通過利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法
【專利摘要】提供了一種通過利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括下述步驟：通過利用加載單元使基板固定到傳送單元；通過利用穿過室的第一輸送器單元將基板固定在其上的傳送單元傳輸?shù)绞抑校辉谟袡C(jī)層形成在基板上之前測量基板的位置信息；在基板相對(duì)于有機(jī)層沉積組件移動(dòng)的同時(shí)，通過將從有機(jī)層沉積組件排出的沉積材料沉積到基板上形成有機(jī)層，其中，室內(nèi)的有機(jī)層沉積組件與基板分隔開；通過利用卸載單元使在其上已經(jīng)完成形成有機(jī)層的基板與傳送單元分離；以及通過利用穿過室的第二輸送器單元使已經(jīng)與基板分離的傳送單元傳輸?shù)郊虞d單元。
【專利說明】 通過利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法
[0001]本申請(qǐng)要求于2013年6月17日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0069188號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該申請(qǐng)的公開通過引用全部包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方面涉及一種有機(jī)層沉積設(shè)備和通過利用該有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。

【背景技術(shù)】
[0003]有機(jī)發(fā)光顯示裝置與其他顯示裝置相比具有較寬的視角、較好的對(duì)比特性、較快的響應(yīng)速度，因此已經(jīng)作為下一代顯示裝置而引起關(guān)注。
[0004]有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括插入在彼此面對(duì)的第一電極和第二電極之間的中間層(包括發(fā)射層)?？梢允褂貌煌姆椒ㄐ纬呻姌O和中間層，其中的一個(gè)方法為單獨(dú)的沉積方法。當(dāng)通過利用沉積方法制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置時(shí)，具有與將形成的有機(jī)層的圖案相同的圖案的精細(xì)金屬掩模(FMM)被布置成緊密接觸有機(jī)層等形成在其上的基板，并且通過FMM沉積有機(jī)層材料以形成具有期望圖案的有機(jī)層。
[0005]然而，利用這樣的FMM的沉積方法在利用較大的母玻璃制造較大的有機(jī)發(fā)光顯示裝置方面存在困難。例如，當(dāng)使用如此大的掩模時(shí)，掩模會(huì)因自身的重量而彎曲，從而使圖案扭曲。這樣的缺點(diǎn)對(duì)于最近朝著高精細(xì)圖案的趨勢是沒有好處的。
[0006]此外，使基板與FMM對(duì)準(zhǔn)以使彼此緊密接觸、在其上執(zhí)行沉積以及將FMM與基板分離的工藝耗時(shí)，從而導(dǎo)致制造時(shí)間長并且生產(chǎn)效率低。
[0007]對(duì)于本發(fā)明的發(fā)明人來說，該【背景技術(shù)】中公開的信息在獲得本發(fā)明之前是已知的，或者是在獲得本發(fā)明的過程中獲得的技術(shù)信息。因此，在本發(fā)明被發(fā)明人做出的時(shí)間之前，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息或者在本國中不是已知的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種容易應(yīng)用在大基板的大量生產(chǎn)工藝中的有機(jī)層沉積設(shè)備和一種通過利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中，在沉積操作中可以精確地對(duì)準(zhǔn)基板和有機(jī)層沉積組件。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種有機(jī)層沉積設(shè)備。該有機(jī)層沉積設(shè)備包括:輸送器單元，包括用于固定基板并被構(gòu)造成與基板一起移動(dòng)的傳送單元、用于沿第一方向移動(dòng)基板固定在其上的傳送單元的第一輸送器單元、用于在已經(jīng)完成沉積之后沿與第一方向相反的方向移動(dòng)與基板分離的傳送單元的第二輸送器單元；加載單元，用于使基板固定到傳送單元；沉積單元，包括被構(gòu)造成維持真空狀態(tài)的室和用于將有機(jī)層沉積到被固定到通過加載單元傳送的傳送單元的基板上的至少一個(gè)有機(jī)層沉積組件；測量單元，位于加載單元和沉積單元之間，以在將有機(jī)層沉積到基板上之前測量基板的位置信息；卸載單元，使已經(jīng)完成沉積的基板與傳送單元分離，其中，在傳送單元穿過沉積單元的同時(shí)執(zhí)行沉積，傳送單元被構(gòu)造成在第一輸送器單元和第二輸送器單元之間循環(huán)移動(dòng)，固定到傳送單元的基板被構(gòu)造成在被第一輸送器單元傳送的同時(shí)與所述至少一個(gè)有機(jī)層沉積組件分隔開。
[0010]位置信息可以包括基板相對(duì)于第一方向的扭曲度和從測量單元到基板的距離。
[0011]測量單元可以包括:捕捉單元，用于測量基板相對(duì)于第一方向的扭曲度；間隙傳感器，用于測量間隙傳感器到基板的距離。
[0012]基板可以包括層形成基板和主基板，其中，主基板可以固定到傳送單元并在層形成基板被固定到傳送單元和被放入到沉積單元中之前被放入到沉積單元中。
[0013]測量單元可以被構(gòu)造成在測量層形成基板相對(duì)于第一方向的扭曲度和測量單元到層形成基板的距離之前，測量主基板相對(duì)于第一方向的扭曲度和測量單元到主基板的距離，在主基板被放入到沉積單元中之后，測量單元可以被構(gòu)造為測量層形成基板相對(duì)于第一方向的扭曲度和測量單元到層形成基板的距離。
[0014]測量單元可以被構(gòu)造成對(duì)主基板相對(duì)于第一方向的扭曲度與層形成基板相對(duì)于第一方向的扭曲度進(jìn)行比較，以計(jì)算層形成基板相對(duì)于主基板的扭曲的差。
[0015]沉積單元和層形成基板可以根據(jù)層形成基板相對(duì)于主基板的扭曲的差相對(duì)于彼此對(duì)準(zhǔn)。
[0016]測量單元可以被構(gòu)造成計(jì)算測量單元到主基板的距離與測量單元到層形成基板的距離之差。
[0017]可以基于測量單元到主基板的距離與測量單元到層形成基板的距離之差控制沉積單元的高度，以維持層形成基板與沉積單元之間的間隔基本均勻。
[0018]有機(jī)層沉積組件可以包括:沉積源，用于排出沉積材料；沉積源噴嘴單元，位于沉積源的側(cè)面，其中，至少一個(gè)沉積源噴嘴形成在沉積源噴嘴單元中；圖案化縫隙片，面對(duì)沉積源噴嘴單元并包括多個(gè)圖案化縫隙，其中，基板可以與有機(jī)層沉積組件分隔開，從而相對(duì)于有機(jī)層沉積設(shè)備移動(dòng)，從沉積源排出的沉積材料可以穿過圖案化縫隙片從而被以一定圖案沉積到基板上。
[0019]有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片的尺寸可以沿第一方向和第二方向中的至少一個(gè)方向比基板的尺寸小。
[0020]至少一個(gè)沉積源噴嘴可以沿第一方向形成在沉積源噴嘴單元中，其中，多個(gè)圖案化縫隙可以沿垂直于第一方向的第二方向形成在圖案化縫隙片中。
[0021 ] 在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例中，提供了一種通過利用用于在基板上形成有機(jī)層的有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括下述步驟:通過利用加載單元使基板固定到傳送單元；通過利用穿過室的第一輸送器單元將基板固定在其上的傳送單元傳輸?shù)绞抑校辉谟袡C(jī)層形成在基板上之前測量基板的位置信息；在基板相對(duì)于有機(jī)層沉積組件移動(dòng)的同時(shí)，通過將從有機(jī)層沉積組件排出的沉積材料沉積到基板上形成有機(jī)層，其中，室內(nèi)的有機(jī)層沉積組件與基板分隔開；通過利用卸載單元使在其上已經(jīng)完成形成有機(jī)層的基板與傳送單元分離；以及通過利用穿過室的第二輸送器單元使已經(jīng)與基板分離的傳送單元傳輸?shù)郊虞d單元。
[0022]位置信息可以包括基板相對(duì)于第一方向的扭曲度和測量單元到基板的距離。
[0023]基板可以包括層形成基板和主基板，其中，主基板可以在層形成基板被放入室中之前被放入室中。
[0024]在測量位置信息的步驟中，可以在測量主基板的位置信息之后測量層形成基板的位置信息，層形成基板被固定到傳送單元并被傳送到室。
[0025]形成有機(jī)層的步驟可以包括:通過比較主基板的位置信息和層形成基板的位置信息，使有機(jī)層沉積組件與層形成基板對(duì)準(zhǔn)；以及在有機(jī)層沉積組件基于關(guān)于有機(jī)層沉積組件和層形成基板之間的對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)信息相對(duì)于層形成基板移動(dòng)的同時(shí)，通過使從有機(jī)層沉積組件排出的沉積材料沉積到基板上來形成有機(jī)層。
[0026]對(duì)準(zhǔn)步驟可以包括:將主基板相對(duì)于第一方向的扭曲度與層形成基板相對(duì)于第一方向的扭曲度進(jìn)行比較，以計(jì)算層形成基板相對(duì)于主基板的扭曲的差，并計(jì)算測量單元到主基板的距離和測量單元到層形成基板的距離；以及根據(jù)層形成基板的扭曲的改變使有機(jī)層沉積組件和層形成基板對(duì)準(zhǔn)，根據(jù)測量單元到主基板的距離和測量單元到層形成基板的距離的差來控制沉積單元的高度，以保持層形成基板與沉積單元之間的間隔基本均勻。
[0027]有機(jī)層沉積組件可以包括:用于排放沉積材料的沉積源；沉積源噴嘴單元，位于沉積源的側(cè)面并包括多個(gè)沉積源噴嘴；以及圖案化縫隙片，面對(duì)沉積源噴嘴單元并且包括多個(gè)圖案化縫隙，其中，從沉積源排出的沉積材料可以穿過圖案化縫隙片以被以一定的圖案沉積到基板上。
[0028]有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片的尺寸可以沿第一方向和第二方向中的至少一個(gè)方向比基板的尺寸小。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其他特征和方面將變得更加清楚，其中:
[0030]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；
[0031]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1的有機(jī)層沉積設(shè)備的沉積單元的示意性側(cè)視圖；
[0032]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1的有機(jī)層沉積設(shè)備的沉積單元的示意性透視圖；
[0033]圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3的沉積單元的示意性剖視圖；
[0034]圖5示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的測量單元和圖案化縫隙片；
[0035]圖6和圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使主基板和圖案化縫隙片對(duì)準(zhǔn)的操作的示意性示圖；
[0036]圖8、圖9和圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使層形成基板和圖案化縫隙片對(duì)準(zhǔn)的操作的示意性示圖；
[0037]圖11是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的測量從測量單元到主基板的距離的操作的示意性示圖；
[0038]圖12是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的測量從測量單元到層形成基板的距離的操作的示意性示圖；
[0039]圖13、圖14、圖15以及圖16是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使層形成基板與圖案化縫隙片之間的間隔對(duì)準(zhǔn)的操作的示意性示圖；
[0040]圖17示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件；以及
[0041]圖18是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造的有源矩陣(AM)型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0042]現(xiàn)在將詳細(xì)參照本發(fā)明的本實(shí)施例，在附圖中示出了本發(fā)明的示例，其中，同樣的參考標(biāo)號(hào)始終表示同樣的元件。為了解釋本發(fā)明的方面，下面通過參照附圖來描述實(shí)施例。
當(dāng)諸如“......中的至少一個(gè)/種”的表述在一系列元件(要素)之后時(shí)，修飾整個(gè)系列的元件
(要素)，而不是修飾系列中的單個(gè)元件(要素)。
[0043]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備I的示意性平面圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1的有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100的示意性側(cè)視圖。
[0044]參照?qǐng)D1和圖2，有機(jī)層沉積設(shè)備I包括測量單元10、沉積單元100、加載單元200、卸載單元300以及輸送器單元400。
[0045]加載單元200可以包括第一支架212、傳輸室214、第一翻轉(zhuǎn)室218和緩沖室219。
[0046]其上還沒有涂覆沉積材料的多個(gè)基板2向上堆疊在第一支架212上。包括在傳輸室214中的傳輸機(jī)器人從第一支架212拾起一個(gè)基板2，將基板2放置在通過第二輸送器單元420傳送的傳送單元430上，并將其上放置有基板2的傳送單元430移動(dòng)到第一翻轉(zhuǎn)室218 中。
[0047]第一翻轉(zhuǎn)室218設(shè)置為鄰近于傳輸室214。第一翻轉(zhuǎn)室218包括將傳送單元430翻轉(zhuǎn)然后將傳送單元430加載到沉積單元100的第一輸送器單元410上的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人。
[0048]參照?qǐng)D1，傳輸室214中的傳輸機(jī)器人將一個(gè)基板2放置在傳送單元430的頂表面上，其上放置有基板2的傳送單元430然后被傳送到第一翻轉(zhuǎn)室218中。第一翻轉(zhuǎn)室218的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人將傳送單元430翻轉(zhuǎn)，從而基板2在沉積單元100中被上下顛倒。
[0049]卸載單元300被構(gòu)造為以與上面描述的加載單元200的方式相反的方式操作。具體地講，第二翻轉(zhuǎn)室328中的第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人在基板2被放置在傳送單元430上的同時(shí)將已經(jīng)穿過沉積單元100的傳送單元430翻轉(zhuǎn)，然后使其上放置有基板2的傳送單元430移動(dòng)到排出室324中。然后，排出機(jī)器人將其上放置有基板2的傳送單元430從排出室324取出，將基板2與傳送單元430分離，然后將基板2加載在第二支架322上。與基板2分離的傳送單元430經(jīng)由第二輸送器單元420返回到加載單元200。
[0050]然而，本發(fā)明不限于上面的示例。例如，當(dāng)將基板2放置在傳送單元430上時(shí)，基板2可以固定(或附著)到傳送單元430的底表面上，然后移動(dòng)到沉積單元100中。在這個(gè)實(shí)施例中，例如，可以省略第一翻轉(zhuǎn)室218的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人和第二翻轉(zhuǎn)室328的第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人。
[0051]測量單元10可以位于加載單元200和沉積單元100之間，并且在基板2被放入到沉積單元100中之前測量基板2的位置信息。S卩，測量單元10可以測量測量單元10到基板2的距離以及基板2相對(duì)于傳送單兀430的輸送方向(例如，傳輸方向)的扭曲度。根據(jù)基板2的通過利用測量單元10測量的位置信息使基板2與有機(jī)層沉積組件100-1至100-11對(duì)準(zhǔn)。這將在后面更進(jìn)一步進(jìn)行描述。
[0052]沉積單元100可以包括至少一個(gè)用于沉積的室。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1和圖2中所示，沉積單元100包括其中可以設(shè)置有多個(gè)有機(jī)層沉積組件100-1至100-n的室101。參照?qǐng)D1，11個(gè)有機(jī)層沉積組件(即，第一有機(jī)層沉積組件100-1、第二有機(jī)層沉積組件100-2至第十一有機(jī)層沉積組件100-11)位于室101中，但是有機(jī)層沉積組件的個(gè)數(shù)可以根據(jù)期望的沉積材料和沉積條件而變化。室101在沉積工藝過程中保持處于真空狀態(tài)。
[0053]在圖1中示出的實(shí)施例中，其上固定(或附著)有基板2的傳送單元430可以被第一輸送器單元410至少移動(dòng)到沉積單元100或者可以被第一輸送器單元410順序地移動(dòng)到加載單元200、沉積單元100和卸載單元300，在卸載單元300中與基板2分開的傳送單元430可以被第二輸送器單元420移動(dòng)回到加載單元200。
[0054]第一輸送器單元410在穿過沉積單元100時(shí)穿過室101，第二輸送器單元420輸送(或傳輸)與基板2分開的傳送單兀430。
[0055]在本實(shí)施例中，有機(jī)層沉積設(shè)備I被構(gòu)造成使得第一輸送器單元410和第二輸送器單元420分別位于上方和下方，從而在傳送單元430在卸載單元300中與基板2分開(其中，傳送單元430在穿過第一輸送器單元410的同時(shí)在傳送單元430上完成了沉積)之后，傳送單元430經(jīng)由形成在第一輸送器單元410下方的第二輸送器單元420返回到加載單元200，因此，有機(jī)層沉積設(shè)備I可以具有提高的空間利用效率。
[0056]在實(shí)施例中，圖1的沉積單元100還可以包括位于每個(gè)有機(jī)層沉積組件的側(cè)面處的沉積源更換單元190。盡管在附圖中沒有具體示出，但是沉積源更換單元190可以形成為可以從每個(gè)有機(jī)層沉積組件拉到外部的嵌入形式。因此，可以容易地更換有機(jī)層沉積組件100-1的沉積源110 (參照?qǐng)D3)。
[0057]圖1示出了并聯(lián)布置的兩組結(jié)構(gòu)的有機(jī)層沉積設(shè)備1，每組包括加載單元200、沉積單元100、卸載單元300和輸送器單元400。即，可以看到，兩個(gè)有機(jī)層沉積設(shè)備I分別布置在圖案化縫隙片更換單元500的一側(cè)和另一側(cè)處(圖1中的上方和下方)。在這種實(shí)施例中，圖案化縫隙片更換單元500可以位于兩個(gè)有機(jī)層沉積設(shè)備I之間。S卩，由于結(jié)構(gòu)的該構(gòu)造，兩個(gè)有機(jī)層沉積設(shè)備I共用圖案化縫隙片更換單元500，從而當(dāng)與每個(gè)有機(jī)層沉積設(shè)備I包括圖案化縫隙片更換單元500的情況相比提高了空間利用效率。
[0058]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1的有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100的示意性透視圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3的沉積單元100的示意性剖視圖。
[0059]參照?qǐng)D3和圖4，有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100包括至少一個(gè)有機(jī)層沉積組件100-1和輸送器單元400。
[0060]在下文中，將描述沉積單元100的整體結(jié)構(gòu)。
[0061]室101可以形成為中空的盒子型并容納至少一個(gè)有機(jī)層沉積組件100-1和傳送單元430。以另一種描述方式，形成腳部102從而將沉積單元100固定在地上，下殼體103位于腳部102上，上殼體104位于下殼體103上。室101既容納下殼體103又容納上殼體104。關(guān)于這一點(diǎn)，密封下殼體103和室101的連接部分，從而室101的內(nèi)部與外部完全隔離。由于下殼體103和上殼體104位于固定在地上的腳部102上的結(jié)構(gòu)，所以即使室101重復(fù)地膨脹和收縮，下殼體103和上殼體104也可以保持在固定的位置。因此，下殼體103和上殼體104在沉積單元100中可以用作基準(zhǔn)框架。
[0062]上殼體104包括有機(jī)層沉積組件100-1和輸送器單元400的第一輸送器單元410，下殼體103包括輸送器單兀400的第二輸送器單兀420。傳送單兀430在第一輸送器單兀410和第二輸送器單元420之間循環(huán)移動(dòng)的同時(shí)，連續(xù)執(zhí)行沉積工藝。
[0063]在下文中，詳細(xì)描述有機(jī)層沉積組件100-1的構(gòu)成。
[0064]第一有機(jī)層沉積組件100-1包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、圖案化縫隙片130、屏蔽構(gòu)件140、第一臺(tái)階150、第二臺(tái)階160。關(guān)于這一點(diǎn)，圖3和圖4中示出的所有元件可以布置在保持在適當(dāng)?shù)恼婵諣顟B(tài)的室101中。使用這個(gè)結(jié)構(gòu)以獲得沉積材料的線性。
[0065]例如，為了將已經(jīng)從沉積源110排出并且穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片130的沉積材料115以期望的圖案沉積到基板2上，令人期望的是將室(未示出)維持在與利用精細(xì)金屬掩模(FMM)的沉積方法中利用的真空狀態(tài)相同的真空狀態(tài)。另外，圖案化縫隙片130的溫度應(yīng)該充分低于沉積源110的溫度，因?yàn)楫?dāng)圖案化縫隙片130的溫度足夠低時(shí)，降低或最小化了圖案化縫隙片130的熱膨脹。
[0066]其上將要沉積沉積材料115的基板2布置在室101中?；?可以為用于平板顯示裝置的基板。例如，可以將40英寸或更大的諸如用于制造多個(gè)平板顯示器的母玻璃的大基板用作基板2。
[0067]根據(jù)本實(shí)施例，可以在基板2相對(duì)于有機(jī)層沉積組件100-1移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積工藝。
[0068]在利用FMM的傳統(tǒng)的沉積方法中，F(xiàn)MM的尺寸與基板的尺寸相同。因此，當(dāng)基板的尺寸增加時(shí)，F(xiàn)MM的尺寸也增大。由于這些問題，難于制造大尺寸的FMM并且難于通過拉伸FMM使FMM與精確圖案對(duì)準(zhǔn)。
[0069]為了解決這些問題，在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100-1中，可以在有機(jī)層沉積組件100-1與基板2彼此相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。換言之，可以在面對(duì)有機(jī)層沉積組件100-1的基板2沿著Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)連續(xù)地執(zhí)行沉積。即，在基板2沿著圖3中示出的箭頭A的方向移動(dòng)的同時(shí)，以掃描方式執(zhí)行沉積。盡管基板2示出為在執(zhí)行沉積時(shí)在圖3中的室101中沿著Y軸方向移動(dòng)，但是本發(fā)明不限于此。例如，可以在有機(jī)層沉積組件100-1沿著Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積，但是基板2被保留在固定的位置。
[0070]因此，在有機(jī)層沉積組件100-1中，圖案化縫隙片130可以小于(例如，遠(yuǎn)小于)在傳統(tǒng)的沉積方法中使用的FMM。換言之，在有機(jī)層沉積組件100-1中，連續(xù)地執(zhí)行沉積，即，在基板2沿著Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)以掃描方式連續(xù)地執(zhí)行沉積。因此，圖案化縫隙片130沿著X軸方向和Y軸方向的長度中的至少一個(gè)可以遠(yuǎn)小于基板2的長度。由于圖案化縫隙片130可以形成為小于(例如，遠(yuǎn)小于)傳統(tǒng)的沉積方法中使用的FMM，所以相對(duì)容易制造圖案化縫隙片130。即，與傳統(tǒng)的沉積方法中使用的FMM相比，考慮到包括跟隨著精確拉伸的蝕刻、焊接、傳送以及清洗的工藝的制造工藝，更適合小的圖案化縫隙片130。此外，這更適合于制造相對(duì)大的顯示裝置。
[0071]為了在有機(jī)層沉積組件100-1和基板2如上所述地彼此相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積，有機(jī)層沉積組件100-1和基板2可以彼此分隔開一定距離(例如，間隙)。下面對(duì)此進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0072]包含并加熱沉積材料115的沉積源110設(shè)置在與室中設(shè)置有基板2的側(cè)相對(duì)(面對(duì))的側(cè)處。隨著包含在沉積源I1中的沉積材料115被蒸發(fā)，在基板2上執(zhí)行沉積。
[0073]沉積源110包括填充有沉積材料115的坩堝111和加熱坩堝111的加熱器112，從而使沉積材料115朝著填充有沉積材料115的坩堝111的一側(cè)(具體地講，朝著沉積源噴嘴單元120)蒸發(fā)。
[0074]沉積源噴嘴單元120在一個(gè)實(shí)施例中位于沉積源110的面對(duì)基板2的一側(cè)。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件在執(zhí)行用于形成公共層和圖案化層的沉積中均可以包括不同的沉積噴嘴。
[0075]在一個(gè)實(shí)施例中，圖案化縫隙片130可以位于沉積源110和基板2之間。圖案化縫隙片130還可以包括具有與窗口框架相似的形狀的框架135 (參見例如圖5)。圖案化縫隙片130包括沿著X軸方向布置的多個(gè)圖案化縫隙131。已經(jīng)在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片130，然后沉積到基板2上。關(guān)于這一點(diǎn)，圖案化縫隙片130可以利用與用于形成FMM (具體地講，條形掩模)的方法(例如，蝕刻)相同的方法來形成。關(guān)于這一點(diǎn)，圖案化縫隙131的總數(shù)可以大于沉積源噴嘴121的總數(shù)。
[0076]在一個(gè)實(shí)施例中，沉積源110 (和接合到沉積源110的沉積源噴嘴單元120)和圖案化縫隙片130可以彼此分隔開一定的距離(例如，間隙)。
[0077]如上所述，在有機(jī)層沉積組件100-1相對(duì)于基板2移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。為了使有機(jī)層沉積組件100-1相對(duì)于基板2移動(dòng)，將圖案化縫隙片130與基板2分隔開一定的距離(例如，間隙)。
[0078]在利用FMM的傳統(tǒng)的沉積方法中，通常利用與基板緊密接觸的FMM執(zhí)行沉積，從而防止在基板上形成陰影。然而，當(dāng)FMM與基板緊密接觸地形成時(shí)，因基板與FMM之間接觸而會(huì)出現(xiàn)缺陷。此外，由于難于使掩模相對(duì)于基板移動(dòng)，所以掩模與基板具有相同的尺寸。因此，掩模隨著顯示裝置的尺寸增加而變得更大。然而，難以形成大的掩模。
[0079]為了解決這些問題，在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100-1中，圖案化縫隙片130形成為與將在其上沉積沉積材料的基板2分隔開一定的距離(例如，間隙)。
[0080]根據(jù)本實(shí)施例，可以在形成為小于基板的掩模相對(duì)于基板移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積，因此制造這樣的掩模相對(duì)容易。此外，可以防止因基板與掩模之間的接觸導(dǎo)致的缺陷。此夕卜，由于在沉積工藝過程中不需要使基板與掩模緊密接觸，因此，可以提高制造速度。
[0081]在下文中，將描述上殼體104的每個(gè)元件的具體設(shè)置。
[0082]沉積源110和沉積源噴嘴單元120位于上殼體104的底部處。容納部分104_1分別形成在沉積源100和沉積源噴嘴單元120的兩側(cè)上，以具有突出的形狀。第一臺(tái)階150、第二臺(tái)階160和圖案化縫隙片130以這個(gè)次序順序地形成在容納部分104-1上。
[0083]關(guān)于這一點(diǎn)，第一臺(tái)階150形成為沿著X軸和Y軸方向移動(dòng)，從而使第一臺(tái)階150沿著X軸方向和Y軸方向?qū)?zhǔn)圖案化縫隙片130。即，第一臺(tái)階150包括多個(gè)致動(dòng)器，從而第一臺(tái)階150相對(duì)于上殼體104沿著X軸方向和Y軸方向移動(dòng)。
[0084]第二臺(tái)階160形成為沿著Z軸方向移動(dòng)，從而沿著Z軸方向?qū)?zhǔn)圖案化縫隙片130。S卩，第二臺(tái)階160包括多個(gè)致動(dòng)器，并且形成為相對(duì)于第一臺(tái)階150沿著Z軸方向移動(dòng)。
[0085]圖案化縫隙片130位于第二臺(tái)階160上。圖案化縫隙片130位于第一臺(tái)階150和第二臺(tái)階160上，從而沿著X軸、Y軸和Z軸方向移動(dòng)，因此，可以執(zhí)行基板2與圖案化縫隙片130之間的對(duì)準(zhǔn)(具體地講，實(shí)時(shí)對(duì)準(zhǔn))。
[0086]此外，上殼體104、第一臺(tái)階150和第二臺(tái)階160可以引導(dǎo)沉積材料115的流動(dòng)路徑，從而通過沉積源噴嘴121排放的沉積材料115不在流動(dòng)路徑外部分散。即，沉積材料115的流動(dòng)路徑被上殼體104、第一臺(tái)階150和第二臺(tái)階160密封，因此，可以借此同時(shí)或同步地弓I導(dǎo)沉積材料115沿著X軸和Y軸方向的移動(dòng)。
[0087]屏蔽構(gòu)件140可以位于圖案化縫隙片130和沉積源110之間。更具體地講，陽極或陰極圖案形成在基板2的邊緣部分上，并被用作測試產(chǎn)品或制造產(chǎn)品的端子。如果在基板2的這個(gè)區(qū)域(B卩，陽極或陰極圖案形成在其上的邊緣部分)上涂覆有機(jī)材料，則陽極或陰極不能充分執(zhí)行它的功能。因此，基板2的邊緣部分被形成為有機(jī)材料等沒有涂覆在其上的非膜形成區(qū)域。如上所述，然而，在有機(jī)層沉積設(shè)備中，由于在基板2相對(duì)于有機(jī)層沉積設(shè)備移動(dòng)的同時(shí)以掃描方式執(zhí)行沉積，因此，不容易防止有機(jī)材料沉積在基板2的非膜形成區(qū)域上。
[0088]因此，為了防止有機(jī)材料沉積在基板2的非膜形成區(qū)域上，在有機(jī)層沉積設(shè)備中，屏蔽構(gòu)件140還可以位于基板2的邊緣部分處。盡管圖3和圖4中未具體示出，但是屏蔽構(gòu)件140可以包括兩個(gè)相鄰的板，并且可以沿著與基板2的移動(dòng)方向垂直的方向設(shè)置屏蔽構(gòu)件140。
[0089]當(dāng)基板2沒有穿過有機(jī)層沉積組件100-1時(shí)，屏蔽構(gòu)件140遮擋沉積源110，因此，從沉積源110排出的沉積材料115不能到達(dá)圖案化縫隙片130。當(dāng)基板2與遮擋沉積源110的屏蔽構(gòu)件140進(jìn)入到有機(jī)層沉積組件100-1中時(shí)，遮擋沉積源110的屏蔽構(gòu)件140的前部分隨基板2的移動(dòng)而移動(dòng)，因此，沉積材料115的流動(dòng)路徑被打開，從沉積源110排出的沉積材料115穿過圖案化縫隙片130并被沉積在基板2上。另外，在基板2穿過有機(jī)層沉積組件100-1時(shí)，屏蔽構(gòu)件140的后部分隨著基板2的移動(dòng)而移動(dòng)以遮擋沉積源110，使得沉積材料115的流動(dòng)路徑被關(guān)閉。因此，從沉積源110排出的沉積材料115不能到達(dá)圖案化縫隙片130。
[0090]如上所述，基板2的非膜形成區(qū)域被屏蔽構(gòu)件140遮擋，因此可以能夠或者相對(duì)容易地防止有機(jī)材料沉積在基板2的非膜形成區(qū)域上，而不需要使用單獨(dú)的結(jié)構(gòu)。
[0091]在下文中，更詳細(xì)地描述輸送(例如，傳輸)沉積材料115將沉積在其上的基板2的輸送器單元400。參照?qǐng)D3和圖4，輸送器單元400包括第一輸送器單元410、第二輸送器單元420和傳送單元430。
[0092]第一輸送器單元410以在線方式輸送(或傳輸)包括運(yùn)送器431和附著于運(yùn)送器431的靜電卡盤432的傳送單元430以及附著于傳送單元430的基板2，使得可以通過有機(jī)層沉積組件100-1將有機(jī)層形成在基板2上。
[0093]在傳送單元430穿過沉積單元100的同時(shí)完成了一個(gè)沉積循環(huán)之后，第二輸送器單元420將已經(jīng)在卸載單元300中與基板2分離的傳送單元430返回加載單元200。第二輸送器單元420包括線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423。
[0094]傳送單兀430包括沿著第一輸送器單兀410和第二輸送器單兀420輸送(例如,傳輸)的運(yùn)送器431和結(jié)合在(或附著于)運(yùn)送器431的表面上的靜電卡盤432?；?附著于靜電卡盤432。
[0095]在下文中，將更詳細(xì)地描述輸送器單元400的各個(gè)元件。
[0096]現(xiàn)在將詳細(xì)地描述傳送單元430的運(yùn)送器431。
[0097]運(yùn)送器431包括主體部件431a、直線運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)(LMS)磁體(例如，磁軌)431b、非接觸電源(CPS)模塊431c、電源單元431d以及引導(dǎo)槽431e。
[0098]主體部件431a構(gòu)成運(yùn)送器431的基體部件，并且可以由諸如鐵的磁性材料形成。關(guān)于這一點(diǎn)，由于主體部件431a與對(duì)應(yīng)的上磁懸浮軸承和側(cè)面磁懸浮軸承(磁浮置軸承)(未示出)之間的磁力，運(yùn)送器431可以被維持為與引導(dǎo)構(gòu)件412分隔開一定的距離(例如間隙)。
[0099]引導(dǎo)槽431e可以分別形成在主體部件431a的兩側(cè)處，并且每個(gè)引導(dǎo)槽431e可以容納引導(dǎo)構(gòu)件412的引導(dǎo)突起(未示出)。
[0100]LMS磁體(例如，磁軌)431b可以在主體部件431a行進(jìn)的方向沿著主體部件431a的中線形成。LMS磁體431b和線圈411 (后面將更詳細(xì)地描述)可以彼此結(jié)合以構(gòu)成線性電動(dòng)機(jī)，運(yùn)送器431可以在線性電動(dòng)機(jī)的作用下沿著箭頭A的方向輸送(例如，傳輸)。
[0101]CPS模塊431c和電源單元431d可以在主體部件431a中分別形成在LMS磁體431b的兩側(cè)上。電源單元431d包括提供電力的電池(例如，可再充電電池)，從而靜電卡盤432可以卡住(例如，固定或夾持)基板2并且維持操作。CPS模塊431c是為電源單元431d充電的無線充電模塊。例如，形成在第二輸送器單元420中的下面描述的充電軌道423連接到逆變器(未示出)，因此，當(dāng)運(yùn)送器431被傳送到第二輸送器單元420中時(shí)，在充電軌道423和CPS模塊431c之間形成磁場，從而為CPS模塊431c供電。供應(yīng)到CPS模塊431c的電力用來為電源單元431d充電。
[0102]靜電卡盤432可以包括嵌入在由陶瓷形成的主體中的電極，其中，電極被供電。當(dāng)向電極施加合適的電壓(例如，高電壓或相對(duì)高的電壓)時(shí)，基板2被附于靜電卡盤432的主體的表面上。
[0103]在下文中，更詳細(xì)地描述傳送單元430的操作。
[0104]LMS磁體431b和線圈411可以彼此結(jié)合以構(gòu)成操作單元。在這方面，操作單元可以為線性電動(dòng)機(jī)。與傳統(tǒng)的滑動(dòng)引導(dǎo)系統(tǒng)相比，線性電動(dòng)機(jī)具有小的摩擦系數(shù)、小的位置誤差以及高程度的(例如，非常高程度的)位置確定。如上所述，線性電動(dòng)機(jī)可以包括線圈411和LMS磁體431b。LMS磁體431b線性地布置在運(yùn)送器431上，多個(gè)線圈411可以以一定的距離設(shè)置在室101的內(nèi)側(cè)，從而面對(duì)LMS磁體431b。由于LMS磁體431b設(shè)置在運(yùn)送器431處而不是線圈411處，所以運(yùn)送器431可以在沒有對(duì)其提供電力的情況下操作。
[0105]關(guān)于這一點(diǎn)，線圈411可以形成在空氣氣氛下的大氣(ATM)箱中，LMS磁體431b附著到的運(yùn)送器431可以在維持真空的室101中移動(dòng)。
[0106]根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備I的有機(jī)層沉積組件100-1還可以包括用于對(duì)準(zhǔn)工藝的照相機(jī)(或多個(gè)照相機(jī))170。
[0107]照相機(jī)(或多個(gè)照相機(jī))170可以將形成在圖案化縫隙片130上的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml(圖6)與形成在基板2上的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M2 (圖6)實(shí)時(shí)對(duì)準(zhǔn)。關(guān)于這一點(diǎn)，設(shè)置照相機(jī)(或多個(gè)照相機(jī))170以得到在沉積期間在維持在真空的室101內(nèi)部的更精確的視圖。為此，照相機(jī)(或多個(gè)照相機(jī))170可以安裝在處于大氣狀態(tài)中的照相機(jī)容納單元171中。
[0108]同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備I還可以包括測量基板2的位置信息的測量單元10 (參見圖2)。
[0109]測量單元10可以位于加載單元200和沉積單元100之間，并且在基板2被放入到沉積單元100中之前測量基板2的位置信息。基板2的位置信息指的是從間隙傳感器單元11到基板2的距離和基板2相對(duì)于傳送單兀430的輸送方向(例如，傳輸方向)扭曲的程度。下面將參照?qǐng)D5進(jìn)一步對(duì)此進(jìn)行描述。
[0110]圖5示意性地示出測量單元10和圖案化縫隙片130 (例如，圖案化縫隙片130-1、130-2、130-3等)。參照?qǐng)D5，測量單元10可以包括間隙傳感器單元11和捕捉單元12。
[0111]間隙傳感器單元11位于放置在靜電卡盤432下面的基板2下方，并且可以測量間隙傳感器單元11到基板2的下表面的距離。
[0112]捕捉單元12可以位于放置在靜電卡盤432下面的基板2下面，并且可以測量基板2相對(duì)于靜電卡盤432的輸送方向(例如，傳輸方向)扭曲的程度。
[0113]當(dāng)基板2沿著有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片130-1至130-n上方移動(dòng)時(shí)，使基板2與分別包括在有機(jī)層沉積組件100-1至100-n中的圖案化縫隙片130-1至130_n對(duì)準(zhǔn)過程中可以使用基板2的通過利用測量單元10測量的位置信息。
[0114]圖6和圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使主基板2a和圖案化縫隙片130對(duì)準(zhǔn)的操作的示意性示圖。
[0115]在加載層形成基板2b之前加載主基板2a，并將主基板2a放入到沉積單元100中，通過利用測量單元10測量主基板2a的位置信息。當(dāng)通過利用加載單元200將主基板2a卡到靜電卡盤432時(shí),主基板2a可以關(guān)于靜電卡盤432的輸送方向(例如，傳輸方向)A沿著逆時(shí)針方向扭曲θ°。測量單元10測量在將主基板2a放入到沉積單元10之前(B卩，在主基板2a被輸送到圖案化縫隙片130上例如位于圖案化縫隙片130上方之前)測量主基板2a的扭曲度。
[0116]然后，如圖7中所示，將圖案化縫隙片130逆時(shí)針運(yùn)動(dòng)通過利用測量單元10測量的主基板2a的扭曲度(Θ )(如圖6中所示)，以與主基板2a對(duì)準(zhǔn)?？梢酝ㄟ^檢查形成在主基板2a上的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M2與形成在圖案化縫隙片130上的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml是否彼此相對(duì)應(yīng)(例如，對(duì)準(zhǔn))來確定主基板2a與圖案化縫隙片130之間的對(duì)準(zhǔn)。形成在主基板2a上的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M2和形成在圖案化縫隙片130上的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml可以利用圖4的照相機(jī)(例如，多個(gè)照相機(jī))170來觀察。
[0117]圖8、圖9和圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使層形成基板2b和圖案化縫隙片130對(duì)準(zhǔn)的操作的示意性示圖。
[0118]在主基板2a被放入到沉積單元100中之后，加載層形成基板2b，可以在層形成基板2b被放入到沉積單元100中之前通過利用測量單元10測量層形成基板2b的位置信息。
[0119]如圖8中所不,層形成基板2b可以相對(duì)于靜電卡盤432的輸送方向(例如，傳輸方向)A沿著逆時(shí)針方向以Θ’卡到靜電卡盤432。測量單元10可以測量層形成基板2b的扭曲度。在放入層形成基板2b之前，測量單元10將主基板2a的扭曲度(Θ )與層形成基板2b的扭曲度(Θ ’)進(jìn)行比較并計(jì)算扭曲度之差。
[0120]圖案化縫隙片130沿著逆時(shí)針方向(或順時(shí)針方向)移動(dòng)層形成基板2b和主基板2a之差(Θ ’ 一 Θ )，從而使層形成基板2b與圖案化縫隙片130對(duì)準(zhǔn)?？梢栽趯有纬苫?b沿著圖案化縫隙片130上方移動(dòng)時(shí)進(jìn)一步執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)，如圖9和圖10中所示。
[0121 ] 可以通過檢查形成在層形成基板2b上的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M2與形成在圖案化縫隙片130上的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml是否彼此相對(duì)應(yīng)(例如，對(duì)準(zhǔn))，來確定層形成基板2b與圖案化縫隙片130之間的對(duì)準(zhǔn)?？梢酝ㄟ^利用圖4的照相機(jī)(多個(gè)照相機(jī))170觀察形成在層形成基板2b上的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M2與形成在圖案化縫隙片130上的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml。
[0122]圖11是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的測量從測量單元10到主基板2a的距離的操作的示意性示圖。
[0123]在加載層形成基板2b之前將主基板2a加載到傳送單元430，并將主基板2a放入到沉積單元100中，如上所述，通過利用測量單元10測量主基板2a的扭曲度，并測量測量單元10與主基板2a之間的距離。
[0124]然后，在主基板2a沿著圖案化縫隙片130-1至130_n上方移動(dòng)的同時(shí)，測量圖案化縫隙片130-1至130-n中的每個(gè)圖案化縫隙片與主基板2a之間的間隔。
[0125]圖12是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的測量從測量單元10到層形成基板2b的距離的操作的示意性示圖。
[0126]在主基板2a被放入到沉積單元100中之后，加載層形成基板2b，如上所述，在層形成基板2b被放入到沉積單元100中之前通過利用測量單元10測量層形成基板2b的扭曲度，另外，如圖12中所示測量測量單元10到層形成基板2b的距離。
[0127]測量單元10將測量單元10到主基板2a的距離與測量單元10到層形成基板2b的距離進(jìn)行比較，并計(jì)算距離的差。
[0128]使圖案化縫隙片130-1至130-n對(duì)準(zhǔn)，從而圖案化縫隙片130_1至130_n與層形成基板2b之間的間隔基于相對(duì)于主基板2a和層形成基板2b的距離的差而保持均勻(或基本保持均勻)。
[0129]下面將參照?qǐng)D13、圖14、圖15和圖16詳細(xì)描述層形成基板2b和圖案化縫隙片130之間的對(duì)準(zhǔn)。
[0130]圖13至圖16是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使層形成基板2b與圖案化縫隙片130之間的間隔對(duì)準(zhǔn)的操作的示意圖。
[0131]如圖13中所示，在層形成基板2b被輸送到圖案化縫隙片130上之前，計(jì)算測量單元10到主基板2a的距離與測量單元10到層形成基板2b的距離的差，并基于所述差確定圖案化縫隙片130的移動(dòng)量。
[0132]如圖14中所示，當(dāng)層形成基板2b進(jìn)入圖案化縫隙片130 (例如，進(jìn)入圖案化縫隙片130上方的空間)時(shí)，圖案化縫隙片130根據(jù)上述移動(dòng)量運(yùn)動(dòng)，使得層形成基板2b與圖案化縫隙片130之間的間隔保持均勻(或基本均勻)。
[0133]然后，在層形成基板2b在圖案化縫隙片130上方沿著圖案化縫隙片130移動(dòng)的同時(shí)，圖案化縫隙片130也可以移動(dòng)，使得層形成基板2b與圖案化縫隙片130之間的間隔保持均勻(或基本均勻)。
[0134]圖17是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件900的透視圖。
[0135]參照?qǐng)D17，有機(jī)層沉積組件900包括沉積源910、沉積源噴嘴單元920和圖案化縫隙片950。
[0136]沉積源910包括填充有沉積材料915的坩堝911和加熱器912，加熱器912加熱坩堝911，以使填充在坩堝911中的沉積材料915朝著沉積源噴嘴單元920蒸發(fā)。沉積源噴嘴單元920可以位于沉積源910的側(cè)面，一個(gè)或多個(gè)沉積源噴嘴921沿著Y軸方向被包括在沉積源噴嘴單元920中。雖然在圖17中僅示出了一個(gè)沉積源噴嘴921，但是本發(fā)明不限于此。圖案化縫隙片950和框架955還被包括在沉積源910和基板2之間，多個(gè)圖案化縫隙951沿著X軸方向形成在圖案化縫隙片950中。另外，沉積源910和沉積源噴嘴單元920與圖案化縫隙片950通過使用連接構(gòu)件935彼此結(jié)合。
[0137]包括在沉積源噴嘴單元920中的多個(gè)沉積源噴嘴921的布置與上述實(shí)施例的沉積源噴嘴的布置不同，因此在下面將詳細(xì)地描述。
[0138]沉積源噴嘴單元920位于沉積源910的側(cè)面處，即，位于沉積源910的面對(duì)基板2的側(cè)面處。另外，沉積源噴嘴921形成在沉積源噴嘴單元920中。在沉積源910中蒸發(fā)的沉積材料915穿過沉積源噴嘴單元920行進(jìn)到將被沉積的基板2。如果沿著X方向包括多個(gè)沉積源噴嘴，則各個(gè)沉積源噴嘴921與圖案化縫隙951之間的距離會(huì)改變，并且因從沉積源噴嘴中的距離圖案化縫隙951相對(duì)遠(yuǎn)的沉積源噴嘴排出的沉積材料會(huì)產(chǎn)生陰影。因此，如在本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例中，沿著X軸方向僅形成一個(gè)沉積源噴嘴921，從而減少(顯著減少)陰影的產(chǎn)生。
[0139]圖18是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的利用有機(jī)層沉積設(shè)備I制造的有源矩陣(AM)型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0140]參照?qǐng)D18，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有源矩陣(AM)型有機(jī)發(fā)光顯示裝置形成在基板2上?；?可以由例如玻璃、塑料或金屬的透明材料形成。諸如緩沖層的絕緣層51形成在基板2的整個(gè)表面上。
[0141]薄膜晶體管TFT和有機(jī)發(fā)光二極管OLED設(shè)置在絕緣層51上，如圖18中所示。
[0142]半導(dǎo)體有源層52以設(shè)定或預(yù)定的圖案形成在絕緣層51的頂表面上。柵極絕緣層53形成為覆蓋半導(dǎo)體有源層52。半導(dǎo)體有源層52可以包括P型或η型半導(dǎo)體材料。
[0143]TFT的柵極54形成在柵極絕緣層53的與半導(dǎo)體有源層52的溝道區(qū)域52a相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上。層間絕緣層55形成為覆蓋柵極54。通過蝕刻(例如干法蝕刻)層間絕緣層55和柵極絕緣層53，以形成暴露部分半導(dǎo)體有源層52的接觸孔。
[0144]源極56/漏極57形成在層間絕緣層55上，以穿過對(duì)應(yīng)的接觸孔分別接觸半導(dǎo)體有源層52的源極區(qū)域52b/漏極區(qū)域52c。鈍化層58形成為覆蓋源極56/漏極57，并被蝕刻為暴露源極56和漏極57中的一個(gè)的一部分。絕緣層59可以進(jìn)一步形成在鈍化層58上，以使鈍化層58平面化。
[0145]此外，有機(jī)發(fā)光二極管OLED通過根據(jù)電流發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光來顯示設(shè)定的或預(yù)定的圖像信息。OLED包括位于鈍化層58 (和當(dāng)形成絕緣層59時(shí)位于絕緣層59)上的第一電極61。第一電極61電連接到TFT的被暴露的源極/漏極57。
[0146]像素限定層60形成為覆蓋第一電極61。在像素限定層60中形成開口，在由開口限定的區(qū)域中形成包括發(fā)射層(EML)的有機(jī)層62。第二電極63形成在有機(jī)層62上。
[0147]限定單個(gè)像素的像素限定層60可以由有機(jī)材料形成。像素限定層60進(jìn)一步使基板2的形成有第一電極61的區(qū)域的表面(具體地講，絕緣層59的表面)平面化。
[0148]第一電極61和第二電極63彼此絕緣，并分別將相反極性的電壓施加到有機(jī)層62以誘導(dǎo)光發(fā)射。
[0149]包括EML的有機(jī)層62可以由低分子量的有機(jī)材料或聞分子量的有機(jī)材料形成。當(dāng)使用低分子量的有機(jī)材料時(shí)，有機(jī)層62可以具有包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、EML、電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。有效的有機(jī)材料的非限制性示例可以包括銅酞菁(CuPc)、N，N’ - 二(萘-1-基)-N，N’ - 二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)和三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。
[0150]包括EML的有機(jī)層62可以利用圖1中示出的有機(jī)層沉積設(shè)備I形成。即，有機(jī)層沉積設(shè)備被設(shè)置成與其上將沉積沉積材料的基板分隔開設(shè)定的或預(yù)定的距離，有機(jī)層沉積設(shè)備包括:沉積源，排出沉積材料；沉積源噴嘴單元，位于沉積源的側(cè)面并包括形成在沉積源噴嘴單元中的多個(gè)沉積源噴嘴；以及圖案化縫隙片，面對(duì)沉積源噴嘴單元并包括形成在圖案化縫隙片中的多個(gè)圖案化縫隙。此外，在有機(jī)層沉積設(shè)備I和基板2彼此相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)，從有機(jī)層沉積設(shè)備I (參照?qǐng)D1)排出的沉積材料沉積在基板2 (參照?qǐng)D1)上。
[0151 ] 在形成有機(jī)EML (BP，有機(jī)發(fā)射層)之后，可以通過與用于形成有機(jī)層62相同的沉積方法形成第二電極63。
[0152]第一電極61可以用作陽極，第二電極63可以用作陰極。可選擇地，第一電極61可以用作陰極，第二電極63可以用作陽極。第一電極61可以被圖案化成與單個(gè)像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)，第二電極63可以形成為覆蓋所有像素。
[0153]第一電極61可以形成為透明電極或反射電極。這樣的透明電極可以由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)形成。這樣的反射電極可以通過由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或它們的化合物形成反射層并且在反射層上形成ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或In2O3的層來形成。第一電極61可以通過由例如濺射形成層然后通過例如光刻使所述層圖案化來形成。
[0154]第二電極63還可以形成為透明電極或反射電極。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙姌O63形成為透明電極時(shí)，第二電極63可以用作陰極。為此，可以通過在有機(jī)層62的表面上沉積具有低功函數(shù)的金屬(例如，鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或它們的混合物，并在其上由ΙΤΟ、ΙΖ0,ZnO或In2O3等形成輔助電極層或總電極線，來形成這樣的透明電極。當(dāng)?shù)诙姌O63形成為反射電極時(shí)，反射層可以通過在有機(jī)層62的整個(gè)表面上沉積L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的混合物形成?？梢允褂门c用于形成上面描述的有機(jī)層62相同的沉積方法來形成第二電極63。
[0155]根據(jù)本發(fā)明的上面描述的實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備可以應(yīng)用于形成有機(jī)TFT的有機(jī)層或無機(jī)層，并由各種材料形成層。
[0156]如上所述，本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例提供了有機(jī)層沉積設(shè)備和通過利用該有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該有機(jī)層沉積設(shè)備適用于大基板的大量生產(chǎn)并且使高清晰度的圖案化成為可能。
[0157]盡管已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本發(fā)明的的原理和精神的情況下，可以在這個(gè)實(shí)施例中做出改變，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種通過利用用于在基板上形成有機(jī)層的有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括下述步驟: 通過利用加載單元使基板固定到傳送單元； 通過利用穿過室的第一輸送器單元將基板固定在其上的傳送單元傳輸?shù)绞抑校? 在有機(jī)層形成在基板上之前測量基板的位置信息； 在基板相對(duì)于有機(jī)層沉積組件移動(dòng)的同時(shí)，通過將從有機(jī)層沉積組件排出的沉積材料沉積到基板上形成有機(jī)層，其中，室內(nèi)的有機(jī)層沉積組件與基板分隔開； 通過利用卸載單元使在其上已經(jīng)完成形成有機(jī)層的基板與傳送單元分離；以及 通過利用穿過室的第二輸送器單元使已經(jīng)與基板分離的傳送單元傳輸?shù)郊虞d單元。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，位置信息包括基板相對(duì)于第一方向的扭曲度和測量單元到基板的距離。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，基板包括層形成基板和主基板，主基板在層形成基板被放入室中之前被放入室中。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，在測量位置信息的步驟中，在測量主基板的位置信息之后測量層形成基板的位置信息，層形成基板被固定到傳送單元并被傳送到室。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，形成有機(jī)層的步驟包括: 通過比較主基板的位置信息和層形成基板的位置信息，使有機(jī)層沉積組件與層形成基板對(duì)準(zhǔn)；以及 在有機(jī)層沉積組件基于關(guān)于有機(jī)層沉積組件和層形成基板之間的對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)信息相對(duì)于層形成基板移動(dòng)的同時(shí)，通過使從有機(jī)層沉積組件排出的沉積材料沉積到基板上來形成有機(jī)層。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，對(duì)準(zhǔn)步驟包括: 將主基板相對(duì)于第一方向的扭曲度與層形成基板相對(duì)于第一方向的扭曲度進(jìn)行比較，以計(jì)算層形成基板相對(duì)于主基板的扭曲的差，并計(jì)算測量單元到主基板的距離和測量單元到層形成基板的距離；以及 根據(jù)層形成基板的扭曲的改變使有機(jī)層沉積組件和層形成基板對(duì)準(zhǔn)，根據(jù)測量單元到主基板的距離和測量單元到層形成基板的距離的差來控制沉積單元的高度，以保持層形成基板與沉積單元之間的間隔基本均勻。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，有機(jī)層沉積組件包括: 用于排放沉積材料的沉積源； 沉積源噴嘴單元，位于沉積源的側(cè)面并包括多個(gè)沉積源噴嘴；以及 圖案化縫隙片，面對(duì)沉積源噴嘴單元并且包括多個(gè)圖案化縫隙， 其中，從沉積源排出的沉積材料穿過圖案化縫隙片以被以一定的圖案沉積到基板上。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片的尺寸沿第一方向和第二方向中的至少一個(gè)方向比基板的尺寸小。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104241318SQ201410100292
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年3月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月17日
【發(fā)明者】藏允豪, 洪鐘元, 金相洙 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司