有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】提供了有機發(fā)光顯示裝置。所述有機發(fā)光顯示裝置包括多個第一電極，其中每一第一電極對應(yīng)于亞像素。所述顯示裝置還包括像素限定層，其包括暴露至少部分第一電極的多個第一開口和布置在像素限定層的上表面上的多個入口。所述顯示裝置還包括布置在第一電極的暴露部分并在入口中的中間層，以及布置在所述中間層和像素限定層上的對電極，其中所述入口選擇性地布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間。
【專利說明】有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的引用
[0002]本申請要求于2013年7月I日提交的第10-2013-0076603號韓國專利申請的權(quán)益，所述申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文。

【背景技術(shù)】
[0003]1.摶術(shù)領(lǐng)域
[0004]本公開涉及有機發(fā)光顯示器裝置及其制造方法。
_5] 2.相關(guān)技術(shù)描述
[0006]在顯示裝置中，有機發(fā)光顯示裝置已被確定為下一代顯示裝置，這歸因于它們的優(yōu)異特性，例如廣視角、良好對比度和迅速響應(yīng)時間。
[0007]通常，有機發(fā)光裝置包括像素限定層，其覆蓋像素電極的邊緣并暴露所述像素電極的中心部分。在形成像素限定層之后，使用諸如噴墨印刷或噴嘴印刷的方法在所述像素電極上形成包括發(fā)光層的中間層。
[0008]在顯示裝置中，每一像素電極可以構(gòu)成亞像素。如果以變化的間距布置亞像素，則需要噴墨頭以變化的間距來分配墨(以用于形成中間層)。因此，這會導(dǎo)致噴墨印刷工藝變差，并且導(dǎo)致工藝缺陷，例如在顯示裝置上的油墨污跡。
[0009]概述
[0010]本公開旨在至少解決與使用噴墨印刷或噴嘴印刷工藝在有機發(fā)光裝置中形成中間層相關(guān)的上述問題。
[0011]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的某些實施方案，提供了有機發(fā)光顯示裝置。所述顯示裝置包括:多個第一電極，其中每一第一電極對應(yīng)于亞像素；像素限定層，其包括暴露至少部分第一電極的多個開口和布置在像素限定層上表面上的多個入口 ；布置在第一電極的暴露部分上并在入口中的中間層；以及布置在中間層和像素限定層上的對電極，其中所述入口選擇性地布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間。
[0012]在某些實施方案中，在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間可以省略入口。
[0013]在某些實施方案中，第一距離可以對應(yīng)于布置在第一開口處的中間層的兩個鄰近液滴的各中心之間的距離，第二距離可以對應(yīng)于從布置在第一開口處的中間層的最邊緣的液滴的中心到在入口排出的中間層的最鄰近液滴的中心的距離，并且所述第一距離可以基本等于所述第二距離。
[0014]在某些實施方案中，入口的深度可以為像素限定層厚度的約1/4至約1/2。
[0015]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的某些其他實施方案，提供了有機發(fā)光顯示裝置。所述顯示裝置包括:多個第一電極，其中每一第一電極對應(yīng)于亞像素；像素限定層，其包括暴露至少部分第一電極的多個第一開口以及暴露至少部分襯底的多個第二開口 ；布置在第一電極和襯底的暴露的部分上的中間層；以及布置在中間層和像素限定層上的對電極，其中所述第二開口選擇性地布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間。
[0016]在某些實施方案中，在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間可以省略第二開□。
[0017]在某些實施方案中，第一距離可以對應(yīng)于從第二開口的中心到最鄰近的第一電極的中心的距離，第二距離可以對應(yīng)于從第二開口的中心到另一最鄰近的第一電極的中心的距離，并且所述第一距離可以基本等于所述第二距離。
[0018]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的某些其他實施方案，提供了制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。所述方法包括形成多個第一電極，其中每一第一電極對應(yīng)于亞像素；形成包括多個第一開口的像素限定層，其中所述第一開口暴露至少部分第一電極；在第一電極的暴露的部分上形成中間層；以及在中間層和像素限定層上形成對電極。
[0019]在某些實施方案中，所述方法可以包括在像素限定層的上表面上形成多個入口 ；以及在第一電極的暴露的部分上并在入口中形成中間層，其中在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間選擇地形成所述入口。
[0020]在某些實施方案中，在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間可以省略入口。
[0021]在某些實施方案中，第一距離可以對應(yīng)于布置在第一開口處的中間層的兩個鄰近液滴的各中心之間的距離，第二距離可以對應(yīng)于從布置在第一開口處的中間層的最邊緣的液滴的中心到在入口排出的中間層的最鄰近液滴的中心的距離，并且所述第一距離可以基本等于所述第二距離。
[0022]在某些實施方案中，形成像素限定層可以進一步包括在相同工藝步驟中形成第一開口和入口。
[0023]在某些實施方案中，所述方法可以包括在像素限定層中形成多個第二開口以用于暴露至少部分襯底；以及在第一電極和襯底的暴露部分上形成中間層，其中可以在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間選擇地形成第二開口。
[0024]在某些實施方案中，在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間可以省略第二開□。
[0025]在某些實施方案中，第一距離可以對應(yīng)于從第二開口的中心到最鄰近的第一電極的中心的距離，第二距離可以對應(yīng)于從第二開口的中心到另一最鄰近的第一電極的中心的距離，并且所述第一距離可以基本等于所述第二距離。
[0026]在某些實施方案中，形成像素限定層可以進一步包括在相同工藝步驟中形成第一開口和第二開口。
[0027]在某些實施方案中，所述方法可以進一步包括使用噴墨印刷工藝形成中間層。
[0028]在某些實施方案中，形成中間層可以進一步包括以恒定間距將墨分配在第一電極的暴露部分上和多個入口內(nèi)，其中所述入口形成在像素限定層的上表面上。
[0029]在某些實施方案中，形成中間層可以進一步包括以恒定間距將墨分配在第一電極和襯底的暴露部分上，其中通過在像素限定層中形成的多個第二開口來暴露部分襯底。
[0030]附圖簡述
[0031]圖1和2示出本發(fā)明構(gòu)思的一實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0032]圖3示出圖1的顯示裝置的俯視圖。
[0033]圖4和5示出本發(fā)明構(gòu)思的另一實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0034]圖6示出圖4的顯示裝置的俯視圖。
[0035]圖7示出本發(fā)明構(gòu)思的其他實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0036]詳述
[0037]參考附圖中例示的實施方案來描述本發(fā)明構(gòu)思。在整個申請中同樣的符號是指同樣的部件。所公開的實施方案僅為例示的，并且本發(fā)明構(gòu)思不應(yīng)解釋為限于所公開的實施方案。
[0038]在以下描述中，X軸、y軸和z軸不應(yīng)解釋為限于直角坐標系中的軸。相反，可以寬泛地限定所述軸。例如，X軸、y軸和Z軸可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的其他方向。
[0039]當各種部件(例如層、膜、區(qū)域、板或其他部件)被描述為布置在另一部件“上”時，部件可以直接布置在其他部件上，或者通過一個或多個存在的中介部件而布置在其他部件上。
[0040]圖1和2示出本發(fā)明構(gòu)思的一實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。圖3示出圖1的顯示裝置的俯視圖。
[0041]參考圖1，有機發(fā)光顯示裝置包括布置在襯底(未示出)上的多個第一電極10和像素限定層20。每一第一電極10對應(yīng)于亞像素。多個第一電極10 (對應(yīng)于亞像素)可以構(gòu)成像素電極。像素限定層20包括多個第一開口 20a和第二開口 20b。第一開口 20a暴露至少部分的第一電極10，包括第一電極10的中心部分在內(nèi)。第二開口 20b至少暴露襯底的上表面。
[0042]襯底可以由透光材料、例如玻璃或塑料形成。塑料可以包括聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚酰亞胺或其他類似材料。
[0043]第一電極10可以以不同的布局布置在襯底上。在某些實施方案中，第一電極10可以直接布置在襯底上。在其他實施方案中，第一電極10可以布置在具有一個或多個在第一電極10和襯底之間的中介層的襯底上。例如，在其他實施方案中，可以在襯底上布置薄膜晶體管，可以布置平整層以覆蓋薄膜晶體管，并且可以在平整層上形成第一電極10。
[0044]第一電極10可以包括透明電極或反射電極。透明電極可以包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的層。反射電極可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr或其化合物形成的反射層。反射電極可以還包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的層。
[0045]像素限定層20可以由有機絕緣層形成。有機絕緣層可以包括丙烯酸聚合物(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))、聚苯乙烯(PS)、具有苯酚基團的聚合物衍生物、酰亞胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、基于氟的聚合物、基于對二甲苯的聚合物、基于乙烯基醇的聚合物，或它們的混合物。
[0046]如圖1和3所示，像素限定層20包括第一開口 20a(暴露第一電極10的中心部分)和第二開口 20b (暴露襯底的上表面)。在某些實施方案中，第二開口 20b可以選擇性地布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間，并且可以不布置在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間，如下文進一步詳述的那樣。
[0047]參考圖3，第一距離dl定義為從第二開口 20b的中心至最鄰近的第一電極10-1(第二開口 20b的最左側(cè))的中心的距離。第二距離d2定義為從第二開口 20b的中心至最鄰近的第一電極10-2(第二開口 20b的右側(cè))的中心的距離。在X方向沿相同行水平布置的亞像素可以發(fā)射相同波長的光。因此，第二開口 20b可以布置在鄰近的發(fā)射相同波長的亞像素之間的中央部分。
[0048]再次參考圖2,在第一電極10(在第一開口 20a中)和襯底的暴露表面(在第二開口 20b中)上布置中間層30。在某些實施方案中，第一距離dl與第二距離d2相同，從而在X軸方向產(chǎn)生亞像素的相同間距。因此，當使用噴墨印刷方法形成中間層30時，墨可以以恒定間距分配在襯底上。還可以在特定方向(例如，X軸方向)由噴墨頭分配墨。因此，形成具有恒定間距的中間層30，并且布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間。
[0049]在某些實施方案中，中間層30可以包括低分子量有機材料。在那些實施方案中，空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)或其他類似的層可以堆疊在一起，使發(fā)射層(EML)作為中心層。有機材料可以包括的材料例如銅酞菁(CuPc)、N’ - 二(萘-1-基)-N，N’ - 二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)、三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)或其他類似材料。
[0050]在其他實施方案中，中間層30可以包括高分子量有機材料。在那些其他實施方案中，可以在中間層30中包括空穴傳輸層(HTL)。HTL可以包括聚-(2，4)-亞乙基-二羥基噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)或其他類似材料。有機材料可以包括基于聚亞苯基乙炔(PPV)的聚合物或基于聚芴的聚合物。
[0051]應(yīng)注意的是，HTL、HIL、ETL和EIL可以在襯底之上形成覆蓋多層(blanketmult1-layer)結(jié)構(gòu)，而EML可以在襯底上形成為像素單元?？梢允褂脟娔∷⒐に囆纬蒃ML。在某些實施方案中，可以在像素限定層20的腔(例如圖4和5的入口 20b’ )中布置HTL, HIL, ETL 和 EIL。
[0052]在某些實施方案中，可以在中間層30與第一電極10之間布置無機材料。
[0053]如圖2所示，在中間層30和像素限定層20上布置對電極40?？梢圆贾脤﹄姌O40以基本填充第二開口 20b。在某些實施方案中，對電極40可以選擇性地布置在第一電極10的附近。在其他實施方案中，可以在整個襯底上布置對電極40。
[0054]對電極40可以包括透明電極或反射電極。當對電極40包括透明電極時，對電極40可以用作陰極電極。因此，包括低功函金屬(例如，L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物)的金屬層可以朝向中間層30而布置，并且輔助電極層或匯流電極線可以布置在金屬層上。輔助電極層或匯流電極線可以包括適于形成透明電極的材料(例如ΙΤΟ、ΙΖ0、ZnO或In2O3)。當對電極40包括反射電極時，包括低功函金屬(與上文所列金屬類似)的金屬層可以布置在中間層30的表面上。
[0055]在某些實施方案中，可以在中間層30與對電極40之間布置無機材料。
[0056]參考圖3，像素限定層20包括多個如前所述的第一開口 20a和第二開口 20b。第一開口 20a暴露第一電極10的中心部分,并且第二開口 20b布置在第一開口 20a之間。每一第一電極10對應(yīng)于亞像素，并且在X軸方向中沿相同行布置的亞像素可以發(fā)射相同波長的光。因此，第二開口 20b可以選擇性地布置在鄰近的發(fā)射相同波長的亞像素之間。如圖3所示，第二開口 20b可以選擇行地布置在X軸方向中鄰近的亞像素之間，并且不布置在I軸方向中鄰近的亞像素之間。
[0057]因此，在圖3的實施方案中，第二開口 20b布置在鄰近的發(fā)射相同波長的亞像素之間。如前所述，第一距離dl與第二距離d2相同，從而在X軸方向產(chǎn)生亞像素的相同間距。因此，當使用噴墨印刷方法形成中間層30時，墨可以以相同間距(對應(yīng)于亞像素的間距)分配到襯底上，從而形成具有恒定間距的中間層30。還可以在單一方向(例如，沿X軸方向)由噴墨頭分配墨。通過在相同方向中以恒定間距分配墨，可以實現(xiàn)更穩(wěn)定且可控的噴墨印刷工藝，其使諸如墨污跡的工藝缺陷最小化。
[0058]圖4和5示出本發(fā)明構(gòu)思的另一實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。圖6示出圖4的具有墨液滴(由陰影圓圈表示)的顯示裝置的俯視圖。圖4至6的顯示裝置包括與先前圖1至3所述的那些類似的部件，因此那些部件的詳述將省略。
[0059]參考圖4，有機發(fā)光顯示裝置包括布置在襯底(未示出)上的多個第一電極10和像素限定層20。每一第一電極10對應(yīng)于亞像素。多個第一電極10 (對應(yīng)于亞像素)可以構(gòu)成像素電極。像素限定層20包括多個第一開口 20a和入口 20b’。第一開口 20a暴露至少部分的第一電極10，包括第一電極10的中心部分在內(nèi)。入口 20b’布置在鄰近的第一開口 20a之間。
[0060]如圖4所示，入口 20b’在像素限定層20的上表面中形成腔(具有深度hi)。像素限定層20的厚度由深度h2定義。在某些實施方案中，入口 20b’可以選擇性地布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間，并且可以不布置在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間，如下文進一步詳述的那樣。
[0061]參考圖6，墨滴可以對應(yīng)于分配在第一開口 20a和入口 20b’的中間層30的液滴。在某些實施方案(未示出)中，墨滴可以對應(yīng)于分配在圖5的中間層30上的其他材料的液滴。參考圖6，第一距離pi定義為在第一開口 20a處排出的兩個鄰近墨滴的中心之間的距離。第二距離P2定義為在第一開口 20a處排出的最邊緣的墨滴的中心與入口 20b’處排出的最鄰近的墨滴的中心之間的距離。距離Pl可以等于距離P2。在X方向沿相同行水平布置的亞像素可以發(fā)射相同波長的光。因此，入口 20b’可以布置在鄰近的發(fā)射相同波長的亞像素之間的中心部分。
[0062]再次參考圖5，將中間層30布置在第一電極10上(在第一開口 20a中)并在入口 20b’中。在某些實施方案中，第一距離pi與第二距離p2相同，從而在X軸方向產(chǎn)生亞像素的相同間距。因此，當使用噴墨印刷方法形成中間層30時，墨可以以恒定間距分配在襯底上。還可以在特定方向(例如，X軸方向)由噴墨頭分配墨。因此，形成具有恒定間距的中間層30，并且布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間。
[0063]為了增加顯示裝置的分辨率，可能需要降低鄰近的第一電極10之間的距離。因為入口 20b’布置在鄰近的第一電極10之間的空間中，所以降低的距離(在鄰近的第一電極10之間)可以當形成入口 20b’時導(dǎo)致工藝挑戰(zhàn)。例如，當鄰近的第一電極10之間的距離降低且入口 20b’的深度hi大于像素限定層20的厚度h2的1/2時，可能使形成入口 20b’變得更難。因此，在某些實施方案中，深度hi可以優(yōu)選小于厚度h2的約1/2。
[0064]然而，在某些實施方案中，如果深度hi小于厚度h2的約1/4，則入口 20b’可能過淺。因此，當將墨(用于形成中間層30)分配入過淺的入口 20b’時，墨可以從入口 20b’溢出。因此，在某些實施方案中，入口 20b’的深度hi可以優(yōu)選為像素限定層20的厚度h2的約1/4至約1/2。
[0065]如圖5所示，對電極40布置在中間層30和像素限定層20上?？梢栽趫D4的襯底之上共形地布置對電極20。在某些實施方案中，對電極40可以選擇地布置在第一電極10的附近。在其他實施方案中，對電極40可以布置在整個襯底之上。
[0066]參考圖6，像素限定層20包括多個如前所述的第一開口 20a和入口 20b’。第一開口 20a暴露第一電極10的中心部分，并且入口 20b’布置在第一開口 20a之間。每一第一電極10對應(yīng)于亞像素，并且在X軸方向中沿相同行布置的亞像素可以發(fā)射相同波長的光。入口 20b’可以選擇性地布置在鄰近的發(fā)射相同波長的亞像素之間。如圖6所示，入口 20b’可以選擇性地布置在X軸方向的鄰近亞像素之間。與圖3的實施方案類似，圖6的入口 20b’未布置在y軸方向的鄰近亞像素之間(未示出)。
[0067]因此，在圖6的實施方案中，入口 20b’布置在鄰近的發(fā)射相同波長的亞像素之間。如前所述，第一距離Pl與第二距離P2相同，從而在X方向軸方向產(chǎn)生亞像素的相同間距。因此，當使用噴墨印刷方法形成中間層30時，墨可以以相同間距(對應(yīng)于亞像素的間距)分配到襯底上，從而形成具有恒定間距的中間層30。還可以在單一方向(例如，沿X軸方向)由噴墨頭分配墨。通過在相同方向中以恒定間距分配墨，可以實現(xiàn)更穩(wěn)定且可控的噴墨印刷工藝，其使諸如墨污跡的工藝缺陷最小化。
[0068]接下來，描述制造圖1至3的有機發(fā)光顯示裝置的方法。
[0069]參考圖1，在襯底(未示出)上形成多個第一電極10和像素限定層20?？梢酝ㄟ^在襯底上沉積和構(gòu)圖透明電極或反射電極來形成第一電極10?？梢酝ㄟ^在第一電極10和襯底上沉積和構(gòu)圖有機絕緣層來形成像素限定層20。
[0070]每一第一電極10對應(yīng)于亞像素。像素限定層20包括在像素限定層20中形成的多個第一開口 20a和第二開口 20b。第一開口 20a暴露至少部分的第一電極10,包括第一電極10的中心部分在內(nèi)。第二開口 20b至少暴露襯底的上表面。
[0071]如前所述，第二開口 20b可以選擇性地形成在X軸方向的鄰近的發(fā)射相同波長的亞像素之間，并且可以不形成在y軸方向的鄰近的發(fā)射不同波長的亞像素之間。
[0072]接下來，參考圖2,在第一電極10 (在第一開口 20a中)和襯底的暴露表面(在第二開口 20b中)上形成中間層30。可以使用噴墨印刷工藝，通過將墨(用于形成中間層30)分配到第一電極10上并分配到第二開口 20b中，從而形成中間層30。中間層30可以在顯示裝置上形成為島形像素。
[0073]如先前參考圖3所述，第一距離dl與第二距離d2相同，從而產(chǎn)生亞像素的相同間距。因此，當使用噴墨印刷方法形成中間層30時，墨可以在單一方向中以恒定間距被分配到襯底上。因此，形成具有恒定間距的中間層30，并且布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間。
[0074]參考圖2，在中間層30和像素限定層20上布置對電極40。如圖2所示，可以形成對電極40以基本填充第二開口 20b。
[0075]接下來，描述制造圖4至6的有機發(fā)光顯示裝置的方法。
[0076]參考圖4，在襯底(未示出)上形成多個第一電極10和像素限定層20?？梢酝ㄟ^在襯底上沉積和構(gòu)圖透明電極或反射電極來形成第一電極10?？梢酝ㄟ^在第一電極10和襯底上沉積和構(gòu)圖有機絕緣層來形成像素限定層20。
[0077]每一第一電極10對應(yīng)于亞像素。像素限定層20包括在像素限定層20中形成的多個第一開口 20a和入口 20b’。第一開口 20a暴露至少部分的第一電極10，包括第一電極10的中心部分在內(nèi)。入口 20b’在鄰近的第一開口 20a之間形成。如圖4所示，入口 20b’在像素限定層20的上表面中形成腔(具有深度hi)?？梢孕纬珊穸扔缮疃萮2定義的像素限定層20。在某些實施方案中，可以形成的入口 20b’的深度hi為像素限定層20的厚度h2的約1/4至約1/2。
[0078]在某些實施方案中，入口 20b’和第一入口 20a可以在構(gòu)圖像素限定層20期間同時形成。在那些實施方案中，可以使用半色調(diào)掩?；颡M縫掩模來形成入口 20b’和第一開口20a。在某些其他實施方案中，可以使用多于一個的工藝步驟來依次形成入口 20b’和第一開口 20a。
[0079]如前所述，入口 20b’可以選擇性地形成在X軸的鄰近的發(fā)射相同波長的亞像素之間，并且可以不形成在鄰近的發(fā)射不同波長的亞像素之間。
[0080]接下來，參考圖5，將中間層30形成在第一電極10上(在第一開口 20a中)并在入口 20b’中。可以使用噴墨印刷工藝，通過將墨(用于形成中間層30)分配到第一電極10上并分配到入口 20b’中，從而形成中間層30。中間層30可以在顯示裝置上形成為島形像素。
[0081 ] 如先前參考圖6所述，第一距離PI與第二距離p2相同，從而產(chǎn)生亞像素的相同間距。因此，當使用噴墨印刷方法形成中間層30時，墨可以在單一方向中以恒定間距被分配到襯底上。因此，形成具有恒定間距的中間層30，并且布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間。
[0082]接下來，在中間層30和像素限定層20上形成對電極40。如圖5所示，在圖4的結(jié)構(gòu)之上共形地形成對電極40。
[0083]圖7示出本發(fā)明構(gòu)思的其他實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0084]參考圖7，有機發(fā)光顯示裝置包括布置在襯底100上的各種部件。襯底100可以由透光材料、例如玻璃、塑料或透明金屬材料形成。
[0085]如圖7所示，緩沖層102布置在襯底100上。半導(dǎo)體層103布置在部分緩沖層102上。柵極絕緣層104布置在緩沖層102和半導(dǎo)體層103上。柵電極105布置于直接在半導(dǎo)體層103之上的柵極絕緣層104上。中間絕緣層108布置在柵極絕緣層104和柵電極105上。通過在柵極絕緣層104和中間絕緣層108上蝕刻穿孔(以暴露部分半導(dǎo)體層103)并用導(dǎo)電材料填充穿孔，從而形成源電極106和漏電極107。半導(dǎo)體層103、柵電極105、源電極106和漏電極107共同構(gòu)成薄膜晶體管(TFT)。鈍化層110布置在中間絕緣層108和源電極/柵電極106/107上。平整層112布置在保護層110上以提供頂部平整的表面。
[0086]緩沖層102可以以單層或多層結(jié)構(gòu)形成。緩沖層102可以包括氮化硅或氧化硅。
[0087]柵電極105、源電極106和漏電極107可以包括以下金屬至少之一:鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)或銅(Cu)。柵電極105、源電極106和漏電極107中每一個可以以單層或多層結(jié)構(gòu)形成。
[0088]柵極絕緣層104、中間絕緣層108和鈍化層110可以包括無機絕緣材料(例如Si02、SiNx、S1N, Al2O3' Ti02、Ta2O5' HfO2, ZrO2, BST、PZT 或其他類似材料)。
[0089]平整層112可以在襯底100的整個表面之上形成。平整層112可以由無機絕緣材料形成。
[0090]有機發(fā)光裝置(OLED)布置在平整層112上。OLED包括第一電極10 (像素電極)、像素限定層20、中間層30和對電極40。
[0091 ] 中間層30可以以布置在第一電極10和對電極40之間的多層結(jié)構(gòu)形成。中間層30可以包括發(fā)光層。中間層30還可以布置在第一電極10之外的區(qū)域。例如，如圖7所示，中間層30可以布置在像素限定成20的腔中。腔可以對應(yīng)于例如圖4和5所示的入口 20b’。
[0092]第一電極10與TFT通過在平整層112和鈍化層110中蝕刻的導(dǎo)通孔而電連接。像素限定層20布置在平整層112和第一電極10上，并且包括限定第一電極10的像素區(qū)域的開口。在某些實施方案中，像素限定層20可以包括第一開口 20a和入口 20b’，如圖4至6所示。在其他實施方案中，像素限定層20可以包括第一開口 20a和第二開口 20b，如圖1至3所示。
[0093]應(yīng)理解的是，上述實施方案僅為例示的，并不應(yīng)解釋為限定本發(fā)明的理念。
[0094]盡管已經(jīng)參考示例性實施方案描述了本發(fā)明構(gòu)思，但本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解可以在不背離本公開的精神和范圍的情況下對所述實施方案進行各種改變。
【權(quán)利要求】
1.有機發(fā)光顯示裝置，其包括: 多個第一電極，其中每一第一電極對應(yīng)于亞像素； 像素限定層，其包括暴露至少部分所述第一電極的多個第一開口和布置在所述像素限定層的上表面上的多個入口； 中間層，其布置在所述第一電極的暴露部分上并在所述入口中；以及 對電極，其布置在所述中間層和所述像素限定層上， 其中所述入口選擇性地布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間省略所述入口。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中第一距離對應(yīng)于布置在第一開口處的中間層的兩個鄰近液滴的各中心之間的距離，第二距離對應(yīng)于從布置在所述第一開口處的中間層的最邊緣的液滴的中心到在入口排出的中間層的最鄰近液滴的中心的距離，并且所述第一距離基本等于所述第二距離。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中入口的深度為所述像素限定層的厚度的1/4至1/2。
5.有機發(fā)光顯示裝置，包括: 多個第一電極，其中每一第一電極對應(yīng)于亞像素； 像素限定層，其包括暴露至少部分所述第一電極的多個第一開口和暴露至少部分襯底的多個第二開口； 中間層，其布置在所述第一電極和所述襯底的暴露部分上；以及 對電極，其布置在所述中間層和所述像素限定層上， 其中所述第二開口選擇性地布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間省略所述第二開口。
7.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中第一電極對應(yīng)于從第二開口的中心到最鄰近的第一電極的中心的距離，第二距離對應(yīng)于從第二開口的中心到另一最鄰近的第一電極的中心的距離，并且所述第一距離基本等于所述第二距離。
8.制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，其包括: 形成多個第一電極，其中每一第一電極對應(yīng)于亞像素； 形成包括多個第一開口的像素限定層，其中所述第一開口暴露至少部分所述第一電極； 在所述第一電極的暴露部分上形成中間層；以及 在所述中間層和所述像素限定層上形成對電極。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其還包括: 在所述像素限定層的上表面上形成多個入口 ；以及 在所述第一電極的暴露部分上并在所述入口中形成中間層， 其中所述入口選擇性地形成在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間省略所述入口。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中第一距離對應(yīng)于布置在第一開口處的中間層的兩個鄰近液滴的各中心之間的距離，第二距離對應(yīng)于從布置在所述第一開口處的中間層的最邊緣的液滴的中心到在入口排出的中間層的中間鄰近液滴的中心的距離，并且所述第一距離基本等于所述第二距離。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述像素限定層還包括在相同工藝步驟中形成所述第一開口和所述入口。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，其還包括: 在所述像素限定層中形成多個第二開口以暴露至少部分的襯底；以及 在所述第一電極和所述襯底的暴露部分上形成中間層， 其中所述第二開口選擇性地布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間省略所述第二開口。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中第一電極對應(yīng)于從第二開口的中心到最鄰近的第一電極的中心的距離，第二距離對應(yīng)于從第二開口的中心到另一最鄰近的第一電極的中心的距離，并且所述第一距離基本等于所述第二距離。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述像素限定層還包括在相同工藝步驟中形成所述第一開口和所述第二開口。
17.如權(quán)利要求8所述的方法，其還包括使用噴墨印刷工藝形成所述中間層。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中形成所述中間層還包括以恒定間距將墨分配在所述第一電極的暴露部分上和多個入口內(nèi)，其中所述入口形成在所述像素限定層的上表面上。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中形成所述中間層還包括以恒定間距將墨分配在所述第一電極的暴露部分和襯底上，其中通過在所述像素限定層中形成的多個第二開口來暴露部分所述襯底。
【文檔編號】H01L21/77GK104282712SQ201410140490
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年4月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月1日
【發(fā)明者】姜侖昊 申請人:三星顯示有限公司