顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】公開了一種顯示裝置及其制造方法。所述顯示裝置包括：襯底、被設(shè)置為面對所述襯底的封裝襯底、位于所述襯底與所述封裝襯底之間且用于顯示圖像的顯示單元、以及密封單元，所述密封單元被設(shè)置在所述襯底與所述封裝襯底之間以使所述襯底與所述封裝襯底彼此結(jié)合并且包括填充物和與所述填充物混合的玻璃粉，所述填充物包括Cr、Cu和Mn。
【專利說明】顯示裝置及其制造方法
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求于2013年5月14日向韓國專利局提交的第10-2013-0054643號韓國 專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 下面的描述涉及顯示裝置及其制造方法，更具體地涉及具有增強(qiáng)封裝屬性和耐久 性的顯示裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0004] 最近，顯示裝置的使用已經(jīng)變得普遍且多樣。具體地，顯示裝置的厚度和重量已經(jīng) 減少使得其使用范圍變得更為廣泛。
[0005] 這種顯示裝置通過使用適合的方法形成。例如，顯示裝置可均通過使用在襯底與 封裝襯底之間設(shè)置用于實現(xiàn)圖像的顯示單元的方法來形成。在這種情況下，襯底與封裝襯 底通過密封元件結(jié)合。
[0006] 密封元件必然允許襯底和密封襯底牢固地彼此聯(lián)接且還防止外部空氣、濕氣和其 它外來物質(zhì)滲入顯示單元。
[0007] 然而，由于難以形成密封元件，因此對改善顯示裝置的封裝屬性存在局限性。結(jié) 果，對改善顯示裝置的耐久性存在局限性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的實施方式的各方面涉及一種具有增強(qiáng)封裝屬性和耐久性的顯示裝置以 及制造該顯示裝置的方法。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置包括：襯底、被 設(shè)置為與所述襯底面對(相對）的封裝襯底、位于所述襯底與所述顯示襯底之間且用于顯示 圖像的顯示單元、以及密封單元，所述密封單元被設(shè)置在所述襯底與所述封裝襯底之間以 使所述襯底與所述封裝襯底彼此結(jié)合并且包括填充物和與所述填充物混合的玻璃粉，所述 填充物包括Cr、Cu和Μη。
[0010] 所述填充物可包括包含有Cr、Cu和Μη的氧化物形式。
[0011] 所述填充物可包含Cu (CrMn) 204。
[0012] 所述填充物可為黑色。
[0013] 在這種情況下，在所述填充物中可包含占所述填充物大約30摩爾百分?jǐn)?shù)至大約 70摩爾百分?jǐn)?shù)的Cr。
[0014] 在所述密封單元中可包含占所述密封單元的大約20wt%至大約60wt%的所述填充 物。
[0015] 所述玻璃粉可包含氧化釩和氧化鉍中的至少一種。
[0016] 所述氧化釩可包含V205并且氧化鉍可包含Bi20 3。
[0017] 所述玻璃粉可包含選自Te02、Zn0和BaO中的至少一種。
[0018] 所述密封單元可被設(shè)置為包圍所述顯示單元，并且所述襯底與所述封裝襯底之間 的空間可被所述密封單元密封。
[0019] 所述顯示單元可包括有機(jī)發(fā)光設(shè)備（0LED)，并且所述0LED可包括第一電極、第二 電極和位于所述第一電極與所述第二電極之間的中間層，所述中間層包括有機(jī)發(fā)光層。
[0020] 所述顯示裝置還可包括電連接至所述第一電極并且包括有源層的薄膜晶體管 (TFT)、與所述有源層電絕緣的柵電極、與所述有源層的第一區(qū)域電連接的源電極、以及與 所述有源層的第二區(qū)域電連接的漏電極。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供了一種制造顯示裝置的方法。所述方法包括：制 備襯底和封裝襯底；在所述襯底與所述封裝襯底之間形成用于顯示圖像的顯示單元；以及 通過利用密封單元使所述襯底和所述封裝襯底彼此結(jié)合，密封單元包括包含Cr、Cu和Μη的 填充物和與所述填充物混合的玻璃粉。
[0022] 使所述襯底和所述封裝襯底彼此結(jié)合的步驟可包括：在所述襯底和所述封裝襯底 之一的一個表面上形成預(yù)備密封單元，所述預(yù)備密封單元包括包含所述玻璃粉和所述填充 物的膏體；燒結(jié)和干燥所述預(yù)備密封單元；配置所述襯底和所述封裝襯底；以及通過向所 述預(yù)備密封單元發(fā)射激光束熔化和固化所述預(yù)備密封單元，將所述預(yù)備密封單元變成所述 密封單元。
[0023] 所述膏體可通過制備包含所述玻璃粉的粉末和包含所述填充物的粉末并且將粘 合劑和溶劑添加至所述粉末來形成。
[0024] 通過利用絲網(wǎng)印刷方法在所述襯底和所述封裝襯底之一的一個表面上形成包括 膏體的所述預(yù)備密封單元以允許所述膏體以期望的形狀形成。
[0025] 制備所述襯底和所述封裝襯底的步驟可包括：制備大于所述襯底的母襯底和大于 所述封裝襯底的母封裝襯底；以及在形成所述密封單元之后切割所述母襯底和所述母封裝 襯底。
[0026] 所述顯示單元可以提供為多個，并且執(zhí)行所述切割以分別分離所述多個顯示單 J Li 〇
[0027] 所述密封單元可被設(shè)置為包圍所述多個顯示單元中的每個。
[0028] 所述激光束可具有大約700納米至大約900納米的波長。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029] 通過參考附圖詳細(xì)描述示例性實施方式，本發(fā)明的上面和其它特征和優(yōu)點將變得 更加顯而易見，在附圖中：
[0030] 圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的顯示裝置的示意性截面視圖；
[0031] 圖2是示出了圖1中所示的"A"的放大視圖；
[0032] 圖3是示出了圖1中所示的"X"的放大視圖；
[0033] 圖4是示出了圖3的修改實施例的示意性截面視圖；
[0034] 圖5是示出了圖3的另一修改實施例的示意性截面視圖；
[0035] 圖6是示出了圖3的又一修改實施例的示意性截面視圖；以及
[0036] 圖7A至圖7F是順序地示出了制造根據(jù)本發(fā)明的實施方式的顯示裝置的方法的視 圖。

【具體實施方式】
[0037] 諸如"至少一個"的表達(dá)在位于一列元件之前時修飾整列元件并且不修飾列表中 的單個元件。而且，"可"的使用在描述本發(fā)明的實施方式時指"本發(fā)明的一個或多個實施 方式"。
[0038] 現(xiàn)在詳細(xì)參考實施方式，在附圖中示出了其實施例，其中元件的大小和厚度可被 夸大用于清楚和方便的描述。
[0039] 在附圖中，相似的參考標(biāo)號指向相似的元件。它們的詳細(xì)描述將被省略。而且，在 隨后描述的層結(jié)構(gòu)中，諸如"上方"或"之上"的表達(dá)可不僅表示以直接接觸關(guān)系被直接設(shè) 置在頂部上，而且表示以不接觸的關(guān)系被設(shè)置在上方。
[0040] 還將理解，術(shù)語"包括（comprises)"和/或"包括（comprising)"在本說明書中使 用時指定所述元件的存在但不排除一個或多個其它元件和/或它們?nèi)航M的存在的附加。而 且，將理解，"之上"表示"位于對象的頂部或頂部上"而非表示基于重力方向"位于……上 方"。
[0041] 下文將更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實施方式以允許本領(lǐng)域普通技術(shù)人員容易 地執(zhí)行。
[0042] 圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置100的示意性截面視圖，并 且圖2是示出了圖1中所示的"A"的放大視圖。
[0043] 參考圖1和圖2,顯示裝置100包括襯底101、顯示單元D、封裝襯底191和密封單 元 180。
[0044] 顯示單元可包括各種合適的顯示元件，例如有機(jī)發(fā)光設(shè)備（0LED)或液晶元件，將 在下面對其進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0045] 襯底101可由主要成分為Si02的透明玻璃材料形成。而且，襯底101可由透明塑 料材料形成。然而，考慮在形成密封單元180的同時發(fā)射的激光束，襯底101可由其耐熱性 優(yōu)于塑料耐熱性的玻璃材料形成。
[0046] 顯示單元D形成于襯底101上。顯示單元D包括0LED、液晶元件和其它顯示元件 以提供待由用戶識別的圖像。下面參考圖3至圖6給出顯示單元D的詳細(xì)描述。
[0047] 封裝襯底191被設(shè)置為面對襯底101 (從而與其相對)。顯示單元D被設(shè)置在襯底 101與封裝襯底191之間。封裝襯底191可由主要成分為Si02的透明玻璃材料形成。而且， 封裝襯底191可由透明塑料材料形成。然而，由于在形成密封單元180的同時激光束朝向 封裝襯底191發(fā)射，因此封裝襯底191可由耐熱性優(yōu)于塑料的玻璃材料形成。
[0048] 密封單元180被設(shè)置在襯底101與封裝襯底191之間。盡管在附圖中未示出，但 是密封單元180可被形成為包圍顯示單元D。密封單元180被設(shè)置在襯底101與封裝襯底 191之間以使襯底101和封裝襯底191彼此結(jié)合。而且，襯底101與密封襯底191之間的空 間被密封單元180密封。因此，設(shè)置在襯底101與封裝襯底191之間的顯示單元D與外部 濕氣、空氣和其它外來物質(zhì)隔離。由此，減少或防止對顯示單元D的損壞。
[0049] 密封單元180包含玻璃粉181和填充物182。
[0050] 玻璃粉181形成密封單元180的主體并且通過熱熔化和固化，由此使襯底101和 封裝襯底191彼此結(jié)合。玻璃粉181包含各種合適的材料。
[0051] 在一個實施方式中，玻璃粉181包括氧化釩和氧化鉍中的至少一種。具體地，玻璃 粉181可包括V 205或Bi203。氧化釩或氧化鉍，更具體地V20 5或Bi203可容易地與填充物182 (將在下面描述）的材料接觸，并且容易地接收被施加至填充物182的熱量。
[0052] 而且，玻璃粉181可包含各種其它合適的材料并且可例如包括選自例如Te02、Zn0、 BaO、Nb205、Si02、A120 3、Zr02 和 P205 的至少一種。
[0053] 作為玻璃粉181的成分的一個實施例，玻璃粉181可包含占密封單元180的（以重 量百分比wt%作為參考)大約10wt%至大約30wt%的V 205、大約5wt%至大約25wt%的Te02、 大約5wt%至大約25wt%的ZnO和大約0至大約10wt%的BaO。
[0054] 填充物182與玻璃粉181混合。填充物182允許在激光束被發(fā)射到密封單元180 的前體密封單元或預(yù)備密封單元以形成密封單元180時密封單元180的熱膨脹系數(shù)不會增 力口，更具體地減少密封單元180、襯底101和封裝襯底191的熱膨脹率之間的差別以有效地 使密封單元180、襯底101和封裝襯底191彼此結(jié)合。
[0055] 而且，填充物182允許密封單元180的激光吸收率增加，使得密封單元180均勻且 快速地形成以改善襯底101和密封襯底191的結(jié)合屬性并且有效地密封襯底101與封裝襯 底191之間的空間。結(jié)果，有效地防止顯示單元D被外部氣體、濕氣和其它外來物質(zhì)損壞。
[0056] 填充物182可以是黑色的以允許密封單元180的激光束吸收率增加。具體地，填 充物182由對波長為大約700納米至大約900納米、更具體地大約800納米至大約810納 米的激光束具有優(yōu)異激光束吸收率的材料形成。
[0057] 為此，填充物182包含Cr、Cu和Μη。而且，填充物182可包括包含Cr、Cu和Μη且 具有尖晶石結(jié)構(gòu)的氧化物形式。作為詳細(xì)的實施例，填充物182可包括Cu(CrMn) 204。包含 在填充物182內(nèi)的Cr用于提供黑色，使得填充物182容易地改善密封單元180的激光束吸 收率。
[0058] 包含在填充物182中的Cr可占填充物182大約30摩爾百分?jǐn)?shù)至大約70摩爾百 分?jǐn)?shù)。在一個實施方式中，當(dāng)包含小于填充物182的大約30摩爾百分?jǐn)?shù)的Cr時，則減少了 填充物182的黑色屬性，由此降低了激光束吸收率。由此，可包含以占填充物182的30摩 爾百分?jǐn)?shù)或更多的Cr。而且，在一個實施方式中，當(dāng)包含超過填充物182大約70摩爾百分 數(shù)的Cr時，填充物182被影響以不具有尖晶石結(jié)構(gòu)，由此降低填充物182在高溫下的期望 屬性。由此，可包含占填充物182的大約70摩爾百分?jǐn)?shù)或小于70摩爾百分?jǐn)?shù)的Cr。
[0059] 在這種情況下，Cu與Cr 一起形成尖晶石結(jié)構(gòu)的框架以允許填充物182在高溫下 的物理屬性不容易被改變并且更具體地允許填充物182維持其顏色。
[0060] 而且,包含在填充物182內(nèi)的Μη允許填充物182主要包含尖晶石結(jié)構(gòu)。當(dāng)填充物 182不包含Μη并且具有尖晶石結(jié)構(gòu)的氧化物通過僅使用Cu和Cr被制造時，填充物182包 括具有除了尖晶石結(jié)構(gòu)以外的其它合適的晶體結(jié)構(gòu)的氧化物作為衍生產(chǎn)品。其它晶體結(jié) 構(gòu)在高溫下的耐久性相對小于尖晶石結(jié)構(gòu)在高溫下的耐久性，由此降低了填充物182在高 溫下的耐久性。然而，在本實施方式中，除了 Cu和Cr之外，填充物182還包括Μη以形成 Cu(CrMn)并且由此形成穩(wěn)定的尖晶石結(jié)構(gòu)。
[0061] 包含在密封單元180內(nèi)的玻璃粉181和填充物182可在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)混合。更詳 細(xì)地，可包含占密封單元180大約20wt%至大約60wt%的填充物182。在一個實施方式中， 當(dāng)在密封單元180中包含小于大約20wt%的填充物182時，在密封單元180中包含過量的 玻璃粉181并且在被所發(fā)射的激光束燒結(jié)或照射以形成密封單元180的同時密封單元180 因其高流動性而擴(kuò)散，使得密封單元180的寬度過度增大并且難以維持密封單元180的期 望形式。具體地，在一個實施方式中，當(dāng)包含小于大約20wt%的填充物182時，難以通過使 用如上所述的被激光束照射以形成密封單元180的填充物182提供改善激光束吸收率的效 果。結(jié)果，可能不能實現(xiàn)通過發(fā)射激光束以形成密封單元180獲得的熔化和固化過程的期 望屬性。由此，在一個實施方式中，在密封單元180中包含大約20wt%或更多的填充物182。
[0062] 在一個實施方式中，當(dāng)在密封單元180中包含大于大約60wt%的填充物時，在密 封單元180中包含過少的玻璃粉181。玻璃粉181是基本發(fā)生熔化和固化以形成密封單元 180的部分。也就是說，當(dāng)在密封單元180中包含過少量的玻璃粉181時，盡管向密封單元 180發(fā)射激光束，但不能有效地發(fā)生密封單元180的熔化并且不能容易地執(zhí)行襯底101與 封裝襯底191之間的結(jié)合。也就是說，由于在襯底101與封裝襯底191彼此結(jié)合的同時密 封單元180不完美地熔化，襯底101與封裝襯底191未完美結(jié)合至彼此，因此襯底101與封 裝襯底191之間的空間未被密封。結(jié)果，顯示單元D可被容易地?fù)p壞并且顯示裝置100的 耐久性被降低。由此，在一個實施方式中，在密封單元180中包含大約60wt%或更少的填充 物182。下面將描述顯示單元D。圖3是示出了圖1中所示的"X"的放大視圖。參考圖1 和圖3,顯示單元D包括有機(jī)發(fā)光設(shè)備（0LED) 130。也就是說，在本實施方式中將描述包括 0LED130的顯示單元D。然而，本發(fā)明不限于此并且顯示單元D可包括液晶顯示器和其它顯 示器。
[0063] 參考圖3, 0LED130形成于襯底101上并且包括第一電極131、中間層133和第二 電極132。
[0064] 第一電極131可充當(dāng)陽極并且第二電極132可充當(dāng)陰極，其中極性的順序可顛倒。
[0065] 當(dāng)?shù)谝浑姌O131充當(dāng)陽極時，第一電極131可包括具有高功函數(shù)的ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0、 Ιη203等中的一種。而且，根據(jù)目的和設(shè)計條件，第一電極131還可包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、 Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Yb和Ca中的一種形成的反射層。
[0066] 中間層133包括用于發(fā)射可見光線的至少一個有機(jī)發(fā)射層。而且，中間層133可 選擇性地包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個。
[0067] 當(dāng)?shù)诙姌O132充當(dāng)陰極時，第二電極可由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、 Li和Ca中的至少一種形成。而且，第二電極132可包括ITO、IZO、ZnO和In203中的至少 一種以允許光傳輸。
[0068] 當(dāng)通過第一電極131和第二電極132向中間層133施加電壓時，中間層133的有 機(jī)發(fā)光層發(fā)射可見光線以形成圖像。
[0069] 在本實施方式中，由于襯底101與封裝襯底191通過使用密封單元180彼此結(jié)合， 因此襯底101與封裝襯底191有效地彼此結(jié)合并且襯底101與封裝襯底191之間的空間被 密封，由此有效地保護(hù)顯示單元D。
[0070] 而且，密封單元180被制造為包括玻璃粉181和填充物182。具體地，填充物182 至少包含Cr、Cu和Mn，更具體地包含具有尖晶石結(jié)構(gòu)的氧化物形式。作為詳細(xì)的實施例， 填充物182至少包含Cu(CrMn)204。包含在填充物182中的Cr體現(xiàn)黑色以容易地改善包含 填充物的密封單元180的激光束吸收率，Cu與Cr 一起形成尖晶石結(jié)構(gòu)的框架以使得填充 物182在高溫下的物理屬性不容易改變，并且維持填充物182的顏色。而且，包含在填充物 182中的Μη禁止填充物182包含除了在高溫下具有優(yōu)異耐久性的尖晶石結(jié)構(gòu)以外的其它晶 體結(jié)構(gòu)，由此改善填充物182在高溫下的耐久性。
[0071] 具體地，填充物182具有對例如波長為大約700納米至900納米更具體地大約800 納米的激光束的優(yōu)異吸收率。由此，快速地執(zhí)行發(fā)射激光束以形成密封單元180的過程并 且改善密封單元180的屬性。結(jié)果，改善了襯底101與封裝襯底191之間的結(jié)合屬性。
[0072] 而且，在這種情況下，玻璃粉181包含與包含Cu(CrMn)204的填充物182有效接觸 的V 205、Te02、Zn0和BaO,由此通過填充物182改善其耐久性。具體地，在形成密封單元180 時，容易在發(fā)射激光束的過程中通過填充物傳遞激光束的熱量，由此改善熔化和固化屬性。
[0073] 可對顯示單元D進(jìn)行各種修改，其實施例將在下面描述。
[0074] 圖4是示出了圖3的一個修改實施例的示意性截面視圖。
[0075] 參考圖4, 0LED130'形成于襯底101上并且至少包括第一電極13Γ、中間層133' 和第二電極132'。
[0076] 詳細(xì)地，第一電極13Γ形成于襯底101上。像素限定膜115形成于第一電極13Γ 上以使第一電極13Γ的特定區(qū)域暴露。
[0077] 中間層133'形成于第一電極13Γ上以與第一電極13Γ接觸。
[0078] 第二電極132'形成于中間層133'上。
[0079] 第一電極13?？沙洚?dāng)陽極并且第二電極132'可充當(dāng)陰極，其中極性的順序可顛 倒。中間層133'包括發(fā)射可見光線的有機(jī)發(fā)光層。而且，中間層133'可選擇性地包括空 穴注入層（HIL)、空穴傳輸層（HTL)、電子傳輸層（ETL)和電子注入層（EIL)中的至少一個。
[0080] 在這種情況下，中間層133'可提供若干顏色，諸如紅色、綠色和藍(lán)色。作為另一個 實施例，中間層133'可提供一種顏色。例如，當(dāng)中間層133'提供白色時，除了中間層133' 以外，還可包括顏色轉(zhuǎn)換元件(例如，濾色器)。
[0081] 由于形成第一電極13Γ和第二電極132'的材料與之前的實施方式相同，因此將 不在此重復(fù)其詳細(xì)描述。
[0082] 圖5是示出了圖3的另一個修改實施例的示意性截面視圖。
[0083] 參考圖5,顯示單元D包括0LED130''和薄膜晶體管（TFT)，并且0LED130''包括 第一電極13Γ'、中間層133''和第二電極132''。
[0084] TFT包括有源層141、柵電極142、源電極143和漏電極144。
[0085] 緩沖層121形成于襯底101上。具有特定圖案的有源層141形成于緩沖層121上。 有源層141可由無機(jī)半導(dǎo)體(例如，硅半導(dǎo)體)、有機(jī)半導(dǎo)體和氧化物半導(dǎo)體中的一個形成， 并且包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)。
[0086] 柵絕緣膜122形成于有源層141的頂部，并且柵電極142形成于柵絕緣膜122頂 部的特定區(qū)域。柵絕緣膜122將有源層141與柵電極142隔離，并且可由有機(jī)材料和無機(jī) 材料中的至少一種形成。無機(jī)材料可以是SiN x或Si02。
[0087] 柵電極142可包含Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al和Mo中的至少一種，或者可包括合金 (例如，Al:Nd合金或Mo: W合金)，但是本發(fā)明不限于此并且可在考慮電阻和加工性能的前提 下由各種合適的材料形成。
[0088] 層間絕緣膜123形成于柵電極142的頂部。層間絕緣膜123和柵絕緣膜122被形 成為使有源層141的源區(qū)和漏區(qū)暴露，并且源電極143和漏電極144被形成為與有源層141 的源區(qū)和漏區(qū)接觸。
[0089] 源電極143和漏電極144可由各種合適的導(dǎo)電材料形成并且可具有單層結(jié)構(gòu)或雙 層結(jié)構(gòu)。
[0090] 鈍化層124形成于TFT的頂部。更詳細(xì)地，鈍化層124形成于源電極143和漏電 極144的頂部。
[0091] 鈍化層124被形成為不覆蓋漏電極144的整個頂面而是暴露其特定區(qū)域，并且第 一電極13Γ'被形成為連接至漏電極144的暴露部分。
[0092] 像素限定膜125通過使用絕緣材料形成于第一電極13Γ '上。像素限定膜125被 形成為使第一電極13Γ'的特定區(qū)域暴露。
[0093] 中間層133''被形成為與第一電極13Γ'的暴露部分接觸。而且，第二電極132'' 被形成為連接至中間層133''。
[0094] 圖6是示出了圖3的又一修改實施例的示意性截面視圖。
[0095] 參考圖6,顯示單元D包括0LED430和TFT。0LED430包括第一電極431、中間層 433和第二電極432。
[0096] TFT包括有源層403、柵電極442、源電極443和漏電極444。
[0097] 緩沖層402形成于襯底101上。具有特定圖案的有源層403形成于緩沖層402上。 而且，第一電容器電極421形成于緩沖層402上。第一電容器電極421可由與有源層403 的材料相同的材料形成。
[0098] 柵絕緣膜404形成于緩沖層402上以覆蓋有源層403和第一電容器電極421。
[0099] 柵電極442、第一電極431和第二電容器電極423形成于柵絕緣膜406上。
[0100] 柵電極442包括第一導(dǎo)電層442a和第二導(dǎo)電層442b。
[0101] 第一電極431可由與第一導(dǎo)電層442a的材料相同的材料形成。導(dǎo)電部分410a被 設(shè)置在第一電極431頂部的特定區(qū)域上并且由與第二導(dǎo)電層422b的材料相同的材料形成。
[0102] 第二電容器電極423包括第一層423a和第二層423b。第一層423a由與第一導(dǎo)電 層442a的材料相同的材料形成，并且第二層423b由與第二導(dǎo)電層442b的材料相同的材料 形成。第二層423b形成于第一層423a上且小于第一層423a。而且，第二電容器電極423 與第一電容器電極421重疊并且被形成為小于第一電容器電極421。
[0103] 層間絕緣膜427形成于第一電極431、柵電極442和第二電容器電極423上。源電 極443和漏電極444形成于層間絕緣膜427上。源電極443和漏電極444被形成為連接至 有源層403。
[0104] 而且，源電極443和漏電極444中的一個電連接至第一電極431。在圖6中，漏電 極444電連接至第一電極431。更詳細(xì)地，漏電極444與導(dǎo)電部分410a接觸。
[0105] 像素限定膜425形成于層間絕緣膜427上以覆蓋源電極443、漏電極444和電容器 428。
[0106] 像素限定膜425被形成為覆蓋第一電極431頂面的特定區(qū)域，并且中間層433被 形成為與第一電極431頂面的暴露區(qū)域接觸。
[0107] 第二電極432形成于中間層433上。
[0108] 圖7A至圖7F是順序地示出了制造根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的方法 的視圖。
[0109] 更詳細(xì)地，圖7A至圖7F示出了制造圖1的顯示裝置的方法。
[0110] 參考圖7A，制備母襯底10Γ。母襯底10?？捎刹ＡА⑺芰虾推渌线m的材料中的 一種形成，并且更具體地可由透明玻璃形成。在母襯底10Γ上形成一個或多個顯示單元D。 在圖7A中，形成兩個顯示單元D。然而，母襯底10Γ上顯示單元D的數(shù)量不限于此。
[0111] 而且，參考圖7B，在母封裝襯底19Γ上形成預(yù)備密封單元180'。預(yù)備密封單元 180'在形成于母封裝襯底19Γ上的同時可對應(yīng)于包圍母襯底10Γ的顯示單元D的位置形 成。
[0112] 預(yù)備密封單元180'作為膏體形成于母封裝襯底19Γ上。更詳細(xì)地，預(yù)備密封單 元180'是包含玻璃粉和填充物的膏體。由于玻璃粉和填充物與上述的玻璃粉和填充物相 同，因此將不在此重復(fù)其詳細(xì)描述。盡管未在附圖中示出，作為選擇性的另一實施方式，預(yù) 備密封單元180'可形成于母襯底10Γ的一個表面上以包圍顯示單元D。
[0113] 如下更詳細(xì)地描述制造具有膏體形式的預(yù)備密封單元180'的一個實施例。制備 包含玻璃粉的粉末和包含填充物的粉末。而且，向粉末添加粘合劑和其它溶劑從而制備膏 體。然后，膏體以期望的形狀形成于母封裝襯底19Γ上，由此形成預(yù)備密封單元180'。在 這種情況下，預(yù)備密封單元180'可通過使用絲網(wǎng)印刷方法以期望的形狀形成于母封裝襯底 191，上。
[0114] 然后，燒結(jié)和干燥膏體形式的預(yù)備密封單元180'以維持預(yù)備密封單元180'的形 狀。
[0115] 然后，參考圖7C，設(shè)置母封裝襯底19Γ使其與母襯底10Γ面對(相對)，其中母封 裝襯底19Γ相對于母襯底10Γ被配置以允許預(yù)備密封單元180'被設(shè)置為包圍顯示單元 D〇
[0116] 然后，參考圖7D，將激光束LB發(fā)射到母封裝襯底19Γ的頂部。更詳細(xì)地，將激光 束LB發(fā)射到與預(yù)備密封單元180'相對應(yīng)的位置。當(dāng)發(fā)射激光束LB時，預(yù)備密封單元180' 被熔化和固化，使得母襯底10Γ和母封裝襯底19Γ彼此結(jié)合。
[0117] 在這種情況下，激光束LB具有大約700納米至大約900納米的波長。詳細(xì)地，激 光束LB可具有大約800納米的波長，更詳細(xì)地可具有810納米的波長。
[0118] 當(dāng)在發(fā)射激光束LB時預(yù)備密封單元180'對激光束LB的吸收率低時，預(yù)備密封單 元180'的一部分未被熔化。預(yù)備密封單元180'的較少熔化區(qū)域顯著地惡化母襯底10Γ 與母封裝襯底19Γ之間的結(jié)合屬性，并且預(yù)備密封單元180'形成的母襯底10Γ與母封裝 襯底19Γ之間的空間未被完美地密封，因此外部氣體、濕氣和其它外來物質(zhì)可容易地?fù)p壞 顯示單元D。
[0119] 然而，在本實施方式中，預(yù)備密封單元180'包含玻璃粉和填充物，并且如上所述， 預(yù)備密封單元180'的激光束吸收率因填充物而被顯著改善，因此預(yù)備密封單元180'被有 效地熔化以使母襯底10Γ與母封裝襯底19Γ有效地結(jié)合至彼此。
[0120] 而且，預(yù)備密封單元180'在非常短的時間內(nèi)被熔化。因此，通過減少發(fā)射激光束 LB的時間量，可有效地防止損壞預(yù)備密封單元180'、母封裝襯底19Γ和顯示單元D。
[0121] 通過發(fā)射激光束LB，預(yù)備密封單元180'如圖7E所示變成使得母襯底10Γ與母封 裝襯底19Γ彼此結(jié)合的密封單元180。
[0122] 參考圖7E，母襯底10Γ和母封裝襯底19?；谇懈蠲婢€CL被切斷。結(jié)果，最終， 如圖7F所示制造顯示裝置100。
[0123] 當(dāng)通過使用根據(jù)本實施方式的方法制造顯示裝置100時，在形成密封180的同時 密封單元的屬性得到改善，由此改善了襯底101與封裝襯底191之間的結(jié)合屬性。結(jié)果，減 少了對顯示單元D的損壞并且容易地改善顯示裝置100的耐久性。
[0124] 盡管參考示例性實施方式具體地示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 將理解，在不背離由由權(quán)利要求及其等同限定的精神和范圍的前提下可進(jìn)行各種形式和細(xì) 節(jié)的改變。
【權(quán)利要求】
1. 一種顯示裝置，包括： 襯底； 封裝襯底，面對所述襯底； 顯示單元，位于所述襯底與所述封裝襯底之間且用于顯示圖像；以及 密封單元，位于所述襯底與所述封裝襯底之間以使所述襯底與所述封裝襯底彼此結(jié) 合，所述密封單元包括填充物和與所述填充物混合的玻璃粉，所述填充物包括Cr、Cu和Μη。
2. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述填充物包括包含有Cr、Cu和Μη的氧化物 形式。
3. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述填充物包括Cu(CrMn)204。
4. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述填充物為黑色。
5. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中在所述填充物中包含占所述填充物大約30摩爾 百分?jǐn)?shù)至大約70摩爾百分?jǐn)?shù)的Cr。
6. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中在所述密封單元中包含占所述密封單元的大約 20wt%至大約60wt%的所述填充物。
7. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述玻璃粉包含氧化釩和氧化鉍中的至少一 種。
8. 如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中氧化fL為V205，氧化秘為Bi20 3。
9. 如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中所述玻璃粉包含選自Te02、Zn0和BaO中的至少 一種。
10. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述密封單元被設(shè)置為包圍所述顯示單元，以 及 其中所述襯底與所述封裝襯底之間的空間被所述密封單元密封。
11. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述顯示單元包括有機(jī)發(fā)光設(shè)備0LED，以及 其中所述0LED包括第一電極、第二電極和位于所述第一電極與所述第二電極之間的 中間層，所述中間層包括有機(jī)發(fā)光層。
12. 如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，還包括：薄膜晶體管TFT，電連接至所述第一電 極并且包括有源層；柵電極，與所述有源層電絕緣；源電極，電連接至所述有源層的第一區(qū) 域；以及漏電極，電連接至所述有源層的第二區(qū)域。
13. -種制造顯示裝置的方法，所述方法包括： 制備襯底和制備封裝襯底； 在所述襯底與所述封裝襯底之間形成用于顯示圖像的顯示單元；以及 通過使用密封單元使所述襯底和所述封裝襯底彼此結(jié)合，其中所述密封單元包括填充 物和與所述填充物混合的玻璃粉，所述填充物包括Cr、Cu和Μη。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中使所述襯底和所述封裝襯底彼此結(jié)合的步驟包 括： 在所述襯底和所述封裝襯底之一的一個表面上形成預(yù)備密封單元，所述預(yù)備密封單元 包括包含所述玻璃粉和所述填充物的膏體； 燒結(jié)和干燥所述預(yù)備密封單元； 配置所述襯底和所述封裝襯底；以及 通過向所述預(yù)備密封單元發(fā)射激光束，熔化和固化所述預(yù)備密封單元，將所述預(yù)備密 封單元變成所述密封單元。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述膏體是通過制備包含所述玻璃粉的粉末和包 含所述填充物的粉末并且將粘合劑和溶劑添加至所述粉末來形成的。
16. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中通過利用絲網(wǎng)印刷方法在所述襯底和所述封裝襯 底之一的一個表面上形成包括膏體的所述預(yù)備密封單元，以允許所述膏體以期望的形狀形 成。
17. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述激光束具有大約700納米至大約900納米的 波長。
18. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中制備襯底和制備封裝襯底的步驟包括： 制備大于所述襯底的母襯底和大于所述封裝襯底的母封裝襯底；以及 在形成所述密封單元之后切割所述母襯底和所述母封裝襯底。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中多個顯示單元包括所述顯示單元，以及 其中執(zhí)行所述切割以將所述多個顯示單元中的每個彼此分離。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述密封單元被設(shè)置為包圍所述多個顯示單元中 的每個。
【文檔編號】H01L51/56GK104157667SQ201410045154
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年2月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月14日
【發(fā)明者】李在晚, 俞昇濬, 申宰旭 申請人:三星顯示有限公司