微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法；所述方法包括如下步驟：對導電玻璃基板上TCO膜層激光刻劃，制造子電池；在TCO膜層上制備PIN電池膜層；激光刻劃PIN電池膜層；在PIN電池膜層上進行PVD順次沉積ZnO、鋁、銅鎳，得鍍膜層；激光刻劃鍍膜層后粘覆PET保護膜；在PET保護膜層激光打標并撕去打標區(qū)域的PET保護膜，在打標區(qū)域加錫引出正負極焊點，并通過切割和測試，得所述微型非晶硅薄膜太陽能電池片。本發(fā)明通過對器件結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝的改進，使制得的微型非晶硅薄膜太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率為7％～8％，較目前市面上普遍的6％～7％，提高了1％左右，且更適合應用于太陽能燈具、充電器等產(chǎn)品。
【專利說明】微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于太陽能應用【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]由于近年來出現(xiàn)的能源危機和人們對環(huán)境保護的日益重視，各國紛紛實施、推廣風能、太陽能、水能等綠色能源，其中太陽能作為人類取之不盡、用之不竭的能源而備受關(guān)注，一些國家對太陽能發(fā)電實施政府支持和補貼，從而推動太陽能發(fā)電技術(shù)的大規(guī)模開發(fā)和應用。非晶硅薄膜太陽能電池以其諸多優(yōu)勢，在太陽能應用領(lǐng)域受到了人們越來越多的關(guān)注。
[0003]大面積非晶硅薄膜太陽能片電池具有如下優(yōu)點:1)低成本:需要原材料是生產(chǎn)高純多晶硅過程中使用的硅烷，該氣體化學工業(yè)可大量供應，且十分便宜；2)能量返回期短:轉(zhuǎn)換效率為6%的非晶硅太陽能電池，其生產(chǎn)用電約1.9度電/瓦，由它發(fā)電后返回的時間約為1.5?2年，這是晶硅太陽能電池無法比擬的；3)適于大面積自動化生產(chǎn)；4)高溫性好；5)弱光響應好，充電效率高。而在大面積非晶硅薄膜太陽能電池產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)后，可以裁切成各種規(guī)格的微型非晶硅薄膜太陽能電池片，并廣泛應用于太陽能燈具、充電器、戶外背包等廣品。
[0004]然而，在國際金融危機和歐美對中國光伏產(chǎn)品雙反的嚴峻形勢下，再由于非晶硅薄膜太陽能電池片相對于晶硅太陽能電池片具有轉(zhuǎn)換效率低、衰減程度高的缺點，阻礙了非晶硅薄膜太陽能電池片的大規(guī)模推廣應用。因此，生產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率較高、衰減程度較低、成本更低廉，且又適合多方面應用的非晶硅薄膜太陽能電池片成為技術(shù)關(guān)鍵，同時也是目前研究的熱點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法。太陽能電池效率受材料、器件結(jié)構(gòu)以及生產(chǎn)工藝的影響，包括電池的光損失、材料的有限遷移率、復合損失、串聯(lián)電阻和旁路電阻損失等。對于一定的材料，電池結(jié)構(gòu)優(yōu)化與工藝的改進對提高效率起到重要作用。本發(fā)明正是通過對器件結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝的改進，使得制得的非晶硅薄膜太陽能電池片的效率為7%?8%，較目前市面上普遍的非晶硅薄膜太陽能電池效率6%?7%，提高了 1%左右；并可以通過切割得到各種規(guī)格的微型非晶硅薄膜太陽能電池片，廣泛應用于太陽能燈具、充電器、戶外背包等產(chǎn)品。
[0006]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:
[0007]本發(fā)明涉及一種微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法，所述方法包括如下步驟:
[0008]A、對導電玻璃基板上的TCO膜層激光刻劃，制造子電池；
[0009]B、在TCO膜層上制備PIN電池膜層；[0010]C、激光刻劃PIN電池膜層；
[0011]D、在PIN電池膜層上進行PVD順次沉積ZnO、鋁、銅鎳，得鍍膜層；
[0012]E、激光刻劃鍍膜層后粘覆PET保護膜；
[0013]F、在PET保護膜層激光打標并撕去打標區(qū)域的PET保護膜，在打標區(qū)域加錫引出正負極焊點，并通過切割和測試，得到各種規(guī)格的所述微型非晶硅薄膜太陽能電池片。
[0014]本發(fā)明采用激光劃刻TCO膜層、PIN電池膜層、鍍膜層，形成電池片，各電池片間相互串聯(lián)，其單個電池片的間距和有效發(fā)電區(qū)域內(nèi)的輸出電壓和輸出電流可調(diào)整。實際生產(chǎn)中，根據(jù)預設的規(guī)格電腦編程設計出相應的激光刻劃線間距，可以通過切割機在大面積非晶硅薄膜太陽能電池片的范圍內(nèi)切割出與激光刻劃線距相對應規(guī)格的微型非晶硅薄膜太陽能電池片。
[0015]優(yōu)選地，所述導電玻璃基板是采用在線CVD在玻璃基本上沉積參雜F的SnO2層，其厚度在800?lOOOnm。該玻璃基板的厚度為3.2mm。
[0016]優(yōu)選地，所述PIN電池層為通過PE-CVD法制備得到的單層PIN，制備方法具體如下:
[0017]制備P層，使用B(CH3)3、SiH4、CH4、Ar、H2氣體，沉積溫度178°C?182°C，功率密度15?19mW/cm2，氫稀釋比R為23?35，硅烷與甲烷流量比為10: I?1.35，沉積壓力為
0.8Torr，膜層厚度15?20nm ；
[0018]制備I層，使用SiH4、Ar、H2氣體，其中H2/SiH4比之R為19?21，沉積溫度178?182°C，功率密度18?21mW/cm2，沉積壓力為0.48Torr，膜層厚度200?400nm ；
[0019]制備N層，使用PH3> SiH4' Ar、H2氣體，其中H2/SiH4比之R為21?32，沉積溫度178°C?182°C，功率密度15?19mW/cm2，沉積壓力為0.8Torr，膜層厚度20?25nm。
[0020]優(yōu)選地，步驟D中，所述PVD沉積時，本底真空度(指未充氬氣的真空度)需小于等于2.5*10-6Torr，濺射真空度(指正常生產(chǎn)的真空度)需小于等于2*10_3Torr。
[0021]優(yōu)選地，所述步驟D得到的鍍膜層需要滿足的焊接性能如下:
[0022]a、300度恒溫烙鐵左右滑動15mm3次鍍層不能被熔化，不能看到鋁層(白色)
[0023]b、使用普通烙鐵在370±20度情況下模擬小片打標孔連續(xù)焊接5次不能看到鋁層；
[0024]c、單個點點焊3次后用細導線焊接并用拉力計拉，要求達到30N以上。
[0025]優(yōu)選地，所述步驟D得到的由玻璃基板、TCO膜、PIN電池膜層、鍍膜層依次組成的電池小片的方阻阻值在0.5?0.8歐姆，長邊短邊米電阻在3?4歐姆，方可進行步驟E的操作。
[0026]優(yōu)選地，步驟F中，所述切割具體為:根據(jù)預設的規(guī)格電腦編程設計出相應的激光刻劃線間距，通過切割機在大面積非晶硅薄膜太陽能電池片的范圍內(nèi)切割出與激光刻劃線距相對應規(guī)格的微型非晶硅薄膜太陽能電池片。
[0027]優(yōu)選地，步驟F中，所述測試具體為依次進行強光電壓、強光電流、弱光電壓測試；所述強光電壓要求在2?2.5萬光強條件下測試，所述強光電流要求在4.8?5.2萬光強條件下測試，所述弱光電壓要求在95?105光強條件測試。
[0028]優(yōu)選地，步驟F中，所述加錫時，單個點焊接速度小于0.8秒時，烙鐵溫度范圍為400?440度，單個點焊接速度大于等于0.8秒小于1.0秒時，烙鐵溫度范圍為360?400度。
[0029]優(yōu)選地，所述加錫的同時或加錫后的焊點可以焊上電源線，用于連接至應用產(chǎn)品的電路板上。
[0030]優(yōu)選地，步驟F中，所述測試操作后還包括掰片、外檢、翻片、外裝以及入庫工序。
[0031]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有的有益效果為:本發(fā)明通過對器件結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝的改進，使得制得的非晶硅薄膜太陽能電池片的效率為7%?8%，較目前市面上普遍的非晶硅薄膜太陽能電池片效率6%?7%，提高了 1%左右；并可以通過切割得到各種規(guī)格的微型非晶硅薄膜太陽能電池片，廣泛應用于太陽能燈具、充電器、戶外背包等產(chǎn)品。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
[0033]圖1為本發(fā)明的微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)流程示意圖；
[0034]圖2為生產(chǎn)過程中切割線與激光刻劃線的關(guān)系示意圖。
【具體實施方式】
[0035]下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明進行詳細說明。以下實施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應當指出的是，對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進。這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0036]實施例
[0037]本實施例涉及一種微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法，如圖1所示，所述方法包括如下步驟:
[0038]A、對導電玻璃基板磨邊、一次清洗，根據(jù)生產(chǎn)線預定的線距，對其上TCO膜層進行一次激光刻劃，將整板分為若干塊，作為若干個單體電池的電極。
[0039]B、二次清洗后，預熱，在TCO膜層上通過PECVD法制備單層PIN電池膜層；具體如下:
[0040]制備P層，使用B(CH3)3' SiH4' CH4、H2氣體，沉積溫度178。。?182 °C，功率密度15?19mW/cm2，氫稀釋比R為23?35，硅烷與甲烷流量比為10: I?1.35，沉積壓力為
0.8Torr，膜層厚度15?20nm ；
[0041]制備I層，使用SiH4' H2氣體，其中H2/SiH4比之R為19?21，沉積溫度178。。?182°C，功率密度18?21mW/cm2，沉積壓力為0.48T0rr，膜層厚度200?400nm ；
[0042]制備N層，使用PH3、SiH4、H2氣體，其中H2/SiH4比之R為21?32，沉積溫度178°C?182°C，功率密度15?19mW/cm2，沉積壓力為0.8Torr，膜層厚度20?25nm。
[0043]C、冷卻后，根據(jù)生產(chǎn)預定的線寬以及與一次激光切割線的線間距，二次激光刻劃PIN電池膜層，目的是讓背電極通過與前電極(TC0膜)相聯(lián)接，實現(xiàn)整板由若干個單體電池內(nèi)部串聯(lián)而成。
[0044]D、在PIN電池膜層上進行PVD順次沉積ZnO、鋁、銅鎳，形成背電極；PVD沉積工藝中，本底真空度(指未充氬氣的真空度)需小于等于2.5*10-6Torr，濺射真空度(指正常生產(chǎn)的真空度)需小于等于2*10-3Torr ;得到的鍍膜層需要滿足的焊接性能如下:
[0045]a、300度恒溫烙鐵左右滑動15mm3次鍍層不能被熔化，不能看到鋁層(白色)
[0046]b、使用普通烙鐵在370±20度情況下模擬小片打標孔連續(xù)焊接5次不能看到鋁層；
[0047]c、單個點點焊3次后用細導線焊接并用拉力計拉，要求達到30N以上。
[0048]該步驟中，在沉積鋁之前沉積一層ZnO，其目的在于提高本實施例的太陽能電池片的效率；沉積銅鎳的目的在于提高可焊接性能，做到即便導線被拉斷焊點都不會脫落，從而極大地提高本發(fā)明的微型非晶硅薄膜太陽能電池片的性能穩(wěn)定性和可靠性。
[0049]步驟D得到的由玻璃基板、TCO膜、PIN電池膜層、鍍膜層依次組成的電池小片的方阻阻值在0.5?0.8歐姆，長邊短邊米電阻在3?4歐姆，方可進行步驟E的操作；
[0050]E、根據(jù)預定的線寬以及與二次激光切割線的線間距，三次激光、四次激光刻劃鍍膜層形成相互獨立的部分，目的是將整個鍍膜層分成若干個單體電池的背電極，并實現(xiàn)若干個獨立的小片子電池；三次清洗；粘覆進口 PET保護膜；該PET保護膜耐高低溫(_45°C?250°C )，不變形，不脫落。
[0051]F、在玻璃表面打磨處理劃傷，激光打標并撕去打標區(qū)域的PET保護膜，在打標區(qū)域加錫引出正負極焊點；該焊點不用借助任何助焊劑可以直接使用普通烙鐵反復焊接，方便操作。
[0052]本發(fā)明采用激光劃刻TCO膜層、PIN電池膜層、鍍膜層，形成電池片，各電池片間相互串聯(lián)，其單個電池片的間距和有效發(fā)電區(qū)域內(nèi)的輸出電壓和輸出電流可調(diào)整。
[0053]激光打標具體操作如下:
[0054]1、檢查激光鏡頭上鏡頭蓋是否拿開，是否有異物，如有應及時拿開或清理；
[0055]2、檢查激光機的電、氣供應源是否正常，如無誤、打開激光機總電源盒空氣開關(guān)；
[0056]3、激光控制電腦、再打開激光控制電腦中的軟件，讓工作臺復位啟動；
[0057]4、待激光機開啟后15分鐘請勿對設備進行操作，15分鐘后，在控制軟件上編制各種圖形；
[0058]5、打標前按下激光操作臺上的FAN按鈕，讓洗塵風機啟動；
[0059]6、搬一片該規(guī)格的芯片放在工作臺上，并定位好后，按下吸氣按鈕；
[0060]7、啟動打標設備,開始在電池片上打相應的圖標,待打4-5個電池后,測量打標尺寸與效果，與標準對比是否相同，如果不同，需調(diào)整相關(guān)參數(shù)；
[0061]8、一切調(diào)整好后，再小心搬另外片在工作臺，按照打標流程:芯片定位-啟動打標-打標結(jié)束-搬下電池芯片工序進行操作；
[0062]加錫具體操作要求如下:
[0063]1、每2個小時檢查烙鐵溫度一次，烙鐵溫度要求如下:
[0064]單個點焊接速度大于等于0.8秒:烙鐵溫度范圍:360-400度；
[0065]單個點焊接速度小于0.8秒:烙鐵溫度范圍:400-440度；
[0066]2、跟蹤鍍膜可焊性(每個點0.8秒的速度)溫度范圍:390-410度；
[0067]3、焊點需要飽滿；不能有未填充滿或焊孔不良。
[0068]G、切割形成小片，經(jīng)過測試合格后進行掰片，外檢、翻片、包裝、入庫等后續(xù)操作。
[0069]所述切割具體為:根據(jù)預設的規(guī)格電腦編程設計出相應的激光刻劃線間距，通過切割機在大面積非晶硅薄膜太陽能電池片的范圍內(nèi)切割出與激光刻劃線距相對應規(guī)格的微型非晶硅薄膜太陽能電池片。其中，切割線與激光刻劃線的關(guān)系為:以30*30規(guī)格為例，第一道至第三道激光之間約0.2mm，且不能相交，第四道激光按設計絕緣寬度(假設絕緣寬度為Imm)進行橫向和豎向劃刻，形成方框，如圖2中所示，切割線偏移第四道激光線Imm左右的位置進行切割；從而實現(xiàn)在大面積非晶硅薄膜太陽能電池片的范圍內(nèi)切割出與激光刻劃線距相適應規(guī)格的微型非晶硅薄膜太陽能電池片。
[0070]切割時具體操作要求如下:
[0071]1、按生產(chǎn)訂單以及圖紙，確認產(chǎn)品規(guī)格以及絕緣線寬度；
[0072]2、用鋼尺量產(chǎn)品的外形尺寸以及絕緣線寬度與訂單以及圖紙是否一致；
[0073]3、確認規(guī)格型號正確后，將膜面向上負極邊朝下靠緊檔板，開啟吸風將電池板固定在切割機操作臺上；
[0074]4、量產(chǎn)品原點至X軸和Y軸第一條絕緣線的距離，并輸入機臺電腦程序中，開啟自動或手動切割機旋鈕，玻璃切割機開始切片，切至第一條線約IOmm時暫停，看切割線是否在相鄰產(chǎn)品絕緣線以內(nèi)且偏離中心正負0.3mm，若是則可繼續(xù)切割，若不是則需要通過調(diào)整直至符合上面所訴要求方可切割；
[0075]5、切割完畢后操作臺由吸氣改為吹氣，將電池板移出操作臺開始掰片；
[0076]6、按同一要求負極方向擺放在操作臺上，轉(zhuǎn)下道測試工序繼續(xù)加工。
[0077]掰片之前需進行測試，測試時需進行強光電壓、強光電流、弱光電壓測試。強光電壓要求在2至2.5萬光強條件下測試，強光電流要求在4.8-5.2萬光強條件下測試，弱光電壓要求在95-105光強條件測試，所有測試值按電性能測試表測試。
[0078]掰片時具體操作要求如下:
[0079]1、第一道掰片工序?qū)⑸系拦ば驕y試好的條狀產(chǎn)品掰成2-4小片連在一起的產(chǎn)品；
[0080]2、第二道掰片工序?qū)⑸系狸ば蜿玫漠a(chǎn)品掰成單個電池產(chǎn)品，并將電池玻璃面向上放置，且將用記號筆做過記號的產(chǎn)品取出來放在塑料盒里待修復；
[0081]3、對掰好的產(chǎn)品進行檢查，看是否有崩邊缺角斜邊等不良現(xiàn)象。
[0082]4、對合格的廣品進彳丁后道翻片工序，即將一片翻過來置在另一片上。
[0083]包裝時具體操作要求如下:
[0084]1、選擇對應尺寸的吸塑盒，將產(chǎn)品面對面兩片重疊后放置在吸塑盒的單個格子里；
[0085]2、單個吸塑盒放滿時再拿其他吸塑盒繼續(xù)放置，約20層時需到電子稱上稱一下重量，以免少層或少數(shù)；
[0086]3、待紙箱裝滿后用封裝膠帶封口，箱外要標注內(nèi)裝數(shù)量、規(guī)格和重量；即可。
[0087]本實施例中，導電玻璃基板可選用市購的導電玻璃基板；優(yōu)選在線CVD在玻璃基本上沉積參雜F的SnO2層，其厚度在800?lOOOnm。所述玻璃基板的厚度為3.2mm。
[0088]本發(fā)明經(jīng)過無數(shù)次的試驗偶爾發(fā)現(xiàn)，在玻璃基板上在線CVD在玻璃基本上沉積參雜F的SnQ2層，在有效地提高薄膜的電導率，改善薄膜特性的同時，玻璃基板的抗壓強度可提高至與5mm的玻璃基板相當；同時其光透射率遠高于5_的玻璃基板，從而實現(xiàn)了強度與效率的平衡。
[0089]本實施例中，由于本征I層是電池的核心部分，是光生載流子的產(chǎn)生與收集區(qū)；該區(qū)的厚度將直接影響電池的性能參數(shù)。在材料的光吸收系數(shù)和缺陷密度一定的條件下，合適的I層厚度是提高電池效率的關(guān)鍵。從另一方面來說，為了阻止S-W效應，一方面要減少a-Si: H材料中的S1-H鍵和0、N等雜質(zhì)污染，另一方面要適當減少i層厚度，增強內(nèi)建電場，從而減少光生載流子的復合，抑制電池特性的光致衰退效應。本發(fā)明通過對上述幾種因素的綜合考量，結(jié)合大量的試驗研究，確定I層厚度為200~400nm。同時，Ar稀釋可以起到氫稀釋的功效，從而可以降低硅薄膜電池的衰退影響；而合適的沉積工藝也可減少本征非晶硅膜層中的氫含量和缺陷態(tài)密度，使其形成穩(wěn)定的S1-Si鍵和S1-H鍵網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)，進一步降低了光衰減效應。本發(fā)明結(jié)合大量的試驗研究，確定出PECVD沉積工藝以及參數(shù)，從而使得本發(fā)明的微型非晶硅薄膜太陽能電池片的效率可達7 %~8 %。
[0090]按本實施例的工藝制得外形尺寸為30mmX30mmX3.2mm的QS30*30_3S的非晶硅太陽能電池，在鹵素燈光源，光強100LUX情況下測得其弱光性能Voc ≥ 0.3V，3萬LUX情況下強光性能Voc ≥ 2.1V，在正常使用條件下，3個月內(nèi)衰減≤ 20%。按本實施例的工藝制得外形尺寸為47mmX24mmX3.2mm的QS47*24_9D的非晶硅太陽能電池，在鹵素燈光源，光強iOOLUX情況下測得其弱光性能Voc≥1.8V，3萬LUX情況下強光性能Voc≥12.6V，在正常使用條件下，3個月內(nèi)衰減≤20%。
[0091]以上對本發(fā)明的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi) 容。
【權(quán)利要求】
1.一種微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟: A、對導電玻璃基板上的TCO膜層激光刻劃，制造子電池； B、在TCO膜層上制備PIN電池膜層； C、激光刻劃PIN電池膜層； D、在PIN電池膜層上進行PVD順次沉積ZnO、鋁、銅鎳，得鍍膜層； E、激光刻劃鍍膜層后粘覆PET保護膜； F、在PET保護膜層激光打標并撕去打標區(qū)域的PET保護膜，在打標區(qū)域加錫引出正負極焊點，經(jīng)切割和測試，即得所述微型非晶硅薄膜太陽能電池片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述導電玻璃基板是采用在線CVD在玻璃基本上沉積參雜F的SnO2層，其厚度在800~lOOOnm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述PIN電池層為通過PE-CVD法制備得到的單層PIN，制備方法具體如下: 制備P層，使用B( CH3)3' SiH4' CH4、H2氣體，沉積溫度178。。~182°C，功率密度15~19mW/cm2，氫稀釋比R為23~35，硅烷與甲烷流量比為10: I~1.35，沉積壓力為0.8Torr，膜層厚度15~20nm ； 制備I層，使用SiH4、H2氣體，其中H2/SiH4比之R為19~21，沉積溫度178。。~182°C,功率密度18~21mW/cm2，沉積壓力為0.48Torr，膜層厚度200~400nm ； 制備N層，使用PH3、SiH4, H2氣體，其中H2/SiH4比之R為21~32，沉積溫度178°C~182°C，功率密度15~19mW/cm2，沉積壓力為0.8Torr，膜層厚度20~25nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟D中，所述PVD沉積時，本底真空度小于等于2.5*10-6Torr，濺射真空度小于等于2*10-3Torr。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述步驟D得到的鍍膜層需要滿足的焊接性能如下: a、300度恒溫烙鐵左右滑動15_3次，鍍層不能被熔化，不能看到白色鋁層； b、使用普通烙鐵在370±20度情況下模擬小片打標孔連續(xù)焊接5次不能看到白色鋁層； C、單個點點焊3次后用細導線焊接并用拉力計拉，要求達到30N以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述步驟D得到的由玻璃基板、TCO膜、PIN電池膜層、鍍膜層依次組成的電池小片的方阻阻值在0.5~0.8歐姆，長邊短邊米電阻在3~4歐姆，方可進行步驟E的操作。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟F中，所述切割具體為:根據(jù)預設的規(guī)格電腦編程設計出相應的激光刻劃線間距，通過切割機在大面積非晶硅薄膜太陽能電池片的范圍內(nèi)切割出與激光刻劃線距相適應規(guī)格的微型非晶硅薄膜太陽能電池片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟F中，所述測試具體為依次進行強光電壓、強光電流、弱光電壓測試；所述強光電壓要求在2~2.5萬光強條件下測試，所述強光電流要求在4.8~5.2萬光強條件下測試，所述弱光電壓要求在95~105光強條件測試。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟F中，所述加錫時，單個點焊接速度小于0.8秒時，烙鐵溫度范圍為400~440度，單個點焊接速度大于等于0.8秒小于1.0秒時，烙鐵溫度范圍為360~400度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型非晶硅薄膜太陽能電池片的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟F中，所述測試操作后還 包括掰片、外檢、翻片、外裝以及入庫工序。
【文檔編號】H01L31/20GK103915529SQ201410153680
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年4月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月16日
【發(fā)明者】沙嫣, 沙曉林 申請人:沙嫣, 沙曉林