一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以降低公共電極沿柵極信號(hào)線垂直方向的電阻，提高電阻均一性，從而改善圖像顯示。所述陣列基板，包括襯底基板、多個(gè)公共電極、柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極和漏極，所述基板還包括：位于所述公共電極上的多條柵極信號(hào)線和公共電極信號(hào)線、位于所述柵極信號(hào)線和公共電極信號(hào)線上的數(shù)據(jù)信號(hào)線、位于所述數(shù)據(jù)信號(hào)線上的絕緣層和位于所述絕緣層上的像素電極，其中：所述公共電極信號(hào)線為金屬線，分別沿所述柵極信號(hào)線的垂直方向和平行方向交叉分布形成矩陣，每個(gè)矩陣內(nèi)包含一個(gè)公共電極，相鄰的兩個(gè)在所述柵極信號(hào)線的垂直方向上分布的公共電極信號(hào)線通過跨接線電性連接。
【專利說明】一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前邊緣場(chǎng)面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)(FringeField Switching, FFS)模式的液晶面板,數(shù)據(jù)信號(hào)線方向，即與柵極信號(hào)線垂直方向的公共電極Vcom主要以氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)為導(dǎo)電介質(zhì)，且采用ITO作為公共電極的跨接線，具體地如圖1所示。現(xiàn)有技術(shù)中FFS模式的液晶面板，首先在襯底玻璃基板上制作一層ITO透明導(dǎo)電層，通過后續(xù)刻蝕工藝后得到的ITO透明導(dǎo)電層作為公共電極10，F(xiàn)FS模式的液晶面板的數(shù)據(jù)信號(hào)線11的方向與柵極信號(hào)線12的方向垂直，從圖中可以看到，與柵極信號(hào)線12垂直方向的公共電極10，即沿?cái)?shù)據(jù)信號(hào)線11方向的公共電極10主要以ITO為導(dǎo)電介質(zhì)，而ITO作為導(dǎo)電介質(zhì)時(shí)的電阻較大。
[0003]另外，與柵極信號(hào)線12平行的公共電極信號(hào)線13為公共電極10提供信號(hào)時(shí)，需要通過跨接線14跨過柵極信號(hào)線12，將公共電極信號(hào)線13與公共電極10連通，其中，15表示位于公共電極10上與跨接線14 一端相連的過孔，16表示位于公共電極信號(hào)線13上與跨接線14另一端相連的過孔，跨接線14的材料為ΙΤ0，跨接線14與FFS模式的液晶面板的像素電極同層制作，17表示現(xiàn)有技術(shù)制作得到的薄膜晶體管，同樣的，用ITO作跨接線時(shí)，跨接線的電阻較大。其中，圖1中的公共電極10、公共電極信號(hào)線13、跨接線14均位于不同層，公共電極信號(hào)線13和柵極信號(hào)線12位于同一層。
[0004]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中的FFS模式的液晶面板的公共電極沿柵極信號(hào)線垂直方向的電阻很大，且電阻均一性也較差，這樣，會(huì)引起公共電極電壓分布不均勻，容易出現(xiàn)殘像等不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以降低公共電極沿柵極信號(hào)線垂直方向的電阻，提高電阻均一性，從而改善圖像顯示。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板、多個(gè)公共電極、柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極和漏極，所述基板還包括:位于所述公共電極上的多條柵極信號(hào)線和公共電極信號(hào)線、位于所述柵極信號(hào)線和公共電極信號(hào)線上的數(shù)據(jù)信號(hào)線、位于所述數(shù)據(jù)信號(hào)線上的絕緣層和位于所述絕緣層上的像素電極，其中:所述公共電極信號(hào)線為金屬線，分別沿所述柵極信號(hào)線的垂直方向和平行方向交叉分布形成矩陣，每個(gè)矩陣內(nèi)包含一個(gè)公共電極，相鄰的兩個(gè)在所述柵極信號(hào)線的垂直方向上分布的公共電極信號(hào)線通過跨接線電性連接。
[0007]由本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，由于該陣列基板中的公共電極信號(hào)線為金屬線，分別沿所述柵極信號(hào)線垂直方向和平行方向交叉分布形成矩陣，每個(gè)矩陣內(nèi)包含一個(gè)公共電極，相鄰的兩個(gè)在所述柵極信號(hào)線的垂直方向上分布的公共電極信號(hào)線通過跨接線電性連接，因此能夠降低公共電極沿柵極信號(hào)線垂直方向的電阻，電阻減小會(huì)降低沿柵極信號(hào)線垂直方向電壓分布梯度，并能夠提高電阻均一性，從而改善圖像顯示。
[0008]較佳地，所述跨接線為金屬線，并與所述數(shù)據(jù)信號(hào)線、所述源極和漏極同層制作。
[0009]這樣，當(dāng)跨接線與所述數(shù)據(jù)信號(hào)線、所述源極和漏極同層制作時(shí)，在實(shí)際生產(chǎn)中方便、簡(jiǎn)單且不需要增加生產(chǎn)成本。
[0010]較佳地，所述跨接線通過第一過孔、第二過孔、第三過孔和第四過孔將相鄰的兩個(gè)在所述柵極信號(hào)線的垂直方向上分布的公共電極信號(hào)線電性連接，其中，所述第一過孔位于沿所述柵極信號(hào)線垂直方向分布的公共電極信號(hào)線上方，貫穿所述絕緣層和所述數(shù)據(jù)信號(hào)線，所述第二過孔位于沿所述柵極信號(hào)線平行方向分布的公共電極信號(hào)線上方，貫穿所述絕緣層和所述數(shù)據(jù)信號(hào)線；所述第三過孔和第四過孔位于所述跨接線上方，貫穿所述絕緣層；所述第一過孔和第三過孔之間以及第一過孔和第三過孔內(nèi)設(shè)置有用于將與所述柵極信號(hào)線垂直的公共電極信號(hào)線和所述跨接線連接的像素電極；所述第二過孔和所述第四過孔之間以及第二過孔和第四過孔內(nèi)設(shè)置有用于將同一列相鄰的公共電極中與所述柵極信號(hào)線垂直的公共電極信號(hào)線和所述跨接線連接的像素電極。
[0011]這樣，跨接線通過第一過孔、第二過孔、第三過孔和第四過孔將相鄰的兩個(gè)在所述柵極信號(hào)線的垂直方向上分布的公共電極信號(hào)線電性連接，在實(shí)際生產(chǎn)中方便、易行。
[0012]較佳地，所述公共電極為ΙΤ0。
[0013]這樣，用ITO做公共電極的材料，在實(shí)際生產(chǎn)中簡(jiǎn)單、易行。
[0014]較佳地，所述公共電極信號(hào)線與所述柵極和所述柵極信號(hào)線同層制作。
[0015]這樣，當(dāng)公共電極信號(hào)線與所述柵極和所述柵極信號(hào)線同層制作時(shí)，在實(shí)際生產(chǎn)中方便、簡(jiǎn)單且不需要增加生產(chǎn)成本。
[0016]較佳地，所述像素電極為ΙΤ0。
[0017]這樣，用ITO做像素電極，在實(shí)際生產(chǎn)中簡(jiǎn)單、易行。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例還提供了 一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0019]由本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置，由于包括上述的陣列基板，因此能夠很好的改善圖像顯示。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，所述方法包括:
[0021]在襯底基板上制作公共電極；
[0022]在上述基板上制作多條柵極信號(hào)線和公共電極信號(hào)線，所述公共電極信號(hào)線為金屬線，分別沿所述柵極信號(hào)線的垂直方向和平行方向交叉分布形成矩陣，每個(gè)矩陣內(nèi)包含一個(gè)公共電極，相鄰的兩個(gè)在所述柵極信號(hào)線的垂直方向上分布的公共電極信號(hào)線通過跨接線電性連接；
[0023]在上述基板上制作數(shù)據(jù)信號(hào)線；
[0024]在上述基板上依次制作絕緣層和像素電極。
[0025]由本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，由于該陣列基板的制作方法中包括在基板上制作多條柵極信號(hào)線和公共電極信號(hào)線，所述公共電極信號(hào)線為金屬線，分別沿所述柵極信號(hào)線垂直方向和平行方向交叉分布形成矩陣，每個(gè)矩陣內(nèi)包含一個(gè)公共電極，相鄰的兩個(gè)在所述柵極信號(hào)線的垂直方向上分布的公共電極信號(hào)線通過跨接線電性連接，因此本發(fā)明實(shí)施例制作得到的陣列基板能夠降低公共電極沿柵極信號(hào)線垂直方向的電阻，提高電阻均一性，從而改善圖像顯示。
[0026]較佳地，所述在上述基板上制作數(shù)據(jù)信號(hào)線，還包括:
[0027]制作與所述數(shù)據(jù)信號(hào)線同層的跨接線，所述跨接線為金屬線。
[0028]這樣，由于本發(fā)明實(shí)施例中還制作有與所述數(shù)據(jù)信號(hào)線同層的跨接線，該跨接線為金屬線，因此跨接線的制作同樣能夠降低公共電極沿柵極信號(hào)線垂直方向的電阻，提高電阻均一性，從而改善圖像顯示。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的公共電極分布結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法流程圖；
[0032]圖4-圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板在制作過程中不同階段的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖9為圖8中沿AB方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以降低公共電極沿柵極信號(hào)線垂直方向的電阻，提高電阻均一性，從而改善圖像顯示。
[0035]如圖2所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板、多個(gè)公共電極40、由柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極和漏極組成的薄膜晶體管60，所述基板還包括:位于所述公共電極40上的多條柵極信號(hào)線50和公共電極信號(hào)線51、位于所述柵極信號(hào)線50和公共電極信號(hào)線51上的數(shù)據(jù)信號(hào)線61、位于所述數(shù)據(jù)信號(hào)線61上的絕緣層和位于所述絕緣層上的像素電極，其中:所述公共電極信號(hào)線51為金屬線，分別沿所述柵極信號(hào)線50的垂直方向和平行方向交叉分布形成矩陣,每個(gè)矩陣內(nèi)包含一個(gè)公共電極40,相鄰的兩個(gè)在柵極信號(hào)線50的垂直方向上分布的公共電極信號(hào)線51通過跨接線62電性連接。
[0036]如圖3所示，本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，所述方法包括:
[0037]S301、在襯底基板上制作公共電極；
[0038]S302、在上述基板上制作多條柵極信號(hào)線和公共電極信號(hào)線，所述公共電極信號(hào)線為金屬線，分別沿所述柵極信號(hào)線的垂直方向和平行方向交叉分布形成矩陣，每個(gè)矩陣內(nèi)包含一個(gè)公共電極，相鄰的兩個(gè)在所述柵極信號(hào)線的垂直方向上分布的公共電極信號(hào)線通過跨接線電性連接；
[0039]S303、在上述基板上制作數(shù)據(jù)信號(hào)線；
[0040]S304、在上述基板上依次制作絕緣層和像素電極。
[0041]下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實(shí)施例中的陣列基板的制作方法。
[0042]如圖4所示，在襯底基板上制作第一層ITO層，其中，本發(fā)明具體實(shí)施例中的襯底基板為玻璃基板，第一層ITO層經(jīng)過后續(xù)刻蝕工藝后，形成的ITO層作為本發(fā)明具體實(shí)施例中的公共電極40。[0043]如圖5所示，在上述基板上制作金屬層，該金屬層經(jīng)過后續(xù)刻蝕工藝后，形成的金屬層作為本發(fā)明具體實(shí)施例中的柵極信號(hào)線50和公共電極信號(hào)線51，其中，公共電極信號(hào)線51分別沿柵極信號(hào)線50垂直方向和平行方向交叉分布形成矩陣，每個(gè)矩陣內(nèi)包含一個(gè)公共電極40，在所述柵極信號(hào)線50的垂直方向上的公共電極信號(hào)線51需要通過后續(xù)制作的跨接線跨過所述柵極信號(hào)線50，同時(shí)，在基板上制作的金屬層經(jīng)過刻蝕工藝后也形成了本發(fā)明具體實(shí)施例中的薄膜晶體管的柵極(圖中未示出)，本發(fā)明具體實(shí)施例中的薄膜晶體管的柵極與柵極信號(hào)線50和公共電極信號(hào)線51同層制作，這里，在基板上制作的金屬層與現(xiàn)有技術(shù)相同，可以為單層金屬層，也可以為復(fù)合金屬層。
[0044]如圖6所示，在上述基板上沉積柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層、金屬層，對(duì)各層進(jìn)行刻蝕后制作出薄膜晶體管60以及數(shù)據(jù)信號(hào)線61，具體的制作過程與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不予贅述。同時(shí)，這里，與現(xiàn)有技術(shù)不同的，本發(fā)明具體實(shí)施例中還將沉積的金屬層刻蝕制作出跨接線62，其中，公共電極信號(hào)線51通過跨接線62跨過所述柵極信號(hào)線50，該跨接線62與薄膜晶體管60的源極和漏極以及數(shù)據(jù)信號(hào)線61同層制作，其中，跨接線62的具體位置在不同的工藝中有不同的設(shè)計(jì)，本發(fā)明具體實(shí)施例并不對(duì)其位置作限定。
[0045]如圖7所示，在上述基板上沉積絕緣層(圖中未示出)，并在絕緣層上刻蝕第一過孔71、第二過孔72、第三過孔73、第四過孔74和第五過孔75，其中:第一過孔71位于沿柵極信號(hào)線50垂直方向分布的公共電極信號(hào)線51上方，貫穿所述絕緣層和數(shù)據(jù)信號(hào)線61，第二過孔72位于沿柵極信號(hào)線50平行方向分布的公共電極信號(hào)線51上方，貫穿所述絕緣層和數(shù)據(jù)信號(hào)線61 ;第三過孔73和第四過孔74位于跨接線62上方，貫穿絕緣層；其中，第一過孔71和第三過孔73之間以及第一過孔和第三過孔內(nèi)設(shè)置有用于將與柵極信號(hào)線50垂直方向分布的公共電極信號(hào)線51和跨接線62連接的像素電極；第二過孔72和第四過孔74之間以及第二過孔和第四過孔內(nèi)設(shè)置有用于將同一列相鄰的公共電極中與柵極信號(hào)線50垂直的公共電極信號(hào)線51和跨接線62連接的像素電極；第五過孔75位于薄膜晶體管60的漏極上方，貫穿絕緣層和數(shù)據(jù)信號(hào)線61，用于連接像素電極和薄膜晶體管的漏極。其中，這里所述的像素電極是后續(xù)沉積的像素電極，本發(fā)明具體實(shí)施例中的像素電極為ΙΤ0，像素電極的制作如圖8所示。
[0046]如圖8所示，在圖7所示的基板上沉積一層ITO層，該ITO層經(jīng)后續(xù)刻蝕工藝后，形成位于第一過孔71和第三過孔73之間以及第一過孔71和第三過孔73內(nèi)將與柵極信號(hào)線50垂直的公共電極信號(hào)線51和跨接線62連接的像素電極81，同時(shí)也形成位于第二過孔72和第四過孔74之間以及第二過孔72和第四過孔74內(nèi)將同一列相鄰的公共電極40中與柵極信號(hào)線50垂直的公共電極信號(hào)線51和跨接線62連接的像素電極82。圖中，83表示本發(fā)明具體實(shí)施例中的像素電極為開孔設(shè)計(jì)。這樣，跨接線62就可以很好的將沿柵極信號(hào)線50垂直方向分布的公共電極信號(hào)線51連接，跨接線62與薄膜晶體管60的源極和漏極以及數(shù)據(jù)信號(hào)線61同層制作，跨接線62為金屬線，其電阻較小，故本發(fā)明具體實(shí)施例中的跨接線62與現(xiàn)有技術(shù)中用ITO作為跨接線相比，可以降低公共電極沿柵極信號(hào)線50垂直方向的電阻，提高電阻均一性。
[0047]圖8中的陣列基板沿AB方向分布的截面圖如圖9所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供的陣列基板，包括襯底基板90、位于襯底基板90上的公共電極40、位于公共電極40上的公共電極信號(hào)線51、位于公共電極信號(hào)線51上的柵極絕緣層91、位于柵極絕緣層91上的半導(dǎo)體有源層92、位于半導(dǎo)體有源層92上的數(shù)據(jù)信號(hào)線61、位于所述數(shù)據(jù)信號(hào)線61上的絕緣層93，以及位于絕緣層93上的像素電極80。
[0048]除非另作定義，此處使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明專利申請(qǐng)說明書以及權(quán)利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！吧稀?、“下”、“左”、“右”、“底”、“頂”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。
[0049]本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板，較佳地，本發(fā)明具體實(shí)施例中的顯示裝置為FFS模式的液晶面板，因此，本發(fā)明具體實(shí)施例中的顯示裝置的圖像顯示得到了很大的改善。
[0050]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板、多個(gè)公共電極、柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極和漏極，其特征在于，所述基板還包括:位于所述公共電極上的多條柵極信號(hào)線和公共電極信號(hào)線、位于所述柵極信號(hào)線和公共電極信號(hào)線上的數(shù)據(jù)信號(hào)線、位于所述數(shù)據(jù)信號(hào)線上的絕緣層和位于所述絕緣層上的像素電極，其中:所述公共電極信號(hào)線為金屬線，分別沿所述柵極信號(hào)線的垂直方向和平行方向交叉分布形成矩陣，每個(gè)矩陣內(nèi)包含一個(gè)公共電極，相鄰的兩個(gè)在所述柵極信號(hào)線的垂直方向上分布的公共電極信號(hào)線通過跨接線電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述跨接線為金屬線，并與所述數(shù)據(jù)信號(hào)線、所述源極和漏極同層制作。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述跨接線通過第一過孔、第二過孔、第三過孔和第四過孔將相鄰的兩個(gè)在所述柵極信號(hào)線的垂直方向上分布的公共電極信號(hào)線電性連接，其中，所述第一過孔位于沿所述柵極信號(hào)線垂直方向分布的公共電極信號(hào)線上方，貫穿所述絕緣層和所述數(shù)據(jù)信號(hào)線，所述第二過孔位于沿所述柵極信號(hào)線平行方向分布的公共電極信號(hào)線上方，貫穿所述絕緣層和所述數(shù)據(jù)信號(hào)線；所述第三過孔和第四過孔位于所述跨接線上方，貫穿所述絕緣層；所述第一過孔和第三過孔之間以及第一過孔和第三過孔內(nèi)設(shè)置有用于將與所述柵極信號(hào)線垂直的公共電極信號(hào)線和所述跨接線連接的像素電極；所述第二過孔和所述第四過孔之間以及第二過孔和第四過孔內(nèi)設(shè)置有用于將同一列相鄰的公共電極中與所述柵極信號(hào)線垂直的公共電極信號(hào)線和所述跨接線連接的像素電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極為ITO。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極信號(hào)線與所述柵極和所述柵極信號(hào)線同層制作。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極為ITO。
7.—種顯示裝置，其特征在于，所述裝置包括權(quán)利要求1-6任一權(quán)項(xiàng)所述的陣列基板。
8.—種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括: 在襯底基板上制作公共電極； 在上述基板上制作多條柵極信號(hào)線和公共電極信號(hào)線，所述公共電極信號(hào)線為金屬線，分別沿所述柵極信號(hào)線的垂直方向和平行方向交叉分布形成矩陣，每個(gè)矩陣內(nèi)包含一個(gè)公共電極，相鄰的兩個(gè)在所述柵極信號(hào)線的垂直方向上分布的公共電極信號(hào)線通過跨接線電性連接； 在上述基板上制作數(shù)據(jù)信號(hào)線； 在上述基板上依次制作絕緣層和像素電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述在上述基板上制作數(shù)據(jù)信號(hào)線，還包括: 制作與所述數(shù)據(jù)信號(hào)線同層的跨接線，所述跨接線為金屬線。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103838048SQ201410073497
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2014年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月28日
【發(fā)明者】張振宇, 邵喜斌, 廖燕平, 尹大根, 王丹 申請(qǐng)人:北京京東方顯示技術(shù)有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司