一種基于膠膜的fcbga單芯片封裝件及其制作工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基于膠膜的FCBGA單芯片封裝件及其制作工藝，屬于集成電路封裝【技術(shù)領(lǐng)域】；本發(fā)明芯片上的Sn、Ag凸點與基板通過Flux層通過回流焊相連，基板上是Flux層，F(xiàn)lux層上是芯片上的Sn、Ag凸點，對芯片和芯片上的Sn、Ag凸點起到了支撐和保護作用的塑封體包圍了基板、Flux層、芯片上的Sn、Ag凸點及基板構(gòu)成了電路的整體，芯片、芯片上的Sn、Ag凸點和基板構(gòu)成了電路的電源和信號通道。本發(fā)明采用一種基于Flux的晶圓減薄封裝工藝，采用在封裝件后固化后再進行減薄工序，保證了晶圓減薄至50um以下，并且極大得降低了晶圓翹曲的可能性，使封裝件尺寸更薄，性能更高，顯著提高封裝件的可靠性。
【專利說明】—種基于膠膜的FCBGA單芯片封裝件及其制作工藝
[0001]
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種基于膠膜的FCBGA單芯片封裝件及其制作工藝，屬于集成電路封裝【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0003]Flip Chip既是一種芯片互連技術(shù)，又是一種理想的芯片粘接技術(shù).早在30年前IBM公司已研發(fā)使用了這項技術(shù)。但直到近幾年來，F(xiàn)lip-Chip已成為高端器件及高密度封裝領(lǐng)域中經(jīng)常采用的封裝形式。今天，F(xiàn)lip-Chip封裝技術(shù)的應(yīng)用范圍日益廣泛，封裝形式更趨多樣化，對Flip-Chip封裝技術(shù)的要求也隨之提高。同時,Flip-Chip也向制造者提出了一系列新的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，為這項復(fù)雜的技術(shù)提供封裝，組裝及測試的可靠支持。以往的一級封閉技術(shù)都是將芯片的有源區(qū)面朝上，背對基板和貼后鍵合，如引線健合和載帶自動健全(T A B)。F C則將芯片有源區(qū)面對基板，通過芯片上呈陣列排列的焊料凸點實現(xiàn)芯片與襯底的互連.硅片直接以倒扣方式安裝到P C B從硅片向四周引出I / O，互聯(lián)的長度大大縮短，減小了 R C延遲，有效地提高了電性能.顯然，這種芯片互連方式能提供更高的I /0密度.倒裝占有面積幾乎與芯片大小一致.在所有表面安裝技術(shù)中，倒裝芯片可以達到最小、最薄的封裝。但是由于以往傳統(tǒng)封裝的局限性，晶圓只能減薄到200um，特別是減薄到150um以下的厚度是容易翹曲，封裝可靠性得不到保證。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明的目的是提供一種基于膠膜的FCBGA單芯片封裝件及其制作工藝，采用一種基于Flux的晶圓減薄封裝工藝，采用在封裝件后固化后再進行減薄工序，保證了晶圓減薄至50um以下，并且極大得降低了晶圓翹曲的可能性，使封裝件尺寸更薄，性能更高，顯著提高封裝件的可靠性。
[0005]本發(fā)明采用的技術(shù)方案:一種基于膠膜的FCBGA單芯片封裝件包括基板、Flux層、芯片、膠膜、粗磨部分、精磨部分、植球、塑封體；其中芯片上的Sn、Ag凸點與基板通過Flux層通過回流焊相連，基板上是Flux層，F(xiàn)lux層上是芯片上的Sn、Ag凸點，對芯片和的芯片上的Sn、Ag凸點起到了支撐和保護作用的塑封體包圍了基板、Flux層、芯片上的Sn、Ag凸點及基板構(gòu)成了電路的整體，芯片、芯片上的Sn、Ag凸點和基板構(gòu)成了電路的電源和信號通道。
[0006]所述的一種基于膠膜的FCBGA單芯片封裝件的制作工藝，按照下面步驟進行: 第一步、上芯、回流焊:在基板上鍍Flux層，芯片上直接用Sn、Ag與基板過回流焊，形成
線路互連；
第二步、利用等離子清洗機清潔雜質(zhì)；
第三步、 使用膠膜填充產(chǎn)品空隙，保護電路以及凸點； 第四步、后固化:采用傳統(tǒng)工藝進行；
第五步、晶圓減薄:減薄厚度減薄至50um ,后產(chǎn)品分離；
第六步、植球、檢驗、包裝、入庫；工藝均同傳統(tǒng)工藝。
[0007]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明采用一種基于膠膜的晶圓減薄封裝工藝，采用在封裝件后固化后再進行減薄工序，保證了晶圓減薄至50um以下，并且極大得降低了晶圓翹曲的可能性，使封裝件尺寸更薄，性能更高，顯著提高封裝件的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1基板剖面圖；
圖2基板鍍Flux層產(chǎn)品剖面圖；
圖3芯片剖面圖；
圖4芯片貼膜后剖面圖；
圖5上芯、后固化后廣品首I]面圖；
圖6芯片粗磨后產(chǎn)品剖面圖；
圖7精磨后產(chǎn)品剖面圖；
圖8植球后產(chǎn)品成品剖面圖。
[0009]圖中:1 一基板、2 — Flux層、3—芯片、4一膠膜、5—粗磨部分、6—精磨部分、7—植球、8—塑封體。
【具體實施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步說明，以方便技術(shù)人員理解。
[0011]如圖1-8所示:本發(fā)明包括基板UFlux層2、芯片3、膠膜4、粗磨部分5、精磨部分6、植球7、塑封體8 ;其中芯片3上的Sn、Ag凸點與基板I通過Flux層2通過回流焊相連，基板I上是Flux層2，F(xiàn)lux層2上是芯片3上的Sn、Ag凸點，對芯片3和芯片3上的Sn、Ag凸點起到了支撐和保護作用的塑封體8包圍了基板UFlux層2、芯片3上的Sn、Ag凸點及基板I構(gòu)成了電路的整體，芯片3、芯片3上的Sn、Ag凸點和基板I構(gòu)成了電路的電源和信號通道。
[0012]所述的一種基于膠膜的FCBGA單芯片封裝件的制作工藝，按照下面步驟進行: 第一步、上芯、回流焊:在基板I上鍍Flux層2，芯片上直接用Sn、Ag與基板過回流焊，
形成線路互連；
第二步、利用等離子清洗機清潔雜質(zhì)；
第三步、使用膠膜4填充產(chǎn)品空隙，保護電路以及凸點；
第四步、后固化:采用傳統(tǒng)工藝進行；
第五步、晶圓減薄:減薄厚度減薄至50um ,后產(chǎn)品分離；
第六步、植球、檢驗、包裝、入庫；工藝均同傳統(tǒng)工藝。
[0013]本發(fā)明通過具體實施過程進行說明的，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，還可以對本發(fā)明專利進行各種變換及等同代替，因此，本發(fā)明專利不局限于所公開的具體實施過程，而應(yīng)當(dāng)包括落入本發(fā)明專利權(quán)利要求范圍內(nèi)的全部實施方案。
【權(quán)利要求】
1.一種基于膠膜的FCBGA單芯片封裝件，其特征在于:單芯片封裝件包括基板、Flux層、芯片、膠膜、粗磨部分、精磨部分、植球、塑封體；其中芯片上的Sn、Ag凸點與基板通過Flux層通過回流焊相連，基板上是Flux層，F(xiàn)lux層上是芯片上的Sn、Ag凸點，塑封體包圍了基板、Flux層、芯片上的Sn、Ag凸點及基板構(gòu)成了電路的整體，芯片、芯片上的Sn、Ag凸點和基板構(gòu)成了電路的電源和信號通道。
2.一種基于膠膜的FCBGA單芯片封裝件的制作工藝，其特征在于:所述制作工藝按照下面步驟進行: 第一步、上芯、回流焊:在基板上鍍Flux層，芯片上直接用Sn、Ag與基板過回流焊，形成線路互連； 第二步、利用等離子清洗機清潔雜質(zhì)； 第三步、使用膠膜填充產(chǎn)品空隙，保護電路以及凸點； 第四步、后固化:采用傳統(tǒng)工藝進行； 第五步、晶圓減薄:減薄厚度減薄至50um,后產(chǎn)品分離； 第六步、植球、檢驗、包裝、入庫；工藝均同傳統(tǒng)工藝。
【文檔編號】H01L21/768GK103928441SQ201410123267
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月31日
【發(fā)明者】王虎, 于大全, 崔夢, 羅育光, 諶世廣 申請人:華天科技（西安）有限公司