一種襯底及其回收再利用的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提出了一種襯底及其回收再利用的方法，其中一種能夠回收再利用的襯底，包括：生長(zhǎng)襯底和預(yù)置轉(zhuǎn)換層，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠?qū)⑺錾L(zhǎng)襯底轉(zhuǎn)換為反射襯底；其中一種襯底進(jìn)行回收再利用的方法，包括以下步驟：所述生長(zhǎng)襯底依次外延生長(zhǎng)所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層和所述功能層，利用腐蝕液選擇性消除所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層，所得的所述生長(zhǎng)襯底經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，進(jìn)行再利用，所得的所述功能層經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，通過(guò)沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍制備介質(zhì)層和銀鏡，通過(guò)電鍍方式制備銅襯底。本發(fā)明的生長(zhǎng)襯底可以重復(fù)利用，節(jié)省成本；同時(shí)生長(zhǎng)襯底的As不會(huì)帶入后續(xù)工藝流程，降低工業(yè)廢水的污染治理成本，使得其具有明顯的技術(shù)先進(jìn)性和良好的經(jīng)濟(jì)效益。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種襯底及其回收再利用的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED領(lǐng)域，特別是指一種襯底及其回收再利用的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有發(fā)光器件的外延結(jié)構(gòu)的制備過(guò)程中，將生長(zhǎng)襯底一次性使用，或者將其直接作為外延結(jié)構(gòu)的襯底形成產(chǎn)品，或者將其磨薄后隨外延結(jié)構(gòu)形成產(chǎn)品。生長(zhǎng)襯底大都作為外延結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的一部分。
[0003]目前使用的紅黃光外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)襯底是GaAs，使用這種生長(zhǎng)襯底的外延結(jié)構(gòu)產(chǎn)品則會(huì)含砷。在使用這種生長(zhǎng)襯底的外延結(jié)構(gòu)的制備過(guò)程中，如果應(yīng)用了生長(zhǎng)襯底減薄工藝，則工業(yè)廢水中將含有GaAs顆粒，增加了工業(yè)廢水的污染，同時(shí)提高了企業(yè)排污和廢水處理的成本。其中的腐蝕停止層腐蝕速度慢，且消除不徹底,需要增加后續(xù)復(fù)雜的清除工藝。
[0004]本發(fā)明中生長(zhǎng)襯底的重復(fù)利用使得其具有明顯的技術(shù)先進(jìn)性和良好的經(jīng)濟(jì)效益。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明提出一種襯底及其回收再利用的方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中生長(zhǎng)襯底無(wú)法重復(fù)使用使得成本增加、造成環(huán)境污染的問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長(zhǎng)襯底和預(yù)置轉(zhuǎn)換層，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠?qū)⑺錾L(zhǎng)襯底轉(zhuǎn)換為反射襯底。
[0007]進(jìn)一步地，生長(zhǎng)襯底通過(guò)外延方式形成所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層通過(guò)外延方式形成功能層。
[0008]進(jìn)一步地，功能層通過(guò)粘附方式形成粘合層，所述粘合層附接支撐襯底；或者所述功能層通過(guò)鍵合介質(zhì)結(jié)合所述支撐襯底；所述支撐襯底具體為硅襯底、藍(lán)寶石襯底或石英襯底。
[0009]進(jìn)一步地，所述鍵合介質(zhì)能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。
[0010]進(jìn)一步地，鍵合介質(zhì)為光阻劑，所述光阻劑具體為有機(jī)膠介質(zhì)。
[0011]進(jìn)一步地，預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠被腐蝕液選擇性消除，所述腐蝕液具體為HF或Β0Ε。
[0012]進(jìn)一步地,生長(zhǎng)襯底包括GaAs。
[0013]進(jìn)一步地,所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層包括AlAs。
[0014]進(jìn)一步地，所述功能層包括外延層N區(qū)、有源區(qū)和外延層P區(qū)；所述反射襯底包括介質(zhì)層、銀鏡和銅襯底，所述介質(zhì)層包括Si02、ITO或Si3N4，所述銅襯底厚度范圍為70 μ m?150 μ m0
[0015]一種襯底進(jìn)行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0016]a)所述生長(zhǎng)襯底依次外延生長(zhǎng)形成所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層和所述功能層；
[0017]b)利用腐蝕液選擇性消除所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層；
[0018]c)經(jīng)步驟b)所得的所述生長(zhǎng)襯底經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，進(jìn)行再利用；
[0019]d)經(jīng)步驟b)所得的所述功能層經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，通過(guò)沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍制備介質(zhì)層和銀鏡，通過(guò)電鍍方式制備銅襯底。
[0020]進(jìn)一步地，一種襯底進(jìn)行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0021]A)所述生長(zhǎng)襯底依次外延生長(zhǎng)所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層和所述功能層；
[0022]B)所述功能層通過(guò)粘附的方式形成粘合層，所述粘合層附接支撐襯底；或者所述功能層通過(guò)鍵合介質(zhì)結(jié)合所述支撐襯底；
[0023]C)利用腐蝕液選擇性消除所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層；
[0024]D)經(jīng)步驟C)所得的所述生長(zhǎng)襯底經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，進(jìn)行再利用；
[0025]E)經(jīng)步驟C)所得的所述功能層經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，通過(guò)沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍制備介質(zhì)層和銀鏡，通過(guò)電鍍方式制備銅襯底。
[0026]進(jìn)一步地，所述表面處理步驟至多包括拋光步驟、檢測(cè)步驟以及位于所述拋光步驟之前和/或之后的清洗步驟，所述拋光步驟具體為化學(xué)拋光或機(jī)械拋光；所述清洗步驟具體為所述腐蝕液清洗或者水清洗；所述檢測(cè)步驟具體為光滑度檢測(cè)和表面清潔度檢測(cè)。
[0027]進(jìn)一步地，所述步驟E)之后執(zhí)行步驟G)，所述步驟G)通過(guò)有機(jī)溶劑溶解法消除所述粘合層或所述鍵合介質(zhì)，同時(shí)移除所述支撐襯底；所述步驟G)在50°C?100°C的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行。
[0028]進(jìn)一步地,所述步驟B)完成后,加熱至90°C?120°C維持IOmin?30min。
[0029]本發(fā)明的有益效果為:
[0030]I)生長(zhǎng)襯底可以重復(fù)利用，節(jié)省成本；
[0031]2)生長(zhǎng)襯底的As不會(huì)帶入發(fā)光器件制備的后續(xù)工藝流程，降低工業(yè)廢水的污染治理成本；
[0032]3)反射襯底具有良好的散熱性能。
【專(zhuān)利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0033]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0034]圖1為現(xiàn)有技術(shù)生長(zhǎng)襯底剝離外延片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖2為本發(fā)明生長(zhǎng)襯底重復(fù)利用的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖3為本發(fā)明生長(zhǎng)襯底回收再利用方法一個(gè)實(shí)施例的流程示意圖；
[0037]圖4為本發(fā)明生長(zhǎng)襯底回收再利用方法另一個(gè)實(shí)施例的流程示意圖；
[0038]圖5為圖4執(zhí)行步驟B)后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖6為圖4執(zhí)行步驟C)后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖7為執(zhí)行步驟d)或步驟G)后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041]圖中:
[0042]1、生長(zhǎng)襯底；2_1、腐蝕停止層；2_2、預(yù)置轉(zhuǎn)換層；3、外延層N區(qū)；4、有源區(qū)；5、夕卜延層P區(qū)；6、鍵合介質(zhì)；7、支撐襯底；8、介質(zhì)層；9、銀鏡；10、銅襯底。
【具體實(shí)施方式】[0043]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0044]實(shí)施例1
[0045]如圖2和圖7所示，本發(fā)明一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長(zhǎng)襯底I和預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠?qū)⑸L(zhǎng)襯底I轉(zhuǎn)換為反射襯底。生長(zhǎng)襯底I通過(guò)外延方式形成預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2通過(guò)外延方式形成功能層。
[0046]預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除，腐蝕液具體為BOE。
[0047]其中，生長(zhǎng)襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;反射襯底包括介質(zhì)層8、銀鏡9和銅襯底10，介質(zhì)層8包括SiO2,銅襯底10厚度為120 μ m。
[0048]相對(duì)于圖1所示的現(xiàn)有生長(zhǎng)襯底利用腐蝕停止層2-1的剝離情況，本發(fā)明采用BOE選擇性地腐蝕消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，消除徹底充分，使得生長(zhǎng)襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，進(jìn)而避免了生長(zhǎng)襯底I中的As對(duì)環(huán)境的污染。
[0049]實(shí)施例2
[0050]如圖2及圖5?7所示，本發(fā)明一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長(zhǎng)襯底I和預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠?qū)⑸L(zhǎng)襯底I轉(zhuǎn)換為反射襯底。生長(zhǎng)襯底I通過(guò)外延方式形成預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2通過(guò)外延方式形成功能層。功能層通過(guò)粘附方式形成粘合層，粘合層附接支撐襯底7。支撐襯底7具體為藍(lán)寶石襯底。
[0051]預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除，腐蝕液具體為HF。
[0052]其中，生長(zhǎng)襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;反射襯底包括介質(zhì)層8、銀鏡9和銅襯底10，介質(zhì)層8包括ΙΤ0，銅襯底10厚度為100 μ m。
[0053]相對(duì)于圖1所示的現(xiàn)有生長(zhǎng)襯底利用腐蝕停止層2-1的剝離情況，本發(fā)明采用HF選擇性地腐蝕消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，消除徹底充分，使得生長(zhǎng)襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，進(jìn)而避免了生長(zhǎng)襯底I中的As對(duì)環(huán)境的污染。實(shí)施例3
[0054]如圖2及圖5?7所示，本發(fā)明一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長(zhǎng)襯底I和預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠?qū)⑸L(zhǎng)襯底I轉(zhuǎn)換為反射襯底。生長(zhǎng)襯底I通過(guò)外延方式形成預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2通過(guò)外延方式形成功能層。功能層通過(guò)鍵合介質(zhì)6結(jié)合支撐襯底7，支撐襯底7具體為石英襯底。
[0055]預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除，腐蝕液具體為HF。鍵合介質(zhì)6能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。鍵合介質(zhì)6為光阻劑，光阻劑具體為有機(jī)膠介質(zhì)。
[0056]其中，生長(zhǎng)襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;反射襯底包括介質(zhì)層8、銀鏡9和銅襯底10，介質(zhì)層8包括Si3N4,銅襯底10厚度為70 μ m。
[0057]相對(duì)于圖1所示的現(xiàn)有生長(zhǎng)襯底利用腐蝕停止層2-1的剝離情況，本發(fā)明采用HF選擇性地腐蝕消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，消除徹底充分，使得生長(zhǎng)襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，進(jìn)而避免了生長(zhǎng)襯底I中的As對(duì)環(huán)境的污染。實(shí)施例4
[0058]如圖2及圖5?7所示，本發(fā)明一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長(zhǎng)襯底I和預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠?qū)⑸L(zhǎng)襯底I轉(zhuǎn)換為反射襯底。生長(zhǎng)襯底I通過(guò)外延方式形成預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2通過(guò)外延方式形成功能層。功能層通過(guò)鍵合介質(zhì)6結(jié)合支撐襯底7，支撐襯底7具體為硅襯底。
[0059]預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除，腐蝕液具體為Β0Ε。鍵合介質(zhì)6能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。鍵合介質(zhì)6為光阻劑，光阻劑具體為有機(jī)膠介質(zhì)。
[0060]其中，生長(zhǎng)襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;反射襯底包括介質(zhì)層8、銀鏡9和銅襯底10，介質(zhì)層8包括Si02、ITO或Si3N4,銅襯底10厚度為150 μ m。
[0061]相對(duì)于圖1所示的現(xiàn)有生長(zhǎng)襯底利用腐蝕停止層2-1剝離的情況，本發(fā)明中預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2采用BOE選擇性地腐蝕消除，消除徹底充分，使得生長(zhǎng)襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，進(jìn)而避免了生長(zhǎng)襯底I中的As對(duì)環(huán)境的污染。
[0062]實(shí)施例5
[0063]如圖2、圖3和圖7所示，本發(fā)明一種襯底進(jìn)行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0064]a)生長(zhǎng)襯底I依次外延生長(zhǎng)預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2和功能層；
[0065]b)利用腐蝕液選擇性消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2 ；
[0066]c)經(jīng)步驟b)所得的生長(zhǎng)襯底I經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，進(jìn)行再利用；
[0067]d)經(jīng)步驟b)所得的功能層經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，通過(guò)沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍制備介質(zhì)層8和銀鏡9，通過(guò)電鍍方式制備銅襯底10。
[0068]其中，生長(zhǎng)襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;反射襯底包括介質(zhì)層8、銀鏡9和銅襯底10，介質(zhì)層8包括SiO2。
[0069]步驟b)實(shí)現(xiàn)了生長(zhǎng)襯底I的剝離，步驟d)實(shí)現(xiàn)了反射襯底的結(jié)合，通過(guò)以上步驟實(shí)現(xiàn)了生長(zhǎng)襯底I的反復(fù)利用。
[0070]實(shí)施例6
[0071]如圖2、圖3和圖7所示，本發(fā)明一種襯底進(jìn)行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0072]a)生長(zhǎng)襯底I依次外延生長(zhǎng)預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2和功能層；
[0073]b)利用腐蝕液選擇性消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2 ；
[0074]c)經(jīng)步驟b)所得的生長(zhǎng)襯底I經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，進(jìn)行再利用；
[0075]d)經(jīng)步驟b)所得的功能層經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，通過(guò)沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍制備介質(zhì)層8和銀鏡9，通過(guò)電鍍方式制備銅襯底10。
[0076]其中，生長(zhǎng)襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)
3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;反射襯底包括介質(zhì)層8、銀鏡9和銅襯底10，介質(zhì)層8包括ITO
或 Si3N4。
[0077]步驟b)實(shí)現(xiàn)了生長(zhǎng)襯底I的剝離，步驟d)實(shí)現(xiàn)了反射襯底的結(jié)合，通過(guò)以上步驟實(shí)現(xiàn)了生長(zhǎng)襯底I的反復(fù)利用。
[0078]表面處理步驟包括檢測(cè)步驟和清洗步驟；清洗步驟具體為腐蝕液清洗或者水清洗；檢測(cè)步驟具體為光滑度檢測(cè)和表面清潔度檢測(cè)。[0079]實(shí)施例7
[0080]如圖2及圖4?6所示，本發(fā)明一種襯底進(jìn)行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0081]A)生長(zhǎng)襯底I依次外延生長(zhǎng)預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2和功能層；
[0082]B)功能層通過(guò)粘附的方式形成粘合層，粘合層附接支撐襯底7 ;或者功能層通過(guò)鍵合介質(zhì)6結(jié)合支撐襯底7 ；
[0083]C)利用腐蝕液選擇性消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2 ；
[0084]D)經(jīng)步驟C)所得的生長(zhǎng)襯底I經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，進(jìn)行再利用；
[0085]E)經(jīng)步驟C)所得的功能層經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，通過(guò)沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍制備介質(zhì)層8和銀鏡9，通過(guò)電鍍方式制備銅襯底10。
[0086]其中，鍵合介質(zhì)6能夠被去光阻劑溶解，去光阻劑具體為丙酮。鍵合介質(zhì)6為光阻齊U，光阻劑具體為有機(jī)膠介質(zhì)。生長(zhǎng)襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;反射襯底包括介質(zhì)層8、銀鏡9和銅襯底10，介質(zhì)層8包括ΙΤ0。
[0087]其中，表面處理步驟包括拋光步驟、檢測(cè)步驟以及位于拋光步驟之前和之后的清洗步驟，拋光步驟具體為化學(xué)拋光；清洗步驟具體為腐蝕液清洗；檢測(cè)步驟具體為光滑度檢測(cè)和表面清潔度檢測(cè)。
[0088]其中，步驟B)完成后，加熱至90°C維持30min。
[0089]步驟C)生長(zhǎng)襯底I借助支撐襯底7實(shí)現(xiàn)了剝離，步驟E)實(shí)現(xiàn)了反射襯底的結(jié)合，通過(guò)以上步驟實(shí)現(xiàn)了生長(zhǎng)襯底I的反復(fù)利用。
[0090]實(shí)施例8
[0091]如圖2及圖4?7所示，本發(fā)明一種襯底進(jìn)行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0092]A)生長(zhǎng)襯底I依次外延生長(zhǎng)預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2和功能層；
[0093]B)功能層通過(guò)粘附的方式形成粘合層，粘合層附接支撐襯底7 ；
[0094]C)利用腐蝕液選擇性消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2 ；
[0095]D)經(jīng)步驟C)所得的生長(zhǎng)襯底I經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，進(jìn)行再利用；
[0096]E)經(jīng)步驟C)所得的功能層經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，通過(guò)沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍制備介質(zhì)層8和銀鏡9，通過(guò)電鍍方式制備銅襯底10 ；
[0097]G)通過(guò)有機(jī)溶劑溶解法消除粘合層，同時(shí)移除支撐襯底7。
[0098]其中，步驟G)在80°C的溫度下執(zhí)行。
[0099]其中，步驟B)完成后，加熱至120°C維持lOmin。
[0100]其中，生長(zhǎng)襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;反射襯底包括介質(zhì)層8、銀鏡9和銅襯底10，介質(zhì)層8包括SiO2。
[0101]步驟C)生長(zhǎng)襯底I借助支撐襯底7實(shí)現(xiàn)了剝離，步驟E)實(shí)現(xiàn)了反射襯底的鍵合，通過(guò)以上步驟實(shí)現(xiàn)了生長(zhǎng)襯底I的反復(fù)利用。
[0102]實(shí)施例9
[0103]如圖2及圖4?7所示，本發(fā)明一種襯底進(jìn)行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0104]A)生長(zhǎng)襯底I依次外延生長(zhǎng)預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2和功能層；
[0105]B)功能層通過(guò)粘附的方式形成粘合層，粘合層附接支撐襯底7 ；
[0106]C)利用腐蝕液選擇性消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2 ；[0107]D)經(jīng)步驟C)所得的生長(zhǎng)襯底I經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，進(jìn)行再利用；
[0108]E)經(jīng)步驟C)所得的功能層經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，通過(guò)沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍制備介質(zhì)層8和銀鏡9，通過(guò)電鍍方式制備銅襯底10 ；
[0109]G)通過(guò)有機(jī)溶劑溶解法消除粘合層，同時(shí)移除支撐襯底7。
[0110]其中，步驟G)在50°C的溫度下執(zhí)行。
[0111]其中，步驟B)完成后，加熱至110°C維持15min。
[0112]其中，生長(zhǎng)襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;反射襯底包括介質(zhì)層8、銀鏡9和銅襯底10，介質(zhì)層8包括SiO2。
[0113]步驟C)生長(zhǎng)襯底I借助支撐襯底7實(shí)現(xiàn)了剝離，步驟E)實(shí)現(xiàn)了反射襯底的鍵合，通過(guò)以上步驟實(shí)現(xiàn)了生長(zhǎng)襯底I的反復(fù)利用。
[0114]表面處理步驟包括拋光步驟、檢測(cè)步驟以及位于拋光步驟之前和之后的清洗步驟，拋光步驟具體為機(jī)械拋光；清洗步驟具體為者水清洗；檢測(cè)步驟具體為光滑度檢測(cè)和表面清潔度檢測(cè)。
[0115]實(shí)施例10
[0116]如圖2及圖4?7所示，本發(fā)明一種襯底進(jìn)行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0117]A)生長(zhǎng)襯底I依次外延生長(zhǎng)預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2和功能層；
[0118]B)功能層通過(guò)鍵合介質(zhì)6結(jié)合支撐襯底7 ；
[0119]C)利用腐蝕液選擇性消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2 ；
[0120]D)經(jīng)步驟C)所得的生長(zhǎng)襯底I經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，進(jìn)行再利用；
[0121]E)經(jīng)步驟C)所得的功能層經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，通過(guò)沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍制備介質(zhì)層8和銀鏡9，通過(guò)電鍍方式制備銅襯底10 ；
[0122]G)通過(guò)有機(jī)溶劑溶解法消除鍵合介質(zhì)6，同時(shí)移除支撐襯底7。
[0123]其中，步驟G)在100°C的溫度下執(zhí)行。
[0124]其中，步驟B)完成后，加熱至100°C維持20min。
[0125]步驟C)生長(zhǎng)襯底I借助支撐襯底7實(shí)現(xiàn)了剝離，步驟E)實(shí)現(xiàn)了反射襯底的鍵合，通過(guò)以上步驟實(shí)現(xiàn)了生長(zhǎng)襯底I的反復(fù)利用。
[0126]以上實(shí)施例中，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2對(duì)HF或BOE腐蝕液有十萬(wàn)倍以上的選擇性腐蝕，由于預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2的選擇腐蝕性，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2被腐蝕液消融，功能層就與生長(zhǎng)襯底I剝離。剝離后的生長(zhǎng)襯底1，經(jīng)過(guò)清洗、檢測(cè)或拋光后，可以重復(fù)使用。
[0127]以上實(shí)施例涉及的功能層通過(guò)鍵合介質(zhì)6與支撐襯底7結(jié)合，該操作目的是使兩部分結(jié)構(gòu)單元的結(jié)合，具體實(shí)施時(shí)可以是鍵合方式，也可以是粘合方式，以及其他可以實(shí)現(xiàn)結(jié)合目的的方式或技術(shù)手段。
[0128]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，包括: 生長(zhǎng)襯底； 預(yù)置轉(zhuǎn)換層； 所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠?qū)⑺錾L(zhǎng)襯底轉(zhuǎn)換為反射襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述生長(zhǎng)襯底通過(guò)外延方式形成所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層通過(guò)外延方式形成功能層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述功能層通過(guò)粘附方式形成粘合層，所述粘合層附接支撐襯底；或者所述功能層通過(guò)鍵合介質(zhì)結(jié)合所述支撐襯底；所述支撐襯底具體為硅襯底、藍(lán)寶石襯底或石英襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述鍵合介質(zhì)能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述鍵合介質(zhì)為光阻劑，所述光阻劑具體為有機(jī)膠介質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠被腐蝕液選擇性消除；所述腐蝕液具體為HF或BOE。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6任一項(xiàng)所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述生長(zhǎng)襯底包括GaAs。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~6任一項(xiàng)所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述預(yù)直轉(zhuǎn)換層包括AlAs。`
9.根據(jù)權(quán)利要求2~6任一項(xiàng)所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述功能層包括外延層N區(qū)、有源區(qū)和外延層P區(qū)；所述反射襯底包括介質(zhì)層、銀鏡和銅襯底，所述介質(zhì)層包括Si02、ITO或Si3N4，所述銅襯底厚度范圍為70μπι~150μπι。
10.一種權(quán)利要求2所述的襯底進(jìn)行回收再利用的方法，其特征在于，包括以下步驟: a)所述生長(zhǎng)襯底依次外延生長(zhǎng)所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層和所述功能層； b)利用腐蝕液選擇性消除所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層； c)經(jīng)步驟b)所得的所述生長(zhǎng)襯底經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，進(jìn)行再利用； d)經(jīng)步驟b)所得的所述功能層經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，通過(guò)沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍制備介質(zhì)層和銀鏡，通過(guò)電鍍方式制備銅襯底。
11.一種權(quán)利要求3所述的襯底進(jìn)行回收再利用的方法，其特征在于，包括以下步驟: A)所述生長(zhǎng)襯底依次外延生長(zhǎng)形成所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層和所述功能層； B)所述功能層通過(guò)粘附的方式形成粘合層，所述粘合層附接支撐襯底；或者所述功能層通過(guò)鍵合介質(zhì)結(jié)合所述支撐襯底； C)利用腐蝕液選擇性消除所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層； D)經(jīng)步驟C)所得的所述生長(zhǎng)襯底經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，進(jìn)行再利用； E)經(jīng)步驟C)所得的所述功能層經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，通過(guò)沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍制備介質(zhì)層和銀鏡，通過(guò)電鍍方式制備銅襯底。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的一種襯底進(jìn)行回收再利用的方法，其特征在于，所述表面處理步驟至多包括拋光步驟、檢測(cè)步驟以及位于所述拋光步驟之前和/或之后的清洗步驟，所述拋光步驟具體為化學(xué)拋光或機(jī)械拋光；所述清洗步驟具體為所述腐蝕液清洗或者水清洗；所述檢測(cè)步驟具體為光滑度檢測(cè)和表面清潔度檢測(cè)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種襯底進(jìn)行回收再利用的方法，其特征在于，所述步驟E)之后執(zhí)行步驟G)，所述步驟G)通過(guò)有機(jī)溶劑溶解法消除所述粘合層或所述鍵合介質(zhì)，同時(shí)移除所述支撐襯底；所述步驟G)在50°C~100°C的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種襯底進(jìn)行回收再利用的方法，其特征在于，所述步驟 B)完成后，加熱至90°C~120°C維持1Omin~30min。
【文檔編號(hào)】H01L33/02GK103779461SQ201410050546
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2014年2月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月13日
【發(fā)明者】廉鵬, 李有群 申請(qǐng)人:馬鞍山太時(shí)芯光科技有限公司