、分子束外延設備的反應室或氫化物氣相外延設備的反應室。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的LED制備方法，其特征在于，所述在所述N型摻雜的氮化鎵摻雜層上按照第一周期數(shù)生長至少一個量子阱結構，其中，所述量子阱結構為在按照第二周期數(shù)生長的超晶格結構上生成一層量子阱層包括: 步驟1、所述反應室降溫至950°C，通入三甲基鎵、三甲基鋁、氨氣和硅烷，在所述N型摻雜的氮化鎵摻雜層上生長氮化鎵鋁AlGaN層，再通入三甲基鎵、三甲基銦、氨氣和硅烷，在所述AlGaN層上生長氮化鎵銦InGaN層； 步驟2、按照第二周期數(shù)重復步驟I ; 步驟3、所述反應室降溫至750°C -800°C，通入三乙基鎵、三甲基銦和氨氣，在最后一層生長的InGaN層上生長所述非摻雜的InGaN量子講層； 步驟4、按照第一周期數(shù)依次重復步驟1、步驟2和步驟3。
4.根據(jù)權利要求3所述的LED制備方法，其特征在于， 所述AlGaN層的厚度為lnm-3nm，所述AlGaN層中Al的組分為1%_100%，所述AlGaN層中的N型摻雜濃度5X1016cm3-5X1017cm3。
5.根據(jù)權利要求3或4所述的LED制備方法，其特征在于， 所述InGaN層的厚度為lnm-3nm,所述InGaN層中In的組分為1%_30%，所述InGaN層中的N型摻雜濃度5X 1016cm3~5X 1017cm3。
6.根據(jù)權利要求3所述的LED制備方法，其特征在于， 所述量子阱層為非摻雜的InGaN層，所述非摻雜的InGaN層的厚度為lnm_5nm，In組分高于權利要求5所述InGaN層中In的組分。
7.根據(jù)權利要求1所述的LED制備方法，其特征在于， 所述第一周期數(shù)的取值范圍為2-20，所述第二周期數(shù)的取值范圍為2-20。
8.一種紫光LED，其特征在于，包括根據(jù)權利要求1~7任一項所述的紫光LED制備方法制備的紫光LED。
9.一種芯片， 其特征在于，包括至少一個權利要求8所述的紫光LED。
【文檔編號】H01L33/06GK103746053SQ201410016433
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2014年1月14日 優(yōu)先權日:2014年1月14日
【發(fā)明者】于浩, 鄭遠志, 周德保, 楊東, 陳向東, 康建, 梁旭東 申請人:圓融光電科技有限公司