一種并行設(shè)備的吸附晶圓裝置及吸附晶圓的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種并行設(shè)備的吸附晶圓裝置及吸附晶圓的方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。該吸附晶圓裝置包括：廠務(wù)真空管路、設(shè)備真空管路、真空通道和吸盤(pán)，所述吸盤(pán)設(shè)置于所述真空通道的一端，所述廠務(wù)真空管路、設(shè)備真空管路和真空通道連通，所述設(shè)備真空管路的管路直徑大于或等于所述廠務(wù)真空管路的管路直徑。本發(fā)明通過(guò)改變?cè)O(shè)備真空管路的管路直徑，以及控制第二真空閥門的開(kāi)啟和關(guān)閉實(shí)現(xiàn)吸盤(pán)吸放晶圓的目的。第二真空閥門可以使工作人員近距離的觀察吸盤(pán)對(duì)晶圓的吸放情況，便于工作人員操作，從而提高設(shè)備利用率。第二真空閥門可以反復(fù)多次使用，而不會(huì)損壞，降低晶圓的破片率。
【專利說(shuō)明】—種并行設(shè)備的吸附晶圓裝置及吸附晶圓的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種并行(Multi site)設(shè)備的吸附晶圓(Wafer)裝置及吸附晶圓的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前Multisite設(shè)備中的吸盤(pán)(Chuck)吸放晶圓是人工手動(dòng)開(kāi)關(guān)廠務(wù)真空閥門I (如圖1所示)，實(shí)現(xiàn)吸放晶圓。在吸放晶圓的過(guò)程中，設(shè)備端真空開(kāi)關(guān)2處于失效狀態(tài)，通過(guò)控制廠務(wù)真空閥門I來(lái)實(shí)現(xiàn)吸附或釋放晶圓的目的。采用開(kāi)關(guān)廠務(wù)真空閥門I的這種方式存在的缺點(diǎn)有:由于廠務(wù)端真空壓力遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于設(shè)備廠商對(duì)于真空壓力的需求，從而致使該設(shè)備端真空開(kāi)關(guān)2切到開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)并不能放開(kāi)吸盤(pán)上的晶圓；由于廠務(wù)真空閥門I在機(jī)臺(tái)背面，因此工作人員無(wú)法觀察到，吸盤(pán)上晶圓吸放的情況，給晶圓的吸放帶來(lái)不便；廠務(wù)真空閥門I多次開(kāi)關(guān)會(huì)造成閥門的損壞，并且如果閥門未全部關(guān)閉或開(kāi)啟狀態(tài)，工作人員也無(wú)法直接觀察到，從而導(dǎo)致晶圓的破片。
[0003]中國(guó)專利(CN101635268B)公開(kāi)了一種改進(jìn)型半導(dǎo)體晶片真空夾持吸盤(pán)，包括吸盤(pán)、箱體座、電機(jī)、管路、電磁閥，所述吸盤(pán)的中部開(kāi)有圓槽，所述電機(jī)輸出端連接所述吸盤(pán)的夾持端，所述電機(jī)為普通電機(jī)，所述圓槽的中心位置開(kāi)有軸向盲孔，所述吸盤(pán)的夾持端中部徑向開(kāi)有一水平傾斜通孔，所述通孔與所述盲孔貫通，所述通孔內(nèi)裝有真空發(fā)生器，所述真空發(fā)生器的真空口連通所述盲孔，所述真空發(fā)生器的供氣口連通外部的壓縮空氣相連通，所述真空發(fā)生器的排氣口連通外界空氣。
[0004]該專利結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且設(shè)備成本低。但并沒(méi)有解決由于廠務(wù)端真空壓力遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于設(shè)備廠商對(duì)于真空壓力的需求，從而致使不能放開(kāi)吸盤(pán)上的晶圓的問(wèn)題。
[0005]中國(guó)專利(CN201868413U)公開(kāi)了一種吸附晶片裝置，該裝置設(shè)有機(jī)械手指、吸附槽，吸附槽與真空孔連通，吸附槽與真空孔均嵌入機(jī)械手指表面，真空孔與機(jī)械手指內(nèi)的真空通道連接，晶片放在機(jī)械手指上。
[0006]該專利設(shè)有透氣孔、E字吸附槽，通過(guò)設(shè)于真空孔旁連接的E字吸附槽加大對(duì)晶片的真空吸附力，同時(shí)增加透氣孔可減小晶片與手指接觸的阻力，可增大真空吸附力，增加晶片傳遞穩(wěn)定性。但并沒(méi)有解決由于廠務(wù)端真空壓力遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于設(shè)備廠商對(duì)于真空壓力的需求，從而致使不能放開(kāi)吸盤(pán)上的晶圓的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明為解決由于廠務(wù)端真空壓力遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于設(shè)備廠商對(duì)于真空壓力的需求，從而致使不能放開(kāi)吸盤(pán)上的晶圓的問(wèn)題，從而提供一種并行設(shè)備的吸附晶圓裝置及吸附晶圓的方法的技術(shù)方案。
[0008]本發(fā)明所述一種并行設(shè)備的吸附晶圓裝置，包括:廠務(wù)真空管路、設(shè)備真空管路、真空通道和吸盤(pán)，所述吸盤(pán)設(shè)置于所述真空通道的一端，所述廠務(wù)真空管路、設(shè)備真空管路和真空通道連通，所述設(shè)備真空管路的管路直徑大于或等于所述廠務(wù)真空管路的管路直徑。
[0009]優(yōu)選的，還包括:第一真空閥門，所述第一真空閥門設(shè)置于所述廠務(wù)真空管路上。
[0010]優(yōu)選的，還包括:第二真空閥門，所述第二真空閥門設(shè)置于所述設(shè)備真空管路上，用以控制所述吸盤(pán)對(duì)晶圓的吸放。
[0011]優(yōu)選的，所述第一真空閥門采用的材料為工程塑料。
[0012]優(yōu)選的，所述第二真空閥門采用的材料為不銹鋼材料。
[0013]一種吸附晶圓裝置吸附晶圓的方法，采用所述并行設(shè)備的吸附晶圓裝置，當(dāng)所述吸附晶圓裝置處于吸附晶圓狀態(tài)時(shí)，所述第一真空閥門處于常開(kāi)狀態(tài)，關(guān)閉所述第二真空閥門，所述真空通道內(nèi)的氣流吸力變大，晶圓被吸附于吸盤(pán)表面；當(dāng)所述吸附晶圓裝置處于未吸附晶圓狀態(tài)時(shí)，所述第一真空閥門處于常開(kāi)狀態(tài)，開(kāi)啟所述第二真空閥門，所述真空通道內(nèi)的氣流吸力變小，吸盤(pán)釋放所述晶圓。
[0014]本發(fā)明的有益效果:
[0015]本發(fā)明通過(guò)改變?cè)O(shè)備真空管路的管路直徑，以及控制第二真空閥門的開(kāi)啟和關(guān)閉實(shí)現(xiàn)吸盤(pán)吸放晶圓的目的。第二真空閥門可以使工作人員近距離的觀察吸盤(pán)對(duì)晶圓的吸放情況，便于工作人員操作，從而提高設(shè)備利用率。第二真空閥門可以反復(fù)多次使用，而不會(huì)損壞，降低晶圓的破片率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為現(xiàn)有的吸附晶圓裝置的不意圖；
[0017]圖2為本發(fā)明所述并行設(shè)備的吸附晶圓裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]附圖中:1.廠務(wù)真空閥門；2.設(shè)備端真空開(kāi)關(guān)；3.第一真空閥門；4.廠務(wù)真空管路；5.吸盤(pán)；6.真空通道；7.設(shè)備真空管路；8.第二真空閥門。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，但不作為本發(fā)明的限定。
[0020]如圖2所示，本發(fā)明提供一種并行設(shè)備的吸附晶圓裝置，包括:廠務(wù)真空管路4、設(shè)備真空管路7、真空通道6和吸盤(pán)5，吸盤(pán)5設(shè)置于真空通道6的一端，廠務(wù)真空管路4、設(shè)備真空管路7和真空通道6連通，設(shè)備真空管路7的管路直徑大于或等于廠務(wù)真空管路4的管路直徑。
[0021]本實(shí)施例中通過(guò)改變?cè)O(shè)備真空管路的管路直徑，以及控制吸盤(pán)吸放晶圓的目的。
[0022]在優(yōu)選的實(shí)施例中，還包括:第一真空閥門3，第一真空閥門3設(shè)置于廠務(wù)真空管路4上。
[0023]在優(yōu)選的實(shí)施例中，還包括:第二真空閥門8，第二真空閥門8設(shè)置于設(shè)備真空管路7上，用以控制吸盤(pán)5對(duì)晶圓的吸放。
[0024]在優(yōu)選的實(shí)施例中，第一真空閥門3采用的材料為工程塑料。
[0025]在優(yōu)選的實(shí)施例中，第二真空閥門8采用的材料為402不銹鋼材料，采用的不銹鋼材料的真空閥門不易損壞，壽命長(zhǎng)。
[0026]第二真空閥門8可以使工作人員近距離的觀察吸盤(pán)對(duì)晶圓的吸放情況，便于工作人員操作，從而提高設(shè)備利用率。第二真空閥門8可以反復(fù)多次使用，而不會(huì)損壞，降低晶圓的破片率。
[0027]—種吸附晶圓裝置吸附晶圓的方法為:
[0028]采用并行設(shè)備的吸附晶圓裝置，當(dāng)吸附晶圓裝置處于吸附晶圓狀態(tài)時(shí)，第一真空閥門3處于常開(kāi)狀態(tài)，關(guān)閉第二真空閥門8，真空通道6內(nèi)的氣流吸力變大，晶圓被吸附于吸盤(pán)5表面；
[0029]當(dāng)吸附晶圓裝置處于未吸附晶圓狀態(tài)時(shí)，第一真空閥門3處于常開(kāi)狀態(tài)，開(kāi)啟第二真空閥門8，真空通道6內(nèi)的氣流吸力變小，吸盤(pán)5釋放晶圓。
[0030]本發(fā)明通過(guò)改變?cè)O(shè)備真空管路的管路直徑，使設(shè)備真空管路7的直徑大于或等于廠務(wù)真空管路4的直徑，從而通過(guò)使第二真空閥門的開(kāi)啟或關(guān)閉來(lái)控制吸盤(pán)吸放晶圓。
[0031]以上所述僅為本發(fā)明較佳的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的實(shí)施方式及保護(hù)范圍，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應(yīng)當(dāng)能夠意識(shí)到凡運(yùn)用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及圖示內(nèi)容所作出的等同替換和顯而易見(jiàn)的變化所得到的方案，均應(yīng)當(dāng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種并行設(shè)備的吸附晶圓裝置，包括:廠務(wù)真空管路、設(shè)備真空管路、真空通道和吸盤(pán)，所述吸盤(pán)設(shè)置于所述真空通道的一端，所述廠務(wù)真空管路、設(shè)備真空管路和真空通道連通，其特征在于，所述設(shè)備真空管路的管路直徑大于或等于所述廠務(wù)真空管路的管路直徑。
2.如權(quán)利要求1所述并行設(shè)備的吸附晶圓裝置，其特征在于，還包括:第一真空閥門，所述第一真空閥門設(shè)置于所述廠務(wù)真空管路上。
3.如權(quán)利要求2所述并行設(shè)備的吸附晶圓裝置，其特征在于，還包括:第二真空閥門，所述第二真空閥門設(shè)置于所述設(shè)備真空管路上，用以控制所述吸盤(pán)對(duì)晶圓的吸放。
4.如權(quán)利要求2所述并行設(shè)備的吸附晶圓裝置，其特征在于，所述第一真空閥門采用的材料為工程塑料。
5.如權(quán)利要求3所述并行設(shè)備的吸附晶圓裝置，其特征在于，所述第二真空閥門采用的材料為不銹鋼材料。
6.一種吸附晶圓裝置吸附晶圓的方法，其特征在于，采用如權(quán)利要求3所述并行設(shè)備的吸附晶圓裝置，當(dāng)所述吸附晶圓裝置處于吸附晶圓狀態(tài)時(shí)，所述第一真空閥門處于常開(kāi)狀態(tài)，關(guān)閉所述第二真空閥門，所述真空通道內(nèi)的氣流吸力變大，晶圓被吸附于吸盤(pán)表面；當(dāng)所述吸附晶圓裝置處于未吸附晶圓狀態(tài)時(shí)，所述第一真空閥門處于常開(kāi)狀態(tài)，開(kāi)啟所述第二真空閥門，所述真空通道內(nèi)的氣流吸力變小，吸盤(pán)釋放所述晶圓。
【文檔編號(hào)】H01L21/683GK104008992SQ201410164144
【公開(kāi)日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2014年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月22日
【發(fā)明者】何文蔚 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司