半導(dǎo)體裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括金屬墊與第一特定金屬層布線(xiàn)。金屬墊位于半導(dǎo)體裝置的第一金屬層之上。第一特定金屬層布線(xiàn)形成于半導(dǎo)體裝置的第二金屬層之上，并直接位于金屬墊之下。本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體裝置，可有效縮小半導(dǎo)體裝置的布線(xiàn)區(qū)域尺寸。
【專(zhuān)利說(shuō)明】半導(dǎo)體裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)于半導(dǎo)體裝置，特別是有關(guān)于金屬層布線(xiàn)直接形成于金屬墊下的半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]請(qǐng)見(jiàn)圖1。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體裝置100的簡(jiǎn)化上視圖。其中半導(dǎo)體裝置100可為芯片。如圖1所示，半導(dǎo)體裝置100包含金屬墊102、電源線(xiàn)路104、與接地線(xiàn)路106。然而電源線(xiàn)路104與接地線(xiàn)路106無(wú)法形成于金屬墊102下，因此半導(dǎo)體裝置100需大布線(xiàn)區(qū)域以形成電源線(xiàn)路104與接地線(xiàn)路106。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體裝置。
[0004]依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括:金屬墊，位于該半導(dǎo)體裝置的第一金屬層之上；以及第一特定金屬層布線(xiàn)，形成于該半導(dǎo)體裝置的第二金屬層之上，且直接位于該金屬墊之下。
[0005]本發(fā)明所提出的半導(dǎo)體裝置，可有效縮小半導(dǎo)體裝置的布線(xiàn)區(qū)域尺寸。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體裝置的簡(jiǎn)化上視圖。
[0007]圖2為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的簡(jiǎn)化剖面圖。
[0008]圖3為圖2中半導(dǎo)體裝置的簡(jiǎn)化上視圖。
[0009]圖4為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的簡(jiǎn)化剖面圖。
[0010]圖5為圖4中半導(dǎo)體裝置的簡(jiǎn)化上視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]在說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求書(shū)當(dāng)中使用了某些詞匯來(lái)指稱(chēng)特定的元件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，電子設(shè)備制造商可能會(huì)用不同的名詞來(lái)稱(chēng)呼同樣的元件。本說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求書(shū)并不以名稱(chēng)的差異作為區(qū)分元件的方式，而是以元件在功能上的差異作為區(qū)分的準(zhǔn)則。在通篇說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求書(shū)當(dāng)中所提及的“包含”為開(kāi)放式的用語(yǔ)，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”。
[0012]請(qǐng)見(jiàn)圖2與圖3。圖2為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置200的簡(jiǎn)化剖面圖。圖3為圖2中半導(dǎo)體裝置200的簡(jiǎn)化上視圖。其中半導(dǎo)體裝置200可為芯片。如圖2與圖3所示，半導(dǎo)體裝置200包含金屬墊202、第一特定金屬層布線(xiàn)204、與第二特定金屬層布線(xiàn)205。金屬墊202位于半導(dǎo)體裝置200的第一金屬層206之上，其中金屬墊202的厚度小于20，000A (如2微米)，且金屬墊202的材質(zhì)可為鋁。第一特定金屬層布線(xiàn)204形成于半導(dǎo)體裝置200的第二金屬層208之上，并直接位于金屬墊202之下。此外，請(qǐng)注意，上述實(shí)施方式僅用于解釋說(shuō)明本發(fā)明，而并非用于限制本發(fā)明。
[0013]第一特定金屬層布線(xiàn)204具有規(guī)則圖案，其中規(guī)則圖案的金屬密度為30%至70%。請(qǐng)注意，若規(guī)則圖案的金屬密度高于70%，則金屬墊202之下的第一特定金屬層布線(xiàn)204將失效。若規(guī)則圖案的金屬密度低于30%，則難以設(shè)計(jì)金屬墊202之下的第一特定金屬層布線(xiàn)204。如圖3所示，第一特定金屬層布線(xiàn)204包含四個(gè)第一電源線(xiàn)路210、四個(gè)第一接地線(xiàn)路212、以及未使用金屬線(xiàn)路214，其中氧化區(qū)216位于第一電源線(xiàn)路210、第一接地線(xiàn)路212、與未使用金屬線(xiàn)路214之間。氧化區(qū)216中的每一個(gè)的寬度可大于2微米。此外,未使用金屬線(xiàn)路214可作為堅(jiān)固接合(robust bondability)的虛置圖案(dummy pattern)。第二特定金屬層布線(xiàn)205形成于半導(dǎo)體裝置200的第二金屬層208之上，并連接至第一特定金屬層布線(xiàn)204。第二特定金屬層布線(xiàn)205不直接位于金屬墊202之下。第二特定金屬層布線(xiàn)205包含第二電源線(xiàn)路218與第二接地線(xiàn)路220。請(qǐng)注意，第一金屬層206與第二金屬層208為半導(dǎo)體裝置200的相鄰金屬層，且氧化層209位于第一金屬層206與第二金屬層208之間。請(qǐng)注意，上述實(shí)施方式僅用于解釋說(shuō)明本發(fā)明，而并非用于限制本發(fā)明。舉例來(lái)說(shuō)，第一電源線(xiàn)路210、第一接地線(xiàn)路212、與未使用金屬線(xiàn)路214的數(shù)目可依據(jù)不同設(shè)計(jì)需求而改變。
[0014]上述內(nèi)容簡(jiǎn)要總結(jié)如下:與現(xiàn)有技術(shù)相比較，由于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的金屬層布線(xiàn)可直接形成于金屬墊之下，可有效縮小半導(dǎo)體裝置的布線(xiàn)區(qū)域尺寸。
[0015]請(qǐng)見(jiàn)圖4與圖5。圖4為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的簡(jiǎn)化剖面圖。圖5為圖4中半導(dǎo)體裝置的簡(jiǎn)化上視圖。其中半導(dǎo)體裝置300可為芯片。如圖4與圖5所示，半導(dǎo)體裝置300包括金屬墊302、第一特定金屬層布線(xiàn)304、與第二特定金屬層布線(xiàn)305。金屬墊302位于半導(dǎo)體裝置300的第一金屬層306之上，其中金屬墊302的厚度小于20,000A (如2微米)，且金屬墊302的材質(zhì)可為鋁。第一特定金屬層布線(xiàn)304形成于半導(dǎo)體裝置300的第二金屬層308之上，并直接位于金屬墊302之下。此外，請(qǐng)注意上述實(shí)施方式僅用以說(shuō)明而非局限本發(fā)明。
[0016]第一特定金屬層布線(xiàn)304具有規(guī)則圖案，其中規(guī)則圖案的金屬密度為30%至70%。請(qǐng)注意，若規(guī)則圖案的金屬密度高于70%，則金屬墊302下面的第一特定金屬層布線(xiàn)304將失效。若規(guī)則圖案的金屬密度低于30%，則難以設(shè)計(jì)金屬墊302之下的第一特定金屬層布線(xiàn)304。如圖5所不,第一特定金屬層布線(xiàn)304包含四個(gè)第一輸入/輸出布線(xiàn)線(xiàn)路310以及五個(gè)未使用金屬線(xiàn)路314，其中氧化區(qū)316位于第一輸入/輸出布線(xiàn)線(xiàn)路310與五個(gè)未使用金屬線(xiàn)路314之間。氧化區(qū)316中的每一個(gè)的寬度可大于3微米。此外,未使用金屬線(xiàn)路314可作為堅(jiān)固接合的虛置圖案。第二特定金屬層布線(xiàn)305形成于半導(dǎo)體裝置300的第二金屬層308之上，并連接至第一特定金屬層布線(xiàn)304。第二特定金屬層布線(xiàn)305不直接位于金屬墊302之下。第二特定金屬層布線(xiàn)305包含四個(gè)第二輸入/輸出布線(xiàn)線(xiàn)路318。第二輸入/輸出布線(xiàn)線(xiàn)路318可具有至少一個(gè)插塞，用于連接至其他金屬層中的其他金屬線(xiàn)路。請(qǐng)注意第一金屬層306與第二金屬層308為半導(dǎo)體裝置300的相鄰金屬層，且氧化層309位于第一金屬層306與第二金屬層308之間。此外，請(qǐng)注意，上述實(shí)施方式僅用于解釋說(shuō)明本發(fā)明，而并非用于限制本發(fā)明。舉例來(lái)說(shuō)，第一輸入/輸出布線(xiàn)線(xiàn)路310與未使用金屬線(xiàn)路314的數(shù)目可依據(jù)不同設(shè)計(jì)需求改變。
[0017]上述內(nèi)容簡(jiǎn)要總結(jié)如下:與現(xiàn)有技術(shù)相比較，由于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的金屬層布線(xiàn)可直接形成于金屬墊之下，可有效縮小半導(dǎo)體裝置的布線(xiàn)區(qū)域尺寸。
[0018]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施方式揭露如上，然而必須了解其并非用以限定本發(fā)明。相反，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求書(shū)所界定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括: 金屬墊，位于該半導(dǎo)體裝置的第一金屬層之上；以及 第一特定金屬層布線(xiàn)，形成于該半導(dǎo)體裝置的第二金屬層之上，且直接位于該金屬墊之下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該金屬墊的厚度小于20,000A。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該金屬墊的材質(zhì)為鋁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一特定金屬層布線(xiàn)具有規(guī)則圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該規(guī)則圖案的金屬密度為30%至70%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一特定金屬層布線(xiàn)包括多個(gè)第一電源線(xiàn)路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括多個(gè)氧化區(qū)位于該多個(gè)第一電源線(xiàn)路之間，且該多個(gè)氧化區(qū)中的每一個(gè)的寬度大于2微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一特定金屬層布線(xiàn)包括多個(gè)第一接地線(xiàn)路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括多個(gè)氧化區(qū)位于該多個(gè)第一接地線(xiàn)路之間，且該多個(gè)氧化區(qū)中的每一個(gè)的寬度大于2微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一特定金屬層布線(xiàn)包括多個(gè)第一輸入/輸出布線(xiàn)線(xiàn)路。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括多個(gè)氧化區(qū)位于該多個(gè)第一輸入/輸出布線(xiàn)線(xiàn)路之間，且該多個(gè)氧化區(qū)中的每一個(gè)的寬度大于2微米。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括: 第二特定金屬層布線(xiàn)，形成于該半導(dǎo)體裝置的該第二金屬層之上，并連接至該第一特定金屬層布線(xiàn)，其中該第二特定金屬層布線(xiàn)不直接位于該金屬墊下。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第二特定金屬層布線(xiàn)包括第二電源線(xiàn)路。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第二特定金屬層布線(xiàn)包括第二接地線(xiàn)路。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第二特定金屬層布線(xiàn)包括多個(gè)第二輸入/輸出布線(xiàn)線(xiàn)路。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置為芯片。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一金屬層與該第二金屬層為該半導(dǎo)體裝置中相鄰的金屬層。
【文檔編號(hào)】H01L23/528GK103972215SQ201410045162
【公開(kāi)日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年2月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月1日
【發(fā)明者】陳俊良, 張?zhí)聿? 林建志 申請(qǐng)人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司