半導體裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種能夠實現(xiàn)大容量化并且能夠容易地制造的半導體裝置及半導體裝置的制造方法。本發(fā)明具有：板狀的電極部件即板電極（5）；在板電極（5）上設置的作為一體化絕緣片的環(huán)氧片（3）；以及在環(huán)氧片（3）上設置的作為控制基板的雙面印刷基板（1），本發(fā)明具有將板電極（5）和雙面印刷基板（1）通過環(huán)氧片（3）形成為一體的基板一體型電極（10）。
【專利說明】半導體裝置及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體裝置及半導體裝置的制造方法。
【背景技術】
[0002]作為功率用半導體裝置的功率MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor))或 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)等半導體裝置的封裝件，考慮到制造成本及生產(chǎn)率等方面，大多以通過傳遞模塑成型實現(xiàn)的樹脂封裝形成。在功率用半導體裝置中使用其主流基材即Si (硅)及SiC (碳化硅)的情況下，也大多通過傳遞模塑成型進行樹脂封裝。
[0003]例如，在專利文獻I中公開了一種樹脂封裝的半導體裝置。此外，公開了一種在專利文獻I的情況下考慮到裝置小型化及配線便利性，而使直立在封裝樹脂表面上的電極露出的構造。
[0004]另外，在專利文獻2中，在傳遞模塑成型的半導體裝置中，為了減少功率損耗，代替將發(fā)射極電極和引線端子經(jīng)由接合線連接，使用將電極之間直接連接的直接引線接合方式。另外，將直立地接合在配置于芯片上的板電極上的電極柱，設置為露出至外部。
[0005]關于功率用半導體裝置，在將以SiC為代表的能夠在高溫下動作的材料作為基材的元件的應用方面推進開發(fā)，要求能夠實現(xiàn)高溫動作、并且能夠大容量化的構造。
[0006]在上述半導體裝置中，在希望以不增大裝置尺寸的狀態(tài)進一步實現(xiàn)大容量化的情況下，例如，如在專利文獻3中公開所示，需要通過在控制基板的下方配置半導體元件的電極等而有效地利用裝置內(nèi)的空間。
[0007]專利文獻1:日本專利第5012772號公報
[0008]專利文獻2:日本特開2012-74543號公報
[0009]專利文獻3:日本特開2006-303006號公報
[0010]但是，在專利文獻3中公開的這種構造中，在控制基板和半導體元件之間具有經(jīng)由引線框架進行的連接等，從而存在容易使制造工序變得復雜的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明就是為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供一種能夠實現(xiàn)大容量化，并且能夠容易地制造的半導體裝置及半導體裝置的制造方法。
[0012]本發(fā)明的一個方式涉及的半導體裝置具有:板狀的電極部件；在所述電極部件上設置的一體化絕緣片；以及在所述一體化絕緣片上設置的控制基板，該半導體裝置的特征在于，具有使所述電極部件和所述控制基板通過所述一體化絕緣片形成為一體的基板一體型電極。
[0013]本發(fā)明的一個方式涉及的半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有:(a)在板狀的電極部件上設置一體化絕緣片的工序；(b)在所述一體化絕緣片上設置控制基板，將所述電極部件和所述控制基板經(jīng)由所述一體化絕緣片形成為一體的工序；以及(C)將在所述工序(b)中形成為一體而得到的基板一體型電極與半導體元件電連接的工序。
[0014]發(fā)明的效果
[0015]根據(jù)本發(fā)明的上述方式，具有經(jīng)由一體化絕緣片將電極部件和控制基板形成為一體的基板一體型電極，從而能夠實現(xiàn)大容量化，并且，能夠容易地制造。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置中的基板一體型電極的制造工序的圖。
[0017]圖2是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置中的基板一體型電極的制造工序的圖。
[0018]圖3是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置中的基板一體型電極的制造工序的圖。
[0019]圖4是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置中的基板一體型電極的制造工序的圖。
[0020]圖5是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置中的基板一體型電極的制造工序的圖。
[0021]圖6是本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的俯視圖。
[0022]圖7是本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的剖視圖。
[0023]圖8是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。
[0024]圖9是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。
[0025]圖10是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。
[0026]圖11是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。
[0027]圖12是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。
[0028]圖13是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。
[0029]圖14是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。
[0030]圖15是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。
[0031]圖16是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。
[0032]圖17是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。
[0033]圖18是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。
[0034]圖19是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。
[0035]圖20是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。
[0036]圖21是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。
[0037]圖22是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。
[0038]圖23是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。
[0039]圖24是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。
[0040]圖25是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。
[0041]圖26是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。
[0042]圖27是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。
[0043]圖28是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。[0044]圖29是表示本發(fā)明的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。
[0045]圖30是本發(fā)明的實施方式涉及的變形例的半導體裝置的俯視圖。
[0046]圖31是本發(fā)明的實施方式涉及的變形例的半導體裝置的剖視圖。
[0047]圖32是本發(fā)明的前提技術涉及的半導體裝置的俯視圖。
[0048]圖33是本發(fā)明的前提技術涉及的半導體裝置的剖視圖。
[0049]標號的說明
[0050]I雙面印刷基板，2控制電路圖案，3環(huán)氧片，4屏蔽體，5、25板電極，6阻焊層，10、IOA基板一體型電極，12功率用半導體裝置，13鋁導線，14散熱片，15絕緣層，16基底板，17模塑樹脂，18電極塊，19陽極端子，20陰極端子，21控制端子，22基板，23開口部，24接合材料，26接合部，100、101、102半導體裝置。
【具體實施方式】
[0051 ] 以下，參照附圖，說明本發(fā)明的實施方式。
[0052]此外，在本說明書中，使用了上表面或下表面等用語，但這些用語是為了方便區(qū)分各表面而使用的，與實際的上下左右方向沒有關系。
[0053]<實施方式>
[0054]<基板一體型電極的制造方法>
[0055]圖1?5是表示本發(fā)明的本實施方式涉及的半導體裝置中的基板一體型電極10的制造工序的圖。
[0056]首先如圖1所示，在雙面印刷基板I的兩個表面上制作控制電路圖案2?？刂齐娐穲D案2例如由銅材料構成。
[0057]接著，如圖2所示，在雙面印刷基板I的下表面?zhèn)仍O置由環(huán)氧樹脂構成的環(huán)氧片3，然后在環(huán)氧片3的下表面?zhèn)仍O置板電極5。
[0058]環(huán)氧片3是例如使在印刷基板中使用的玻璃纖維布浸潰環(huán)氧樹脂而得到的環(huán)氧預浸料，利用設置在環(huán)氧片3的表面或內(nèi)部的由銅板或網(wǎng)格狀的銅材料構成的屏蔽體4進行加強。此外，屏蔽體4不是必需的結構，但通過具有該結構，能夠降低SiC設備等在進行高頻切換時可能產(chǎn)生的噪聲。
[0059]板電極5由銅材料構成，是流過主電流的電極。
[0060]而且，在雙面印刷基板I的上表面?zhèn)葘τ勺杞^劑、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺或聚酰亞胺構成的阻焊層6進行圖案化。阻焊層6以覆蓋控制電路圖案2的方式設置，但不設置在控制電路圖案2的導線接合部W以及在后續(xù)工序中進行沖裁加工的部分。通過使控制電路圖案2由阻焊層6覆蓋，從而抑制在后續(xù)工序中設置的模塑樹脂17剝離。即，抑制下述情況:在通過傳遞模塑成型設置模塑樹脂17時的熱循環(huán)中，由于模塑樹脂17的線膨脹系數(shù)、控制電路圖案2的材料即Cu材料的線膨脹系數(shù)、及環(huán)氧片3的材料即環(huán)氧樹脂材料的線膨脹系數(shù)之間的差異而產(chǎn)生應力，導致發(fā)生模塑樹脂17的剝離。如果發(fā)生該剝離，則導致裝置的特性下降。
[0061]另一方面，在板電極5的下表面?zhèn)?也對應于在雙面印刷基板I的上表面?zhèn)仍O置的位置而設置阻焊層6。通過在板電極5的下表面?zhèn)纫苍O置阻焊層6，從而進一步提高上述的剝離抑制效果。設置在板電極5下表面?zhèn)鹊淖韬笇?，不設置在后續(xù)工序中進行沖裁加工的部分。
[0062]接著，如圖3所示，通過銑削或激光加工而去除在后續(xù)工序中進行沖裁加工及壓花加工的部分的環(huán)氧片3。
[0063]接著，如圖4所示，通過沖裁加工去除用于確認焊腳的部分。然后，形成開口部23。
[0064]接著，如圖5所示，對與后述的功率用半導體裝置12接合的接合部26進行壓花加工。通過該壓花加工，與功率用半導體裝置12接合的接合部26的板電極5成為向下表面?zhèn)劝枷莸男螤?朝向功率用半導體裝置12側的凸形狀)。例如在專利文獻2中公開有壓花加工。通過對露出的板電極5進行壓花加工，從而提高與功率用半導體裝置12電連接的可靠度。
[0065]經(jīng)過上述的制造工序，能夠實現(xiàn)基板一體型電極10，該基板一體型電極10構成為經(jīng)由環(huán)氧片而將對功率用半導體裝置12的MOSFET或IGBT進行柵極驅動的現(xiàn)有控制基板和流過主電流的板電極一體化。
[0066]<半導體裝置的結構>
[0067]圖6是本發(fā)明的本實施方式涉及的半導體裝置100的俯視圖。另外，圖7是本發(fā)明的本實施方式涉及的半導體裝置100的剖視圖。
[0068]如圖7所示，在由銅或AlSiC等熱導率較高的金屬制作的基底板16的上方形成有絕緣層15，并且在絕緣層15上配置有散熱片14。
[0069]在散熱片14上經(jīng)由焊料等接合材料24而將多個功率用半導體裝置12進行芯片接合(die bond)。另外，以跨在多個功率用半導體裝置12上的方式配置有基板一體型電極10 (參照圖1?5)。基板一體型電極10還延伸至散熱片14上。功率用半導體裝置12和基板一體型電極10在接合部26等處,經(jīng)由焊料或銀等接合材料24電連接。通過在功率用半導體裝置12的上表面?zhèn)?、即陰極側配置基板一體型電極10，從而能夠利用厚度更薄的絕緣層15提高裝置的耐壓性，能夠降低材料費。如果具有厚度與比主電壓充分小的控制電壓、例如柵極電極±15V左右的電位差相對應的絕緣層15，則能夠充分滿足所要求的性能，還能夠通過減小厚度而削減成本。
[0070]在這里，在基板一體型電極10的與功率用半導體裝置12接合的接合部26的周邊部設置有開口部23，從而容易通過目視確認功率用半導體裝置12和基板一體型電極10之間的電連接是否適當。因此，易于確保半導體裝置100的品質。但是，開口部23并不是必需的結構，也可以假想后述的如圖30及圖31所示的沒有設置開口部23的半導體裝置101。
[0071]基板一體型電極10和功率用半導體裝置12 (MOSFET或IGBT)通過鋁導線13等導體而電連接。具體而言，基板一體型電極10和功率用半導體裝置12的柵極焊盤或發(fā)射極(源極)焊盤電連接。由此，能夠經(jīng)由基板一體型電極10及控制端子21，從外部對功率用半導體裝置12進行控制。此外，控制端子21在基板一體型電極10上表面?zhèn)入娺B接。
[0072]另外，如圖6所示，電極塊18經(jīng)由接合材料而配置在散熱片14上。另外，電極塊18也經(jīng)由接合材料配置在延伸至散熱片14上而配置的基板一體型電極10上。
[0073]而且，裝置整體以使電極塊18露出的方式，由模塑樹脂17包覆，在模塑樹脂17上表面露出的電極塊18分別與陽極端子19及陰極端子20進行US (Ultra Sonic)接合。這樣，形成與驅動裝置的母線桿連接的半導體裝置。
[0074]<半導體裝置的制造方法1>[0075]圖8?圖17是表示本發(fā)明的本實施方式涉及的半導體裝置100的制造工序的圖。
[0076]首先，如圖8及圖9所示，在散熱片14上經(jīng)由接合材料24配置多個功率用半導體裝置12。
[0077]接著，如圖10及圖11所示，配置基板一體型電極10，其中，該基板一體型電極10跨在多個功率用半導體裝置12上，經(jīng)由接合材料24而與功率用半導體裝置12電連接。該連接在接合部26等處進行?；逡惑w型電極10還延伸至散熱片14上。
[0078]另外，將電極塊18經(jīng)由接合材料配置在散熱片14上。而且，電極塊18還經(jīng)由接合材料配置在延伸至散熱片14上而配置的基板一體型電極10上。
[0079]另外，將控制端子21在基板一體型電極10上表面?zhèn)冗M行電連接。
[0080]接著，如圖12及圖13所示，在散熱片14的下表面?zhèn)刃纬山^緣層15，然后在絕緣層15的下表面?zhèn)仍O置基底板16。
[0081]另外，配置鋁導線13，將基板一體型電極10和功率用半導體裝置12電連接。具體而言，鋁導線13將基板一體型電極10和功率用半導體裝置12的柵極焊盤或發(fā)射極(源極)焊盤電連接。
[0082]接著，如圖14及圖15所示，設置模塑樹脂17并由模塑樹脂17以使電極塊18露出的方式包覆裝置整體。
[0083]接著，如圖16及圖17所示，將在模塑樹脂17上表面露出的電極塊18分別與陽極端子19及陰極端子20進行US (Ultra Sonic)接合。這樣，形成與驅動裝置的母線桿連接的半導體裝置。
[0084]<半導體裝置的制造方法2>
[0085]圖18?圖29是表示本發(fā)明的本實施方式涉及的半導體裝置100的制造工序的其他方式的圖。在以下的說明中，對與上述半導體裝置的制造方法I不同的工序進行說明，而對于與半導體裝置的制造方法I相同的工序，省略其說明。
[0086]如圖18及圖19所示，在散熱片14上經(jīng)由接合材料24配置多個功率用半導體裝置12后,如圖20及圖21所示配置板電極5,該板電極5跨在功率用半導體裝置12上,經(jīng)由接合材料24與功率用半導體裝置12電連接。該連接在接合部26等處進行。板電極5還延伸至散熱片14上。
[0087]接著，如圖22及圖23所示，通過在板電極5上經(jīng)由環(huán)氧片3配置雙面印刷基板I等而形成基板一體型電極10。另外，將電極塊18經(jīng)由接合材料而配置在散熱片14上以及延伸至散熱片14上而配置的基板一體型電極10上。
[0088]另外，將控制端子21在基板一體型電極10上表面進行電連接。
[0089]以下的工序(圖24?圖29)與半導體裝置的制造方法I相同。
[0090]如上所述，在板電極5上配置雙面印刷基板I等的情況下，作為配置方法，可以想到例如將雙面印刷基板I利用焊料等接合而配置的方法、和將雙面印刷基板I利用雙面粘接帶等粘接而配置的方法。
[0091]但是，在將雙面印刷基板I利用焊料等接合而配置的情況下，考慮到散熱片14和功率用半導體裝置12的接合也使用焊料等，因此，需要進行2次回流焊而導致加工費增加。另外，在功率用半導體裝置12上表面實施焊料接合的情況下，有時從該接合面突出的焊料變?yōu)榍驙?，附著在功率用半導體裝置12的表面上。[0092]另一方面，在將雙面印刷基板I利用雙面粘接帶等粘接而配置的情況下，為了使雙面印刷基板I和功率用半導體裝置12電連接，需要通過US接合進行導線接合。但是，有時會由于在雙面印刷基板I和板電極5之間不能得到與雙面印刷基板I進行導線接合所需的強度，因此不能確保導線接合的可靠性。另外，粘接帶的保管及粘接作業(yè)并不容易，有時導致加工費增加。
[0093]<前提技術>
[0094]圖32是本發(fā)明的前提技術涉及的半導體裝置102的俯視圖。另外，圖33是本發(fā)明的前提技術涉及的半導體裝置101的剖視圖。
[0095]如圖32及圖33所示，在將基板22配置在散熱片14上的情況下，功率用半導體裝置12(MOS或IGBT)只能搭載4個芯片，但在本發(fā)明中能夠搭載6個芯片，實現(xiàn)高密度安裝。
[0096]在本實施方式中，通過將圖32及圖33中的基板22和板電極25—體化，從而能夠如圖8?圖19所示，實現(xiàn)工藝簡化，并且，實現(xiàn)容易進行本發(fā)明的基板上和功率用半導體裝置12的導線接合的基板一體型電極10。
[0097]<變形例>
[0098]圖30是本發(fā)明的本實施方式涉及的變形例即半導體裝置101的俯視圖。另外，圖31是本發(fā)明的本實施方式涉及的變形例即半導體裝置101的剖視圖。
[0099]在圖30及圖31所示的半導體裝置101中，在這里，在基板一體型電極IOA的與功率用半導體裝置12接合的接合部分的周邊部沒有設置開口部23。其他結構與半導體裝置100相同，因此省略詳細的說明。
[0100]〈效果〉
[0101]根據(jù)本發(fā)明涉及的實施方式，半導體裝置具有:板狀的電極部件即板電極5 ;設置在板電極5上的作為一體化絕緣片的環(huán)氧片3 ;以及設置在環(huán)氧片3上的作為控制基板的雙面印刷基板1，半導體裝置具有將板電極5和雙面印刷基板I通過環(huán)氧片3形成為一體的基板一體型電極10。
[0102]根據(jù)上述結構，通過具有經(jīng)由環(huán)氧片3將板電極5和雙面印刷基板I形成為一體的基板一體型電極10，從而能夠擴大元件搭載區(qū)域而實現(xiàn)大容量化，并且，能夠容易地制造。能夠簡化制造工序，從而還能夠抑制制造成本。
[0103]另外，根據(jù)本發(fā)明涉及的實施方式，雙面印刷基板I在其兩個表面具有控制電路圖案2。另外，半導體裝置具有作為上表面阻絕(resist)層的阻焊層6，該阻焊層6設置在雙面印刷基板I上表面，覆蓋控制電路圖案2。
[0104]根據(jù)上述結構，能夠抑制下述情況，S卩，在通過傳遞模塑成型設置模塑樹脂17時的熱循環(huán)中，由于模塑樹脂17的線膨脹系數(shù)、控制電路圖案2的材料即Cu材料的線膨脹系數(shù)、及環(huán)氧片3的材料即環(huán)氧樹脂材料的線膨脹系數(shù)之間的差異而產(chǎn)生應力，導致模塑樹脂17剝離。
[0105]另外，根據(jù)本發(fā)明涉及的實施方式，環(huán)氧片3在其表面或內(nèi)部具有板狀或網(wǎng)格狀的作為金屬屏蔽層的屏蔽體4。
[0106]根據(jù)上述結構，能夠抑制SiC設備等中在進行高頻切換時可能產(chǎn)生的噪聲。
[0107]另外，根據(jù)本發(fā)明涉及的實施方式，基板一體型電極10與作為半導體元件的功率用半導體裝置12接合，在該接合部分的周邊形成有開口部23。[0108]根據(jù)上述結構，通過將功率用半導體裝置12和基板一體型電極10接合的部分的周圍設為開口部23，從而能夠通過目視檢查容易地確認該接合部分的導通狀態(tài)等，能夠提高半導體裝置的可靠性。
[0109]另外，根據(jù)本發(fā)明涉及的實施方式，基板一體型電極10與功率用半導體裝置12接合，在該接合的接合部26處朝向功率用半導體裝置12側形成有凸形狀。
[0110]根據(jù)上述結構，通過對露出的板電極5進行壓花加工，從而提高與功率用半導體裝置12電連接的可靠度。另外，通過壓花加工而形成該形狀，從而能夠容易地確保功率用半導體裝置12和板電極5之間的用于緩和電場影響的間隙，與通過彎曲加工形成凸形狀的情況相比，還能夠實現(xiàn)裝置的高密度化。
[0111]另外，根據(jù)本發(fā)明涉及的實施方式，半導體裝置的制造方法具有:(a)在板狀的電極部件即板電極5上設置作為一體化絕緣片的環(huán)氧片3的工序；(b)在環(huán)氧片3上設置作為控制基板的雙面印刷基板1，將板電極5和雙面印刷基板I經(jīng)由環(huán)氧片3形成為一體的工序；以及(c)將在工序(b)中形成為一體而得到的基板一體型電極10與作為半導體元件的功率用半導體裝置12電連接的工序。
[0112]根據(jù)上述結構，將形成為一體的狀態(tài)的基板一體型電極10與功率用半導體裝置12連接，因此，該連接作業(yè)變得容易，能夠簡化半導體裝置的制造工序。
[0113]另外，根據(jù)本發(fā)明涉及的實施方式，半導體裝置的制造方法具有(d)在工序(C)之前，在基板一體型電極10的與功率用半導體裝置12接合的周邊形成開口部23的工序。
[0114]根據(jù)上述結構，通過目視確認功率用半導體裝置12和基板一體型電極10之間的電連接是否適當?shù)茸兊萌菀住Ｒ虼?，易于確保半導體裝置100的品質。
[0115]另外，根據(jù)本發(fā)明涉及的實施方式，半導體裝置的制造方法具有(e)在工序(C)之前，在基板一體型電極10的與功率用半導體裝置12接合的接合部26處，朝向功率用半導體裝置12側形成凸形狀的工序。
[0116]根據(jù)上述結構，通過對露出的板電極5進行壓花加工，從而提高與功率用半導體裝置12電連接的可靠度。
[0117]另外，根據(jù)本發(fā)明涉及的實施方式，半導體裝置的制造方法具有:(f)在工序(C)之前，在雙面印刷基板I兩個表面設置控制電路圖案2的工序；以及(g)在雙面印刷基板I的上表面設置對控制電路圖案2進行覆蓋的作為上表面阻絕層的阻焊層6的工序。
[0118]根據(jù)上述結構，能夠抑制下述情況，S卩，在通過傳遞模塑成型設置模塑樹脂17時的熱循環(huán)中，由于模塑樹脂17的線膨脹系數(shù)、控制電路圖案2的材料即Cu材料的線膨脹系數(shù)、及環(huán)氧片3的材料即環(huán)氧樹脂材料的線膨脹系數(shù)之間的差異而產(chǎn)生應力，導致模塑樹脂17剝離。
[0119]在本發(fā)明的實施方式中，還記載了各結構要素的材質、材料、實施條件等，但這些均是示例，并不限定于所記載的內(nèi)容。
[0120]此外，關于本發(fā)明，在其發(fā)明范圍內(nèi)能夠對本實施方式中的任意的結構要素進行變形或省略。
【權利要求】
1.一種半導體裝置，其具有: 板狀的電極部件； 在所述電極部件上設置的一體化絕緣片；以及 在所述一體化絕緣片上設置的控制基板， 該半導體裝置的特征在于，具有使所述電極部件和所述控制基板通過所述一體化絕緣片形成為一體的基板一體型電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于， 所述控制基板在其兩個表面上具有電路圖案， 該半導體裝置還具有上表面阻絕層，該上表面阻絕層設置在所述控制基板上表面，對所述電路圖案進行覆蓋。
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于， 該半導體裝置還具有下表面阻絕層，該下表面阻絕層設置在與設有所述上表面阻絕層的位置對應的所述電極部件下表面。
4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于， 所述一體化絕緣片在其表面或內(nèi)部具有板狀或網(wǎng)格狀的金屬屏蔽層。
5.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于， 該半導體裝置還具 有半導體元件，該半導體元件與所述基板一體型電極電連接。
6.根據(jù)權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于， 所述基板一體型電極與所述半導體元件接合，在該接合的部分的周邊形成有開口部。
7.根據(jù)權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于， 所述基板一體型電極與所述半導體元件接合，在該接合的接合部處朝向所述半導體元件側形成有凸形狀。
8.根據(jù)權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于， 所述基板一體型電極與所述半導體元件的陰極側電連接。
9.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有: Ca)在板狀的電極部件上設置一體化絕緣片的工序； (b)在所述一體化絕緣片上設置控制基板，將所述電極部件和所述控制基板經(jīng)由所述一體化絕緣片形成為一體的工序；以及 (C)將在所述工序(b)中形成為一體而得到的基板一體型電極與半導體元件電連接的工序。
10.根據(jù)權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 該半導體裝置的制造方法還具有，(d)在所述工序(C)之前，在所述基板一體型電極的與所述半導體元件接合的周邊形成開口部的工序。
11.根據(jù)權利要求9或10所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 該半導體裝置的制造方法還具有，(e)在所述工序(C)之前，在所述基板一體型電極的與所述半導體元件接合的接合部處朝向所述半導體元件側形成凸形狀的工序。
12.根據(jù)權利要求9或10所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 該半導體裝置的制造方法還具有:(f)在所述工序(c)之前，在所述控制基板的兩個表面上設置電路圖案的工序；以及(g)在所述控制基板上表面設置對所述電路圖案進行覆蓋的上表面阻絕層的工序。
13.根據(jù)權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 該半導體裝置的制造方法還具有，(h)在與所述工序(g)中設置的所述上表面阻絕層的位置對應的所述電極部件下表面，設置下表面阻絕層的工序。
【文檔編號】H01L21/60GK103972277SQ201410045315
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年2月7日 優(yōu)先權日:2013年2月6日
【發(fā)明者】山口義弘 申請人:三菱電機株式會社