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      Oled顯示器件及其制作方法、顯示裝置制造方法

      文檔序號(hào):7045561閱讀:134來源:國知局
      Oled顯示器件及其制作方法、顯示裝置制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,公開了一種OLED顯示器件制作方法,包括:在襯底基板上形成包括第一電極陣列,所述第一電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)轱@示區(qū)域;在所述第一電極之間形成像素界定層,且使所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢;在所述像素界定層之間的第一電極之上形成有機(jī)發(fā)光層;至少在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極。還公開了一種OLED顯示器件和顯示裝置。本發(fā)明的方法制作的OLED顯示器件盡量減輕了有機(jī)發(fā)光層的咖啡環(huán)效應(yīng),也不會(huì)出現(xiàn)第二電極斷層現(xiàn)象,從而提升了顯示效果,節(jié)省了第二電極材料。
      【專利說明】OLED顯示器件及其制作方法、顯示裝置
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,特別涉及一種OLED顯示器件及其制作方法、顯示裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)相對(duì)于LCD具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、色彩鮮艷及輕薄等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)。
      [0003]OLED材料的成膜方式主要包括蒸鍍制程和溶液制程。蒸鍍制程在小尺寸應(yīng)用較為成熟,目前該技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于量產(chǎn)中,而溶液制程OLED材料成膜方式主要有噴墨打印、噴嘴涂覆、旋涂及絲網(wǎng)印刷等。其中噴墨打印技術(shù)由于其材料利用率較高、可以實(shí)現(xiàn)大尺寸化,被認(rèn)為是大尺寸OLED實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的重要方式。
      [0004]噴墨打印工藝需要預(yù)先在基板的電極上制作像素界定層(PDL),以限定有機(jī)發(fā)光材料的墨滴精確的流入指定的R/G/B亞像素區(qū)。
      [0005]PDL結(jié)構(gòu)截面形狀有正梯形(圖1所示)和倒梯形(圖2所示)兩種:
      [0006]圖1中的正梯形結(jié)構(gòu)應(yīng)用較為廣泛,平坦層110上為第一電極120的陣列,第一電極120之間為TOL130。由于有機(jī)發(fā)光材料140墨滴與正梯形的TOL130接觸處由于兩者間表面能差異,以及有機(jī)發(fā)光材料140自身干燥行為,干燥后容易形成邊緣高,中間薄的不均勻薄膜,如圖1在虛線框所示,也即咖啡環(huán)效應(yīng)。若要避免咖啡環(huán)效應(yīng),不僅需要性能優(yōu)良的PDL材料以及精細(xì)調(diào)節(jié)墨水的溶劑組成,而且需要精確控制墨滴干燥的溫度、壓強(qiáng)、氛圍等成膜條件,這增加了顯示器件的成本,也加大了研發(fā)的難度。
      [0007]為了解決咖啡環(huán)問題,圖2示出了另一種結(jié)構(gòu),平坦層210上為第一電極220的陣列,第一電極220之間為TOL230。其中,PDL230為倒梯形結(jié)構(gòu),由于該倒梯形的H)L230其與電極間夾角小于90°,存在毛細(xì)結(jié)構(gòu),有機(jī)發(fā)光材料240墨滴在邊緣毛細(xì)結(jié)構(gòu)的作用力下,鋪展較為均勻,這大大降低了成膜工藝開發(fā)的難度。但是另一方面,在沉積陰極250的時(shí)候,倒梯形TOL230結(jié)構(gòu)容易導(dǎo)致陰極的斷層,從而導(dǎo)致陰極像素?cái)嗦啡毕荩貏e是當(dāng)陰極250的厚度不足以鋪平TOL230之間的凹坑時(shí)。為了防止陰極斷層的發(fā)生,往往需要蒸鍍數(shù)十倍厚度的陰極250以鋪平凹坑,這顯著增加了器件制作的時(shí)間和成本并使得器件透過率降低。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0008](一)要解決的技術(shù)問題
      [0009]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:如何制作工藝簡單、成本相對(duì)較低,且成膜平整的OLED顯示器件。
      [0010](二)技術(shù)方案
      [0011]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種OLED顯示器件制作方法,包括:
      [0012]在襯底基板上形成包括第一電極的陣列,所述第一電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)轱@示區(qū)域;[0013]在所述第一電極之間形成像素界定層,且使所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢;
      [0014]在所述像素界定層之間的第一電極之上形成有機(jī)發(fā)光層;
      [0015]至少在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極。
      [0016]其中,在所述第一電極之間形成像素界定層,且使所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢具體包括:
      [0017]在形成所述第一電極的襯底基板上形成光刻膠;
      [0018]使光線通過掩膜板與所述襯底基板呈預(yù)定的第一入射角照射所述光刻膠,對(duì)所述光刻膠進(jìn)行第一次曝光;
      [0019]使光線通過掩膜板與所述襯底基板呈預(yù)定的第二入射角照射所述光刻膠,對(duì)所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光,并顯影去除所述顯示區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠,進(jìn)而暴露出所述第一電極,且第一次曝光光線的入射方向所在的直線與第二次曝光光線的入射方向所在的直線分別位于通過暴露出的第一電極中心的法線相對(duì)的兩側(cè),從而使形成的所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢,所述第一入射角和第二入射角均大于0°且小于90°。
      [0020]其中,所述第一次曝光光線的入射方向所在的直線與第二次曝光光線的入射方向所在的直線沿通過暴露出的第一電極中心的法線對(duì)稱。
      [0021]其中,在所述第一電極之間形成像素界定層,且使所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢具體包括:
      [0022]在形成所述第一電極的襯底基板上形成光刻膠;
      [0023]使光線通過掩膜板的通光孔后發(fā)生衍射,衍射的光線照射所述顯示區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠,對(duì)所述光刻膠進(jìn)行第一次曝光,使未曝光的光刻膠的截面呈倒梯形;
      [0024]照射所述截面呈倒梯形的光刻膠上底兩底角的區(qū)域,對(duì)所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光,從而使顯影后形成的所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢。
      [0025]其中,形成所述有機(jī)發(fā)光層的厚度不低于所述像素界定層中部最寬處的高度。
      [0026]其中,所述像素界定層的厚度為0.1um?lOOum。
      [0027]其中,所述像素界定層的厚度為Ium?5um。
      [0028]其中,所述像素界定層的中部最寬處分別到上下部的面為平面、弧面或呈階梯型。
      [0029]其中,所述像素界定層的截面為六邊形或橢圓形。
      [0030]本發(fā)明還提供了一種OLED顯示器件,包括第一電極陣列、像素界定層、有機(jī)發(fā)光層及第二電極,像素界定層位于第一電極之間,第一電極陣列之上依次為有機(jī)發(fā)光層及第二電極,所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢。
      [0031]其中,所述有機(jī)發(fā)光層的厚度不低于所述像素界定層中部最寬處的高度。
      [0032]其中,所述像素界定層的厚度為0.1um?lOOum。
      [0033]其中,所述像素界定層的厚度為Ium?5um。
      [0034]其中,所述像素界定層的材料包括:樹脂、聚酰亞胺、有機(jī)硅或Si02。
      [0035]其中,所述像素界定層的中部最寬處分別到上下部的面為平面、弧面或呈階梯型。
      [0036]其中,所述像素界定層的截面為六邊形或橢圓形。[0037]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,包括上述任一項(xiàng)所述的OLED顯示器件。
      [0038](三)有益效果
      [0039]本發(fā)明的OLED顯示器件制作方法能夠使像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢。即像素界定層下部與第一電極(陽極)具有小于90°的夾角,具備了毛細(xì)結(jié)構(gòu),噴墨打印時(shí)有機(jī)發(fā)光材料墨滴時(shí),在毛細(xì)結(jié)構(gòu)的吸引下鋪展更加均勻;同時(shí)即便邊緣存在不平整的咖啡環(huán)效應(yīng),在發(fā)光的時(shí)候也會(huì)被中部突出的結(jié)構(gòu)遮擋,有效發(fā)光區(qū)域亮度仍然會(huì)比較均勻,從而有效提高了顯示品質(zhì);另一方面,像素界定層上部較窄,形成一定的坡腳,可以使有機(jī)發(fā)光層的厚度剛好到達(dá)像素界定層中部最寬處,這樣蒸鍍陰極時(shí)避免了倒梯形結(jié)構(gòu)存在第二電極(陰極)斷層的缺陷;而且陰極可以做薄,增大透過率,降低陰極材料成本。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0040]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種OLED顯示器件結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0041]圖2是現(xiàn)有技術(shù)的另一種OLED顯不器件結(jié)構(gòu)不意圖;
      [0042]圖3是本發(fā)明實(shí)施例的一種OLED顯示器件制作方法流程圖;
      [0043]圖4a是本發(fā)明實(shí)施例的一種OLED顯示器件制作方法中在平坦層上形成第一電極陣列的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0044]圖4b是在圖4a的基礎(chǔ)上形成一層光刻膠后的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0045]圖4c是在圖4b的基礎(chǔ)上采用一種曝光方式對(duì)光刻膠進(jìn)行第一次曝光后的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0046]圖4d是在圖4c的基礎(chǔ)上對(duì)光刻膠進(jìn)行第二次曝光后形成截面為六邊形的像素界定層截面的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0047]圖4e是在圖4b的基礎(chǔ)上采用另一種曝光方式對(duì)光刻膠進(jìn)行第一次曝光后的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0048]圖4f是在圖4e的基礎(chǔ)上對(duì)光刻膠進(jìn)行第二次曝光后形成截面為六邊形的像素界定層截面的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0049]圖4g是在圖4e的基礎(chǔ)上在像素界定層之間的第一電極上形成有機(jī)發(fā)光材料后的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0050]圖4h是本發(fā)明實(shí)施例的一種OLED顯示器件制作方法中形成的OLED顯示器件結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0051]圖5是本發(fā)明實(shí)施例的方法中形成的另一種截面形狀的像素界定層截面的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0052]圖6是本發(fā)明實(shí)施例的方法中形成的又一種截面形狀(橢圓形)的像素界定層截面的結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0053]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明,但不用來限制本發(fā)明的范圍。
      [0054]本發(fā)明提供了一種OLED顯示器件制作方法,如圖3所示,包括以下步驟:[0055]步驟S310,在襯底基板上形成包括第一電極的陣列,所述第一電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)轱@示區(qū)域。
      [0056]步驟S320,在所述第一電極之間形成像素界定層,且使所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢。
      [0057]步驟S330,在所述像素界定層之間的第一電極之上形成有機(jī)發(fā)光層。
      [0058]步驟S340,至少在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極。
      [0059]本實(shí)施例中,步驟S310具體如圖4a所示,
      [0060]在襯底基板上形成包括第一電極420陣列的圖形。對(duì)于OLED顯示器件來說,通常在襯底基板上形成有薄膜晶體管(TFT)結(jié)構(gòu)陣列及其上方的平坦層,第一電極陣列形成在平坦層上方,并通過過孔連接TFT。如圖4a所示,示出了平坦層410及位于其上方的第一電極420陣列的圖形。第一電極420通常為陽極,連接薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極。第一電極420對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)轱@示區(qū)域,在后續(xù)形成有機(jī)發(fā)光材料和第二電極(陰極)后,該區(qū)域發(fā)光顯示。
      [0061]在平坦層410 (通常為樹脂材料)上形成的第一電極420的方式可以采用現(xiàn)有的構(gòu)圖工藝(在第一電極薄膜表面形成光刻膠,采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影,對(duì)暴露出的第一電極薄膜進(jìn)行刻蝕,最終形成第一電極420的陣列)形成。由于OLED器件有底發(fā)光和頂發(fā)光兩種,通過設(shè)置具有透明性的陽極和反射性的陰極結(jié)構(gòu)形成底發(fā)射的器件結(jié)構(gòu),反之通過透明陰極和反射陽極的結(jié)構(gòu)形成頂發(fā)光的器件結(jié)構(gòu)。因此根據(jù)器件結(jié)構(gòu)不同,陽極材料的選擇也不同,通常是IT0、Ag、Ni0、Al或石墨烯等高功函的透明或半透明材料。
      [0062]本實(shí)施例中,對(duì)于步驟S320,以下提供了兩種不同的制作方式使形成的像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢。
      [0063]方式一:
      [0064]如圖4b所不,在形成第一電極20后的基板上形成一層光刻膠430 '。形成光刻膠430 '的方式包括旋涂、刮涂等方式,光刻膠的厚度為0.1um?IOOum,優(yōu)選I?5um。
      [0065]如圖4c所示,使光線通過掩膜板與襯底基板呈預(yù)定的第一入射角α照射光刻膠430 ;,0° < a <90°,優(yōu)選角度45° < α <75°,以方便工藝實(shí)現(xiàn)。對(duì)光刻膠430 '進(jìn)行第一次曝光,其中光刻膠為正性光刻膠。光線以角度α照射顯示區(qū)域上方對(duì)應(yīng)的光刻膠430'。由于是傾斜照射,所以未曝光區(qū)域的光刻膠截面呈平行四邊形,其中一條邊與第一電極420的夾角理論上應(yīng)為90° — α。
      [0066]如圖4d所示,然后使光線通過掩膜板與襯底基板呈預(yù)定的第二入射角β (0°< β <90° )照射第一次曝光時(shí)未被曝光的光刻膠。
      [0067]然后經(jīng)過兩次曝光后的光刻膠統(tǒng)一進(jìn)行一次顯影,進(jìn)而暴露出第一電極420。為了使形成的像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢,使第一次曝光光線的入射方向所在的直線與第二次曝光光線的入射方向所在的直線分別位于通過暴露出的第一電極420中心的法線相對(duì)的兩側(cè)。這樣經(jīng)過兩次曝光,未曝光區(qū)域光刻膠截面呈類六邊形(即每個(gè)像素界定層的形狀類似為六棱柱),理論上精確控制光線可以使像素界定層為六邊形。
      [0068]在兩次曝光的過程中,通過控制光線強(qiáng)度,使光的能量不斷增大,避免光的能量的衰減,這樣使得曝光顯影后在光刻膠上形成的傾斜的面比較平整,斜面與第一電極420的表面的夾角也分別最接近于90° — α和90° — β。進(jìn)一步地,使第一次曝光光線的入射方向所在的直線與第二次曝光光線的入射方向所在的直線沿通過暴露出的第一電極420中心的法線對(duì)稱,即夾角α的大小與夾角β的大小相等,這樣方便控制最終形成的像素界定層430的截面為類似六邊形結(jié)構(gòu)。
      [0069]方式二 (米用正性光刻膠):
      [0070]如圖4b所不,在形成第一電極420后的基板上形成一層光刻膠430 '。形成光刻膠430 '的方式包括旋涂、slit等方式,光刻膠的厚度為0.1um?IOOum,優(yōu)選I?5um。
      [0071]如圖4e所示,使光線通過掩膜板460的通光孔后發(fā)生衍射,可以在通光孔處設(shè)置衍射片470實(shí)現(xiàn)。衍射的光線會(huì)呈一定角度散射,如圖4e中箭的頭和虛線框所示(虛線框示出了光照的范圍)。用衍射后的光線照射顯示區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠430 ',對(duì)光刻膠430'進(jìn)行第一次曝光,未曝光區(qū)域的光刻膠的截面形成倒梯形。
      [0072]如圖4f所示,照射截面呈倒梯形的光刻膠上底(位于上方的為上底)兩底角的區(qū)域,對(duì)所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光,由于光的能量本身會(huì)衰減,或人為控制其衰減,或通過在掩膜板的通光孔設(shè)置透鏡使光照成圖4f在虛線框的趨勢。最后通過一次顯影形成的所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢。
      [0073]當(dāng)然也可以通過在兩次曝光時(shí)對(duì)光線進(jìn)行控制,最終形成圖4d中所示的截面為類似六邊形(理論上可以為六邊形)的像素界定層430。
      [0074]步驟S330,如圖4g所示,在像素界定層430之間的第一電極420之上形成有機(jī)發(fā)光層440。有機(jī)發(fā)光層440通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等其中的一層或多層組成,或者是多個(gè)上述有機(jī)發(fā)光層單元的串聯(lián)白光結(jié)構(gòu)。像素界定層430下部與第一電極420 (陽極)具有小于90°的夾角,具備了毛細(xì)結(jié)構(gòu)特征,噴墨打印時(shí)有機(jī)發(fā)光材料墨滴時(shí),在毛細(xì)結(jié)構(gòu)的吸引下鋪展更加均勻;同時(shí)即便邊緣存在不平整的咖啡環(huán)效應(yīng),在發(fā)光的時(shí)候也會(huì)被中部突出的結(jié)構(gòu)遮擋,有效發(fā)光區(qū)域亮度仍然會(huì)比較均勻,從而有效提高了顯示品質(zhì)。優(yōu)選地,使有機(jī)發(fā)光層440的厚度不低于像素界定層430中部最寬處的高度,這樣在后續(xù)制作第二電極(通常為陰極)時(shí),不需要太多的第二電極材料將第二電極做的很厚以填充像素界定層之間的凹坑就能避免出現(xiàn)第二電極斷層的情況,同時(shí)節(jié)省了第二電極材料,由于第二電極可以做薄,也增大了透過率。
      [0075]步驟S340,如圖4h所示,至少在所述有機(jī)發(fā)光層440之上形成第二電極450,從而最終形成了 OLED顯示器件。
      [0076]上述制作方法中,可以控制曝光時(shí)的光線,或本身控制出現(xiàn)誤差使得最終形成像素界定層的截面形狀為圖5和圖6中的形狀,圖5中,像素界定層截面430除上下兩條邊外,其余邊均為向外凸的弧線,圖6中像素界定層截面430近似為橢圓形,當(dāng)然像素界定層還可以是從中間最寬到兩端之間呈階梯形狀過渡。
      [0077]本發(fā)明還提供了一種OLED顯示器件,包括形成在襯底基板上的第一電極陣列、像素界定層、有機(jī)發(fā)光層及第二電極。像素界定層位于第一電極之間,第一電極陣列之上依次為有機(jī)發(fā)光層及第二電極,所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢。
      [0078]優(yōu)選地,所述有機(jī)發(fā)光層的厚度不低于所述像素界定層中部最寬處的高度。所述像素界定層的中部最寬處分別到上下部的面為平面、弧面或呈階梯型。像素界定層的中部最寬處分別到上下部的面為平面的情形,如圖4d所示,像素界定層的截面圖形可以是近似六邊形或六邊形;像素界定層的中部最寬處分別到上下部的面為曲面的情形,像素界定層的截面圖形可以是圖5或圖6所示圖形;此外像素界定層的中部最寬處分別到上下部的面也可以成階梯型,只要總體上滿足像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢即可。如圖4h所示,只示出了平坦層以上的結(jié)構(gòu)。其中,像素界定層的厚度為
      0.1um?IOOum,優(yōu)選為Ium?5um。像素界定層的材料可以是樹脂、聚酰亞胺、有機(jī)娃或SiO2
      坐寸ο
      [0079]通常在襯底基板上形成有薄膜晶體管(TFT)結(jié)構(gòu)陣列及其上方的平坦層,第一電極陣列形成在平坦層上方,并通過過孔連接薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的驅(qū)動(dòng)TFT的漏極。
      [0080]本發(fā)明的OLED顯示器件的像素界定層截面寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢。即像素界定層下部與第一電極(陽極)具有小于90°的夾角,具備了毛細(xì)結(jié)構(gòu),噴墨打印時(shí)有機(jī)發(fā)光材料墨滴時(shí),在毛細(xì)結(jié)構(gòu)的吸引下鋪展更加均勻;同時(shí)即便邊緣存在不平整的咖啡環(huán)效應(yīng),在發(fā)光的時(shí)候也會(huì)被中部突出的結(jié)構(gòu)遮擋,有效發(fā)光區(qū)域亮度仍然會(huì)比較均勻,從而有效提高了顯示品質(zhì);另一方面,像素界定層上部較窄,形成一定的坡腳,可以使有機(jī)發(fā)光層的厚度剛好到達(dá)像素界定層中部最寬處,這樣蒸鍍陰極時(shí)避免了倒梯形結(jié)構(gòu)存在第二電極(陰極)斷層的缺陷;而且陰極可以做薄,增大透過率,降低陰極材料成本。
      [0081]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,包括上述的OLED顯示器件。該顯示裝置可以為:電子紙、OLED顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
      [0082]以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明,而并非對(duì)本發(fā)明的限制,有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,還可以做出各種變化和變型,因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇,本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
      【權(quán)利要求】
      1.一種OLED顯示器件制作方法,其特征在于,包括: 在襯底基板上形成包括第一電極的陣列,所述第一電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)轱@示區(qū)域; 在所述第一電極之間形成像素界定層,且使所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢; 在所述像素界定層之間的第一電極之上形成有機(jī)發(fā)光層; 至少在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極。
      2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器件制作方法,其特征在于,在所述第一電極之間形成像素界定層,且使所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢具體包括: 在形成所述第一電極的襯底基板上形成光刻膠; 使光線通過掩膜板與所述襯底基板呈預(yù)定的第一入射角照射所述光刻膠,對(duì)所述光刻膠進(jìn)行第一次曝光; 使光線通過掩膜板與所述襯底基板呈預(yù)定的第二入射角照射所述光刻膠,對(duì)所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光,并顯影去除所述顯示區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠,進(jìn)而暴露出所述第一電極,且第一次曝光光線的入射方向所在的直線與第二次曝光光線的入射方向所在的直線分別位于通過暴露出的第一電極中心的法線相對(duì)的兩側(cè),從而使形成的所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢,所述第一入射角和第二入射角均大于0°且小于 90°。
      3.如權(quán)利要求2所述的OLED顯示器件制作方法,其特征在于,所述第一次曝光光線的入射方向所在的直線與第二次曝光光線的入射方向所在的直線沿通過暴露出的第一電極中心的法線對(duì)稱。
      4.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器件制作方法,其特征在于,在所述第一電極之間形成像素界定層,且使所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢具體包括: 在形成所述第一電極的襯底基板上形成光刻膠; 使光線通過掩膜板的通光孔后發(fā)生衍射,衍射的光線照射所述顯示區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠,對(duì)所述光刻膠進(jìn)行第一次曝光,使未曝光的光刻膠的截面呈倒梯形; 照射所述截面呈倒梯形的光刻膠上底兩底角的區(qū)域,對(duì)所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光,從而使顯影后形成的所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢。
      5.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器件制作方法,其特征在于,形成所述有機(jī)發(fā)光層的厚度不低于所述像素界定層中部最寬處的高度。
      6.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器件制作方法,其特征在于,所述像素界定層的厚度為 0.1um ~lOOum。
      7.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示器件制作方法,其特征在于,所述像素界定層的厚度為 Ium ~5 um ο
      8.如權(quán)利要求1~7任一所述的OLED顯示器件制作方法,其特征在于,所述像素界定層的中部最寬處分別到上下部的面為平面、弧面或呈階梯型。
      9.如權(quán)利要求1~7任一所述的OLED顯示器件制作方法,其特征在于,所述像素界定層的截面為六邊形或橢圓形。
      10.一種OLED顯示器件,包括第一電極陣列、像素界定層、有機(jī)發(fā)光層及第二電極,像素界定層位于第一電極之間,第一電極陣列之上依次為有機(jī)發(fā)光層及第二電極,其特征在于,所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢。
      11.如權(quán)利要求10所述的OLED顯示器件,其特征在于,所述有機(jī)發(fā)光層的厚度不低于所述像素界定層中部最寬處的高度。
      12.如權(quán)利要求10所述的OLED顯示器件,其特征在于,所述像素界定層的厚度為0.1um ~lOOum。
      13.如權(quán)利要求12所述的OLED顯示器件,其特征在于,所述像素界定層的厚度為Ium ~5 um0
      14.如權(quán)利要求10所述的OLED顯示器件,其特征在于,所述像素界定層的材料包括:樹脂、聚酰亞胺、有機(jī)硅或Si02。
      15.如權(quán)利要求10~14任一所述的OLED顯示器件,其特征在于,所述像素界定層的中部最寬處分別到上下部的面為平面、弧面或呈階梯型。
      16.如權(quán)利要求10~14任一所述的OLED顯示器件,其特征在于,所述像素界定層的截面為六邊形或橢圓形。
      17.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求10~16中任一項(xiàng)所述的OLED顯示器件。
      【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103928497SQ201410129206
      【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年4月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月1日
      【發(fā)明者】王輝鋒 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司
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