陣列基板制備方法和陣列基板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種陣列基板制備方法和陣列基板、顯示裝置，涉及顯示領(lǐng)域，能夠解決因有源層殘留導(dǎo)致的開(kāi)口率降低的技術(shù)問(wèn)題。本發(fā)明的陣列基板制備方法，包括：形成柵金屬層的工序，所述柵金屬層包括柵線；有源層的成膜工序和信號(hào)線金屬層的成膜工序，所述信號(hào)線金屬層包括數(shù)據(jù)線；以及，通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝同時(shí)形成有源層圖形和信號(hào)線金屬層圖形的工序；在所述有源層的成膜工序之后，所述信號(hào)線金屬層的成膜工序之前，還包括：通過(guò)構(gòu)圖工藝，將所述有源層的第一區(qū)域鏤空，所述第一區(qū)域位于顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線下方，且，所述數(shù)據(jù)線與所述柵線的交疊區(qū)域除外。
【專利說(shuō)明】陣列基板制備方法和陣列基板、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板制備方法和陣列基板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器因其具有體積小、重量輕、低功耗、低電壓以及無(wú)輻射等特點(diǎn)，已廣泛替代了傳統(tǒng)CRT顯示裝置，應(yīng)用于在生活工作中。
[0003]液晶顯示器由陣列基板和彩膜基板對(duì)盒而成，如圖1和圖2所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的平面結(jié)構(gòu)，圖2為沿B-B’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，在基板7上，順序形成有柵金屬層(包括柵極和圖中的柵線8)、柵絕緣層4、有源層5、信號(hào)線金屬層、像素電極層、鈍化層2和公共電極層，信號(hào)線金屬層包括薄膜晶體管的源極、漏極和圖中的數(shù)據(jù)線6，像素電極層包括圖中的像素電極I，公共電極層包括圖中的公共電極3。其中，形成有源層5及信號(hào)線金屬層的圖形時(shí)可采用半色調(diào)掩膜工藝，此過(guò)程中因有源層5和信號(hào)線金屬層材料不同，刻蝕難易程度也不同，結(jié)果往往會(huì)存在有源層殘留(active tail)現(xiàn)象。例如圖2所示，顯示區(qū)域數(shù)據(jù)線6下方的有源層邊緣存在殘留，見(jiàn)圖中的A區(qū)域，而一般而言為避免發(fā)生短路及信號(hào)干擾等原因，像素電極I需要遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)線6 —定距離，但因該有源層殘留區(qū)域(即圖中A區(qū)域)的存在，像素電極I與數(shù)據(jù)線6之間的距離設(shè)計(jì)時(shí)則需考慮該有源層殘留區(qū)域的存在，結(jié)果導(dǎo)致像素的透光面積減小，開(kāi)口率下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板制備方法和陣列基板、顯示裝置，能夠解決因有源層殘留導(dǎo)致的開(kāi)口率降低的技術(shù)問(wèn)題。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種陣列基板的制備方法，包括:形成柵金屬層的工序，所述柵金屬層包括柵線；有源層的成膜工序和信號(hào)線金屬層的成膜工序，所述信號(hào)線金屬層包括數(shù)據(jù)線；以及，通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝同時(shí)形成有源層圖形和信號(hào)線金屬層圖形的工序；在所述有源層的成膜工序之后，所述信號(hào)線金屬層的成膜工序之前，還包括:通過(guò)構(gòu)圖工藝，將所述有源層的第一區(qū)域鏤空，所述第一區(qū)域位于顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線下方，且，所述數(shù)據(jù)線與所述柵線的交疊區(qū)域除外。
[0007]優(yōu)選地，還包括在所述柵金屬層上方且所述有源層下方形成柵極絕緣層的工序；通過(guò)所述構(gòu)圖工藝，除將所述有源層的所述第一區(qū)域鏤空外，還將柵極絕緣層對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域的位置鏤空。
[0008]優(yōu)選地，通過(guò)所述構(gòu)圖工藝還同步形成柵極絕緣層通孔，所述柵極絕緣層通孔設(shè)置在所述陣列基板的邊緣，貫穿所述柵極絕緣層和所述有源層。
[0009]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括:薄膜晶體管、交疊設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)線和柵線，所述數(shù)據(jù)線所在層的圖形和所述薄膜晶體管的有源層圖形通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝同時(shí)形成，除所述數(shù)據(jù)線與所述柵線的交疊區(qū)域外，顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線下方對(duì)應(yīng)區(qū)域的所述有源層鏤空。
[0010]優(yōu)選地，所述薄膜晶體管還包括:柵絕緣層，所述柵極絕緣層位于所述有源層的下方，所述柵線所在層的上方；除所述數(shù)據(jù)線與所述柵線的交疊區(qū)域外，顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線下方對(duì)應(yīng)區(qū)域的所述柵絕緣層也鏤空。
[0011]進(jìn)一步地，上述陣列基板的邊緣還設(shè)置有:貫穿所述柵極絕緣層和所述有源層的柵極絕緣層通孔。
[0012]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括:上述的任一陣列基板。
[0013]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制備方法和陣列基板、顯示裝置，在信號(hào)線金屬層的成膜工序之前，先通過(guò)構(gòu)圖工藝，將顯示區(qū)域數(shù)據(jù)線下方對(duì)應(yīng)區(qū)域(與柵線的交疊區(qū)域除外)的有源層鏤空，這樣后續(xù)采用半色調(diào)掩膜工藝同時(shí)形成有源層圖形和信號(hào)線金屬層圖形時(shí)，可以避免數(shù)據(jù)線下方存在有源層殘留，使像素電極與數(shù)據(jù)線之間的距離可進(jìn)一步減小，從而解決因有源層殘留導(dǎo)致的開(kāi)口率降低的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)更高開(kāi)口率；同時(shí)，數(shù)據(jù)線下方的有源層鏤空，還可降低了數(shù)據(jù)線處的段差，減小了 Rubbing Mura(因取向膜摩擦取向工藝在面板上形成的細(xì)條紋狀不良)的發(fā)生幾率，有利于提高良品率和畫(huà)面品質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0015]圖1為現(xiàn)有陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為圖1所不陣列基板沿B-B’的首I]面結(jié)構(gòu)不意圖；
[0017]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的TN模式陣列基板制備方法流程圖；
[0018]圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的ADS模式陣列基板制備方法流程圖；
[0019]圖5為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖6為圖5所示陣列基板沿B-B’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖7為圖5所示陣列基板沿C-C’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]附圖標(biāo)記
[0023]1-像素電極，2-鈍化層，3-公共電極，4-柵絕緣層，5-有源層，6_數(shù)據(jù)線，7_基板，8-柵線，9-柵極絕緣層通孔，10-第一區(qū)域，11-信號(hào)線金屬層，12-柵極金屬層。
【具體實(shí)施方式】
[0024]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板制備方法和陣列基板、顯示裝置，能夠解決因有源層殘留導(dǎo)致的開(kāi)口率降低的技術(shù)問(wèn)題。
[0025]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0026]實(shí)施例一
[0027]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，該制備方法包括:形成柵金屬層的工序，所述柵金屬層包括柵線；有源層的成膜工序和信號(hào)線金屬層的成膜工序，所述信號(hào)線金屬層包括數(shù)據(jù)線；以及，通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝同時(shí)形成有源層圖形和信號(hào)線金屬層圖形的工序；在有源層的成膜工序之后，信號(hào)線金屬層的成膜工序之前，還包括:通過(guò)構(gòu)圖工藝，將有源層的第一區(qū)域鏤空，所述第一區(qū)域位于顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線下方，且，所述數(shù)據(jù)線與柵線的交疊區(qū)域除外。
[0028]本實(shí)施例陣列基板制備方法，在信號(hào)線金屬層的成膜工序之前，先通過(guò)構(gòu)圖工藝，將顯示區(qū)域數(shù)據(jù)線下方對(duì)應(yīng)區(qū)域(與柵線的交疊區(qū)域除外)的有源層鏤空，這樣后續(xù)采用半色調(diào)掩膜工藝同時(shí)形成有源層圖形和信號(hào)線金屬層圖形時(shí)，即可避免數(shù)據(jù)線下方存在有源層殘留，使像素電極與數(shù)據(jù)線之間的距離可進(jìn)一步減小，從而解決因有源層殘留導(dǎo)致的開(kāi)口率降低的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)更高開(kāi)口率；同時(shí)，數(shù)據(jù)線下方的有源層鏤空，還可降低數(shù)據(jù)線處的段差，減小摩擦不良(Rubbing Mura)的發(fā)生幾率，有利于提聞良品率和畫(huà)面品質(zhì)。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例對(duì)如何將有源層第一區(qū)域進(jìn)行鏤空的具體實(shí)現(xiàn)方式不做限定，可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的任意實(shí)現(xiàn)方式。為便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面對(duì)本實(shí)施例提供的陣列基板制備方法詳細(xì)敘述如下。
[0030]以TN模式陣列基板為例，本實(shí)施例提供的陣列基板制備方法，如圖3所示，具體包括:
[0031]101、形成柵極金屬層的工序，所述柵金屬層包括柵線；
[0032]本步驟在基板上通過(guò)沉積\涂膠曝光\顯影\刻蝕\剝離等步驟(第I次MASK)，形成包括柵極、柵線及其他功能圖形的柵極金屬層。
[0033]102、形成柵絕緣層的工序及有源層的成膜工序；
[0034]本步驟繼續(xù)在基板上依次沉積柵極絕緣層和有源層的膜層。
[0035]103、通過(guò)構(gòu)圖工藝，將有源層的第一區(qū)域鏤空，所述第一區(qū)域位于顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線下方，且，所述數(shù)據(jù)線與柵線的交疊區(qū)域除外；
[0036]本步驟通過(guò)沉積\涂膠曝光\顯影\刻蝕\剝離等步驟(第2次MASK),在第一區(qū)域形成刻蝕槽，參照?qǐng)D5所示，所述第一區(qū)域10位于顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線6下方，且，數(shù)據(jù)線6與柵線8的交疊區(qū)域除外。如圖5中所示，虛線框區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域即為第一區(qū)域10。此處所述的顯示區(qū)域指最終形成顯示裝置時(shí)的有效觀看部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域，不包括陣列基板邊緣的非像素區(qū)域。
[0037]所述陣列基板的制備方法還包括在所述柵金屬層上方且所述有源層下方形成柵極絕緣層的工序；優(yōu)選地，除將所述有源層的所述第一區(qū)域鏤空外，還將柵極絕緣層對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域的位置鏤空。
[0038]具體而言，有源層之下為柵絕緣層，為降低數(shù)據(jù)線處的段差，減小RubbingMura的發(fā)生幾率，提高良品率和畫(huà)面品質(zhì)，優(yōu)選地，本步驟所述構(gòu)圖工藝除將第一區(qū)域?qū)?yīng)的有源層鏤空外，還將第一區(qū)域?qū)?yīng)的柵極絕緣層鏤空；而且，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以實(shí)際需要(主要是降低段差的需要)，既可以將第一區(qū)域?qū)?yīng)的柵極絕緣層全部去除，也可以只將第一區(qū)域?qū)?yīng)的柵極絕緣層的厚度減薄。
[0039]104、信號(hào)線金屬層的成膜工序；本步驟沉積金屬膜層用以形成信號(hào)線金屬層。
[0040]105、通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝同時(shí)形成有源層圖形和信號(hào)線金屬層圖形的工序，對(duì)應(yīng)第3次MASK。
[0041]本步驟通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝同時(shí)形成有源層圖形和信號(hào)線金屬層圖形，即一次曝光，通過(guò)各自的刻蝕方法形成信號(hào)線金屬層圖形和有源層圖形，同時(shí)形成TFT(Thin FilmTransistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)溝道。此時(shí)，數(shù)據(jù)線6下方不存在有源層殘留，如圖6所示。圖6中A-A’區(qū)域?yàn)榈谝粎^(qū)域10，因第一區(qū)域有源層和柵絕緣層均被鏤空(此處柵極金屬層也被刻蝕掉了)，該第一區(qū)域10內(nèi)的數(shù)據(jù)線6直接設(shè)置在基板7上。
[0042]本步驟形成的信號(hào)線金屬層圖形包括薄膜晶體管的源極、漏極、數(shù)據(jù)線以及陣列基板邊緣功能區(qū)(G0A單元)的功能引線，本步驟形成的有源層圖形主要包括薄膜晶體管的溝道。
[0043]106、本步驟形成鈍化層以覆蓋以上圖形，并通過(guò)涂膠曝光\顯影\刻蝕\剝離(第4次MASK)，形成通孔。本步驟形成的通孔貫穿鈍化層，位于薄膜晶體管的源極上方以及陣列基板各線外接連接區(qū)(bonding區(qū))，通過(guò)該些通孔，用于將后續(xù)形成的像素電極連接至薄膜晶體管的源極以及用于將陣列基板各種線外接連接區(qū)(bonding區(qū))。
[0044]107、形成像素電極，且像素電極與薄膜晶體管的源極電連接；本步驟通過(guò)沉積\涂膠曝光\顯影\刻蝕\剝離工序(第5次MASK)，形成像素電極，同時(shí)覆蓋106步驟中提到的位于陣列基板bonding區(qū)的通孔，保護(hù)通孔下裸露的金屬線。
[0045]ADS (Advanced-Super Dimensional Switching,高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)技術(shù)，簡(jiǎn)稱:ADS)，通過(guò)同一平面內(nèi)像素電極或公共電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場(chǎng)以及像素電極與公共電極間產(chǎn)生的縱向電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)像素電極或公共電極之間、像素電極或公共電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)技術(shù)可以提高TFT-1XD畫(huà)面品質(zhì)，具有高透過(guò)率、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、低響應(yīng)時(shí)間、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)波紋等優(yōu)點(diǎn)。
[0046]如圖4所示，本實(shí)施例還提供一種ADS模式陣列基板的制備方法，步驟201-205與圖3所述制備方法大致相同，其區(qū)別之處在于，先執(zhí)行步驟206形成像素電極，再執(zhí)行步驟207形成鈍化層，最后還包括:步驟208形成公共電極。步驟208通過(guò)沉積\涂膠曝光\顯影\刻蝕\剝離工序(第6次MASK)，形成公共電極。
[0047]ADS模式陣列基板的具體結(jié)構(gòu)參照附圖5、圖6和圖7。另外，因ADS模式和TN模式的結(jié)構(gòu)區(qū)別，步驟205、206、步驟207和步驟208中使用的掩模板，形成的圖形均不同，因該些區(qū)別與本發(fā)明無(wú)直接關(guān)系，此處不再詳述。
[0048]上述陣列基板制備方法，通過(guò)5MASK形成TN模式陣列基板，或者，通過(guò)6MASK形成ADS模式陣列基板，在顯示區(qū)域數(shù)據(jù)線6下方不存在有源層殘留，像素電極與數(shù)據(jù)線之間的距離可進(jìn)一步減小，從而解決因有源層殘留導(dǎo)致的開(kāi)口率降低的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)更高開(kāi)口率；同時(shí)，數(shù)據(jù)線下方的有源層鏤空，還可降低了數(shù)據(jù)線處的段差，減小了 Rubbing Mura的發(fā)生幾率，從而有利于提聞良品率和畫(huà)面品質(zhì)以及降低成本。
[0049]另外,對(duì)于周邊采用GOA (Gate On Array,集成在陣列基板上的柵極驅(qū)動(dòng)器)單元的陣列基板，因在邊緣的連接區(qū)域(Band區(qū)域)需要設(shè)計(jì)貫穿柵極絕緣層和有源層的柵極絕緣層通孔，以實(shí)現(xiàn)外圍特殊需求(G0A單元內(nèi)部設(shè)計(jì)需求，主要是與柵線的連接需求)的柵極金屬層和信號(hào)電極層金屬層導(dǎo)通，例如位于柵極金屬層的各種引線與柵線的連接需求，以及GOA單元與柵線的連接需求。
[0050]現(xiàn)有技術(shù)中在有源層的成膜工序之后，信號(hào)線金屬層的成膜工序之前，形成柵極絕緣層通孔。因此優(yōu)選地，上述步驟103 (或203)可與形成柵極絕緣層通孔的工序同步形成。具體而言，如圖5、圖6和圖7所示，該方案中在顯示區(qū)域?qū)⒌谝粎^(qū)域10對(duì)應(yīng)的有源層和柵極絕緣層均鏤空外，還同步在陣列基板的邊緣(非顯示區(qū)域)形成柵極絕緣層通孔9，換言之，即通過(guò)所述構(gòu)圖工藝還同步形成柵極絕緣層通孔9，所述柵極絕緣層通孔設(shè)置在所述陣列基板的邊緣，貫穿柵極絕緣層和有源層。其中，圖5為陣列基板的平面結(jié)構(gòu)圖，圖6為圖5中B-B’處陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)圖，顯示出數(shù)據(jù)線6下方第一區(qū)域10處存在的各膜層結(jié)構(gòu)。第一區(qū)域10的有源層和柵絕緣層4均被鏤空(此區(qū)域的柵極金屬層在步驟101或201中也被刻蝕掉了)，第一區(qū)域10處的數(shù)據(jù)線6直接設(shè)置在基板7上。圖7為圖5中C-C’處陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)圖，顯示出位于陣列基板邊緣的柵極絕緣層通孔9處存在的各膜層結(jié)構(gòu)，其中柵極金屬層12和信號(hào)電極線金屬層11連接，此位置處的柵極金屬層12和信號(hào)電極線金屬層11可分別用作柵線引線與柵線，此處通過(guò)柵極絕緣層通孔9將二者連接。
[0051]上述陣列基板制備方法，形成柵極絕緣層通孔的同時(shí)將數(shù)據(jù)線下方(第一區(qū)域處)的柵極絕緣層和有源層去除，不需要額外增加工序，但形成的陣列基板數(shù)據(jù)線下方不再存在有源層殘留，從而解決因有源層殘留導(dǎo)致的開(kāi)口率降低的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)更高開(kāi)口率，同時(shí)降低了數(shù)據(jù)線處的段差，減小了 Rubbing Mura的發(fā)生幾率，從而有利于提高良品率和畫(huà)面品質(zhì)以及降低成本。
[0052]實(shí)施例二
[0053]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，如圖5、圖6和圖7所示，包括:薄膜晶體管、交疊設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)線6和柵線8，數(shù)據(jù)線6所在層的圖形和薄膜晶體管的有源層5圖形通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝同時(shí)形成，除數(shù)據(jù)線6與柵線8的交疊區(qū)域外，顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線6下方對(duì)應(yīng)區(qū)域的有源層5鏤空，即將第一區(qū)域10內(nèi)的有源層5鏤空
[0054]本實(shí)施例提供的陣列基板，數(shù)據(jù)線下方不再存在有源層殘留，從而解決因有源層殘留導(dǎo)致的開(kāi)口率降低的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)更高開(kāi)口率，同時(shí)降低了數(shù)據(jù)線處的段差，減小了Rubbing Mura的發(fā)生幾率，從而有利于提聞良品率和畫(huà)面品質(zhì)以及降低成本。
[0055]上述薄膜晶體管還包括:還包括:柵絕緣層4，柵極絕緣層4位于有源層5的下方，柵線8所在層(即柵極金屬層12)的上方；本實(shí)施例優(yōu)選地，除數(shù)據(jù)線6與柵線8的交疊區(qū)域外，顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線6下方對(duì)應(yīng)區(qū)域的柵絕緣層4也鏤空，即將第一區(qū)域10對(duì)應(yīng)位置的柵絕緣層4也鏤空。
[0056]這樣陣列基板制備時(shí)，形成柵極絕緣層通孔的同時(shí)即可將數(shù)據(jù)線下方(第一區(qū)域處)的柵極絕緣層和有源層去除，不需要額外增加工序，但形成的陣列基板數(shù)據(jù)線下方不再存在有源層殘留。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線下方對(duì)應(yīng)區(qū)域的有源層(與柵線的交疊區(qū)域除外)鏤空，數(shù)據(jù)線下方不會(huì)存在有源層殘留，像素電極與數(shù)據(jù)線之間的距離可進(jìn)一步減小，從而解決因有源層殘留導(dǎo)致的開(kāi)口率降低的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)更高開(kāi)口率；同時(shí)，數(shù)據(jù)線下方的有源層鏤空，還可降低了數(shù)據(jù)線處的段差，減小了 Rubbing Mura的發(fā)生幾率，從而有利于提聞良品率和畫(huà)面品質(zhì)以及降低成本。
[0058]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，其包括上述任意一種陣列基板。所述顯示裝置，可以實(shí)現(xiàn)更聞開(kāi)口率，同時(shí)良品率和畫(huà)面品質(zhì)獲得低聲，所述顯不裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0059]本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對(duì)于設(shè)備實(shí)施例而言，由于其基本相似于方法實(shí)施例，所以描述得比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)方法實(shí)施例的部分說(shuō)明即可。
[0060]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板制備方法，包括:形成柵金屬層的工序，所述柵金屬層包括柵線；有源層的成膜工序和信號(hào)線金屬層的成膜工序，所述信號(hào)線金屬層包括數(shù)據(jù)線；以及，通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝同時(shí)形成有源層圖形和信號(hào)線金屬層圖形的工序；其特征在于，在所述有源層的成膜工序之后，所述信號(hào)線金屬層的成膜工序之前，還包括: 通過(guò)構(gòu)圖工藝，將所述有源層的第一區(qū)域鏤空， 所述第一區(qū)域位于顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線下方，且，所述數(shù)據(jù)線與所述柵線的交疊區(qū)域除外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括在所述柵金屬層上方且所述有源層下方形成柵極絕緣層的工序； 通過(guò)所述構(gòu)圖工藝，除將所述有源層的所述第一區(qū)域鏤空外，還將柵極絕緣層對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域的位置鏤空。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，通過(guò)所述構(gòu)圖工藝還同步形成柵極絕緣層通孔，所述柵極絕緣層通孔設(shè)置在所述陣列基板的邊緣，貫穿所述柵極絕緣層和所述有源層。
4.一種陣列基板，包括:薄膜晶體管、交疊設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)線和柵線，所述數(shù)據(jù)線所在層的圖形和所述薄膜晶體管的有源層圖形通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝同時(shí)形成，其特征在于， 除所述數(shù)據(jù)線與所述柵線的交疊區(qū)域外，顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線下方對(duì)應(yīng)區(qū)域的所述有源層鏤空。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括:柵絕緣層，所述柵極絕緣層位于所述有源層的下方，所述柵線所在層的上方； 除所述數(shù)據(jù)線與所述柵線的交疊區(qū)域外，顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線下方對(duì)應(yīng)區(qū)域的所述柵絕緣層也鏤空。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的邊緣還設(shè)置有:貫穿所述柵極絕緣層和所述有源層的柵極絕緣層通孔。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括:權(quán)利要求4-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/02GK103985671SQ201410183494
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年4月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月30日
【發(fā)明者】張文余, 謝振宇, 郭建 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司