有機發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種有機發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法和顯示裝置，以增大顯示裝置的色域，提升顯示品質(zhì)。有機發(fā)光二極管陣列基板，包括基板和位于基板上且陣列排布的多個微腔有機發(fā)光二極管，其中：至少一個微腔有機發(fā)光二極管的發(fā)光面與基板平面具有夾角。在本發(fā)明技術(shù)方案中，至少一個微腔有機發(fā)光二極管的發(fā)光面與基板平面具有夾角，可以減小微腔的光學(xué)腔長，改變像素的色坐標(biāo)值，使像素顏色加深，從而使顯示裝置的色域增大，顯示色彩更加艷麗，顯示品質(zhì)大大提升。
【專利說明】有機發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種有機發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機發(fā)光二極管，簡稱 0LED)自 1987 年報道以來，至今已經(jīng)取得了迅猛的發(fā)展，現(xiàn)在已成為全彩色平板顯示的一個新興領(lǐng)域，其材料和器件結(jié)構(gòu)都得到了蓬勃的發(fā)展。上世紀(jì)90年代起，人們開始對Fabry-Perot (F-P)微腔頂發(fā)射OLED器件進(jìn)行研究，通常采用反射率高達(dá)99.9%的分布式布拉格反射層或反射率大于95%的金屬層，與反射率較前兩者更小的薄金屬層作為發(fā)光二極管的兩個電極，各有機功能層夾在兩個電極之間形成微腔結(jié)構(gòu)，微腔結(jié)構(gòu)可以提高發(fā)光層發(fā)出的光出射到空氣中的比例，即提高器件的外量子效率，此外，發(fā)光材料的發(fā)射光譜半高寬也得到減小，發(fā)出的光顏色更加純正。
[0003]如圖1所示，現(xiàn)有微腔頂發(fā)射OLED顯示裝置的陣列基板的截面結(jié)構(gòu)中，各顏色微腔頂發(fā)射0LED2形成于基板I的平面之上。目前，深色發(fā)光材料制成的器件效率水平還比較低，其壽命更是遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有達(dá)到應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)，故在顯示裝置中應(yīng)用受到限制，OLED顯示裝置的色域無法取得進(jìn)一步增大，顯示品質(zhì)的提升受限。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實施例提供了一種有機發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法和顯示裝置，以增大顯示裝置的色域，提升顯示品質(zhì)。
[0005]本發(fā)明實施例提供的有機發(fā)光二極管陣列基板，包括基板和位于所述基板上且陣列排布的多個微腔有機發(fā)光二極管，其中:
[0006]至少一個微腔有機發(fā)光二極管的發(fā)光面與基板平面具有夾角。
[0007]在本發(fā)明技術(shù)方案中，至少一個微腔有機發(fā)光二極管的發(fā)光面與基板平面具有夾角可以減小微腔的光學(xué)腔長，改變像素的色坐標(biāo)值，使像素顏色加深，從而使顯示裝置的色域增大，顯示色彩更加艷麗，顯示品質(zhì)大大提升。
[0008]優(yōu)選的，所述基板對應(yīng)至少一種顏色的微腔有機發(fā)光二極管的基底面為斜坡面。該方案可增大顯示裝置的整體色域，進(jìn)一步提升顯示品質(zhì)，并且，有機發(fā)光二極管的制作工藝簡化，工藝可控性好，從而提高產(chǎn)品品質(zhì)和生產(chǎn)率。
[0009]優(yōu)選的，所述斜坡面的根部與列方向平行，且行方向上顏色相同的相鄰兩個微腔有機發(fā)光二極管所對應(yīng)的斜坡面傾斜方向相反；或者
[0010]所述斜坡面的根部與行方向平行，且列方向上顏色相同的相鄰兩個微腔有機發(fā)光二極管所對應(yīng)的斜坡面傾斜方向相反。
[0011]相比于現(xiàn)有技術(shù)，該設(shè)計在增大顯示裝置色域的同時，不僅不會減小顯示裝置水平或者垂直方向的視角范圍，還能夠進(jìn)一步增大在該方向上的視角范圍。[0012]優(yōu)選的，所述斜坡面的坡度角不大于40度。當(dāng)斜坡面的坡度角不大于40度，即微腔有機發(fā)光二極管的傾斜角度不大于40度時，顯示裝置色域的增大較為明顯，能夠使顯示裝置的顯示品質(zhì)明顯提升。
[0013]可選的，所述斜坡面為所述基板的楔形凸起的坡面，或者，所述斜坡面為所述基板的楔形凹陷的坡面。
[0014]較佳的，所述基板包括襯底板和位于所述襯底板上的圖形層，所述斜坡面形成于所述圖形層；或者
[0015]所述基板包括襯底板，所述斜坡面形成于所述襯底板。
[0016]通過刻蝕工藝形成圖形層，從而形成楔形凸起或楔形凹陷，加工工藝簡便，成本較低,此外,也可以通過改良襯底板形成斜坡面。
[0017]可選的，所述斜坡面的坡度角大于40度，每相鄰兩個斜坡面組成倒V形且對應(yīng)相同顏色的微腔有機發(fā)光二極管。該方案不僅可以增大顯示裝置的色域，而且可以利用像素間的遮擋作用，將陣列基板應(yīng)用于具有雙視功能的顯示裝置，陣列基板的應(yīng)用靈活性大大增加。
[0018]優(yōu)選的，所述斜坡面的坡度角為60度。該方案可以使雙視顯示裝置在任一方向觀看時，開口率和分辨率與現(xiàn)有技術(shù)保持一致。
[0019]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括前述任一技術(shù)方案所述的有機發(fā)光二極管陣列基板，顯示裝置的色域較大，顯示色彩更加艷麗，顯示品質(zhì)大大提升。
[0020]本發(fā)明實施例還提供了一種有機發(fā)光二極管陣列基板的制作方法，包括:
[0021]在基板上形成陣列排布的多個微腔有機發(fā)光二極管，其中，至少一個微腔有機發(fā)光二極管的發(fā)光面與基板平面具有夾角。
[0022]通過該方法所制作的有機發(fā)光二極管陣列基板應(yīng)用于顯示裝置中，能夠使顯示裝置的色域增大，顯示色彩更加艷麗，顯示品質(zhì)大大提升。
[0023]優(yōu)選的，所述在基板上形成陣列排布的多個微腔有機發(fā)光二極管，具體包括:
[0024]在襯底板上形成圖形層，所述圖形層對應(yīng)至少一個微腔有機發(fā)光二極管的位置具有斜坡面；
[0025]形成位于所述圖形層之上的微腔有機發(fā)光二極管。
[0026]具體的，所述在襯底板上形成圖形層，具體包括:
[0027]在襯底板上形成圖形材料層；
[0028]刻蝕所述圖形材料層，形成與至少一個微腔有機發(fā)光二極管位置相對的楔形凸起或楔形凹陷。
[0029]可選的，所述在基板上形成陣列排布的多個微腔有機發(fā)光二極管，具體包括:
[0030]在襯底板之上形成微腔有機發(fā)光二極管,所述襯底板對應(yīng)至少一個微腔有機發(fā)光二極管的位置具有斜坡面。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1為現(xiàn)有OLED陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中藍(lán)光器件的色坐標(biāo)隨水平視角變化的光學(xué)特性曲線圖；
[0033]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中藍(lán)光器件的亮度隨水平視角變化的光學(xué)特性曲線圖；[0034]圖4為本發(fā)明第一實施例OLED陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖5為本發(fā)明第二實施例OLED陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖6為本發(fā)明第三實施例OLED陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖7為本發(fā)明第四實施例OLED陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖8為本發(fā)明第五實施例OLED陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖9為本發(fā)明實施例OLED陣列基板的制作方法流程示意圖。
[0040]附圖標(biāo)記:
[0041]1-基板；2_微腔OLED ;3_斜坡面；4_楔形凸起；5_楔形凹陷；
[0042]6_襯底板；7_圖形層。
【具體實施方式】
[0043]為了增大顯示裝置的色域，提升顯示品質(zhì)，本發(fā)明實施例提供了一種有機發(fā)光二極管(以下0LED)陣列基板及其制作方法和顯示裝置。在本發(fā)明技術(shù)方案中，至少一個微腔OLED的發(fā)光面與基板平面具有夾角可以減小微腔的光學(xué)腔長，改變像素的色坐標(biāo)值，使像素顏色加深，從而使顯示裝置的色域增大，顯示色彩更加艷麗，顯示品質(zhì)大大提升。
[0044]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，以下舉實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0045]如圖4所示，本發(fā)明實施例提供的OLED陣列基板，包括基板I和位于基板I上且陣列排布的多個微腔0LED2，其中:
[0046]至少一個微腔0LED2的發(fā)光面與基板I平面具有夾角。
[0047]微腔0LED2的具體類型不限，例如可以為頂發(fā)射型微腔OLED(從OLED的頂部電極出光)，也可以為底發(fā)射型微腔OLED (從OLED的底部電極出光)。多個微腔OLED包括紅光器件、綠光器件和藍(lán)光器件，分別對應(yīng)紅像素、綠像素和藍(lán)像素。
[0048]在現(xiàn)有技術(shù)中，微腔OLED相對基板平面平行設(shè)置，微腔OLED的發(fā)光面也與基板平面平行，當(dāng)視角與顯示裝置的直視方向呈一定水平夾角時，由于微腔的光學(xué)腔長減小，像素的顏色會加深，光的顏色更加純正?；谠撛?，當(dāng)至少一個微腔OLED的發(fā)光面與基板平面具有夾角時，從直視方向上觀看，這些像素的顏色會加深，從而使得顯示裝置的色域有所提聞。
[0049]使微腔0LED2的發(fā)光面與基板I平面具有夾角的實現(xiàn)方式不限，可以在基板上形成斜坡面，微腔OLED制作于斜坡面時，其發(fā)光面與基板平面之間具有夾角；也可以在基板平面上形成發(fā)光面傾斜設(shè)置的微腔OLED。
[0050]優(yōu)選的，基板I對應(yīng)至少一種顏色的微腔0LED2的基底面為斜坡面3。該方案可增大顯示裝置的整體色域，進(jìn)一步提升顯示品質(zhì)，并且，OLED的制作工藝簡化，工藝可控性好，從而提聞廣品品質(zhì)和生廣率。
[0051]以藍(lán)光器件為例，圖2為現(xiàn)有微腔OLED顯示裝置中藍(lán)光器件的亮度隨水平視角變化的光學(xué)特性曲線圖，圖3為藍(lán)光器件的色坐標(biāo)(即CIE坐標(biāo))隨水平視角變化的光學(xué)特性曲線圖。從圖中可以看出，隨著水平視角的增大，藍(lán)光器件的亮度比直視觀看時有所下降，但藍(lán)光器件的X色坐標(biāo)值逐漸增加，y色坐標(biāo)值逐漸減小，因此，與直視方向呈一定夾角觀看藍(lán)像素，藍(lán)像素的顏色會加深，趨向于深藍(lán)色，光的顏色更加純正。綠光器件和紅光器件色坐標(biāo)的變化與此同理。本發(fā)明正是利用這種光學(xué)效應(yīng)，改變微腔OLED的空間結(jié)構(gòu)，使得直視方向觀看像素時像素的色坐標(biāo)相對現(xiàn)有技術(shù)改變，從而可以觀看到更加艷麗的色彩。
[0052]在本發(fā)明的一實施例中，基板對應(yīng)一種顏色(例如藍(lán)色)的微腔OLED的基底面為斜坡面，此時，在直視方向觀看顯示裝置時，該顏色像素的顏色會加深，色域增大?？梢岳斫獾模?dāng)基板對應(yīng)兩種顏色(例如藍(lán)色和綠色)的微腔OLED的基底面為斜坡面時，在直視方向觀看顯示裝置，這兩種顏色像素的顏色會加深，色域增大；當(dāng)基板對應(yīng)紅色、綠色和藍(lán)色的微腔OLED的基底面為斜坡面時，在直視方向觀看顯示裝置，各顏色像素的顏色均會加深，顯示色彩更加艷麗。
[0053]在本發(fā)明技術(shù)方案中，至少一個微腔0LED2的發(fā)光面與基板I平面具有夾角可以減小微腔的光學(xué)腔長，改變像素的色坐標(biāo)值，使像素顏色加深，從而使顯示裝置的色域增大，顯示色彩更加艷麗，顯示品質(zhì)大大提升。
[0054]從圖2中可以看出，水平視角小于40度時，藍(lán)光器件色坐標(biāo)的變化較為明顯，因此，優(yōu)選的，斜坡面3的坡度角不大于40度，即微腔0LED2的傾斜角度不大于40度，此時，顯示裝置色域的增大較為明顯，能夠使顯示裝置的顯示品質(zhì)明顯提升。
[0055]如圖4所示，斜坡面3的根部與列方向平行，且行方向上顏色相同的相鄰兩個微腔0LED2所對應(yīng)的斜坡面3傾斜方向相反。相比于現(xiàn)有技術(shù)，該設(shè)計在增大顯示裝置色域的同時，不僅不會減小顯示裝置水平方向的視角范圍，還能夠進(jìn)一步增大水平方向的視角范圍。例如，現(xiàn)有技術(shù)微腔OLED顯示裝置的視角范圍為-75度至75度，本發(fā)明實施例斜坡面的坡度角Θ為15度，則采用本發(fā)明實施例結(jié)構(gòu)的陣列基板后，顯示裝置的視角范圍增大為-90度至90度。
[0056]在本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例中，斜坡面的根部與行方向平行，且列方向上顏色相同的相鄰兩個微腔OLED所對應(yīng)的斜坡面傾斜方向相反。與圖4所示實施例的原理類似，該設(shè)計在增大顯示裝置色域的同時，不僅不會減小顯示裝置垂直方向的視角范圍，還能夠進(jìn)一步增大在垂直方向上的視角范圍。
[0057]可選的，斜坡面為基板的楔形凹陷的坡面，或者，斜坡面為基板的楔形凸起的坡面。
[0058]如圖6和圖7所示，基板I可以采用多層結(jié)構(gòu)，基板I包括襯底板6和位于襯底板6上的圖形層7，斜坡面3形成于圖形層7。例如，如圖6所示，通過刻蝕沉積于襯底板6上的圖形材料層，形成具有楔形凹陷5的圖形層7 ;再例如，如圖7所示，通過刻蝕沉積于襯底板6上的圖形材料層，使襯底板6上僅留下楔形凸起4組成的圖形層7。通過刻蝕工藝形成楔形凹陷5或楔形凸起4，加工工藝簡便，成本較低。圖形層7的材質(zhì)可以為二氧化硅、氮化硅等等，其具體厚度可結(jié)合斜坡面3的坡度角、發(fā)光器件的尺寸規(guī)格以及相關(guān)經(jīng)驗來確定。
[0059]襯底板6的具體材質(zhì)不限，例如可以為玻璃基板、樹脂基板等等。如圖4所示，可以利用微結(jié)構(gòu)技術(shù)改良襯底板，使襯底板6對應(yīng)微腔0LED2的位置具有楔形凹陷5，楔形凹陷5的坡面作為制作發(fā)光器件的基底面；或者如圖5所示，使襯底板6對應(yīng)微腔0LED2的位置具有楔形凸起4，楔形凸起4的坡面作為制作發(fā)光器件的基底面。
[0060]如圖8所示，在該實施例中，斜坡面3的坡度角大于40度，每相鄰兩個斜坡面3組成倒V形且對應(yīng)相同顏色的微腔0LED2。
[0061]該方案不僅可以增大顯示裝置的色域，而且可以利用像素間的遮擋作用，將陣列基板應(yīng)用于具有雙視功能的顯示裝置，陣列基板的應(yīng)用靈活性大大增加。在進(jìn)行OLED蒸鍍時，高精度金屬掩模板(Fine Metal Mask，簡稱FMM)的一個條形結(jié)構(gòu)可以蒸鍍兩個斜坡面上的發(fā)光器件，蒸鍍工藝比較簡化。
[0062]如圖8所示，斜坡面3的坡度角具體為60度，即基板I上楔形凸起的截面形狀為等邊三角形。該方案可以使雙視顯示裝置在任一方向觀看時，開口率和分辨率與現(xiàn)有技術(shù)保持一致。該實施例中，等邊三角形的邊長為20微米，相鄰楔形凸起間距40微米，則在任一觀看方向的視角范圍為16度至60度。
[0063]本發(fā)明實施例還提供了一種OLED陣列基板的制作方法，具體包括:
[0064]在基板上形成陣列排布的多個微腔0LED，其中，至少一個微腔OLED的發(fā)光面與基板平面具有夾角。
[0065]通過該方法所制作的OLED陣列基板應(yīng)用于顯示裝置中，能夠使顯示裝置的色域增大，顯示色彩更加艷麗，顯示品質(zhì)大大提升。
[0066]如圖9所示，本發(fā)明一實施例的OLED陣列基板的制作方法，包括:
[0067]步驟101、在襯底板上形成圖形層，圖形層對應(yīng)至少一個微腔OLED的位置具有斜坡面；
[0068]步驟102、形成位于圖形層之上的微腔OLED。
[0069]微腔OLED通過蒸鍍工藝制作形成，斜坡面作為蒸鍍工藝的基底面。通過該方法所制作的OLED陣列基板應(yīng)用于顯示裝置中，能夠使顯示裝置的色域增大，顯示色彩更加艷麗，顯示品質(zhì)大大提升。
[0070]具體的，步驟101可具體包括:
[0071]在襯底板上形成圖形材料層；
[0072]刻蝕圖形材料層，形成與至少一個微腔OLED位置相對的楔形凸起或楔形凹陷。
[0073]通過刻蝕沉積于襯底板上的圖形材料層，使襯底板上僅留下楔形凸起組成的圖形層，或者通過刻蝕沉積于襯底板上的圖形材料層，形成具有楔形凹陷的圖形層。通過刻蝕工藝形成楔形凸起或楔形凹陷，加工工藝簡便，成本較低。
[0074]在一個可選的實施例中，在基板上形成陣列排布的多個微腔0LED，具體包括:在襯底板之上形成微腔0LED，襯底板對應(yīng)至少一個微腔OLED的位置具有斜坡面。該方案利用改良的襯底板，微腔OLED直接制作于襯底板之上。
[0075]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括前述任一技術(shù)方案的OLED陣列基板，顯示裝置的色域較大，顯示色彩更加艷麗，顯示品質(zhì)大大提升。顯示裝置的具體類型不限，例如可以為OLED顯示面板、OLED顯示器、OLED電視等等。
[0076]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，包括基板和位于所述基板上且陣列排布的多個微腔有機發(fā)光二極管，其中: 至少一個微腔有機發(fā)光二極管的發(fā)光面與基板平面具有夾角。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述基板對應(yīng)至少一種顏色的微腔有機發(fā)光二極管的基底面為斜坡面。
3.如權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述斜坡面的根部與列方向平行，且行方向上顏色相同的相鄰兩個微腔有機發(fā)光二極管所對應(yīng)的斜坡面傾斜方向相反；或者 所述斜坡面的根部與行方向平行，且列方向上顏色相同的相鄰兩個微腔有機發(fā)光二極管所對應(yīng)的斜坡面傾斜方向相反。
4.如權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述斜坡面的坡度角不大于40度。
5.如權(quán)利要求2~4任一項所述的有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述斜坡面為所述基板的楔形凸起的坡面，或者，所述斜坡面為所述基板的楔形凹陷的坡面。
6.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于， 所述基板包括襯底板和位于所述襯底板上的圖形層，所述斜坡面形成于所述圖形層；或者 所述基板包括襯底板，所述斜坡面形成于所述襯底板。
7.如權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述斜坡面的坡度角大于40度，每相鄰兩個斜坡面組成倒V形且對應(yīng)相同顏色的微腔有機發(fā)光二極管。
8.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述斜坡面的坡度角為60度。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1~8任一項所述的有機發(fā)光二極管陣列基板。
10.一種有機發(fā)光二極管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在基板上形成陣列排布的多個微腔有機發(fā)光二極管，其中，至少一個微腔有機發(fā)光二極管的發(fā)光面與基板平面具有夾角。
11.如權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成陣列排布的多個微腔有機發(fā)光二極管，具體包括: 在襯底板上形成圖形層，所述圖形層對應(yīng)至少一個微腔有機發(fā)光二極管的位置具有斜坡面； 形成位于所述圖形層之上的微腔有機發(fā)光二極管。
12.如權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底板上形成圖形層，具體包括: 在襯底板上形成圖形材料層； 刻蝕所述圖形材料層，形成與所述至少一個微腔有機發(fā)光二極管位置相對的楔形凸起或楔形凹陷。
13.如權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成陣列排布的多個微腔有機發(fā)光二極管，具體包括:在襯底板之上形成微腔有機發(fā)光二極管，所述襯底板對應(yīng)至少一個微腔有機發(fā)光二極管的位置具有斜坡面 。
【文檔編號】H01L27/32GK103996692SQ201410150514
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年4月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月15日
【發(fā)明者】馬文昱 申請人:京東方科技集團股份有限公司