基板處理裝置和基板處理方法
【專利摘要】本發(fā)明提供在基板的干燥時(shí)能夠使表面上的液體瞬時(shí)干燥的基板處理裝置和基板處理方法。在基板處理裝置（10）中包括將通過加熱機(jī)構(gòu)（64）的加熱作用在基板（W）的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吸引除去、對基板（W）的表面進(jìn)行干燥的吸引干燥機(jī)構(gòu)（65）。
【專利說明】基板處理裝置和基板處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及基板處理裝置和基板處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 基板處理裝置是在半導(dǎo)體等的制造工序中，向晶片或液晶基板等基板的表面供給 處理液，對該基板表面進(jìn)行處理，之后向基板表面供給超純水等清洗液對該基板表面進(jìn)行 清洗，進(jìn)而將其干燥的裝置。在該干燥工序中，由于近年來的伴隨半導(dǎo)體的高集成化、高容 量化的微細(xì)化，發(fā)生例如存儲(chǔ)器單元、柵極周圍的圖案倒塌的問題。這是由圖案彼此的間 隔、構(gòu)造、清洗液的表面張力等引起的。
[0003] 于是，以抑制上述圖案倒塌為目的，提出了使用表面張力比超純水還小的IPA (2 -丙醇：異丙醇）的基板干燥方法(例如參照專利文獻(xiàn)1)，在量產(chǎn)工場等中使用將基板表 面上的超純水置換為IPA以進(jìn)行基板干燥的方法。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2008 - 34779號公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0008] 但是，半導(dǎo)體的微細(xì)化不斷發(fā)展，即使使用IPA這樣的表面張力小的有機(jī)溶劑等 液體進(jìn)行干燥，晶片的微細(xì)圖案也會(huì)由于該液體的表面張力等而倒塌。
[0009] 例如，在液體不斷干燥的過程中，在基板W表面的各部的干燥速度產(chǎn)生不均勻，如 圖8 (B)所示，當(dāng)液體A1殘留于一部分的圖案P之間時(shí)，圖案由于該部分的液體A1的表面 張力而倒塌。特別是，殘留有液體的部分的圖案彼此由于液體的表面張力引起的靠近而發(fā) 生彈性變形的倒塌，溶解在該液體中的微少的殘?jiān)?，之后?dāng)液體完全干燥時(shí)，倒塌的圖 案彼此由于殘?jiān)拇嬖诘榷舜斯探印?br>
[0010] 本發(fā)明的技術(shù)問題在于提供在基板的干燥時(shí)能夠使表面上的液體瞬時(shí)干燥的基 板處理裝置和基板處理方法。
[0011] 用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
[0012] 本發(fā)明的基板處理裝置包括：向基板的表面供給清洗液的清洗液供給部；向被供 給有清洗液的基板的表面供給揮發(fā)性溶劑，將基板的表面的清洗液置換為揮發(fā)性溶劑的溶 劑供給部；和對被供給有揮發(fā)性溶劑的基板進(jìn)行加熱的加熱機(jī)構(gòu)，該基板處理裝置中，還包 括將通過加熱機(jī)構(gòu)的加熱作用在基板的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吸引除去，對基板的 表面進(jìn)行干燥的吸引干燥機(jī)構(gòu)。
[0013] 本發(fā)明的基板處理方法包括：向基板的表面供給清洗液的工序；向被供給有清洗 液的基板的表面供給揮發(fā)性溶劑，將基板的表面的清洗液置換為揮發(fā)性溶劑的工序；和對 被供給有揮發(fā)性溶劑的基板進(jìn)行加熱的工序，該基板處理方法中，還包括將通過基板的加 熱在基板的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吸引除去，對基板的表面進(jìn)行干燥的工序。
[0014] 發(fā)明效果
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置和基板處理方法，在基板的干燥時(shí)能夠使表面上的液 體瞬時(shí)干燥。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016] 圖1是表示實(shí)施例1的基板處理裝置的示意圖。
[0017] 圖2是表示基板處理裝置的基板清洗室的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0018] 圖3是表示基板處理裝置的基板干燥室的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0019] 圖4是表示基板處理裝置的基板干燥室的變形例的示意圖。
[0020] 圖5是表示實(shí)施例2的基板處理裝置的示意圖。
[0021] 圖6是表示實(shí)施例3的基板處理裝置的示意圖。
[0022] 圖7是表不基板處理裝置的變形例的不意圖。
[0023] 圖8是表示基板表面的揮發(fā)性溶劑的干燥狀況的示意圖。
[0024] 附圖標(biāo)記說明
[0025] 10、100、200基板處理裝置
[0026] 47、117、214清洗液供給部
[0027] 48、118、215 溶劑供給部
[0028] 64、121、217 加熱機(jī)構(gòu)
[0029] 65、218吸引干燥機(jī)構(gòu)
[0030] 67、219吹飛干燥機(jī)構(gòu)
[0031] 113工作臺(tái)(基板旋轉(zhuǎn)干燥機(jī)構(gòu)）
[0032] W 基板
【具體實(shí)施方式】
[0033] (實(shí)施例1)(圖1?圖4)
[0034] 如圖1所示，實(shí)施例1的基板處理裝置10設(shè)置有基板供排部20、基板保管用緩沖 部30、多個(gè)基板清洗室40和在基板保管用緩沖部30所具有的后述的外部專用緩沖部32 中設(shè)置的基板干燥室60,在基板供排部20與基板保管用緩沖部30之間設(shè)置有輸送機(jī)械手 11，在基板保管用緩沖部30與基板清洗室40之間設(shè)置有輸送機(jī)械手12。
[0035] 基板供排部20能夠輸入、輸出多個(gè)基板收納盒21?；迨占{盒21收納未處理的 晶片或液晶基板等多個(gè)基板W，被輸入基板供排部20,并且收納由基板清洗室40和基板干 燥室60處理后的基板W，被從基板供排部20輸出。未處理的基板W由輸送機(jī)械手11從在 基板供排部20內(nèi)的基板收納盒21中形成為多層的各收納架被依次取出，供給到基板保管 用緩沖部30的后述的內(nèi)部專用緩沖部31 (未圖示)，進(jìn)而由輸送機(jī)械手12從基板保管用緩 沖部30的內(nèi)部專用緩沖部31取出，供給到基板清洗室40進(jìn)行清洗處理。由基板清洗室40 清洗處理后的基板W由輸送機(jī)械手12從基板清洗室40取出，放入基板保管用緩沖部30的 后述的外部專用緩沖部32,在基板保管用緩沖部30的外部專用緩沖部32內(nèi)的基板干燥室 60進(jìn)行干燥處理之后，由輸送機(jī)械手11取出，依次排出到基板供排部20內(nèi)的基板收納盒 21的空的收納架。裝滿處理完的基板W的基板收納盒21被從基板供排部20輸出。
[0036] 基板保管用緩沖部30中，保管未處理的基板W的多個(gè)內(nèi)部專用緩沖部31設(shè)置為 形成有多層的架狀，并且，保管由基板清洗室40清洗處理后的基板W的多個(gè)外部專用緩沖 部32設(shè)置為形成有多層的架狀。在外部專用緩沖部32的內(nèi)部如后所述設(shè)置有基板干燥室 60。另外，內(nèi)部專用緩沖部31、外部專用緩沖部32也可以不形成為多層。
[0037] 如圖2所示，基板清洗室40包括：成為處理室的處理箱41 ;設(shè)置在該處理箱41內(nèi) 的杯狀部42 ;在該杯狀部42內(nèi)將基板W以水平狀態(tài)支承的工作臺(tái)43 ;使該工作臺(tái)43在水 平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)44 ;和在工作臺(tái)43的周圍升降的溶劑吸引排出部45。并且，基板清 洗室40包括：向工作臺(tái)43上的基板W的表面供給藥液(處理液）的藥液供給部46 ;向工作 臺(tái)43上的基板W的表面供給清洗液的清洗液供給部47 ;供給揮發(fā)性溶劑的溶劑供給部48 ; 和控制各部分的控制部50。
[0038] 處理箱41在周壁的一部分開有基板進(jìn)出口 41A。基板進(jìn)出口 41A由閘41B開閉。
[0039] 杯狀部42形成為圓筒形狀，從周圍包圍工作臺(tái)43將其收納在內(nèi)部。杯狀部42的 周壁的上部隨著向斜上方去直徑縮小，并且開口，使得工作臺(tái)43上的基板W向上方露出。該 杯狀部42接受從旋轉(zhuǎn)的基板W落下或飛濺的藥液、清洗液。另外，在杯狀部42的底部設(shè)置 有用于將接受的藥液、清洗液排出的排出管(未圖示)。
[0040] 工作臺(tái)43定位在杯狀部42的中央附近，設(shè)置為能夠在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。該工作臺(tái) 43包括多個(gè)銷等支承部件43A，利用這些支承部件43A，能夠裝卸地保持晶片、液晶基板等 基板W。
[0041] 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)44包括與工作臺(tái)43連結(jié)的旋轉(zhuǎn)軸和作為使該旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)源的電 機(jī)(均未圖示）等，利用電機(jī)的驅(qū)動(dòng)經(jīng)由旋轉(zhuǎn)軸使工作臺(tái)43旋轉(zhuǎn)。該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)44與控制部 50電連接，其驅(qū)動(dòng)由控制部50控制。
[0042] 溶劑吸引排出部45包括包圍工作臺(tái)43的周圍且呈環(huán)狀地開口的溶劑吸引口 45A。 溶劑吸引排出部45包括使溶劑吸引口 45A升降的升降機(jī)構(gòu)(未圖示)，在使溶劑吸引口 45A 位于比工作臺(tái)43的工作臺(tái)面更靠下位的位置的待機(jī)位置與使溶劑吸引口 45A位于保持在 工作臺(tái)43的基板W的周圍的工作位置之間使溶劑吸引口 45A升降。溶劑吸引口 45A吸引 并接受從基板W上飛散的揮發(fā)性溶劑。另外，在溶劑吸引口 45A連接有用于吸引揮發(fā)性溶 劑的排氣風(fēng)扇或真空泵(未圖示）和用于將所吸引并接受的揮發(fā)性溶劑排出的排出管(未圖 示)。
[0043] 藥液供給部46包括對工作臺(tái)43上的基板W的表面從斜方向噴出藥液的噴嘴46A， 從該噴嘴46A向工作臺(tái)43上的基板W的表面供給藥液，例如用于抗蝕劑剝離處理的APM(氨 水和雙氧水的混合液)。噴嘴46A安裝在杯狀部42的周壁的上部，調(diào)整其角度和噴出流速 等，使得能夠向基板W的表面中心附近供給藥液。該藥液供給部46與控制部50電連接，其 驅(qū)動(dòng)由控制部50控制。另外，藥液供給部46包括儲(chǔ)存藥液的罐、作為驅(qū)動(dòng)源的泵、作為調(diào) 整供給量的調(diào)整閥的閥(均未圖示）等。
[0044] 清洗液供給部47包括對工作臺(tái)43上的基板W的表面從斜方向噴出清洗液的噴嘴 47A，從該噴嘴47A向工作臺(tái)43上的基板W的表面供給清洗液，例如用于清洗處理的純水 (超純水)。噴嘴47A安裝在杯狀部42的周壁的上部，調(diào)整其角度和噴出流速等，使得能夠 向基板W的表面中心附近供給藥液。該清洗液供給部47與控制部50電連接，其驅(qū)動(dòng)由控 制部50控制。另外，清洗液供給部47包括儲(chǔ)存清洗液的罐、作為驅(qū)動(dòng)源的泵、作為調(diào)整供 給量的調(diào)整閥的閥(均未圖示）等。
[0045] 溶劑供給部48包括對工作臺(tái)43上的基板W的表面從斜方向噴出揮發(fā)性溶劑的噴 嘴48A，從該噴嘴48A向工作臺(tái)43上的基板W的表面供給揮發(fā)性溶劑，例如IPA。該溶劑供 給部48向由清洗液供給部47供給的清洗液清洗后的基板W的表面供給揮發(fā)性溶劑，將基 板W的表面的清洗液置換為揮發(fā)性溶劑。噴嘴48A安裝在杯狀部42的周壁的上部，調(diào)整其 角度和噴出流速等，使得能夠向基板W的表面中心附近供給藥液。該溶劑供給部48與控制 部50電連接，其驅(qū)動(dòng)由控制部50控制。另外，溶劑供給部48包括儲(chǔ)存揮發(fā)性溶劑的罐、作 為驅(qū)動(dòng)源的泵、作為調(diào)整供給量的調(diào)整閥的閥(均未圖示）等。
[0046] 此處，作為揮發(fā)性溶劑，除了 IPA之外，還能夠使用例如乙醇等一價(jià)的醇類，或二 乙醚、甲乙醚等醚等、以及碳酸乙烯酯等。另外，揮發(fā)性溶劑優(yōu)選可溶于水。
[0047] 控制部50包括集中控制各部分的微機(jī)和存儲(chǔ)關(guān)于基板處理的基板處理信息和各 種程序等的存儲(chǔ)部。該控制部50基于基板處理信息和各種程序控制旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)44、溶劑吸引 排出部45、藥液供給部46、清洗液供給部47、溶劑供給部48等，對旋轉(zhuǎn)中的工作臺(tái)43上的 基板W的表面進(jìn)行利用藥液供給部46的藥液的供給、利用清洗液供給部47的清洗液的供 給、利用溶劑供給部48的揮發(fā)性溶劑的供給等的控制。
[0048] 基板干燥室60在基板保管用緩沖部30的外部專用緩沖部32中形成為多層的各 架的每一個(gè)中設(shè)置，如圖3所示，包括：成為處理室的隧道狀的處理箱61 ;和在該處理箱61 內(nèi)構(gòu)成輸送機(jī)構(gòu)的多個(gè)輸送棍62。進(jìn)而，基板干燥室60包括：向輸送棍62上的基板W的 表面供給氣體的氣體供給部63 ;對在基板清洗室40中被供給揮發(fā)性溶劑的基板W進(jìn)行加 熱的加熱機(jī)構(gòu)64 ;用于對由加熱機(jī)構(gòu)64加熱后的基板W的表面進(jìn)行干燥的吸引干燥機(jī)構(gòu) 65 ;和控制各部分的控制部70。另外，在比配置有吸引干燥機(jī)構(gòu)65的位置更靠下游側(cè)的位 置也設(shè)置有輸送輥62,但在圖3中省略表示。
[0049] 處理箱61為隧道狀，由輸送機(jī)械手12將從基板清洗室40取出的清洗處理完成后 的基板W從上游側(cè)的開口放入處理箱61，由基板干燥室60進(jìn)行的干燥處理完成的基板W由 輸送機(jī)械手11從處理箱61的下游側(cè)的開口排出。
[0050] 輸送輥62由電機(jī)等驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)（未圖示）旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，從處理箱61的上游側(cè)開口放入 的基板W沿氣體供給部63、加熱機(jī)構(gòu)64、吸引干燥機(jī)構(gòu)65的下方輸送通路被向下游側(cè)開口 的一側(cè)輸送。該輸送輥62與控制部70電連接，其驅(qū)動(dòng)由控制部70控制。
[0051] 氣體供給部63在沿著輸送輥62的基板輸送方向的加熱機(jī)構(gòu)64的上游側(cè)設(shè)置在 輸送輥62的上方。氣體供給部63包括對輸送輥62上的基板W的表面的寬度方向整個(gè)區(qū) 域從斜方向噴出氣體的隙縫狀的噴嘴63A，從該噴嘴63A向輸送輥62上的基板W的表面供 給氣體例如氮?dú)猓谔幚硐?1內(nèi)使基板W的表面上的空間成為氮?dú)鈿夥?。噴?3A安裝于 處理箱61，調(diào)整其角度、噴出流速等，使得氣體被供向基板W的表面的寬度方向整個(gè)區(qū)域。 該氣體供給部63與控制部70電連接，其驅(qū)動(dòng)由控制部70控制。另外，氣體供給部63包括 儲(chǔ)存氣體的罐、成為調(diào)整供給量的調(diào)整閥的閥(均未圖示）等。此外，調(diào)整其供給量，使得已 供給到基板W的表面的揮發(fā)性溶劑不會(huì)被從噴嘴63A噴出的氣體干燥。
[0052] 此處，作為供給的氣體，能夠使用氮?dú)庖酝獾牟换顫姎怏w例如氬氣、二氧化碳?xì)?體、氦氣等。因?yàn)樵摬换顫姎怏w被供給到基板W的表面，所以能夠除去基板W的表面上的氧， 防止生成水印(水漬)。
[0053] 加熱機(jī)構(gòu)64包括多個(gè)燈64A，設(shè)置在輸送輥62的上方，通過各燈64A的點(diǎn)亮向輸 送輥62上的基板W的表面照射光。加熱機(jī)構(gòu)64將在安裝在處理箱61的燈箱64B內(nèi)配置 的燈64A的光從透明蓋64C向基板W的表面的寬度方向整個(gè)區(qū)域照射，對基板W進(jìn)行加熱。 該加熱機(jī)構(gòu)64與控制部70電連接，其驅(qū)動(dòng)由控制部70控制。
[0054] 此處，作為加熱機(jī)構(gòu)64,例如能夠使用將直管型的燈64A排列多個(gè)而設(shè)置的機(jī)構(gòu) 或?qū)襞菪偷臒?4A陣列狀地設(shè)置有多個(gè)的機(jī)構(gòu)，此外，作為燈64A，例如能夠使用鹵素?zé)簟?氙閃光燈等。
[0055] 在使用加熱機(jī)構(gòu)64的基板W的加熱工序中，通過該加熱機(jī)構(gòu)64的加熱，如圖8(A) 所示，與基板W的表面上的圖案P接觸的揮發(fā)性溶劑的液體A1與其它部分的揮發(fā)性溶劑的 液體A1相比更早開始?xì)饣＜?，供給到基板W的表面的揮發(fā)性溶劑的液體A1中、僅與基板 W的表面接觸的部分被急速加熱而成為氣相。由此。在基板W的表面上的圖案P的周圍，由 于揮發(fā)性溶劑的液體A1的氣化(沸騰)，氣體層(氣泡的集合）即揮發(fā)性溶劑的氣層A2形成 為薄膜。因此，相鄰的圖案P之間的揮發(fā)性溶劑的液體A1被該氣層A2向基板W的表面壓 出，并且由于自己的表面張力而形成多個(gè)液珠。
[0056] 吸引干燥機(jī)構(gòu)65在沿著輸送棍62的基板輸送方向的加熱機(jī)構(gòu)64的下游側(cè)設(shè)置 在輸送棍62的上方。吸引干燥機(jī)構(gòu)65安裝于處理箱61，包括向輸送棍62上的基板W的表 面的寬度方向整個(gè)區(qū)域呈縫隙狀地開口的溶劑吸引口 65A。吸引干燥機(jī)構(gòu)65使對溶劑吸 引口 65A施加的吸引力影響基板W的表面的寬度方向整個(gè)區(qū)域，將如上所述通過加熱機(jī)構(gòu) 64的加熱作用在基板W的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吸引除去，對基板W的表面進(jìn)行干 燥。該吸引干燥機(jī)構(gòu)65與控制部70電連接，其驅(qū)動(dòng)由控制部70控制。另外，在溶劑吸引 口 65A連接有用于吸引揮發(fā)性溶劑的液珠的真空泵(未圖示)。
[0057] 在基板干燥室60在吸引干燥機(jī)構(gòu)65之外也可以一并使用吹飛干燥機(jī)構(gòu)。該吹飛 干燥機(jī)構(gòu)利用噴射氣體將在基板W的表面生成的上述揮發(fā)性溶劑的液珠吹飛除去，對基板 W的表面進(jìn)行干燥。能夠?qū)⑸鲜鰵怏w供給部63兼用作該吹飛干燥機(jī)構(gòu)。
[0058] 另外，圖4表示基板干燥室60的變形例，在處理箱61內(nèi)基板W的表面上的空間由 氣氛形成機(jī)構(gòu)(未圖不）控制為氮?dú)鈿夥諘r(shí)，在沿著輸送棍62的基板輸送方向的加熱機(jī)構(gòu) 64的下游側(cè)設(shè)置噴射氮?dú)獾炔换顫姎怏w的吹飛干燥機(jī)構(gòu)67,利用該吹飛干燥機(jī)構(gòu)67將在 基板W的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吹飛除去。
[0059] 控制部70包括集中控制各部分的微機(jī)和存儲(chǔ)關(guān)于基板處理的基板處理信息和各 種程序等的存儲(chǔ)部。該控制部70基于基板處理信息和各種程序控制氣體供給部63、加熱機(jī) 構(gòu)64、吸引干燥機(jī)構(gòu)65等，對輸送輥62上的基板W的表面進(jìn)行利用氣體供給部63的氣體 的供給、利用加熱機(jī)構(gòu)64的加熱、吸引干燥機(jī)構(gòu)65的吸引力等的控制。
[0060] 以下說明由基板處理裝置10進(jìn)行的基板W的清洗和干燥處理順序。
[0061] (1)由輸送機(jī)械手12取出由輸送機(jī)械手11從基板供排部20的基板收納盒21供 給到基板保管用緩沖部30的內(nèi)部專用緩沖部31的基板W，在將該基板W放置在基板清洗 室40的工作臺(tái)43上的狀態(tài)下，基板清洗室40的控制部50控制旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)44,使工作臺(tái)43 以規(guī)定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，接著，在將溶劑吸引排出部45定位在待機(jī)位置的狀態(tài)下，控制藥液供 給部46,從噴嘴46A向旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)43上的基板W的表面供給規(guī)定時(shí)間的藥液即APM。作 為藥液的APM從噴嘴46A向旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)43上基板W的中央噴出，由于基板W的旋轉(zhuǎn)帶來 的離心力擴(kuò)散到基板W的表面整體。由此，工作臺(tái)43上的基板W的表面被APM覆蓋而被處 理。
[0062] 另外，控制部50使工作臺(tái)43從上述（1)到后述（3)持續(xù)旋轉(zhuǎn)。此時(shí)，工作臺(tái)43的 轉(zhuǎn)速、規(guī)定時(shí)間等的處理?xiàng)l件已預(yù)先設(shè)定，但能夠由操作者任意地變更。
[0063] (2)接著，控制部50停止藥液的供給，之后控制清洗液供給部47,從噴嘴47A向旋 轉(zhuǎn)的工作臺(tái)43上的基板W的表面供給規(guī)定時(shí)間的清洗液即超純水。作為清洗液的超純水 從噴嘴47A向旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)43上的基板W的中央噴出，由于基板W的旋轉(zhuǎn)帶來的離心力擴(kuò) 散到基板W的表面整體。由此，工作臺(tái)43上的基板W的表面被超純水覆蓋而被清洗。
[0064] (3)接著，控制部50在由清洗液供給部47進(jìn)行的基板W的清洗完成時(shí)，使溶劑吸 引排出部45定位在工作位置，控制溶劑供給部48,從噴嘴48A向旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)43上的基板 W的表面供給規(guī)定時(shí)間的揮發(fā)性溶劑即IPA。另外，IPA的供給優(yōu)選在上述（2)的超純水干 燥之前進(jìn)行。作為揮發(fā)性溶劑的IPA從噴嘴48A向旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)43上的基板W的中央噴 出，由于基板W的旋轉(zhuǎn)帶來的離心力擴(kuò)散到基板W的表面整體。此時(shí)，從旋轉(zhuǎn)的基板W上飛 散的IPA被溶劑吸引排出部45吸引。由此，工作臺(tái)43上的基板W的表面從超純水置換為 IPA。另外，此時(shí)的工作臺(tái)43即基板W的轉(zhuǎn)速設(shè)定為，以基板W的表面不露出的程度，揮發(fā) 性溶劑的膜在基板W的表面上形成為薄膜。
[0065] 此外，使從溶劑供給部48的噴嘴48A噴出的IPA的溫度低于其沸點(diǎn)，可靠地將液 體狀態(tài)的IPA向基板W的表面供給，由此在基板W的表面的整個(gè)區(qū)域，超純水可靠地均等地 置換為IPA。
[0066] (4)接著，控制部50使基板清洗室40的工作臺(tái)43的旋轉(zhuǎn)停止，輸送機(jī)械手12將 停止旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)43上的基板W從基板清洗室40取出，將該基板W從在基板保管用緩沖 部30的外部專用緩沖部32設(shè)置的基板干燥室60中的處理箱61的上游側(cè)開口放入到輸送 輥62上?；甯稍锸?0的控制部70控制氣體供給部63,從噴嘴63A向輸送輥62上的基 板W的表面供給規(guī)定時(shí)間的氣體即氮?dú)?。氮?dú)鈴膰娮?3A向輸送輥62上的基板W的寬度 方向整個(gè)區(qū)域噴出。由此，包圍輸送輥62上的基板W的空間成為氮?dú)夥铡Ｍㄟ^使該空間為 氮?dú)夥?，使得氧濃度減少，能夠抑制基板W的表面中的水印的產(chǎn)生。
[0067] (5)接著，控制部70控制加熱機(jī)構(gòu)64,使加熱機(jī)構(gòu)64的各燈64A點(diǎn)亮，將輸送輥 62上的基板W加熱規(guī)定時(shí)間。此時(shí)，加熱機(jī)構(gòu)64能夠進(jìn)行能夠使基板W的溫度10秒成為 100度以上的加熱。由此，能夠使與基板W的表面上的圖案P接觸的揮發(fā)性溶劑的液體A1 瞬時(shí)氣化，使基板W的表面上的其它部分的基板處理裝置的液珠 A1直接液珠化。
[0068] 此處，在加熱機(jī)構(gòu)64的加熱干燥中，為了使與基板W的圖案P接觸的作為揮發(fā)性 溶劑的IPA瞬時(shí)氣化，以數(shù)秒的時(shí)間將基板W加熱到數(shù)百度的高溫是很重要的。此外，必須 不加熱IPA，而僅加熱基板W。為此，優(yōu)選使用在波長500?3000nm包括峰值強(qiáng)度的燈64A。 此外，為了進(jìn)行能夠使圖案倒塌率極低的可靠的干燥，基板W的最終溫度（由加熱到達(dá)的最 高溫度）優(yōu)選是比處理液、溶劑的大氣壓中的沸點(diǎn)還高20°C以上的加熱溫度，此外，優(yōu)選達(dá) 到最終溫度的時(shí)間為10秒內(nèi)，例如處于數(shù)10msec?數(shù)秒的范圍內(nèi)。
[0069] (6)接著，控制部70控制吸引干燥機(jī)構(gòu)65,將在輸送輥62上通過加熱機(jī)構(gòu)64的 加熱作用在基板W的表面生成的IPA的液珠吸引除去，對基板W的表面進(jìn)行干燥。
[0070] (7)接著，由輸送機(jī)械手11從在基板保管用緩沖部30的外部專用緩沖部32設(shè)置 的基板干燥室60中的處理箱61的下游側(cè)開口，將在輸送輥62上完成清洗和干燥的基板W 取出，將該基板W排出到基板供排部20的基板收納盒21。
[0071] 根據(jù)本實(shí)施例，達(dá)到以下的作用效果。
[0072] (a)通過加熱機(jī)構(gòu)64對基板W的加熱作用，在基板W的表面上的圖案P的周圍完 成置換的揮發(fā)性溶劑即IPA的液體氣化，由此在基板W的表面上的圖案P的周圍，IPA氣化 后的氣層形成為薄膜。因此，基板W的相鄰圖案P之間的IPA的液體被氣層壓出，并且由自 身的表面張力而形成多個(gè)液珠。這樣在基板W的表面生成的IPA的液珠由吸引干燥機(jī)構(gòu)65 從基板W的表面立即吸引除去。由此，在基板W的整個(gè)表面能夠使IPA液體瞬時(shí)干燥，使基 板W的表面的各部分的干燥速度均勻，結(jié)果不會(huì)在一部分的圖案P之間產(chǎn)生IPA的殘留，能 夠抑制由這樣的殘留IPA的表面張力引起的圖案P的倒塌。
[0073] (b)利用吸引干燥機(jī)構(gòu)65能夠可靠且容易地將揮發(fā)性溶劑即IPA吸引到專用排出 處而除去。由此能夠避免揮發(fā)性溶劑在排出處與其它藥液接觸等，防止揮發(fā)性溶劑的難以 預(yù)料的起火等。
[0074] (c)在上述（a)的吸引干燥機(jī)構(gòu)65之外，通過使用吹飛干燥機(jī)構(gòu)（氣體供給部63 或吹飛干燥機(jī)構(gòu)67)，能夠?qū)⒃诨錡的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吹飛除去。能夠使基 板W的表面上的揮發(fā)性溶劑的液體進(jìn)一步瞬時(shí)地干燥，使基板的表面的各部分的干燥速度 更均勻，更可靠地抑制基板表面上的圖案P的倒塌。
[0075] (實(shí)施例2)(圖5)
[0076] 實(shí)施例2的基板處理裝置100將實(shí)施例1的基板處理裝置10中的基板清洗室40 作為基板處理室110,從實(shí)施例1的基板保管用緩沖部30的外部專用緩沖部32撤去基板干 燥室60,將實(shí)施例1的基板清洗室40和基板干燥室60的功能集中于基板處理室110。以 下說明基板處理室110。
[0077] 如圖5所示，基板清洗室110包括：作為處理室的處理箱111 ;設(shè)置在該處理箱111 內(nèi)的杯狀部112 ;在該杯狀部112內(nèi)將基板W以水平狀態(tài)支承的工作臺(tái)113 ;使該工作臺(tái)113 在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)114 ;和在工作臺(tái)113的周圍升降的溶劑吸引排出部115。并 且，基板清洗室110包括：向工作臺(tái)113上的基板W的表面供給藥液的藥液供給部116 ;向 工作臺(tái)113上的基板W的表面的清洗液供給部117 ;供給揮發(fā)性溶劑的溶劑供給部118 ;供 給氣體的氣體供給部119 ;對被供給揮發(fā)性溶劑的基板W進(jìn)行加熱的加熱機(jī)構(gòu)121 ;和控制 各部分的控制部130。
[0078] 在基板處理室110中，處理箱111、杯狀部112、工作臺(tái)113、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)114、溶劑吸 引排出部115、藥液供給部116、清洗液供給部117、溶劑供給部118的各部分的具體結(jié)構(gòu)與 實(shí)施例1的基板清洗室40中設(shè)置的處理箱41、杯狀部42、工作臺(tái)43、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)44、溶劑吸 引排出部45、藥液供給部46、清洗液供給部47、溶劑供給部48同樣。
[0079] 但是，在基板處理室110中，溶劑吸引排出部115不僅包括吸引且接受從旋轉(zhuǎn)的基 板W上飛散的揮發(fā)性溶劑的功能，還包括將通過加熱機(jī)構(gòu)121的加熱作用在基板W的表面 生成的揮發(fā)性溶劑的液珠從基板W的表面上吸引除去這樣的溶劑吸引排出部45所沒有的 功能。由此，溶劑吸引排出部115包括吸引存在于基板W的表面的IPA等揮發(fā)性溶劑的液 珠的程度的吸引力。
[0080] 氣體供給部119包括對工作臺(tái)113上的基板W的表面從斜方向噴出氣體的噴嘴 119A，從該噴嘴119A向工作臺(tái)113上的基板W的表面供給不活潑氣體例如氮?dú)猓谔幚硐?111內(nèi)使基板W的表面上的空間成為氮?dú)鈿夥?。氣體供給部119的具體結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1的 基板干燥室60中設(shè)置的氣體供給部63同樣。另外，噴嘴119A不是必須為縫隙狀，也可以 是圓形噴嘴。
[0081] 加熱機(jī)構(gòu)121包括多個(gè)燈121A，設(shè)置在工作臺(tái)113的上方，利用各燈121A的點(diǎn)亮 向工作臺(tái)113上的基板W的表面照射光。該加熱機(jī)構(gòu)121構(gòu)成為能夠利用移動(dòng)機(jī)構(gòu)121B 在上下方向（升降方向）上移動(dòng)，在接近杯狀部112的照射位置(如圖5中的實(shí)線所示，接近 基板W的表面的位置）與從杯狀部112離開規(guī)定距離的待機(jī)位置(如圖5中的點(diǎn)劃線所示， 從基板W的表面離開的位置)之間移動(dòng)。在向基板W供給藥液或清洗液時(shí)，使加熱機(jī)構(gòu)121 定位在待機(jī)位置，由此能夠防止用于處理的液體附著于加熱機(jī)構(gòu)121。此外，在基板處理室 110的工作臺(tái)113上放置基板W時(shí)，使加熱機(jī)構(gòu)121預(yù)先定位于待機(jī)位置，由此避免加熱機(jī) 構(gòu)121妨礙基板W的輸入。加熱機(jī)構(gòu)121可以是在燈點(diǎn)亮后下降或是在下降后點(diǎn)亮燈中的 任一種。加熱機(jī)構(gòu)121的具體結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1的基板干燥室60中設(shè)置的加熱機(jī)構(gòu)64同樣。
[0082] 在使用加熱機(jī)構(gòu)121的基板W的加熱工序中，通過該加熱機(jī)構(gòu)121的加熱，與實(shí)施 例1的加熱機(jī)構(gòu)64同樣，如圖8 (A)所示，與基板W的表面上的圖案P接觸的揮發(fā)性溶劑 的液體A1比其它部分的揮發(fā)性溶劑的液體A1更早開始?xì)饣?。即，供給到基板W的表面的 揮發(fā)性溶劑的液體A1中、僅與基板W的表面接觸的部分被急速加熱而成為氣相。由此，在 基板W的表面上的圖案P的周圍，通過揮發(fā)性溶劑的液體A1的氣化(沸騰)，氣體層(氣泡的 集合)即揮發(fā)性溶劑的氣層A2形成為薄膜。因此，相鄰的圖案P間的揮發(fā)性溶劑的液體A1 被該氣層A2向基板W的表面壓出，并且由于自身的表面張力而形成多個(gè)液珠。
[0083] 以下，說明基板處理裝置100的基板W的清洗和干燥處理順序。
[0084] (1)由輸送機(jī)械手12取出由輸送機(jī)械手11從基板供排部20的基板收納盒21供 給到基板保管用緩沖部30的內(nèi)部專用緩沖部31的基板W，在將該基板W放置在基板處理 室110的工作臺(tái)113上由銷等支承部件113A保持載置的狀態(tài)下，與實(shí)施例1的基板處理裝 置10同樣，基板處理室110的控制部130控制旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)114,使工作臺(tái)113以規(guī)定的轉(zhuǎn)速旋 轉(zhuǎn)，接著，在將溶劑吸引排出部115定位在待機(jī)位置的狀態(tài)下，控制藥液供給部116,從噴嘴 116A向旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)113上的基板W的表面供給規(guī)定時(shí)間的藥液即APM。
[0085] (2)接著，控制部130與實(shí)施例1的基板處理裝置10時(shí)同樣，在停止藥液供給之 后，控制清洗液供給部117,從噴嘴117A向旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)113上的基板W的表面供給規(guī)定時(shí) 間的清洗液即超純水。
[0086] (3)接著，控制部130在由清洗液供給部117進(jìn)行的基板W的清洗完成時(shí)，使溶 劑吸引排出部115定位在工作位置，與實(shí)施例1的基板處理裝置10時(shí)同樣，控制溶劑供給 部118,從噴嘴118A向旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)113上的基板W的表面供給規(guī)定時(shí)間的揮發(fā)性溶劑即 IPA，并且從旋轉(zhuǎn)的基板W上飛散的IPA被溶劑吸引排出部115吸引。由此，工作臺(tái)113上 的基板W的表面從超純水置換為IPA。
[0087] (4)接著，控制部130控制氣體供給部119,從噴嘴119A向旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)113上的 基板W的表面供給規(guī)定時(shí)間的氣體即氮?dú)獾炔换顫姎怏w。
[0088] (5)接著，控制部130當(dāng)上述（3)的向IPA的置換完成時(shí)，控制加熱機(jī)構(gòu)121，使一 直處于待機(jī)位置的加熱機(jī)構(gòu)121定位在照射位置，將加熱機(jī)構(gòu)121的各燈121A點(diǎn)亮，對旋 轉(zhuǎn)的工作臺(tái)113上的基板W進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的加熱。
[0089] 此處，在由加熱機(jī)構(gòu)121進(jìn)行的加熱干燥中，為了使與基板W的圖案P接觸的作為 揮發(fā)性溶劑的IPA瞬時(shí)氣化，以數(shù)秒的時(shí)間將基板W加熱到數(shù)百度的高溫是很重要的。此 夕卜，必須不加熱IPA，而僅加熱基板W。為此，優(yōu)選使用在波長500?3000nm包括峰值強(qiáng)度 的燈121A。此外，為了進(jìn)行可靠的干燥，基板W的最終溫度（由加熱到達(dá)的最高溫度）優(yōu)選 是比處理液、溶劑的大氣壓中的沸點(diǎn)還高20°C以上的加熱溫度，此外，優(yōu)選達(dá)到最終溫度的 時(shí)間為10秒內(nèi)，例如處于數(shù)10msec?數(shù)秒的范圍內(nèi)。
[0090] (6)通過加熱機(jī)構(gòu)121的加熱作用，在基板W的表面生成IPA的液珠。此時(shí)對溶劑 吸引口 115A施加如上所述能夠吸引在基板W的表面存在的IPA液珠的程度的吸引力，因此 生成的IPA的液珠經(jīng)由溶劑吸引口 115A被吸引除去。由此，干燥結(jié)束。另外，在利用該加 熱機(jī)構(gòu)121加熱基板W時(shí)，使基板旋轉(zhuǎn)，但是也可以不旋轉(zhuǎn)。在使基板旋轉(zhuǎn)時(shí)，在基板W的 表面生成的液珠的一部分由于基板W的旋轉(zhuǎn)帶來的離心力而到達(dá)溶劑吸引排出部115,被 溶劑吸引排出部115吸引而除去。由此，在本實(shí)施例中，工作臺(tái)113、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)114構(gòu)成通過 基板W的旋轉(zhuǎn)將通過加熱機(jī)構(gòu)121的加熱作用在基板的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠甩掉 除去，對基板W的表面進(jìn)行干燥的基板旋轉(zhuǎn)干燥機(jī)構(gòu)。此外，溶劑吸引排出部115構(gòu)成將通 過加熱機(jī)構(gòu)121的加熱作用在基板的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吸引除去，對基板的表 面進(jìn)行干燥的吸引干燥機(jī)構(gòu)。
[0091] (7)接著，控制部130停止工作臺(tái)113的旋轉(zhuǎn)，將在停止旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)113上已完 成清洗和干燥的基板W由輸送機(jī)械手12從基板處理室110取出，將該基板W放入基板保管 用緩沖部30的外部專用緩沖部32。輸送機(jī)械手11將該基板W從基板保管用緩沖部30的 外部專用緩沖部32取出，排出到基板供排部20的基板收納盒21。
[0092] 另外，在上述（7)的基板W的取出之前，控制部130使加熱機(jī)構(gòu)121的燈121A熄 滅，并且定位于待機(jī)位置。由此，在取出基板W時(shí)加熱機(jī)構(gòu)121不會(huì)造成妨礙。
[0093] 由此，實(shí)施例2的基板處理裝置100也能夠達(dá)到與實(shí)施例1的基板處理裝置10實(shí) 質(zhì)上同樣的作用效果。另外，在該實(shí)施例2中上述順序（4)和（5)也可以顛倒順序。
[0094] (實(shí)施例3)(圖6、圖7)
[0095] 實(shí)施例3的基板處理裝置200包括：成為基板處理室210的隧道狀的處理箱211 ; 和在該處理箱211內(nèi)構(gòu)成輸送機(jī)構(gòu)，輸送基板W的多個(gè)輸送輥212。并且，基板處理裝置200 包括：向輸送輥212上的基板W的表面供給藥液的藥液供給部213 ;向輸送輥212上的基 板W的表面供給清洗液的清洗液供給部214 ;供給揮發(fā)性溶劑的溶劑供給部215 ;向輸送輥 212上的基板W的表面供給氣體的氣體供給部216 ;對被供給揮發(fā)性溶劑的基板W進(jìn)行加熱 的加熱機(jī)構(gòu)217 ;用于對由加熱機(jī)構(gòu)217加熱后的基板W的表面進(jìn)行干燥的吸引干燥機(jī)構(gòu) 218 ;和控制各部分的控制部220。
[0096] 處理箱211形成為隧道狀，從上游側(cè)的開口放入未處理的基板W，將由基板處理室 210完成清洗和干燥處理之后的基板W從處理箱211的下游側(cè)的開口排出。
[0097] 輸送輥212由電機(jī)等驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)（未圖示）旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，將從處理箱211的上游側(cè)開口 放入的基板W沿藥液供給部213、清洗液供給部214、溶劑供給部215、氣體供給部216、加熱 機(jī)構(gòu)217、吸引干燥機(jī)構(gòu)218的下方輸送通路向下游側(cè)的開口側(cè)輸送。該輸送輥212與控制 部220電連接，其驅(qū)動(dòng)由控制部220控制。另外，在圖6、圖7中表示了，藥液供給部213、清 洗液供給部214、溶劑供給部215沿基板W的輸送方向依次接近配置，但它們的配置間隔以 比被輸送的基板W的輸送方向長度更大的節(jié)距設(shè)定，并且根據(jù)從各供給部的液體供給量適 當(dāng)設(shè)定。
[0098] 藥液供給部213包括對輸送輥212上的基板W的表面的寬度方向整個(gè)區(qū)域從上方 噴出藥液的隙縫狀的噴嘴213A，從該噴嘴213A向輸送輥212上的基板W的表面供給藥液， 例如用于抗蝕劑剝離處理的APM (氨水和雙氧水的混合液)。該藥液供給部213與控制部 220電連接，其驅(qū)動(dòng)由控制部220控制。另外，藥液供給部213包括儲(chǔ)存藥液的罐、作為驅(qū)動(dòng) 源的泵、作為調(diào)整供給量的調(diào)整閥的閥(均未圖示）等。
[0099] 清洗液供給部214包括對輸送輥212上的基板W的表面的寬度方向整個(gè)區(qū)域從上 方噴出清洗液的隙縫狀的噴嘴214A，從該噴嘴214A向輸送輥212上的基板W的表面供給清 洗液，例如用于清洗處理的純水(超純水)。該清洗液供給部214與控制部220電連接，其驅(qū) 動(dòng)由控制部220控制。另外，清洗液供給部214包括儲(chǔ)存清洗液的罐、作為驅(qū)動(dòng)源的泵、作 為調(diào)整供給量的調(diào)整閥的閥(均未圖示）等。
[0100] 溶劑供給部215包括對輸送輥212上的基板W的表面的寬度方向整個(gè)區(qū)域從上方 噴出揮發(fā)性溶劑的隙縫狀的噴嘴215A，從該噴嘴215A向輸送輥212上的基板W的表面供給 揮發(fā)性溶劑，例如IPA。該溶劑供給部215向由清洗液供給部214供給過的清洗液的基板W 的表面供給揮發(fā)性溶劑，將基板W的表面的清洗液置換為揮發(fā)性溶劑。該溶劑供給部215 與控制部220電連接，其驅(qū)動(dòng)由控制部220控制。另外，溶劑供給部215包括儲(chǔ)存揮發(fā)性溶 劑的罐、作為驅(qū)動(dòng)源的泵、作為調(diào)整供給量的調(diào)整閥的閥(均未圖示）等。
[0101] 氣體供給部216在沿著輸送棍212的基板輸送方向的加熱機(jī)構(gòu)217的上游側(cè)設(shè)置 在輸送棍212的上方。氣體供給部216包括對輸送棍212上的基板W的表面的寬度方向整 個(gè)區(qū)域從斜方向噴出氣體的隙縫狀的噴嘴216A，從該噴嘴216A向輸送輥212上的基板W的 表面供給氣體例如氮?dú)獾炔换顫姎怏w，在處理箱211內(nèi)使基板W的表面上的空間成為氮?dú)?氣氛。噴嘴216A安裝于處理箱211，調(diào)整其角度、噴出流速等，使得氣體被供向基板W的表 面的寬度方向整個(gè)區(qū)域。該氣體供給部216與控制部220電連接，其驅(qū)動(dòng)由控制部220控 制。另外，氣體供給部216包括儲(chǔ)存氣體的罐、成為調(diào)整供給量的調(diào)整閥的閥(均未圖示)等。
[0102] 加熱機(jī)構(gòu)217包括多個(gè)燈217A，設(shè)置在輸送輥212的上方，通過各燈217A的點(diǎn)亮 向輸送輥212上的基板W的表面照射光。加熱機(jī)構(gòu)217將在安裝在處理箱211的燈箱217B 內(nèi)配置的燈217A的光從透明蓋217C向基板W的表面的寬度方向整個(gè)區(qū)域照射，對基板W 進(jìn)行加熱。該加熱機(jī)構(gòu)217與控制部220電連接，其驅(qū)動(dòng)由控制部220控制。
[0103] 在使用加熱機(jī)構(gòu)217的基板W的加熱工序中，通過該加熱機(jī)構(gòu)217的加熱，如圖8 (A)所示，與基板W的表面上的圖案P接觸的揮發(fā)性溶劑的液體A1與其它部分的揮發(fā)性溶 劑的液體A1相比更早開始?xì)饣?。由此。在基板W的表面上的圖案P的周圍，由于揮發(fā)性溶 劑的液體A1的氣化(沸騰)，氣體層(氣泡的集合）即揮發(fā)性溶劑的氣層A2形成為薄膜。因 此，相鄰的圖案P之間的揮發(fā)性溶劑的液體A1被該氣層A2向基板W的表面壓出，并且由于 自己的表面張力而形成多個(gè)液珠。
[0104] 吸引干燥機(jī)構(gòu)218在沿著輸送輥212的基板輸送方向的加熱機(jī)構(gòu)217的下游側(cè)設(shè) 置在輸送輥212的上方。吸引干燥機(jī)構(gòu)218安裝于處理箱211，包括向輸送輥212上的基板 W的表面的寬度方向整個(gè)區(qū)域呈縫隙狀地開口的溶劑吸引口 218A。吸引干燥機(jī)構(gòu)218使對 溶劑吸引口 218A施加的吸引力影響基板W的表面的寬度方向整個(gè)區(qū)域，將如上所述通過加 熱機(jī)構(gòu)217的加熱作用在基板W的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吸引除去，對基板W的表 面進(jìn)行干燥。該吸引干燥機(jī)構(gòu)218與控制部220電連接，其驅(qū)動(dòng)由控制部220控制。另外， 在溶劑吸引口 218A連接有用于吸引揮發(fā)性溶劑的液珠的真空泵(未圖示)。
[0105] 在基板干燥室210中，在吸引干燥機(jī)構(gòu)218之外也可以一并使用吹飛干燥機(jī)構(gòu)。該 吹飛干燥機(jī)構(gòu)利用噴射氣體將在基板W的表面生成的上述揮發(fā)性溶劑的液珠吹飛除去，對 基板W的表面進(jìn)行干燥。能夠?qū)⑸鲜鰵怏w供給部216兼用作該吹飛干燥機(jī)構(gòu)。
[0106] 另外，圖7表示基板處理室210的變形例，在處理箱211內(nèi)基板W的表面上的空間 由氣氛形成機(jī)構(gòu)（未圖不）控制為氮?dú)鈿夥諘r(shí)，在沿著輸送棍212的基板輸送方向的加熱機(jī) 構(gòu)217的下游側(cè)設(shè)置噴射氮?dú)獾炔换顫姎怏w的吹飛干燥機(jī)構(gòu)219,利用該吹飛干燥機(jī)構(gòu)219 將在基板W的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吹飛除去。
[0107] 以下說明由基板處理裝置200進(jìn)行的基板W的清洗和干燥處理順序。
[0108] (1)當(dāng)從基板處理室210中的處理箱211的上游側(cè)開口向輸送輥212輸入液晶基 板等基板W時(shí)，控制部220控制藥液供給部213,從噴嘴213A向輸送輥212上的基板W的表 面的寬度方向整個(gè)區(qū)域供給規(guī)定時(shí)間的藥液即APM。由此，輸送輥212上的基板W的表面被 APM覆蓋而被處理。
[0109] (2)接著，控制部220停止藥液的供給，之后控制清洗液供給部214,從噴嘴214A 向輸送輥212上的基板W的表面的寬度方向整個(gè)區(qū)域供給規(guī)定時(shí)間的清洗液即超純水。由 此，輸送輥212上的基板W的表面被超純水覆蓋而被清洗。
[0110] (3)接著，控制部220控制溶劑供給部215,從噴嘴215A向輸送輥212上的基板W 的表面的寬度方向整個(gè)區(qū)域供給規(guī)定時(shí)間的揮發(fā)性溶劑即IPA。由此，輸送輥212上的基板 W的表面從超純水置換為IPA。
[0111] (4)接著，控制部220控制氣體供給部216,從噴嘴216A向輸送輥212上的基板W 的表面供給規(guī)定時(shí)間的氣體即氮?dú)狻５獨(dú)鈴膰娮?16A向輸送棍212上的基板W的寬度方 向整個(gè)區(qū)域噴出。由此，包圍輸送輥212上的基板W的空間成為氮?dú)夥?。通過使該空間為 氮?dú)夥?，使氧濃度減少，能夠抑制在基板W的表面產(chǎn)生水印。
[0112] (5)接著，控制部220控制加熱機(jī)構(gòu)217,使加熱機(jī)構(gòu)217的各燈217A點(diǎn)亮，將輸 送輥212上的基板W加熱規(guī)定時(shí)間。此時(shí)，加熱機(jī)構(gòu)217能夠進(jìn)行能夠使基板W的溫度10 秒成為100度以上的加熱。由此，能夠使與基板W的表面上的圖案P接觸的揮發(fā)性溶劑的 液體A1瞬時(shí)氣化，使基板W的表面上的其它部分的基板處理裝置的液珠 A1直接液珠化。
[0113] 此處，在加熱機(jī)構(gòu)217的加熱干燥中，為了使與基板W的圖案P接觸的作為揮發(fā)性 溶劑的IPA瞬時(shí)氣化，以數(shù)秒的時(shí)間將基板W加熱到數(shù)百度的高溫是很重要的。此外，必 須不加熱IPA，而僅加熱基板W。為此，優(yōu)選使用在波長500?3000nm包括峰值強(qiáng)度的燈 217A。此外，為了進(jìn)行可靠的干燥，基板W的最終溫度(通過加熱到達(dá)的最高溫度)優(yōu)選是比 處理液、溶劑的大氣壓中的沸點(diǎn)還高20°C以上的加熱溫度，此外，優(yōu)選達(dá)到最終溫度的時(shí)間 為10秒內(nèi)，例如處于數(shù)10msec?數(shù)秒的范圍內(nèi)。
[0114] (6)接著，控制部220控制吸引干燥機(jī)構(gòu)218,將在輸送輥212上通過加熱機(jī)構(gòu)217 的加熱作用在基板W的表面生成的IPA的液珠吸引除去，對基板W的表面進(jìn)行干燥。
[0115] (7)接著，從基板處理室210中的處理箱211的下游側(cè)開口，將在輸送輥212上完 成清洗和干燥的基板W取出，將該基板W排出到下游工序。
[0116] 根據(jù)本實(shí)施例能夠達(dá)到以下的作用效果。
[0117] (a)通過加熱機(jī)構(gòu)217對基板W的加熱作用，在基板W的表面上的圖案P的周圍 完成置換的揮發(fā)性溶劑即IPA的液體氣化，由此在基板W的表面上的圖案P的周圍，IPA氣 化后的氣層形成為薄膜。因此，基板W的相鄰圖案P之間的IPA的液體被氣層壓出，并且由 自身的表面張力而形成多個(gè)液珠。這樣在基板W的表面生成的IPA的液珠由吸引干燥機(jī)構(gòu) 218 (有時(shí)也一并使用作為吹飛干燥機(jī)構(gòu)的氣體供給部216或吹飛干燥機(jī)構(gòu)219)從基板W 的表面立即吸引除去。由此，在基板W的整個(gè)表面能夠使IPA液體瞬時(shí)干燥，使基板W的表 面的各部分的干燥速度均勻，結(jié)果不會(huì)在一部分的圖案P之間產(chǎn)生IPA的殘留，能夠抑制由 這樣的殘留IPA的表面張力引起的圖案P的倒塌。
[0118] (b)利用吸引干燥機(jī)構(gòu)218能夠可靠且容易地將揮發(fā)性溶劑即IPA吸引到特定的 專用排出處而除去。由此能夠避免揮發(fā)性溶劑在排出處與其它藥液接觸等，防止揮發(fā)性溶 劑的難以預(yù)料的起火等。
[0119] (c)在上述（a)的吸引干燥機(jī)構(gòu)218之外，通過使用吹飛干燥機(jī)構(gòu)(氣體供給部216 或吹飛干燥機(jī)構(gòu)219)，能夠?qū)⒃诨錡的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吹飛除去。能夠使 基板W的表面上的揮發(fā)性溶劑的液體進(jìn)一步瞬時(shí)地干燥，使基板的表面的各部分的干燥速 度更均勻，更可靠地抑制基板表面上的圖案P的倒塌。另外，也可以不設(shè)置吸引干燥機(jī)構(gòu) 218,設(shè)置吹飛干燥機(jī)構(gòu)(氣體供給部216或吹飛干燥機(jī)構(gòu)219)，將由加熱機(jī)構(gòu)217對基板W 的加熱作用產(chǎn)生的IPA的液珠從基板上吹飛，由此將IPA的液珠從基板上排出，使基板W干 燥。該點(diǎn)例如在實(shí)施例1中也可以說是同樣的。即，在圖3、圖4中，也可以不設(shè)置吸引干 燥機(jī)構(gòu)65,而設(shè)置吹飛干燥機(jī)構(gòu)(氣體供給部63或吹飛干燥機(jī)構(gòu)67)，將由加熱機(jī)構(gòu)64對 基板W的加熱作用產(chǎn)生的揮發(fā)性溶劑（IPA等）的液珠從基板上吹飛，由此將揮發(fā)性溶劑的 液珠從基板上排出，使基板W干燥。另外，被吹飛的IPA的液珠也可以由設(shè)置在處理箱61、 211的下方的排出部排出到外部。
[0120] 以上根據(jù)附圖詳細(xì)敘述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是本發(fā)明的具體結(jié)構(gòu)并不限定于該 實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)的設(shè)計(jì)變更也包含于本發(fā)明。
[0121] 例如，在實(shí)施例1中，擔(dān)心基板W從基板清洗室40輸送到基板干燥室60的期間基 板上的揮發(fā)性溶劑干燥。因此，也可以在圖3、圖4所示的基板干燥室60中的處理箱61的 上游側(cè)開口設(shè)置揮發(fā)性溶劑的供給裝置，將在基板清洗室40中進(jìn)行到清洗液的供給之后 的基板W輸送到基板干燥室60,并且在將該基板W放入基板干燥室60時(shí)，向基板W面上供 給揮發(fā)性溶劑。
[0122] 此外，在實(shí)施例1、實(shí)施例3中由輸送輥62、212輸送基板W，但也可以代替輥而由 夾具夾著基板W進(jìn)行輸送。
[0123] 例如，在實(shí)施例3中，在輸送基板W的同時(shí)對該基板W依次供給藥液、清洗液、揮發(fā) 性溶劑等，但也可以在使用輸送輥212等輸送基板W，并且在基板的例如輸送方向中央部與 噴出藥液的噴嘴213A、噴出清洗液的噴嘴214A、噴出揮發(fā)性溶劑的噴嘴215A相對的地方依 次停止基板W的輸送，對該停止的基板W從各噴嘴供給藥液等處理液。加熱機(jī)構(gòu)217對基 板W的加熱也是同樣，可以在停止基板W的狀態(tài)下加熱。
[0124] 如實(shí)施例1所示，將外部專用緩沖部32為多層，在各層設(shè)置基板干燥室60,則能夠 并行地進(jìn)行各層的干燥處理，因此能夠提高基板的處理能力，但也可以不使外部專用緩沖 部32為多層而使其為一層，在該層設(shè)置基板干燥室。
[0125] 氣體供給部63、119、216的氮?dú)獾炔换顫姎怏w的供給動(dòng)作，在基板W定位于各個(gè)供 給位置之后開始，但是也可以在定位之前開始供給。
[0126] 例如，在實(shí)施例2中，加熱機(jī)構(gòu)121對基板W的加熱也可以在將處理箱111內(nèi)減壓 后的狀態(tài)下進(jìn)行。處理箱111內(nèi)的IPA等揮發(fā)性溶劑的沸點(diǎn)下降，在比大氣壓下的溫度更 低的溫度沸騰，因此能夠減少對基板施加的熱損。
[0127] 在各實(shí)施例中，在停止對基板W的清洗液的供給之后開始IPA等揮發(fā)性溶劑的供 給，但是也可以在清洗液的清洗的后期，從還對基板W供給清洗液時(shí)開始揮發(fā)性溶劑的供 給。此時(shí)，在實(shí)施例3中，能夠?qū)⑶逑匆汗┙o部214與溶劑供給部215的配置間隔設(shè)定為比 被輸送的基板W的輸送方向長度更小的間隔來實(shí)施。
[0128] 在各實(shí)施例中，被供給的氣體能夠是加熱后的氣體。
[0129] 在各實(shí)施例中，優(yōu)選在向基板W供給IPA等揮發(fā)性溶劑之前，向處理箱41、111、211 內(nèi)供給干燥空氣或氮等不活潑氣體。
[0130] 工業(yè)上的可利用性
[0131] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供在基板的干燥時(shí)使表面上的液體瞬時(shí)干燥的基板處理裝置 和基板處理方法。
【權(quán)利要求】
1. 一種基板處理裝置，其特征在于，包括： 向基板的表面供給清洗液的清洗液供給部； 向被供給有清洗液的基板的表面供給揮發(fā)性溶劑，將基板的表面的清洗液置換為揮發(fā) 性溶劑的溶劑供給部；和 對被供給有揮發(fā)性溶劑的基板進(jìn)行加熱的加熱機(jī)構(gòu)， 還包括將通過加熱機(jī)構(gòu)的加熱作用在基板的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吸引除去， 對基板的表面進(jìn)行干燥的吸引干燥機(jī)構(gòu)。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于： 還包括將在所述基板的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吹飛除去，對基板的表面進(jìn)行干 燥的吹飛干燥機(jī)構(gòu)。
3. -種基板處理裝置，其特征在于，包括： 向基板的表面供給清洗液的清洗液供給部； 向被供給有清洗液的基板的表面供給揮發(fā)性溶劑，將基板的表面的清洗液置換為揮發(fā) 性溶劑的溶劑供給部；和 對被供給有揮發(fā)性溶劑的基板進(jìn)行加熱的加熱機(jī)構(gòu)， 還包括將通過加熱機(jī)構(gòu)的加熱作用在基板的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吹飛除去， 對基板的表面進(jìn)行干燥的吹飛干燥機(jī)構(gòu)。
4. 如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于： 還包括通過基板的旋轉(zhuǎn)將在所述基板的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠甩掉除去，對基 板的表面進(jìn)行干燥的基板旋轉(zhuǎn)干燥機(jī)構(gòu)。
5. -種基板處理方法，其特征在于，包括： 向基板的表面供給清洗液的工序； 向被供給有清洗液的基板的表面供給揮發(fā)性溶劑，將基板的表面的清洗液置換為揮發(fā) 性溶劑的工序；和 對被供給有揮發(fā)性溶劑的基板進(jìn)行加熱的工序， 還包括將通過基板的加熱在基板的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吸引除去，對基板的 表面進(jìn)行干燥的工序。
6. 如權(quán)利要求5所述的基板處理方法，其特征在于： 還包括將通過所述基板的加熱在基板的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吹飛除去，對基 板的表面進(jìn)行干燥的工序。
7. -種基板處理方法，其特征在于，包括： 向基板的表面供給清洗液的工序； 向被供給有清洗液的基板的表面供給揮發(fā)性溶劑，將基板的表面的清洗液置換為揮發(fā) 性溶劑的工序；和 對被供給有揮發(fā)性溶劑的基板進(jìn)行加熱的工序， 還包括將通過基板的加熱在基板的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液珠吹飛除去，對基板的 表面進(jìn)行干燥的工序。
8. 如權(quán)利要求5?7中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于： 還包括通過基板的旋轉(zhuǎn)將通過所述基板的加熱在基板的表面生成的揮發(fā)性溶劑的液
【文檔編號】H01L21/67GK104064496SQ201410100796
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年3月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月18日
【發(fā)明者】林航之介, 古矢正明, 大田垣崇, 長嶋裕次, 木名瀬淳, 安部正泰 申請人:芝浦機(jī)械電子裝置股份有限公司