層疊線圈及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供層疊線圈及其制造方法，上述層疊線圈能夠不減少線圈的卷數(shù)，而抑制該線圈導(dǎo)體的印刷時(shí)的滲出等引起的短路不良。疊線圈（10）具備多個(gè)包括規(guī)定的絕緣體層（22c、22e、22g）的絕緣體層（22a～22i）層疊而構(gòu)成的層疊體（20）；在規(guī)定的絕緣體層（22c、22e、22g）上旋回的線狀的線圈導(dǎo)體（40a～40c）；以及設(shè)置在規(guī)定的絕緣體層（22c、22e、22g）上并且被在線圈導(dǎo)體（40a～40c）相互最接近的第一部分以及第二部分夾著的插塞部（50a～50c）。第一部分在第一部分與插塞部（50a～50c）之間的界面位于比第一部分更靠近層疊方向上側(cè)。
【專利說(shuō)明】層疊線圈及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及層疊線圈及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為以往的層疊線圈，已知例如專利文獻(xiàn)I記載的層疊電子元件。圖28是專利文獻(xiàn)I記載的層疊電子元件500的分解立體圖。圖29是專利文獻(xiàn)I記載的層疊電子元件500的陶瓷生片501h以及線圈形成導(dǎo)體502g的俯視圖。以下，將陶瓷生片的層疊方向稱為z軸方向，將z軸方向的正向側(cè)的面稱為上面，將負(fù)向側(cè)的面稱為下面。此外，將陶瓷生片的長(zhǎng)邊方向設(shè)為X軸方向，將短邊方向設(shè)為y軸方向。此外，X軸、y軸以及z軸相互正交。
[0003]如圖28所示，層疊電子元件500由陶瓷生片501a~501 j、線圈形成導(dǎo)體502a~502h、通孔導(dǎo)體503a~503g以及端子電極(未圖示)構(gòu)成。此外，從z軸方向俯視時(shí)，陶瓷生片501a~501 j是呈長(zhǎng)方形的絕緣體層。此外，從z軸方向俯視時(shí)，線圈形成導(dǎo)體502a~502g是呈環(huán)狀的長(zhǎng)方形的一部分欠缺的形狀的線狀的導(dǎo)體層。此外，線圈形成導(dǎo)體502h是設(shè)置在陶瓷生片501i的上面的導(dǎo)體層。
[0004]在層疊電子元件500中，陶瓷生片501a~501i與線圈形成導(dǎo)體502a~502h以在陶瓷生片501i的上面有設(shè)置線圈形成導(dǎo)體502h、在線圈形成導(dǎo)體502h的上面設(shè)置有陶瓷生片501h的方式交替層疊。然而，陶瓷生片501i層疊在陶瓷生片501 j的上面。此外，線圈形成導(dǎo)體502a~502h由通孔導(dǎo)體503a~503g連接。此外，線圈形成導(dǎo)體502a、502h還與設(shè)置在層疊電子元件500的側(cè)面的端子電極連接。
[0005]然而，在層疊電子元件500中，為了防止因在印刷線圈形成導(dǎo)體502g時(shí)的滲出、印刷偏移引起的短路不良，如圖29所示那樣，增大作為線圈形成導(dǎo)體502g的端部的焊盤部504、505的間隔d500。具體而言，將焊盤部505從焊盤部504向x軸方向以及y軸方向的正向側(cè)離開。然而，線圈形成導(dǎo)體502g的長(zhǎng)度縮短了與增大焊盤部504、505的間隔相應(yīng)的量。同樣地，在線圈形成導(dǎo)體502a~502f中，也是由于增大焊盤部的間隔，所以線圈形成導(dǎo)體502a~502f的長(zhǎng)度分別變短。其結(jié)果為，在層疊電子元件500中，由線圈形成導(dǎo)體502a~502g構(gòu)成的線圈的卷數(shù)減少，難以獲得作為線圈所期望的特性。
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2001-176725號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供能夠不減少線圈的卷數(shù)就能夠抑制因該線圈導(dǎo)體的印刷時(shí)的滲出等引起的短路不良的層疊線圈及其制造方法。
[0008]本發(fā)明的一方式涉及的層疊線圈的特征在于，具備:層疊體，其由包含規(guī)定的絕緣體層的多個(gè)絕緣體層層疊而構(gòu)成；線狀的線圈導(dǎo)體，其在上述規(guī)定的絕緣體層上旋回；以及插塞部，其設(shè)置在上述規(guī)定的絕緣體層上，且被夾在上述線圈導(dǎo)體中相互最接近的第一部分與第二部分之間，上述第一部分在該第一部分與上述插塞部的交界面處位于比該插塞部更靠近層疊方向上側(cè)。[0009]本發(fā)明的一方式涉及的層疊線圈的制造方法是是具備層疊體、線狀的線圈導(dǎo)體以及插塞部的層疊線圈的制造方法，上述層疊體由包含規(guī)定的絕緣體層的多個(gè)絕緣體層層疊而構(gòu)成，上述線狀的線圈導(dǎo)體在該規(guī)定的絕緣體層上旋回，上述插塞部設(shè)置在該規(guī)定的絕緣體層上，且被夾在該線圈導(dǎo)體中相互最接近的第一部分與第二部分之間，上述層疊線圈的制造方法的特征在于，具備:形成上述規(guī)定的絕緣體層的步驟；在上述規(guī)定的絕緣體層上形成上述插塞部的步驟；以及在形成有上述插塞部的上述規(guī)定的絕緣體層上形成上述線圈導(dǎo)體的步驟。
[0010]根據(jù)本發(fā)明涉及的層疊線圈及其制造方法，不減少在一個(gè)絕緣體層上形成的線圈導(dǎo)體的長(zhǎng)度就能夠抑制因該線圈導(dǎo)體的印刷時(shí)的滲出等引起的短路不良。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1是本發(fā)明的一方式涉及的層疊線圈的外觀立體圖。
[0012]圖2是本發(fā)明的一方式涉及的層疊線圈的層疊體的分解立體圖。
[0013]圖3是從層疊方向俯視本發(fā)明的一方式涉及的層疊線圈的絕緣體層、線圈導(dǎo)體以及插塞部的圖。
[0014]圖4是圖3的A-A剖面處的剖視圖。
[0015]圖5是從層疊方向俯視本發(fā)明的一方式涉及的層疊線圈的絕緣體層、線圈導(dǎo)體以及插塞部的圖。
[0016]圖6是圖5的B-B剖面處的剖視圖。
[0017]圖7是從層疊方向俯視本發(fā)明的一方式涉及的層疊線圈的絕緣體層、線圈導(dǎo)體以及插塞部的圖。
[0018]圖8是圖7的C-C剖面處的剖視圖。
[0019]圖9是從層疊方向俯視制造中途的本發(fā)明涉及的層疊線圈的圖。
[0020]圖10是圖9的D-D剖面處的剖視圖。
[0021]圖11是從層疊方向俯視制造途中的本發(fā)明涉及的層疊線圈的圖。
[0022]圖12是圖11的E-E剖面處的剖視圖。
[0023]圖13是從層疊方向俯視制造中途的本發(fā)明涉及的層疊線圈的圖。
[0024]圖14是圖13的F-F剖面處的剖視圖。
[0025]圖15是從層疊方向俯視制造中途的本發(fā)明涉及的層疊線圈的圖。
[0026]圖16是圖15的G-G剖面處的剖視圖。
[0027] 圖17是從層疊方向俯視制造中途的本發(fā)明涉及的層疊線圈的圖。
[0028]圖18是圖17的H-H剖面處的剖視圖。
[0029]圖19是從層疊方向俯視制造中途的本發(fā)明涉及的層疊線圈的圖。
[0030]圖20是圖19的1-1剖面處的剖視圖。
[0031]圖21是從層疊方向俯視制造中途的本發(fā)明涉及的層疊線圈的圖。
[0032]圖22是圖21的J-J剖面處的剖視圖。
[0033]圖23是從層疊方向俯視制造中途的本發(fā)明涉及的層疊線圈的圖。
[0034]圖24是圖23的K-K剖面處的剖視圖。
[0035]圖25是從層疊方向俯視本發(fā)明的一方式涉及的層疊線圈的磁性體層(絕緣體層)的印刷圖案的圖。
[0036]圖26是表示將變形例涉及的層疊線圈的磁性體層(絕緣體層)的印刷圖案印刷在絕緣體層的上面后的狀態(tài)的圖。
[0037]圖27是圖26的L 一 L剖面處的剖視圖。
[0038]圖28是專利文獻(xiàn)I記載的層疊電子元件的分解立體圖。
[0039]圖29是專利文獻(xiàn)I記載的層疊電子元件的陶瓷生片以及線圈形成導(dǎo)體的俯視圖。
[0040]附圖符號(hào)說(shuō)明:10、10-1…層疊線圈;20…層疊體；22a~22i…絕緣體層；24a~24i…磁性體層；26a~26c…非磁性體層；40a~40c…線圈導(dǎo)體；50a~50c…插塞部。
【具體實(shí)施方式】
[0041 ] 以下，對(duì)本發(fā)明的一方式涉及的層疊線圈及其制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0042]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一方式涉及的層疊線圈10的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖1是本發(fā)明的一方式涉及的層疊線圈10的外觀立體圖。圖2是本發(fā)明的一方式涉及的層疊線圈10的層疊體20的分解立體圖。圖3、5、7是從層疊方向俯視本發(fā)明的一方式涉及的層疊線圈10的絕緣體層22b、22d、22f、線圈導(dǎo)體40a~40c以及插塞部50a~50c的圖。圖4是圖3的A-A剖面處的剖 視圖。圖6是圖5的B-B剖面處的剖視圖。圖8是圖7的C-C剖面處的剖視圖。以下，將層疊線圈10的層疊方向定義為z軸方向，將從z軸方向俯視時(shí)沿層疊線圈10的各邊的方向定義為X軸方向以及y軸方向。此外，X軸、y軸以及z軸相互正交。
[0043](層疊線圈的示意性結(jié)構(gòu))
[0044]層疊線圈10具備層疊體20、外部電極30a、30b、線圈導(dǎo)體40a~40c、通孔導(dǎo)體42a~42c以及插塞部50a~50c。此外，如圖1所示，層疊線圈10是立方體。
[0045](層疊體的結(jié)構(gòu))
[0046]如圖2所示，層疊體20通過(guò)從z軸方向的正向側(cè)起按絕緣體層22a~22i這樣的順序依次排列層疊而構(gòu)成。此外，從z軸方向俯視時(shí)，各絕緣體層22a~22i呈長(zhǎng)方形。因此，如圖1所示，由絕緣體層22a~22i層疊而構(gòu)成的層疊體20是立方體。此外，將各絕緣體層22a~22i的z軸方向的正向側(cè)的面稱為上面，將各絕緣體層22a~22i的z軸方向的負(fù)向側(cè)的面稱為下面。
[0047]如圖2所示，絕緣體層22a位于層疊體20的z軸方向的正向側(cè)的端部。此外，絕緣體層22a由磁性體層24a構(gòu)成。其中，磁性體層24a以及后述的磁性體層24b~24i的材料是鐵氧體等磁性體。
[0048]如圖2所示,絕緣體層22b位于絕緣體層22a的下面?zhèn)取４送?，絕緣體層22b由磁性體層24b構(gòu)成。而且，在構(gòu)成絕緣體層22b的外緣的X軸方向的正向側(cè)的邊與構(gòu)成絕緣體層22b的外緣的y軸方向的正向側(cè)的邊所成的角的附近設(shè)置有在z軸方向貫穿絕緣體層22b的矩形狀的貫穿孔60a。此外，后述的線圈導(dǎo)體40a位于絕緣體層22b的內(nèi)部。
[0049]如圖2所示,絕緣體層22c (規(guī)定的絕緣體層)位于絕緣體層22b的下表面?zhèn)取４送?，絕緣體層22c由磁性體層24c以及非磁性體層26a構(gòu)成。非磁性體層26a是與絕緣體層22c的外緣平行設(shè)置的帶狀的非磁性體層，從z軸方向俯視時(shí)，呈大致口字型的形狀。此外，從z軸方向俯視時(shí)，磁性體層24c被設(shè)置在非磁性體層26a的周圍以及非磁性體層26a的口字的內(nèi)部。此外，非磁性體層26a以及后述的非磁性體層26b~26c的材料是硼硅酸玻璃以及陶瓷填料等非磁性體。
[0050]如圖2所示,絕緣體層22d位于絕緣體層22c的下面?zhèn)?。此外，絕緣體層22d由磁性體層24d構(gòu)成。而且，在構(gòu)成絕緣體層22d的外緣的X軸方向的正向側(cè)的邊與構(gòu)成絕緣體層22d的外緣的y軸方向的正向側(cè)的邊所成的角的附近設(shè)置有在z軸方向貫穿絕緣體層22d的矩形狀的貫穿孔60b。此外，后述的線圈導(dǎo)體40b位于絕緣體層22d的內(nèi)部。
[0051]如圖2所示,絕緣體層22e (規(guī)定的絕緣體層)位于絕緣體層22d的下面?zhèn)?。此外，絕緣體層22e由磁性體層24e以及非磁性體層26b構(gòu)成。非磁性體層26b是與絕緣體層22e的外緣平行設(shè)置的帶狀的非磁性體層，從z軸方向俯視時(shí)，呈大致口字型的形狀。此外，從z軸方向俯視時(shí)，磁性體層24e設(shè)置在非磁性體層26b的周圍以及非磁性體層26b的口字的內(nèi)部。
[0052]如圖2所示,絕緣體層22f位于絕緣體層22e的下面?zhèn)取４送?，絕緣體層22f由磁性體層24f構(gòu)成。而且，在構(gòu)成絕緣體層22f的外緣的X軸方向的正向側(cè)的邊與構(gòu)成絕緣體層22f的外緣的y軸方向的正向側(cè)的邊所成的角的附近設(shè)置有在z軸方向貫穿絕緣體層22f的矩形狀的貫穿孔60c。此外，后述的線圈導(dǎo)體40c位于絕緣體層22f的內(nèi)部。
[0053]如圖2所示,絕緣體層22g (規(guī)定的絕緣體層)位于絕緣體層22f的下面?zhèn)?。此外，絕緣體層22g由磁性體層24g以及非磁性體層26c構(gòu)成。非磁性體層26c是與絕緣體層22g的外緣平行設(shè)置的帶狀的非磁性體層，從z軸方向俯視時(shí)，呈大致口字型的形狀。此外，從z軸方向俯視時(shí)，磁性體層24g設(shè)置在非磁性體層26c的周圍以及非磁性體層26c的口字的內(nèi)部。
[0054]如圖2所示,絕緣體層22h位于絕緣體層22g的下面?zhèn)?。此外，絕緣體層22h由磁性體層24h構(gòu)成。此外，后述的線圈導(dǎo)體40d設(shè)置在絕緣體層22h的內(nèi)部。
[0055]如圖2所示,絕緣體層22i位于絕緣體層22h的下面?zhèn)取４送?，絕緣體層22i位于層疊體20的z軸方向的負(fù)向側(cè)的端部。絕緣體層22i由磁性體層24i構(gòu)成。
[0056](外部電極的結(jié)構(gòu))
[0057]如圖1所示，外部電極30a被設(shè)置成覆蓋層疊體20的x軸方向的正向側(cè)的側(cè)面
SI。外部電極30b被設(shè)置成覆蓋層疊體20的X軸方向的負(fù)向側(cè)的側(cè)面S2。此外，外部電極30a、30b的材料是Ag、Pd、Cu、Ni等導(dǎo)電性材料。
[0058](線圈導(dǎo)體的結(jié)構(gòu))
[0059]如圖2所示，線圈導(dǎo)體40a被埋入絕緣體層22b內(nèi)，具有與絕緣體層22b相同的厚度。因此，線圈導(dǎo)體40a露出于絕緣體層22b的下面?zhèn)?。換言之，線圈導(dǎo)體40a設(shè)置在絕緣體層22c (規(guī)定的絕緣體層)的上面?zhèn)取４送?線圈導(dǎo)體40a分為線圈主體部41a和引出部43a。
[0060]線圈主體部41a是與絕緣體層22b的外緣平行設(shè)置的帶狀的導(dǎo)體層。由此，從z軸方向俯視時(shí)，線圈主體部41a呈大致口字型的形狀，并且旋回在絕緣體層22c的上面?zhèn)取Ｒ虼?，線圈主體部41a具有螺旋狀的線圈的大致I周量的長(zhǎng)度。然而，線圈主體部41a在貫穿孔60a所處的位置處斷開。即，線圈主體部41a的兩端部在貫穿孔60a所處的位置處最接近。
[0061]引出部43a連接線圈導(dǎo)體40a的一端(第一部分)與位于層疊體20的側(cè)面SI的外部電極30a。線圈導(dǎo)體40a的另一端(第二部分)與在z軸方向貫穿絕緣體層22c的通孔導(dǎo)體42a連接。綜上所述,從z軸方向的正向側(cè)觀察時(shí),線圈導(dǎo)體40a將外部電極30a到通孔導(dǎo)體42a順時(shí)針旋回地連接。此外，線圈導(dǎo)體40a、后述的線圈導(dǎo)體40b~40d、通孔導(dǎo)體42a以及后述的通孔導(dǎo)體42b~42c的材料分別是Ag、Pd、Cu、Ni等導(dǎo)電性材料。
[0062]如圖2所示，線圈導(dǎo)體40b被埋入絕緣體層22d內(nèi)，具有與絕緣體層22d相同的厚度。因此，線圈導(dǎo)體40b露出于絕緣體層22d的下面?zhèn)取Q言之，線圈導(dǎo)體40b設(shè)置在絕緣體層22e (規(guī)定的絕緣體層)的上面?zhèn)取４送?，線圈導(dǎo)體40b是與絕緣體層22d的外緣平行設(shè)置的帶狀的導(dǎo)體層。由此，從z軸方向俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體40b呈大致口字型的形狀，并且旋回在絕緣體層22e的上表面?zhèn)?。因此，線圈導(dǎo)體40b具有螺旋狀的線圈的大致I周量的長(zhǎng)度。然而，線圈導(dǎo)體40b在貫穿孔60b所處的位置處分開。即，線圈導(dǎo)體40b的兩端部在貫穿孔60b所處的位置處最接近。在此，線圈導(dǎo)體40b的一端(第一部分)與通孔導(dǎo)體42a連接。由此，線圈導(dǎo)體40b與線圈導(dǎo)體40a電連接。此外，線圈導(dǎo)體40a、40b夾著非磁性體層26a而對(duì)置。線圈導(dǎo)體40b的另一端(第二部分)與在z軸方向貫穿絕緣體層22e的通孔導(dǎo)體42b連接。綜上所述，從z軸方向的正向側(cè)觀察時(shí)，線圈導(dǎo)體40b將通孔導(dǎo)體42a到通孔導(dǎo)體42b按這樣的順時(shí)針旋回地連接。
[0063]如圖2所示，線圈導(dǎo)體40c被埋入絕緣體層22f內(nèi)，具有與絕緣體層22f相同的厚度。因此，線圈導(dǎo)體40c在絕緣體層22f的下面?zhèn)取Q言之，線圈導(dǎo)體40c設(shè)置在絕緣體層22g (規(guī)定的絕緣體層)的上面?zhèn)?。此外，線圈導(dǎo)體40c是與絕緣體層22f的外緣平行設(shè)置的帶狀的導(dǎo)體層。由此，從z軸方向俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體40c呈大致口字型的形狀，且旋回在絕緣體層22g的上面?zhèn)?。因此，線圈導(dǎo)體40c具有螺旋狀的線圈的大致I周量的長(zhǎng)度。然而，線圈導(dǎo)體40c在貫穿孔60c所處的位置處分開。即，線圈導(dǎo)體40c的兩端部在貫穿孔60c所處的位置處最接近。在此，線圈導(dǎo)體40c的一端(第一部分)與通孔導(dǎo)體42b連接。由此，線圈導(dǎo)體40c與線圈導(dǎo)體40b電連接。此外，線圈導(dǎo)體40b、40c夾著非磁性體層26b而對(duì)置。線圈導(dǎo)體40c的另一端(第二部分)與在z軸方向貫穿絕緣體層22g的通孔導(dǎo)體42c連接。綜上所述,從z軸方向的正向側(cè)觀察時(shí)，線圈導(dǎo)體40c將通孔導(dǎo)體42b到通孔導(dǎo)體42c按這樣的順時(shí)針旋回地連接。
[0064]如圖2所示，線圈導(dǎo)體40d被埋入絕緣體層22h內(nèi)，具有與絕緣體層22h相同的厚度。因此，線圈導(dǎo)體40d露出于絕緣體層22h的下面?zhèn)取Q言之，線圈導(dǎo)體40d設(shè)置在絕緣體層22i的上面?zhèn)?。此外，線圈導(dǎo)體40d是與構(gòu)成絕緣體層22h的外緣的X軸方向的正負(fù)兩方向側(cè)的邊以及y軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊平行設(shè)置的帶狀的導(dǎo)體層。然而，在線圈導(dǎo)體40d的與X軸方向的負(fù)向側(cè)平行的部分在I軸方向的中央附近被引出至層疊體20的側(cè)面
S2。因此，線圈導(dǎo)體40d的一端與外部電極30b連接。此外，線圈導(dǎo)體40d的另一端與通孔導(dǎo)體42c連接。由此，線圈導(dǎo)體40d與線圈導(dǎo)體40c電連接。此外，線圈導(dǎo)體40c、40d夾著非磁性體層26c而對(duì)置。
[0065](插塞部的結(jié)構(gòu))
[0066]如圖2所示，插塞部50a設(shè)置在絕緣體層22c的上面?zhèn)?。此外，從z軸方向觀察時(shí)，插塞部50a設(shè)置在與貫穿孔60a重疊的位置。由此，絕緣體層22b與絕緣體層22c被層疊時(shí),如圖3以及圖4所示那樣，插塞部50a被夾在線圈主體部41a的兩端部(第一部分以及第二部分)之間。此外，插塞部50a以及后述的插塞部50b、50c的材料是硼硅酸玻璃以及陶瓷填料等非磁性體。
[0067]如圖2所示，插塞部50b設(shè)置在絕緣體層22e的上面?zhèn)?。此外，從z軸方向觀察時(shí)，插塞部50b設(shè)置在與貫穿孔60b重疊的位置。由此，在絕緣體層22d與絕緣體層22e層疊時(shí)，如圖5以及圖6所不那樣,插塞部50b被夾在線圈導(dǎo)體40b的兩端部(第一部分以及第二部分)之間。
[0068]如圖2所示，插塞部50c設(shè)置在絕緣體層22g的上面?zhèn)?。此外，從z軸方向觀察時(shí)，插塞部50c設(shè)置在與貫穿孔60c重疊的位置。由此，在絕緣體層22f與絕緣體層22g層疊時(shí)，如圖7以及圖8所不那樣,插塞部50c被夾在線圈導(dǎo)體40c的兩端部(第一部分第二部分)之間。
[0069](層疊線圈的制造方法)
[0070]參照附圖，對(duì)層疊線圈10的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。此外，在圖9至圖24中，圖示出制成一個(gè)層疊線圈10的步驟，實(shí)際上同時(shí)制成作為層疊線圈10的集合體的母層疊體。圖
9、11、13、15、17、19、21、23是從Z軸方向的正向側(cè)俯視制造中途的層疊線圈10的圖。圖10是圖9的D-D剖面處的剖視圖。圖12是圖11的E-E剖面處的剖視圖。圖14是圖13的F-F剖面處的剖視圖。圖16是圖15的G-G剖面處的剖視圖。圖18是圖17的H-H剖面處的剖視圖。圖20是圖19的1-1剖面處的剖視圖。圖22是圖21的J-J剖面處的剖視圖。圖24是圖23的K-K剖面處的剖視圖。
[0071]首先，如圖9以及圖10所示那樣，利用印刷工藝將作為磁性體材料的鐵氧體粉末與粘合劑等有機(jī)成分混合而成的糊狀的磁性體糊涂敷在鋁基板(未圖示)等保持基板上，并經(jīng)干燥而形成絕緣體層22i。
[0072]接下來(lái)，如圖11以及圖12所示，利用印刷工藝將以Ag、Pd、Cu、Ni等為主成分的導(dǎo)電性糊涂敷在絕緣體層22i上，經(jīng)干燥形成線圈導(dǎo)體40d。而且，如圖13以及圖14所示那樣，利用印刷工藝將磁性體糊涂敷在絕緣體層22i上的未形成線圈導(dǎo)體40d的部分，經(jīng)干燥形成磁性體層24h (絕緣體層22h)。
[0073]接下來(lái)，如圖15以及圖16所示那樣，利用印刷工藝將由硼硅酸玻璃以及陶瓷填料構(gòu)成的非磁性體糊以覆蓋線圈導(dǎo)體40d的方式涂敷在絕緣體層22h以及線圈導(dǎo)體40d上，經(jīng)干燥形成非磁性體層26c。而且，如圖17以及圖18所示那樣，利用印刷工藝將磁性體糊涂敷在絕緣體層22h上的未形成非磁性體層26c的部分，經(jīng)干燥形成磁性體層24g。其結(jié)果為，形成絕緣體層22g。此外，在形成絕緣體層22g時(shí)，預(yù)先設(shè)置用于形成通孔導(dǎo)體42c的通孔。然后，在絕緣體層22g的形成后，利用印刷工藝將導(dǎo)電性糊填充到通孔，形成通孔導(dǎo)體42c。
[0074]接下來(lái)，如圖19以及圖20所示那樣，利用印刷工藝將非磁性體糊涂覆在非磁性體層26c的上面，經(jīng)干燥形成插塞部50c。涂敷非磁性體糊的位置是從z軸方向觀察，被夾在形成插塞部50c后形成的線圈導(dǎo)體40c的兩端(第一部分以及第二部分)之間的位置。
[0075] 接下來(lái)，如圖21以及圖22所示那樣，利用印刷工藝將導(dǎo)電性糊涂敷在絕緣體層22g的非磁性體層26c上，經(jīng)干燥形成線圈導(dǎo)體40c。此時(shí)，線圈導(dǎo)體40c的兩端(第一部分以及第二部分)被插塞部50c隔開。此外，在形成插塞部50c后涂敷導(dǎo)電性糊。因此，如圖8所示，線圈導(dǎo)體40c的與插塞部50c的交界面處位于比插塞部50c更靠近z軸方向的正向偵U。具體而言，與線圈導(dǎo)體40c相接的插塞部50c的側(cè)面(即，插塞部50c在y軸方向的兩側(cè)的側(cè)面)彎曲成朝向線圈導(dǎo)體40c (即，朝向y軸方向的兩側(cè))突出。于是，線圈導(dǎo)體40c從z軸方向的正向側(cè)將插塞部50c的側(cè)面覆蓋。
[0076]而且，如圖23以及圖24所示那樣，利用印刷工藝將磁性體糊涂敷在絕緣體層22g上的未形成線圈導(dǎo)體40c的部分，經(jīng)干燥形成磁性體層24f (絕緣體層22f)。
[0077]之后，反復(fù)進(jìn)行與絕緣體層22g、22f、線圈導(dǎo)體40c、通孔導(dǎo)體42c以及插塞部50c的形成步驟同樣的步驟。由此，形成絕緣體層22b~22e、線圈導(dǎo)體40a，40b、通孔導(dǎo)體42a、42b以及插塞部50a、50b。然后，通過(guò)利用印刷工藝將磁性體糊涂敷在絕緣體層22b上，形成磁性體層24a (絕緣體層22a)，從而完成未燒制的母層疊體。
[0078]接下來(lái)，利用切割刀將未燒制的母層疊體切割成規(guī)定尺寸的層疊體20。由此，得到多個(gè)未燒制的層疊體20。
[0079]接下來(lái)，對(duì)未燒制的層疊體20實(shí)施脫粘合劑處理以及燒制。脫粘合劑處理例如以在低氧環(huán)境氣中以400°C，2小 時(shí)的條件進(jìn)行。燒制例如以870°C~900°C，2.5小時(shí)的條件進(jìn)行。
[0080]通過(guò)以上的步驟，得到燒制而成的層疊體20。對(duì)層疊體20實(shí)施滾筒研磨處理來(lái)進(jìn)行倒角。然后，將由以Ag為主成分的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的電極糊涂敷在層疊體20的表面。然后，以約800°C的溫度，I小時(shí)的條件燒結(jié)所涂敷的電極糊。由此，形成要作為外部電極30a、30b的銀電極。
[0081]最后，通過(guò)在銀電極的表面實(shí)施鍍Ni/鍍Sn，形成外部電極30a、30b。經(jīng)過(guò)以上的步驟而完成圖1所示那樣的層疊線圈10。
[0082](效果)
[0083]根據(jù)層疊線圈10及其制造方法，如下所述，不減少線圈的卷數(shù)就能夠抑制因該線圈導(dǎo)體在印刷時(shí)的滲出等引起的短路不良。在層疊線圈10的制造步驟中，如圖19至圖22所示那樣，在形成線圈導(dǎo)體40c前形成插塞部50c。由此，在線圈導(dǎo)體40c中最接近的部分，換言之線圈導(dǎo)體40c的兩端部如圖8所示那樣，被插塞部50c隔開。其結(jié)果為，插塞部50c能夠防止因在印刷線圈導(dǎo)體40c時(shí)產(chǎn)生的滲出而導(dǎo)致的兩端部接觸。線圈導(dǎo)體40a、40b各自的兩端部的接觸均以與上述同樣的原理，防止插塞部50a、50b的兩端接觸。因此，根據(jù)層疊線圈10及其制造方法，能夠抑制因在線圈導(dǎo)體的印刷時(shí)的滲出等引起的短路不良。
[0084]此外，通過(guò)在形成插塞部50c后形成線圈導(dǎo)體40c，從而線圈導(dǎo)體40c如圖8所示那樣地，其與插塞部50c的交界面位于比插塞部50c更靠經(jīng)z軸方向的正向側(cè)。由此，層疊線圈10通過(guò)具有線圈導(dǎo)體40c在與插塞部50c的交界面處位于比插塞部50c更靠近z軸方向的正向側(cè)的結(jié)構(gòu)，能夠抑制因在線圈導(dǎo)體的印刷時(shí)的滲出等引起的短路不良。
[0085]此外，根據(jù)層疊線圈10，通過(guò)以下的理由能夠緩和因磁飽和引起的電感值的降低。一般地，在線圈導(dǎo)體彼此接近的部分，容易產(chǎn)生磁飽和。此外，在被線圈導(dǎo)體夾著的空間設(shè)置透磁率高的材料，換言之磁性體的情況下，也容易引起磁飽和。鑒于此，在層疊線圈10中，對(duì)于作為線圈導(dǎo)體40a~40c彼此最接近的部分的插塞部50a~50c，使用非磁性體材料。由此，能夠防止在各線圈導(dǎo)體40a~40c最接近的部分，即兩端部產(chǎn)生的磁飽和，能夠緩和電感值的降低。
[0086]而且，在層疊線圈10中，不僅在插塞部50a~50c，還在各線圈導(dǎo)體40a~40c間也設(shè)置非磁性體層26a~26c。由此，能夠防止在各線圈導(dǎo)體40a~40c間產(chǎn)生的磁飽和，并能夠緩和電感值的降低。
[0087](變形例)
[0088]以下，對(duì)變形例涉及的層疊線圈10-1進(jìn)行說(shuō)明。針對(duì)層疊線圈10-1的附圖，援用圖1至圖3。此外，圖25是從Z軸方向的正向側(cè)俯視層疊線圈10-1涉及的磁性體層24g的印刷圖案的圖。圖26是表示將層疊線圈10-1涉及的絕緣體層24g (磁性體層24g)的印刷圖案印刷在絕緣體層24g的上面后的狀態(tài)的圖。圖27是圖26的L-L剖面處的剖視圖。此外，針對(duì)層疊線圈10-1，對(duì)與層疊線圈10同樣的構(gòu)成賦予與層疊線圈10相同的附圖標(biāo)記。
[0089]層疊線圈10與層疊線圈10-1的不同點(diǎn)在于,插塞部50a~50c的材料。在層疊線圈10-1中，作為插塞部50a~50c的材料使用磁性體。由此，在層疊線圈10_1中，由于以下的理由能夠使其制造步驟簡(jiǎn)化。
[0090]在層疊線圈10-1中，變更磁性體層24g的印刷圖案的一部分，如圖25所示那樣，將其一部分印刷在非磁性體層26c的上面。具體而言，如圖26所示那樣，對(duì)在層疊線圈10中設(shè)置有插塞部50c的位置，在層疊線圈10-1中印刷磁性體層24g。此時(shí)，由于磁性體層24g的一部分被印刷在非磁性體層26c的上面，該一部分如圖27所示那樣，比磁性體層24的其他部分更向z軸方向的正向側(cè)伸出。由此，在非磁性體層26c的上面形成有由磁性體構(gòu)成的插塞部50c。因此，在層疊線圈10-1中，不是必須像層疊線圈10那樣地在形成磁性體層24g后再形成插塞部50c。此外，其他絕緣體層22c、22e的制造也可以是利用同樣的步驟進(jìn)行。綜上所述，在層疊線圈10-1中，能夠使形成插塞部50的制造步驟簡(jiǎn)化。 [0091](其它的實(shí)施方式)
[0092]本發(fā)明涉及的層疊線圈并不局限于層疊線圈10、10-1及其制造方法，能夠在不脫離其要旨的范圍內(nèi)變更。例如，在層疊線圈10中，在線圈導(dǎo)體40a~40c的兩端部間設(shè)置插塞部50a~50c，但也可以在線圈導(dǎo)體40a~4oc中接近的兩端部以外部分間設(shè)置插塞部50a~50c。此外,在線圈導(dǎo)體40a~40c中，也可以在兩端以外的部分相互最接近。該情況下，插塞部50a~50c只要夾在該兩端以外的部分即可。
[0093][工業(yè)上的可利用性]
[0094]綜上所述，本發(fā)明在層疊線圈及其制造方法上有用，在不減少線圈的卷數(shù)就能夠抑制因該線圈導(dǎo)體的印刷時(shí)的滲出等引起的短路不良這點(diǎn)上優(yōu)異。
【權(quán)利要求】
1.一種層疊線圈，其特征在于， 具備: 層疊體，其由包含規(guī)定的絕緣體層的多個(gè)絕緣體層層疊而構(gòu)成； 線狀的線圈導(dǎo)體，其在所述規(guī)定的絕緣體層上旋回；以及 插塞部，其設(shè)置在所述規(guī)定的絕緣體層上，且被夾在所述線圈導(dǎo)體中相互最接近的第一部分與第二部分之間， 所述第一部分在該第一部分與所述插塞部的交界面處位于比該插塞部更靠近層疊方向上側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊線圈，其特征在于， 所述多個(gè)絕緣體層的材料與所述插塞部的材料是相同的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊線圈，其特征在于， 在所述規(guī)定的絕緣體層中，與所述線圈導(dǎo)體接觸的部分以及與所述插塞部接觸的部分為非磁性體層， 在所述規(guī)定的絕緣體層中的剩余部分為磁性體。
4.根據(jù)權(quán)利要求 1至權(quán)利要求3中任意一項(xiàng)所述的層疊線圈，其特征在于， 所述插塞部為非磁性體。
5.一種層疊線圈的制造方法，是具備層疊體、線狀的線圈導(dǎo)體以及插塞部的層疊線圈的制造方法，所述層疊體由包含規(guī)定的絕緣體層的多個(gè)絕緣體層層疊而構(gòu)成，所述線狀的線圈導(dǎo)體在該規(guī)定的絕緣體層上旋回，所述插塞部設(shè)置在該規(guī)定的絕緣體層上，且被夾在該線圈導(dǎo)體中相互最接近的第一部分與第二部分之間， 所述層疊線圈的制造方法的特征在于，具備: 形成所述規(guī)定的絕緣體層的步驟； 在所述規(guī)定的絕緣體層上形成所述插塞部的步驟；以及 在形成有所述插塞部的所述規(guī)定的絕緣體層上形成所述線圈導(dǎo)體的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊線圈的制造方法，其特征在于， 所述多個(gè)絕緣體層的材料與所述插塞部的材料是相同的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊線圈的制造方法，其特征在于，包括: 形成所述規(guī)定的絕緣體層的步驟； 在所述規(guī)定的絕緣體層中，與所述線圈導(dǎo)體接觸的部分以及與所述插塞部接觸的部分設(shè)置非磁性體層的步驟；以及 在所述規(guī)定的絕緣體層中的剩余部分設(shè)置磁性體層的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至權(quán)利要求7中任意一項(xiàng)所述的層疊線圈的制造方法，其特征在于， 所述插塞部為非磁性體。
【文檔編號(hào)】H01F17/00GK104021913SQ201410042293
【公開日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年1月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月1日
【發(fā)明者】黑部淳司 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所