一種薄膜晶體管的制作方法及薄膜晶體管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種薄膜晶體管的制作方法及薄膜晶體管，采用該方法用以實(shí)現(xiàn)一種良品率較高的薄膜晶體管。所述薄膜晶體管的制作方法包括：包括在基板上形成柵極圖形和柵極絕緣層的過(guò)程，以及形成源極、漏極和有源層圖形的過(guò)程；所述形成源極、漏極和有源層圖形的過(guò)程具體為：在基板上依次形成覆蓋整個(gè)基板的半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層；分別在所述導(dǎo)電層上待形成源極的區(qū)域和待形成漏極的區(qū)域形成設(shè)定厚度的第一光刻膠層；至少在所述導(dǎo)電層上待形成源極和漏極之間的間隙形成第二光刻膠層；對(duì)形成有所述第一光刻膠層、第二光刻膠層、半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層的基板進(jìn)行刻蝕工藝形成有源層、源極和漏極的圖形。
【專利說(shuō)明】一種薄膜晶體管的制作方法及薄膜晶體管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制作【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管的制作方法及薄膜晶體管。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)作為開(kāi)關(guān)器件在顯示【技術(shù)領(lǐng)域】發(fā)揮著重要的作用。為制作出低成本高性能的TFT —直是人們追求的目標(biāo)。
[0003]—般地,薄膜晶體管至少包括柵極(Gate)、源極和漏極(Source和Drain,簡(jiǎn)稱源漏極SD)，以及溝道層(Channel，也稱有源層)等。近年來(lái)，為了簡(jiǎn)化工藝流程或減少掩模板的使用數(shù)量，會(huì)先沉積制作有源層圖形的半導(dǎo)體層和制作源極和漏極圖形的導(dǎo)電層，然后通過(guò)灰色調(diào)掩模板(gray tone mask,簡(jiǎn)稱GTM)或半色調(diào)掩模板(half tone mask,簡(jiǎn)稱HTM)技術(shù)形成不同厚度的光刻膠圖形，最后經(jīng)刻蝕工藝制作出有源層、源極和漏極圖形等。
[0004]以底柵型TFT為例說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)制作TFT的方法，主要包括以下步驟:
[0005](I)采用常規(guī)工藝在基板上制作柵極和柵極絕緣層；
[0006](2)在形成有所述柵極和柵極絕緣層的基板上依次沉積半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層；
[0007](3)通過(guò)灰色調(diào)掩模板或半色調(diào)掩模板在所述導(dǎo)電層上形成光刻膠圖形，所述灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板用以實(shí)現(xiàn)不同厚度的光刻膠層，使得導(dǎo)電層待形成源漏極的區(qū)域與源極和漏極之間的區(qū)域的光刻膠的厚度不等。
[0008](4)先后對(duì)所述導(dǎo)電層和半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕工藝，形成有源層、源極和漏極圖形。
[0009]近年來(lái)，隨著圖形線寬不斷減小的趨勢(shì)，源極和漏極之間的距離越來(lái)越小，一般在幾微米量級(jí)，源極和漏極很容易由于刻蝕不完全而短路(即形成GTBridge不良)。此外，有源層也會(huì)因?yàn)檫^(guò)度刻蝕而被損壞，造成有源層斷開(kāi)(即形成channel open不良)?，F(xiàn)有技術(shù)通過(guò)灰色調(diào)掩模板或半色調(diào)掩模板形成不同區(qū)域厚度不同的光刻膠層，由于涂膠均一性和曝光均一性的限制，不完全曝光區(qū)域(即溝道對(duì)應(yīng)的區(qū)域)對(duì)應(yīng)制作出來(lái)的光刻膠層的厚度均一性難以準(zhǔn)確控制，有些區(qū)域較薄有些區(qū)域較厚，而后續(xù)刻蝕是按照等厚度的條件進(jìn)行的，這就導(dǎo)致較厚區(qū)域的光刻膠刻蝕不完全，產(chǎn)生源漏極短路(GT Bridge)不良，較薄區(qū)域的光刻膠刻蝕過(guò)度造成TFT通電時(shí)溝道開(kāi)路(channel open)不良的問(wèn)題。嚴(yán)重影響TFT的工作性能，或造成TFT的不良，使得批量生產(chǎn)的TFT的良品率下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法，采用該方法用以實(shí)現(xiàn)一種良品率較高的薄膜晶體管。
[0011]所述薄膜晶體管的制作方法包括:在基板上形成柵極圖形和柵極絕緣層的過(guò)程，以及形成源極、漏極和有源層圖形的過(guò)程；
[0012]所述形成源極、漏極和有源層圖形的過(guò)程具體為:
[0013]在基板上依次形成覆蓋整個(gè)基板的半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層；[0014]分別在所述導(dǎo)電層上待形成源極的區(qū)域和待形成漏極的區(qū)域形成設(shè)定厚度的第一光刻膠層；
[0015]至少在所述導(dǎo)電層上待形成源極和漏極之間的間隙形成第二光刻膠層；
[0016]對(duì)形成有所述第一光刻膠層、第二光刻膠層、半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層的基板進(jìn)行刻蝕工藝形成有源層、源極和漏極的圖形。
[0017]較佳地，在形成所述第二光刻膠層的同時(shí)還包括，形成位于所述第一光刻膠層上方的第二光刻膠層。
[0018]較佳地，所述對(duì)形成有第一光刻膠層、第二光刻膠層、半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層的基板進(jìn)行刻蝕工藝形成有源層、源極和漏極的圖形，具體為:
[0019]對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕工藝，保留第一光刻膠層和第二光刻膠層覆蓋區(qū)域的導(dǎo)電層，露出第一光刻膠層和第二光刻膠層未覆蓋區(qū)域的半導(dǎo)體層；
[0020]對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕工藝，去除第一光刻膠層和第二光刻膠層未覆蓋區(qū)域的半導(dǎo)體層，第一光刻膠層和第二光刻膠層覆蓋區(qū)域的半導(dǎo)體層作為有源層圖形；
[0021]按照所述第二光刻膠的設(shè)定厚度對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行灰化處理，露出待形成的源極和漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層；
[0022]再次對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，去除待形成的源極和漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層，形成相互絕緣的源極漏極圖形。
[0023]較佳地，形成所述有源層、源極和漏極的圖形之后還包括:剝離所述源極和漏極上的第一光刻膠層。
[0024]較佳地，所述在基板上形成柵極圖形、柵極絕緣層的過(guò)程，具體為:
[0025]在形成所述源極、漏極和有源層圖形之前，在所述基板上形成柵極圖形以及位于所述柵極圖形上的柵極絕緣層；或者
[0026]在形成所述源極、漏極和有源層圖形之后在所述基板上形成柵極絕緣層，以及位于柵極絕緣層之上的柵極圖形。
[0027]較佳地,所述第一光刻膠層的厚度為1.5?2.5 μ m。
[0028]較佳地，所述第二光刻膠層為厚度均一的膜層；所述第二光刻膠層的厚度為
0.3 ?0.8 μ m。
[0029]較佳地，所述待形成的源極和漏極之間的距離為2.5?4.55 μ m。
[0030]較佳地，所述有源層由非晶硅、多晶硅或金屬氧化物半導(dǎo)體制作而成。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種薄膜晶體管，采用上述薄膜晶體管的制作方法制作而成。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法，通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝形成兩層光刻膠層，第一光刻膠層僅覆蓋待形成的源極和漏極對(duì)應(yīng)的區(qū)域，第二光刻膠層覆蓋待形成的源極和漏極之間的間隙區(qū)域。第二光刻膠層的厚度可以按照實(shí)際需求而制作，由于待形成的源極和漏極之間的間隙不存在第一光刻膠層，避免了通過(guò)灰色調(diào)掩模板或半色調(diào)掩模板形成位于源極和漏極上方的光刻膠和位于源極和漏極之間的間隙上的光刻膠時(shí)引起的源極和漏極之間的間隙上的光刻膠厚度不均一的問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT的制作方法，未采用灰色調(diào)掩模板或半色調(diào)掩模板，通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝形成兩層光刻膠層，源極和漏極之間的間隙上的光刻膠厚度均一，后續(xù)對(duì)第二層光刻膠層進(jìn)行去除時(shí)，按照等厚度的條件可以完全去除，因此不會(huì)造成過(guò)度去除或未完全去除的情況，形成的源極和漏極短路，通電時(shí)有源層的溝道開(kāi)路的問(wèn)題，提高TFT的良品率?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0033]圖1本發(fā)明實(shí)施例提供的制作TFT的總體流程示意圖；
[0034]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的包括有柵極和柵極絕緣層的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的包括用于形成有源層的半導(dǎo)體層和用于形成源
[0036]極和漏極的導(dǎo)電層的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的包括第一光刻膠層的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的包括第二光刻膠層的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成源極、漏極和有源層過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的包括有源層的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的去除第二光刻膠層的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的包括源極和漏極的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的去除第一光刻膠層的TFT結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制作方法及薄膜晶體管，通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝分別在用以形成源極、漏極和有源層圖形的膜層上制作兩層光刻膠層。第一層光刻膠層保證光刻膠僅覆蓋待形成的源極和漏極所在區(qū)域，露出待形成的源極和漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)的區(qū)域；第二層光刻膠保證光刻膠覆蓋待形成的源極和漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)的區(qū)域。源極和漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置的第二層光刻膠厚度均一。后續(xù)刻蝕按照等厚度的條件進(jìn)行時(shí)，由于第二層光刻膠厚度均一，不會(huì)產(chǎn)生源漏極短路(GT Bridge)不良，或者產(chǎn)生TFT通電時(shí)溝道開(kāi)路(channel open)不良的問(wèn)題，使得批量生產(chǎn)的TFT的良品率提高。
[0045]需要說(shuō)明的是，TFT的有源層位于源極和漏極的下方，源極和漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)的有源層的部分在TFT導(dǎo)通時(shí)為TFT的溝道區(qū)域，溝道的長(zhǎng)度約等于源極和漏極之間的間隙的寬度，溝道的寬度約等于源極和漏極之間的間隙的長(zhǎng)度。
[0046]以下將結(jié)合附圖具體說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法。
[0047]本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法，主要包括以下步驟:在基板上形成柵極圖形和柵極絕緣層的過(guò)程，以及形成源極、漏極和有源層圖形的過(guò)程。
[0048]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明提供的TFT中的有源層的材料不限，例如可以為非晶硅層、多晶硅層或金屬氧化物半導(dǎo)體層；所述TFT的結(jié)構(gòu)不限，可以為底柵型也可以為頂柵型。
[0049]以下將具體說(shuō)明本發(fā)明制作源極、漏極和有源層圖形的過(guò)程。
[0050]參見(jiàn)圖1，制作源極、漏極和有源層圖形的過(guò)程總體包括以下步驟:
[0051]S11、在基板上依次形成覆蓋整個(gè)基板的半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層；
[0052]S12、分別在所述導(dǎo)電層上待形成源極的區(qū)域和待形成漏極的區(qū)域形成設(shè)定厚度的第一光刻膠層；
[0053]S13、至少在所述導(dǎo)電層上待形成源極和漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成設(shè)定厚度的第二光刻膠層；
[0054]S14、對(duì)形成有所述第一光刻膠層、第二光刻膠層、半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層的基板進(jìn)行刻蝕工藝形成有源層、源極和漏極圖形。[0055]進(jìn)一步地，在形成所述第二光刻膠層的同時(shí)還包括，形成位于所述第一光刻膠層上方的第二光刻膠層。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例提到的構(gòu)圖工藝至少包括光刻膠涂覆或滴注、曝光、顯影、光刻刻蝕等步驟。
[0057]以下將以底柵型TFT為例，從工藝流程方面具體說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法。
[0058]步驟一:制作柵極和柵極絕緣層的過(guò)程。
[0059]參見(jiàn)圖2，在基板I上沉積一層導(dǎo)電層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵極2圖形；該步驟采用第一掩模板制作柵極圖形；制作柵極的過(guò)程與現(xiàn)有技術(shù)類似，柵極的材料不限。
[0060]參見(jiàn)圖2，在形成有柵極2的基板I上形成一層或多層絕緣層作為柵極絕緣層3。形成柵極絕緣層的方法不限，柵極絕緣層的材料不限。
[0061]需要說(shuō)明的是，制作柵極和柵極絕緣層的過(guò)程與現(xiàn)有技術(shù)類似。
[0062]針對(duì)底柵型TFT，在形成所述源極、漏極和有源層圖形之前，在所述基板上形成柵極圖形以及位于所述柵極圖形上的柵極絕緣層；
[0063]針對(duì)頂柵型TFT，在形成所述源極、漏極和有源層圖形之后在所述基板上形成柵極絕緣層，以及位于柵極絕緣層之上的柵極圖形。
[0064]步驟二:制作源極、漏極和有源層圖形的過(guò)程。
[0065]以下將結(jié)合步驟一的描述具體說(shuō)明圖1所示的制作源極、漏極和有源層圖形的具體過(guò)程。
[0066]上述步驟Sll在基板上依次形成覆蓋整個(gè)基板的半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層，具體為:
[0067]在上述步驟一形成有所述柵極和柵極絕緣層的基板上采用采用化學(xué)氣相沉積法或熱蒸鍍等方法沉積一層覆蓋整個(gè)基板的半導(dǎo)體層；該半導(dǎo)體層可以為非晶硅、多晶硅或金屬氧化物半導(dǎo)體等膜層；該半導(dǎo)體層用于制作有源層圖形；
[0068]在形成有所述半導(dǎo)體層的基板上采用采用化學(xué)氣相沉積法或熱蒸鍍等方法沉積一層覆蓋整個(gè)基板的導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層用于制作源極和漏極圖形；
[0069]如圖3所示，TFT包括位于柵極絕緣層3上的半導(dǎo)體層10和位于半導(dǎo)體層10上的導(dǎo)電層11。
[0070]步驟S12分別在所述導(dǎo)電層上待形成源極的區(qū)域和待形成漏極的區(qū)域形成設(shè)定厚度的第一光刻膠層，具體為:
[0071]在形成有所述半導(dǎo)體層10和導(dǎo)電層11的基板I上形成一層設(shè)定厚度的光刻膠(Photoresist，簡(jiǎn)稱PR)層，此時(shí)光刻膠層覆蓋整個(gè)用于形成源極和漏極的導(dǎo)電層；通過(guò)第二掩模板對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影，保留待形成的源極和漏極正上方的光刻膠，其余位置的光刻膠完全去除，待形成的源極上方的光刻膠和待形成的漏極上方的光刻膠一起作為第一光刻膠層。如圖4所示，包括位于待形成的源極和漏極正上方的第一光刻膠層4。
[0072]所述光刻膠可以為正性光刻膠也可以為負(fù)性光刻膠。
[0073]以光刻膠為正性光刻膠為例說(shuō)明，通過(guò)第二掩模板對(duì)所述源極和漏極對(duì)應(yīng)區(qū)域之外的區(qū)域完全曝光，曝光區(qū)域的光刻膠被完全顯影掉。當(dāng)然，源極和漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)區(qū)域的光刻膠完全曝光，顯影時(shí)完全被顯影掉，露出導(dǎo)電層U。
[0074]在導(dǎo)電層上形成光刻膠可以通過(guò)涂覆或滴注旋轉(zhuǎn)法等，具體實(shí)現(xiàn)方法可以根據(jù)實(shí)際需求而定，這里不做限制。
[0075]該第一光刻膠層4的厚度不限，較佳地，第一光刻膠層4的厚度約為1.5?2.5 μ m(對(duì)應(yīng) 15000 ?25000 A )。
[0076]較佳地，圖4所示的第一光刻膠層4為疏水性的光刻膠層。由于半導(dǎo)體層10上方用于形成源極和漏極的導(dǎo)電層11為親水性膜層，第一光刻膠層4為疏水性的光刻膠層時(shí)，后續(xù)在光刻膠的剝離(也稱去除)工藝過(guò)程中光刻膠完全去除較容易。
[0077]較佳地，如圖4所示，位于待形成的源極上方的第一光刻膠層和位于待形成的漏極上方的第一光刻膠層之間的距離L為2.0?4.5 μ m，該距離L等于源極和漏極之間的間隙寬度，TFT導(dǎo)通時(shí)，該距離L等于有源層上溝道的長(zhǎng)度。源極和漏極之間間隙的寬度越小，TFT導(dǎo)通時(shí)，溝道的長(zhǎng)度較短，TFT的開(kāi)啟電流Im越大，有利于提高TFT的性能。
[0078]步驟S13至少在所述導(dǎo)電層上待形成源極的區(qū)域和待形成漏極的區(qū)域上的第一光刻膠層之間形成設(shè)定厚度的第二光刻膠層，具體為:
[0079]在第一光刻膠層上方形成一層設(shè)定厚度為h的光刻膠層。通過(guò)第三掩模板對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，至少保留待形成的源極和漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)區(qū)域的光刻膠，去除其余區(qū)域的光刻膠(該步驟保證不去除第一光刻膠層)?；蛘咄ㄟ^(guò)第三掩模板對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，保留待形成的源極和漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)區(qū)域的光刻膠以及第一光刻膠層正上方的光刻膠。保留下的光刻膠層為第二光刻膠層。具體是否保留第一光刻膠層正上方的光刻膠視具體工藝條件或其他因素決定。如圖5所示，包括位于第一光刻膠層4上方的第二光刻膠層5,第二光刻膠層5的厚度為h,由于第二光刻膠層5下方的導(dǎo)電層11的表面平坦，因此，第二光刻膠層5的厚度均一。
[0080]步驟S13中覆蓋整個(gè)基板的光刻膠的形成與步驟S12中覆蓋整個(gè)基板的光刻膠的形成過(guò)程類似，可以通過(guò)涂覆或滴注旋轉(zhuǎn)等方法進(jìn)行，具體實(shí)施時(shí)可以根據(jù)實(shí)際需求而定，這里不做限制。
[0081]較佳地，第二光刻膠層5的厚度約為0.3?0.8 μ m (對(duì)應(yīng)3000-8000人)。
[0082]優(yōu)選地，第二光刻膠層5的厚度約為0.5 μ m (對(duì)應(yīng)5000人)。
[0083]較佳地，所述第二光刻膠層由疏水性的光刻膠制作而成。
[0084]第二光刻膠層的材料與第一光刻膠層的材料可以相同也可以不同。
[0085]第二光刻膠層的材料優(yōu)選地滿足以下條件:第二光刻膠層與第一光刻膠層的粘附性大于與用于形成源極和漏極的導(dǎo)電層之間的粘附性。
[0086]步驟S14對(duì)形成有所述第一光刻膠層、第二光刻膠層、半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層的基板進(jìn)行刻蝕工藝形成有源層、源極和漏極的圖形，具體為:
[0087]I)首先對(duì)所述待形成源極和漏極的導(dǎo)電層11進(jìn)行刻蝕工藝，參見(jiàn)圖6，保留導(dǎo)電層11上第一光刻膠層4和第二光刻膠層5覆蓋的區(qū)域,露出第一光刻膠層4和第二光刻膠層5未覆蓋區(qū)域的半導(dǎo)體層10。該步驟中的刻蝕工藝優(yōu)選使用濕法刻蝕。
[0088]2)接著對(duì)圖6所示的半導(dǎo)體層10進(jìn)行刻蝕工藝，去除第一光刻膠層4和第二光刻膠層5未覆蓋區(qū)域的半導(dǎo)體層，保留第一光刻膠層4和第二光刻膠層5覆蓋區(qū)域的半導(dǎo)體層，此時(shí)的TFT結(jié)構(gòu)如圖7所示，第一光刻膠層4和第二光刻膠層5覆蓋區(qū)域的半導(dǎo)體層作為有源層6的圖形；該步驟中的刻蝕工藝優(yōu)選使用干法刻蝕。
[0089]3)接著按照?qǐng)D7所示的第二光刻膠5的設(shè)定厚度h對(duì)第二光刻膠層5進(jìn)行灰化(ashing)處理,完全去除第二光刻膠層5,參見(jiàn)圖8,露出第二光刻膠層5下方的導(dǎo)電層11部分(即露出導(dǎo)電層11上待形成的源極和漏極之間的間隙部分)；該過(guò)程由于第二光刻膠層5的厚度均一，對(duì)第二光刻膠層5進(jìn)行灰化處理時(shí)，可以根據(jù)灰化光刻膠的厚度h準(zhǔn)確灰化光刻膠，不會(huì)形成過(guò)度灰化光刻膠或?qū)饪棠z灰化不足引起TFT GT Bridge不良，或者channel open不良的問(wèn)題?；一癁楦煞涛g的一種，當(dāng)然步驟3)中不限于通過(guò)灰化法處理第二光刻膠層5，可以通過(guò)任何能夠準(zhǔn)確去除第二光刻膠層不會(huì)產(chǎn)生過(guò)度刻蝕或刻蝕不到位的方法刻蝕第二光刻膠。
[0090]4)緊接著再次對(duì)導(dǎo)電層11進(jìn)行刻蝕，去除導(dǎo)電層11上待形成的源極和漏極之間的間隙部分，形成圖9所示的相互絕緣的源極7和漏極8圖形。該步驟中的刻蝕過(guò)程優(yōu)選使用干法刻蝕。
[0091]在步驟S14的基礎(chǔ)上，所述方法還進(jìn)一步包括:剝離所述源極和漏極上的第一光刻膠層。
[0092]具體地，在上述步驟4)的基礎(chǔ)上，通過(guò)干法刻蝕去除第一光刻膠層(RPstrip)，形成的TFT參見(jiàn)圖10所示，TFT包括柵極2、上級(jí)絕緣層3，有源層6、源極7和漏極8。
[0093]上述過(guò)程為制作底柵型TFT的詳細(xì)過(guò)程。
[0094]制作頂柵型TFT的過(guò)程與上述制作底柵型TFT的過(guò)程類似，不同之處在于，先制作有源層、源極和漏極圖形，后制作柵極和柵極絕緣層圖形，這里不再贅述。
[0095]上述制作TFT的過(guò)程僅是針對(duì)解決本發(fā)明的技術(shù)問(wèn)題而提出的，任何包含本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案的TFT制作過(guò)程均包含在本發(fā)明范圍之內(nèi)。例如，在具體實(shí)施過(guò)程中還包括制作位于有源層與源極和漏極之間的歐姆接觸層，以減小半導(dǎo)體層與源極和漏極之間的接觸電阻，提高TFT的性能。舉例說(shuō)明，針對(duì)非晶硅半導(dǎo)體層材料制作有源層的情況，可以在有源層與源極和漏極之間制作經(jīng)氮離子摻雜過(guò)的非晶硅層(制作N+a-Si)。
[0096]本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT的制作方法可以取代任何包括通過(guò)半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板實(shí)現(xiàn)不同厚度的光刻膠的過(guò)程，不僅適用于形成源極、漏極和有源層，同樣適用于通過(guò)半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板形成大面積不同厚度光刻膠的過(guò)程。
[0097]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種薄膜晶體管，采用上述本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法制作而成。薄膜晶體管中的有源層的材料類型不限。薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)至少包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極，還可以包括刻蝕阻擋層、歐姆接觸層，與基板接觸的緩沖層、覆蓋整個(gè)TFT的鈍化層等。這里就不一一詳述。
[0098]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括在基板上形成柵極圖形和柵極絕緣層的過(guò)程，以及形成源極、漏極和有源層圖形的過(guò)程； 所述形成源極、漏極和有源層圖形的過(guò)程具體為: 在基板上依次形成覆蓋整個(gè)基板的半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層； 分別在所述導(dǎo)電層上待形成源極的區(qū)域和待形成漏極的區(qū)域形成設(shè)定厚度的第一光刻膠層； 至少在所述導(dǎo)電層上待形成源極和漏極之間的間隙形成第二光刻膠層； 對(duì)形成有所述第一光刻膠層、第二光刻膠層、半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層的基板進(jìn)行刻蝕工藝形成有源層、源極和漏極的圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第二光刻膠層的同時(shí)還包括，形成位于所述第一光刻膠層上方的第二光刻膠層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)形成有第一光刻膠層、第二光刻膠層、半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層的基板進(jìn)行刻蝕工藝形成有源層、源極和漏極的圖形，具體為: 對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕工藝，保留第一光刻膠層和第二光刻膠層覆蓋區(qū)域的導(dǎo)電層，露出第一光刻膠層和第二光刻膠層未覆蓋區(qū)域的半導(dǎo)體層； 對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕工藝，去除第一光刻膠層和第二光刻膠層未覆蓋區(qū)域的半導(dǎo)體層，第一光刻膠層和第二光刻膠層覆蓋區(qū)域的半導(dǎo)體層作為有源層圖形； 按照所述第二光刻膠的設(shè)定厚度對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行灰化處理，露出待形成的源極和漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層； 再次對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，去除待形成的源極和漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層，形成相互絕緣的源極漏極圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述有源層、源極和漏極的圖形之后還包括:剝離所述源極和漏極上的第一光刻膠層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在基板上形成柵極圖形、柵極絕緣層的過(guò)程，具體為: 在形成所述源極、漏極和有源層圖形之前，在所述基板上形成柵極圖形以及位于所述柵極圖形上的柵極絕緣層；或者 在形成所述源極、漏極和有源層圖形之后在所述基板上形成柵極絕緣層，以及位于柵極絕緣層之上的柵極圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第一光刻膠層的厚度為1.5?2.5 μ m0
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二光刻膠層為厚度均一的膜層；所述第二光刻膠層的厚度為0.3?0.8 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述待形成的源極和漏極之間的距離為 2.5 ?4.55 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述有源層由非晶硅、多晶硅或金屬氧化物半導(dǎo)體制作而成。
10.一種薄膜晶體管，其特征在于，采用權(quán)利要求1-9任一所述的方法制作而成。
【文檔編號(hào)】H01L29/786GK103779232SQ201410042408
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2014年1月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月28日
【發(fā)明者】侯學(xué)成, 吳濤, 郭建 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司