發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置，使將發(fā)光元件和配線基板電連接的配線不易斷線。本發(fā)明的發(fā)光裝置包括：撓性基板，其在上面具有負(fù)的引線電極和正的引線電極；發(fā)光元件，其在上面具有負(fù)電極和正電極；絕緣膜，其形成在發(fā)光元件的側(cè)面；配線，其在絕緣膜上相接形成，將正電極和正的引線電極間、或者負(fù)電極和負(fù)的引線電極間連接。
【專利說明】發(fā)光裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及搭載有發(fā)光元件的發(fā)光裝置，特別是搭載有以形成有電極的面為上進行安裝(以下稱為面朝上安裝)對應(yīng)的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(LED)及激光二極管(LD)等半導(dǎo)體發(fā)光元件(以下記為發(fā)光元件)具有如下的特征，即，小型、電力效率高、發(fā)出鮮艷顏色的光，另外，由于為半導(dǎo)體元件，故而具有無需擔(dān)心燈泡燒壞(球切Λ)等，進而初始驅(qū)動特性優(yōu)良，振動及點燈和關(guān)燈的反復(fù)性強的特點。由于具有這樣優(yōu)異的特性，故而作為光源而搭載有發(fā)光元件的發(fā)光裝置作為照明設(shè)備及液晶顯示屏(LCD)的背光燈的普通民用光源，利用對應(yīng)于其用途的構(gòu)造。
[0003]例如，具有在板狀及薄膜狀的基板表面以金屬膜形成有引線電極的圖案的配線基板(印刷基板)上搭載有發(fā)光元件的發(fā)光裝置。在將半導(dǎo)體元件(芯片)安裝于配線基板時，在配線基板的規(guī)定的安裝區(qū)域搭載半導(dǎo)體元件，將半導(dǎo)體元件的電極與配線基板上的引線電極(內(nèi)引線)電連接，利用樹脂將半導(dǎo)體元件密封。此時，具有:將設(shè)有電極(焊盤電極)的面朝向上而載置半導(dǎo)體元件，形成將焊盤電極和引線電極電連接的配線(導(dǎo)線)的面朝上安裝；將焊盤電極朝向下而與引線電極接合并搭載半導(dǎo)體元件的倒裝片安裝(面朝下安裝)。
[0004]面朝上安裝通常利用引線接合進行配線的形成，此時，作為配線的引線僅在兩端與半導(dǎo)體元件的焊盤電極和引線電極接合而設(shè)為弧狀。因此，在引線接合安裝中，與半導(dǎo)體元件一同被樹脂密封的引線在受到來自外部應(yīng)力的情況下可能會斷線。另一方面，倒裝片安裝由于需要配合半導(dǎo)體 元件的焊盤電極的位置而使配線基板的引線電極面對面配置，與引線接合安裝相比，操作不容易。
[0005]因此，開發(fā)有不基于引線接合而將面朝上安裝對應(yīng)的發(fā)光元件安裝于配線基板的方法。例如在專利文獻(xiàn)I中公開有利用導(dǎo)電性油墨印刷配線而將發(fā)光元件上面的電極和配線基板的引線電極連接的安裝方法。近年來，導(dǎo)電性油墨也適用于配線基板等微細(xì)配線形成，特別是根據(jù)油墨噴射方式，也能夠?qū)哂幸欢ǔ潭鹊呐_階的面印刷，故而能夠從發(fā)光元件的芯片上面的電極經(jīng)由芯片側(cè)面(端面)在作為芯片載置面的配線基板上形成配線(芯片配線:夕'' ^ 7配線)。
[0006]專利文獻(xiàn)1:(日本)特開2011 - 243666號公報
[0007]根據(jù)專利文獻(xiàn)I記載的安裝方法，通過在載置于配線基板上的發(fā)光元件的側(cè)面設(shè)置環(huán)氧樹脂及聚氨酯樹脂等透光性樹脂的層，將由導(dǎo)電性油墨形成的芯片配線(夕' ^ 7配線)與發(fā)光元件的半導(dǎo)體層絕緣。但是，在這樣的構(gòu)造中，芯片配線被設(shè)于發(fā)光元件側(cè)面的樹脂層和將發(fā)光元件密封的透光性樹脂夾著，即僅由樹脂支承，故而會與引線接合安裝同樣地斷線。特別是，在將薄膜狀的撓性基板設(shè)為配線基板的情況下，由于彎曲應(yīng)力而容易斷線。另外，設(shè)于發(fā)光元件側(cè)面的樹脂層由于被發(fā)光元件和導(dǎo)熱性高的芯片配線夾著，故而伴隨發(fā)光裝置的使用，由于熱及光特別容易經(jīng)時劣化，透光性容易下降。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是鑒于上述問題點而設(shè)立的，其課題在于提供一種發(fā)光裝置，能夠適用面朝上安裝對應(yīng)的發(fā)光元件，比引線接合安裝的可靠性高。
[0009]本申請發(fā)明人想到了如下構(gòu)成的發(fā)光裝置。
[0010]本發(fā)明第一方面的發(fā)光裝置，包括:撓性基板，其在上面具有負(fù)的引線電極和正的引線電極；發(fā)光元件，其在上面具有負(fù)電極和正電極；絕緣膜，其形成在所述發(fā)光元件的側(cè)面；配線，其在所述絕緣膜上相接形成，將所述負(fù)電極和所述負(fù)的引線電極之間、或者所述正電極和所述正的引線電極之間連接。
[0011]根據(jù)這樣的構(gòu)成，在使用了撓性基板的發(fā)光裝置中，能夠使配線不易斷線。
[0012]本發(fā)明第二方面的發(fā)光裝置，包括:撓性基板；負(fù)的引線電極，其具有第一連結(jié)部和各自的一端與所述第一連結(jié)部連結(jié)的多個第一延伸電極，并且形成在所述基板的上面；正的引線電極，其具有第二連結(jié)部和各自的一端與所述第二連結(jié)部連結(jié)的多個第二延伸電極，并且以該第二延伸電極以規(guī)定的間隔與所述第一延伸電極鄰接的方式形成在所述撓性基板的上面；多個發(fā)光元件，其在上面分別具有正電極和負(fù)電極，在第一延伸電極分別連接有負(fù)電極，在另一方的第二延伸電極分別連接有正電極；絕緣膜，其分別形成在所述多個發(fā)光元件的側(cè)面；多個配線，其分別形成在所述絕緣膜上，分別將所述正電極和所述第一延伸電極之間、或所述負(fù)電極和所述第二延伸電極之間連接。 [0013]本發(fā)明第三方面的發(fā)光裝置，包括:基板；負(fù)的引線電極，其具有第一連結(jié)部和各自的一端與所述第一連結(jié)部連結(jié)的多個第一延伸電極，并且形成在所述基板的上面；正的引線電極，其具有第二連結(jié)部和各自的一端與所述第二連結(jié)部連結(jié)的多個第二延伸電極，以該第二延伸電極以規(guī)定的間隔與所述第一延伸電極鄰接的方式形成在所述基板的上面；多個發(fā)光元件，其分別在上面具有正電極和負(fù)電極，分別跨越以所述規(guī)定的間隔鄰接的第一延伸電極和第二延伸電極而設(shè)置；絕緣膜，其分別形成在所述發(fā)光元件的側(cè)面；配線，其分別形成在所述絕緣膜上，分別將所述負(fù)電極和所述第一延伸電極之間、或者所述正電極和所述第二延伸電極之間連接。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，能夠活用可安裝于通用性高的配線基板這樣的面朝上安裝對應(yīng)的發(fā)光元件的優(yōu)點，并且可靠性比基于引線接合安裝的發(fā)光裝置高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的構(gòu)成的外觀圖；
[0016]圖2是說明本發(fā)明第一實施方式的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意圖，Ca)是搭載于發(fā)光裝置的發(fā)光元件的平面圖，(b)是相當(dāng)于(a)的A — A線向視剖面圖的發(fā)光裝置的主要部分剖面圖；
[0017]圖3是說明本發(fā)明第一實施方式的發(fā)光元件的制造方法的流程圖；
[0018]圖4是說明本發(fā)明第二實施方式的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意圖，是相當(dāng)于圖2 (a)的A — A線向視剖面圖的發(fā)光裝置的主要部分剖面圖；
[0019]圖5是說明本發(fā)明第三實施方式的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意圖，是相當(dāng)于圖2 (a)的A—A線向視剖面圖的發(fā)光裝置的主要部分剖面圖；
[0020]圖6是說明本發(fā)明第三實施方式的發(fā)光元件的制造方法的流程圖；[0021]圖7是說明本發(fā)明第四實施方式的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意圖，是相當(dāng)于圖2 (a)的A —A線向視剖面圖的發(fā)光裝置的主要部分剖面圖；
[0022]圖8是說明本發(fā)明第五實施方式的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意圖，是相當(dāng)于圖2 (a)的A —A線向視剖面圖的發(fā)光裝置的主要部分剖面圖；
[0023]圖9是說明本發(fā)明第六實施方式的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意圖，Ca)是搭載于發(fā)光裝置的發(fā)光元件的平面圖，(b)是相當(dāng)于(a)的B — B線向視剖面圖的發(fā)光裝置的主要部分剖面圖。
[0024]標(biāo)記說明
[0025]10、10A、10B、10C、10D、IOE:發(fā)光裝置
[0026]1、1A、1B:配線基板(基板)
[0027]11、11A、11B:基材
[0028]121:負(fù)的引線電極
[0029]121a:第一延伸電極
[0030]121b:第一連結(jié)部
[0031]122:正的引線 電極
[0032]122a:第二延伸電極
[0033]122b:第二連結(jié)部
[0034]21、21A、21B:芯片配線(配線)
[0035]22、22A、22B:芯片配線(配線)
[0036]3、3A、3B、3D、3E:發(fā)光元件
[0037]30:氮化物半導(dǎo)體
[0038]31:元件基板
[0039]32:n型半導(dǎo)體層
[0040]33:活性層
[0041]34:p型半導(dǎo)體層
[0042]4:透光性電極
[0043]51、51A、51B:n側(cè)焊盤電極(電極)
[0044]52、52A、52B:p側(cè)焊盤電極(電極)
[0045]6:保護膜
[0046]7、7A、7B:絕緣膜
[0047]8、8A、8B:接合部件
[0048]9:密封部件
【具體實施方式】
[0049]參照附圖對本發(fā)明的發(fā)光裝置進行說明。另外，在本說明書中，上面及下面分別為與配線基板I或發(fā)光元件的圖中的xy面平行的面。
[0050]以下，參照圖1及圖2對本發(fā)明第一實施方式的發(fā)光裝置進行說明。另外，圖2(a)相當(dāng)于將圖1的部分放大的平面圖，圖2 (b)相當(dāng)于圖2 (a)的剖面圖，為了詳細(xì)地表示主要部分，圖1和圖2 (a)、(b)的尺寸不一致。[0051]〔第一實施方式〕
[0052]如圖1所示，本發(fā)明第一實施方式的發(fā)光裝置10的上面為光的主要出射面，在帶狀的配線基板(基板)I上沿長度方向(圖中的X方向)列狀地排列搭載有4個發(fā)光元件3。詳細(xì)而言，在發(fā)光裝置10中，在配線基板I上以形成有一對焊盤電極(電極)51、52 (參照圖2 Ca?為上的方式搭載平面看大致正方形的發(fā)光元件3，通過芯片配線(配線)21,22將焊盤電極51、52與配線基板I的引線電極12電連接。以下，在本說明書中，將伴隨導(dǎo)通而接觸的狀態(tài)簡單表記為“連接”。另外，芯片配線21、22形成在將發(fā)光元件3的側(cè)面覆蓋的絕緣膜7 (參照圖2 (b))的表面。另外，在本實施方式的發(fā)光裝置10中，利用大致半球狀地隆起的密封部件9將一個發(fā)光元件3及其周邊的配線基板I的表面分別密封。另外，發(fā)光裝置10在連結(jié)有圖1所示的4個發(fā)光元件3的長條狀態(tài)下作為I臺而使用，以下，在本說明書中，作為一個發(fā)光裝置10，對包含I個發(fā)光元件3和將該I個發(fā)光元件密封的密封部件9的發(fā)光裝置進行說明。
[0053](配線基板)
[0054]作為配線基板1，能夠適用用于搭載引線接合安裝對應(yīng)的發(fā)光元件的撓性基板、更詳細(xì)地為撓性印刷基板(FPC:Flexible printed circuits)。配線基板I具有:聚酰亞胺薄膜等具有可撓性的片材(薄膜)狀的基材11 ;在其之上由銅等金屬膜形成的引線電極12。基材11除了上述的聚酰亞胺之外，也可以由液晶聚合物(LCP)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等一般的撓性基板材料形成。基材11特別適用熱膨脹率與適用于引線電極12的銅等金屬比較接近的聚酰亞胺或LCP，由于抑制了由熱應(yīng)力導(dǎo)致的引線電極12的剝離等，故而優(yōu)選?；?1的形狀及厚度沒有特別限定，可根據(jù)作為產(chǎn)品而提供給使用者的發(fā)光裝置的形態(tài)及用途而適當(dāng)設(shè)計。在撓性基板的形狀為在一方向上伸長的形狀(例如，具有短邊和長邊的矩形形狀)的情況下，容易發(fā)生發(fā)光元件的斷線，但若使用本發(fā)明的構(gòu)成，則能夠有效地防止斷線。
[0055]引線電極12包含負(fù)的引線電極121和正的引線電極122。負(fù)的引線電極121以及正的引線電極122 (適當(dāng)統(tǒng)稱為引線電極12)能夠使用適用于一般的半導(dǎo)體元件的配線基板的金屬材料，可列舉銅、銀、金、鋁等，從導(dǎo)熱性及加工性方面來看，特別優(yōu)選銅。引線電極12利用鍍敷及蒸鍍等公知的方法在基材11的表面成膜，可利用蝕刻等進行圖案形成。另外，在基材11由LCP形成的情況下，也可以利用LCP的熱壓接而貼附金屬箔。另外，引線電極12也能夠?qū)?dǎo)電性油墨印刷在基材11的表面而形成。引線電極12的膜厚及寬度沒有特別限定，能夠根據(jù)作為引線電極的電阻、搭載于發(fā)光裝置10的發(fā)光元件3的驅(qū)動電壓以及驅(qū)動電流等適當(dāng)設(shè)計。
[0056]負(fù)的引線電極121和正的引線電極122的圖案形狀(平面看形狀)沒有特別限定，但在本實施方式中，以引線電極121、122 二者的上面與發(fā)光元件3的底面接合的方式配置。例如，在圖1所示那樣的在帶狀的配線基板(基板)I的長度方向上排列搭載多個發(fā)光元件3的發(fā)光裝置中，能夠形成以下那樣的圖案形狀。首先，將負(fù)的引線電極121形成為具有第一連結(jié)部121b和一端分別與第一連結(jié)部121b連結(jié)的多個第一延伸電極121a的梳齒形狀。另外，將正的引線電極122形成為具有第二連結(jié)部122b和一端分別與第二連結(jié)部122b連結(jié)的多個第二延伸電極122a的梳齒形狀。而且，以第一延伸電極121a和第二延伸電極122a以規(guī)定間隔相對的方式將負(fù)的引線電極121和正的引線電極122配置在配線基板I的上面。另外，在安裝發(fā)光元件3的區(qū)域，第一延伸電極121a和第二延伸電極122a的間隔設(shè)為比發(fā)光元件3的一邊窄的間隔。通過如上所述地構(gòu)成負(fù)的引線電極121和正的引線電極122，能夠?qū)l(fā)光元件跨越負(fù)的引線電極121 (第一延伸電極121a)和正的引線電極122 (第二延伸電極122a)而設(shè)置。
[0057]由此，載置于配線基板I上的發(fā)光元件3側(cè)面的至少設(shè)置芯片配線21、22的區(qū)域的下端位于第一延伸電極121a和第二延伸電極122a上。由此，在接近發(fā)光元件3側(cè)面的下端的位置能夠分別連接第一延伸電極121a和芯片配線21以及第二延伸電極122a和芯片配線22。更加具體地，如圖2所示，在X方向上，以與發(fā)光元件3的長度L相比，第一延伸電極121a和第二延伸電極122a間的距離(間隔)d變短且第一延伸電極121a外側(cè)的端部和第二延伸電極122a外側(cè)的端部的距離(W+d + W)變長(d < L < W + d + W)的方式形成負(fù)的引線電極121和正的引線電極122。根據(jù)這樣的配置，芯片配線21 (22)能夠從發(fā)光元件3的焊盤電極51 (52)表面經(jīng)由發(fā)光元件3的側(cè)面(絕緣膜7的表面)到達(dá)其正下方的第一延伸電極121a (第二延伸電極122a)的表面。另外，芯片配線21、22不形成在由樹脂形成的基材11的表面，通過與第一延伸電極121a和第二延伸電極122a的表面之間連接，與在由樹脂形成的基材11的表面形成有芯片配線的一部分的情況相比，降低由彎曲應(yīng)力導(dǎo)致斷線的可能性，即使使用具有可撓性的配線基板1，也不易斷線。另外，由于發(fā)光元件3的焊盤電極51 (52)到第一延伸電極121a (第二延伸電極122a)的距離短，故而即使芯片配線21 (22)較短也可以。
[0058]以上，在本實施方式中，由于發(fā)光元件跨越負(fù)的引線電極和正的引線電極而設(shè)置，故而負(fù)電極和正電極能夠以較短的距離與負(fù)的引線電極和正的引線電極連接。另外，通過僅形成于基板側(cè)面的配線能夠?qū)⒄姌O和負(fù)電極實質(zhì)地與正的引線電極和負(fù)的引線電極連接，無需在基板上形成配線。
[0059]由此，能夠減少配線的斷線風(fēng)險。
[0060]另外，第一延伸電極121a和第二延伸電極122a在x方向上向發(fā)光元件3的外側(cè)充分伸出設(shè)置(W + d + W > > L)為好。根據(jù)這樣的配置，能夠?qū)⑿酒渚€21 (22)在第一延伸電極121a (第二延伸電極122a)上向發(fā)光元件3的外側(cè)延伸形成，能夠增大芯片配線21和第一延伸電極121a的接觸面積以及芯片配線22和第二延伸電極122a的接觸面積，能夠容易地提高發(fā)光裝置10的可靠性。另外，第一延伸電極121a和第二延伸電極122a各自的寬度(X方向長度)W在本實施方式中相同，但也可以互不相同。另外，如圖2所示，發(fā)光裝置10在X方向上，發(fā)光元件3的中心與第一延伸電極121a和第二延伸電極122a間的中心(間隔d的中心)一致的方式配置，但不限于這樣的配置。
[0061]另外，通過將從發(fā)光元件3向下方射出的光向引線電極12照射，由金屬構(gòu)成的引線電極12成為反射膜，能夠 提高發(fā)光裝置10的光的取出效率。另外，通過使發(fā)光元件3不與基材11而是與引線電極12接合，能夠提高發(fā)光裝置10的散熱性。因此，引線電極12優(yōu)選以使第一延伸電極121a和第二延伸電極122a的間隔d互不短路的程度，形成為以更多的面積與發(fā)光元件3的底面接合那樣的圖案形狀。
[0062]另外，第一延伸電極121a及第二延伸電極122a較寬地形成為好。如圖1所示，第一延伸電極121a及第二延伸電極122a從發(fā)光兀件3的下方向外側(cè)延伸設(shè)置,通過將寬度W拓寬為遍及形成有密封部件9的整個區(qū)域，不僅成為電阻更低的導(dǎo)體，而且也具有形層為反射膜以及散熱板這樣有效的作用。另外，如本實施方式的發(fā)光裝置10那樣地，在制造(組裝)時，配線基板I為帶狀的情況下，在長度方向、在此為X方向上排列配置第一延伸電極121a以及第二延伸電極122a為好。由此，在平面觀察下，能夠?qū)⑿酒渚€21、22形成為與配線基板I的長度方向平行的配線形狀，后述的基于油墨噴射方式的芯片配線21、22的形成操作性提高。但是，芯片配線21和22也可以以在平面觀察下在配線基板的長度方向上實質(zhì)上垂直或具有傾斜角的方式形成。由此，芯片配線21和22能夠避免對配線基板I或發(fā)光裝置3施加的彎曲應(yīng)力。
[0063]如上所述，由于引線電極12也作為反射膜起作用，故而也可以在表面利用鍍敷等層積反射率高的金屬膜。具體地，可列舉從銀、銠、金、鋁中選擇的一種金屬或上述金屬的合金，就可見光而言，銀的反射率最高，故而優(yōu)選。因此，例如通過將引線電極12形成為在銅上層積有銀的雙層構(gòu)造，能夠提高導(dǎo)熱性(散熱性)和光的取出效率兩方面。另外，也可以在基材11表面的未設(shè)有引線電極12的區(qū)域，作為反射膜而形成有金屬膜(未圖示)。此時，顯然作為反射膜的金屬膜以不使負(fù)的引線電極121和正的引線電極122導(dǎo)通的方式形成。
[0064](芯片配線)
[0065]芯片配線21是將發(fā)光元件3的η側(cè)焊盤電極51與負(fù)的引線電極121連接的配線，芯片配線22是將發(fā)光元件3的P側(cè)焊盤電極52與正的引線電極122連接的配線。即，芯片配線21以及芯片配線22代替引線接合安裝中的引線而設(shè)置。其中，芯片配線21、22沿著發(fā)光元件3的側(cè)面、詳細(xì)地說在覆蓋發(fā)光元件3側(cè)面的絕緣膜7的表面直接形成。對此，接合引線的兩端(連接部)以外僅由密封部件(樹脂)支承。這樣，芯片配線21、22與接合引線不同，被發(fā)光元件3 (絕緣膜7)和密封部件9夾著而被支承，故而不易斷線。
[0066]芯片配線21、22從載置于配線基板I的發(fā)光元件3以及將其側(cè)面覆蓋的絕緣膜7之上，通過印刷而附著含有Au、Ag、Cu等金屬納米粒子的導(dǎo)電性油墨，根據(jù)需要而燒結(jié)形成。芯片配線21、22的形成(印刷)方法能夠適用利用印刷形成配線基板等的一般的方法，具體地，可列舉油墨噴射方式及絲網(wǎng)印刷方式。特別是根據(jù)油墨噴射方式，能夠容易地形成在具有發(fā)光元件3的厚度量這樣的臺階的面上也連續(xù)的芯片配線21、22。另外，導(dǎo)電性油墨能夠適用對應(yīng)于印刷方法的材料。導(dǎo)電性油墨為了抑制向發(fā)光元件3等的損傷，優(yōu)選燒結(jié)溫度為200°C左右以下的導(dǎo)電性油墨。
[0067]芯片配線21 (22)的配線形狀沒有特別限定，但為了縮短配線長度，以從焊盤電極51 (52)以最短距離與負(fù)的引線電極121 (正的引線電極122)連接的方式形成為好。另外，在本實施方式中，如圖2 (a)所示，芯片配線21 (22)的兩端大，即分別與焊盤電極51
(52)、 負(fù)的引線電極121 (正的引線電極122)的連接面積變大而形成。另外，如本實施方式的發(fā)光裝置10那樣地，在配線基板I為帶狀的情況下，芯片配線21、22在平面觀察下形成為與配線基板I的長度方向(附圖中的X方向)平行的配線形狀，但由于如后所述地基于油墨噴射方式的操作性提高，故而優(yōu)選。但是，芯片配線21和22也可以以在平面觀察下在配線基板的長度方向上實質(zhì)上垂直或具有傾斜角的方式形成。由此，芯片配線21和22能夠避免對配線基板I或發(fā)光裝置3施加的彎曲應(yīng)力。在本實施方式中，芯片配線21 (22)在發(fā)光元件3的上面以從其四邊中距離焊盤電極51 (52)最近的邊的大致中心豎直地向下的方式沿發(fā)光元件3的左(右)側(cè)面設(shè)置。另外，芯片配線21、22不特別限定厚度及配線寬度，對應(yīng)于作為導(dǎo)體的電阻、搭載于發(fā)光裝置10的發(fā)光元件3的驅(qū)動電壓以及驅(qū)動電流等而適當(dāng)設(shè)計，但為了將電阻抑制得較低而使配線較厚，并且為了不會較多地遮擋發(fā)光元件3發(fā)出的光而縮窄配線寬幅，優(yōu)選厚度形成為10~20 μ m程度。
[0068]〔發(fā)光元件〕
[0069]發(fā)光元件3為發(fā)光裝置10的光源，是通過施加電壓而自發(fā)光的半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體發(fā)光元件)，適用例如由氮化物半導(dǎo)體等構(gòu)成的發(fā)光二極管(LED)。特別是，本實施方式的搭載于發(fā)光裝置10的發(fā)光元件3能夠適用引線接合安裝對應(yīng)的構(gòu)成，其中，只要以由后述的制造方法進行說明的方式僅加工側(cè)面形狀即可。
[0070]在本實施方式中，發(fā)光元件3為平面看一邊的長度為L的大致正方形且上下(y方向)對稱的構(gòu)造。在圖2 (a)的平面圖中自中心線(A — A線)起表示上半部分。發(fā)光元件3例如在藍(lán)寶石這樣的透光性基板(元件基板)31上依次使η型半導(dǎo)體層32、活性層(發(fā)光層)33、P型半導(dǎo)體層34的氮化物半導(dǎo)體30的各層外延成長而層積之后，形成并制造分別與η型半導(dǎo)體層32、ρ型半導(dǎo)體層34連接的電極(η側(cè)焊盤電極51、透光性電極4以及ρ側(cè)焊盤電極52)。在本實施方式的發(fā)光裝置10中，發(fā)光元件3使元件基板31向下而載置在配線基板I上，為了從外部向上面的左右邊各自的中心附近供給電流而設(shè)有焊盤電極51、52。即，發(fā)光元件3是在上面具有一對焊盤電極51、52的面朝上安裝(引線接合安裝)對應(yīng)的半導(dǎo)體元件。以下，對發(fā)光元件3的要素進行詳細(xì)地說明。
[0071](元件基板)
[0072]元件基板31的 材料沒有特別限定，但在發(fā)光元件3的制造中能夠適用將氮化物半導(dǎo)體30的各層層積等的例如可使氮化物半導(dǎo)體成長的基板材料。作為由這樣的材料構(gòu)成的基板，可列舉以C面、R面、A面中的任一面作為主面的藍(lán)寶石、以(111)面作為主面的尖晶石(MgAL2O4)這樣的絕緣性基板、碳化硅(SiC)、ZnS、ZnO, S1、GaAs、金剛石以及與氮化物半導(dǎo)體晶格匹配的鈮氧鋰、鎵氧釹等氧化物基板等。在本實施方式的發(fā)光裝置10中，發(fā)光元件3將作為底面的元件基板31的背面與配線基板I的一堆負(fù)和正的引線電極121、122二者接合，另外為了在元件基板31的側(cè)面(端面)直接設(shè)置芯片配線21、22，故而將絕緣性基板、例如藍(lán)寶石用作元件基板31。
[0073]元件基板31的大小及厚度等沒有特別限定，但在發(fā)光元件3的制造階段，將多個發(fā)光元件3矩陣狀排列而形成在一塊元件基板31 (晶片)上，故而作為基臺需要一定程度的強度，需要可確保足夠的強度的厚度。另一方面，在發(fā)光元件3 (晶片)完成后，為了能夠利用切斷(切割)或割斷(破裂)等分割成芯片，元件基板31優(yōu)選從背面研削(背面研磨)等而薄壁化。特別是，在本實施方式的發(fā)光裝置10中，為了容易形成芯片配線21、22且較短為好，優(yōu)選使發(fā)光元件3的厚度小(薄)。因此，元件基板31薄壁化到不對氮化物半導(dǎo)體30產(chǎn)生影響的程度(只要能夠維持必要的強度)為好，例如能夠通過研削將厚度形成為50~250 μ m。
[0074](氮化物半導(dǎo)體)
[0075]作為η型半導(dǎo)體層32、活性層33以及ρ型半導(dǎo)體層34，沒有特別限定，但例如適用InxAlYGA1 — x —YN(0 ( X、0 < Y、X + Y < I)等氮化鎵類化合物半導(dǎo)體。η型半導(dǎo)體層32、活性層33以及ρ型半導(dǎo)體層34 (適當(dāng)統(tǒng)稱為氮化物半導(dǎo)體30)可以分別為單層構(gòu)造，也可以為組成以及膜厚不同的層的積層構(gòu)造、超晶格構(gòu)造等。特別是，作為發(fā)光層的活性層33是將產(chǎn)生量子效應(yīng)的薄膜層積后的單一量子阱或多重量子阱構(gòu)造為好，另外，阱層為含有In的氮化物半導(dǎo)體為好。另外，在元件基板31上也可以任意地經(jīng)由用于緩和晶格常量與元件基板31的不匹配的緩沖層等基底層(未圖示)而形成η型半導(dǎo)體層32。
[0076](電極)
[0077]發(fā)光元件3具有與η型半導(dǎo)體層32連接的η側(cè)焊盤電極51和與ρ型半導(dǎo)體層34連接的P側(cè)焊盤電極52。為了從外部供給電流，η側(cè)焊盤電極51和ρ側(cè)焊盤電極52分別由芯片配線21、22與配線基板I (負(fù)的引線電極121、正的引線電極122)連接。本實施方式的發(fā)光裝置10的發(fā)光兀件3為了將η側(cè)電極和P側(cè)電極設(shè)于同一面?zhèn)榷O(shè)于P型半導(dǎo)體層34側(cè)，且將ρ型半導(dǎo)體層34側(cè)設(shè)為光取出側(cè)。具體地，如圖2 (a)所示，ρ側(cè)焊盤電極52以在電阻較高的ρ型半導(dǎo)體層34的整個面內(nèi)均勻地流過電流的方式設(shè)置在形成于ρ型半導(dǎo)體層34的大致整個上面的透光性電極4之上。另一方面，η側(cè)焊盤電極51設(shè)置在將一部分區(qū)域的P型半導(dǎo)體層34以及活性層33除去而露出的η型半導(dǎo)體層32上，與其η型半導(dǎo)體層32連接。
[0078]透光性電極4由透明電極材料即銦一錫氧化物(Indium Tin Oxide:ΙΤ0)或者氧化鋅(ZnO)等導(dǎo)電性氧化物形成。另外，焊盤電極51、52由Al、Cu、Au等金屬電極材料形成。另外，焊盤電極51、52形成為與η型半導(dǎo)體層32或透光性電極4連接所需的形狀以及面積，并且形成為與芯片配線21、22連接所需的平面形狀以及面積。另外，焊盤電極51、52在平面觀察下，優(yōu)選設(shè)置在發(fā)光元件3的周緣即邊的附近。通過形成這樣的配置，在將發(fā)光元件3安裝在配線基板I上時，芯片配線21、22較短即可，特別是，在芯片配線21、22利用油墨噴射方式形成的情況下，抑制在發(fā)光元件3的上面附著多余的導(dǎo)電性油墨。
[0079](保護膜、絕緣膜)
[0080]保護膜6將發(fā)光元件3的氮化物半導(dǎo)體30露出的表面(上面以及端面)以及透光性電極4的表面等覆蓋。具體地，將用于與外部連接的區(qū)域即焊盤開口部6h除去而形成保護膜6。保護膜6將焊盤電極51、52上面的周緣部覆蓋，焊盤電極51、52上面的除去周緣部之外的區(qū)域成為焊盤開口部6h。在本實施方式的發(fā)光裝置10中，保護膜6在發(fā)光元件3的側(cè)面(端面)將芯片配線21、22與用于與氮化物半導(dǎo)體30絕緣的絕緣體(適當(dāng)記為絕緣膜7) 一體形成。絕緣膜7在發(fā)光元件3側(cè)面的至少設(shè)有芯片配線21、22的區(qū)域，以使氮化物半導(dǎo)體30的各層32、33、34均不露出的方式覆蓋。特別是在芯片配線21、22利用油墨噴射方式形成的情況下，為了防止由于附著多余的導(dǎo)電性油墨而引起的短路，保護膜6 (絕緣膜7)以發(fā)光元件3的氮化物半導(dǎo)體30以及透光性電極4不露出的方式覆蓋為好。在本實施方式的發(fā)光裝置10中，保護膜6 (絕緣膜7)除了其上面的焊盤開口部6h、以及底面以及側(cè)面的下部(元件基板31)而覆蓋發(fā)光元件3。
[0081]在此，絕緣膜7適用無機物且透光性絕緣材料為好。另外，絕緣膜7至少在發(fā)光元件3的側(cè)面以大致均勻的厚度形成為好。這是由于，無機物的膜比環(huán)氧樹脂等透光性樹脂膜的耐久性好，透光性降低的可能性以及形成在該膜的表面的芯片配線21、22斷線的可能性少。另外，保護膜6只要是透光性的絕緣材料即可，不限于無機物，但優(yōu)選與絕緣膜7同樣地適用可在制造發(fā)光元件3 (晶片)時成膜的無機物。作為無機物的絕緣性的膜材料，具體地可列舉 S1、T1、Ta、Nb、Zr、Mg 等氧化物(SiO2、Ti02、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、MgO)、Si 氮化物(例如Si3N4XAlN等氮化物、或者氟化鎂(MgF2)等。另外，保護膜6、絕緣膜7的膜厚沒有特別限定，優(yōu)選為10~1000Onm的范圍。這些材料能夠在制造發(fā)光元件3時通過蒸鍍法、濺射法等公知的方法成膜。具體地，在發(fā)光元件3以陣列狀在一塊元件基板31 (晶片)形成有多個的狀態(tài)下形成保護膜6 (絕緣膜7)。因此，在將完成的發(fā)光元件3單片化(切割)時以氮化物半導(dǎo)體30在剖切面不露出的方式預(yù)先將該發(fā)光元件3 (芯片)的周緣部(劃線區(qū)域、在圖2 Ca)中標(biāo)注陰影線進行表示)的氮化物半導(dǎo)體30完全除去，從其上起形成絕緣膜7(詳細(xì)地利用制造方法進行說明)。
[0082]以下，對第一實施方式的發(fā)光裝置10的其他要素進行詳細(xì)地說明。
[0083](接合部件)
[0084]接合部件8是用于將發(fā)光元件3固定在配線基板I上的構(gòu)件，在本實施方式的發(fā)光裝置10中，將發(fā)光元件3的底面(元件基板31的背面)和配線基板I的引線電極12的表面接合。接合部件8以使發(fā)光元件3和配線基板I (具體地，第一延伸電極121a及第二延伸電極122a)之間的間隔不過大的方式設(shè)置為好，由此，能夠使第一延伸電極121a (第二延伸電極122a)和焊盤電極51 (52)接近，能夠容易且穩(wěn)定地進行第一延伸電極121a (第二延伸電極122a)和芯片配線21 (22)的連接。即，接合部件8至少在形成芯片配線21、22的區(qū)域以在發(fā)光元件3與配線基板I (第一延伸電極121a及第二延伸電極122a)之間間隙變小的方式較薄地設(shè)置。
[0085]在本實施方式的發(fā)光裝置10中，接合部件8無需將發(fā)光元件3和配線基板I電連接，另外，發(fā)光元件3的接合面(底面)為絕緣性的元件基板31，故而能夠使用適用于一般的半導(dǎo)體元件的安裝(芯片焊接)的絕緣性、導(dǎo)電性的任一種接合部件。作為絕緣性的接合部件，列舉環(huán)氧類及硅酮類等的粘接劑，作為導(dǎo)電性的接合部件，分別列舉焊料、Ag等導(dǎo)電性膏、共晶合金等，在本發(fā)明中適用導(dǎo)電性的接合部件為好。通常，焊料等導(dǎo)電性部件由于導(dǎo)熱性比樹脂類的粘接劑 高，故而能夠提高發(fā)光裝置10的散熱性。另外，在接合部件8為導(dǎo)電性的情況下，如圖2 (b)所示地，以負(fù)和正的引線電極121、122間不短路的方式在負(fù)的引線電極121和正的引線電極122上分別分開設(shè)置，各接合部件8分別與發(fā)光元件3的底面接合。另一方面，在接合部件8為絕緣性的情況下，也可以將發(fā)光元件3的整個底面設(shè)置在負(fù)的引線電極121和正的引線電極122之間的基材11上。
[0086](密封部件)
[0087]密封部件9將發(fā)光元件3、負(fù)的引線電極121的一部分、正的引線電極122的一部分以及芯片配線21、22等密封(埋設(shè))，保護其不受到粉塵、水分、外力等的影響。密封部件9例如如圖1所示地，在配線基板I上載置有發(fā)光元件3的區(qū)域通過分配器等排出透光性樹脂材料并使其固化而形成。密封部件9至少埋設(shè)發(fā)光元件3以及芯片配線21、22即可，其形狀不作限定。在本發(fā)明中，芯片配線21、22與接合引線不同，在發(fā)光元件3的極近處幾乎不從上面以及側(cè)面突出地配置。因此，密封部件9無需在發(fā)光元件3上較厚地形成，能夠根據(jù)光學(xué)的效果等其他要求的特性來決定厚度及形狀。例如，在本實施方式的發(fā)光裝置10中，密封部件9通過在配線基板I上的包圍發(fā)光元件3的圓(參照圖1)內(nèi)隆起形成調(diào)節(jié)到較高粘度的樹脂材料，能夠成為平面看圓形的大致半球狀，能夠有效地向外部照射來自發(fā)光兀件3的光。
[0088]密封部件9與搭載有通常的發(fā)光元件的發(fā)光裝置同樣地，利用使發(fā)光元件3的光透過的透光性樹脂材料形成，具體地，列舉包含混合硅酮的硅樹脂、環(huán)氧樹脂、脲醛樹脂等，但優(yōu)選耐熱性以及耐光性優(yōu)良的硅樹脂。另外，也可以在這些樹脂材料中根據(jù)發(fā)光裝置10的目的及用途而含有熒光物質(zhì)、著色劑、光擴散劑、填充劑等，特別是，由于硅樹脂的熱膨脹率高，故而通過填充劑適當(dāng)降低熱膨脹率為好。或者，密封部件9形成為可保護發(fā)光元件3以及芯片配線21、22的程度的硬度且緩和應(yīng)力的構(gòu)造。
[0089]〔發(fā)光裝置的制造方法〕
[0090]參照圖3，與搭載的發(fā)光元件的制造一同說明本發(fā)明第一實施方式的發(fā)光裝置的制造方法。
[0091]發(fā)光裝置10如圖3所示地至少經(jīng)由如下工序制造，即:制造以在元件基板31上連結(jié)有發(fā)光元件3的狀態(tài)排列的晶片的晶片制造工序S10、按照各發(fā)光元件分割晶片而形成發(fā)光元件3 (芯片)的單片化工序S30、將發(fā)光元件3安裝在配線基板I上的組裝工序S40。在本實施方式中，晶片制造工序SlO包含形成覆蓋發(fā)光元件3的側(cè)面的絕緣膜7的絕緣膜形成工序S20。另外，組裝工序S40包含將發(fā)光元件3載置于配線基板I而接合的配線基板接合工序(發(fā)光元件接合工序)S41、芯片配線形成工序(配線形成工序)S42、利用密封部件9將發(fā)光元件3密封的密封工序S43。以下，對各工序進行說明。
[0092](發(fā)光元件的制造:氮化物半導(dǎo)體的形成)
[0093]在半導(dǎo)體成長工序SI I中，將藍(lán)寶石基板作為元件基板31，使用MOVPE反應(yīng)裝置在元件基板31上依次成長構(gòu)成η型半導(dǎo)體層32、活性層33以及ρ型半導(dǎo)體層34的各自的氮化物半導(dǎo)體(SI I)。
[0094]在本發(fā)明的發(fā)光裝 置的制造方法中，作為搭載于發(fā)光裝置10的發(fā)光元件3的氮化物半導(dǎo)體30的形成方法，沒有特別限定，能夠適當(dāng)使用M0VPE(有機金屬氣相成長法)、M0CVD(有機金屬化學(xué)氣相成長法)、HVPE (氫化物氣相成長法)、MBE (分子線外延法)等作為氮化物半導(dǎo)體的成長方法而公知的方法。特別是，MOCVD由于能夠結(jié)晶性良好地成長，故而是優(yōu)選的。另外，氮化物半導(dǎo)體30的各層32、33、34優(yōu)選根據(jù)使用目的適當(dāng)選擇各種氮化物半導(dǎo)體的成長方法。
[0095](發(fā)光元件的制造:n側(cè)接觸區(qū)域的形成)
[0096]為了形成用于連接η側(cè)焊盤電極51的區(qū)域(η側(cè)接觸區(qū)域)，將ρ型半導(dǎo)體層34及活性層的各一部分除去而使η型半導(dǎo)體層32在表面(上面)的一部分露出。同時，發(fā)光兀件3 (芯片)的周緣部(晶片的劃線區(qū)域)也蝕刻到與所述η側(cè)電極用接觸區(qū)域相同的深度(S12)。詳細(xì)地，在使氮化物半導(dǎo)體30的各層的元件基板31 (以下稱為晶片)上利用光致抗蝕劑形成在η側(cè)接觸區(qū)域以及劃線區(qū)域具有開口部的掩模。利用反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)將P型半導(dǎo)體層34以及活性層33，進而η型半導(dǎo)體層32的一部分除去而在表面使η型半導(dǎo)體層32中的η側(cè)接觸層露出。
[0097](發(fā)光元件的制造:芯片側(cè)面的露出)
[0098]為了使發(fā)光元件3 (芯片)的側(cè)面露出，進一步蝕刻晶片的劃線區(qū)域而從劃線區(qū)域?qū)⒌锇雽?dǎo)體30 (η型半導(dǎo)體層32)完全除去(S13)。具體地，在晶片上形成在劃線區(qū)域具有開口部的掩模。此時，掩模的開口部的形狀比蝕刻到η型半導(dǎo)體層32表層時的掩模的開口部窄，并且比由晶片完成后的切割削掉的切削量大。利用RIE將η型半導(dǎo)體層32完全除去，進而將其下方的元件基板31的一部分除去。在蝕刻之后將抗蝕劑除去。這樣，通過由兩階段時刻劃線區(qū)域，從而將發(fā)光元件3 (芯片)的側(cè)面臺階狀地形成。
[0099](發(fā)光元件的制造:電極的形成)[0100]在P型半導(dǎo)體層34上形成透光性電極4(S14)，形成分別與η型半導(dǎo)體層32、ρ型半導(dǎo)體層34連接的焊盤電極51、52 (S15)。具體地，首先通過濺射法在晶片的整個面上成膜形成透光性電極4的導(dǎo)電性氧化物膜。在導(dǎo)電性氧化物膜上形成與其下方的P型半導(dǎo)體層34的平面形狀(參照圖2 (a))對應(yīng)的形狀的掩模，利用蝕刻將未形成有掩模的部分的導(dǎo)電性氧化物膜除去而在P型半導(dǎo)體層34上形成透光性電極4并將抗蝕劑(掩模)除去。接著，在透光性電極4上面的形成ρ側(cè)焊盤電極52的區(qū)域和露出的η型半導(dǎo)體層32上面的形成η側(cè)焊盤電極51的區(qū)域分別形成具有開口部的掩模，在利用濺射法自該掩模之上將金屬電極材料成膜后，將抗蝕劑除去(剝離)。如上所述，形成η側(cè)焊盤電極51以及ρ側(cè)焊盤電極52。
[0101](發(fā)光元件的制造:保護膜以及絕緣膜的形成)
[0102]形成保護膜6 (S16)的同時形成絕緣膜7 (S20)。具體地，首先在晶片的整個面上利用濺射法或CVD (化學(xué)氣相成長法)形成SiO2等無機物的膜。接著，在無機物膜上形成在焊盤電極51、52各自的焊盤開口部6h上具有開口部的掩模，將從該開口部露出的無機物膜蝕刻并將抗蝕劑除去。由此，在晶片的除了焊盤開口部6h的整個面形成保護膜6 (在劃線區(qū)域為絕緣膜7)，完成晶片的制作。
[0103](發(fā)光元件的單片化)
[0104]從制成的晶片的背面對元件基板31進行研削(背面研磨)而較薄地加工成所希望的厚度(S31)。沿著劃線區(qū)域中心線利用切割等將該背面研削后的晶片分割(S32)成各個發(fā)光元件3 (芯片)。得到的發(fā)光元件3的側(cè)面臺階狀地形成，進而利用絕緣膜7覆蓋側(cè)面的氮化物半導(dǎo)體30以及其下方的元件基板31的上部。
[0105](發(fā)光裝置的組裝 )
[0106]在配線基板I的載置負(fù)和正的引線電極121、122的發(fā)光元件3 (芯片)的規(guī)定區(qū)域分別涂敷Ag膏，從其上方按壓發(fā)光元件3并加熱，使Ag膏固化，將發(fā)光元件3固定于配線基板I上(S41)。加熱并固化后的Ag膏成為接合部件8。
[0107]接著，利用油墨噴射法沿著圖2(a)中雙點劃線所示的芯片配線21、22的平面形狀(應(yīng)形成芯片配線21、22的區(qū)域)排出導(dǎo)電性油墨并進行燒結(jié)，形成芯片配線21、22 (S42)。在本實施方式中，芯片配線21、22的平面形狀為與配線基板I的長度方向(參照圖1、X方向)平行的線狀，并且位置與寬度方向中心一致，故而將油墨噴射頭固定而一邊使帶狀的配線基板I沿長度方向移動一邊排出導(dǎo)電性油墨即可，能夠操作性良好地形成。但是，芯片配線21和22也可以以在平面觀察下在配線基板的長度方向上實質(zhì)上垂直或具有傾斜角的方式形成。由此，芯片配線21和22能夠避免對配線基板I或發(fā)光裝置3施加的彎曲應(yīng)力。另外，由于發(fā)光元件3的側(cè)面臺階狀地形成，故而即使將導(dǎo)電性油墨向豎直下方排出，也能夠在發(fā)光元件3的側(cè)面(絕緣膜7的表面)附著足夠厚度的導(dǎo)電性油墨。
[0108]另外，也可以使油墨噴射頭傾斜而朝向發(fā)光元件3的側(cè)面向斜下方排出導(dǎo)電性油墨。由此，即使發(fā)光元件3的厚度(芯片厚)較大，或者在側(cè)面沒有臺階而是平坦的豎直面，也容易在上述側(cè)面充分地附著導(dǎo)電性油墨。
[0109]在配線基板I上的發(fā)光元件3及其周邊(參照圖1)以將發(fā)光元件3以及芯片配線21、22完全覆蓋的方式大致半球狀地涂敷透光性樹脂材料并使其固化而形成密封部件9(S43)。由此，如圖1所示，一個個地被密封部件9密封的四個發(fā)光元件3被帶狀的配線基板I支承而成為一列地連結(jié)的發(fā)光裝置10。
[0110]第一實施方式的發(fā)光裝置10上搭載的發(fā)光元件3也可以利用晶片的劃線區(qū)域的第二次蝕刻(除去η型半導(dǎo)體層32，S13)、或者進而利用第一次蝕刻(使η型半導(dǎo)體層32露出，S12)蝕刻成帶狀，形成為側(cè)面向下變寬的傾斜面(參照圖7所示的第四實施方式)。另外，發(fā)光元件3在單片化工序S30 (S32)中利用元件基板31的劈開性進行分割，形成為元件基板31的割斷面向下變寬的傾斜面(未圖示)。通過形成這樣的側(cè)面形狀，在形成芯片配線21、22時即使將導(dǎo)電性油墨向豎直下方排出，也容易在發(fā)光元件3的側(cè)面附著足夠厚度的導(dǎo)電性油墨。
[0111]另外，第一實施方式的發(fā)光裝置10也可以在發(fā)光元件3的底面(背面)具有將折射率不同的兩種以上的電介質(zhì)膜交替層積的多層膜(未圖示)。通過這樣的構(gòu)成，發(fā)光裝置10使從發(fā)光兀件3的發(fā)光層(活性層33)向下方射出的光多重反射而能夠提高光的取出效率。多層膜能夠形成在發(fā)光元件3的例如背面研削(S31)后的元件基板31上(參照后述的第三實施方式)。
[0112]如上所述地，第一實施方式的發(fā)光裝置幾乎直接適用公知的引線接合安裝對應(yīng)的發(fā)光元件以及配線基板，不用接合引線即可連接。由此，特別是在適用了具有可撓性的配線基板的情況下也能夠不易斷線，能夠提高可靠性。而且，發(fā)光裝置與將接合引線弧狀設(shè)置的構(gòu)成不同，由于配線僅經(jīng)由薄膜(絕緣膜)設(shè)置在發(fā)光元件的側(cè)面等，故而即使包含配線也可為與發(fā)光元件相同程度的大小，小型化、薄型化容易。
[0113]〔第二實施方式〕 [0114]本發(fā)明第一實施方式的發(fā)光裝置與發(fā)光元件的保護膜一體地形成有覆蓋側(cè)面的絕緣膜。但是，在本發(fā)明中，通過使用賦予了光學(xué)效果的絕緣膜，能夠形成為使光的取出率提高的發(fā)光裝置。以下，參照圖4對本發(fā)明第二實施方式的發(fā)光裝置進行說明。對于與第一實施方式的發(fā)光裝置相同的要素標(biāo)注相同的標(biāo)記并省略說明。
[0115]本發(fā)明第二實施方式的發(fā)光裝置IOA除了作為光源搭載發(fā)光兀件3Α之外，與第一實施方式的發(fā)光裝置10的構(gòu)成相同。即，發(fā)光裝置IOA如圖4所示地在配線基板I上載置發(fā)光元件3Α，由芯片配線21、22將上面的一對焊盤電極51、52分別連接配線基板I的負(fù)和正的引線電極121、122，另外，利用密封部件9 (在圖4中省略圖示，參照圖1、圖2 (b)，第三實施方式以后的剖面圖也同樣)將發(fā)光元件3A及其周邊密封。如以下說明地，發(fā)光元件3A除了側(cè)面形狀、將表面(上面、側(cè)面)覆蓋的保護膜6以及絕緣膜7A的構(gòu)成不同之外，與第一實施方式的發(fā)光元件3的構(gòu)成相同。即，發(fā)光裝置IOA的整體構(gòu)成與圖1所示的構(gòu)成相同，發(fā)光元件3A的上面如圖2 (a)所示那樣。
[0116](發(fā)光元件)
[0117]在發(fā)光元件3A中，半導(dǎo)體構(gòu)造(元件基板31、氮化物半導(dǎo)體30)以及電極構(gòu)成(透光性電極4、焊盤電極51、52)與發(fā)光兀件3的構(gòu)成相同，故而省略說明。發(fā)光兀件3A在發(fā)光裝置IOA中，除了焊盤開口部6h (參照圖2 (a))之外將絕緣性無機物的膜覆蓋在上面以及側(cè)面的方面與第一實施方式相同，但在具有僅覆蓋上面的保護膜6且具備覆蓋側(cè)面的多層膜構(gòu)造的絕緣膜7A方面與第一實施方式不同。進而，如圖4所示，在發(fā)光元件3A中以四側(cè)面(在圖中表示兩側(cè)面)向下方變寬的方式傾斜形成。通過形成這樣的側(cè)面形狀，在形成芯片配線21、22時，即使將導(dǎo)電性油墨向豎直下方排出，也能夠在發(fā)光元件3A的側(cè)面(絕緣膜7A表面)附著足夠厚度的導(dǎo)電性油墨。
[0118](絕緣膜)
[0119]絕緣膜7A與第一實施方式的絕緣膜7同樣地為無機物，將折射率不同的兩種電介質(zhì)膜交替地層積而構(gòu)成。通過在這樣的多層膜構(gòu)造的絕緣膜7A上形成芯片配線21、22，向發(fā)光元件3A的側(cè)方射出而由芯片配線21、22反射的光在絕緣膜7A內(nèi)逆向行進而由多層膜的界面反射，在絕緣膜7A內(nèi)進行多重反射而改變行進路線，最終較多地避開芯片配線21、22而向發(fā)光裝置IOA的外部照射。
[0120]另外，發(fā)光裝置IOA在發(fā)光元件3A中可以由絕緣膜7A僅覆蓋設(shè)有芯片配線21、22的兩側(cè)面且由保護膜6 (單層膜)與上面同樣地覆蓋剩余的兩側(cè)面，也可以將該兩側(cè)面豎直地形成。但是，在發(fā)光裝置IOA中，為了使出射面(密封樹脂的表面)內(nèi)的發(fā)光強度均勻地接近，將發(fā)光元件3A的四側(cè)面全部形成為傾斜面并且覆蓋絕緣膜7A為好。另外，絕緣膜7A為了進一步提高光學(xué)效果，較多地覆蓋發(fā)光元件3A的側(cè)面為好，在圖4所示的例中，覆蓋至下端即將整個側(cè)面覆蓋。這樣，發(fā)光元件3A的側(cè)面以及上面的除了焊盤開口部6h之外的整體被絕緣膜7A以及保護膜6這樣的無機物的膜覆蓋，從而，在發(fā)光裝置IOA中，能夠使樹月旨(密封部件9)不接觸氮化物半導(dǎo)體30以及元件基板31。由此，能夠進一步抑制由熱及光導(dǎo)致的樹脂(密封部件9)的劣化，提高耐久性。另外，不限于這樣的構(gòu)成，也可以如第一實施方式的發(fā)光裝置10的絕緣膜7那樣地使元件基板31的下部露出。
[0121]構(gòu)成多層膜即絕緣膜7A的電介質(zhì)膜分別與第一實施方式的絕緣膜7(保護膜6)同樣地，作為半導(dǎo)體元件的保護膜而使用公知的絕緣材料。雖然也基于發(fā)光元件3A發(fā)出的光的波長域，但例如作為低折射率材料，列舉Si02、MgF2,作為高折射率材料，列舉Ti02、Ta2O5,Nb2O5, ZrO2, Si3N4。絕緣膜7A的層數(shù)不作限定，但由于光不易從高折射率材料進入低折射率材料而容易在界面反 射，故而具有一組以上從發(fā)光元件3A側(cè)(下)起以低折射率材料/高折射率材料的順序?qū)臃e的組。另外，絕緣膜7A也可以通過將折射率接近的兩種以上的材料層積而構(gòu)成低折射率、高折射率的至少一方的層，還可以以三階段以上形成折射率不同的多層膜。絕緣膜7A的電介質(zhì)膜各自(單層)的厚度為了作為搬運光的介質(zhì)而很好地作用而優(yōu)選為IOnm以上。另外，絕緣膜7A整體的膜厚(總厚度)優(yōu)選與第一實施方式同樣地為1000Onm程度以下。
[0122]〔發(fā)光裝置的制造方法〕
[0123]本發(fā)明第二實施方式的發(fā)光裝置的制造方法除了要搭載的發(fā)光元件的側(cè)面的形成以及絕緣膜的形成之外，能夠以與第一實施方式的發(fā)光裝置的制造方法相同的順序進行。以下，參照圖3，包含要搭載的發(fā)光元件的制造，對第二實施方式的發(fā)光裝置的制造方法進行說明。
[0124](發(fā)光元件的制造:氮化物半導(dǎo)體的形成、η側(cè)接觸區(qū)域的形成)
[0125]在發(fā)光元件3Α的制造中，與第一實施方式同樣地在元件基板31上使氮化物半導(dǎo)體30的各層成長(S11)，將該晶片的η側(cè)接觸區(qū)域以及劃線區(qū)域蝕刻而使η型半導(dǎo)體層32露出(S12)。
[0126](發(fā)光元件的制造:芯片側(cè)面的露出)
[0127]進一步蝕刻晶片的劃線區(qū)域使其達(dá)到元件基板31的規(guī)定深度而將氮化物半導(dǎo)體30完全除去(S13)。在此，元件基板31的規(guī)定深度至少在最終的發(fā)光元件3Α (芯片)中超過被薄壁化后的元件基板31的厚度的深度。此時，將劃線區(qū)域蝕刻成帶狀。通過這樣地加工，發(fā)光元件3A在被單片化成芯片時側(cè)面成為傾斜面。另外，在后續(xù)的絕緣膜7A的形成中，能夠覆蓋到所述側(cè)面的下端。
[0128](發(fā)光元件的制造:電極的形成)
[0129]與第一實施方式同樣地，在晶片的上面形成透光性電極4、p側(cè)焊盤電極52以及η側(cè)焊盤電極51 (S14、S15)。
[0130](發(fā)光元件的制造:保護膜以及絕緣膜的形成)
[0131]在晶片的整個面上將構(gòu)成絕緣膜7A的多層膜除了最上層的一層外利用濺射法連續(xù)地成膜。成膜后的多層膜在劃線區(qū)域以外被蝕刻而完全除去。接著，形成絕緣膜7A的最上層且作為保護膜6的絕緣膜，與第一實施方式同樣地在該絕緣膜(保護膜6)中將成為焊盤開口部6h的區(qū)域除去而完成晶片的制作(S20、S16)。
[0132](發(fā)光元件的單片化)
[0133]從制成的晶片的背面對元件基板31進行研削(背面研磨)而較薄地加工成容易切割的厚度(S31)。沿著劃線區(qū)域中心線利用切割等分割該背面研削后的晶片(S32)，從背面進一步研削元件基板31，在劃線區(qū)域?qū)⑽幢晃g刻的元件基板31除去，形成為一個發(fā)光元件3A (芯片)。得到的發(fā)光元件3A的側(cè)面傾斜且在該整個側(cè)面覆蓋絕緣膜7A (參照圖3)。
[0134](發(fā)光裝置的組裝)
[0135]與第一實施方式同樣地，在配線基板I上載置發(fā)光元件3A (芯片)，形成芯片配線21、22，利用密封部件9將發(fā)光元件3A密封而成為發(fā)光裝置IOA (S40)。
[0136]在所述制造方法中，絕緣膜7A的形成(S20)與保護膜6的形成(S16)連續(xù)進行，但不限于此，也可以在形成焊盤電極5 (S15)之前、或者進而在形成透光性電極4 (S14)之前進行。例如，在形成發(fā)光元件3A的側(cè)面的工序(S13)中，在蝕刻氮化物半導(dǎo)體30之后，在殘留將劃線區(qū)域以外覆蓋的抗蝕劑研磨的狀態(tài)下形成多層膜，利用基于抗蝕劑除去的剝離能夠形成覆蓋劃線區(qū)域(發(fā)光元件3A的側(cè)面)的絕緣膜7A。此時，使η型半導(dǎo)體層32露出的蝕刻(S12)只要在進行成為η側(cè)接觸區(qū)域且將劃線區(qū)域的氮化物半導(dǎo)體30除去的工序(S13)中從ρ型半導(dǎo)體層34 一次除去到η型半導(dǎo)體層32即可。
[0137]在第二實施方式的發(fā)光裝置IOA中，發(fā)光兀件3Α可以如第一實施方式的發(fā)光裝置10的發(fā)光元件3那樣地將側(cè)面豎直地形成，也可以將絕緣膜7Α覆蓋在這樣的側(cè)面。另外，發(fā)光裝置IOA也可以與第一實施方式的發(fā)光裝置10同樣地，形成為絕緣膜7Α不完全覆蓋到發(fā)光元件3Α側(cè)面的下端的構(gòu)造，此時，也可以在單片化(S32)后不研削發(fā)光元件3Α的背面(未圖示)?；蛘撸l(fā)光裝置IOA如在第一實施方式中說明地，也可以在發(fā)光元件3Α的底面(背面)覆蓋絕緣膜7Α這樣的多層膜(未圖示)。
[0138]如上所述地，第二實施方式的發(fā)光裝置能夠與第一實施方式同樣地使可靠性提高，另外，小型化、薄型化容易。發(fā)光裝置將芯片配線與發(fā)光元件之間的絕緣膜形成為多層膜，通過使射入芯片配線的光多重反射，能夠抑制芯片配線導(dǎo)致的出射光的不均。
[0139]〔第三實施方式〕
[0140] 本發(fā)明第一、第二實施方式的發(fā)光裝置為了形成覆蓋發(fā)光元件的側(cè)面的絕緣膜，需要在發(fā)光元件(晶片)的制造階段較深地蝕刻成為側(cè)面的劃線區(qū)域。但是，對于晶片、或者進一步作為芯片完成的一般的引線接合安裝對應(yīng)的發(fā)光元件而言，能夠組裝成同樣的發(fā)光裝置。以下，參照圖5對本發(fā)明第三實施方式的發(fā)光裝置進行說明。對于與第一、第二實施方式的發(fā)光裝置相同的要素標(biāo)注相同的標(biāo)記并省略說明。
[0141]如圖5所示，本發(fā)明第三實施方式的發(fā)光裝置IOB在配線基板I上以一對焊盤電極51、52為上面的方式載置發(fā)光元件3B，利用芯片配線21、22將焊盤電極51、52和配線基板I的負(fù)和正的引線電極121、122連接。如以下的說明，發(fā)光元件3B除了側(cè)面形狀和由絕緣膜7B不僅覆蓋側(cè)面也覆蓋底面的方面之外，與第二實施方式中的發(fā)光元件3A的構(gòu)成相同。發(fā)光裝置IOB的整體構(gòu)成與圖1所示的構(gòu)成相同，發(fā)光元件3B的上面如圖2 (a)所示的那樣。
[0142](發(fā)光元件)
[0143]在發(fā)光元件3B中，半導(dǎo)體構(gòu)造(元件基板31、氮化物半導(dǎo)體30)以及電極(透光性電極4、焊盤電極51、52)與發(fā)光元件3、3A的構(gòu)成相同，故而省略說明。在發(fā)光裝置IOB中，發(fā)光元件3B與第二實施方式同樣地具有僅覆蓋除了焊盤開口部6h (參照圖2 (a))之外的上面的保護膜6，具有將側(cè)面以及底面覆蓋的多層膜構(gòu)造的絕緣膜7B。
[0144](絕緣膜)
[0145]絕緣膜7B與第二實施方式的絕緣膜7A相同，交替地層積折射率不同的兩種電介質(zhì)膜，電介質(zhì)膜各自的材料及厚度也與第二實施方式相同。其中，優(yōu)選可由低溫工藝CVD成膜的電介質(zhì)膜。多層膜構(gòu)造的絕緣膜7B不僅設(shè)于發(fā)光元件3B的側(cè)面還設(shè)于底面，由此使從該發(fā)光元件3B的發(fā)光層(活性層33)向下方射出的光多重反射，能夠進一步提高光的取出效率。這樣的絕緣膜7B在通過切割等將發(fā)光元件3B單片化之后，在側(cè)面以及背面(底面)一體地成膜而形成(詳細(xì)地利用制造方法進行說明)。另外，在本實施方式的發(fā)光裝置IOB中，與第二實施方式同 樣地，利用無機物即絕緣膜7B覆蓋發(fā)光元件3B的整個側(cè)面而使密封部件9不接觸發(fā)光元件3B，故而進一步抑制密封部件9的熱及光導(dǎo)致的劣化，提高耐久性。
[0146]〔發(fā)光裝置的制造方法〕
[0147]在本發(fā)明第三實施方式的發(fā)光裝置的制造方法中，在搭載的發(fā)光元件(芯片)制成后形成絕緣膜。以下，對第三實施方式的發(fā)光裝置的制造方法，參照圖6與要搭載的發(fā)光元件的制造一同進行說明。
[0148]如圖6所示，發(fā)光裝置IOB通過如下的工序制造，即:作為在元件基板31上排列并連接發(fā)光元件3B的晶片而制造的晶片制造工序SlOA ;將晶片分割而形成發(fā)光元件3B (芯片)的單片化工序S30 ;形成覆蓋發(fā)光元件3B的背面(底面)以及側(cè)面的絕緣膜7B的絕緣膜形成工序S20A ;將發(fā)光元件3B安裝于配線基板I的組裝工序S40。以下，對各工序進行說明。
[0149](發(fā)光元件的制造:氮化物半導(dǎo)體的形成、η側(cè)電極用接觸區(qū)域的形成)
[0150]在發(fā)光元件3Β的制造中，與第一、第二實施方式同樣地，在元件基板31上使氮化物半導(dǎo)體30的各層成長(S11)，蝕刻該晶片的η側(cè)電極用接觸區(qū)域以及劃線區(qū)域而使η型半導(dǎo)體層32露出(S12)。另外，在本實施方式中，也可以不進行將晶片的劃線區(qū)域的氮化物半導(dǎo)體30完全除去的蝕刻(S13，參照圖3)。
[0151](發(fā)光元件的制造:電極的形成、保護膜的形成)
[0152]與第一實施方式同樣地，在晶片的上面形成透光性電極4、ρ側(cè)焊盤電極52以及η側(cè)焊盤電極51 (S14、S15)。另外，與第一實施方式同樣地形成作為保護膜6的絕緣膜，在該絕緣膜中將作為焊盤開口部6h (參照圖2 (a))的區(qū)域除去而形成保護膜6 (S16)完成晶片的制作。
[0153](發(fā)光元件的單片化)
[0154]從制成的晶片的背面研削(背面研磨)元件基板31而較薄地加工至容易切割的厚度(S31)。沿著劃線區(qū)域的中心線利用切割等分割該背面研削后的晶片(S32)，形成一個發(fā)光元件3B (芯片)。得到的發(fā)光元件3B利用絕緣性的膜(保護膜6)僅覆蓋上面(焊盤電極51、52的形成面、以 下稱為焊盤電極形成面)，在通過切割而露出的側(cè)面(端面)使氮化物半導(dǎo)體30以及元件基板31露出。
[0155](絕緣膜的形成)
[0156]使焊盤電極形成面朝向下而將發(fā)光元件3B (芯片)貼附到具有半導(dǎo)體元件制造用的耐熱性的粘接片材等支承基板(省略圖示)上，隔開一定間隔而排列。在使底面(元件基板31)朝向上而固定在支承基板上的發(fā)光元件3B (芯片)上，利用ECR等離子體CVD等低溫工藝CVD連續(xù)形成構(gòu)成絕緣膜7B的多層膜(S20A)。由此，發(fā)光元件3B利用絕緣膜7B將底面以及側(cè)面、即露出的氮化物半導(dǎo)體30以及元件基板31完全覆蓋。
[0157]另外，也可以在將用于研削元件基板31 (S31)的支承基板貼合在晶片的焊盤電極形成面的狀態(tài)下，在研削后從背面切割(S32)。由此，單片化后的發(fā)光元件3B (芯片)由于以底面(元件基板31)為上而隔開切割的切割量的間隔排列而固定在支承基板上，故而能夠不將芯片向其他支承基板更換粘貼而形成絕緣膜7B。通過將該晶片及芯片的移動(研削、切割以及絕緣膜向成膜的各操作用的粘貼片材的粘附以及剝離)抑制到最小限度，防止破損并提高操作性。
[0158](發(fā)光裝置的組裝)
[0159]與第一、第二實施方式同樣地，在配線基板I載置發(fā)光兀件3B (芯片)(S41),形成芯片配線21、22 (S42)，由密封部件9密封發(fā)光元件3B (S43)，構(gòu)成發(fā)光裝置10B。
[0160]第三實施方式的發(fā)光裝置IOB代替由多層膜構(gòu)成的絕緣膜7B而與第一實施方式的發(fā)光裝置10同樣地設(shè)置單層的絕緣膜。另外，在發(fā)光裝置IOB中，由于發(fā)光元件3B利用絕緣膜7B覆蓋底面，故而元件基板31既可以為導(dǎo)電性的GaN基板等，也可以將元件基板31完全除去。發(fā)光元件3B為了將元件基板31完全除去，能夠代替研削，例如通過LLO (激光剝離)將元件基板31從氮化物半導(dǎo)體30剝離。這與在第一、第二實施方式的發(fā)光裝置10、IOA中，在發(fā)光元件3、3A的底面設(shè)置多層膜的情況也相同。另外，發(fā)光元件3、3A由于在單片化前(晶片)將劃線區(qū)域的氮化物半導(dǎo)體30完全除去，故而通過元件基板31的剝離，在此同時進行單片化。
[0161]另外，在發(fā)光元件3、3A中，在底面形成多層膜的情況下，也可以在單片化(S32)之前(元件基板31的研削或者除去后)形成多層膜，還可以在單片化之后形成。例如，在將側(cè)面豎直形成的發(fā)光元件3中，在單片化之后，在底面形成有多層膜(絕緣膜7B )的情況下，在發(fā)光元件3的側(cè)面層積保護膜6以及絕緣膜7B (未圖示)。這樣地搭載于本發(fā)明的發(fā)光裝置的發(fā)光元件只要設(shè)有從側(cè)面與底面的至少一部分連續(xù)的絕緣的區(qū)域即可。
[0162]如上所述，第三實施方式的發(fā)光裝置與第二實施方式同樣地，不僅提高可靠性，而且抑制芯片配線導(dǎo)致的發(fā)光的不均，進而能夠提高光的取出效率，利用引線接合安裝對應(yīng)的發(fā)光元件(芯片)而容易地制造。[0163]所述第一~第三實施方式的發(fā)光裝置10、10A、10B (以下適當(dāng)統(tǒng)稱為發(fā)光裝置10)搭載具有一對焊盤電極51、52的發(fā)光元件3 (3A、3B)，但例如也能夠搭載設(shè)有兩個以上η偵U、P側(cè)各焊盤電極的的大型的發(fā)光元件。這樣的發(fā)光裝置從各自的焊盤電極的表面單個地形成芯片配線，在負(fù)和正的引線電極121、122上的不同部位連接即可(未圖示)。
[0164]搭載于本發(fā)明的發(fā)光裝置的發(fā)光元件3 (3Α、3Β)對于焊盤電極51、52不要求用于引線接合的、該發(fā)光元件3上面的配置、形狀(面積)、厚度以及與引線的緊密貼合性，只要與透光性電極4、η型半導(dǎo)體層32的連接、以及與芯片配線21、22的連接以低電阻進行即可。另外，也可以省略P側(cè)焊盤電極52而在透光性電極4直接連接芯片配線22。
[0165]所述第一~第三實施方式的發(fā)光裝置10搭載將全部電極設(shè)于上面(光的照射面)的面朝上安裝對應(yīng)的發(fā)光元件3，但本發(fā)明的發(fā)光裝置也能夠搭載設(shè)在發(fā)光元件的上面和下面設(shè)有電極的對向電極型的發(fā)光元件。另外，本發(fā)明的發(fā)光裝置除了發(fā)光二極管(LED)之外，也能夠搭載例如激光二極管(LD)(未圖示)。
[0166]上述實施方式的發(fā)光裝置10在配線基板I上將密封部件9形成為大致半球型、SP凸透鏡狀，但不限于此。發(fā)光裝置軛也可以例如設(shè)置沿著配線基板I上的包圍發(fā)光元件3的圓的框(框體)，在該框體的內(nèi)側(cè)填充透光性樹脂材料并使其固化從而形成密封部件9 (未圖示)。若為基于這樣的形成方法形成的密封部件9，則能夠?qū)?yīng)于框體的形狀而形成為任意的平面形狀，能夠適用低粘度的樹脂材料，該情況下，能夠使表面形狀形成為平面，也能夠形成為凹面(凹透鏡狀)。另外，通過由反射率高的材料形成框體，使從發(fā)光元件向側(cè)方射出的光反射，能夠形成為光取出效率高的發(fā)光裝置?？蝮w也能夠先成形為該框體的形狀，然后貼附在配線基板I的上面，但優(yōu)選與密封部件9同樣地，在配線基板I上以液狀或膏狀成形并直接使其凝固形成。這 樣的框體的材料可列舉作為熱固化性樹脂的酚醛樹脂、環(huán)氧樹月旨、BT樹脂、硅樹脂、熱可塑性樹脂即PPA (聚鄰苯二甲酰胺)等，為了提高反射率，添加氧化鈦等白色添加劑而形成為白色的硅樹脂是適合的。
[0167]上述實施方式的發(fā)光裝置10將具有可撓性的薄膜狀FPC適用于配線基板1，但不限于此，只要是能夠由引線接合安裝的封裝即可適用。例如也能夠適用在平板形狀的基材上利用金屬膜形成了引線電極的圖案的COB (Chip on Board)封裝?；蛘?，也可以適用在框體的底面由金屬膜形成有引線電極的圖案的表面安裝型發(fā)光裝置用的陶瓷封裝。另外，發(fā)光裝置10適用在要搭載的發(fā)光元件3上使負(fù)和正的引線電極121、122 二者面對的配線基板1，但不限于此，也能夠構(gòu)成為僅在一引線電極上，或者在基材上直接接合發(fā)光元件的構(gòu)成。在這樣的發(fā)光裝置中，芯片配線也可以從發(fā)光元件的側(cè)面(絕緣膜表面)經(jīng)由基材表面延伸到設(shè)有引線電極的區(qū)域，另外，也可以例如由導(dǎo)電性油墨一體地形成芯片配線和引線電極(參照后述的第四、第五實施方式)。
[0168]另外，本發(fā)明的發(fā)光裝置也可以形成為例如在COB封裝上矩陣狀地排列搭載有多個發(fā)光元件的大型的面狀發(fā)光裝置。在這樣的發(fā)光裝置中，相鄰的發(fā)光元件的焊盤電極彼此通過芯片配線連接。本發(fā)明的發(fā)光裝置特別是在發(fā)光元件的各自的兩側(cè)無需用于接合引線的接合(連接)的空間，故而能夠?qū)⒍鄠€發(fā)光元件縮窄間隔排列而構(gòu)成為單位面積的光量多的發(fā)光裝置。
[0169]〔第四實施方式〕
[0170]如上所述，由于配線基板的引線電極也能夠由導(dǎo)電性油墨形成，故而在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，能夠利用導(dǎo)電性油墨與芯片配線同時形成引線電極。以下，參照圖7對本發(fā)明第四實施方式的發(fā)光裝置進行說明。對與第一~第三實施方式的發(fā)光裝置相同的要素標(biāo)注相同的標(biāo)記并省略說明。
[0171]如圖7所示，本發(fā)明第四實施方式的發(fā)光裝置IOC在平板狀的基材IlA上，以一對焊盤電極51、52為上面而搭載發(fā)光元件3，芯片配線21A、22A分別從焊盤電極51、52在發(fā)光元件3的側(cè)面?zhèn)鬟f而到達(dá)基材IlA表面，平面觀察下，向發(fā)光元件3的外側(cè)(圖7中的左右)延伸設(shè)置。芯片配線21A (22A)在基材IlA表面成為負(fù)的引線電極121 (正的引線電極122)。即，在發(fā)光裝置IOC中，芯片配線21A (22A)和負(fù)的引線電極121 (正的引線電極122)—體形成。發(fā)光裝置IOC例如為在COB封裝上排列搭載有多個發(fā)光元件3的面狀發(fā)光裝置，在圖7中將發(fā)光元件3的一個放大表示。
[0172](發(fā)光元件)
[0173]搭載于發(fā)光裝置IOC的發(fā)光兀件3除了搭載于第一實施方式的發(fā)光裝置10(參照圖2)的構(gòu)成和側(cè)面的一部分(η型半導(dǎo)體層32)形成為傾斜面的構(gòu)成以外為相同的構(gòu)造，標(biāo)注相同的標(biāo)記進行表示。這樣的發(fā)光元件3如第一實施方式中說明地，利用晶片的劃線區(qū)域的第二次的蝕刻(η型半導(dǎo)體層32的除去)蝕刻成帶狀而制造。另外，發(fā)光裝置IOC如圖2 (b)所示地也能夠搭載側(cè)面豎直形成的發(fā)光元件3，還能夠搭載在第二、第三實施方式的發(fā)光裝置10AU0B上搭載的發(fā)光元件3A、3B (未圖示)。
[0174](基材)
[0175]適用于發(fā)光裝置IOC的配線基板IA由平板狀的基材IlA和形成在其表面的負(fù)和正的引線電極121、122構(gòu)成。其中，配線基板IA在將發(fā)光元件3搭載于作為該配線基板IA的母材的基材IlA之后，與芯片配線21A、22A—同形成負(fù)和正的引線電極121、122?；腎lA也可以為與第一實施方式的配線基板I的基材11同樣地具有可撓性的薄膜狀，但由于芯片配線21A (22A)和負(fù)的引線電極121 (正的引線電極122)連續(xù)形成，故而為了特別是在發(fā)光元件3和基材IlA的邊界(發(fā)光元件3下面的端部)不斷線，由不易變形的具有一定程度的強度的絕緣性材料形成為好。另外，基材IlA由發(fā)光元件3發(fā)出的光及外界光難以透過的透光率低的材料形成為好。具體地，列舉陶瓷(A1203、AlN等)、或者酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、BT樹脂(bismaleimide triazine resin)、聚鄰苯二甲酰胺(PPA)等樹脂。
[0176](引線電極、芯片配線)
[0177]配線基板I A的負(fù)的引線電極121 (正的引線電極122)與芯片配線21A (22A) —體形成。即，負(fù)的引線電極121 (正的引線電極122)與芯片配線21A (22A)—同由可與基材IlA上面、搭載于其上的發(fā)光元件3的側(cè)面以及上面的焊盤電極51、52連續(xù)形成的導(dǎo)電性材料形成。作為這樣的材料，與第一實施方式的發(fā)光裝置10的芯片配線21、22同樣，列舉導(dǎo)電性油墨。
[0178](接合部件)
[0179]發(fā)光裝置IOC將發(fā)光元件3直接接合在基材IlA上，在此，利用絕緣性的接合部件8A將整個底面接合?；蛘撸部梢耘c第一實施方式的發(fā)光裝置10同樣地將導(dǎo)電性的接合部件8在兩處分開而與基材IlA接合(參照圖2(b))。接合部件8A適用向發(fā)光元件3的底面(元件基板31)和基材IlA的緊密貼合性以及散熱性良好的材料為好。[0180]〔發(fā)光裝置的制造方法〕
[0181]本發(fā)明第四實施方式的發(fā)光裝置的制造方法除了要形成的芯片配線的形狀之外，能夠以與第一實施方式的發(fā)光裝置的制造方法相同的順序進行。以下，參照圖3對第四實施方式的發(fā)光裝置的制造方法進行說明。另外，由于要搭載的發(fā)光元件與第一實施方式的發(fā)光裝置相同，故而省略直至其單片化的制造方法(S10~S30)。
[0182](發(fā)光裝置的組裝)
[0183]在基材IlA上利用接合部件8A固定發(fā)光元件3 (芯片)(S41)。接著，通過油墨噴射法從基材IlA表面的成為負(fù)的引線電極121的區(qū)域經(jīng)由發(fā)光元件3的側(cè)面在焊盤電極51上形成芯片配線21A，從焊盤電極52上經(jīng)由發(fā)光元件3的側(cè)面在基材IlA表面的成為正的引線電極122的區(qū)域形成芯片配線22A (S42)。該操作能夠例如一邊使油墨噴射頭從圖7的左向右移動(使搭載有發(fā)光兀件3的基材IlA向左移動)一邊排出導(dǎo)電性油墨而進行。而且，由密封部件9 (省略圖示)密封發(fā)光元件3 (S43)而構(gòu)成發(fā)光裝置10C。
[0184]第四實施方式的發(fā)光裝置IOC在未形成有引線電極的基板(僅由基材11構(gòu)成的基板)上接合發(fā)光元件3，與芯片配線一同形成有引線電極，但也可以在預(yù)先形成有引線電極的配線基板的基材表面(未形成有引線電極的區(qū)域)接合發(fā)光元件3。即，也能夠適用負(fù)和正的引線電極間的距離d比發(fā)光元件3的長度L大(d > L)的配線基板。此時，將芯片配線從接合于基材的發(fā)光元件3的側(cè)面(絕緣膜7表面)形成到基材表面，進而在基材上延伸設(shè)置而到達(dá)引線電極上(參照后述的第五實施方式)。
[0185]以上，第四實施方式的發(fā)光裝置適用未設(shè)有配線的基板(基材)，能夠與第一實施方式同樣地利用引線 接合安裝對應(yīng)的發(fā)光元件(芯片)容易地制造。
[0186]〔第五實施方式〕
[0187]如上所述，搭載于本發(fā)明的發(fā)光裝置的發(fā)光元件不限于與第一實施方式中所述那樣的引線接合安裝對應(yīng)的發(fā)光元件同樣的焊盤電極的構(gòu)成，例如為了更適于例如通過基于油墨噴射方式的芯片配線的形成，也可以改變配置及形狀。另外，本發(fā)明的發(fā)光裝置也能夠適用在負(fù)和正的引線電極的一方搭載發(fā)光元件的規(guī)格的配線基板。以下，參照圖8對本發(fā)明第五實施方式的發(fā)光裝置進行說明。對與第一~第四實施方式的發(fā)光裝置相同的要素標(biāo)注同一標(biāo)記并省略說明。
[0188]如圖8所示，本發(fā)明第五實施方式的發(fā)光裝置IOD在配線基板(基板)IB上以一對焊盤電極51A、52A為上面而載置發(fā)光元件3D，焊盤電極51A、52A和配線基板IB的負(fù)和正的引線電極121、122由芯片配線21、22連接，由密封部件9 (在圖8中省略圖示，參照圖1、圖2 (b))將發(fā)光元件3D密封。發(fā)光裝置IOD例如為在陶瓷封裝上搭載有發(fā)光元件3D的發(fā)光裝置，在圖8中，將配線基板IB的上面作為陶瓷封裝的發(fā)光元件收納部即凹部(省略圖示)的底面而放大表示。
[0189](配線基板)
[0190]適用于發(fā)光裝置IOD的配線基板IB與第一~第三實施方式的配線基板I同樣地由基材IlB和形成在其上面的負(fù)和正的引線電極121、122構(gòu)成。其中，如圖8所示，在配線基板IB中，在發(fā)光元件3D的整個載置區(qū)域配置正的引線電極122，在發(fā)光元件3D的外側(cè)與正的引線電極122分開而配置負(fù)的引線電極121。在本實施方式中，η側(cè)的芯片配線21不從發(fā)光元件3D的側(cè)面直接與負(fù)的引線電極121連接，與第四實施方式的發(fā)光裝置IOC (參照圖7)的芯片配線21A同樣地形成在基材IlB的表面。因此，芯片配線21為了特別在發(fā)光元件3D和基材IlB的邊界不斷線，基材IlB優(yōu)選與發(fā)光裝置IOC的基材IlA同樣地由不易變形且具有一定程度的強度的絕緣性材料形成為好。
[0191](接合部件)
[0192]發(fā)光裝置IOD由于使配線基板IB面對發(fā)光元件3D的整個底面而設(shè)有正的引線電極122，故而為了與η側(cè)的芯片配線21絕緣，由絕緣性的接合部件8Α接合發(fā)光元件D。如圖8所示，接合部件8Α以從發(fā)光元件3D的整個底面進一步覆蓋到正的引線電極122的與負(fù)的引線電極121相對的端面的方式設(shè)置。接合部件8Α與第四實施方式同樣地適用緊密貼合性以及散熱性良好的材料為好。
[0193](發(fā)光元件)
[0194]發(fā)光元件3D除了焊盤電極51Α、52Α的形狀、保護膜6以及絕緣膜7 (7Α)的構(gòu)成以外，與搭載于第一實施方式的發(fā)光裝置10 (參照圖2)的發(fā)光兀件3的構(gòu)成相同。即，由于半導(dǎo)體構(gòu)造(元件基板31、氮化物半導(dǎo)體30)，透光性電極4為與發(fā)光元件3相同的構(gòu)成，故而省略發(fā)光元件3D的說明。另外，發(fā)光元件3D的側(cè)面的形狀與發(fā)光元件3相同，但與第二實施方式的發(fā)光裝置IOA同樣地，具有發(fā)光元件3D覆蓋上面的保護膜6，具備覆蓋側(cè)面的多層膜構(gòu)造的絕緣膜7Α。
[0195]發(fā)光元件3D的η側(cè)焊盤電極51Α以及ρ側(cè)焊盤電極52Α分別在該發(fā)光元件3D的上面(省略圖示)形成為向兩端伸出的形狀。為了使該伸出的部分不與氮化物半導(dǎo)體30接觸，焊盤電極51Α、52Α 設(shè)于形成有絕緣膜7Α以及保護膜6上，經(jīng)由焊盤開口部6h (參照圖2 (a))與η型半導(dǎo)體層32、ρ型半導(dǎo)體層34 (透光性電極4)連接。即，發(fā)光元件3D在形成了透光性電極4 (圖3的S14)之后，以形成保護膜6以及絕緣膜7Α、形成焊盤開口部6h(圖3的S16、S20)、形成焊盤電極51A、52A (圖3的S15)的順序制造，各工序與第一、第二實施方式的發(fā)光裝置10、10A的制造方法相同。
[0196]發(fā)光裝置IOD由于將焊盤電極51A、52A形成為上述形狀，故而在發(fā)光元件3D上面的周緣附近將芯片配線21、22與焊盤電極51A、52A連接。芯片配線21、22在基于油墨噴射方式形成(參照第一實施方式的制造方法)時，幾乎不向發(fā)光元件3D的上面排出導(dǎo)電性油墨，故而抑制在發(fā)光元件3D附著不需要的導(dǎo)電性油墨而導(dǎo)致的遮擋出射光的情況。
[0197]第五實施方式的發(fā)光裝置IOD可以代替絕緣膜7A而與第一實施方式的發(fā)光裝置10同樣地將單層的絕緣膜7與保護膜6 —體設(shè)置，或者與第三實施方式的發(fā)光裝置IOB同樣地將絕緣膜7B設(shè)置在發(fā)光元件3D的底面和側(cè)面。另外，發(fā)光裝置IOD可以利用絕緣性的接合部件8A將第一~第三實施方式的發(fā)光元件3、3A、3B接合、搭載于配線基板1B。另外，搭載于發(fā)光裝置IOD的發(fā)光元件3D也可以與第二實施方式的發(fā)光裝置IOA (參照圖4)的發(fā)光元件3A同樣地使側(cè)面為傾斜面，另外，發(fā)光元件3D也可以如第一、第四實施方式的發(fā)光裝置10、10C (參照圖2、圖7)那樣地搭載于配線基板I及配線基板IA (基材11A)(未圖示)。
[0198]如上所述，第五實施方式的發(fā)光裝置適用在引線電極的一方載置發(fā)光元件的配線基板，與第一~第三實施方式同樣地，能夠提高可靠性，另外，小型化、薄型化容易。發(fā)光裝置即使由油墨噴射方式形成芯片配線，由于不需要的導(dǎo)電性油墨向發(fā)光元件的附著少，故而不遮擋照射光。[0199]〔第六實施方式〕
[0200]上述第五實施方式的發(fā)光裝置的發(fā)光元件將焊盤電極配置在上面的周緣附近，但也可以使其向側(cè)面延伸設(shè)置而與芯片配線一體設(shè)置。以下，參照圖9對本發(fā)明第六實施方式的發(fā)光裝置進行說明。對與第一~第五實施方式的發(fā)光裝置相同的要素標(biāo)注相同的標(biāo)記并省略說明。
[0201]本發(fā)明第六實施方式的發(fā)光裝置IOE在與第一實施方式的發(fā)光裝置10相同的配線基板I (參照圖1)上作為光源而搭載發(fā)光元件3E，通過在安裝前形成于發(fā)光元件3E的芯片配線(配線)21B、22B以及導(dǎo)電性的接合部件8B、8B而與負(fù)和正的引線電極121、122連接。
[0202]如圖9所示，發(fā)光元件3E除了側(cè)面形狀、焊盤電極51B、52B的形狀以及保護膜6(絕緣膜7)的構(gòu)成以外，與搭載于第一實施方式的發(fā)光裝置10 (參照圖2)的發(fā)光兀件3的構(gòu)成相同。詳細(xì)地，發(fā)光元件3E將η側(cè)焊盤電極51B以及ρ側(cè)焊盤電極52Β分別從該發(fā)光元件3Ε的上面(省略圖示)向兩端伸出，進而與在覆蓋側(cè)面的絕緣膜7上形成的芯片配線21Β、22Β連續(xù)地一體形成。發(fā)光元件3Ε在側(cè)面由絕緣膜7僅覆蓋設(shè)有芯片配線21Β (η側(cè)焊盤電極51Β)、芯片配線22Β (P側(cè)焊盤電極52Β)的區(qū)域。另外，在圖9 (a)中，焊盤電極51B、52B (芯片配線21B、22B)由粗虛線表示輪廓線。
[0203]芯片配線21B、22B與焊盤電極51B、52B —體形成，因此，可以說與第一~第三實施方式的發(fā)光裝置的芯片配線21、22同樣地與發(fā)光元件3E的焊盤電極51B、52B連接。這樣的芯片配線21B、22B是與焊盤電極51B、52B同樣地由濺射法等形成的金屬電極材料構(gòu)成的膜，故而由作為混合材料含有樹脂的導(dǎo)電性油墨構(gòu)成的芯片配線21、22的電阻低，能夠較細(xì)(窄幅、薄)地形成。在本實施方式中，如圖9 (a)所示，芯片配線21B、22B以與發(fā)光元件3E上面的焊盤電極51B、52B的直徑相同的寬度形成，但在發(fā)光元件3E的側(cè)面使寬度變細(xì)，能夠不較少地遮擋發(fā)光元件3E發(fā)出的光(未圖示)。芯片配線21B，22B優(yōu)選形成為可確保與接合部件8B連接(接觸)的足夠面積的形狀。這樣的與芯片配線21B、22B—體的焊盤電極51B、52B與搭載于第五實施方式的發(fā)光裝置IOD (參照圖8)的發(fā)光兀件3D同樣地,能夠在形成保護膜6 (絕緣膜7)后形成。
[0204]在此，芯片配線21B、22B與焊盤電極51B、52B同時地形成，即，以連接多個發(fā)光元件3E而排列的晶片的狀態(tài)一并形成。因此，芯片配線21B、22B若從發(fā)光元件3E的側(cè)面向外側(cè)(X方向)突出形成，則發(fā)光元件3E確保芯片配線21B、22B的厚度量以上的劃線區(qū)域，有效區(qū)域(具有氮化物半導(dǎo)體30的全層的區(qū)域)變小，輸出減少。因此，發(fā)光元件3E以在圖9 Ca)中標(biāo)注陰影線表示地，限定于設(shè)置芯片配線21B、22B的區(qū)域(包含附近)，將氮化物半導(dǎo)體30 (η型半導(dǎo)體層32)除去，進而將元件基板31的上部除去而在側(cè)面形成凹陷，在其端面(側(cè)面)覆蓋絕緣膜7。
[0205] 在本實施方式的發(fā)光裝置IOE中，由于芯片配線21Β、22Β不由油墨噴射方式形成，故而也不會附著不需要的導(dǎo)電性油墨，不將發(fā)光元件3Ε的兩側(cè)面(圖9中的左右的側(cè)面)整體絕緣。導(dǎo)電性的接合部件8Β以不與在發(fā)光元件3Ε的側(cè)面露出的氮化物半導(dǎo)體30接觸的方式在設(shè)置芯片配線21Β、22Β的區(qū)域?qū)⒃?1除去足夠的厚度(深度)為好。另外，由于這樣地除去氮化物半導(dǎo)體30的區(qū)域較窄地限定，故而即使將元件基板31較深地除去，也能夠利用用于發(fā)光元件3Ε的單片化(圖3的S30)的背面研削等防止晶片割裂?；蛘?，發(fā)光元件3E也可以在劃線區(qū)域?qū)⒌锇雽?dǎo)體30 (η型半導(dǎo)體層32)以及元件基板31的上部除去，此時，平面看僅將設(shè)置芯片配線21Β、22Β的區(qū)域向內(nèi)側(cè)較大地除去，使其以外的劃線區(qū)域的寬度較窄而確保有效區(qū)域。另外，在圖9 (b)中，發(fā)光元件3Ε將除去了氮化物半導(dǎo)體30的區(qū)域的側(cè)面(端面)豎直地形成，但也可以形成向上方拓寬的凹陷(被除去的部分)而形成為帶狀的傾斜面(未圖示)。
[0206]芯片配線21B、22B由于在單片化前的晶片制造時形成，故而不到達(dá)元件基板31的下部、即單片化露出的端面。這是由于為了將發(fā)光元件3E單片化而從背面研削元件基板31時，研削到形成有芯片配線21B、22B的高度(深度)位置的話，芯片配線21B、22B會剝離。另外，金屬膜即芯片配線21B、22B難以與元件基板31以及氮化物半導(dǎo)體30 —同分割(切割、破斷)，故而如圖9 (a)所示地，在平面觀察下不到達(dá)發(fā)光元件3E的端(邊)而形成于內(nèi)側(cè)，在生產(chǎn)性觀點來看是優(yōu)選的。因此，發(fā)光裝置IOE為了將這樣的發(fā)光元件3E安裝于配線基板1，使焊料等導(dǎo)電性的接合部件8B形成從發(fā)光元件3E的底面向側(cè)面立起的圓角，與距離發(fā)光元件3E的下面以及側(cè)面(端面)一定距離的芯片配線21B、22B連接。換言之，發(fā)光裝置IOE使芯片配線2IB (22B)和接合部件8B —體地向發(fā)光元件3E的左側(cè)(右側(cè))延伸設(shè)置而形成與負(fù)的引線電極121 (正的引線電極122)連接的配線。而且，發(fā)光裝置IOE在發(fā)光元件3E向配線基板I安裝(組裝工序S40，參照圖3)中，由一工序進行接合(S41)和連接(S42)。這樣的利用一工序的安裝與倒裝片安裝相同，但由于發(fā)光元件3E使與焊盤電極相當(dāng)?shù)男酒渚€21B、22B不處于下面(安裝面)而設(shè)于相對的兩側(cè)面并相互隔開間隔，故而在配線基板I的位置對齊上無需倒裝片安裝這樣的精度。
[0207]第六實施方式的發(fā)光裝置IOE可以不使用導(dǎo)電性的接合部件SB將發(fā)光元件3E向負(fù)和正的引線電極121、122連接，或者不僅基于接合部件SB進一步形成第一實施方式的發(fā)光裝置10等的芯片配線21、22這樣的使用導(dǎo)電性油墨的配線。另外，在發(fā)光元件3E的制造中，不將芯片配線21B、22B與焊盤電極51B、52B —體地形成，在形成焊盤電極51、52 (51B、52B)以及保護膜6 (絕緣膜 7)之后，再次利用濺射法等在焊盤電極51、52上重合形成。另外，發(fā)光裝置IOE也可以在發(fā)光元件3E的側(cè)面代替絕緣膜7而覆蓋絕緣膜7A (多層膜)。或者，發(fā)光裝置IOE也可以在發(fā)光元件3E的底面覆蓋絕緣膜(多層膜)(未圖示)。此時，若在單片化后的發(fā)光元件3E (芯片)從背面形成絕緣膜，則由于也覆蓋側(cè)面的芯片配線21B、22B,故而在單片化之前(晶片)形成絕緣膜。
[0208]搭載于第六實施方式的發(fā)光裝置IOE的發(fā)光元件3E與搭載于第一實施方式的發(fā)光裝置10的發(fā)光元件3等同樣地，將底面以及從底面連續(xù)的側(cè)面的下部絕緣。因此，也可以如第五實施方式的發(fā)光裝置IOD (參照圖8)那樣地，由絕緣性的接合部件8A與配線基板IB (正的引線電極122)接合，由芯片配線21、22連接。另外，發(fā)光元件3E還可以如第四實施方式的發(fā)光裝置IOC (參照圖7)那樣地搭載于配線基板I A (基材11A)。
[0209]如上所述，第六實施方式的發(fā)光裝置能夠與第一~第五實施方式同樣地使可靠性提高，另外，小型化、薄型化容易。另外，發(fā)光裝置通過將芯片配線與焊盤電極一體形成而無需在制造中追加工序。另外，通過為與焊盤電極同樣的金屬膜，可以導(dǎo)電性優(yōu)良地窄幅地形成。通過使芯片配線窄幅地形成，能夠減少被芯片配線遮擋的發(fā)光元件的出射光。進而，發(fā)光裝置由于在安裝發(fā)光元件前形成有芯片配線，故而組裝的工序數(shù)少。
[0210]上述第一~第五實施方式的發(fā)光裝置印刷導(dǎo)電性油墨而形成芯片配線，另外，第六實施方式的發(fā)光裝置通過蒸鍍法、濺射法而形成芯片配線，但除了這些方法以外，只要能夠在發(fā)光元件3的側(cè)面以所希望的形狀覆蓋導(dǎo)電性材料即可適用。具體地，作為芯片配線的材料，除了導(dǎo)電性油墨及蒸著膜之外，列舉鍍膜、或者由粘接劑貼附的金屬箔。
[0211]以上，對本發(fā)明的發(fā)光裝置，對用于實施本發(fā)明的方式進行了說明，但本發(fā)明不限于上述實施方式，顯然基于上述記載而進行了各種變更、改變等的構(gòu)成也包含在本發(fā)明的主旨中。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光裝置，包括: 撓性基板，其在上面具有負(fù)的引線電極和正的引線電極； 發(fā)光元件，其在上面具有負(fù)電極和正電極； 絕緣膜，其形成在所述發(fā)光元件的側(cè)面； 配線，其在所述絕緣膜上相接形成，將所述負(fù)電極和所述負(fù)的引線電極之間、或者所述正電極和所述正的引線電極之間連接。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中， 所述發(fā)光元件跨越所述負(fù)的引線電極和正的引線電極而設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中， 所述絕緣膜在所述發(fā)光元件的側(cè)面以大致均勻的的厚度形成。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項所述的發(fā)光裝置，其中， 所述負(fù)的引線電極或所述正的引線電極和所述配線的連接部位于接近所述發(fā)光元件側(cè)面的下端的位置。
5.如權(quán)利要求1~4中任一項所述的發(fā)光裝置,其中， 所述絕緣膜由無機物構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1~5中任一項所述的發(fā)光裝置,其中， 所述絕緣膜為將折射率不同的兩種以上的電介質(zhì)膜層積而成的多層膜。
7.一種發(fā)光裝置，其中，包括: 撓性基板； 負(fù)的引線電極，其具有第一連結(jié)部和各自的一端與所述第一連結(jié)部連結(jié)的多個第一延伸電極，并且形成在所述基板的上面； 正的引線電極，其具有第二連結(jié)部和各自的一端與所述第二連結(jié)部連結(jié)的多個第二延伸電極，并且以該第二延伸電極以規(guī)定的間隔與所述第一延伸電極鄰接的方式形成在所述撓性基板的上面； 多個發(fā)光元件，其在上面分別具有正電極和負(fù)電極，在第一延伸電極分別連接有負(fù)電極，在所述第二延伸電極分別連接有正電極； 絕緣膜，其分別形成在所述多個發(fā)光元件的側(cè)面； 多個配線，其分別形成在所述絕緣膜上，分別將所述正電極和所述第一延伸電極之間、或所述負(fù)電極和所述第二延伸電極之間連接。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其中， 所述撓性基板為具有短邊和長邊的矩形形狀，所述發(fā)光元件在所述撓性基板的長度方向上列狀地排列。
9.一種發(fā)光裝置，其中，包括: 基板； 負(fù)的引線電極，其具有第一連結(jié)部和各自的一端與所述第一連結(jié)部連結(jié)的多個第一延伸電極，并且形成在所述基板的上面； 正的引線電極，其具有第二連結(jié)部和各自的一端與所述第二連結(jié)部連結(jié)的多個第二延伸電極，以該第二延伸電極以規(guī)定的間隔與所述第一延伸電極鄰接的方式形成在所述基板的上面；多個發(fā)光元件，其分別在上面具有正電極和負(fù)電極，分別跨越所述第一延伸電極和第二延伸電極而設(shè)置； 絕緣膜，其分別形成在所述發(fā)光元件的側(cè)面； 配線，其分別形成在所述絕緣膜上，分別將所述負(fù)電極和所述第一延伸電極之間、或者所述正電極和所述第二延伸電極之間連接。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其中， 所述基板為撓性基板。
11.如權(quán)利要求7~10中任一項所述的發(fā)光裝置,其中， 所述絕緣膜分別在所述發(fā)光元件的側(cè)面以大致均勻的厚度形成。
12.如權(quán)利要求7~11中任一項所述的發(fā)光裝置,其中， 所述第一延伸電極或所述第二延伸電極和所述配線的連接部分別位于接近所述發(fā)光元件側(cè)面的下端的位置。
13.如權(quán)利要求7~12中任一項所述的發(fā)光裝置，其中， 所述絕緣膜分別由無機物構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求7~ 13中任一項所述的發(fā)光裝置,其中， 所述絕緣膜分別為將折射率不同的兩種以上的電介質(zhì)膜層積而成的多層膜。
【文檔編號】H01L25/075GK104022216SQ201410073414
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月28日
【發(fā)明者】大湯孝寬 申請人:日亞化學(xué)工業(yè)株式會社