一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了現(xiàn)有的陣列基板表面角段差大的問(wèn)題。一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的多層薄膜，至少一層薄膜具有薄膜圖案，且至少一層薄膜在不同區(qū)域的厚度與形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離成反比。
【專利說(shuō)明】一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置包括陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶。其中為了使得陣列基板和彩膜基板在不加電壓的情況下穩(wěn)定液晶方向，在陣列基板上設(shè)置有PI (Polyimide，聚酰亞胺)薄膜，所述PI薄膜表面形成有溝槽，影響液晶的錨定力。
[0003]如圖1所不，陣列基板100包括:襯底基板101以及設(shè)置在所述襯底基板101上的柵線102、柵絕緣層103、源極1041、漏極1042、半導(dǎo)體圖案105、像素電極106以及鈍化層107等。由于柵線、源極、漏極、像素電極以及有源層僅對(duì)應(yīng)設(shè)置在基板的部分區(qū)域形成薄膜圖案，則形成的陣列基板表面不平整，形成陣列基板的表面角段差大，這也使得形成PI薄膜的工藝難度大，容易產(chǎn)生顯示不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，解決了現(xiàn)有的陣列基板上表面角段差大的問(wèn)題。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的多層薄膜，至少一層薄膜具有薄膜圖案，且至少一層薄膜在不同區(qū)域的厚度與形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離成反比。
[0007]可選的，所述襯底基板上依次設(shè)置有柵金屬層、覆蓋所述柵金屬層的柵絕緣層、有源層、源漏金屬層、像素電極層以及鈍化層，其中所述柵金屬層包括柵線，所述柵絕緣層在對(duì)應(yīng)柵線區(qū)域的厚度小于柵絕緣層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
[0008]可選的，所述源漏金屬層包括源極和漏極，所述鈍化層至少在對(duì)應(yīng)所述源極和漏極區(qū)域的厚度小于鈍化層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
[0009]可選的，所述源極和漏極分別位于所述柵極的兩側(cè)，所述有源層在對(duì)應(yīng)源極和漏極之間的區(qū)域設(shè)置有半導(dǎo)體圖案，所述鈍化層在對(duì)應(yīng)所述半導(dǎo)體圖案區(qū)域的厚度大于對(duì)應(yīng)源極和漏極區(qū)域的厚度。
[0010]可選的，所述像素電極層包括像素電極，所述像素電極與漏極電連接，所述鈍化層在對(duì)應(yīng)所述像素電極區(qū)域的厚度小于鈍化層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
[0011]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0012]在襯底基板上形成至少一層具有薄膜圖案的薄膜；
[0013]在襯底基板上形成至少一層在不同區(qū)域的厚度與形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離成反比的薄膜。
[0014]可選的，在襯底基板上形成柵金屬層，其中所述柵金屬層包括柵線；
[0015]在所述襯底基板上形成柵絕緣層，其中，所述柵絕緣層覆蓋所述柵金屬層，且所述柵絕緣層在對(duì)應(yīng)柵線區(qū)域的厚度小于柵絕緣層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度；
[0016]在所述襯底基板上依次形成有源層、源漏金屬層、像素電極層以及鈍化層。
[0017]可選的，所述源漏金屬層包括源極和漏極，所述鈍化層至少在對(duì)應(yīng)所述源極和漏極區(qū)域的厚度小于鈍化層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
[0018]可選的，所述源極和漏極分別位于所述柵極的兩側(cè)，所述有源層在對(duì)應(yīng)源極和漏極之間的區(qū)域設(shè)置有半導(dǎo)體圖案，所述鈍化層在對(duì)應(yīng)所述半導(dǎo)體圖案區(qū)域的厚度大于對(duì)應(yīng)源極和漏極區(qū)域的厚度。
[0019]可選的，所述像素電極層包括像素電極，所述像素電極與漏極電連接，所述鈍化層在對(duì)應(yīng)所述像素電極區(qū)域的厚度小于鈍化層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的任一所述的陣列基板。
[0021]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，所述陣列基板上包括至少一層具有薄膜圖案的薄膜，且至少一層薄膜在不同區(qū)域的厚度與形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離成反比，由此可以減小由于薄膜圖案引起的陣列基板的角段差，使得陣列基板的表面平整度好。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為現(xiàn)有的一種陣列基板不意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板示意圖；
[0024]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法示意圖；
[0025]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制作方法示意圖。
[0026]附圖標(biāo)記:
[0027]100-陣列基板；101-襯底基板；102-柵線；103-柵絕緣層；1041-源極；1042-漏極；105-半導(dǎo)體圖案；106-像素電極；107_鈍化層。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的多層薄膜，至少一層薄膜具有薄膜圖案，且至少一層薄膜在不同區(qū)域的厚度與形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離成反比。
[0030]需要說(shuō)明的是，所述至少一層具有薄膜圖案，則形成具有薄膜圖案的薄膜還可以稱之為“層”。例如陣列基板上包括柵金屬層，其制作方法具體為在襯底基板上形成金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵線和公共電極線的柵金屬層。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例中，所述襯底表面即形成該層薄膜的接觸底面。所述形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離，即可以是形成該層薄膜的表面到襯底基板的上表面的距離。當(dāng)然，還可以選定基準(zhǔn)線為襯底基板的下表面等，但各層薄膜均以同一基準(zhǔn)線為基準(zhǔn)確定其襯底表面到該基準(zhǔn)線的距離。本發(fā)明實(shí)施例均以形成該層薄膜的襯底表面到襯底基板的上表面為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0032]所述至少一層薄膜具有薄膜圖案，即該層薄膜僅在薄膜圖案區(qū)域形成薄膜，在其他區(qū)域的薄膜可以是通過(guò)構(gòu)圖工藝等被刻蝕。所述至少一層薄膜在不同區(qū)域的厚度與形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離成反比，具體為，形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離越大，形成該區(qū)域薄膜的厚度越小，即可以是在對(duì)應(yīng)有薄膜圖案的區(qū)域形成的薄膜的厚度越小，反之，形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離越小，形成該區(qū)域薄膜的厚度越大，這樣可以減小整個(gè)陣列基板的角段差，陣列基板的表面平整度好。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，所述陣列基板上包括至少一層具有薄膜圖案的薄膜，且至少一層薄膜在不同區(qū)域的厚度與形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離成反比，由此可以減小由于薄膜圖案引起的陣列基板的角段差，使得陣列基板的表面平整度好。進(jìn)而在陣列基板表面形成的PI膜的角段差小，PI膜的表面平整度好，提高顯示效果。
[0034]可選的，如圖2所示，所述襯底基板101上依次設(shè)置有柵金屬層(即圖2中的柵線102的對(duì)應(yīng)層)、覆蓋所述柵金屬層的柵絕緣層103、有源層(圖2中的半導(dǎo)體圖案105的對(duì)應(yīng)層)、源漏金屬層(圖2中的源極1041和漏極1042的對(duì)應(yīng)層)、像素電極層(圖2中的像素電極106對(duì)應(yīng)層)以及鈍化層107，其中所述柵金屬層包括柵線102，所述柵絕緣層103在對(duì)應(yīng)柵線102區(qū)域的厚度小于柵絕緣層103未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。如圖2所示，柵絕緣層103在對(duì)應(yīng)柵線102區(qū)域的襯底表面距離襯底基板的距離為柵線102的高度，則對(duì)應(yīng)在柵線102區(qū)域形成的柵絕緣薄膜103的厚度小，其他區(qū)域的柵絕緣層103直接形成在所述襯底基板101上，則對(duì)應(yīng)形成的柵絕緣薄膜103的厚度大。這樣可以減小基板表面柵線區(qū)域和其他區(qū)域的角段差。
[0035]需要說(shuō)明的是，所述柵金屬層包括柵線即包括薄膜圖案的薄膜，所述柵絕緣層在對(duì)應(yīng)柵線區(qū)域的厚度小于其他區(qū)域的厚度即柵絕緣層在不同區(qū)域的厚度與形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離成反比。即柵絕緣層在對(duì)應(yīng)柵線區(qū)域的襯底表面距離襯底基板的距離大則對(duì)應(yīng)在柵線區(qū)域形成的柵絕緣薄膜的厚度小，在其他區(qū)域的的表面為直接形成在所述襯底基板上，則對(duì)應(yīng)形成的柵絕緣薄膜的厚度大。
[0036]可選的，如圖2所示，所述源漏金屬層包括源極1041和漏極1042，所述鈍化層107至少在對(duì)應(yīng)所述源極1041和漏極1042區(qū)域的厚度小于鈍化層107未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。即如圖2所示的，鈍化層107形成在源極1041和漏極1042的上面，且在對(duì)應(yīng)源極1041和漏極1042的區(qū)域的襯底表面到襯底基板101的距離即為源極1041和漏極1042的上表面距離襯底基板的距離，鈍化層107未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的襯底表面到襯底基板101的距離為對(duì)應(yīng)的柵絕緣層103的厚度，則鈍化層107在對(duì)應(yīng)源極1041和漏極1042區(qū)域的厚度小于鈍化層107未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
[0037]可選的，所述源極1041和漏極1042分別位于所述柵極102的兩側(cè)，所述有源層在對(duì)應(yīng)源極1041和漏極1042之間的區(qū)域設(shè)置有半導(dǎo)體圖案105，所述鈍化層107在對(duì)應(yīng)所述半導(dǎo)體圖案105區(qū)域的厚度大于對(duì)應(yīng)源極1041和漏極1042區(qū)域的厚度。如圖2所示的，源極1041和漏極1042分別位于所述柵極102的兩側(cè)，在源極1041和漏極1042之間形成溝道區(qū)，鈍化層107在溝道區(qū)的襯底表面到襯底基板101的距離為柵極102、柵絕緣層101以及半導(dǎo)體圖案105的厚度之和，鈍化層107未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的襯底表面到襯底基板的距離為對(duì)應(yīng)的柵絕緣層103的厚度，即小于鈍化層107在溝道區(qū)的襯底表面到襯底基板101的距離，則鈍化層107在對(duì)應(yīng)所述半導(dǎo)體圖案105區(qū)域的厚度大于對(duì)應(yīng)源極1041和漏極1042區(qū)域的厚度。以減小有源層表面的角段差。
[0038]可選的，如圖2所示，所述像素電極層包括像素電極106，所述像素電極106與漏極1042電連接，所述鈍化層107在對(duì)應(yīng)所述像素電極106區(qū)域的厚度小于鈍化層107未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。如圖2所示的，像素電極層包括像素電極106，則鈍化層107在對(duì)應(yīng)像素電極106區(qū)域的襯底表面到襯底基板的距離即為對(duì)應(yīng)像素電極區(qū)域的柵絕緣層以及像素電極的厚度之和，鈍化層107未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的襯底表面到襯底基板的距離為對(duì)應(yīng)的柵絕緣層103的厚度，則鈍化層107在對(duì)應(yīng)所述像素電極106區(qū)域的厚度小于鈍化層107未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
[0039]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中，薄膜在不同區(qū)域的厚度與形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離成反比要結(jié)合在襯底基板上形成的各層薄膜的順序以及薄膜圖案的具體位置關(guān)系，本發(fā)明實(shí)施例中僅以附圖所示的陣列基板為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，如圖3所示，包括:
[0041]步驟101、在襯底基板上形成至少一層具有薄膜圖案的薄膜。
[0042]步驟102、在襯底基板上形成至少一層在不同區(qū)域的厚度與形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離成反比的薄膜。
[0043]需要說(shuō)明的是，所述在襯底基板上形成至少一層在不同區(qū)域的厚度與形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離成反比的薄膜可以是通過(guò)構(gòu)圖工藝形成的。所述構(gòu)圖工藝即是將薄膜形成包含至少一個(gè)圖案的層的工藝；而構(gòu)圖工藝通常包含:在薄膜上涂膠，利用掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，再利用顯影液將需去除的光刻膠沖蝕掉，再刻蝕掉未覆蓋光刻膠的薄膜部分，最后將剩下的光刻膠剝離。其中為了實(shí)現(xiàn)薄膜在不同對(duì)應(yīng)區(qū)域的厚度不同可以通過(guò)設(shè)置掩膜板在對(duì)應(yīng)區(qū)域的光的透光率，以形成對(duì)應(yīng)的厚度的光刻膠，進(jìn)一步可以通過(guò)“灰化(即氣體的干法刻蝕)”形成不同厚度的薄膜。
[0044]需要說(shuō)明的是，上述步驟101和步驟102可以根據(jù)不同陣列基板其制作順序不同，且陣列基板上形成有多層薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，所述多層薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)可以根據(jù)具體情況重復(fù)形成步驟101或步驟102。例如，上述步驟101可以是形成柵金屬層，其中柵金屬層包括柵線；步驟101也可以是形成源漏金屬層，其中源漏金屬層包括源極和漏極等。上述步驟102可以是形成鈍化層或者柵絕緣層等。且陣列基板在具體的形成過(guò)程中還可以根據(jù)具體的薄膜結(jié)構(gòu)確定相應(yīng)的制作順序。
[0045]可選的,如圖4所示,所述制作方法具體包括:
[0046]步驟201、在襯底基板上形成柵金屬層，其中所述柵金屬層包括柵線。
[0047]需要說(shuō)明的是，不同的陣列基板，各層薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)包括的薄膜圖案有所不同。例如，所述柵金屬層還可以包括公共電極線等其他薄膜圖案。
[0048]步驟202、在所述襯底基板上形成柵絕緣層，其中，所述柵絕緣層覆蓋所述柵金屬層，且所述柵絕緣層在對(duì)應(yīng)柵線區(qū)域的厚度小于柵絕緣層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
[0049]由于襯底基板上僅形成有柵金屬層，則在所述襯底基板上形成柵絕緣層，所述柵絕緣層在對(duì)應(yīng)柵線區(qū)域的襯底表面距離襯底基板的距離即為柵線的厚度，在其他未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的襯底表面即為襯底基板的表面。在柵絕緣層在對(duì)應(yīng)柵線區(qū)域的厚度小于柵絕緣層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度，以減小形成的柵絕緣層表面的角段差。
[0050]當(dāng)所述柵金屬層還包公共電極時(shí)，則所述柵絕緣層還可以在對(duì)應(yīng)所述公共電極區(qū)域的厚度小于柵絕緣層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
[0051]步驟203、在所述襯底基板上依次形成有源層、源漏金屬層、像素電極層以及鈍化層。
[0052]即在形成有柵金屬層以及柵絕緣層的上面依次形成有源層、源漏金屬層、像素電極層以及鈍化層，形成的陣列基板即如圖2所示。
[0053]需要說(shuō)明的是，上述制作方法用于形成如圖2所示的陣列基板，但陣列基板可以有多種不同的形式，且不同形式的陣列基板其具體制作方法也不相同。例如:上述的源極、漏極和柵極是薄膜晶體管的三個(gè)電極，根據(jù)電極的位置關(guān)系將薄膜晶體管分為兩類。一類是柵極位于源極和漏極的下面，這類稱之為底柵型薄膜晶體管；一類是柵極位于源極和漏極的上面，這類稱之為頂柵型薄膜晶體管。如圖2所示的僅為底柵型薄膜晶體管，頂柵型薄膜晶體管的制作方法可以結(jié)合上述實(shí)施例得出，在這里就不作贅述。
[0054]可選的，所述源漏金屬層包括源極和漏極，所述鈍化層至少在對(duì)應(yīng)所述源極和漏極區(qū)域的厚度小于鈍化層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。即如圖2所示的，鈍化層形成在源極1041和漏極1042的上面，且在對(duì)應(yīng)源極1041和漏極1042的區(qū)域的襯底表面到襯底基板的距離即為源極1041和漏極1042的上表面距離襯底基板的距離，鈍化層107未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的襯底表面到襯底基板的距離為對(duì)應(yīng)的柵絕緣層103的厚度，則鈍化層107在對(duì)應(yīng)源極1041和漏極1042區(qū)域的厚度小于鈍化層107未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
[0055]可選的，所述源極和漏極分別位于所述柵極的兩側(cè)，所述有源層在對(duì)應(yīng)源極和漏極之間的區(qū)域設(shè)置有半導(dǎo)體圖案，所述鈍化層在對(duì)應(yīng)所述半導(dǎo)體圖案區(qū)域的厚度大于對(duì)應(yīng)源極和漏極區(qū)域的厚度。如圖2所示的，源極1041和漏極1042分別位于所述柵極102的兩側(cè)，在源極1041和漏極1042之間形成溝道區(qū)，鈍化層107在溝道區(qū)的襯底表面到襯底基板101的距離為柵極、柵絕緣層以及半導(dǎo)體圖案的厚度之和，鈍化層107未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的襯底表面到襯底基板的距離為對(duì)應(yīng)的柵絕緣層103的厚度，即小于鈍化層107在溝道區(qū)的襯底表面到襯底基板101的距離，則鈍化層107在對(duì)應(yīng)所述半導(dǎo)體圖案105區(qū)域的厚度大于對(duì)應(yīng)源極1041和漏極1042區(qū)域的厚度。以減小有源層表面的角段差。
[0056]可選的，所述像素電極層包括像素電極，所述像素電極與漏極電連接，所述鈍化層在對(duì)應(yīng)所述像素電極區(qū)域的厚度小于鈍化層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。如圖2所示的，像素電極層包括像素電極106，則鈍化層107在對(duì)應(yīng)像素電極106區(qū)域的襯底表面到襯底基板的距離即為對(duì)應(yīng)像素電極區(qū)域的柵絕緣層以及像素電極的厚度之和，鈍化層107未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的襯底表面到襯底基板的距離為對(duì)應(yīng)的柵絕緣層103的厚度，則鈍化層107在對(duì)應(yīng)所述像素電極106區(qū)域的厚度小于鈍化層107未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的任一所述的陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶顯示器、電子紙、OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器等顯示器件以及包括這些顯示器件的電視、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0058]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的多層薄膜，其特征在于，至少一層薄膜具有薄膜圖案，且至少一層薄膜在不同區(qū)域的厚度與形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離成反比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底基板上依次設(shè)置有柵金屬層、覆蓋所述柵金屬層的柵絕緣層、有源層、源漏金屬層、像素電極層以及鈍化層，其中所述柵金屬層包括柵線，所述柵絕緣層在對(duì)應(yīng)柵線區(qū)域的厚度小于柵絕緣層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏金屬層包括源極和漏極，所述鈍化層至少在對(duì)應(yīng)所述源極和漏極區(qū)域的厚度小于鈍化層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述源極和漏極分別位于所述柵極的兩側(cè)，所述有源層在對(duì)應(yīng)源極和漏極之間的區(qū)域設(shè)置有半導(dǎo)體圖案，所述鈍化層在對(duì)應(yīng)所述半導(dǎo)體圖案區(qū)域的厚度大于對(duì)應(yīng)源極和漏極區(qū)域的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極層包括像素電極，所述像素電極與漏極電連接，所述鈍化層在對(duì)應(yīng)所述像素電極區(qū)域的厚度小于鈍化層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
6.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成至少一層具有薄膜圖案的薄膜； 在襯底基板上形成至少一層在不同區(qū)域的厚度與形成該區(qū)域薄膜的襯底表面到襯底基板的距離成反比的薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于， 在襯底基板上形成柵金屬層，其中所述柵金屬層包括柵線； 在所述襯底基板上形成柵絕緣層，其中，所述柵絕緣層覆蓋所述柵金屬層，且所述柵絕緣層在對(duì)應(yīng)柵線區(qū)域的厚度小于柵絕緣層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度； 在所述襯底基板上依次形成有源層、源漏金屬層、像素電極層以及鈍化層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述源漏金屬層包括源極和漏極，所述鈍化層至少在對(duì)應(yīng)所述源極和漏極區(qū)域的厚度小于鈍化層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述源極和漏極分別位于所述柵極的兩側(cè)，所述有源層在對(duì)應(yīng)源極和漏極之間的區(qū)域設(shè)置有半導(dǎo)體圖案，所述鈍化層在對(duì)應(yīng)所述半導(dǎo)體圖案區(qū)域的厚度大于對(duì)應(yīng)源極和漏極區(qū)域的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述像素電極層包括像素電極，所述像素電極與漏極電連接，所述鈍化層在對(duì)應(yīng)所述像素電極區(qū)域的厚度小于鈍化層未對(duì)應(yīng)薄膜圖案區(qū)域的厚度。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK103943633SQ201410081521
【公開(kāi)日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月6日
【發(fā)明者】劉耀, 丁向前, 李梁梁, 白金超, 劉曉偉, 郭總杰 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司