一種自動絲印式貼片led制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種自動絲印式貼片LED制造方法，包括：將具有多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的圓片的焊接面進(jìn)行貼膜；進(jìn)行激光切割，得到黏貼在貼膜上的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片；將多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的發(fā)光面黏貼于擴張膜上；去除多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的焊接面的貼膜；通過自動絲印式LED貼片設(shè)備對擴張膜進(jìn)行擴晶操作，使多顆半導(dǎo)體共晶晶片與晶片載體的裝載空位相對應(yīng)；在LED晶片載體的裝載位置點涂各項異性導(dǎo)電銀膠；步進(jìn)移動擴張膜，使擴晶后的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片植入晶片載體上相應(yīng)的裝載空位；將自動絲印LED貼片設(shè)備的輥軸在擴張膜背面往復(fù)滾動一定時間，使多顆半導(dǎo)體共晶晶片與晶片載體之間實現(xiàn)固化和電連接。
【專利說明】—種自動絲印式貼片LED制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,尤其涉及一種基于直接貼焊的(Direct Attach, DA)的半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的自動絲印式貼片LED制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體顯示器產(chǎn)品發(fā)展到今天，配套的或是交叉行業(yè)的資源已經(jīng)極大地豐富和完善。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體顯示器產(chǎn)品的制造工藝中，通常采用常規(guī)表面貼裝技術(shù)(Surface Mount Technology, SMT)或插接工藝，以SMT為例，需要經(jīng)過半導(dǎo)體晶片載體制備，固晶設(shè)備準(zhǔn)備，輔料金線銀膠準(zhǔn)備，裸晶晶片及擴晶設(shè)備準(zhǔn)備，焊線設(shè)備準(zhǔn)備等。
[0003]上述傳統(tǒng)的制造方法工序繁多且每道工序的穩(wěn)定和檢測都很繁瑣，制造工序時間長，而且在半導(dǎo)體顯示器的分辨率提高到一定程度時(例如像素間距要求小于IMM時)無法實現(xiàn)加工。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種自動絲印式貼片LED制造方法，能夠充分利用半導(dǎo)體顯示器這類在同一產(chǎn)品個體里同時大規(guī)模使用同一類器件的產(chǎn)品特點，工藝簡單穩(wěn)定，尤其適用于要求小尺寸晶片間距的高分辨率的要求。
[0005]本發(fā)明提供了一種自動絲印式貼片LED制造方法，包括:
[0006]將具有多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的圓片的焊接面進(jìn)行貼膜；
[0007]對所述圓片進(jìn)行激光切割，得到黏貼在貼膜上的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片；
[0008]將所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的發(fā)光面黏貼于擴張膜上；
[0009]去除所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的焊接面的貼膜；
[0010]通過自動絲印式LED貼片設(shè)備對所述擴張膜進(jìn)行擴晶操作，使所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與晶片載體的裝載空位相對應(yīng)；
[0011]在所述LED晶片載體的裝載位置點涂各項異性導(dǎo)電銀膠；
[0012]通過自動絲印式LED貼片設(shè)備步進(jìn)移動所述擴張膜，使擴晶后的所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片植入所述晶片載體上相應(yīng)的裝載空位；
[0013]將自動絲印LED貼片設(shè)備的輥軸在所述擴張膜背面往復(fù)滾動一定時間，使所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與晶片載體之間實現(xiàn)固化和電連接。
[0014]優(yōu)選地，通過自動絲印式LED貼片設(shè)備步進(jìn)移動所述擴張膜具體為:
[0015]移動所述擴張膜，將擴晶后的所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與所述裝載空位進(jìn)行激光對準(zhǔn)；
[0016]步進(jìn)移動所述擴張膜，當(dāng)所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與所述晶片載體上的裝載空位間的距離每縮小預(yù)訂距離時，重新進(jìn)行激光對準(zhǔn)。
[0017]優(yōu)選地，所述將自動絲印LED貼片設(shè)備的輥軸在所述擴張膜背面往復(fù)滾動一定時間具體為:[0018]常溫下，通過所述輥軸在所述擴張膜背面往復(fù)滾動，并在一定時間內(nèi)施加一定的壓力。
[0019]優(yōu)選地，所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片具體為:紅色LED共晶晶片、綠色LED共晶晶片和藍(lán)色LED共晶晶片中的任一種。
[0020]優(yōu)選地，在所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與晶片載體之間實現(xiàn)固化和電連接之后，所述方法還包括:
[0021]去除所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片上的所述擴張膜；
[0022]對去除所述擴張膜后的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片進(jìn)行表面清潔。
[0023]進(jìn)一步優(yōu)選地，在所述對去除所述擴張膜后的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片進(jìn)行表面清潔之后，還包括:
[0024]對植入所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的所述晶片載體進(jìn)行荷載檢測。
[0025]本發(fā)明提供的一種自動絲印式貼片LED制造方法，采用LED 二次倒裝工藝，利用自動絲印式高速LED貼片設(shè)備，直接將擴晶后的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片植入半導(dǎo)體顯示面板晶片載體上的相應(yīng)晶片裝載空位，通過輥壓實現(xiàn)晶片與晶片載體之間的連接，使同色發(fā)光晶片植入一次性完成，并且無需焊線，工藝簡單穩(wěn)定，尤其適用于要求小尺寸晶片間距的高分辨率的半導(dǎo)體顯示面板的制造。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明實施例提供的自動絲印式貼片LED的制造方法的流程圖；
[0027]圖2為本發(fā)明實施例提供的自動絲印式貼片LED的制造步驟示意圖之一；
[0028]圖3為本發(fā)明實施例提供的自動絲印式貼片LED的制造步驟示意圖之二 ；
[0029]圖4為本發(fā)明實施例提供的自動絲印式貼片LED的制造步驟示意圖之三；
[0030]圖5為本發(fā)明實施例提供的自動絲印式貼片LED的制造步驟示意圖之四；
[0031]圖6為本發(fā)明實施例提供的自動絲印式貼片LED的制造步驟示意圖之五
[0032]圖7為本發(fā)明實施例提供的自動絲印式貼片LED的制造方法制備的半導(dǎo)體顯示面板的不意圖。
【具體實施方式】
[0033]下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0034]本發(fā)明的自動絲印式貼片LED制造方法，主要用于LED顯示屏，超小間距LED顯示屏，超高密度LED顯示屏，LED正發(fā)光電視，LED正發(fā)光監(jiān)視器，LED視頻墻，LED指示，LED特殊照明等領(lǐng)域的顯示面板制造。
[0035]圖1為本發(fā)明實施例提供的自動絲印式貼片LED的制造方法的流程圖。本發(fā)明的制造方法包括如下步驟:
[0036]步驟101，將具有多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的圓片的焊接面進(jìn)行貼膜；
[0037]具體的，如圖2所示，將圓片的金屬焊盤面進(jìn)行貼膜，晶片的出光面向上。其中圖2，及以下述圖3至圖6中，左圖為俯視圖，右圖為側(cè)視圖。
[0038]步驟102，對所述圓片進(jìn)行激光切割，得到黏貼在貼膜上的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片；[0039]步驟103，將所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的發(fā)光面黏貼于擴張膜上；
[0040]具體的，將晶片進(jìn)行二次貼膜，具體為將晶片的出光面上黏貼上擴張膜，
[0041]步驟104，去除所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的焊接面的貼膜；
[0042]具體的，去除晶片的焊接面的貼膜，使晶片的電極露出。去除晶片焊接面貼膜之后，如圖3所示，
[0043]步驟105，通過自動絲印式LED貼片設(shè)備對所述擴張膜進(jìn)行擴晶操作，使所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與晶片載體的裝載空位相對應(yīng)；
[0044]具體的，如圖4所示，在前述步驟中的操作，沒有改變晶片之間的位置和間距，在此步驟中，通過使用利用專用擴晶機精確控制擴張膜的漲縮尺寸，使晶片由原有的尺寸間隔a擴展至晶片間距為a+ Δ a。優(yōu)選的，擴晶后的晶片間隔為0.4mm以上。
[0045]步驟106，在所述LED晶片載體的裝載位置點涂各項異性導(dǎo)電銀膠(ACA)；
[0046]步驟107，通過自動絲印式LED貼片設(shè)備步進(jìn)移動所述擴張膜，使擴晶后的所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片植入所述晶片載體上相應(yīng)的裝載空位；
[0047]具體的，如圖5所示，擴張膜具有雙面黏貼特性，從而可以將擴晶后的擴張膜粘貼在自動絲印式LED貼片設(shè)備的托盤上，以保證晶片間的平整度。
[0048]對承載晶片的托盤進(jìn)行移動定位，從而移動所述擴張膜，將擴晶后的所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與所述裝載空位進(jìn)行激光對準(zhǔn)；
[0049]步進(jìn)移動所述擴張膜，當(dāng)所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與所述晶片載體上的裝載空位間的距離每縮小預(yù)訂距離時，重新進(jìn)行激光對準(zhǔn)。
[0050]步驟108，將自動絲印LED貼片設(shè)備的輥軸在所述擴張膜背面往復(fù)滾動一定時間，使所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與晶片載體之間實現(xiàn)固化和電連接；
[0051]具體的，如圖6所示，在常溫下，通過所述輥軸在所述擴張膜背面施加合理的壓力往復(fù)滾動一段時間，使得半導(dǎo)體共晶晶片與晶片載體之間完成固化過程，并建立有效的電性連接。
[0052]步驟109，去除所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片上的所述擴張膜；
[0053]步驟110，對去除所述擴張膜后的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片進(jìn)行表面清潔。
[0054]在一個例子中，半導(dǎo)體顯示面板上的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片具體為:紅色LED共晶晶片、綠色LED共晶晶片和藍(lán)色LED共晶晶片。它們均為直接焊接(Direct Attach, DA)共晶鏡片。
[0055]第一個圓片上的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片為紅色LED共晶晶片，在將紅色LED共晶晶片按照上述步驟101-110的方法植入裝載空位，并與晶片載體之間實現(xiàn)固化和電連接之后，再分別對具有綠色LED共晶晶片的圓片上的綠色LED共晶晶片和具有藍(lán)色LED共晶晶片的圓片上的藍(lán)色LED共晶晶片同樣按照步驟101-110的方法植入裝載空位。
[0056]在全部裝載空位都被植入相應(yīng)的半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片之后，半導(dǎo)體顯示面板如圖7所示。之后，對植入所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的所述晶片載體進(jìn)行荷載檢測。在檢查該半導(dǎo)體顯示面板的光電參數(shù)及出光均勻性均是否達(dá)到要求。
[0057]本發(fā)明實施例所提供的方法，適用于0.4_及以上晶片間隔的半導(dǎo)體LED顯示面板的制造中，通過采用上述實施例中各步驟所述的自動絲印式貼片LED的制造方法，直接將擴晶后的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片植入半導(dǎo)體顯示面板上的相應(yīng)的裝載空位，同色發(fā)光晶片植入一次性完成，并且無需焊線，工藝簡單穩(wěn)定，尤其適用于要求小尺寸晶片間距的高分辨率的半導(dǎo)體顯示面板的制造。
[0058]以上所述的【具體實施方式】，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的【具體實施方式】而已，并不用于限定本發(fā)明的保護范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種自動絲印式貼片LED制造方法，其特征在于，所述方法包括: 將具有多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的圓片的焊接面進(jìn)行貼膜； 對所述圓片進(jìn)行激光切割，得到黏貼在貼膜上的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片； 將所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的發(fā)光面黏貼于擴張膜上； 去除所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的焊接面的貼膜； 通過自動絲印式LED貼片設(shè)備對所述擴張膜進(jìn)行擴晶操作，使所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與晶片載體的裝載空位相對應(yīng)； 在所述LED晶片載體的裝載位置點涂各項異性導(dǎo)電銀膠； 通過自動絲印式LED貼片設(shè)備步進(jìn)移動所述擴張膜，使擴晶后的所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片植入所述晶片載體上相應(yīng)的裝載空位； 將自動絲印LED貼片設(shè)備的輥軸在所述擴張膜背面往復(fù)滾動一定時間，使所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與晶片載體之間實現(xiàn)固化和電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過自動絲印式LED貼片設(shè)備步進(jìn)移動所述擴張膜具體為: 移動所述擴張膜，將擴晶后的所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與所述裝載空位進(jìn)行激光對準(zhǔn)； 步進(jìn)移動所述擴張膜，當(dāng)所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與所述晶片載體上的裝載空位間的距離每縮小預(yù)訂距離時，重新進(jìn)行激光對準(zhǔn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將自動絲印LED貼片設(shè)備的輥軸在所述擴張膜背面往復(fù)滾動一定時間具體為: 常溫下，通過所述輥軸在所述擴張膜背面往復(fù)滾動，并在一定時間內(nèi)施加一定的壓力。
4.根據(jù)權(quán)力要求I所述的方法，其特征在于，所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片具體為:紅色LED共晶晶片、綠色LED共晶晶片和藍(lán)色LED共晶晶片中的任一種。
5.根據(jù)權(quán)力要求I所述的方法，其特征在于，在所述多顆半導(dǎo)體共晶晶片與晶片載體之間實現(xiàn)固化和電連接之后，所述方法還包括: 去除所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片上的所述擴張膜； 對去除所述擴張膜后的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片進(jìn)行表面清潔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述對去除所述擴張膜后的多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片進(jìn)行表面清潔之后，還包括: 對植入所述多顆半導(dǎo)體發(fā)光共晶晶片的所述晶片載體進(jìn)行荷載檢測。
【文檔編號】H01L33/48GK103872214SQ201410052142
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2014年2月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月14日
【發(fā)明者】程君, 嚴(yán)敏, 周鳴波 申請人:程君, 嚴(yán)敏, 周鳴波