磁阻型隨機存取存儲器器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及磁阻型隨機存取存儲器器件及其制造方法。一種制造磁阻型隨機存取存儲器(MRAM)器件的方法包括：在襯底上以交替且重復的布置形成第一圖案和第二圖案；在第一圖案和第二圖案的頂表面上形成第一帽層；以及去除第一帽層的第一部分和在第二圖案下方的部分，以形成暴露襯底的第一開口。該方法還包括形成分別填充第一開口的下部的源極線；形成分別填充第一開口的上部的第二帽層圖案；以及去除第一帽層的第二部分和在第二圖案下方的部分，以形成暴露襯底的第二開口。從而，在襯底上一體地形成且順序地疊堆接觸塞和焊盤層，以填充第二開口。
【專利說明】磁阻型隨機存取存儲器器件及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]2013 年 3 月 14 日提交的、名稱為 “Magnetoresistive Random Access MemoryDevice and Method Of Manufacturing The Same (磁阻型隨機存取存儲器器件及其制造方法)”的韓國專利申請N0.10-2013-0027037的全文以引用方式并入本文。

【技術(shù)領域】
[0003]本文描述的一個或多個實施例涉及半導體器件。

【背景技術(shù)】
[0004]磁阻型隨機存取存儲器(MRAM)器件的磁隧道結(jié)(MTJ)結(jié)構(gòu)可連接到與襯底電連接的接觸塞。接觸塞和MTJ結(jié)構(gòu)可能不直接連接。結(jié)果，必須形成焊盤以連接接觸塞和MTJ結(jié)構(gòu)。焊盤可具有微小尺寸。因此，用于形成焊盤的圖案化處理需要是高度準確的?，F(xiàn)有的焊盤形成方法不能達到這種準確度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)一個實施例，一種制造磁阻型隨機存取存儲器(MRAM)器件的方法包括:在襯底上形成第一圖案和第二圖案，第一圖案和第二圖案交替且重復地設置并且彼此接觸；在第一圖案和第二圖案的頂表面上形成第一帽層；去除第一帽層的第一部分和在第二圖案下方的部分，以形成暴露襯底的第一開口 ；形成分別填充第一開口的下部的源極線；形成分別填充第一開口的上部的第二帽層圖案；去除第一帽層的第二部分和在第二圖案下方的部分，以形成暴露襯底的第二開口 ；以及一體地形成順序疊堆在襯底上的接觸塞和焊盤層，以分別填充第二開口。
[0006]形成第一開口可包括:去除第一帽層的第一部分、在第二圖案下方的部分的上部、以及與第二圖案的所述部分相鄰的第一圖案的上部，以形成凹陷；形成蝕刻停止層圖案，蝕刻停止層圖案覆蓋被凹陷暴露的第一帽層的側(cè)壁；以及去除第二圖案被凹陷暴露的部分的下部以形成暴露襯底的第三開口，第三開口分別與凹陷流體連通。
[0007]形成第三開口可包括通過濕法蝕刻工藝去除第二圖案的所述部分的下部。第一圖案、蝕刻停止層圖案和第二帽層圖案可被形成為包括基本上相同的材料，并且第一帽層和第二圖案可被形成為包括基本上相同的材料。
[0008]第一圖案、蝕刻停止層圖案和第二帽層圖案可被形成為包括硅氮化物，并且第一帽層和第二圖案可被形成為包括硅氧化物。
[0009]形成蝕刻停止層圖案可包括:在凹陷的內(nèi)壁和第一帽層上形成蝕刻停止層；以及對蝕刻停止層進行各向異性蝕刻，以在凹陷的側(cè)壁上形成蝕刻停止層圖案。
[0010]形成源極線可包括:形成導電層，導電層填充第三開口和凹陷的至少一部分；以及去除導電層的上部，以形成分別填充第三開口的源極線。
[0011]形成第二帽層圖案可包括:在源極線和第一帽層上形成第二帽層以填充凹陷；以及將第二帽層的上部平面化，直到第一帽層的頂表面被暴露。
[0012]形成第二開口可包括通過濕法蝕刻工藝去除第一帽層的第二部分和在第二圖案下方的部分。
[0013]該方法可以進一步包括:在一體地形成接觸塞和焊盤層之后，將每個焊盤層劃分成多個焊盤。該方法可以進一步包括:在將每個焊盤層劃分成多個焊盤之后，形成與中焊盤相應的一些電連接的MTJ結(jié)構(gòu)。當從頂側(cè)看時，MTJ結(jié)構(gòu)可形成在六邊形的頂點和中心。
[0014]將每個焊盤層劃分成多個焊盤可包括:部分去除焊盤層，以形成暴露第一圖案的頂表面的第四開口；以及形成分別填充第四開口的劃分層圖案。
[0015]形成第一圖案和第二圖案可包括:在與襯底的頂表面基本上平行的第二方向上，在襯底上交替地且重復地形成第一圖案和第二圖案，第一圖案中的每個和第二圖案中的每個在第一方向上延伸，該第一方向基本上平行于襯底的頂表面并且基本上垂直于第二方向，并且其中形成第一開口包括形成在第一方向上延伸的第一開口。
[0016]形成第一開口可包括去除述第二方向上的第3n_2個第二圖案，其中η是正整數(shù)。形成第二開口可包括去除第一帽層的第二部分和第二方向上的第3η個和第3η-1個第二圖案。
[0017]可在一體地形成接觸塞和焊盤層之后，將每個焊盤層劃分成兩個焊盤。在形成第二帽層圖案之后，該方法可包括:在第一帽層和第二帽層圖案上形成掩模，該掩模包括設置在第一方向上的多個第五開口，第五開口中的每個在第二方向上延伸；去除第一帽層的第三部分和在第二圖案下方的部分，以形成第六開口 ；以及形成分別填充第六開口的第三圖案。
[0018]形成第六開口可包括通過干法蝕刻工藝去除第一帽層的第三部分和在第二圖案下方的部分，并且其中在干法蝕刻工藝期間，源極線受到第二帽層圖案的保護。第三圖案可被形成為包括與第一圖案和第二帽層圖案基本上相同的材料。
[0019]根據(jù)另一個實施例，一種磁阻型隨機存取存儲器(MRAM)器件包括:在第二方向上設置在襯底上的多個源極線，源極線中的每個在第一方向上延伸；在襯底上在源極線之間的多個接觸塞，這多個接觸塞設置在第一方向和第二方向上；在接觸塞的相應的一些上的多個焊盤,焊盤中的每個與接觸塞的相應的一個一體地形成；以及在焊盤的相應的一些上的多個磁隧道結(jié)(MTJ)結(jié)構(gòu)，其中MTJ結(jié)構(gòu)布置在六邊形的頂點和中心。
[0020]MRAM器件可以進一步包括:絕緣層圖案，其圍繞接觸塞的側(cè)壁和源極線；蝕刻停止層圖案，其覆蓋每個焊盤的側(cè)壁；劃分層圖案，其覆蓋每個焊盤的側(cè)壁；以及帽層圖案，其覆蓋每個源極線的頂表面。絕緣層圖案、蝕刻停止層圖案、劃分層圖案和帽層圖案可包括基本上相同的材料，并且帽層圖案和蝕刻停止層圖案的頂表面可與焊盤的頂表面基本上共平面。
[0021]MRAM器件可以進一步包括:被掩埋在襯底的上部的多個柵結(jié)構(gòu)，多個被掩埋的柵結(jié)構(gòu)設置在第二方向上并且每個被掩埋的柵結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸，其中每個源極線可設置在襯底上在被掩埋的柵結(jié)構(gòu)之間，并且其中接觸塞沒有與被掩埋的柵結(jié)構(gòu)重疊。
[0022]根據(jù)另一個實施例，一種存儲器器件包括:在襯底上的多個源極線；在襯底上的多個接觸塞，至少一個接觸塞在源極線的相應對之間；在接觸塞的相應一些上的多個焊盤，焊盤中的每個與接觸塞中的至少一個一體地形成；以及在焊盤的相應的一些上的多個磁隧道結(jié)(MTJ)結(jié)構(gòu)，其中焊盤和接觸塞由相同材料形成。
[0023]每個焊盤可與接觸塞中的對應的一個自對準。另外,每個焊盤可與接觸塞中的相鄰的一些一體地形成。接觸塞可具有平面化的頂表面。
[0024]根據(jù)另一個實施例，一種用于制造半導體器件的方法包括:在襯底上形成源極線；在源極線的相應對之間形成一定數(shù)目的接觸塞；在接觸塞上方形成焊盤層；以及形成與焊盤的相應的一些電連接的MTJ結(jié)構(gòu)，其中每個焊盤層接觸至少一個接觸塞，并且其中接觸塞以與焊盤層相同的操作一體地形成。每個焊盤層可接觸至少一個接觸塞，并且接觸塞可以與焊盤層相同的操作一體地形成。所述數(shù)目可大于I。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]通過參照附圖詳細描述示例性實施例，對于本領域的普通技術(shù)人員而言，特征將變得清楚，在附圖中:
[0026]圖1、圖3、圖4、圖6、圖8、圖9、圖11、圖12、圖14、圖15、圖17、圖19、圖21、圖23、圖24、圖26、圖28、圖30、圖32、圖34、圖36、圖38、圖39、圖40、圖42、圖43、圖44、圖47、圖49、圖51、圖52、圖54和圖55示出MRAM器件的一個實施例的垂直截面圖；
[0027]圖25、圖29、圖31和圖45示出MRAM器件的水平截面圖；以及
[0028]圖2、圖5、圖7、圖10、圖13、圖16、圖18、圖20、圖22、圖27、圖33、圖35、圖37、圖41、圖46、圖48、圖50、圖53和圖56示出MRAM器件的平面圖。

【具體實施方式】
[0029]下文中，參照附圖更充分地描述示例實施例；然而，它們可以用不同形式實施并且不應該被理解為限于本文闡述的實施例。確切地說，提供這些實施例使得本公開將是徹底和完全的，并且將示例性實現(xiàn)方式充分傳達給本領域的技術(shù)人員。
[0030]在附圖中，為了清楚示出，可夸大層和區(qū)域的尺寸。還應該理解，當層或元件被稱為在另一層或襯底“上”時，它能夠直接在其它層或襯底上，或者還可能存在中間層。另外，應該理解，當層被稱為在另一層“下方”時，它能夠直接處于下方并且也可能存在一個或多個中間層。另外，還應該理解，當層被稱為在兩個層“之間”時，它能夠是這兩個層之間的唯一層，或者也可能存在一個或多個中間層。類似的參考標號始終指代類似的元件。
[0031]圖1至圖56示出制造MRAM器件的方法實施例的各種階段的截面圖和平面圖。圖1、圖3、圖4、圖6、圖8、圖9、圖11、圖12、圖14、圖15、圖17、圖19、圖21、圖23、圖24、圖26、圖28、圖30、圖32、圖34、圖36、圖38、圖39、圖40、圖42、圖43、圖44、圖47、圖49、圖51、圖52、圖54和圖55示出MRAM器件的垂直截面圖，圖25、圖29、圖31和圖45是MRAM器件的水平截面圖，圖2、圖5、圖7、圖10、圖13、圖16、圖18、圖20、圖22、圖27、圖33、圖35、圖37、圖41、圖46、圖48、圖50、圖53和圖56示出MRAM器件的平面圖。
[0032]圖1、圖3、圖4、圖6、圖8、圖9、圖11、圖12、圖14、圖15、圖17、圖19、圖21、圖23、圖24、圖26、圖28、圖30、圖32、圖38、圖42、圖47、圖49、圖51和圖54示出沿著A-A’線截取的垂直截面圖，圖34、圖36、圖39和圖43示出沿著B-B’線截取的垂直截面圖，圖40和圖44示出沿著C-C’線截取的垂直截面圖，圖52和圖55示出沿著H-H’線截取的垂直截面圖。
[0033]圖25示出沿著D-D’線截取的水平截面圖，圖29示出沿著E_E’線截取的水平截面圖，圖31示出沿著F-F’線截取的水平截面圖，圖45示出沿著G-G’線截取的水平截面圖。
[0034]參照圖1和圖2，可將雜質(zhì)注入第一區(qū)I中襯底100的上部中，以形成雜質(zhì)區(qū)103?？稍谝r底100上形成隔離層110，以將襯底100劃分成有源區(qū)105和場區(qū)(field reg1n)。
[0035]襯底100可以是硅襯底、鍺襯底、硅-鍺襯底、絕緣體上硅(SOI)襯底、絕緣體上鍺(GOI)襯底等。襯底100可包括其中可形成有存儲器單元的第一區(qū)I和其中可形成有外圍電路的第二區(qū)II。
[0036]雜質(zhì)可包括η型雜質(zhì)，例如，磷、砷等，或P型雜質(zhì)，例如，硼、鎵等。雜質(zhì)區(qū)103可用作存儲器單元的源極/漏極區(qū)。
[0037]可通過淺溝槽隔離(STI)工藝形成隔離層110。具體地講，在襯底100的上部形成第一溝槽之后，可在襯底100上形成充分填充第一溝槽的絕緣層?？蓪⒔^緣層的上部平面化，直到可暴露襯底100的頂表面?？赏ㄟ^化學氣相沉積(CVD)工藝、高密度等離子體化學氣相沉積(HDP-CVD)工藝等形成絕緣層。在示例實施例中，在形成隔離層110之前，可使用氮化物在第一溝槽的內(nèi)壁上形成襯墊(liner)。
[0038]作為在形成隔離層110之前形成雜質(zhì)區(qū)103的替代，可在形成隔離層110之后形成雜質(zhì)區(qū)103。
[0039]可部分去除襯底100以形成第二溝槽107。
[0040]在不例實施例中，可在襯底100上形成第一掩模層?？赏ㄟ^光刻工藝將第一掩模層圖案化，以形成第一掩模120?？墒褂玫谝谎谀?20作為蝕刻掩模蝕刻襯底100的上部，以形成第二溝槽107。在示例實施例中，第二溝槽107可被形成為在與襯底100的頂表面基本上平行的第一方向上延伸。多個第二溝槽107可在與襯底100的頂表面基本上平行并且與第一方向基本上垂直的第二方向上形成。在示例實施例中，在被隔離層110劃分的每個有源區(qū)105內(nèi)形成兩個第二溝槽107。第一掩模層可被形成為包括例如硅氧化物。
[0041]參照圖3，可在第二溝槽107的內(nèi)壁上形成第一柵絕緣層130。可在第一柵絕緣層130和第一掩模層120上形成第一柵電極層140,以充分填充第二溝槽107。
[0042]在示例實施例中，可通過熱氧化工藝或自由基氧化工藝，在被第二溝槽107暴露的襯底100的上部上形成第一柵絕緣層130。在其它示例實施例中，可通過以下方式形成第一柵絕緣層130:通過(例如，CVD工藝)在第二溝槽107的內(nèi)壁和第一掩模120上沉積硅氧化物層或金屬氧化物層，并且去除硅氧化物層或金屬氧化物層在第一掩模120上的一部分。金屬層可被形成為包括例如氧化鉿、氧化鉭、氧化鋯等。
[0043]可通過原子層沉積(ALD)工藝、物理氣相沉積(PVD)工藝等將第一柵電極層140形成為包括金屬或金屬氮化物，例如，鎢、氮化鈦、氮化鉭等和/或金屬硅化物。
[0044]參照圖4和圖5，可去除第一柵電極層140的上部，以形成部分填充第二溝槽107的第一柵電極145?？稍诘谝粬烹姌O145、第一柵絕緣層130和第一掩模120上形成填充第二溝槽107的剩余部分的第一帽層150。
[0045]在示例實施例中，可通過例如化學機械拋光(CMP)工藝和/或回蝕工藝，將第一柵電極層140的上部平面化?？赏ㄟ^各向異性蝕刻工藝進一步去除第一柵電極層140在第二溝槽107上的一部分，以形成第一柵電極145。因此，第一柵電極145可填充第二溝槽107的下部。在不例實施例中，第一柵電極145可在第一方向上延伸，并且多個第一柵電極145可在第二方向上形成。第一帽層150可被形成為包括例如硅氧化物、硅氮化物等。
[0046]參照圖6和圖7，可通過CMP工藝和/或回蝕工藝去除第一帽層150和第一掩模120的上部，直到暴露襯底100的頂表面，以形成第一帽層圖案155。因此，第一帽層圖案155可填充第二溝槽107的上部。在不例實施例中，第一帽層圖案155可在第一方向上延伸，并且多個第一帽層圖案155可在第二方向上形成。
[0047]第一柵絕緣層130、第一柵電極145和第一帽層圖案155可形成第一柵結(jié)構(gòu)。第一柵結(jié)構(gòu)可以是填充第二溝槽105的掩埋柵結(jié)構(gòu)。第一柵結(jié)構(gòu)和雜質(zhì)區(qū)103可形成晶體管。
[0048]參照圖8，可在第一柵結(jié)構(gòu)、襯底100和隔離層110上順序地形成第二柵絕緣層160、第二柵電極層170、第三柵電極層180和第二掩模層190。
[0049]第二柵絕緣層160可被形成為包括例如硅氧化物。第二柵電極層170可被形成為包括例如摻雜的多晶娃。第三柵電極層180可被形成為包括例如金屬和/或金屬氮化物。第二掩模層190可被形成為包括例如硅氮化物。
[0050]參照圖9和圖10，可通過光刻工藝將第二掩模層190圖案化，以在第二區(qū)II中形成第二掩模195?？墒褂玫诙谀?95作為蝕刻掩模蝕刻第三柵電極層180和第二柵電極層170，以分別形成第三柵電極185和第二柵電極175。
[0051]當形成第二柵電極175和第三柵電極185時，在示例實施例中，第二柵絕緣層160可不被圖案化而是可以保留在襯底100、隔離層110和第一柵結(jié)構(gòu)上?？晒┻x擇地，可將第二柵絕緣層160與第二柵電極層170和第三柵電極層180 —起圖案化，以將它們從襯底100的第一區(qū)I中去除。
[0052]在第二區(qū)II中順序堆疊在襯底100上的第二柵絕緣層160、第二柵電極175、第三柵電極185和第二掩模195可形成第二柵結(jié)構(gòu)。第二柵電極175和第三柵電極185以及第二掩模195可被稱為第二柵電極結(jié)構(gòu)。
[0053]參照圖11，可在第二絕緣層160和第二柵電極結(jié)構(gòu)上形成蝕刻停止層200。第一絕緣中間層210可形成在蝕刻停止層200上，以具有比第二柵電極結(jié)構(gòu)的頂表面更高的頂表面，使得第一絕緣中間層210可充分覆蓋第二柵電極結(jié)構(gòu)。
[0054]蝕刻停止層200可被形成為包括例如硅氮化物。第一絕緣中間層210可被形成為包括例如硅氧化物。因此，蝕刻停止層200可包括與第二掩模195的材料基本上相同的材料，從而被合并其中。第一絕緣中間層210在第一區(qū)I中的一部分可在隨后工藝中被去除，并且從而這部分可用作犧牲層。
[0055]參照圖12和圖13，可在第一絕緣中間層210上順序地形成硬掩模上硅(SOH)層220、氮氧化物層230和第一光致抗蝕劑圖案240。
[0056]第一光致抗蝕劑圖案240可包括布置在第二方向上的多個第一開口 245，第一開口 245的每一個可在第一方向上延伸。在示例實施例中，每個第一開口 245可以與每個有源區(qū)105中的彼此相鄰的兩個第一柵結(jié)構(gòu)和襯底100在其間的一部分重疊。
[0057]參照圖14，可使用第一光致抗蝕劑圖案240作為蝕刻掩模蝕刻氮氧化物層230，以形成氮氧化物層圖案?？墒褂玫趸飳訄D案作為蝕刻掩模蝕刻SOH層220，以形成SOH層圖案225。SOH層圖案225可包括暴露第一絕緣中間層210的頂表面的多個第二開口 227。
[0058]每個第二開口 227可具有比第一柵結(jié)構(gòu)更寬的在第二方向上的寬度。例如，每個第二開口 227在第二方向上的寬度可以是第一柵結(jié)構(gòu)的寬度的大約2.5倍至大約3倍。
[0059]另外，SOH層圖案225在第二開口 227之間的部分可具有比第一柵結(jié)構(gòu)更寬的在第二方向上的寬度。例如，SOH層圖案225在第二開口 227之間的部分的寬度可以是第一柵結(jié)構(gòu)的寬度的大約2.5倍至大約4倍。因此，SOH層圖案225在第二開口 227之間的部分可能不具有高的長寬比，因此可能不會倒塌。另外，可使用SOH層圖案225作為蝕刻掩模正確地執(zhí)行后續(xù)的蝕刻工藝(參照圖15和圖16)。
[0060]參照圖15和圖16，可使用SOH層圖案225作為蝕刻掩模蝕刻第一絕緣中間層210，以形成第一絕緣中間層圖案215?？墒褂玫谝唤^緣中間層210下方的蝕刻停止層200作為蝕刻終止點，執(zhí)行蝕刻工藝。從而，穿過第一絕緣中間層圖案215的多個第三開口 211可暴露蝕刻停止層200的頂表面。在示例實施例中，每個第三開口 211可與每個有源區(qū)105中的彼此相鄰的兩個第一柵結(jié)構(gòu)和襯底100在其間的一部分重疊。
[0061]如上所述，第一絕緣中間層圖案215在第一區(qū)I中的一部分可在后續(xù)工藝(參照圖19和圖20)中被去除，從而可被稱為犧牲層圖案215。
[0062]參照圖17和圖18，可在每個第三開口 211的側(cè)壁上形成第一分隔件250。可通過在第三開口 211的側(cè)壁、蝕刻停止層200被暴露的頂表面、以及犧牲層圖案215上形成第一分隔件層來形成第一分隔件250。然后，可各向異性蝕刻第一分隔件層。可通過ALD工藝將第一分隔件層形成為包括例如硅氮化物。
[0063]在示例實施例中，每個第一分隔件250可被形成為與第一柵結(jié)構(gòu)重疊。在每個第三開口 211中的每個第一分隔件250彼此相對的部分可在第二方向上分隔第一距尚。在不例實施例中，第一距離可近似于第一柵結(jié)構(gòu)在第二方向上的寬度。
[0064]當從頂側(cè)看時，環(huán)形形狀的一個第一分隔件250可形成在每個第三開口 211中。也就是說，每個第一分隔件250可具有其每一個均可在第一方向上延伸的第一兩個部分和連接第一兩個部分的第二兩個部分。為方便說明，第一分隔件250的第一兩個部分可被稱為獨立的第一分隔件250。從而,每個第三開口 211中的第一分隔件250可在第二方向上彼此分隔第一距離。
[0065]參照圖19和圖20，可在犧牲層圖案215上形成第三掩模260?？扇コ隣奚鼘訄D案215沒有被第三掩模260覆蓋的部分，以形成暴露蝕刻停止層200的頂表面的多個第四開口213。
[0066]在示例實施例中，第三掩模260可被形成為覆蓋犧牲層圖案215在第二區(qū)II中的整個部分和犧牲層圖案215在與第二區(qū)II相鄰的第一區(qū)I中的一部分。犧牲層圖案215在第一區(qū)I中的中心部分可被暴露。在不例實施例中，第三掩模260可被形成為覆蓋第二區(qū)II和犧牲層圖案215在第一區(qū)I中形成在第一分隔件250中最外的那些的外側(cè)的部分。
[0067]在示例實施例中，可使用氫氟酸作為蝕刻溶液通過濕法蝕刻工藝去除犧牲層圖案215沒有被第三掩模260覆蓋的部分。
[0068]因此，隨著犧牲層圖案215在第一區(qū)I中的一部分被去除，第一分隔件250可彼此分隔第二距離。第二距離可對應于犧牲層圖案215在第二方向上的寬度。也就是說，第一分隔件250可通過第四開口 213彼此分隔第二距離。在示例實施例中，第二距離可以是第一柵結(jié)構(gòu)在第二方向上的寬度的大約2.5倍至大約4倍，從而可大于第一距離。
[0069]結(jié)果，設置在第二方向上的第一分隔件250可相互分隔第一距離或第二距離。具體地講，當從第一分隔件250的最外那些開始計數(shù)時，從奇數(shù)的第一分隔件250到相鄰的偶數(shù)的第一分隔件250的距離可以是第一距離。從偶數(shù)的第一分隔件250到相鄰的奇數(shù)的第一分隔件250的距離可以是第二距離。
[0070]參照圖21和圖22，在去除第三掩模260之后，可在襯底100上形成接觸第一分隔件250的第二分隔件270。在示例實施例中，可通過在蝕刻停止層200和犧牲層圖案215上形成覆蓋第一分隔件250的第二分隔件層并且各向異性蝕刻第二分隔件層，形成第二分隔件 270。
[0071]第二分隔件層可被形成為包括例如硅氧化物。從而，第二分隔件層接觸犧牲層圖案215的部分可被合并其中。在示例實施例中，可通過ALD工藝形成第二分隔件層。
[0072]在示例實施例中，第二分隔件層可填充彼此分隔第一距離的第一分隔件250之間的間隔。第二分隔件層還可部分填充并且部分覆蓋蝕刻停止層200在彼此分隔第二距離的第一分隔件250之間的部分。
[0073]參照圖23，可在蝕刻停止層200、第一分隔件250和第二分隔件270以及犧牲層圖案215上形成填充層280，以充分填充第二分隔件270之間的間隔，S卩，第四開口 213的剩余部分。在示例實施例中，可通過ALD工藝或CVD工藝將填充層280形成為包括與第一分隔件250的材料基本上相同的材料，例如，硅氮化物。
[0074]參照圖24和圖25，可將填充層280、第一分隔件250和第二分隔件270、以及犧牲層圖案215的上部平面化，以形成第一圖案285和第二圖案275?？稍诘谝粓D案285和第二圖案275以及犧牲層圖案215上順序地形成第二帽層290和第三帽層295。
[0075]在示例實施例中，可通過CMP工藝和/或回蝕工藝執(zhí)行平面化工藝。通過平面化工藝，第一分隔件250和填充層280可被轉(zhuǎn)換成第一圖案285。第二分隔件270可被轉(zhuǎn)換成第二圖案275。從而，第一圖案285和第二圖案275中的每個可在第一方向上延伸。第一圖案285和第二圖案275可在第二方向上交替且重復地形成。第一圖案285和第二圖案275可彼此接觸。
[0076]在示例實施例中，第一圖案285中的一些可與第一柵結(jié)構(gòu)重疊。其它的第一圖案285可與隔離層110重疊。在示例實施例中，第二圖案275可重疊于與第一柵結(jié)構(gòu)相鄰的雜質(zhì)區(qū)103。
[0077]第一圖案285可包括例如硅氮化物。第二圖案275可包括例如硅氧化物。第二帽層290可被形成為包括例如硅氮化物，從而被合并到第一圖案285中。第三帽層295可被形成為包括例如硅氮化物。
[0078]參照圖26和圖27，可在第三帽層295上形成第二光致抗蝕劑圖案305?？墒褂玫诙庵驴刮g劑圖案305作為蝕刻掩模蝕刻第三帽層295、第二帽層290、第一圖案285和第二圖案275的上部，以形成凹陷287。
[0079]在示例實施例中，第二光致抗蝕劑圖案305可包括設置在第二方向上的多個第五開口 307，第五開口 307的每一個可在第一方向上延伸。每個第五開口 307可重疊于襯底100在彼此相鄰的第一柵結(jié)構(gòu)之間的部分和每個有源區(qū)105中的第一圖案285與第二圖案275相鄰的部分上的第二圖案275。從而，當從第二圖案275的最外的那些開始計數(shù)時，可通過凹陷287暴露第(3n-2)個第二圖案275，例如，第一、第四和第七個第二圖案275。這里，η表示正整數(shù)。在示例實施例中，可通過干法蝕刻工藝執(zhí)行蝕刻工藝。
[0080]參照圖28和圖29，在去除第二光致抗蝕劑圖案305之后，可在第二帽層290和第三帽層295的側(cè)壁上和第一圖案285被每個凹陷287暴露的上側(cè)壁上形成蝕刻停止層圖案309?？赏ㄟ^在凹陷287的內(nèi)壁和第三帽層295上形成蝕刻停止層并且對蝕刻停止層進行各向異性蝕刻，形成蝕刻停止層圖案309。從而，蝕刻停止層圖案309可至少覆蓋第二帽層290的側(cè)壁。
[0081]蝕刻停止層圖案309可被形成為包括與第一圖案285或第三帽層295的材料基本上相同的材料，例如，硅氮化物，從而被合并到其中。蝕刻停止層圖案309可包括與第二圖案275或第二帽層290的材料不同的材料，例如，硅氮化物，它相對于第二圖案275或第二帽層290具有高蝕刻選擇性。因此，可以防止當隨后針對第二圖案275執(zhí)行濕法蝕刻工藝時第二帽層290被蝕刻。
[0082]可去除被凹陷287暴露的第二圖案275?？扇コg刻停止層200和其下方的第二柵絕緣層160的一部分，以形成第六開口 217。第六開口 217可暴露襯底100的上部并且可分別與凹陷287流體連通。
[0083]在示例實施例中,可使用氫氟酸作為蝕刻溶液通過濕法蝕刻工藝去除被暴露的第二圖案275?？赏ㄟ^干法蝕刻工藝去除蝕刻停止層200和第二柵絕緣層160的一部分。(每個第六開口 217可被形成為在第一方向上延伸。為便于說明，第六開口 217和與其流體連通的凹陷287經(jīng)常可被簡稱為第七開口。)
[0084]參照圖30和圖31，可形成分別填充每個第七開口的下部和上部的源極線300和第四帽層圖案310。也就是說，源極線300可被形成為填充每個第六開口 217并且第四帽層圖案310可被形成為填充每個凹陷287。
[0085]可通過在襯底100被暴露的上部上形成第一導電層以填充第六開口 217和凹陷287，形成源極線300。然后，可去除第一導電層的上部。在示例實施例中，可完全去除第一導電層在凹陷287中的部分，使得每個源極線300可被形成為只填充每個第六開口 217?？晒┻x擇地，可部分去除第一導電層在凹陷287中的部分，使得每個源極線300可被形成為填充每個第六開口 217和每個凹陷287的下部。第一導電層可被形成為包括金屬，例如，鎢、鈦、鉭等、和/或金屬氮化物，例如，氮化鎢、氮化鈦、氮化鉭等。
[0086]每個源極線300可在第一方向上延伸。多個源極線300可在第二方向上延伸。在示例實施例中，每個源極線300可形成在襯底100和隔離層110在相鄰的第一柵結(jié)構(gòu)之間的部分上。
[0087]可通過在源極線300、蝕刻停止層圖案309、以及第三帽層295上形成第四帽層以填充凹陷287，形成第四帽層圖案310。然后，可將第四帽層和第三帽層295的上部平面化。
[0088]在示例實施例中，可執(zhí)行平面化工藝，直到第二帽層290的頂表面被暴露。因此，可去除第三帽層295。第四帽層可被形成為包括例如硅氮化物，從而被合并到第一圖案285和/或蝕刻停止層圖案309中。
[0089]參照圖32和圖33，可在第二帽層290、第四帽層圖案310、蝕刻停止層圖案309和犧牲層圖案215上形成第四掩模320。在示例實施例中，第四掩模320可包括設置在第一方向上的多個第八開口 325，多個第八開口 325的每一個可在第二方向上延伸。每個第八開口325可形成在第一區(qū)I中，并且可部分暴露第二帽層290、第四帽層圖案310、蝕刻停止層圖案309和犧牲層圖案215。在不例實施例中，每個第八開口 325可被形成為于襯底100的場區(qū)重疊，即，與隔離層110重疊。
[0090]在示例實施例中，可通過雙圖案化工藝(DPT)形成具有微小寬度的第四掩模320。第四掩模320可被形成為包括相對于硅氮化物和硅氧化物具有蝕刻選擇性的材料，例如，
多晶娃。
[0091]參照圖34和圖35，可使用第四掩模320作為蝕刻掩模，蝕刻第二帽層290和第二圖案275。在示例實施例中，可通過干法蝕刻工藝執(zhí)行蝕刻工藝。當執(zhí)行干法蝕刻工藝時，可去除第一圖案285和第四帽層圖案310與第二圖案275相鄰的部分。然而，源極線300可受到第四帽層圖案310保護，從而可不被去除。
[0092]在干法蝕刻工藝期間，還可去除蝕刻停止層200、第二柵絕緣層160和襯底100在第二圖案275下方的部分，以形成暴露襯底100上部的第九開口 218。
[0093]參照圖36和圖37，可形成填充第九開口 218的第三圖案330?？赏ㄟ^在襯底100、第一圖案285、第四帽層圖案310和第四掩模320上形成絕緣層以充分填充第九開口 218，形成第三圖案330?？蓪⒔^緣層的上部平面化。在示例實施例中，可執(zhí)行平面化工藝，直到第四掩模320的上部被去除。絕緣層可被形成為包括例如硅氮化物，從而可被合并到第一圖案285、第四帽層圖案310、蝕刻停止層圖案309和第二帽層290中。
[0094]在示例實施例中，每個第三圖案330可在第二方向上延伸。多個第三圖案330可在第一方向上形成。從而，第二圖案275的側(cè)壁可被第一圖案285和第三圖案330圍繞。
[0095]參照圖38至圖41，在第三圖案330和第四掩模320上形成第三光致抗蝕劑圖案340之后，可使用第三光致抗蝕劑圖案340作為蝕刻掩模蝕刻第二帽層290和第二圖案275。第三光致抗蝕劑圖案340可覆蓋第二區(qū)II和第一區(qū)I與其相鄰的部分。在示例實施例中，第三光致抗蝕劑圖案340可覆蓋第二區(qū)I1、在第二方向上源極線300最接近第二區(qū)II的那些的部分、以及在第一方向上第三圖案330最接近第二區(qū)II的那些的部分。從而，在蝕刻工藝期間，第二區(qū)II中的犧牲層圖案215可以受到保護。
[0096]在示例實施例中，被暴露的第二帽層290和其下方的第二圖案275可包括相對于第一圖案285和第三圖案330、第四帽層圖案310、蝕刻停止層圖案309具有蝕刻選擇性的材料，例如，娃氧化物，從而可使用例如氫氟酸作為蝕刻溶液通過濕法蝕刻工藝將它去除。
[0097]可去除蝕刻停止層200和第二柵絕緣層160在第二圖案275下方的部分，以形成暴露襯底100上部的第十開口 219。在示例實施例中，可通過干法蝕刻工藝去除蝕刻停止層200和第二柵絕緣層160的一部分。
[0098]參照圖42至圖46，可形成填充每個第十開口 219的接觸塞350和焊盤層360?？赏ㄟ^在襯底100、第一圖案285和第三圖案330、第四帽層圖案310、蝕刻停止層圖案309和第四掩模320上形成第二導電層，形成接觸塞350和焊盤層360。然后，可將第二導電層的上部平面化。
[0099]被平面化的第二導電層的上部可用作焊盤層360。被平面化的第二導電層的下部可用作接觸塞350。也就是說，可通過單個工藝將接觸塞350和焊盤層360形成為包括基本上相同的材料。因此，可一體地形成接觸塞350和焊盤層360。焊盤層360可與接觸塞350自對準地形成。從而，可不通過額外的工藝，而是通過用于形成接觸塞350的相同工藝形成焊盤層360，這樣可減少用于形成微小圖案的蝕刻工藝。
[0100]第二導電層可被形成為包括金屬，例如，鎢、鈦、鉭等、和/或金屬氮化物，例如，氮化鎢、氮化鈦、氮化鉭等。
[0101]接觸塞350可在第一方向和第二方向二者上形成。每個接觸塞350可接觸襯底100的雜質(zhì)區(qū)103。在示例實施例中，兩個接觸塞350可在兩個源極線300之間在第二方向上形成。
[0102]每個焊盤層360可形成在相鄰的源極線300之間設置在第二方向上的兩個接觸塞350上。每個焊盤層360可以具有比兩個接觸塞350的水平橫截面之和更寬的水平橫截面寬度。每個焊盤層360的彼此平行的一對側(cè)壁可被蝕刻停止層圖案309覆蓋。每個焊盤層360的彼此平行的另一對側(cè)壁可被第三圖案330覆蓋。在示例實施例中，焊盤層360的頂表面可與第三圖案330、第四帽層圖案310和蝕刻停止層圖案309的頂表面基本上共平面。
[0103]參照圖47和圖48，可在焊盤層360、第四帽層圖案310、蝕刻停止層圖案309和第四掩模320上形成第五掩模370?？墒褂玫谖逖谀?70作為蝕刻掩模將焊盤層360圖案化，以形成通過第十一開口 367劃分的多個焊盤365。在示例實施例中，第五掩模370可暴露焊盤層360在第一圖案285上的部分。從而，第^ 開口 367可暴露第一圖案285。
[0104]可通過圖案化工藝將每個焊盤層360劃分成兩個焊盤265。每個焊盤365可形成在每個第一接觸塞350上。每個焊盤365在第二方向上的寬度可比每個接觸塞350的寬度更寬。
[0105]參照圖49和圖50，在去除第五掩模370之后，可形成填充每個十一開口 367的劃分層圖案380?？赏ㄟ^在第三圖案330、焊盤365、第四帽層圖案310、蝕刻停止層圖案309和第四掩模320上形成絕緣層以填充第十一開口 367，形成劃分層圖案380?？蓪⒔^緣層的上部平面化。絕緣層可被形成為包括例如硅氮化物。
[0106]參照圖51至圖53，下電極390、磁隧道結(jié)(MTJ)結(jié)構(gòu)430和上電極440可被形成為順序疊堆在每個焊盤365上。在示例實施例中，MTJ結(jié)構(gòu)430可包括順序疊堆的固定層結(jié)構(gòu)圖案400、隧道勢壘層圖案410和自由層圖案420。
[0107]具體地講，可在焊盤365、劃分層圖案380、第四帽層圖案310、蝕刻停止層圖案309和第四掩模320上順序形成下電極層、固定層結(jié)構(gòu)、隧道勢壘層、自由層和上電極層?？赏ㄟ^光刻工藝將上電極層圖案化，以形成上電極440。通過使用上電極440作為蝕刻掩模的干法蝕刻工藝，自由層、隧道勢壘層、固定層結(jié)構(gòu)和下電極層可被圖案化成以形成順序疊堆在每個焊盤365上的下電極390、固定層結(jié)構(gòu)圖案400、隧道勢壘層圖案410和自由層圖案420。下電極層和上電極層可被形成為包括金屬和/或金屬氮化物。
[0108]可在下電極層上形成勢壘層，以防止固定層結(jié)構(gòu)的金屬異常生長。勢壘層可被形成為包括非晶金屬或金屬氮化物，例如，鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦等。
[0109]在示例實施例中，固定層結(jié)構(gòu)可包括釘扎層(pinning layer)、下鐵磁層、抗鐵磁耦合分隔件層和上鐵磁層。釘扎層可被形成為包括例如FeMn、IrMn、PtMn、MnO、MnS、MnTe、MnF2, FeF2, FeCl2^FeO, CoCl2、CoO、NiCl2、N1、Cr等。下鐵磁層和上鐵磁層可被形成為包括例如Fe、N1、Co等?？硅F磁稱合分隔件層可被形成為包括例如Ru、Ir、Rh等。
[0110]隧道勢壘層可被形成為包括例如氧化鋁或氧化鎂。自由層可被形成為包括例如Fe、N1、Co等。MTJ結(jié)構(gòu)430和用于形成MTJ結(jié)構(gòu)430的工藝可不限于以上描述。
[0111]使用上電極440作為蝕刻掩模的干法蝕刻工藝可包括例如等離子體反應蝕刻工藝或濺射工藝?？墒褂冒鷼怏w和氨氣的蝕刻氣體、以及包含用于減少上電極440的消耗的氧氣的反應氣體執(zhí)行等離子體反應蝕刻工藝。
[0112]當執(zhí)行干法蝕刻工藝時，導電聚合物可能附接到MTJ結(jié)構(gòu)430的側(cè)壁。從而，固定層結(jié)構(gòu)圖案400和自由層圖案420可能電短路。為了防止電短路，MTJ結(jié)構(gòu)430可被形成為彼此分隔。在示例實施例中，當從頂側(cè)看時，MTJ結(jié)構(gòu)430可形成在六邊形的頂點和中心。
[0113]每個MTJ結(jié)構(gòu)430可通過下電極390接觸每個焊盤365，并且可經(jīng)由與每個焊盤365 一體形成的每個接觸塞350電連接到襯底100的雜質(zhì)區(qū)103。從而，MTJ結(jié)構(gòu)430或下電極390可被形成為在考慮到焊盤365的位置的情況下進行布置。下文中，為便于說明，可只描述MTJ結(jié)構(gòu)430的位置。
[0114]多個MTJ結(jié)構(gòu)430可設置在第一方向和第二方向二者上，以形成MTJ結(jié)構(gòu)陣列。一個MTJ結(jié)構(gòu)430可與一個焊盤365重疊。MTJ結(jié)構(gòu)陣列可包括設置在第一方向上的多個MTJ結(jié)構(gòu)行。每個MTJ結(jié)構(gòu)行可包括線性設置在第二方向上的多個MTJ結(jié)構(gòu)430。MTJ結(jié)構(gòu)陣列可包括設置在第二方向上的多個MTJ結(jié)構(gòu)列。每個MTJ結(jié)構(gòu)列可包括以Z字方式設置在第一方向上的多個MTJ結(jié)構(gòu)430。
[0115]從而，MTJ結(jié)構(gòu)430與對應焊盤365重疊的區(qū)域可根據(jù)其位置而變化。例如，在同一 MTJ結(jié)構(gòu)行中，第二方向上的奇數(shù)的MTJ結(jié)構(gòu)430與對應焊盤365重疊的區(qū)域可不同于第二方向上的偶數(shù)的MTJ結(jié)構(gòu)430與對應焊盤365重疊的區(qū)域。另外，在同一 MTJ結(jié)構(gòu)列中，第一方向上的奇數(shù)的MTJ結(jié)構(gòu)430與對應焊盤365重疊的區(qū)域可不同于第一方向上的偶數(shù)的MTJ結(jié)構(gòu)430與對應焊盤365重疊的區(qū)域。
[0116]以上MTJ結(jié)構(gòu)陣列中的MTJ結(jié)構(gòu)430可設置在六邊形的頂點和中心。這個布置可允許MTJ結(jié)構(gòu)相互分隔最大距離。MTJ結(jié)構(gòu)430可被設置成——對應地對應于焊盤365。
[0117]參照圖54至圖56，可在焊盤365、劃分層圖案380、第四帽層圖案310、蝕刻停止層圖案309和第四掩模320上形成第二絕緣中間層450，以覆蓋下電極390、MTJ結(jié)構(gòu)和上電極440?？稍诘诙^緣中間層450上形成接觸上電極440的位線460，以制造MRAM器件。
[0118]第二絕緣中間層450可被形成為包括例如硅氧化物。位線460可被形成為包括例如金屬、金屬氮化物和/或金屬硅化物。在示例實施例中，位線460可在第二方向上延伸，并且多個位線460可在第一方向上形成。
[0119]如以上討論的，在制造MRAM器件的方法中，可通過單個工藝一體地形成接觸塞350和焊盤層360。另外，可通過單個工藝將焊盤層360劃分成焊盤365。從而，可容易地形成具有微小尺寸的焊盤365。另外，對應于焊盤365的MTJ結(jié)構(gòu)430可被形成為相互分隔最大距離或其它預定距離，使得在用于形成MTJ結(jié)構(gòu)430的蝕刻工藝中產(chǎn)生的故障可減少。
[0120]本文已經(jīng)公開了示例實施例，盡管采用了特定術(shù)語，但只以通用和描述含義使用和解釋這些術(shù)語，而不是出于限制目的。在一些情形下，如提交本申請的領域的普通技術(shù)人員所清楚的，結(jié)合特定實施例描述的特征、特性和/或元件可單獨地使用或者與結(jié)合其它實施例描述的特征、特性和/或元件組合起來使用，除非另外明確指示。因此，本領域的技術(shù)人員應該理解，可在不脫離如下面的權(quán)利要求書中闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下進行形式和細節(jié)上的各種變化。
【權(quán)利要求】
1.一種制造MRAM器件的方法，包括: 在襯底上形成第一圖案和第二圖案，所述第一圖案和所述第二圖案交替且重復地設置并且彼此接觸； 在所述第一圖案和所述第二圖案的頂表面上形成第一帽層； 去除所述第一帽層的第一部分和在所述第二圖案下方的部分，以形成暴露所述襯底的第一開口 ； 形成分別填充所述第一開口的下部的源極線； 形成分別填充所述第一開口的上部的第二帽層圖案； 去除所述第一帽層的第二部分和在所述第二圖案下方的部分，以形成暴露所述襯底的第二開口 ；以及 一體地形成順序疊堆在所述襯底上的接觸塞和焊盤層，以分別填充第二開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第一開口的步驟包括: 去除所述第一帽層的所述第一部分、在所述第二圖案下方的部分的上部、以及與所述第二圖案的所述部分相鄰的所述第一圖案的上部，以形成凹陷； 形成蝕刻停止層圖案， 所述蝕刻停止層圖案覆蓋被所述凹陷暴露的所述第一帽層的側(cè)壁；以及 去除所述第二圖案被所述凹陷暴露的部分的下部，以形成暴露所述襯底的第三開口，所述第三開口分別與所述凹陷流體連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述第三開口的步驟包括:通過濕法蝕刻工藝去除所述第二圖案的所述部分的下部。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中: 所述第一圖案、所述蝕刻停止層圖案和所述第二帽層圖案被形成為包括基本上相同的材料，以及 所述第一帽層和所述第二圖案被形成為包括基本上相同的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中: 所述第一圖案、所述蝕刻停止層圖案和所述第二帽層圖案被形成為包括硅氮化物，以及 所述第一帽層和所述第二圖案被形成為包括硅氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述蝕刻停止層圖案的步驟包括: 在所述凹陷的內(nèi)壁和所述第一帽層上形成蝕刻停止層；以及 各向異性蝕刻所述蝕刻停止層，以在所述凹陷的側(cè)壁上形成所述蝕刻停止層圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述源極線的步驟包括: 形成導電層，所述導電層填充所述第三開口和至少一部分所述凹陷；以及 去除所述導電層的上部，以形成分別填充所述第三開口的所述源極線。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中形成所述第二帽層圖案的步驟包括: 在所述源極線和所述第一帽層上形成第二帽層，以填充所述凹陷；以及 將所述第二帽層的上部平面化，直到所述第一帽層的頂表面被暴露。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第二開口的步驟包括:通過濕法蝕刻工藝去除所述第一帽層的所述第二部分和在所述第二圖案下方的部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 在一體地形成所述接觸塞和所述焊盤層之后，將每個焊盤層劃分成多個焊盤。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括: 在將每個焊盤層劃分成所述多個焊盤之后，形成與所述焊盤中的相應一些電連接的MTJ結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中當從頂側(cè)看時，所述MTJ結(jié)構(gòu)形成在六邊形的頂點和中心。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中將每個焊盤層劃分成所述多個焊盤的步驟包括: 部分去除所述焊盤層，以形成暴露所述第一圖案的頂表面的第四開口 ；以及 形成分別填充所述第四開口的劃分層圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第一圖案和所述第二圖案的步驟包括: 在與所述襯底的頂表面基本上平行的第二方向上，在所述襯底上交替地且重復地形成所述第一圖案和所述第二圖案，所述第一圖案中的每個和所述第二圖案中的每個在第一方向上延伸，所述第一方向基本上平行于所述襯底的所述頂表面并且基本上垂直于所述第二方向，并且其中，形成所述第一開口的步驟包括:形成在所述第一方向上延伸的所述第一開□。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述第一開口的步驟包括:去除所述第二方向上的第3n-2個第二圖案，其中n是正整數(shù)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述第二開口的步驟包括:去除所述第一帽層的所述第二部分和所述第二方向上的第3η個和第3η-1個第二圖案。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括: 在一體地形成所述接觸塞和所述焊盤層之后，將每個焊盤層劃分成兩個焊盤。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，在形成所述第二帽層圖案之后，所述方法包括: 在所述第一帽層和所述第二帽層圖案上形成掩模，所述掩模包括設置在所述第一方向上的多個第五開口，所述第五開口中的每個在所述第二方向上延伸； 去除所述第一帽層的第三部分和在所述第二圖案下方的部分，以形成第六開口 ；以及 形成分別填充所述第六開口的第三圖案。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中形成所述第六開口的步驟包括:通過干法蝕刻工藝去除所述第一帽層的所述第三部分和在所述第二圖案下方的部分，并且其中，在所述干法蝕刻工藝期間，所述源極線受到所述第二帽層圖案的保護。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第三圖案被形成為包括與所述第一圖案和所述第二帽層圖案基本上相同的材料。
21.一種磁阻型隨機存取存儲器MRAM器件，包括: 多個源極線，所述多個源極線在第二方向上設置在襯底上，所述源極線中的每個在第一方向上延伸； 多個接觸塞，所述多個接觸塞在所述襯底上在所述源極線之間，所述多個接觸塞設置在所述第一方向和所述第二方向上；多個焊盤，所述多個焊盤位于所述接觸塞中相應的一些上，所述焊盤中的每個與所述接觸塞中相應的一個一體地形成；以及 多個磁隧道結(jié)MTJ結(jié)構(gòu),所述多個MTJ結(jié)構(gòu)位于所述焊盤中相應的一些上，其中，所述MTJ結(jié)構(gòu)布置在六邊形的頂點和中心。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的MRAM器件，還包括: 絕緣層圖案，所述絕緣層圖案圍繞所述接觸塞的側(cè)壁和所述源極線； 蝕刻停止層圖案，所述蝕刻停止層圖案覆蓋每個焊盤的側(cè)壁； 劃分層圖案，所述劃分層圖案覆蓋每個焊盤的側(cè)壁；以及 帽層圖案，所述帽層圖案覆蓋每個源極線的頂表面。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的MRAM器件，其中: 所述絕緣層圖案、所述蝕刻停止層圖案、所述劃分層圖案和所述帽層圖案包括基本上相同的材料，以及 所述帽層圖案和所述蝕刻停止層圖案的頂表面與所述焊盤的頂表面基本上共平面。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的MRAM器件，還包括: 多個柵結(jié)構(gòu)，所述多個柵結(jié)構(gòu)被掩埋在所述襯底的上部，多個被掩埋的柵結(jié)構(gòu)設置在所述第二方向上，并且每個被掩埋的柵結(jié)構(gòu)在所述第一方向上延伸，其中每個源極線設置在所述襯底上在被掩埋的柵結(jié)構(gòu)之間，并且其中，所述接觸塞沒有與被掩埋的柵結(jié)構(gòu)重疊。
25.一種存儲器器件，包括: 在襯底上的多個源極線； 在所述襯底上的多個接觸塞，至少一個接觸塞位于所述源極線的相應的對之間； 多個焊盤，所述多個焊盤位于所述接觸塞中相應的一些上，所述焊盤中的每個與所述接觸塞中的至少一個一體地形成；以及 多個磁隧道結(jié)MTJ結(jié)構(gòu),所述多個MTJ結(jié)構(gòu)位于所述焊盤中相應的一些上，其中所述焊盤和所述接觸塞由相同材料形成。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的存儲器器件，其中每個焊盤與所述接觸塞中的對應的一個自對準。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的存儲器器件，其中每個焊盤與所述接觸塞中的相鄰的一些一體地形成。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的存儲器器件，其中所述接觸塞具有平面化的頂表面。
29.一種用于制造半導體器件的方法，包括: 在襯底中形成源極線； 在相鄰源極線之間形成一定數(shù)目的接觸塞；以及 在所述接觸塞上方形成焊盤層；以及 形成與所述焊盤中相應的一些電連接的MTJ結(jié)構(gòu)，其中每個焊盤層接觸所述接觸塞中的至少一個，并且其中，所述接觸塞以與所述焊盤層相同的操作一體地形成。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中所述數(shù)目大于I。
【文檔編號】H01L43/12GK104051613SQ201410095518
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年3月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月14日
【發(fā)明者】樸鐘撤, 徐載訓, 裴丙才, 宣昌佑 申請人:三星電子株式會社