一個光罩內(nèi)的單元芯片存在不同圖像條件的缺陷掃描方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種一個光罩內(nèi)的單元芯片存在不同圖像條件的缺陷掃描方法，通過采用定義單元芯片的掃描區(qū)域內(nèi)重復(fù)的最小重復(fù)單元，讓相鄰的最小重復(fù)單元之間進行對比來確認是否存在缺陷的array?mode缺陷掃描方法，對半導(dǎo)體圖像處理實驗芯片上一個光罩內(nèi)的不同單元芯片的對應(yīng)功能區(qū)域存在具有不同圖形和CD參數(shù)的圖像條件的情況，進行精確的缺陷掃描。本發(fā)明適用于單元芯片內(nèi)存在多個不同圖形的重復(fù)CELL區(qū)域的情況，以及單元芯片內(nèi)相同位置的CELL區(qū)域大小相同，但同一區(qū)域的重復(fù)的CELL區(qū)的CD大小或者圖形不同的情況，可避免die?to?die缺陷掃描方法造成的缺陷誤判干擾，因而提高了實驗芯片的良率。
【專利說明】一個光罩內(nèi)的單元芯片存在不同圖像條件的缺陷掃描方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造中的針對單元芯片的缺陷掃描方法，更具體地，涉及一種針對圖像處理芯片一個光罩內(nèi)的單元芯片存在不同圖像條件時的缺陷掃描方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著半導(dǎo)體集成電路的迅速發(fā)展與關(guān)鍵尺寸按比例縮小，其制造工藝也變得越發(fā)復(fù)雜。目前先進的集成電路制造工藝一般都包含幾百個工藝步驟，其中的一個步驟出現(xiàn)問題就會引起整個半導(dǎo)體集成電路芯片的問題，嚴(yán)重的還可能導(dǎo)致整個芯片的失效。所以，在半導(dǎo)體集成電路的制造過程中，對產(chǎn)品制造工藝中存在的問題進行及時地發(fā)現(xiàn)就顯得尤為重要。基于上述考慮，針對圖像處理芯片，業(yè)界一般使用缺陷掃描機臺，通過對芯片進行缺陷檢測來控制制造工藝中的缺陷問題。
[0003]請參閱圖1，圖1是在一個半導(dǎo)體芯片上具有多個單元die的分布示意圖。如圖1所示，在一個半導(dǎo)體芯片I上，排列著多個單元芯片(die) 2。半導(dǎo)體業(yè)界缺陷掃描機臺捕獲缺陷的工作原理，普遍是使用die to die (以單元芯片為對比單元的缺陷掃描方法)的對比方式或者shot to shot (以一個光罩定義的區(qū)域為對比單元的缺陷掃描方法)的對比方式，來判斷芯片單元上是否存在缺陷。也就是說，使用die to die的對比方式時，是對相鄰的二個單元芯片進行對比，來判斷二個單元芯片之間是否有不同，以檢測缺陷的存在；而使用shot to shot的對比方式時,是先定義一個由n*m個單元芯片構(gòu)成的光罩區(qū)域作為掃描單元，例如，將一個光罩定義為2*3個單元芯片構(gòu)成的區(qū)域，然后對相鄰的二個光罩定義的區(qū)域進行對比，來判斷二個光罩內(nèi)的區(qū)域之間是否有不同，以檢測光罩內(nèi)所含單元芯片的缺陷的存在。
[0004]在半導(dǎo)體制造的生產(chǎn)線上，存在一些實驗芯片。這些芯片和普通的量產(chǎn)芯片有所不同。量產(chǎn)芯片的每個單元芯片內(nèi)的對應(yīng)功能區(qū)會設(shè)計相同的圖形和CD(特征尺寸)參數(shù)；而實驗芯片為了用最低的成本來完成各項生產(chǎn)數(shù)據(jù)的收集，通常會在不同的單元芯片內(nèi)的對應(yīng)功能區(qū)設(shè)計不同的圖形和CD參數(shù)。
[0005]請參閱圖2，圖2是圖1中A部代表的I個單元芯片內(nèi)的功能區(qū)分布示意圖。如圖2所示，在I個單元芯片內(nèi)，其電路圖形結(jié)構(gòu)有著不同的功能區(qū)，例如包括CELL(存儲)區(qū)，PIXEL(像素)區(qū)8，LG(邏輯)區(qū)5，DUMMY(空置)區(qū)6等。其中，CELL區(qū)還可以進一步分為CELL-1區(qū)4、CELL-1I區(qū)3等多個更小的功能區(qū)域。這些功能區(qū)域有著不同的作用，其中，CELL-1區(qū)4、CELL-1I區(qū)3是芯片中用來存儲數(shù)據(jù)的重復(fù)結(jié)構(gòu)區(qū)域，PIXEL區(qū)8是芯片中用來實現(xiàn)光信號轉(zhuǎn)化為點信號的區(qū)域，LG區(qū)5是實現(xiàn)邏輯運算的芯片區(qū)域，DUMMY區(qū)6是芯片中用于化學(xué)研磨控制中心邊緣厚度的設(shè)計區(qū)域。圖中散布的點7代表在缺陷掃描時發(fā)現(xiàn)的缺陷在芯片上的位置。
[0006]請參閱圖3，圖3是圖2中位于CELL-1區(qū)和CELL-1I區(qū)具有的不同圖形示意圖。如圖3所示，CELL-1區(qū)的特征圖形9和CELL-1I區(qū)的特征圖形10具有不同的圖形特征和尺寸。在量產(chǎn)芯片中，各單元芯片內(nèi)電路圖形結(jié)構(gòu)的對應(yīng)功能區(qū)會設(shè)計相同的圖形和CD(特征尺寸)參數(shù)，例如，在二個不同的單元芯片各自的CELL-1區(qū)，都具有相同的特征圖形9以及⑶參數(shù)，在CELL-1I區(qū)都具有另一個相同的特征圖形10以及⑶參數(shù)。這時，就可以使用die todie對比的方法，在缺陷掃描機臺新建缺陷掃描程式，對上述二個不同的單元芯片進行缺陷掃描。經(jīng)過掃描，如果二個不同的單元芯片的掃描結(jié)果一致，就可判斷單元芯片合格；否則，就會進行打點記號，以便于識別及剔除。
[0007]請參閱圖4和圖5，圖4是圖1中B部代表的二個相鄰單元芯片內(nèi)的功能區(qū)分布示意圖，圖5是圖4中二個相鄰單元芯片內(nèi)的對應(yīng)CELL-1區(qū)具有不同特征圖形的示意圖。如圖4所示，左、右二個相鄰的單元芯片的電路圖形結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)相同的CELL-1區(qū)4-1和4-2,CELL-1I區(qū)3-1和3_2及其他功能區(qū)。而假設(shè)這是處于實驗芯片中的二個相鄰的單元芯片，則可能會如圖5所示，在圖4的左側(cè)單元芯片的CELL-1區(qū)4-1設(shè)計有特征圖形10、而在圖4的右側(cè)單元芯片的CELL-1區(qū)4-2設(shè)計有另一個特征圖形11。所以，圖像處理芯片的實驗產(chǎn)品，存在在單元die內(nèi)有多個具有不同圖形的CELL重復(fù)區(qū)域(如圖2、3所示)，不同的單元die有相同的layout (電路圖形結(jié)構(gòu))，不同單元die內(nèi)相同位置處的CELL區(qū)域大小也相同，但相同位置處的重復(fù)的CELL區(qū)的⑶大小或者圖形不同的情況(如圖4、5所示)。
[0008]因此，對于實驗芯片，如果單元die存在多個重復(fù)的區(qū)域、相同區(qū)域有不同的⑶參數(shù)，當(dāng)相鄰單元die的一個或多個重復(fù)單元的圖形發(fā)生變化時,使用die to die對比的方法，就會發(fā)生將重復(fù)單元存在圖形變化的單元die作為缺陷die對待而誤判，所以，就不能使用die to die對比的方法在缺陷掃描機臺新建缺陷掃描程式。目前,只能使用shot toshot對比的方法。但shot to shot對比的缺陷掃描程式,是以一個光罩定義的區(qū)域為對比單元的缺陷掃描方法，一般一個光罩會由n*m個單元芯片構(gòu)成,對比區(qū)域比die to die對比的區(qū)域大，因而造成精度減小、分辨率較低，較難發(fā)現(xiàn)芯片上細小的缺陷。這將影響良率工程師發(fā)現(xiàn)這些實驗產(chǎn)品存在的問題，影響實驗芯片數(shù)據(jù)的收集。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，提供一種針對一個光罩內(nèi)的單元芯片存在不同圖像條件時的缺陷掃描方法，通過采用定義所述單元芯片的所述掃描區(qū)域內(nèi)重復(fù)的最小重復(fù)單元，讓所述掃描區(qū)域內(nèi)相鄰的所述最小重復(fù)單元之間進行對比來確認是否存在缺陷的array mode缺陷掃描方法,對半導(dǎo)體圖像處理實驗芯片上在定義的一個光罩內(nèi)的不同的所述單元芯片電路圖形結(jié)構(gòu)的對應(yīng)功能區(qū)域存在設(shè)計有不同的圖形和CD參數(shù)的圖像條件的情況，進行針對性精確的缺陷掃描，以避免采用傳統(tǒng)的die to die缺陷掃描方法對實驗芯片造成的缺陷誤判干擾，及無法采用shot to shot缺陷掃描方法對實驗芯片進行缺陷掃描的問題，因而提聞了實驗芯片的良率。
[0010]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0011]一種一個光罩內(nèi)的單元芯片存在不同圖像條件的缺陷掃描方法，用于對半導(dǎo)體圖像處理實驗芯片使用缺陷掃描機臺進行缺陷掃描，所述芯片上在定義的一個光罩內(nèi)的不同的所述單元芯片電路圖形結(jié)構(gòu)的對應(yīng)功能區(qū)域存在設(shè)計有不同的圖形和CD參數(shù)的圖像條件，所述缺陷掃描機臺可以區(qū)分掃描區(qū)域設(shè)定不同的掃描參數(shù)，其特征在于，包括以下步驟:[0012]步驟一:使用缺陷掃描機臺新建掃描程式，完成對所述芯片的對準(zhǔn)，定義所述單元芯片的大小，定義所述單元芯片內(nèi)各個特征掃描區(qū)域；
[0013]步驟二:完成對所述芯片的材質(zhì)像素特征收集，芯片對準(zhǔn)以及芯片上需要進行缺陷掃描的區(qū)域的確定；
[0014]步驟三:分別對定義的所述掃描區(qū)域設(shè)定不同的掃描模式和相應(yīng)的掃描參數(shù)；所述掃描模式包括定義以所述單元芯片為對比單元、對相鄰的所述單元芯片進行對比的die to die缺陷掃描方法，以及通過定義所述單元芯片的所述掃描區(qū)域內(nèi)重復(fù)的最小重復(fù)單元，讓所述掃描區(qū)域內(nèi)相鄰的所述最小重復(fù)單元之間進行對比來確認是否存在缺陷的array mode缺陷掃描方法；
[0015]步驟四:優(yōu)化掃描程式參數(shù)，根據(jù)不同的圖像條件進行缺陷掃描，將發(fā)現(xiàn)的缺陷位置坐標(biāo)標(biāo)注在所述單元芯片上，并完成該程式的掃描過程。
[0016]進一步地，所述特征掃描區(qū)域與所述單元芯片電路圖形結(jié)構(gòu)的各個功能區(qū)域相對應(yīng)。
[0017]進一步地，所述單元芯片電路圖形結(jié)構(gòu)的各個功能區(qū)域包括用于存儲數(shù)據(jù)的重復(fù)結(jié)構(gòu)CELL存儲區(qū)，實現(xiàn)光信號轉(zhuǎn)化為點信號的PIXEL像素區(qū)，實現(xiàn)邏輯運算的LG邏輯區(qū)，用于化學(xué)研磨控制中心邊緣厚度的DUMMY空置區(qū)，各所述功能區(qū)域與所述特征掃描區(qū)域相對應(yīng)。
[0018]進一步地，對相鄰的所述單元芯片的重復(fù)的所述LG邏輯區(qū)或DUMMY空置區(qū)，采用定義以所述單元芯片為對比單元、對相鄰的所述單元芯片進行對比的die to die缺陷掃描方法分別進行對比掃描。
[0019]進一步地，當(dāng)相鄰的所述單元芯片所對應(yīng)的重復(fù)的所述CELL存儲區(qū)或PIXEL像素區(qū)存在圖形或CD大小不同時，采用定義所述單元芯片的掃描區(qū)域內(nèi)重復(fù)的最小重復(fù)單元，讓所述掃描區(qū)域內(nèi)相鄰的所述最小重復(fù)單元之間進行對比來確認是否存在缺陷的arraymode缺陷掃描方法分別進行對比掃描。
[0020]進一步地,所述array mode缺陷掃描方法所定義的所述最小重復(fù)單元,可以對所述單元芯片的所述掃描區(qū)域進行等分。
[0021]進一步地，所述最小重復(fù)單元的大小為I?10微米。
[0022]進一步地，所述CELL存儲區(qū)可進一步包括I至多個更小的CELL存儲區(qū)單元。
[0023]進一步地，當(dāng)相鄰的所述單元芯片所對應(yīng)的重復(fù)的所述CELL存儲區(qū)單元存在圖形或CD大小不同時，采用定義所述單元芯片的所述CELL存儲區(qū)單元內(nèi)重復(fù)的最小重復(fù)單元，讓所述CELL存儲區(qū)單元內(nèi)相鄰的所述最小重復(fù)單元之間進行對比來確認是否存在缺陷的array mode缺陷掃描方法分別進行對比掃描。
[0024]進一步地，所述單元芯片電路圖形結(jié)構(gòu)的各個功能區(qū)域包括I至多個用于存儲數(shù)據(jù)的重復(fù)結(jié)構(gòu)CELL存儲區(qū)，實現(xiàn)光信號轉(zhuǎn)化為點信號的PIXEL像素區(qū)，實現(xiàn)邏輯運算的LG邏輯區(qū)，用于化學(xué)研磨控制中心邊緣厚度的DUMMY空置區(qū)，其中，采用die to die缺陷掃描方法，對相鄰的所述單元芯片的LG邏輯區(qū)、DUMMY空置區(qū)以及具有相同圖形和CD大小的CELL存儲區(qū)重復(fù)的所述掃描區(qū)域分別進行對比掃描，對相鄰的所述單元芯片所對應(yīng)的具有不同圖形或⑶大小的CELL存儲區(qū)或PIXEL像素區(qū)重復(fù)的所述掃描區(qū)域，采用array mode缺陷掃描方法分別進行對比掃描。[0025]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明通過采用定義所述單元芯片的所述掃描區(qū)域內(nèi)重復(fù)的最小重復(fù)單元，讓所述掃描區(qū)域內(nèi)相鄰的所述最小重復(fù)單元之間進行對比來確認是否存在缺陷的array mode缺陷掃描方法,對半導(dǎo)體圖像處理實驗芯片上在定義的一個光罩內(nèi)的不同的所述單元芯片電路圖形結(jié)構(gòu)的對應(yīng)功能區(qū)域存在設(shè)計有不同的圖形和CD參數(shù)的圖像條件的情況，進行針對性精確的缺陷掃描。本發(fā)明適用于單元die內(nèi)存在多個不同圖形的重復(fù)CELL區(qū)域的情況，以及單元die內(nèi)相同位置的CELL區(qū)域大小相同，但同一區(qū)域的重復(fù)的CELL區(qū)的⑶大小或者圖形不同的情況，可以避免采用傳統(tǒng)的die to die缺陷掃描方法對實驗芯片造成的缺陷誤判干擾，及無法采用shotto shot缺陷掃描方法對實驗芯片進行缺陷掃描的問題，因而提聞了實驗芯片的良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是在一個半導(dǎo)體芯片上具有多個單元die的分布示意圖；
[0027]圖2是圖1中A部代表的I個單元芯片內(nèi)的功能區(qū)分布示意圖；
[0028]圖3是圖2中位于CELL-1區(qū)和CELL-1I區(qū)具有的不同圖形示意圖；
[0029]圖4是圖1中B部代表的二個相鄰單元芯片內(nèi)的功能區(qū)分布示意圖；
[0030]圖5是圖4中二個相鄰單元芯片內(nèi)的對應(yīng)CELL-1區(qū)具有不同特征圖形的示意圖；
[0031]圖6是本發(fā)明一種一個光罩內(nèi)的單元芯片存在不同圖像條件的缺陷掃描方法的方法流程圖。
【具體實施方式】
[0032]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步的詳細說明。
[0033]在本實施例中，請參閱圖6，圖6是本發(fā)明一種一個光罩內(nèi)的單元芯片存在不同圖像條件的缺陷掃描方法的方法流程圖。本發(fā)明的缺陷掃描方法，用于對半導(dǎo)體圖像處理實驗芯片使用缺陷掃描機臺進行缺陷掃描，所述芯片上在定義的一個光罩內(nèi)的不同的所述單元芯片電路圖形結(jié)構(gòu)的對應(yīng)功能區(qū)域存在設(shè)計有不同的圖形和CD參數(shù)的圖像條件，所述缺陷掃描機臺可以區(qū)分掃描區(qū)域設(shè)定不同的掃描參數(shù)。如圖6所示，本發(fā)明的缺陷掃描方法包括以下步驟:
[0034]步驟一:使用缺陷掃描機臺新建掃描程式，完成對所述芯片的對準(zhǔn)，定義所述單元芯片的大小，定義所述單元芯片內(nèi)各個特征掃描區(qū)域；
[0035]步驟二:完成對所述芯片的材質(zhì)像素特征收集，芯片對準(zhǔn)以及芯片上需要進行缺陷掃描的區(qū)域的確定；
[0036]步驟三:分別對定義的所述掃描區(qū)域設(shè)定不同的掃描模式和相應(yīng)的掃描參數(shù)；所述掃描模式包括定義以所述單元芯片為對比單元、對相鄰的所述單元芯片進行對比的die to die缺陷掃描方法，以及通過定義所述單元芯片的所述掃描區(qū)域內(nèi)重復(fù)的最小重復(fù)單元，讓所述掃描區(qū)域內(nèi)相鄰的所述最小重復(fù)單元之間進行對比來確認是否存在缺陷的array mode缺陷掃描方法；
[0037]步驟四:優(yōu)化掃描程式參數(shù)，根據(jù)不同的圖像條件進行缺陷掃描，將發(fā)現(xiàn)的缺陷位置坐標(biāo)標(biāo)注在所述單元芯片上，并完成該程式的掃描過程。[0038]上述的特征掃描區(qū)域與所述單元芯片電路圖形結(jié)構(gòu)的各個功能區(qū)域相對應(yīng)。所述單元芯片電路圖形結(jié)構(gòu)的各個功能區(qū)域包括用于存儲數(shù)據(jù)的重復(fù)結(jié)構(gòu)CELL存儲區(qū)，實現(xiàn)光信號轉(zhuǎn)化為點信號的PIXEL像素區(qū)，實現(xiàn)邏輯運算的LG邏輯區(qū)，用于化學(xué)研磨控制中心邊緣厚度的DUMMY空置區(qū)。所述CELL存儲區(qū)可進一步包括I至多個更小的CELL存儲區(qū)單元，例如CELL-1區(qū)、CELL-1I區(qū)等。
[0039]在上述的步驟三中，對實驗芯片相鄰的所述單元芯片的重復(fù)的所述LG邏輯區(qū)或DUMMY空置區(qū)，采用die to die缺陷掃描方法分別進行對比掃描。當(dāng)相鄰的所述單元芯片所對應(yīng)的重復(fù)的所述CELL存儲區(qū)或PIXEL像素區(qū)存在圖形或⑶大小不同時，采用arraymode缺陷掃描方法分別進行對比掃描。
[0040]其中，array mode缺陷掃描方法所定義的所述最小重復(fù)單元,可以對所述單元芯片的所述掃描區(qū)域進行等分。并且，通過良率工程師的定義，可由缺陷掃描機臺根據(jù)不同的圖形特征和Cd尺寸，自動計算出相應(yīng)的最小重復(fù)單元，這個最小重復(fù)單元的大小為I?10微米。
[0041]當(dāng)CELL存儲區(qū)包括多個更小的CELL存儲區(qū)單元，例如CELL-1區(qū)、CELL-1I區(qū)等時，如果相鄰的所述單元芯片所對應(yīng)的重復(fù)的CELL-1區(qū)、CELL-1I區(qū)等存在圖形或⑶大小不同時，采用定義所述單元芯片的所述CELL存儲區(qū)單元內(nèi)重復(fù)的最小重復(fù)單元，讓所述CELL存儲區(qū)單元內(nèi)相鄰的所述最小重復(fù)單元之間進行對比來確認是否存在缺陷的arraymode缺陷掃描方法分別進行對比掃描。
[0042]如果實驗芯片相鄰的所述單元芯片的對應(yīng)CELL存儲區(qū)具有相同的圖形和⑶大小時，也可以采用die to die缺陷掃描方法對所述掃描區(qū)域分別進行對比掃描。
[0043]在采用array mode缺陷掃描方法時，關(guān)于對最小重復(fù)單元的理解及其對比方法，可通過圖5來進一步說明。請參閱圖5，圖5左側(cè)所示的特征圖形10具有重復(fù)的菱形結(jié)構(gòu)特征圖形。當(dāng)代表放大的圖1中B部的二個相鄰單元芯片的圖4中的左、右二個相鄰單元芯片具有重復(fù)的CELL-1區(qū)4-1和CELL-1區(qū)4_2，并且，這二個相鄰單元芯片處于相同位置的CELL-1區(qū)4-1和CELL-1區(qū)4-2的區(qū)域大小相同，但CELL-1區(qū)4-1和CELL-1區(qū)4-2的CD大小或圖形不同時，即如圖5中左側(cè)特征圖形10與右側(cè)特征圖形11的圖形不同時，采用傳統(tǒng)的die to die缺陷掃描方法就會對實驗芯片造成缺陷誤判，也無法采用shotto shot缺陷掃描方法對實驗芯片進行缺陷掃描。這時,通過采用array mode缺陷掃描方法，定義出如圖5左側(cè)特征圖形10的C部區(qū)域為最小重復(fù)單元，然后，就可以讓C部代表的最小重復(fù)單元，與D部代表的相鄰的另一個最小重復(fù)單元進行對比掃描，通過對比這二個最小重復(fù)單元的異同，來判斷是否存在缺陷，并依此類推展開。最小重復(fù)單元的大小可由缺陷掃描機臺自動進行計算。此最小重復(fù)單元在定義時，就確定可將CELL-1區(qū)4-1進行等分，因此，即可對整個CELL-1區(qū)4-1進行缺陷掃描。同樣，對另一個單元芯片中的CELL-1區(qū)4-2，也以此方法操作，從而完成對定義的一個光罩內(nèi)實驗芯片的各個單元芯片的掃描。
[0044]以上所述的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述實施例并非用以限制本發(fā)明的專利保護范圍，因此凡是運用本發(fā)明的說明書及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化，同理均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種一個光罩內(nèi)的單元芯片存在不同圖像條件的缺陷掃描方法，用于對半導(dǎo)體圖像處理實驗芯片使用缺陷掃描機臺進行缺陷掃描，所述芯片上在定義的一個光罩內(nèi)的不同的所述單元芯片電路圖形結(jié)構(gòu)的對應(yīng)功能區(qū)域存在設(shè)計有不同的圖形和CD參數(shù)的圖像條件，所述缺陷掃描機臺可以區(qū)分掃描區(qū)域設(shè)定不同的掃描參數(shù)，其特征在于，包括以下步驟: 步驟一:使用缺陷掃描機臺新建掃描程式，完成對所述芯片的對準(zhǔn)，定義所述單元芯片的大小，定義所述單元芯片內(nèi)各個特征掃描區(qū)域； 步驟二:完成對所述芯片的材質(zhì)像素特征收集，芯片對準(zhǔn)以及芯片上需要進行缺陷掃描的區(qū)域的確定； 步驟三:分別對定義的所述掃描區(qū)域設(shè)定不同的掃描模式和相應(yīng)的掃描參數(shù)；所述掃描模式包括定義以所述單元芯片為對比單元、對相鄰的所述單元芯片進行對比的die todie缺陷掃描方法，以及通過定義所述單元芯片的所述掃描區(qū)域內(nèi)重復(fù)的最小重復(fù)單元，讓所述掃描區(qū)域內(nèi)相鄰的所述最小重復(fù)單元之間進行對比來確認是否存在缺陷的arraymode缺陷掃描方法； 步驟四:優(yōu)化掃描程式參數(shù)，根據(jù)不同的圖像條件進行缺陷掃描，將發(fā)現(xiàn)的缺陷位置坐標(biāo)標(biāo)注在所述單元芯片上，并完成該程式的掃描過程。
2.如權(quán)利要求1所述的缺陷掃描方法，其特征在于，所述特征掃描區(qū)域與所述單元芯片電路圖形結(jié)構(gòu)的各個功能區(qū)域相對應(yīng)。
3.如權(quán)利 要求2所述的缺陷掃描方法，其特征在于，所述單元芯片電路圖形結(jié)構(gòu)的各個功能區(qū)域包括用于存儲數(shù)據(jù)的重復(fù)結(jié)構(gòu)CELL存儲區(qū)，實現(xiàn)光信號轉(zhuǎn)化為點信號的PIXEL像素區(qū)，實現(xiàn)邏輯運算的LG邏輯區(qū)，用于化學(xué)研磨控制中心邊緣厚度的DUMMY空置區(qū)，各所述功能區(qū)域與所述特征掃描區(qū)域相對應(yīng)。
4.如權(quán)利要求3所述的缺陷掃描方法，其特征在于，對相鄰的所述單元芯片的重復(fù)的所述LG邏輯區(qū)或DUMMY空置區(qū)，采用定義以所述單元芯片為對比單元、對相鄰的所述單元芯片進行對比的die to die缺陷掃描方法分別進行對比掃描。
5.如權(quán)利要求3所述的缺陷掃描方法，其特征在于，當(dāng)相鄰的所述單元芯片所對應(yīng)的重復(fù)的所述CELL存儲區(qū)或PIXEL像素區(qū)存在圖形或CD大小不同時，采用定義所述單元芯片的掃描區(qū)域內(nèi)重復(fù)的最小重復(fù)單元，讓所述掃描區(qū)域內(nèi)相鄰的所述最小重復(fù)單元之間進行對比來確認是否存在缺陷的array mode缺陷掃描方法分別進行對比掃描。
6.如權(quán)利要求1或5所述的缺陷掃描方法,其特征在于,所述arraymode缺陷掃描方法所定義的所述最小重復(fù)單元，可以對所述單元芯片的所述掃描區(qū)域進行等分。
7.如權(quán)利要求6所述的缺陷掃描方法，其特征在于，所述最小重復(fù)單元的大小為I~10微米。
8.如權(quán)利要求1、3或5所述的缺陷掃描方法，其特征在于，所述CELL存儲區(qū)可進一步包括I至多個更小的CELL存儲區(qū)單元。
9.如權(quán)利要求8所述的缺陷掃描方法，其特征在于，當(dāng)相鄰的所述單元芯片所對應(yīng)的重復(fù)的所述CELL存儲區(qū)單元存在圖形或CD大小不同時，采用定義所述單元芯片的所述CELL存儲區(qū)單元內(nèi)重復(fù)的最小重復(fù)單元，讓所述CELL存儲區(qū)單元內(nèi)相鄰的所述最小重復(fù)單元之間進行對比來確認是否存在缺陷的array mode缺陷掃描方法分別進行對比掃描。
10.如權(quán)利要求1所述的缺陷掃描方法，其特征在于，所述單元芯片電路圖形結(jié)構(gòu)的各個功能區(qū)域包括I至多個用于存儲數(shù)據(jù)的重復(fù)結(jié)構(gòu)CELL存儲區(qū)，實現(xiàn)光信號轉(zhuǎn)化為點信號的PIXEL像素區(qū)，實現(xiàn)邏輯運算的LG邏輯區(qū)，用于化學(xué)研磨控制中心邊緣厚度的DUMMY空置區(qū)，其中，采用die to die缺陷掃描方法，對相鄰的所述單元芯片的LG邏輯區(qū)、DUMMY空置區(qū)以及具有相同圖形和CD大 小的CELL存儲區(qū)重復(fù)的所述掃描區(qū)域分別進行對比掃描，對相鄰的所述單元芯片所對應(yīng)的具有不同圖形或CD大小的CELL存儲區(qū)或PIXEL像素區(qū)重復(fù)的所述掃描區(qū)域，采用array mode缺陷掃描方法分別進行對比掃描。
【文檔編號】H01L21/66GK103928365SQ201410173942
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年4月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月28日
【發(fā)明者】何理, 許向輝, 郭賢權(quán), 陳超 申請人:上海華力微電子有限公司