一種抗靜電的led的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種抗靜電的LED，所述的一種抗靜電的LED包括芯片、電極、封裝、下層環(huán)氧樹脂和摻有抗靜電劑的上層環(huán)氧樹脂，所述的封裝為中部設(shè)有凹槽的六面體（以下簡稱封裝），此封裝摻有抗靜電劑，所述的芯片安裝在凹槽的底部中心，所述的電極連接在芯片正負(fù)極兩端，伸出封裝外，所述的下層環(huán)氧樹脂直接接觸凹槽底部的芯片，所述的摻有抗靜電劑的上層環(huán)氧樹脂在下層環(huán)氧樹脂之上。本發(fā)明通過在封裝和上層環(huán)氧樹脂中摻入抗靜電劑，從而使得LED具有抗靜電的特性。
【專利說明】—種抗靜電的LED
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明公開了一種LED，特別是一種抗靜電的LED。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著社會(huì)的發(fā)展，LED已廣泛地被應(yīng)用在各行各業(yè)之中。LED的主要結(jié)構(gòu)為芯片、連接在在芯片上的正負(fù)極管腳以及密封包覆晶片的封裝。LED內(nèi)部的PN結(jié)在應(yīng)用到電子產(chǎn)品的制造、組裝篩選、測試、包裝、儲(chǔ)運(yùn)及安裝使用等環(huán)節(jié)，難免不受靜電感應(yīng)影響而產(chǎn)生感應(yīng)電荷。若電荷得不到及時(shí)釋放，將在兩個(gè)電極上形成的較高電位差，當(dāng)電荷能量達(dá)到LED的承受極限值，電荷將會(huì)在瞬間釋放。在極短的瞬間對(duì)LED芯片的兩個(gè)電極之間進(jìn)行放電，瞬間將在兩個(gè)電極之間的導(dǎo)電層、發(fā)光層等芯片內(nèi)部物質(zhì)產(chǎn)生局部的高溫，溫度高達(dá)1400°C，這種極端高溫下將兩電極之間的材料層熔融，熔成一個(gè)小洞，從而造成各類漏電、死燈、變暗的異?，F(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)以上問題，本發(fā)明公開了一種抗靜電的LED，將抗靜電劑分別摻入凹槽底部上層環(huán)氧樹脂中和封裝內(nèi)，在保證LED顯示質(zhì)量的同時(shí)，降低摩擦系數(shù)、抑制和減少靜電荷產(chǎn)生，增加導(dǎo)電性，提高了 LED的可靠性。
[0004]本發(fā)明公開了一種抗靜電的LED,所述的一種抗靜電的LED包括芯片、電極、封裝、下層環(huán)氧樹脂和摻有抗靜電劑的上層環(huán)氧樹脂，所述的封裝為中部設(shè)有凹槽的六面體(以下簡稱封裝)，此封裝摻有抗靜電劑，所述的芯片安裝在凹槽的底部中心，所述的電極連接在芯片正負(fù)極兩端，伸出封裝外，所述的下層環(huán)氧樹脂直接接觸凹槽底部的芯片，所述的摻有抗靜電劑的上層環(huán)氧樹脂在`下層環(huán)氧樹脂之上。
[0005]本發(fā)明公開的一種抗靜電的LED，在封裝內(nèi)摻入抗靜電劑。
[0006]本發(fā)明公開的一種抗靜電的LED，在凹槽底部上層環(huán)氧樹脂中摻入抗靜電劑。
[0007]本發(fā)明公開的一種抗靜電的LED，直接接觸凹槽底部芯片的下層環(huán)氧樹脂不添加或可添加微量抗靜電劑。
[0008]本發(fā)明公開的一種抗靜電的LED，在凹槽底部上層環(huán)氧樹脂中摻入的抗靜電劑質(zhì)量百分比為0.1-20%。
[0009]本發(fā)明公開的一種抗靜電的LED，摻入的抗靜電劑可以為高分子永久型、陽離子型，陰離子型，兩性型和非離子型。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1.本發(fā)明公開的一種抗靜電的LED結(jié)構(gòu)示意圖。
1.芯片2.電極3.封裝
4.下層環(huán)氧樹脂 5.摻有抗靜電劑的上層環(huán)氧樹脂【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解下述【具體實(shí)施方式】僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。
[0012]如圖一所不，本發(fā)明公開了一種抗靜電的LED,所述的一種抗靜電的LED包括芯片
1、電極2、封裝3、下層環(huán)氧樹脂4和摻有抗靜電劑的上層環(huán)氧樹脂5，所述的封裝3為中部設(shè)有凹槽6的六面體(以下簡稱封裝)，此封裝3摻有抗靜電劑，所述的芯片I安裝在凹槽6的底部中心，所述的電極2連接在芯片I正負(fù)極兩端，伸出封裝外，所述的下層環(huán)氧樹脂4直接接觸凹槽6底部的芯片I，所述的摻有抗靜電劑的上層環(huán)氧樹脂5在下層環(huán)氧樹脂4之上。
[0013]作為一種優(yōu)選，在封裝內(nèi)摻入抗靜電劑。
[0014]作為一種優(yōu)選，在凹槽底部上層環(huán)氧樹脂中摻入抗靜電劑。
[0015]作為一種優(yōu)選，直接接觸凹槽底部芯片的下層環(huán)氧樹脂不添加或可添加微量抗靜電劑。
[0016]作為一種優(yōu)選，在凹槽底部上層環(huán)氧樹脂中摻入的抗靜電劑質(zhì)量百分比為
0.1-20%O
[0017]作為一種優(yōu)選，摻入的抗靜電劑可以為高分子永久型、陽離子型，陰離子型，兩性型和非離子型。
【權(quán)利要求】
1.一種抗靜電的LED,其特征在于:所述的一種抗靜電的LED包括芯片、電極、封裝、下層環(huán)氧樹脂和摻有抗靜電劑的上層環(huán)氧樹脂，所述的封裝為中部設(shè)有凹槽的六面體(以下簡稱封裝)，此封裝摻有抗靜電劑，所述的芯片安裝在凹槽的底部中心，所述的電極連接在芯片正負(fù)極兩端，伸出封裝外，所述的下層環(huán)氧樹脂直接接觸凹槽底部的芯片，所述的摻有抗靜電劑的上層環(huán)氧樹脂在下層環(huán)氧樹脂之上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗靜電的LED，其特征在于:在封裝內(nèi)摻入抗靜電劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗靜電的LED，其特征在于:在凹槽底部上層環(huán)氧樹脂中摻入抗靜電劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗靜電的LED，其特征在于:直接接觸凹槽底部芯片的下層環(huán)氧樹脂不含有抗靜電劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗靜電的LED，其特征在于:在凹槽底部上層環(huán)氧樹脂中摻入的抗靜電劑質(zhì)量百分比為0.1-20%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗靜電的LED，其特征在于:摻入的抗靜電劑可以為高分子永久型、陽離子型，陰離子型，兩性型和非離子型。
【文檔編號(hào)】H01L33/52GK103824930SQ201410046543
【公開日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2014年2月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月10日
【發(fā)明者】朱長進(jìn), 于振波, 周夢(mèng)雅 申請(qǐng)人:南京菱亞汽車技術(shù)研究院