Led驅(qū)動電源大芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種LED驅(qū)動電源大芯片,包括寬度固定為W的透明基板(413)，第二透明基板(413)印制有銀漿電路，銀漿電路上形成有接口導(dǎo)線，接口導(dǎo)線有接入端和輸出端；接入端的寬度與光機(jī)模板(43)導(dǎo)線接入端的寬度WG相同或有與電氣接插件相連的焊盤；輸出端的銀漿電路上有N+1條平行的接口導(dǎo)線，相鄰兩條接口導(dǎo)線的間距WJG等于W減接口導(dǎo)線寬再除以N；第二透明基板(413)上先粘貼未經(jīng)封裝的電源驅(qū)動晶圓級芯片(411)和整流橋晶圓級芯片(412)，然后將未經(jīng)封裝的電源驅(qū)動晶圓級芯片(411)和整流橋晶圓級芯片(412)焊接在第二透明基板(413)上。
【專利說明】LED驅(qū)動電源大芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種LED驅(qū)動電源大芯片，屬于LED照明【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]申請?zhí)?201310140124.5、201310140138.7、201310140150.8、201310140105.2、201310140134.9,201310140106.7,201310140151.2,201310140136.8 等中國專利申請公開
了多個能在通用和互換的LED燈泡上使用的光機(jī)模組技術(shù)方案。這些技術(shù)為建立以LED燈泡為中心的照明產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，使LED燈泡(照明光源)、燈具、照明控制成為獨立生產(chǎn)、應(yīng)用的終端產(chǎn)品的基本理念奠定了基礎(chǔ)。但上述專利尚未解決光機(jī)模組內(nèi)置驅(qū)動電源的問題。
[0003]現(xiàn)行的LED驅(qū)動電源多為開關(guān)電源，體積太大；也有體積稍小的線性電源，但其驅(qū)動芯片多以DIP雙列直插或SMD貼片封裝型式再配合輔助元器件，然后焊接在PCB電路板上，其體積仍不足以小到能放置到光機(jī)模組內(nèi)部。這個思路難以使LED驅(qū)動電源微型化、輕量化和透明化，無法放置到光機(jī)模組中，最終無法在通用和互換的LED燈泡實現(xiàn)市電直接接入。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于，提供一種LED驅(qū)動電源大芯片。它可以方便地用于不同功率要求的LED光機(jī)模組，可以把體積做的較小，以至于可以將驅(qū)動電源放到燈泡內(nèi)部甚至光機(jī)模組內(nèi)部，有利于LED照明的標(biāo)準(zhǔn)化、大規(guī)模的推廣。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案:LED驅(qū)動電源大芯片，其特點是:包括寬度固定為W的第二透明基板，第二透明基板印制有銀漿電路，銀漿電路上形成有接口導(dǎo)線，接口導(dǎo)線有接入端和輸出端；接入端的寬度與光機(jī)模板(43)導(dǎo)線接入端的寬度We相同或有與電氣接插件相連的焊盤；輸出端的銀漿電路上有N+1條平行的接口導(dǎo)線，相鄰兩條接口導(dǎo)線的間距Wje等于W減接口導(dǎo)線寬再除以N(Wje = (W-接口導(dǎo)線寬)/N);第二透明基板上先粘貼未經(jīng)封裝的電源驅(qū)動晶圓級芯片和整流橋晶圓級芯片，然后將未經(jīng)封裝的電源驅(qū)動晶圓級芯片和整流橋晶圓級芯片焊接在第二透明基板上；可將整流橋晶圓級芯片合并在電源驅(qū)動晶圓級芯片中；第二透明基板有輸出端的接口導(dǎo)線端的寬度與LED照明大芯片的寬度W相同，高度為H2;LED驅(qū)動電源大芯片上輸出端的接口導(dǎo)線的用途是用來連接所述的LED照明大芯片上的芯片陣列的。N為3至7之間的整數(shù)。
[0006]上述的LED驅(qū)動電源大芯片組建的LED光機(jī)模組中，它是按以下方法組建的:在光機(jī)模板上印刷銀漿電路，光機(jī)模板上的銀漿電路也形成有接口導(dǎo)線，且數(shù)目和間距均與LED驅(qū)動電源大芯片的接口導(dǎo)線相同，將LED驅(qū)動電源大芯片帶銀漿電路的一面貼在光機(jī)模板帶銀漿電路的一面進(jìn)行對焊；同時將LED照明大芯片帶芯片的一面貼在光機(jī)模板帶銀漿電路的一面進(jìn)行對焊，兩者的接口導(dǎo)線相互對應(yīng)焊接；從而將LED照明大芯片與LED驅(qū)動電源大芯片接通；最后用透明膠封裝LED照明大芯片和驅(qū)動電源大芯片周圍的縫隙。
[0007]前述的LED光機(jī)模組中，所述LED照明大芯片包括一個寬度也固定為W的第一透明基板，透明基底上設(shè)有N+1條平行的接口導(dǎo)線，第一透明基板上設(shè)有N顆LED芯片構(gòu)成LED芯片串聯(lián)組，每顆LED芯片均位于兩條相鄰的接口導(dǎo)線之間，兩條相鄰的接口導(dǎo)線的間距為Wie等于W減接口導(dǎo)線寬再除以N (ffJG = (W-接口導(dǎo)線寬)/N)，且每顆LED芯片的正負(fù)極均分別連接在兩條相鄰的接口導(dǎo)線上；且同時并聯(lián)多個LED串聯(lián)組，使得第一透明基板上形成可在第一透明基板長度方向上延伸的N列多行的LED芯片陣列；N為3至7之間的整數(shù)；在組建LED光機(jī)模組時，根據(jù)功率需要，對LED照明大芯片進(jìn)行剪裁，剪裁成不同長度的LED照明大芯片具有不同的功率；所述的LED芯片承載電壓為DC3.2V或大于DClOV的高電壓。
[0008]前述的LED光機(jī)模組中，所述LED芯片陣列和接口導(dǎo)線在第一透明基板上的形成方法是:采用透明的襯底做過渡外延層形成的薄型外延片，外延片采用成熟芯片制造技術(shù)分層生長電路和LED芯片，然后經(jīng)切割形成寬度為W的LED照明大芯片，其中生長出的電路包括接口導(dǎo)線和連接LED芯片和接口導(dǎo)線的連接芯片的導(dǎo)線，襯底作為第一透明基板；所述的芯片二極由于不需要焊接，可采用透明電極，以增加芯片的發(fā)光面積；所述的芯片成熟制造技術(shù)是:采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積設(shè)備分層進(jìn)行覆硅、上膠、光刻、蝕刻、鍍膜、合金和磨片等工藝；或者采用傳統(tǒng)技術(shù)將LED芯片陣列貼裝在印制好銀漿電路的第一透明基板上，并通過倒裝焊接或金絲正裝焊接與第一透明基板上的銀漿電路連接，獲得LED照明大芯片，銀漿刷電路包括接口導(dǎo)線和連接連接芯片的導(dǎo)線。
[0009]前述的LED驅(qū)動電源大芯片中，所述LED驅(qū)動電源大芯片上的LED驅(qū)動方法為:整流橋晶圓級芯片上的整流橋?qū)⑹须夾C轉(zhuǎn)化為脈動直流電，脈動直流電的電壓大于零，小于等于脈動直流電額定最大工作電壓VWK，在脈動直流電上設(shè)置N段LED負(fù)載；N為3至7之間的整數(shù)；各段LED負(fù)載串聯(lián)在一起形成LED負(fù)載串聯(lián)段組，多個LED負(fù)載串聯(lián)段組形成所述的LED芯片陣列，在脈動直流電的電壓升高時，電源驅(qū)動晶圓級芯片控制LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)逐級增加，在脈動直流電的電壓下降時，控制LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)逐級減小，LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)為實際連入脈動直流電的LED負(fù)載段數(shù)。市電AC經(jīng)過整流橋后變成脈動直流電，例:AC220V，50Hz交流電經(jīng)整流橋整流后，電壓為半個周期(180度)的波形曲線，周期在O度時脈動直流電壓為零，在90度時脈動直流電壓達(dá)到最大值Vwk為最高DC311V，180度時，電壓又降為零，周而復(fù)始。
[0010]前述的LED驅(qū)動電源大芯片中，所述LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)通過開關(guān)進(jìn)行控制，開關(guān)的控制節(jié)點為電壓的分段界限，所述電壓的分段數(shù)量與LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)相對應(yīng)；所述LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)的控制方法是，將每段LED負(fù)載的負(fù)極方向分別通過開關(guān)連接脈動直流電的負(fù)極，然后根據(jù)脈動直流電的電壓變化對各個開關(guān)的通斷進(jìn)行控制，使用將某幾段開關(guān)斷路的方式實現(xiàn)LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)的改變。LED負(fù)載可分為3?7段，分段少，電路簡單，但電流變化較大，容易在電網(wǎng)產(chǎn)生低次諧波；分段多，則電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜。一般取4?6段為佳。
[0011]前述的LED驅(qū)動電源大芯片中，設(shè)定脈動直流電的脈動直流工作電壓Vw大于Vwmax的時段，控制所有開關(guān)斷開，停止向所有LED負(fù)載供電，實現(xiàn)對LED的過電壓及浪涌保護(hù)；通過調(diào)整脈動直流電的最大允許脈動直流電SVwmax的大小，從而實現(xiàn)對LED的發(fā)光亮度調(diào)整。
[0012]前述的LED驅(qū)動電源大芯片中，通過設(shè)置電流傳感器測得電路中有效工作電流Iw，當(dāng)Iw超過設(shè)計值KIwe時，關(guān)閉所有開關(guān)以實現(xiàn)電流保護(hù)，開關(guān)的開啟需在下次重新加載電壓后恢復(fù)，其中K為調(diào)整系數(shù)，Iwk為額定有效工作電流。
[0013]前述的LED驅(qū)動電源大芯片中，所述的開關(guān)在脈動直流電壓上升階段延時tm毫秒動作，在脈動直流電壓下降階段提前tm毫秒動作，以獲得相對較平穩(wěn)的LED工作電流。
[0014]前述的LED驅(qū)動電源大芯片中，設(shè)置串聯(lián)在一起的每一段LED負(fù)載為具有不同的最大承載電壓值的LED芯片組，可使在開關(guān)控制下工作的LED負(fù)載串聯(lián)段組獲得接近理想正弦波的工作電流曲線。
[0015]前述的LED驅(qū)動電源大芯片中，所述每一段LED負(fù)載最大承載電壓的調(diào)整方法是:①以脈動直流電壓為縱坐標(biāo)、脈動直流周期為橫坐標(biāo)作圖假定一個純電阻負(fù)載，其功率在脈動直流半波形成的正弦圖形面積為1，作圖；③設(shè)定LED負(fù)載串聯(lián)段組的承載功率為純電阻負(fù)載的120%，作一面積為1.2的矩形陰影圖，矩形陰影的縱坐標(biāo)值即為串聯(lián)段組總的最大承載電壓值；(!)同理，已知LED負(fù)載承載電壓情況下，可作圖得出LED負(fù)載的圖形面積，，逐段驗證LED負(fù)載的面積之和大于開關(guān)的控制節(jié)點下的脈動直流正弦波面積；⑤選取LED負(fù)載串聯(lián)段組上各段LED負(fù)載的承載電壓值，相加大于等于串聯(lián)段組總的最大承載電壓值即可；其中，承載電壓值較高的LED負(fù)載靠近正極端，承載電壓值較低的LED負(fù)載靠近負(fù)極端。
[0016]前述的LED光機(jī)模組中，所述光機(jī)模板的材質(zhì)為薄片非金屬透明材料(如SiO2,Al2O3等)，它是將薄型板材加溫到近材料軟化點，利用模具采用沖壓設(shè)備沖壓成型的。(材料易脆且硬度較高。這樣只能切割方式進(jìn)行加工成光機(jī)模板形狀時，成本較高。)
[0017]使用前述的LED光機(jī)模組組建LED照明核心構(gòu)件的方法:在LED光機(jī)模組上設(shè)置柔性電路后裝入帶 熒光粉的內(nèi)罩即可；帶熒光粉的內(nèi)罩是將含熒光粉的注塑顆粒料與不含熒光粉的透明注塑顆粒料混勻；混合比例根據(jù)需要配置，然后通過注塑成型即得；其中所述含熒光粉的注塑顆粒料是將20~30%熒光粉體與70~80%透明注塑顆粒料混勻，熱熔后重新制成注塑顆粒料；熒光粉選用余輝時間大于8ms的熒光粉。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的LED照明大芯片可以滿足LED照明應(yīng)用如驅(qū)動、調(diào)光、過電壓及浪涌保護(hù)、過載等的各種基本需求，且可以把體積做的較小，以至于可以將驅(qū)動電源放到燈泡內(nèi)部甚至光機(jī)模組內(nèi)部。這對LED照明低成本、小型化具有非常重要的意義。從而可以推動了 LED芯片的朝集成化的方向發(fā)展，使照明大芯片的出現(xiàn)成為現(xiàn)實。二者的共同使用將進(jìn)一步推動LED照明產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。
[0019]本發(fā)明的光機(jī)模組可以適用于本發(fā)明人在先申請的各類燈泡專利，替代燈泡中原有的光機(jī)模組。本發(fā)明的光機(jī)模組在結(jié)構(gòu)上可以內(nèi)置電源和LED照明芯片，而且體積小，易于實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化。本發(fā)明可以改變了現(xiàn)有的以LED芯片為中心的產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，本發(fā)明的LED光機(jī)模組可以以在可更換光源的模式下實現(xiàn)光源(燈泡)標(biāo)準(zhǔn)化，從而可以降低照明產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)復(fù)雜度和降低了照明產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)集中度。
[0020]另外，本發(fā)明通過整流橋?qū)⑹须娹D(zhuǎn)化為脈動直流電，同時將每個周期內(nèi)的電壓按相位分割為多段，且利用多段內(nèi)電壓不同的特性，使用開關(guān)對串接入工作狀態(tài)的LED負(fù)載的段數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而使LED負(fù)載進(jìn)入智能化的運行模式，該運行模式可以滿足LED芯片供電，而且本發(fā)明的這種LED驅(qū)動方式可以極大地減少驅(qū)動電源的復(fù)雜性，從而使得LED光機(jī)模組內(nèi)置驅(qū)動電源成為可能，這對于LED燈泡實現(xiàn)更大的通用性和互換性意義重大?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明大功率LED驅(qū)動電源大芯片主視圖；
[0022]圖2為本發(fā)明小功率LED驅(qū)動電源大芯片主視圖；
[0023]圖3為本發(fā)明電阻的大功率LED驅(qū)動電源大芯片主視圖；
[0024]圖4為本發(fā)明大型的光機(jī)模組；
[0025]圖5為本發(fā)明中型的光機(jī)模組；[0026]圖6為本發(fā)明實施例LED照明大芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖7為本發(fā)明實施例的光機(jī)核心構(gòu)件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖8為本發(fā)明實施例的LED電壓電流波形圖；
[0029]圖9為本發(fā)明實施例的超高電壓運行功率波形圖；
[0030]圖10本發(fā)明實施例的調(diào)光運行功率波形圖；
[0031 ] 圖11本發(fā)明實施例的電路連接圖；
[0032]圖12本發(fā)明實施例的驅(qū)動電源芯片內(nèi)部電路圖；
[0033]圖13本發(fā)明實施例3段負(fù)載的LED電壓電流波形圖；
[0034]圖14:本發(fā)明實施例DC52V串聯(lián)的LED芯片陣列模組功率加載分布圖；
[0035]圖15:本發(fā)明實施例LED芯片陣列承載電壓試算圖；
[0036]圖16:本發(fā)明實施例單顆DC52V芯片承載功率試算圖；
[0037]圖17:本發(fā)明實施例2*52V+4*35V串聯(lián)的LED芯片陣列模組功率加載分布圖。
[0038]附圖中的標(biāo)記為:41_LED芯片,43-光機(jī)模板,43.1_光機(jī)模板固定孔,44.1_焊點，61-帶熒光粉的內(nèi)罩，410-LED驅(qū)動電源大芯片，411-LED電源驅(qū)動晶圓級芯片，412-整流橋晶圓級芯片，413-第二透明基板，414-銀漿電路，414.1 -焊盤，416-電阻，420-LED照明大芯片，421-第一透明基板。
【具體實施方式】
[0039]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明，但并不作為對本發(fā)明限制的依據(jù)。
[0040]實施例。LED驅(qū)動電源大芯片:包括寬度固定為W的第二透明基板413，第二透明基板413印制有銀漿電路，銀漿電路上形成有接口導(dǎo)線，接口導(dǎo)線有接入端和輸出端；接入端的寬度與光機(jī)模板43導(dǎo)線接入端的寬度We相同或有與電氣接插件相連的焊盤；輸出端的銀漿電路上有N+1條平行的接口導(dǎo)線，相鄰兩條接口導(dǎo)線的間距Wje等于W減接口導(dǎo)線寬再除以N(Wm= (W-接口導(dǎo)線寬)/N);第二透明基板413上先粘貼未經(jīng)封裝的電源驅(qū)動晶圓級芯片411和整流橋晶圓級芯片412,然后將未經(jīng)封裝的電源驅(qū)動晶圓級芯片411和整流橋晶圓級芯片412焊接在第二透明基板413上；可將整流橋晶圓級芯片412合并在電源驅(qū)動晶圓級芯片411中；第二透明基板413有輸出端的接口導(dǎo)線端的寬度與LED照明大芯片的寬度W相同，高度為H2;LED驅(qū)動電源大芯片上輸出端的接口導(dǎo)線的用途是用來連接所述的LED照明大芯片上的芯片陣列的。
[0041]其典型尺寸為L = 12.4mm, h4 = 5mm(大型)或 L = 12.4mm, h4 = 97mm(中、小型)，總厚度小于1mm，參見圖1和圖D2。為防止氧化和損傷晶圓級芯片，在晶圓級芯片表面局部點膠保護(hù)。[0042]LED驅(qū)動電源大芯片410具有與LED照明大芯片420中輸入路相同的寬度W和接口導(dǎo)線間距Wje ;寬度W和接口導(dǎo)線間距Wje是不同廠家的LED照明大芯片420與不同廠家的LED驅(qū)動電源大芯片410之間的通用連接接口。輸出電路的寬度W為LED串聯(lián)長度*接口導(dǎo)線間距Wje+導(dǎo)線寬度。
[0043]由于LED驅(qū)動電源大芯片410能直接采用市電供電，采用LED驅(qū)動電源大芯片410構(gòu)建的光機(jī)模組4具有體積小、超薄和整體透明的特點，參見圖1和圖2。
[0044]為了 LED電源驅(qū)動芯片411提供一個更穩(wěn)定的工作電源，可在LED驅(qū)動電源大芯片410背部設(shè)置了電阻416，便于調(diào)節(jié)內(nèi)部參考電壓，參見圖3。
[0045]使用LED驅(qū)動電源大芯片組建的LED光機(jī)模組，它是按以下方法組建的:在光機(jī)模板43上印刷銀漿電路414，光機(jī)模板43上的銀漿電路414也形成有接口導(dǎo)線，且數(shù)目和間距均與LED驅(qū)動電源大芯片410的接口導(dǎo)線相同，將LED驅(qū)動電源大芯片410帶銀漿電路的一面貼在光機(jī)模板43帶銀漿電路414的一面進(jìn)行對焊；同時將LED照明大芯片420帶芯片的一面貼在光機(jī)模板43帶銀漿電路414的一面進(jìn)行對焊，兩者的接口導(dǎo)線相互對應(yīng)焊接；從而將LED照明大芯片420與LED驅(qū)動電源大芯片410接通；最后用透明膠封裝LED照明大芯片420和驅(qū)動電源大芯片410周圍的縫隙。參見圖4和圖5 ;光機(jī)模板43可采用透明模板，可使LED發(fā)光時朝上的光在通過反射回來時能順利穿過LED驅(qū)動電源大芯片410而減少光線的遮擋。
[0046]所述LED照明大芯片420，如圖6所示，包括一個寬度也固定為W的第一透明基板421，透明基底上設(shè)有N+1條平行的接口導(dǎo)線，第一透明基板421上設(shè)有N顆LED芯片41構(gòu)成LED芯片串聯(lián)組，每顆LED芯片41均位于兩條相鄰的接口導(dǎo)線之間，兩條相鄰的接口導(dǎo)線的間距為Wje等于W減接口導(dǎo)線寬再除以N (ffJG = (W-接口導(dǎo)線寬)/N)，且每顆LED芯片41的正負(fù)極均分別連接在兩條相鄰的接口導(dǎo)線上；且同時并聯(lián)多個LED串聯(lián)組，使得第一透明基板421上形成可在第一透明基板421長度方向上延伸的N列多行的LED芯片陣列；N為3至7之間的整數(shù)；在組建LED光機(jī)模組時，根據(jù)功率需要，對LED照明大芯片420進(jìn)行剪裁，剪裁成不同長度的LED照明大芯片420具有不同的功率
[0047]所述LED芯片陣列和接口導(dǎo)線在第一透明基板421上的形成方法是:采用透明的襯底做過渡外延層形成的薄型外延片，外延片采用成熟芯片制造技術(shù)分層生長電路和LED芯片，然后經(jīng)切割形成寬度為W的LED照明大芯片，其中生長出的電路包括接口導(dǎo)線和連接LED芯片和接口導(dǎo)線的連接芯片的導(dǎo)線，襯底作為第一透明基板；所述的芯片二極由于不需要焊接，可采用透明電極，以增加芯片的發(fā)光面積；所述的芯片成熟制造技術(shù)是:采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積設(shè)備分層進(jìn)行覆硅、上膠、光刻、蝕刻、鍍膜、合金和磨片等工藝；或者采用傳統(tǒng)技術(shù)將LED芯片陣列貼裝在印制好銀漿電路414的第一透明基板421上，并通過倒裝焊接或金絲正裝焊接與第一透明基板421上的銀漿電路414連接，獲得LED照明大芯片，銀漿刷電路414包括接口導(dǎo)線和連接芯片的導(dǎo)線。
[0048]所述LED光機(jī)模組上的LED驅(qū)動方法為:整流橋晶圓級芯片412上的整流橋?qū)⑹须夾C轉(zhuǎn)化為脈動直流電，脈動直流電的電壓大于零，小于等于脈動直流電額定最大工作電壓Vwk，在脈動直流電上設(shè)置3?7段LED負(fù)載，各段LED負(fù)載串聯(lián)在一起形成LED負(fù)載串聯(lián)段組，多個LED負(fù)載串聯(lián)段組形成所述的LED芯片陣列，在脈動直流電的電壓升高時，電源驅(qū)動晶圓級芯片411控制LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)逐級增加，在脈動直流電的電壓下降時，控制LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)逐級減小，LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)為實際連入脈動直流電的LED負(fù)載段數(shù)。
[0049]所述LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)通過開關(guān)進(jìn)行控制，開關(guān)的控制節(jié)點為電壓的分段界限，所述電壓的分段數(shù)量與LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)相對應(yīng)；所述LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)的控制方法是，將每段LED負(fù)載的負(fù)極方向分別通過開關(guān)連接脈動直流電的負(fù)極，然后根據(jù)脈動直流電的電壓變化對各個開關(guān)的通斷進(jìn)行控制，使用將某幾段開關(guān)斷路的方式實現(xiàn)LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)的改變。
[0050]設(shè)定脈動直流電的脈動直流工作電壓Vw大于Vwmax的時段，控制所有開關(guān)斷開，停止向所有LED負(fù)載供電，實現(xiàn)對LED的過電壓及浪涌保護(hù)；通過調(diào)整脈動直流電的最大允許脈動直流電壓Vwmax的大小，從而實現(xiàn)對LED的發(fā)光亮度調(diào)整。
[0051]通過設(shè)置電流傳感器測得電路中有效工作電流Iw，當(dāng)Iw超過設(shè)計值KIwk時，關(guān)閉所有開關(guān)以實現(xiàn)電流保護(hù)，開關(guān)的開啟需在下次重新加載電壓后恢復(fù)，其中K為調(diào)整系數(shù)，Iwe為額定有效工作電流。
[0052]所述的開關(guān)在脈動直流電壓上升階段延時tm毫秒動作，在脈動直流電壓下降階段提前tm毫秒動作，以獲得相對較平穩(wěn)的LED工作電流。
[0053]設(shè)置串聯(lián)在一起的每一段LED負(fù)載為具有不同的最大承載電壓值的LED芯片組，可使在開關(guān)控制下工作的LED負(fù)載串聯(lián)段組獲得接近理想正弦波的工作電流曲線。
[0054]所述每一段LED負(fù)載最大承載電壓的調(diào)整方法是:①以脈動直流電壓為縱坐標(biāo)、脈動直流周期為橫坐標(biāo)作圖假定一個純電阻負(fù)載，其功率在脈動直流半波形成的正弦圖形面積為1，作圖；③設(shè)定LED負(fù)載串聯(lián)段組的承載功率為純電阻負(fù)載的120%，作一面積為1.2的矩形陰影圖，矩形陰影的縱坐標(biāo)值即為串聯(lián)段組總的最大承載電壓值同理，已知LED負(fù)載承載電壓情況下，可作圖得出LED負(fù)載的圖形面積，，逐段驗證LED負(fù)載的面積之和大于開關(guān)的控制節(jié)點下的脈動直流正弦波面積；⑤選取LED負(fù)載串聯(lián)段組上各段LED負(fù)載的承載電壓值，相加大于等于串聯(lián)段組總的最大承載電壓值即可；其中，承載電壓值較高的LED負(fù)載靠近正極端，承載電壓值較低的LED負(fù)載靠近負(fù)極端。
[0055]所述光機(jī)模板43的材質(zhì)為薄片非金屬透明材料，如SiO2, Al2O3等，它是將薄型板材加溫到近材料軟化點，利用模具采用沖壓設(shè)備沖壓成型的。由于材料易脆且硬度較高，因此只能切割方式進(jìn)行加工成光機(jī)模板形狀時，成本較高。
[0056]使用前述的LED光機(jī)模組組建LED照明核心構(gòu)件的方法，如圖7所示，在LED光機(jī)模組上設(shè)置柔性電路44后裝入帶熒光粉的內(nèi)罩61即可；帶熒光粉的內(nèi)罩61是將含熒光粉的注塑顆粒料與不含熒光粉的透明注塑顆粒料混勻；混合比例根據(jù)需要配置，然后通過注塑成型即得；其中所述含熒光粉的注塑顆粒料是將20?30%熒光粉體與70?80%透明注塑顆粒料混勻，熱熔后重新制成注塑顆粒料；熒光粉選用余輝時間大于8ms的熒光粉。
[0057]下文是以6組LED負(fù)載為例的本發(fā)明的工作原理。即η取值為6。
[0058]首先，交流電AC經(jīng)過整流橋后變成脈動直流電，例:AC220V，50Hz交流電經(jīng)整流橋整流后，參見圖8，電壓為半個周期(180度)的波形曲線，周期在O度時脈動直流電壓為零，在90度時脈動直流電壓達(dá)到最大值Vwe為最高DC311V，180度時，電壓又降為零，周而復(fù)始。
[0059]本發(fā)明的工作要求，在脈動直流電壓大于零與小于等于Vwk之間，共設(shè)置3?7段負(fù)載，各段負(fù)載間形成串聯(lián)方式，隨電壓升高，負(fù)載(即LED負(fù)載)串聯(lián)段數(shù)逐級增加，負(fù)載電壓由開關(guān)控制加載，參見圖8和圖11，電壓開關(guān)節(jié)點為電壓分段界限。
[0060]供電管理運行模式:本發(fā)明不設(shè)計電流控制器件，各級開關(guān)的啟閉僅取決于Vw的變化，參見圖8、圖11和圖12。
[0061]周期O~90度時:
[0062]第I段:工作初始狀態(tài)，即周期從O起始，電路中開關(guān)K1~K6處于開啟狀態(tài)(ON)，電流主要經(jīng)節(jié)點J1通過開關(guān)K1形成通路，負(fù)載由額定電壓為lVm/6串聯(lián)工作的LED組成；
[0063]第2段:當(dāng)Vw大于等于lVWK/6時，開關(guān)Kl關(guān)閉(OFF)，電流主要經(jīng)節(jié)點J2通過開關(guān)K2形成通路，負(fù)載由額定電壓為2VWK/6串聯(lián)工作的LED組成；
[0064]第3段:當(dāng)Vw大于等于2Vm/6時，開關(guān)Kl處于0FF，開關(guān)K2關(guān)閉(OFF)，電流主要經(jīng)節(jié)點J3通過開關(guān)K3形成通路，負(fù)載由額定電壓為3Vm/6串聯(lián)工作的LED組成；
[0065]第4段:當(dāng)Vw大于等于3Vm/6時，開關(guān)Kl~K2處于0FF，開關(guān)K3關(guān)閉(OFF)，電流主要經(jīng)節(jié)點J4通過開關(guān)K4形成通路，負(fù)載由額定電壓為4Vm/6串聯(lián)工作的LED組成；
[0066]第5段:當(dāng)Vw大于等于4Vm/6時，開關(guān)Kl~K3處于0FF，開關(guān)K4關(guān)閉(OFF)，電流主要經(jīng)節(jié)點J5通過開關(guān)K5形成通路，負(fù)載由額定電壓為5Vm/6串聯(lián)工作的LED組成；
[0067]第6段:當(dāng)Vw大于等于5Vm/6時，開關(guān)Kl~K4處于0FF，開關(guān)K5關(guān)閉(OFF)，電流經(jīng)節(jié)點J6通過開關(guān)K6形成通路，負(fù)載由額定電壓為6Vm/6串聯(lián)工作的LED組成； [0068]開關(guān)Kl~K6關(guān)閉時，可采用延時0.1ms的關(guān)閉方法，可獲得相對較平穩(wěn)的電流。
[0069]周期90~180度時:
[0070]第6段:工作初始狀態(tài)，電壓由最大值向下減少，電路中開關(guān)Kl~K5處于關(guān)閉狀態(tài)(OFF)，開關(guān)K6處于開啟狀態(tài)，電流經(jīng)節(jié)點J6通過開關(guān)K6形成通路，負(fù)載由額定電壓為βν^/6串聯(lián)工作的LED組成；
[0071]第5段:當(dāng)Vw小于等于5VWK/6時，開關(guān)K5~K6開啟(ON)，電流主要經(jīng)節(jié)點J5通過開關(guān)K5形成通路，負(fù)載由額定電壓為5VWK/6串聯(lián)工作的LED組成；
[0072]第4段:當(dāng)Vw小于等于4VWK/6時，開關(guān)K4~K6開啟(ON)，電流主要經(jīng)節(jié)點J4通過開關(guān)K4形成通路，負(fù)載由額定電壓為4VWK/6串聯(lián)工作的LED組成；
[0073]第3段:當(dāng)Vw小于等于3VWK/6時，開關(guān)K3~K6開啟(ON)，電流主要經(jīng)節(jié)點J3通過開關(guān)K3形成通路，負(fù)載由額定電壓為3VWK/6串聯(lián)工作的LED組成；
[0074]第2段:當(dāng)Vw小于等于2VWK/6時，開關(guān)K2~K6開啟(ON)，電流主要經(jīng)節(jié)點J2通過開關(guān)K2形成通路，負(fù)載由額定電壓為2VWK/6串聯(lián)工作的LED組成；
[0075]第I段:當(dāng)Vw小于等于lVWK/6時，開關(guān)Kl~K6開啟(ON)，電流主要經(jīng)節(jié)點Jl通過開關(guān)Kl形成通路，負(fù)載由額定電壓為lVWK/6串聯(lián)工作的LED組成。
[0076]開關(guān)Kl~K6開啟時，可采用提前0.1ms的開啟方法，可獲得相對較平穩(wěn)的電流。
[0077]調(diào)光運行模式:外部設(shè)置一給定電壓VT = O時，Vffmax對應(yīng)CVwk，外部電壓給定VT=5V時，Vffmax對應(yīng)0V，設(shè)置O ( Vffmax ( CVffE, C調(diào)整系數(shù)，為額定電壓的倍數(shù)，如C = 1.12。Vw大于Vwmax的時段,對應(yīng)各段的開關(guān)將關(guān)閉(OFF),停止向負(fù)載供電。其作用為一種調(diào)光方案。參見圖10、圖11和圖12，調(diào)節(jié)Vwmax低于Vwk，圖中黃色部分將增加，輸入到負(fù)載的功率將降低，從而達(dá)到調(diào)光的目的。例:當(dāng)LED在AC220V市電正常工作是，調(diào)整交流電電壓至AC180V的電壓時，圖中的陰影部分為Vw高于254V的形成功率投影圖部分，從周期約55.5度到124.5度之間，由于此段時間內(nèi)相應(yīng)的開關(guān)Kx處于關(guān)閉(OFF)，陰影部分的功耗(相當(dāng)于正常市電下脈動直流半波的加載功率的57.0% )將被剔除，這部分功耗未被加載到負(fù)載上，使負(fù)載的亮度降低。當(dāng)^_等于O時，所有開關(guān)將關(guān)閉(OFF)，負(fù)載供電量為零?？梢宰龅綗o級調(diào)光，而不會發(fā)生能量消耗。
[0078]電壓保護(hù)運行模式:設(shè)置Vwmax = CVwro Vff大于Vwmax的時段，對應(yīng)各段的開關(guān)將關(guān)閉(0FF)，停止向負(fù)載供電。參見圖9、圖11和圖12，例:當(dāng)市電達(dá)到270V的高電壓時，圖中的陰影部分為Vw高于348V的形成功率投影圖部分，從周期約66度到114度之間，由于此段時間內(nèi)Kl~K6開關(guān)處于關(guān)閉(0FF)，陰影部分的功耗(相當(dāng)于正常市電下脈動直流半波的加載功率的50.2% )將被剔除，這部分功耗未被加載到負(fù)載上，使負(fù)載不會因過電壓燒毀。
[0079]過流保護(hù)運行模式:本發(fā)明具有過流保護(hù)，參見圖12，電流傳感器測得電路中有效工作電流Iw超過設(shè)計值KIwk, K為調(diào)整系數(shù)，例:設(shè)定Iwe = 275mA, K=L 2，邏輯開關(guān)控制器將關(guān)閉所有開關(guān)Kl~K6(0FF)，開啟開關(guān)(ON)Kl~K6需在下次重新加載電源壓后恢復(fù)。
[0080]依據(jù)與上述相同的原理，負(fù)載方式可分為3~7段，分段少，電路簡單，但電流變化較大，容易在電網(wǎng)產(chǎn)生低次諧波，參見圖13;分段多，則電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜。一般取4~6段為佳。
[0081]注:VW—脈動直流工作電壓(1.4142*交流電壓)；VWK—脈動直流額定最大工作電壓(1.4142*交流電壓)；Vwmax—最大允許脈動直流電壓(1.4142*交流電壓)；IW—有效工作電流。Iwe—額定有效工作電流。
[0082]如市電為AC220，整流后的電壓為DC311V，以每組LED負(fù)載為單顆芯片為例，則每顆芯片承受DC52V ;如AC110，則芯片承受DC26V。設(shè)脈動直流半波的加載功率面積為1，參見圖14，圖中每個LED負(fù)載(LED模組I至6)被加載功率相差比較大，LED模組I達(dá)到脈動直流半波的加載功率面積的20.68% (為芯片額定出力的84.4% );而LED模組6只有5.11% (為芯片額定出力的19.2% )，約為模組I的四分之一功率，經(jīng)過實測驗證，模組6的實際亮度很低；整個芯片組的平均被加載的功率為芯片額定出力的52.4%，芯片的利用率較低；而芯片組的額定出力(虛線框面積)為脈動直流半波的加載功率面積的159%。由于芯片冗余量過大，不僅芯片浪費，還造成驅(qū)動電源過大而浪費，同時增加了布置上的難度。因此，恒定直流狀態(tài)下選擇芯片電壓的方法在脈動直流狀態(tài)下存在一定問題，如何在保證芯片安全工作的前提下，提高芯片的利用率成為一個待解決的問題。
[0083]設(shè)定6顆串聯(lián)的LED芯片陣列的額定出力由脈動直流半波加載功率的1.59倍調(diào)低至1.2倍(考慮到小型電網(wǎng)市電會出現(xiàn)不低于1.2倍波動)，參見圖15，設(shè)LED芯片陣列芯片承載功率(圖中陰影部分面積)為脈動直流半波加載功率(脈動直流半波部分面積)的1.2倍時，可以由圖15作圖推算出市電為AC220V時芯片陣列的承載電壓為DC236V ；
[0084]參見圖16，對LED模組I到模組6分別設(shè)置不同的電壓值，可以得到不同承載電壓值下的芯片加載功率面積(圖中陰影部分)；
[0085]采用2*52V+4*35V高電壓芯片(模組I和模組2的型號為VES-AADBHV45、模組3到模組6為ES-AADBHF40)組成串聯(lián)陣列，則芯片陣列的承載電壓調(diào)整為DC244V ;作圖17，獲得的芯片陣列被加載功率面積為脈動直流半波功率面積的96.67%，芯片陣列被加載的功率接近I為理想狀態(tài)；此時LED芯片陣列被加載的功率為芯片陣列額定出力77.6% ;實驗驗證與推算值相近。[0086]各電壓段的模組加載功率驗證:設(shè)脈動直流半波的加載功率面積為1，電壓為縱坐標(biāo)時，容易通過圖16計算DC52V芯片額定出力為26.52%，同理，DC35V芯片的額定出力為17.89% ;圖17則是市電為AC220V時，LED芯片陣列各模組的被加載的功率情況；表1是芯片陣列被加載的功率為脈動直流半波功率面積I時，市電電壓分別為AC220V，AV246V，AC270V各個模組被加載功率的情況，表中可以看出，僅模組3在DC311V和DC348V略有過載，但由于模組I和模組2有功率裕量，實驗證明模組3可通過。
[0087]在市電為IlOV時，優(yōu)化方式參照上述進(jìn)行。
[0088]理想狀態(tài)下芯片承載功率驗算如下表所示:
【權(quán)利要求】
1.LED驅(qū)動電源大芯片，其特征在于:包括寬度固定為W的第二透明基板(413)，第二透明基板(413)印制有銀漿電路(414)，銀漿電路(414)上形成有接口導(dǎo)線，接口導(dǎo)線有接入端和輸出端；接入端的寬度與光機(jī)模板(43)導(dǎo)線接入端的寬度We相同或有與電氣接插件相連的焊盤；輸出端的銀漿電路(414)上有N+1條平行的接口導(dǎo)線，相鄰兩條接口導(dǎo)線的間距'等于W減接口導(dǎo)線寬再除以N;第二透明基板(413)上先粘貼未經(jīng)封裝的電源驅(qū)動晶圓級芯片(411)和整流橋晶圓級芯片(412),然后將未經(jīng)封裝的電源驅(qū)動晶圓級芯片(411)和整流橋晶圓級芯片(412)焊接在第二透明基板(413)上；第二透明基板(413)有輸出端的接口導(dǎo)線端的寬度與LED照明大芯片的寬度W相同，高度為H2 ；LED驅(qū)動電源大芯片上輸出端的接口導(dǎo)線的用途是用來連接所述的LED照明大芯片上的芯片陣列的#為3至7之間的整數(shù)。
2.使用權(quán)利要求1所述的LED驅(qū)動電源大芯片組建的LED光機(jī)模組，其特征在于，它是按以下方法組建的:在光機(jī)模板(43)上印刷銀漿電路(414)，光機(jī)模板(43)上的銀漿電路(414)也形成有接口導(dǎo)線，且數(shù)目和間距均與LED驅(qū)動電源大芯片(410)的接口導(dǎo)線相同，將LED驅(qū)動電源大芯片(410)帶銀漿電路的一面貼在光機(jī)模板(43)帶銀漿電路(414)的一面進(jìn)行對焊；同時將LED照明大芯片(420)帶芯片的一面貼在光機(jī)模板(43)帶銀漿電路(414)的一面進(jìn)行對焊，兩者的接口導(dǎo)線相互對應(yīng)焊接；從而將LED照明大芯片(420)與LED驅(qū)動電源大芯片(410)接通；最后用透明膠封裝LED照明大芯片(420)和驅(qū)動電源大芯片(410)周圍的縫隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED光機(jī)模組，其特征在于:所述LED照明大芯片(420)包括一個寬度也固定為W的第一透明基板(421)，透明基底上設(shè)有N+1條平行的接口導(dǎo)線，第一透明基板(421)上設(shè)有N顆LED芯片(41)構(gòu)成LED芯片串聯(lián)組，每顆LED芯片(41)均位于兩條相鄰的接 口導(dǎo)線之間，兩條相鄰的接口導(dǎo)線的間距為等于W減接口導(dǎo)線寬再除以N，且每顆LED芯片(41)的正負(fù)極均分別連接在兩條相鄰的接口導(dǎo)線上；且同時并聯(lián)多個LED串聯(lián)組，使得第一透明基板(421)上形成可在第一透明基板(421)長度方向上延伸的N列多行的LED芯片陣列；N為3至7之間的整數(shù)；在組建LED光機(jī)模組時，根據(jù)功率需要，對LED照明大芯片(420)進(jìn)行剪裁，剪裁成不同長度的LED照明大芯片(420)具有不同的功率；所述的LED芯片承載電壓為DC3.2V或大于DClOV的高電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED光機(jī)模組，其特征在于:所述LED芯片陣列和接口導(dǎo)線在第一透明基板(421)上的形成方法是:采用透明的襯底做過渡外延層形成的薄型外延片，外延片采用成熟芯片制造技術(shù)分層生長電路和LED芯片，然后經(jīng)切割形成寬度為W的LED照明大芯片，其中生長出的電路包括接口導(dǎo)線和連接LED芯片和接口導(dǎo)線的連接芯片的導(dǎo)線，襯底作為第一透明基板；所述的芯片二極由于不需要焊接，可采用透明電極，以增加芯片的發(fā)光面積；所述的芯片成熟制造技術(shù)是:采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積設(shè)備分層進(jìn)行覆硅、上膠、光刻、蝕刻、鍍膜、合金和磨片等工藝；或者采用傳統(tǒng)技術(shù)將LED芯片陣列貼裝在印制好銀漿電路(414)的第一透明基板(421)上，并通過倒裝焊接或金絲正裝焊接與第一透明基板(421)上的銀漿電路(414)連接，獲得LED照明大芯片，銀漿刷電路(414)包括接口導(dǎo)線和連接芯片的導(dǎo)線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED驅(qū)動電源大芯片，其特征在于，所述LED驅(qū)動電源大芯片上的LED驅(qū)動方法為:整流橋晶圓級芯片(412)上的整流橋?qū)⑹须夾C轉(zhuǎn)化為脈動直流電，脈動直流電的電壓大于零，小于等于脈動直流電額定最大工作電壓Vwk，在脈動直流電上設(shè)置N段LED負(fù)載；N為3至7之間的整數(shù)；各段LED負(fù)載串聯(lián)在一起形成LED負(fù)載串聯(lián)段組，多個LED負(fù)載串聯(lián)段組形成所述的LED芯片陣列，在脈動直流電的電壓升高時，電源驅(qū)動晶圓級芯片(411)控制LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)逐級增加，在脈動直流電的電壓下降時，控制LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)逐級減小，LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)為實際連入脈動直流電的LED負(fù)載段數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED驅(qū)動電源大芯片，其特征在于:所述LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)通過開關(guān)進(jìn)行控制，開關(guān)的控制節(jié)點為電壓的分段界限，所述電壓的分段數(shù)量與LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)相對應(yīng)；所述LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)的控制方法是，將每段LED負(fù)載的負(fù)極方向分別通過開關(guān)連接脈動直流電的負(fù)極，然后根據(jù)脈動直流電的電壓變化對各個開關(guān)的通斷進(jìn)行控制，使用將某幾段開關(guān)斷路的方式實現(xiàn)LED負(fù)載串聯(lián)的段數(shù)的改變。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED驅(qū)動電源大芯片，其特征在于:設(shè)定脈動直流電的脈動直流工作電壓Vw大于Vwmax的時段，控制所有開關(guān)斷開，停止向所有LED負(fù)載供電，實現(xiàn)對LED的過電壓及浪涌保護(hù)；通過調(diào)整脈動直流電的最大允許脈動直流電壓Vwmax的大小，從而實現(xiàn)對LED的發(fā)光亮度調(diào)整。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED驅(qū)動電源大芯片，其特征在于:通過設(shè)置電流傳感器測得電路中有效工作電流Iw，當(dāng)Iw超過設(shè)計值KIwk時，關(guān)閉所有開關(guān)以實現(xiàn)電流保護(hù)，開關(guān)的開啟需在下次重新加載電壓后恢復(fù)，其中K為調(diào)整系數(shù)，IwkS額定有效工作電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED驅(qū)動電源大芯片，其特征在于:所述的開關(guān)在脈動直流電壓上升階段延時tm毫秒動作，在脈動直流電壓下降階段提前tm毫秒動作，以獲得相對較平穩(wěn)的LED工作電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED驅(qū)動電源大芯片，其特征在于:設(shè)置串聯(lián)在一起的每一段LED負(fù)載為具有不同的最大承載電壓值的LED芯片組，可使在開關(guān)控制下工作的LED負(fù)載串聯(lián)段組獲得接近理想正弦波的工作電流曲線。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的LED驅(qū)動電源大芯片，其特征在于，所述每一段LED負(fù)載最大承載電壓的調(diào)整方法是:①以脈動直流電壓為縱坐標(biāo)、脈動直流周期為橫坐標(biāo)作圖假定一個純電阻負(fù)載，其功率在脈動直流半波形成的正弦圖形面積為1，作圖；③設(shè)定LED負(fù)載串聯(lián)段組的承載功率為純電阻負(fù)載的120%，作一面積為1.2的矩形陰影圖，矩形陰影的縱坐標(biāo)值即為串聯(lián)段組總的最大承載電壓值同理，已知LED負(fù)載承載電壓情況下，可作圖得出LED負(fù)載的圖形面積，，逐段驗證LED負(fù)載的面積之和大于開關(guān)的控制節(jié)點下的脈動直流正弦波面積；⑤選取LED負(fù)載串聯(lián)段組上各段LED負(fù)載的承載電壓值，相加大于等于串聯(lián)段組總的最大承載電壓值即可；其中，承載電壓值較高的LED負(fù)載靠近正極端，承載電壓值較低的LED負(fù)載靠近負(fù)極端。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED光機(jī)模組，其特征在于:所述光機(jī)模板(43)的材質(zhì)為薄片非金屬透明材料，它是將薄型板材加溫到近材料軟化點，利用模具采用沖壓設(shè)備沖壓成型的。
13.使用權(quán)利要求2至4任一權(quán)利要求所述的LED光機(jī)模組組建LED照明核心構(gòu)件的方法:在LED光機(jī)模組上設(shè)置柔性過度電路(44)及或透明蓋板(42)后裝入帶熒光粉的內(nèi)罩(61)即可；帶熒光粉的內(nèi)罩(61)是將含熒光粉的注塑顆粒料與不含熒光粉的透明注塑顆粒料混勻；混合比例根據(jù)需要配置，然后通過注塑成型即得；其中所述含熒光粉的注塑顆粒料是將20~30%熒光粉體與70~80%透明注塑顆粒料混勻，熱熔后重新制成注塑顆粒料；熒光粉選用余輝時間大于8ms的熒光粉 。
【文檔編號】H01L25/16GK103953902SQ201410214074
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年5月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月20日
【發(fā)明者】張繼強, 張哲源, 朱曉冬 申請人:貴州光浦森光電有限公司