一種陣列基板及其制作方法、修復(fù)方法及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制作方法、修復(fù)方法及顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠在減小寄生電容的基礎(chǔ)上增大像素的修復(fù)區(qū)域。該陣列基板包括薄膜晶體管、像素電極、橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線以及修復(fù)層。該修復(fù)層與像素電極電連接，其面積在設(shè)定的修復(fù)層面積范圍內(nèi)，并且修復(fù)層的圖案包括至少一個鏤空部。
【專利說明】一種陣列基板及其制作方法、修復(fù)方法及顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、修復(fù)方法及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCDCThin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管-液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點，而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當中。TFT-LCD由陣列基板和彩膜基板構(gòu)成。在陣列基板和彩膜基板中充入液晶，通過控制液晶的偏轉(zhuǎn)，從而實現(xiàn)對光線強弱的控制，然后通過彩膜基板，實現(xiàn)圖像顯示。
[0003]現(xiàn)有TFT-1XD的制造工藝主要包括四個階段，分別為彩色濾光片制備、Array (陣列基板制造)工藝、Cell (成盒)工藝以及Module (模塊組裝)工藝。在上述Cell工藝與Module工藝之間還設(shè)置有Cell Test (成盒檢測)工藝。在Cell Test工藝過程中發(fā)現(xiàn)，當灰塵、有機物、金屬等雜質(zhì)吸附到顯示面板內(nèi)靠近彩膜(color filter，彩色濾光片)的區(qū)域時，對應(yīng)于這些區(qū)域的亞像素常會透射出比其他正常的亞像素的亮度明亮得多的光，即發(fā)生亮點像素缺陷(Bright Pixel Defect)現(xiàn)象。例如，以常白畫面顯示模式的液晶面板為例，此類液晶面板中像素點在不通電的情況下呈現(xiàn)白色，正常情況下像素點在通電后呈現(xiàn)黑色，如果像素點在通電后還呈現(xiàn)白色而不能變?yōu)楹谏脑?，該像素點則稱之為亮像素點。上述不受控制的亮點像素能夠?qū)е滤鲲@示面板產(chǎn)生漏光并嚴重影響顯示面板的品質(zhì)，因此需要對具有亮點像素瑕疵的亞像素進行修復(fù)。
[0004]以一種現(xiàn)有技術(shù) 顯示面板為例，如圖1所示，包括:橫縱交叉的柵線11和數(shù)據(jù)線12，在柵線11和數(shù)據(jù)線12的交叉位置處設(shè)置有薄膜晶體管(TFT)，該顯示面板內(nèi)還設(shè)置有平行于柵線11的公共電極線13，以及與TFT的漏極相連接的像素電極14。為修復(fù)該顯示面板中存在的亮點缺陷，通常利用激光焊接工藝對存在亮點缺陷的像素點進行暗化處理，具體為在存在亮點缺陷的像素電極14上設(shè)置修復(fù)點(repair)點15，并對其進行激光焊接，通過激光方法熔接打孔，使得形成像素電極14的ITO融化并與形成TFT柵極的柵極金屬層電連接導(dǎo)通。此時，存在亮點缺陷的像素點的驅(qū)動電壓隨信號電壓的變化而改變，該像素點的液晶分子始終處于旋轉(zhuǎn)狀態(tài)而呈現(xiàn)暗像素點的效果。
[0005]在現(xiàn)有的修復(fù)過程中，為了降低像素電極14與柵線11之間寄生電容的耦合作用以避免出現(xiàn)顯示效果下降(柵極電壓跳變會引起像素內(nèi)部電荷重新分配，從而導(dǎo)致像素電壓變化)，因此需要將修復(fù)點15設(shè)置的很小以減小上述寄生電容的耦合作用。然而這樣一來會提高修復(fù)精度，加大了激光打孔對位修復(fù)的難度，從而使得由于維修時激光打偏而造成的修復(fù)失敗現(xiàn)象的產(chǎn)生幾率增加，進而降低了產(chǎn)品的良率以及生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制作方法、修復(fù)方法及顯示裝置。能夠在減小寄生電容的基礎(chǔ)上增大像素的修復(fù)區(qū)域。
[0007]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0008]本發(fā)明實施例的一方面提供一種陣列基板，包括:薄膜晶體管、像素電極以及橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，還包括:
[0009]修復(fù)層，所述修復(fù)層與所述像素電極電連接，所述修復(fù)層的面積在設(shè)定的修復(fù)層面積范圍內(nèi)；
[0010]所述修復(fù)層的圖案包括至少一個鏤空部。
[0011]本發(fā)明實施例的另一方面提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板。
[0012]本發(fā)明實施例的又一方面提供一種如上所述的任意一種陣列基板的制作方法，包括形成薄膜晶體管、像素電極以及橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線的方法，還包括:
[0013]在基板上一體形成與所述像素電極電連接的修復(fù)層。
[0014]本發(fā)明實施例的又一方面提供一種陣列基板修復(fù)方法，包括對如上所述的任意一種陣列基板進行修復(fù)的方法，包括:
[0015]在修復(fù)層的圖案表面，當修復(fù)光斑與非鏤空部相接觸時，通過所述修復(fù)光斑熔融形成第一過孔，以使得所述非鏤空部通過所述第一過孔與薄膜晶體管的柵極電連接。
[0016]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制作方法、修復(fù)方法及顯示裝置。該陣列基板包括薄膜晶體管、像素電極、橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線以及修復(fù)層。該修復(fù)層與像素電極電連接，其面積在設(shè)定的修復(fù)層面積范圍內(nèi)，并且修復(fù)層的圖案包括至少一個鏤空部。這樣一來，可以通過上述鏤空部減小該修復(fù)層與柵線或公共電極或公共電極線之間寄生電容的耦合作用，并且通過增大修復(fù)層的面積，在像素亮點修復(fù)過程中，可以降低修復(fù)激光進行對位修復(fù)時的難度，從而提高修復(fù)效率，增加產(chǎn)品的良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的不意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的示意圖；
[0020]圖3本發(fā)明實施例提供的一種修復(fù)層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4a為發(fā)明實施例提供的另一種修復(fù)層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4b為發(fā)明實施例提供的另一種修復(fù)層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4c為發(fā)明實施例提供的又一種修復(fù)層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4d為發(fā)明實施例提供的又一種修復(fù)層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5為本發(fā)明實施例提供的一種過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的示意圖。
【具體實施方式】[0027]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0028]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，如圖2所示，包括:薄膜晶體管TFT、像素電極14以及橫縱交叉的柵線11和數(shù)據(jù)線12，還可以包括:
[0029]修復(fù)層20，修復(fù)層20與像素電極14電連接。修復(fù)層20的面積在設(shè)定的修復(fù)層面積范圍內(nèi)。
[0030]需要說明的是，本發(fā)明實施例中，修復(fù)層20可以為構(gòu)成寄生電容的上基板或下基板(例如，如圖2所示，修復(fù)層20與柵線11構(gòu)成寄生電容，該修復(fù)層20可以為上述寄生電容的上基板)。因此，圖2中的修復(fù)層20不包含柵線11與像素電極14之間的連接部分。
[0031]如圖3所示，修復(fù)層20的圖案包括至少一個鏤空部201。
[0032]需要說明的是，在對像素亮點修復(fù)的過程中，需要通過修復(fù)激光器發(fā)射出修復(fù)激光，該修復(fù)激光的光斑(即修復(fù)光斑21)落入修復(fù)層20所在區(qū)域時，才能將其熔融，進而可以對像素進行修復(fù)。因此，上述設(shè)定的修復(fù)層面積范圍可以是一個預(yù)設(shè)定的面積范圍，具體的可以根據(jù)上述修復(fù)光斑的面積來確定。例如，修復(fù)層20的面積設(shè)置為大于至少一個上述修復(fù)光斑21的面積，可使得修復(fù)光斑21落入修復(fù)層20所在區(qū)域的幾率增大。
[0033]由于該修復(fù)光斑的直徑d的范圍一般可以為5 iim?IOii m。因此為了實現(xiàn)修復(fù)過程，優(yōu)選的，該修復(fù)層20的面積可以大于16 ym2。
[0034]此外，當修復(fù)層20的圖案包括鏤空部201時，該修復(fù)層20的面積包括鏤空部201的面積。因為修復(fù)層20的面積需要大于16 u m2,以使得至少一個修復(fù)光斑21在修復(fù)過程中能夠落入修復(fù)層20內(nèi)，從而對像素進行修復(fù)，而鏤空部201存在的目的是為了減小修復(fù)層201與陣列基板上其他薄膜層例如柵線11、公共電極10或公共電極線101之間產(chǎn)生的寄生電容。
[0035]需要說明的是，在制作上述鏤空部201時，可以盡可能的增大鏤空部201的面積，從而可以最大限度的減小修復(fù)層與該陣列基板其它導(dǎo)電層(例如柵線11以及公共電極10)之間寄生電容，進而減小由該寄生電容引起的電容耦合作用。以防止寄生電容的存在對像素的顯示品質(zhì)造成不良影響。
[0036]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板。該陣列基板包括薄膜晶體管、像素電極、橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線以及修復(fù)層。該修復(fù)層與像素電極電連接，其面積在設(shè)定的修復(fù)層面積范圍內(nèi)，并且修復(fù)層的圖案包括至少一個鏤空部。這樣一來，可以通過上述鏤空部減小該修復(fù)層與柵線或公共電極或公共電極線之間寄生電容的耦合作用，并且通過增大修復(fù)層的面積，在像素亮點修復(fù)過程中，可以降低修復(fù)激光進行對位修復(fù)時的難度，從而提高修復(fù)效率，增加產(chǎn)品的良率。
[0037]進一步地，鏤空部201的形狀可以選自:圓環(huán)形(如圖2或4b所示)、矩形(如圖4a所示)、三角形(圖中未示出)、網(wǎng)格形(如圖4c所示)。具體的，該鏤空部201的圖形可以包括全封閉式和/或半封閉式。例如，如圖4a所示的矩形鏤空部201均為半封閉式。又例如，如圖2或4b所示的圓環(huán)形鏤空部201均為半封閉式。再例如，如圖4c所示的網(wǎng)格形鏤空部201，其左、右兩側(cè)為半封閉式而位于中央部位的鏤空部201為全封閉式。由于采用半封閉式的鏤空部201可以減小上述寄生電容的耦合作用，而采用全封閉式的鏤空部201可以增大修復(fù)光斑21與修復(fù)層20的接觸面積，從而能夠保證在激光熔損過程中有足夠熔融狀態(tài)的修復(fù)層與TFT的柵極或其它層級結(jié)構(gòu)導(dǎo)通，進而完成修復(fù)過程。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際的生產(chǎn)加工情況對半封閉式或全封閉式的鏤空部201的數(shù)量和形狀進行設(shè)計，以使得在能夠減小寄生電容的耦合作用的基礎(chǔ)上實現(xiàn)亮點修復(fù)。
[0038]進一步地，修復(fù)層20的圖案還可以包括至少兩個非鏤空部202 ;其中兩個相鄰的非鏤空部202之間間隔距離在設(shè)定的間隔距離范圍之內(nèi)。
[0039]需要說明的是，上述設(shè)定的間隔距離范圍可以是一個預(yù)設(shè)定的間隔距離范圍。具體的可以根據(jù)修復(fù)光斑21的面積來確定。由于修復(fù)光斑21的直徑范圍一般可以為5 μ m?IOum0因此，優(yōu)選的，兩個相鄰的非鏤空部202之間間隔距離可以為4μπι?9 μ m。即兩個相鄰的非鏤空部202之間的間隔距離小于修復(fù)光斑21的直徑d。這樣一來，能夠保證修復(fù)光斑21能夠與非鏤空部202相接觸，從而實現(xiàn)像素修復(fù)的過程。
[0040]需要說明的是，兩個相鄰的非鏤空部202之間的間隔距離小于修復(fù)光斑的直徑d，具體是指:例如，如圖4a所示的鏤空部201橫向間隙的寬度為dl ;如圖4b所示的鏤空部201橫向間隙的寬度為d2，縱向間隙的寬度為el ;如圖4c所示的鏤空部201橫向間隙的寬度為d3，縱向間隙的寬度為e2 ;如圖4d所示的鏤空部201橫向間隙的寬度為d4，縱向間隙的寬度為e3。因此，對于直徑為d的修復(fù)光斑21而言，當兩個相鄰的非鏤空部202之間的間隔距離小于修復(fù)光斑的直徑d,需要d > dl ;d > d2 ;d > d3 ；d > d4 ；d > el ；d > e2 ；d> e3即可。當然，上述僅僅是對鏤空部201形狀的具體說明，其它形狀的鏤空部在此不再一一舉例，但都應(yīng)當輸入本發(fā)明的保護范圍。
[0041]這樣一來，通過在修復(fù)層20的圖案上設(shè)置多個鏤空部201，可以在不增大修復(fù)層20與柵線11或公共電極10之間的寄生電容的前提下，通過增大修復(fù)層20的面積，來降低對像素進行修復(fù)時的對位精度要求，從而能夠防止修復(fù)層20與修復(fù)光斑21由于設(shè)備對位偏差或者人員操作問題而導(dǎo)致的修復(fù)失敗等不良問題的產(chǎn)生，從而可以提高亮點像素的修復(fù)成功幾率。
[0042]需要說明的是，修復(fù)層20與像素電極14電連接，具體可以是，在確保修復(fù)層20與像素電極14能夠電連接的前提下，修復(fù)層20可以與像素電極14同層設(shè)置，還可以與像素電極14異層設(shè)置。本領(lǐng)域技術(shù)人員，可以根據(jù)實際生產(chǎn)需要進行選擇。
[0043]當修復(fù)層20與像素電極14同層設(shè)置時，修復(fù)層20可以與像素電極14為一體結(jié)構(gòu)。這樣一來，可以將修復(fù)層20與像素電極14通過一次構(gòu)圖工藝同層形成，從而能夠簡化制作工序。
[0044]需要說明的是，在像素亮點修復(fù)過程中，采用激光發(fā)射出具有高能量的修復(fù)光斑21，當修復(fù)光斑21與非鏤空部202相接觸時，會在非鏤空部202區(qū)域形成過孔，該非鏤空部202受熱熔融，其中修復(fù)層20的非鏤空部202可以采用IT0(Indium tin oxide，氧化銦錫)制成。熔融后的ITO沿著上述過孔的孔壁流動，通過上述過孔該陣列基板中的其它導(dǎo)電膜層相連接，以使得存在亮點缺陷的像素點的驅(qū)動電壓能夠隨信號電壓的變化而改變，該像素點的液晶分子就可以始終處于旋轉(zhuǎn)狀態(tài)而呈現(xiàn)暗像素點的效果，從而達到修復(fù)亮點像素的目的。
[0045]具體的，對于如圖2所示的TN (Twist Nematic，扭曲向列)型顯示裝置而言，如圖5所示，非鏤空部202通過第一過孔203與TFT的柵極電連接，其中，該第一過孔203通過修復(fù)光斑21將非鏤空部202進行熔融而形成。這樣一來，可以通過修復(fù)層20與TFT的柵極的電連接使得存在亮點缺陷的像素點的驅(qū)動電壓隨信號電壓的變化而改變，從而實現(xiàn)像素的修復(fù)過程。
[0046]需要說明的是，TN型顯示裝置，采用垂直電場原理的液晶顯示器，通過被相對布置在彩膜基板上的公共電極和在陣列基板上的像素電極之間形成垂直電場來驅(qū)動求轉(zhuǎn)向列模式的液晶(垂直電場液晶顯示器具有大孔徑比的優(yōu)點，而且具有約90°的窄視角的缺點)。
[0047]或者，
[0048]又例如，對于AD-SDS (Advanced-Super Dimensional Switching,簡稱為 ADS,高級超維場開關(guān))型顯示裝置而言，陣列基板還可以包括公共電極10和公共電極線101。如圖6所示，由于狹縫狀的像素電極14與平面狀的公共電極10相互重疊，因此，其陣列基板中的修復(fù)層20可以為位于兩條狹縫之間的像素電極14，該修復(fù)層20圖案的非鏤空部202通過第二過孔204與公共電極10或公共電極線101電連接。其中，該第二過孔204通過修復(fù)光斑21將非鏤空部202進行熔融而形成。這樣一來，可以通過修復(fù)層20與公共電極10或公共電極線101的電連接使得存在亮點缺陷的像素點的驅(qū)動電壓隨信號電壓的變化而改變，從而實現(xiàn)像素的修復(fù)過程。
[0049]需要說明的是，AD-SDS型顯示裝置，通過同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。ADS型顯示裝置的公共電極和像素電極均設(shè)置在陣列基板上。公共電極和像素電極可以異層設(shè)置，其中位于上層的電極包含多個條形電極，位于下層的電極包含多個條形電極或為平板形。
[0050]需要說明的是，由于本發(fā)明實施例提供的修復(fù)層20所在區(qū)域得到擴大，因此，可以在該區(qū)域內(nèi)采用激光通過兩個(如圖4a、4b、4c)或者更多(如圖4c所示)的修復(fù)光斑21來提高熔接成功率，從而能夠更有效的提高亮點像素修復(fù)的適用性和可靠性。
[0051]本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板，具有與本發(fā)明前述實施例提供的陣列基板相同的有益效果，由于該陣列基板在前述實施例中已經(jīng)進行了詳細說明，此處不再贅述。
[0052]在本發(fā)明實施例中，顯示裝置具體可以包括液晶顯示裝置，例如該顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機或平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0053]本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置包括陣列基板。該陣列基板包括薄膜晶體管、像素電極、橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線以及修復(fù)層。該修復(fù)層與像素電極電連接，其面積在設(shè)定的修復(fù)層面積范圍內(nèi)，并且修復(fù)層的圖案包括至少一個鏤空部。這樣一來，可以通過上述鏤空部減小該修復(fù)層與柵線或公共電極或公共電極線之間寄生電容的耦合作用，并且通過增大修復(fù)層的面積，在像素亮點修復(fù)過程中，可以降低修復(fù)激光進行對位修復(fù)時的難度，從而提高修復(fù)效率，增加產(chǎn)品的良率。
[0054]本發(fā)明實施例提供一種如上所述的任意一種陣列基板的制作方法，包括形成薄膜晶體管TFT、像素電極14以及橫縱交叉的柵線11和數(shù)據(jù)線12的方法，還可以包括:
[0055]在基板上一體形成與像素電極14電連接的修復(fù)層20。
[0056]具體的可以通過構(gòu)圖工藝在基板上一體形成與像素電極14電連接的修復(fù)層20。其中構(gòu)圖工藝，可指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0057]本發(fā)明實施例提供一種如上所述的任意一種陣列基板的制作方法。該方法包括制作薄膜晶體管、像素電極、橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線的方法，還包括在基板上形成修復(fù)層。該修復(fù)層與像素電極電連接，其面積在設(shè)定的修復(fù)層面積范圍內(nèi)。該修復(fù)層的圖案上形成至少一個鏤空部。這樣一來，可以通過鏤空部減小該修復(fù)層圖案與柵線或公共電極或公共電極線之間寄生電容的耦合作用，并且通過增大修復(fù)層的面積可以降低修復(fù)激光進行對位修復(fù)時的難度，從而提高修復(fù)效率，增加產(chǎn)品的良率。
[0058]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板方法，包括對如上所述的任意一種陣列基板進行修復(fù)的方法。
[0059]需要說明的是，在像素亮點修復(fù)過程中，采用激光發(fā)射出具有高能量的修復(fù)光斑21，當上述修復(fù)光斑21與非鏤空部202相接觸時，會在非鏤空部202區(qū)域形成過孔，該非鏤空部202受熱熔融，其中，非鏤空部202可以采用ITO (Indium tin oxide，氧化銦錫)制成。熔融后的ITO沿著上述過孔的孔壁流動，通過上述過孔該陣列基板中的其它導(dǎo)電膜層相連接，以使得存在亮點缺陷的像素點的驅(qū)動電壓能夠隨信號電壓的變化而改變，該像素點的液晶分子就可以始終處于旋轉(zhuǎn)狀態(tài)而呈現(xiàn)暗像素點的效果，從而達到修復(fù)亮點像素的目的。
[0060]具體的，對于如圖2所示的TN (Twist Nematic，扭曲向列)型顯示裝置而言，上述修復(fù)方法可以包括:
[0061]如圖5所示，在修復(fù)層20的圖案表面，當修復(fù)光斑21與非鏤空部202相接觸時，通過修復(fù)光斑21熔融形成第一過孔203，以使得非鏤空部202通過第一過孔203與TFT的柵極電連接。
[0062]其中，所述第一過孔203通過修復(fù)光斑21與非鏤空部202相接觸并對其熔融而形成。這樣一來，可以通過修復(fù)層20與TFT的柵極的電連接使得存在亮點缺陷的像素點的驅(qū)動電壓隨信號電壓的變化而改變，從而實現(xiàn)像素的修復(fù)過程。
[0063]需要說明的是，TN型顯示裝置，采用垂直電場原理的液晶顯示器，通過被相對布置在彩膜基板上的公共電極和在陣列基板上的像素電極之間形成垂直電場來驅(qū)動求轉(zhuǎn)向列模式的液晶(垂直電場液晶顯示器具有大孔徑比的優(yōu)點，而且具有約90°的窄視角的缺點)。
[0064]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的修復(fù)方法，包括對上述任意一種陣列基板進行修復(fù)的方法。該方法包括在修復(fù)層的圖案表面，當修復(fù)光斑與非鏤空部相接觸時，通過修復(fù)光斑熔融形成第一過孔，以使得非鏤空部通過第一過孔與TFT的柵極電連接。這樣一來，可以通過鏤空部減小該修復(fù)層圖案與柵線之間寄生電容的耦合作用，并且通過增大修復(fù)層圖案的面積可以降低修復(fù)激光進行對位修復(fù)時的難度，從而提高修復(fù)效率，增加產(chǎn)品的良率。[0065]或者，
[0066]又例如，對于AD-SDS (Advanced-Super Dimensional Switching,簡稱為 ADS,高級超維場開關(guān))型顯示裝置而言，陣列基板還包括公共電極10和公共電極線101，因此上述修復(fù)方法還可以包括:
[0067]如圖6所示，在修復(fù)層20的圖案表面，當修復(fù)光斑21與非鏤空部202相接觸時，通過修復(fù)光斑21熔融形成第二過孔204，以使得非鏤空部202通過第二過孔204與公共電極10或公共電極線101電連接。
[0068]其中，第二過孔204通過修復(fù)光斑21與非鏤空部202相接觸并對其熔融而形成。這樣一來，可以通過修復(fù)層20與公共電極10或公共電極線101的電連接使得存在亮點缺陷的像素點的驅(qū)動電壓隨信號電壓的變化而改變，從而實現(xiàn)像素的修復(fù)過程。
[0069]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:薄膜晶體管、像素電極以及橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，其特征在于，還包括: 修復(fù)層，所述修復(fù)層與所述像素電極電連接，所述修復(fù)層的面積在設(shè)定的修復(fù)層面積范圍內(nèi)； 所述修復(fù)層的圖案包括至少一個鏤空部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述鏤空部的形狀選自:圓環(huán)形、矩形、三角形、網(wǎng)格形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述修復(fù)層的圖案還包括至少兩個非鏤空部；其中兩個相鄰的所述非鏤空部之間間隔距離在設(shè)定的間隔距離范圍之內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述修復(fù)層的面積大于16ym2。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述兩個相鄰的所述非鏤空部之間間隔距離為4iim?9iim。
6.根據(jù)權(quán)利要求1任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述修復(fù)層與所述像素電極為一體結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述非鏤空部通過第一過孔與所述薄膜晶體管的柵極電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括公共電極和公共電極線，所述非鏤空部通過第二過孔與所述公共電極或所述公共電極線電連接。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項所述的陣列基板。
10.一種如權(quán)利要求1?8中任一項所述的陣列基板的制作方法，包括形成薄膜晶體管、像素電極以及橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線的方法，其特征在于，還包括: 在基板上一體形成與所述像素電極電連接的修復(fù)層。
11.一種陣列基板修復(fù)方法，其特征在于，包括對如權(quán)利要求1?7中任一項所述的陣列基板進行修復(fù)的方法，包括: 在修復(fù)層的圖案表面，當修復(fù)光斑與非鏤空部相接觸時，通過所述修復(fù)光斑熔融形成第一過孔，以使得所述非鏤空部通過所述第一過孔與薄膜晶體管的柵極電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板修復(fù)方法，其特征在于，所述陣列基板還包括公共電極和公共電極線，所述方法還包括: 在所述修復(fù)層的圖案表面，當修復(fù)光斑與所述非鏤空部相接觸時，通過所述修復(fù)光斑熔融形成第二過孔，以使得所述非鏤空部通過所述第二過孔與公共電極或公共電極線電連接。
【文檔編號】H01L27/12GK103792747SQ201410046075
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2014年2月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月10日
【發(fā)明者】張明, 劉勃, 高連龍, 馬興, 王洪惠 申請人:北京京東方顯示技術(shù)有限公司, 京東方科技集團股份有限公司