半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括承載盤(pán)、芯片、第一接地焊線(xiàn)及第二接地焊線(xiàn)。承載盤(pán)具有第一表面及第二表面，第一表面與第二表面具有高度差。芯片設(shè)于承載盤(pán)的第一表面且具有一有源面。第一接地焊線(xiàn)連接有源面與第二表面。第二接地焊線(xiàn)連接第一表面與第二表面。
【專(zhuān)利說(shuō)明】半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種具有接地焊線(xiàn)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]受到提升工藝速度及尺寸縮小化的需求，半導(dǎo)體元件變得甚復(fù)雜。當(dāng)工藝速度的提升及小尺寸的效益明顯增加時(shí)，半導(dǎo)體元件的特性也出現(xiàn)問(wèn)題。特別是指，較高的工作時(shí)脈(clock speed)在信號(hào)電位(signal level)之間導(dǎo)致更頻繁的轉(zhuǎn)態(tài)(transition),因而導(dǎo)致在高頻下或短波下的較高強(qiáng)度的電磁放射(electromagnetic emission)。電磁放射可以從半導(dǎo)體元件及鄰近的半導(dǎo)體元件開(kāi)始輻射。假如鄰近的半導(dǎo)體元件的電磁放射的強(qiáng)度較高，此電磁放射是負(fù)面地影響半導(dǎo)體元件的運(yùn)作。
[0003]因此，如何降低電磁放射對(duì)半導(dǎo)體元件的影響是本【技術(shù)領(lǐng)域】業(yè)者努力方向之一。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件，可降低半導(dǎo)體封裝件的電磁輻射強(qiáng)度。
[0005]根據(jù)本發(fā)明，提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一承載盤(pán)、一芯片、一第一接地焊線(xiàn)及一第二接地焊線(xiàn)。承載盤(pán)具有一第一表面及一第二表面，第一表面與第二表面具有高度差。芯片設(shè)于承載盤(pán)的第一表面且具有一有源面。第一接地焊線(xiàn)連接有源面與第二表面。第二接地焊線(xiàn)連接第一表面與第二表面。
[0006]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下:
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】`
[0007]圖1繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0008]圖2繪示本實(shí)施例的返回電流路徑的示意圖。
[0009]圖3繪示圖1的局部外觀(guān)圖。
[0010]圖4繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的外觀(guān)圖。
[0011]【附圖標(biāo)記說(shuō)明】
[0012]10:電路板
[0013]11、113:接地點(diǎn)
[0014]100、200:半導(dǎo)體封裝件
[0015]110:承載盤(pán)
[0016]IlOr:隔離槽
[0017]IlOul:第一表面
[0018]110u2:第二表面
[0019]111:芯片承載部[0020]112:折彎板
[0021]1121,2121:焊線(xiàn)承載部
[0022]1122、2122:連接部
[0023]1123:周向延伸部
[0024]120:外引腳
[0025]130:芯片
[0026]130u:有源面
[0027]131:接墊
[0028]140:焊線(xiàn)
[0029]150:第一接地焊線(xiàn)
[0030]151:第 一 A 端
[0031]152:第一 B 端
[0032]160:第二接地焊線(xiàn)
[0033]161:第二 A 端
[0034]162:第二 B 端
[0035]170:封裝體
[0036]180:第三接地焊線(xiàn)
[0037]190:第四接地焊線(xiàn)
[0038]S1:信號(hào)電流
[0039]S2:返回電流
[0040]L1:第一路徑長(zhǎng)度
[0041]L2:第二路徑長(zhǎng)度
【具體實(shí)施方式】
[0042]圖1繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件100包括承載盤(pán)110、數(shù)根外引腳120、芯片130、數(shù)條焊線(xiàn)140、至少一第一接地焊線(xiàn)150、至少一第二接地焊線(xiàn)160及封裝體170。
[0043]承載盤(pán)110具有第一表面IlOul及第二表面110u2，其中第一表面IlOul與第二表面110u2之間具有高度差。第二表面110u2的位置高于第一表面llOul，且位于芯片130的有源面130u與第一表面IlOul之間。
[0044]外引腳120從封裝體170伸出，以電性連接于電路板10。焊線(xiàn)140連接外引腳120與芯片130，可使芯片130通過(guò)焊線(xiàn)140與外引腳120電性連接于電路板10。外引腳120與承載盤(pán)110隔離，如此可避免外引腳120與承載盤(pán)110電性短路。
[0045]芯片130設(shè)于承載盤(pán)110的第一表面IlOul且包括數(shù)個(gè)接墊131，其中接墊131位于有源面130u。一信號(hào)電流SI可從芯片130的接墊131輸出，并經(jīng)由焊線(xiàn)140、外引腳120至電路板10，以供電路板10處理。
[0046]第一接地焊線(xiàn)150連接有源面130u與第二表面110u2，而第二接地焊線(xiàn)160連接第一表面IlOul與第二表面110u2。信號(hào)電流SI經(jīng)過(guò)電路板10后，以返回電流S2形式依序經(jīng)由電路板10的接地點(diǎn)11、承載盤(pán)110、第二接地焊線(xiàn)160及第一接地焊線(xiàn)150返回芯片130的有源面130u。上述接地點(diǎn)11例如是形成于電路板10上的一焊點(diǎn)。
[0047]封裝體170包覆承載盤(pán)110、部分外引腳120、芯片130、焊線(xiàn)140、第一接地焊線(xiàn)150與第二接地焊線(xiàn)160，以保護(hù)此些部件，避免其受到外界環(huán)境的侵害，如氧化。
[0048]如圖1所示，承載盤(pán)110包括芯片承載部111及一個(gè)或數(shù)個(gè)折彎板112。以數(shù)個(gè)折彎板112為例，各折彎板112包括焊線(xiàn)承載部1121及連接部1122，其中連接部1122連接芯片承載部111與焊線(xiàn)承載部1121。上述的第一表面IlOul是芯片承載部111的上表面，而第二表面110u2是焊線(xiàn)承載部1121的上表面。本實(shí)施例中，焊線(xiàn)承載部1121從連接部1122往外側(cè)方向延伸，使第二表面110u2相對(duì)第一表面IlOul向外延伸。此外，芯片承載部111與連接部1122構(gòu)成一凹部，例如是類(lèi)似碗形或U形的凹部，然本發(fā)明實(shí)施例不限于此。芯片承載部111與連接部1122可傾斜地，亦可垂直地連接。此外，芯片承載部111與連接部1122的連接處可以是尖銳或圓滑。
[0049]圖2繪示圖1的局部俯視圖(為避免附圖過(guò)于復(fù)雜，未繪示焊線(xiàn)140)。承載盤(pán)110的第一表面IlOul具有一與電路板10的接地點(diǎn)11(圖1)對(duì)應(yīng)的接地點(diǎn)113。從接地點(diǎn)113經(jīng)由芯片承載部111、連接部1122、焊線(xiàn)承載部1121、第一接地焊線(xiàn)150至芯片130的一第一路徑長(zhǎng)度LI大于從接地點(diǎn)113經(jīng)由芯片承載部111、第二接地焊線(xiàn)160、焊線(xiàn)承載部1121、第一接地焊線(xiàn)150至芯片130的一第二路徑長(zhǎng)度L2。由于本實(shí)施例的第一接地焊線(xiàn)150與第二接地焊線(xiàn)160的設(shè)計(jì)，使返回電流S2會(huì)經(jīng)由較短的第二路徑長(zhǎng)度L2返回芯片130，因此可降低電磁輻射強(qiáng)度。
[0050]如圖2所示，承載盤(pán)110更包括至少一隔離槽IlOr (為避免附圖過(guò)于復(fù)雜，圖2僅繪示出單個(gè))，其中各隔離槽IlOr隔離相鄰二折彎板112。第一接地焊線(xiàn)150具有第一 A端151與第一 B端152，其分別連接于有源面130u與第二表面110u2。第二接地焊線(xiàn)160具有第二 A端161及第二 B端162，其分別連接于第一表面IlOul與第二表面110u2。本實(shí)施例中，焊線(xiàn)承載部1121從連接部1122的側(cè)邊周向地延伸，而形成一周向延伸部1123。第一接地焊線(xiàn)150的第一 B端152及第二接地焊線(xiàn)160的第二 B端162皆焊合于周向延伸部1123上，而第一 B端152及第二 B端162在周向延伸部1123上相互靠近。本實(shí)施例中，由于第二接地焊線(xiàn)160的第二 A端161鄰近接地點(diǎn)113，使返回電流S2就近從第二接地焊線(xiàn)160返回芯片130，因而可避免繞過(guò)較遠(yuǎn)的連接部1122及周向延伸部1123返回芯片130。
[0051]此外，第二接地焊線(xiàn)160的第二 A端161位于第一接地焊線(xiàn)150的第一 A端151與第一 B端152之間。如此一來(lái)，可獲得短長(zhǎng)度的第二接地焊線(xiàn)160，使第二路徑長(zhǎng)度L2短于第一路徑長(zhǎng)度LI。
[0052]如圖2所示，由于第一接地焊線(xiàn)150鄰近第二接地焊線(xiàn)160，使從第一表面IlOul經(jīng)由第二接地焊線(xiàn)160至第二表面110u2的返回電流S2可經(jīng)由鄰近的第一接地焊線(xiàn)150回到芯片130，如此可縮短返回路徑長(zhǎng)度。當(dāng)?shù)谝唤拥睾妇€(xiàn)150的第一 B端152與第二接地焊線(xiàn)160的第二 B端162之間的距離愈短，則返回路徑長(zhǎng)度愈短。
[0053]半導(dǎo)體封裝件100選擇性地包括至少一第三接地焊線(xiàn)180，其連接有源面130u與第二表面110u2。第一接地焊線(xiàn)150、第二接地焊線(xiàn)160及第三接地焊線(xiàn)180在第二表面110u2上交錯(cuò)排列，其中第二接地焊線(xiàn)160位于第一接地焊線(xiàn)150與第三接地焊線(xiàn)180之間。
[0054]半導(dǎo)體封裝件100選擇性地包括至少一第四接地焊線(xiàn)190，其連接第一表面IlOul與第二表面110u2。第二接地焊線(xiàn)160、第三接地焊線(xiàn)180及第四接地焊線(xiàn)190在第二表面110u2上交錯(cuò)排列，其中第三接地焊線(xiàn)180位于第二接地焊線(xiàn)160與第四接地焊線(xiàn)190之間。第三接地焊線(xiàn)180與第四接地焊線(xiàn)190的結(jié)構(gòu)特征分別相似于第一接地焊線(xiàn)150與第二接地焊線(xiàn)160，容此不再贅述。由于第三接地焊線(xiàn)180鄰近第四接地焊線(xiàn)190，使從第一表面IlOul經(jīng)由第四接地焊線(xiàn)190至第二表面110u2的返回電流S2可經(jīng)由鄰近的第三接地焊線(xiàn)180回到芯片130，如此可縮短返回路徑長(zhǎng)度。
[0055]另一實(shí)施例中，可省略第四接地焊線(xiàn)190。在此設(shè)計(jì)下，從第一表面IlOul經(jīng)由第二接地焊線(xiàn)160至第二表面110u2的返回電流S2亦可經(jīng)由第三接地焊線(xiàn)180回到芯片130。具體而言，就同一個(gè)焊線(xiàn)承載部1121來(lái)說(shuō)，只要一條接地焊線(xiàn)連接該焊線(xiàn)承載部1121與芯片130，在此設(shè)計(jì)下，經(jīng)由第二接地焊線(xiàn)160及/或第四接地焊線(xiàn)190的返回電流可經(jīng)由同一條接地焊線(xiàn)返回芯片130。
[0056]圖3繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的外觀(guān)圖。半導(dǎo)體封裝件200包括承載盤(pán)210、數(shù)根外引腳120 (未繪示)、芯片130、數(shù)條焊線(xiàn)140 (未繪示)、至少一第一接地焊線(xiàn)150、至少一第二接地焊線(xiàn)160及封裝體170。承載盤(pán)210包括芯片承載部111及折彎板212。折彎板212包括焊線(xiàn)承載部2121及連接部2122，其中連接部2121是一完整側(cè)壁，即連接部2122無(wú)鏤空?qǐng)D案。
[0057]圖4繪示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的測(cè)試模擬圖。曲線(xiàn)Cl表示已知具有第一接地焊線(xiàn)150但沒(méi)有第二接地焊線(xiàn)160的半導(dǎo)體封裝件的電磁輻射強(qiáng)度曲線(xiàn)，而曲線(xiàn)C2表示本發(fā)明采用第一接地焊線(xiàn)150及第二接地焊線(xiàn)160的半導(dǎo)體封裝件100或200的電磁輻射強(qiáng)度曲線(xiàn)。明顯地，相較于曲線(xiàn)Cl，由于本發(fā)明實(shí)施例的第一接地焊線(xiàn)150及第二接地焊線(xiàn)160的設(shè)計(jì)，使無(wú)論是在低頻段或高頻段，電磁輻射強(qiáng)度都可降低。例如，高頻段的電磁輻射強(qiáng)度的降幅ADl約3db，明顯地，低頻段的電磁輻射值的降幅AD2大于3db。
[0058]綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一承載盤(pán)，具有一第一表面及一第二表面，該第一表面與該第二表面具有高度差； 一芯片，設(shè)于該承載盤(pán)的該第一表面且具有一有源面； 一第一接地焊線(xiàn)，連接該有源面與該第二表面；以及 一第二接地焊線(xiàn)，連接該第一表面與該第二表面。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括: 一第三接地焊線(xiàn)，連接該有源面與該第二表面； 其中，該第一接地焊線(xiàn)、該第二接地焊線(xiàn)及該第三接地焊線(xiàn)在該第二表面上交錯(cuò)排列，且該第二接地焊線(xiàn)位于該第一接地焊線(xiàn)與該第三接地焊線(xiàn)之間。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括: 一第四接地焊線(xiàn)，連接該第一表面與該第二表面； 其中，該第二接地焊線(xiàn)、該第三接地焊線(xiàn)及該第四接地焊線(xiàn)在該第二表面上交錯(cuò)排列，且該第三接地焊線(xiàn)位于該第二接地焊線(xiàn)與該第四接地焊線(xiàn)之間。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二表面的高度位置位于該有源面與該第一表面之間。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二表面的位置高于該第一表面，且該第二表面相對(duì)該第一表面向外延伸。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該承載盤(pán)包括一芯片承載部及一折彎板，該芯片承載部與該折彎板構(gòu)成一凹部。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該承載盤(pán)的該折彎板是一完整側(cè)壁。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該承載盤(pán)包括一芯片承載部、一隔離槽及二折彎板，該隔離槽隔離該二折彎板，各該折彎板包括: 一焊線(xiàn)承載部；以及 一連接部，連接該芯片承載部與該焊線(xiàn)承載部。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該承載盤(pán)的該第一表面具有一接地點(diǎn)，從該接地點(diǎn)經(jīng)由該芯片承載部、該連接部、該焊線(xiàn)承載部、該第一接地焊線(xiàn)至該芯片的一第一路徑長(zhǎng)度大于從該接地點(diǎn)經(jīng)由該芯片承載部、該第二接地焊線(xiàn)、該焊線(xiàn)承載部、該第一接地焊線(xiàn)至該芯片的一第二路徑長(zhǎng)度。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一接地焊線(xiàn)的一第一A端及一第一 B端分別連接于該有源面與該第二表面，而該第二接地焊線(xiàn)的一第二 A端及一第二 B端分別連接于該第一表面與該第二表面，該第二接地焊線(xiàn)的該第二 A端位于該第一接地焊線(xiàn)的該第一 A端與該第一 B端之間。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括: 一封裝體，包覆該承載盤(pán)、該芯片、該第一接地焊線(xiàn)與該第二接地焊線(xiàn)。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括: 一外引腳，與該承載盤(pán)隔離且延伸出該封裝體外。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK103762208SQ201410042543
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2014年1月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月28日
【發(fā)明者】張何偉 申請(qǐng)人:揚(yáng)智科技股份有限公司