半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，包括提供絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)包括硅襯底、埋氧層和頂層硅；形成半導(dǎo)體器件；由硅襯底的第二表面起刻蝕硅襯底至露出埋氧層以形成開(kāi)口；在所述開(kāi)口中形成陷阱層。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括硅襯底、位于所述硅襯底的第一表面的埋氧層、位于所述埋氧層上的頂層硅、位于頂層硅內(nèi)部或表面的半導(dǎo)體器件、貫穿硅襯底的第二表面且露出所述埋氧層的開(kāi)口以及位于開(kāi)口內(nèi)的埋氧層上的陷阱層。本發(fā)明的有益效果在于，一方面，既基本得到相同的效果又簡(jiǎn)化了工藝步驟和難度，更加易于實(shí)施；另一方面，僅在形成的開(kāi)口中形成所述陷阱層，相比于現(xiàn)有技術(shù)節(jié)省了一定的成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有在射頻通信領(lǐng)域，為了優(yōu)化半導(dǎo)體器件的射頻特性，開(kāi)始廣泛采用絕緣體上娃(silicon on insulator, SOI)技術(shù)。具體的SOI技術(shù)是通過(guò)形成一層埋氧層,將娃襯底硅與用于形成半導(dǎo)體器件的頂層硅隔離開(kāi)來(lái)。
[0003]但是，由于現(xiàn)今對(duì)于芯片體積以及性能的要求逐漸增加，例如在射頻通信領(lǐng)域中，要求芯片體積減小，或者要求芯片對(duì)于信號(hào)的抗干擾能力、信號(hào)精度需要提升；而現(xiàn)有的絕緣體上硅技術(shù)在一些情況下制造的半導(dǎo)體器件已經(jīng)難以滿(mǎn)足這些需求，例如，由于SOI硅片的娃襯底與頂層娃之間有埋氧層隔離，娃襯底與頂層娃之間會(huì)存在固有的結(jié)電容，在一些情況下，經(jīng)過(guò)的射頻信號(hào)可能會(huì)干擾到半導(dǎo)體器件中硅襯底的載流子，使得硅襯底與硅襯底上方形成器件的區(qū)域之間的結(jié)電容會(huì)隨著射頻信號(hào)產(chǎn)生不規(guī)律的、非線性的變化，進(jìn)而導(dǎo)致經(jīng)過(guò)半導(dǎo)體器件的信號(hào)波形失真。由于這些失真或者誤差通常是非線性的，因此需要提升半導(dǎo)體器件的抗干擾能力。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)為解決上述問(wèn)題，采用在硅襯底與埋氧層之間再形成一層陷阱層(traprich layer)，在后續(xù)有射頻信號(hào)經(jīng)過(guò)時(shí)，陷阱層可以用來(lái)“捕捉”硅襯底中受到射頻信號(hào)影響而移動(dòng)的載流子，進(jìn)而減小上述結(jié)電容的變化程度，以盡量減小信號(hào)波形的失真程度。但是，這種方式形成陷阱層增大了制造SOI硅片的工序難度以及成本。
[0005]因此，如何較為簡(jiǎn)便、經(jīng)濟(jì)的形成帶有陷阱層的半導(dǎo)體器件，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明解決的問(wèn)題是較為簡(jiǎn)便、經(jīng)濟(jì)的形成帶有陷阱層的半導(dǎo)體器件。
[0007]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括:
[0008]提供絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)包括硅襯底、位于硅襯底第一表面上的埋氧層和位于埋氧層上的頂層硅；
[0009]在所述頂層硅內(nèi)及表面形成半導(dǎo)體器件；
[0010]在形成半導(dǎo)體器件后，由硅襯底的第二表面起，刻蝕硅襯底至露出埋氧層，形成開(kāi)口，所述第二表面與第一表面相對(duì)設(shè)置；
[0011]在所述開(kāi)口中形成陷阱層。
[0012]可選的，形成開(kāi)口的步驟包括:
[0013]在所述硅襯底的第二表面形成光刻膠；
[0014]圖形化所述光刻膠以露出部分硅襯底，形成開(kāi)口圖形；
[0015]以光刻膠為掩膜，刻蝕硅襯底，形成開(kāi)口。
[0016]可選的，形成陷阱層的步驟包括:[0017]在所述硅襯底的第二表面以及開(kāi)口中形成所述陷阱層；
[0018]平坦化所述陷阱層，保留位于所述開(kāi)口中的陷阱層。
[0019]可選的，所述陷阱層的材料采用多晶硅或者非晶硅。
[0020]可選的，形成陷阱層的步驟包括:使所述陷阱層將所述開(kāi)口部分填充，所述開(kāi)口在形成所述陷阱層后留有剩余空間。
[0021 ] 可選的，使所述陷阱層將所述開(kāi)口完全填充。
[0022]可選的，形成陷阱層的步驟之后還包括:在所述陷阱層表面覆蓋材料層，以填充開(kāi)口的剩余空間。
[0023]可選的，所述材料層為二氧化硅材料層。
[0024]此外，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括:
[0025]硅襯底；
[0026]埋氧層，位于所述硅襯底的第一表面；
[0027]頂層硅，位于所述埋氧層上；
[0028]半導(dǎo)體器件，位于頂層硅內(nèi)部或表面；
[0029]其特征在于，還包括:
[0030]開(kāi)口，貫穿硅襯底的第二表面且露出所述埋氧層；所述第二表面與第一表面相對(duì)設(shè)置；
[0031]陷阱層，位于開(kāi)口內(nèi)的埋氧層上。
[0032]可選的，所述開(kāi)口中還包括材料層，所述陷阱層與所述材料層依次形成于所述開(kāi)口中。
[0033]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0034]通過(guò)提供絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，并在所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)的頂層硅內(nèi)及表面形成半導(dǎo)體器件，然后由硅襯底與第一表面相對(duì)設(shè)置的第二表面起，刻蝕硅襯底至露出埋氧層以形成開(kāi)口，并所述開(kāi)口中形成陷阱層。由于形成陷阱層在形成埋氧層以及形成半導(dǎo)體器件之后，形成的陷阱層基本不會(huì)受到形成埋氧層以及半導(dǎo)體器件過(guò)程的影響，保證了形成的陷阱層的效果。相比現(xiàn)有技術(shù)，一方面，既基本得到相同的效果又簡(jiǎn)化了工藝步驟和難度，更加易于實(shí)施；另一方面，僅在形成的開(kāi)口中形成所述陷阱層，相比于現(xiàn)有技術(shù)節(jié)省了一定的材料成本。
[0035]此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)在所述硅襯底中直接形成貫穿硅襯底且露出所述埋氧層的開(kāi)口，相比于現(xiàn)有技術(shù)，在一定程度上減小了半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的體積。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0036]圖1是本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制作方法一實(shí)施例的流程示意圖；
[0037]圖2至圖10是本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制作方法一實(shí)施例中各個(gè)步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖11是本發(fā)明半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]現(xiàn)有的技術(shù)中形成帶有陷講層(trap rich layer)的半導(dǎo)體器件的方法是在形成硅襯底后，先在硅襯底上形成所述陷阱層，再采用采用絕緣體上硅(silicon oninsulator, SOI)技術(shù)形成埋氧層。這種方法一方面增加了制造難度以及制造成本。另一方面，工藝中的退火步驟很容易對(duì)陷阱層的性能造成影響，導(dǎo)致陷阱層中的“陷阱”數(shù)量減少，使陷阱層的效果變差。此外，帶有這種陷阱層的硅片價(jià)格較貴，這在一定程度上增加了生產(chǎn)的成本。
[0040]為此，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，參考圖1為本方法在一實(shí)施例中的流程示意圖，本方法在該實(shí)施例中主要包括以下步驟:
[0041]步驟SI，提供絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)包括硅襯底、位于硅襯底第一表面上的埋氧層和位于埋氧層上的頂層硅；
[0042]步驟S2，在所述頂層硅內(nèi)及表面形成半導(dǎo)體器件；
[0043]步驟S3，在所述硅襯底的第二表面形成阻擋層；
[0044]步驟S4，去除部分阻擋層以及硅襯底，以在所述硅襯底中形成露出部分埋氧層的開(kāi)口 ；
[0045]步驟S5，在所述硅襯底的第二表面以及開(kāi)口中形成所述陷阱層；
[0046]步驟S6，在所述陷阱層表面覆蓋材料層。
[0047]通過(guò)上述步驟，先提供絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，再形成半導(dǎo)體器件，然后在硅襯底相對(duì)于第一表面的第二表面形成開(kāi)口，并在所述開(kāi)口中形成陷阱層。一方面，由于形成陷阱層的步驟在形成埋氧層之后進(jìn)行，很大程度上減小了陷阱層受到其它步驟(例如形成埋氧層等)的影響，既基本得到相同的效果又簡(jiǎn)化了工藝步驟和難度，更加易于實(shí)施；另一方面，陷阱層并不是完全覆蓋硅襯底的整層結(jié)構(gòu)，而是形成于開(kāi)口中，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)節(jié)省了材料成本。
[0048]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例作詳細(xì)的說(shuō)明。
[0049]圖2至圖9是本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制作方法一實(shí)施例中各個(gè)步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0050]參考圖2，提供絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，包括硅襯底300，所述硅襯底300具有第一表面及與第一表面相對(duì)的第二表面；在所述硅襯底300第一表面上形成有埋氧層200 ;在所述埋氧層200上形成有頂層硅90。
[0051]本實(shí)施例中，所述埋氧層200用于隔離硅襯底300與所述頂層硅90。埋氧層200可以采用二氧化硅作為材料，形成工藝可以采用現(xiàn)有的SOI硅片工藝，本發(fā)明對(duì)此不做限制。
[0052]在所述頂層硅90內(nèi)及表面形成半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件例如源漏區(qū)、柵極或者層間互聯(lián)結(jié)構(gòu)等，本發(fā)明對(duì)此不做限定。形成了半導(dǎo)體器件的頂層硅90變?yōu)閳D3中所示的器件層100。
[0053]參考圖4，將包括硅襯底300、埋氧層200以及器件層100的絕緣體上硅結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)180°。此時(shí),所述娃襯底300的第一表面在圖中朝下,而娃襯底300的第二表面則朝上。
[0054]參考圖5，在所述硅襯底300的第二表面形成阻擋層310，所述阻擋層310用于在后續(xù)的去除部分硅襯底300時(shí)作為硅襯底300需要保留的部分的保護(hù)層。
[0055]需要說(shuō)明的是，所述阻擋層310可以?xún)H由本實(shí)施例所采用，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以不形成所述阻擋層310。
[0056]進(jìn)一步，在本實(shí)施例中，所述阻擋層310可以采用氮化硅作為材料，但是本發(fā)明對(duì)此不作限定。
[0057]參考圖6，刻蝕所述阻擋層310以及硅襯底300，以在形成硅襯底300中形成開(kāi)口301。
[0058]本實(shí)施例中，具體形成所述開(kāi)口 301的步驟包括:
[0059]在所述阻擋層310表面覆蓋一層光刻膠320 ；
[0060]圖形化所述光刻膠320以露出部分硅襯底300，形成開(kāi)口圖形；由于本實(shí)施例中在所述硅襯底300上還形成有阻擋層310，所以，在本分步驟中，圖形化所述光刻膠320以露出部分阻擋層310。
[0061]以形成有開(kāi)口圖形的光刻膠320為掩膜，去除部分阻擋層310以及硅襯底300以在所述硅襯底300中形成露出部分埋氧層200的開(kāi)口 301。所述開(kāi)口 301用于在后續(xù)中形成陷阱層。
[0062]在本實(shí)施例中，可以采用分步刻蝕的方法去除所述的部分阻擋層310以及硅襯底300。
[0063]通入刻蝕劑以刻蝕從形成有開(kāi)口圖形的光刻膠320暴露出的阻擋層310。
[0064]在本實(shí)施例中可以采用各向異性刻蝕，以盡量不影響到阻擋層310需要保留的部分；進(jìn)一步，可以采用干法蝕刻，這樣刻蝕后的殘留物較少，易于后續(xù)對(duì)形成的開(kāi)口 301的清洗。
[0065]由于本實(shí)施例中的阻擋層310采用氮化硅作為材料，可以采用例如二氟甲烷氣體等作為刻蝕氣體。
[0066]在刻蝕阻擋層310之后，本實(shí)施例可以采用各向異性刻蝕的方式去除所述硅襯底300，以盡量不影響到需要保留的硅襯底300。
[0067]進(jìn)一步，可以采用干法蝕刻，以盡量減少刻蝕后的殘留物。
[0068]由于本實(shí)施例中的娃襯底300為娃襯底,本實(shí)施例中可以米用溴化氫氣體作為刻蝕劑。
[0069]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明對(duì)上述刻蝕阻擋層310以及硅襯底300的刻蝕方式以及刻蝕劑均不做限定，同時(shí)也不限定必須要分步去除所述阻擋層310以及硅襯底300，而是應(yīng)根據(jù)實(shí)際操作時(shí)的具體情況而定。
[0070]參考圖7，在本實(shí)施例中，硅片50的硅襯底300形成的開(kāi)口 301可以為圖中所示的圖形。但是，需要說(shuō)明的是，圖7中的開(kāi)口 301圖形僅僅是一個(gè)范例，本發(fā)明對(duì)于形成的開(kāi)口 301圖形并不加以限定。
[0071]另外，本發(fā)明旨在盡量多的形成所述開(kāi)口 301，因?yàn)殚_(kāi)口越多，意味著后續(xù)在開(kāi)口中形成的陷阱層330的面積也越大，對(duì)于半導(dǎo)體器件性能的改善效果也越好。但是相應(yīng)的，開(kāi)口越多，硅襯底300的本身的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度也會(huì)下降，且后續(xù)使用的陷阱層330材料也越多，成本也有所增加。所以，應(yīng)是根據(jù)實(shí)際情況，在改善效果、成本以及硅襯底300的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度這三者之間取得平衡，因此，對(duì)于開(kāi)口 301具體是何種形狀不做任何限定。
[0072]參考圖8，去除剩余的光刻膠320，并清洗形成的開(kāi)口 301，以為后續(xù)在開(kāi)口 301中形成所述陷阱層提供條件。
[0073]參考圖9，在所述硅襯底300的第二表面以及開(kāi)口 301中形成所述陷阱層330。
[0074]所述陷阱層330可以通過(guò)自身的較高密度的“陷阱”，捕捉硅襯底300中受到射頻信號(hào)的影響而移動(dòng)的載流子，從而使硅襯底300與器件層100之間的結(jié)電容的變化程度相對(duì)減小，進(jìn)而使半導(dǎo)器件輸出的信號(hào)波形的失真程度，提高信號(hào)傳輸?shù)木取?br> [0075]由于在形成已經(jīng)形成了埋氧層200以及器件層100，陷阱層330基本不會(huì)受到形成所述埋氧層200以及器件層100的影響，例如，形成埋氧層200或者形成器件層100中的退火工藝并不會(huì)影響到陷阱層330，這使得陷阱層330的效果得到了保證。
[0076]另外，在所述硅襯底300的第二表面形成開(kāi)口 301在所述開(kāi)口 301中可以形成所述陷阱層330，這在一定程度上降低了制作帶有陷阱層的SOI硅片的難度。
[0077]在本實(shí)施例中，可以采用非晶硅材料的陷阱層330。但是本發(fā)明對(duì)此不做限定，也可以采用其他材料，例如多晶硅形成所述陷阱層330。
[0078]相應(yīng)的，可以采用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)的方式形成所述陷阱層330，這種方式的覆蓋能力較好，能夠較好的形成于所述開(kāi)口 301中。但是本發(fā)明對(duì)此并不做限定，還可以采用其他方式形成所述陷阱層330。
[0079]另外，需要說(shuō)明的是，由于本發(fā)明旨在形成具有陷阱層作用的陷阱層330，本實(shí)施例的圖9中的陷阱層330僅僅為部分填充于所述開(kāi)口 301中，所述開(kāi)口 301在形成所述陷阱層330后，仍留有剩余空間。但是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述陷阱層330也可以是完全填充于所述開(kāi)口 301中。
[0080]繼續(xù)參考圖9，由于本實(shí)施例中的陷阱層330部分填充所述開(kāi)口 301，在形成后在所述開(kāi)口 301中仍留有剩余空間，所以，在所述陷阱層330表面覆蓋材料層340，材料層340將開(kāi)口 301的剩余空間填滿(mǎn)，并在一定程度上支撐所述硅襯底300，增加所述硅襯底300的
結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
[0081]在本實(shí)施例中，可以采用覆蓋能力較好，在工藝中也比較容易實(shí)施的氧化物材料形成所述材料層340，例如，采用質(zhì)地較為堅(jiān)硬、致密的二氧化硅作為材料，并采用低壓化學(xué)氣相沉積的工藝，以保證二氧化硅材料層較好的填充覆蓋能力。
[0082]但是本發(fā)明并不限制是否必須采用二氧化硅等氧化物材料，其它能夠覆蓋開(kāi)口301中剩余空間的材料也采用，本發(fā)明對(duì)此并不做限制。
[0083]圖10是本發(fā)明半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0084]參考圖10，對(duì)圖9中所示的材料層340以及陷阱層330進(jìn)行平坦化，以去除部分位于開(kāi)口 301之外的材料層340以及陷阱層330材料，僅保留位于所述開(kāi)口 301中的材料層340以及陷阱層330。
[0085]在本實(shí)施例中，可以采用化學(xué)機(jī)械研磨的方式進(jìn)行所述平坦化。
[0086]此外，參考圖11，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，所述絕緣體上娃結(jié)構(gòu)包括:
[0087]硅襯底420 ；
[0088]埋氧層410,位于所述娃襯底420的第一表面；
[0089]器件層400，位于所述埋氧層410上；
[0090]半導(dǎo)體器件，位于所述器件層400內(nèi)部或表面；
[0091]本發(fā)明的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)還包括:
[0092]貫穿硅襯底420的第二表面且露出所述埋氧層410的開(kāi)口，其中，所述第二表面與第一表面相對(duì)設(shè)置；[0093]陷阱層430，位于開(kāi)口內(nèi)的埋氧層410上。
[0094]通過(guò)在所述硅襯底中直接形成貫穿硅襯底且露出所述埋氧層的開(kāi)口，相比于現(xiàn)有技術(shù)，在一定程度上減小了半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的體積。
[0095]在本實(shí)施例中，所述埋氧層410為二氧化硅埋氧層，但本發(fā)明對(duì)硅襯底420以及埋氧層410的材料不做限定。
[0096]所述陷阱層430用于通過(guò)自身的較高密度的“陷阱”捕捉硅襯底420中受到射頻信號(hào)的影響而移動(dòng)的載流子，從而使硅襯底420與器件層400之間的結(jié)電容的變化程度相對(duì)減小，進(jìn)而使半導(dǎo)器件輸出的信號(hào)波形的失真程度，提高信號(hào)傳輸?shù)木取?br> [0097]另外需要說(shuō)明的是，本圖11中僅示出了本實(shí)施例中所述陷阱層430部分填充于所述開(kāi)口內(nèi)的形狀，在所述開(kāi)口中還形成有材料層440，所述陷阱層430與所述材料層440依次形成于所述開(kāi)口中。所述材料層440用于填充所述開(kāi)口，以起到支撐所述硅襯底420的作用。
[0098]在本實(shí)施例中，所述材料層440可采用質(zhì)地較為堅(jiān)硬、致密的二氧化硅作為材料，但是本發(fā)明對(duì)是否必須采用二氧化硅等氧化物材料不作限制，也可以采用其它類(lèi)型的材料。
[0099]另外，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，所述陷阱層430也可以將所述開(kāi)口完全填充。
[0100]另外需要說(shuō)明的是，本發(fā)明可以但不限于采用上述方法得到。
[0101]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括: 提供絕緣體上娃結(jié)構(gòu)，所述絕緣體上娃結(jié)構(gòu)包括娃襯底、位于娃襯底第一表面上的埋氧層和位于埋氧層上的頂層硅； 在所述頂層硅內(nèi)及表面形成半導(dǎo)體器件； 在形成半導(dǎo)體器件后，由硅襯底的第二表面起，刻蝕硅襯底至露出埋氧層，形成開(kāi)口，所述第二表面與第一表面相對(duì)設(shè)置； 在所述開(kāi)口中形成陷阱層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成開(kāi)口的步驟包括: 在所述娃襯底的第二表面形成光刻膠； 圖形化所述光刻膠以露出部分硅襯底，形成開(kāi)口圖形； 以光刻膠為掩膜，刻蝕娃襯底，形成開(kāi)口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成陷阱層的步驟包括: 在所述硅襯底的第二表面以及開(kāi)口中形成所述陷阱層； 平坦化所述陷阱層，保留位于所述開(kāi)口中的陷阱層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述陷阱層的材料采用多晶硅或者非晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成陷阱層的步驟包括:使所述陷阱層將所述開(kāi)口部分填充，所述開(kāi)口在形成所述陷阱層后留有剩余空間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，使所述陷阱層將所述開(kāi)口完全填充。
7.根據(jù)權(quán)利要求5述的制作方法，其特征在于，形成陷阱層的步驟之后還包括:在所述陷阱層表面覆蓋材料層，以填充開(kāi)口的剩余空間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7述的制作方法，其特征在于，所述材料層為二氧化硅材料層。
9.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括: 娃襯底； 埋氧層，位于所述娃襯底的第一表面； 頂層硅，位于所述埋氧層上； 半導(dǎo)體器件，位于頂層硅內(nèi)部或表面； 其特征在于，還包括: 開(kāi)口，貫穿硅襯底的第二表面且露出所述埋氧層；所述第二表面與第一表面相對(duì)設(shè)置； 陷阱層，位于開(kāi)口內(nèi)的埋氧層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述開(kāi)口中還包括材料層，所述材料層覆蓋于所述陷阱層表面。
【文檔編號(hào)】H01L21/20GK103824837SQ201410086108
【公開(kāi)日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2014年3月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月10日
【發(fā)明者】劉張李 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司