有機(jī)發(fā)光二極管顯示器和像素的制作方法
【專利摘要】公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器和一種像素，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括：第一晶體管，位于基底上；第一電極，連接到第一晶體管；以及像素限定層，位于第一電極上。像素限定層具有暴露第一電極的開口。間隔物形成在開口處。有機(jī)發(fā)射層位于暴露的第一電極上，第二電極位于有機(jī)發(fā)射層上。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示器和像素

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]在此描述的一個或多個實(shí)施例涉及一種顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器使用多個像素以產(chǎn)生圖像。每個像素包括在陽極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層。從陰極注入的電子和從陽極注入的空穴在有機(jī)發(fā)光層結(jié)合以形成激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)躍遷到穩(wěn)態(tài)或基態(tài)時發(fā)射光。
[0003]已經(jīng)提出各種方法用于制造OLED顯示器。一種方法使用激光以形成用于對應(yīng)像素的彩色(例如，紅、綠和藍(lán))發(fā)光層。該方法經(jīng)常被稱作激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)。
[0004]在LITI方法過程中，激光束通過掩模圖案照射在供體膜上。供體膜由基體膜和轉(zhuǎn)印層形成。當(dāng)照射時，掩模圖案通過轉(zhuǎn)印層被轉(zhuǎn)印以形成發(fā)光層。通過該方法，可以將每個發(fā)射層精細(xì)地圖案化。另外，LITI方法是可以被證明有益于一些應(yīng)用的干法工藝。
[0005]然而，LITI方法不是沒有缺點(diǎn)。例如，在制造過程中，供體膜被設(shè)置并且結(jié)合到基底。在真空結(jié)合期間，供體膜會移動或移位。更具體地講，當(dāng)在結(jié)合過程中供體膜的有機(jī)材料被轉(zhuǎn)印到突出部分時，有機(jī)材料可能移位和/或可能不能保留在供給膜上。當(dāng)供體膜向發(fā)光區(qū)域移動時，有機(jī)材料可能不能被轉(zhuǎn)印到發(fā)光區(qū)域。因此，可能形成有缺陷的像素。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]根據(jù)一個實(shí)施例，一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不器包括:基底；第一晶體管，位于基底上；第一電極，連接到第一晶體管；像素限定層，位于第一電極上并且具有暴露第一電極的開口 ；間隔物，位于開口處；有機(jī)發(fā)射層，位于暴露的第一電極上；以及第二電極，位于有機(jī)發(fā)射層上。存儲電容器可以位于基底上并與開口疊置。間隔物可以與存儲電容器疊置。
[0007]間隔物可以在存儲電容器的邊界線內(nèi)。間隔物可包括與像素限定層相同的材料。有機(jī)發(fā)射層可以通過轉(zhuǎn)印方法形成。
[0008]所述顯示器可以包括面向基底并且包封有機(jī)發(fā)射層的包封基底。所述顯示器可以包括:掃描信號線，位于基底上；數(shù)據(jù)線，與掃描信號線絕緣并且與掃描信號線交叉；以及第二晶體管，連接到掃描信號線、數(shù)據(jù)線和第一晶體管。第一晶體管的源電極可以連接到驅(qū)動電壓線，以及第一晶體管的源電極可以連接到第二晶體管的漏電極。
[0009]第三晶體管可以位于基底上，其中，第一晶體管的漏電極連接到第三晶體管的源電極，第一電極連接到第一晶體管的漏電極。第三晶體管可以包括在半導(dǎo)體和第三晶體管的柵電極之間的第一柵絕緣層，以及第一晶體管可以包括在半導(dǎo)體和第一晶體管的柵電極之間的第一柵絕緣層和位于第一柵絕緣層上的第二柵絕緣層。第二柵絕緣層覆蓋第三晶體管的柵電極。
[0010]所述顯示器可以包括具有位于第一柵絕緣層上的第一電容器集電板和位于第二柵絕緣層上并且與第一電容器集電板疊置的第二電容器集電板的存儲電容器。第一電容器集電板可以包括與第三晶體管的柵電極相同的材料，以及第二電容器集電板可以包括與第一晶體管的柵電極相同的材料。
[0011]根據(jù)另一實(shí)施例，一種像素包括:像素限定層，具有開口 ；有機(jī)發(fā)光器件，位于開口中；以及間隔物，位于開口中并與有機(jī)發(fā)光器件相鄰，其中，間隔物的上表面在有機(jī)發(fā)光器件的上表面的上方。所述像素可以包括存儲電容器，其中，所述開口與存儲電容器疊置。有機(jī)發(fā)光器件可以與存儲電容器疊置。
[0012]有機(jī)發(fā)光器件可以包括位于第一電極和第二電極之間的有機(jī)發(fā)射層。像素限定層和間隔物可以具有基本上相同的厚度，間隔物的上表面可以在像素限定層的上表面的上方。間隔物可以與像素限定層分隔開。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]通過參照附圖詳細(xì)地描述示例性實(shí)施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說特征將變得明顯，在附圖中:
[0014]圖1示出OLED顯示器的像素的實(shí)施例；
[0015]圖2示出該像素的布局圖的示例；
[0016]圖3和圖4示出分別沿著圖2中的II1-1II線和IV-1V線截取的剖視圖；
[0017]圖5和圖6示出根據(jù)制造OLED顯示器的方法的一個實(shí)施例的利用供體膜的有機(jī)發(fā)射層的轉(zhuǎn)印；
[0018]圖7和圖8示出通過LITI方法制造的OLED顯示器；以及
[0019]圖9和圖10示出與激光誘導(dǎo)熱成像方法的實(shí)施例對應(yīng)的OLED顯示器的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]在下文中參照附圖更充分地描述示例實(shí)施例；然而，這些示例實(shí)施例可以以不同的形式來實(shí)施，而不應(yīng)該被理解為局限于在此提出的實(shí)施例。而是，提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底的且完整的，并將把示例性實(shí)施方式充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
[0021]在附圖中，為了清楚示出起見，可以夸大層和區(qū)域的尺寸。也將理解的是，當(dāng)層或元件被稱作“在”另一層或基底“上”時，該層或元件可以直接在另一層或基底上，或者也可以存在中間層。另外，將理解的是，當(dāng)層被稱作“在”另一層“下”時，該層可以直接在另一層下，或者也可以存在一個或多個中間層。此外，也將理解的是，當(dāng)層被稱作“在”兩個層“之間”時，它可以是兩個層之間的唯一的層，或者也可以存在一個或多個中間層。相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。
[0022]圖1示出包括在OLED顯示器中的像素I的實(shí)施例。像素I包括連接到多條信號線的多個薄膜晶體管、存儲電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管70。晶體管包括驅(qū)動晶體管Tl、開關(guān)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3、初始化晶體管T4、操作控制晶體管T5和發(fā)光控制晶體管T6。這些晶體管全部可以是例如薄膜晶體管。
[0023]信號線包括:柵極線121,發(fā)送掃描信號Sn ;前一柵極線122,將前一掃描信號Sn-1發(fā)送到第四晶體管T4 ;發(fā)光控制線123，將發(fā)光控制信號En發(fā)送到第五薄膜晶體管T5和第六薄膜晶體管T6 ;數(shù)據(jù)線171，與柵極線121交叉并且發(fā)送數(shù)據(jù)信號Dm ;驅(qū)動電壓線172，發(fā)送驅(qū)動電壓ELVDD并且與數(shù)據(jù)線171近似平行地形成；以及初始化電壓線124，發(fā)送使第一晶體管Tl初始化的初始化電壓Vint。
[0024]第一晶體管Tl的第一柵電極Gl連接到存儲電容器Cst 80的一端Cstl。第一源電極SI通過第五晶體管T5連接到驅(qū)動電壓線172。第一漏電極Dl通過第六晶體管T6連接到OLED 70的陽極。第一晶體管Tl根據(jù)第二晶體管T2的開關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號Dm并且將驅(qū)動電流Id提供到OLED 70。
[0025]第二晶體管T2的第二柵電極G2連接到柵極線121。第二源電極S2連接到數(shù)據(jù)線171。第二漏電極D2連接到第一晶體管Tl的第一源電極SI并且通過第五晶體管T5連接到驅(qū)動電壓線172。第二晶體管T2根據(jù)通過柵極線121接收的掃描信號Sn而導(dǎo)通，從而執(zhí)行用于將數(shù)據(jù)信號Dm從數(shù)據(jù)線171發(fā)送到第一晶體管Tl的第一源電極SI的開關(guān)操作。
[0026]第三晶體管T3的第三柵電極G3連接到柵極線121。第三源電極S3連接到第一晶體管Tl的第一漏電極Dl并且通過第六晶體管T6連接到OLED 70的陽極。第三漏電極D3連接到存儲電容器80的一端Cstl、第四晶體管T4的第四漏電極D4和第一晶體管Tl的第一柵電極G1。第三晶體管T3根據(jù)通過柵極線121接收的掃描信號Sn導(dǎo)通，以通過連接第一晶體管Tl的柵電極Gl和漏電極Dl而使第一晶體管Tl以二極管方式連接。
[0027]第四晶體管T4的第四柵電極G4連接到前一柵極線122。第四源電極S4連接到初始化電壓線124。第四漏電極D4連接到存儲電容器Cst 80的一端Cstl、第三晶體管T3的第三漏電極D3和第一晶體管Tl的第一柵電極G1。第四晶體管T4根據(jù)通過前一柵極線122接收的前一掃描信號Sn-1而導(dǎo)通，以將初始化電壓Vint發(fā)送到第一晶體管Tl的第一柵電極G1。該后一功能允許執(zhí)行初始化操作以使第一晶體管Tl的第一柵電極Gl的電壓初始化。
[0028]第五晶體管T5的第五柵電極G5連接到發(fā)光控制線123。第五晶體管T5的第五源電極S5連接到驅(qū)動電壓線172。第五晶體管T5的第五漏電極D5連接到第一晶體管Tl的第一源電極SI和第二晶體管T2的第二漏電極D2。
[0029]第六晶體管T6的第六柵電極G6連接到發(fā)光控制線123。第六晶體管T6的第六源電極S6連接到第一晶體管Tl的第一漏電極Dl和第三晶體管T3的第三源電極S3。第六晶體管T6的第六漏電極D6電連接到OLED 70的陽極。第五晶體管T5和第六晶體管T6根據(jù)通過發(fā)光控制線123接收的發(fā)光控制信號En同時導(dǎo)通。因此，驅(qū)動電壓ELVDD被發(fā)送到OLED 70以使驅(qū)動電流Id在OLED 70中流動。
[0030]存儲電容器Cst 80的另一端Cst2連接到驅(qū)動電壓線172。OLED 70的陰極連接到共電壓ELVSS。OLED 70在接收到來自第一晶體管Tl的驅(qū)動電流Id之后發(fā)射光以顯示圖像。
[0031]在如上所述構(gòu)造的像素電路中，第一晶體管Tl給存儲電容器Cst 80充入與數(shù)據(jù)信號Dm對應(yīng)的電壓。第一晶體管Tl根據(jù)掃描信號Sn,將與充入在存儲電容器80中的電壓對應(yīng)的電流提供到OLED 70。因?yàn)榈谝痪w管Tl的閾值電壓可以隨著時間而變化，所以第三晶體管T3根據(jù)掃描信號Sn使第一晶體管Tl以二極管結(jié)構(gòu)連接，從而允許補(bǔ)償閾值電壓Vth0
[0032]現(xiàn)在將描述OLED顯示器的單個像素電路的操作。首先，在初始化時段期間通過前一柵極線122提供低電位的前一掃描信號Sn-1。因此，第四晶體管T4與低電位的前一掃描信號Sn-1對應(yīng)而導(dǎo)通，初始化電壓Vint從初始化電壓線124通過第四晶體管T4連接到第一晶體管Tl的第一柵電極，并且第一晶體管Tl被初始化電壓Vint初始化。
[0033]然后，在數(shù)據(jù)編入時段期間通過柵極線121提供低電位的掃描信號Sn。然后，第二晶體管T2和第三晶體管T3與低電位的掃描信號Sn對應(yīng)而導(dǎo)通。此時，第一晶體管Tl通過已導(dǎo)通的第三晶體管T3以二極管方式連接，并且正向偏置。
[0034]然后，補(bǔ)償電壓(Dm+Vth，其中，Vth是負(fù)值)在從數(shù)據(jù)線171提供的數(shù)據(jù)信號Dm中第一晶體管Tl的閾值電壓Vth施加到第一晶體管Tl的第一柵電極時減少。驅(qū)動電壓ELVDD和補(bǔ)償電壓Dm+Vth被施加到存儲電容器Cst 80的對應(yīng)端，并且與跨越存儲電容器Cst 80的電壓差對應(yīng)的電荷被存儲在存儲電容器Cst 80中。
[0035]然后，在發(fā)光時段期間從發(fā)光控制線123提供的發(fā)光控制信號En從高電位變?yōu)榈碗娢?。第五晶體管T5和第六晶體管T6在發(fā)光時段期間通過低電位的發(fā)光控制信號En而導(dǎo)通。
[0036]驅(qū)動電流Id基于第一晶體管Tl的第一柵電極Gl的電壓和驅(qū)動電壓ELVDD之間的差而產(chǎn)生。驅(qū)動電流Id通過第六晶體管T6被提供到OLED 70。在發(fā)光時段期間，第一晶體管Tl的柵源電壓Vgs通過存儲電容器Cst 80維持在(Dm+Vth)-ELVDD。根據(jù)第一晶體管Tl的電流-電壓關(guān)系，驅(qū)動電流Id與閾值電壓和源柵電壓之間的差對應(yīng)的值的平方(即，(Dm-ELVDD)2)成比例。因此，驅(qū)動電流Id被確定，而不管驅(qū)動晶體管Tl的閾值電壓Vth如何。
[0037]圖2示出圖1中的像素I的布局的示例，圖3和圖4是沿著圖2中的線II1-1II和線IV-1V截取的剖視圖。如圖2中所示，像素I包括分別施加掃描信號Sn、前一掃描信號Sn-1、發(fā)光控制信號En和初始化電壓Vint的柵極線121、前一柵極線122、發(fā)光控制線123和初始化電壓線124。前述的線沿行方向形成。
[0038]OLED顯示器還包括與柵極線121、前一柵極線122、發(fā)光控制線123和初始化電壓線124交叉的數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172。數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172分別將數(shù)據(jù)信號Dm和驅(qū)動電壓ELVDD施加到像素。
[0039]如前所述，像素I包括第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體管T6、存儲電容器Cst和OLED 70。這些晶體管沿著可以彎曲一次或更多次以實(shí)現(xiàn)各種形狀的半導(dǎo)體131形成。
[0040]半導(dǎo)體131包括第一晶體管Tl的第一半導(dǎo)體131a、第二晶體管T2的第二半導(dǎo)體131b、第三晶體管T3的第三半導(dǎo)體131c、第四晶體管T4的第四半導(dǎo)體131d、第五晶體管T5的第五半導(dǎo)體131e和第六晶體管T6的第六半導(dǎo)體131f。
[0041]半導(dǎo)體131可以由多晶硅、微晶硅或氧化物半導(dǎo)體制成。氧化物半導(dǎo)體可以包括基于鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)的任何一種氧化物，并且可以包括作為它們的復(fù)合氧化物的氧化銦鎵鋅(InGaZn04)、氧化銦鋅(Zn-1n-O)、氧化鋅錫(Zn-Sn-O)、氧化銦鎵(In-Ga-O)、氧化銦錫(In-Sn-O)、氧化銦鋯(In-Zr-O)、氧化銦鋯鋅(In-Zr-Zn-O)、氧化銦鋯錫(In-Zr-Sn-O)、氧化銦鋯鎵(In-Zr-Ga-O)、氧化銦鋁(In-Al-O)、氧化銦鋅鋁(In-Zn-Al-O)、氧化銦錫鋁(In-Sn-Al-O)、氧化銦鋁鎵(In-Al-Ga-O)、氧化銦鉭(In-Ta-O)、氧化銦鉭鋅(In-Ta-Zn-O)、氧化銦鉭錫(In-Ta-Sn-O)、氧化銦鉭鎵(In-Ta-Ga-O)、氧化銦鍺(In-Ge-O)、氧化銦鍺鋅(In-Ge-Zn-O)、氧化銦鍺錫(In-Ge-Sn-O)、氧化銦鍺鎵(In-Ge-Ga-O)、氧化鈦銦鋅(T1-1n-Zn-O)和/或氧化鉿銦鋅(Hf-1n-Zn-O)。當(dāng)半導(dǎo)體131由氧化物半導(dǎo)體制成時，可以添加單獨(dú)的保護(hù)層以防止氧化物半導(dǎo)體受到諸如高溫等外部環(huán)境的影響。
[0042]各個晶體管包括形成在溝道區(qū)域的對應(yīng)側(cè)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。源極區(qū)域和漏極區(qū)域可以摻雜有高濃度的導(dǎo)電性雜質(zhì)。
[0043]各個晶體管可以包括與半導(dǎo)體131a至131f的溝道區(qū)域疊置的第一柵電極125a、第二柵電極125b、第三柵電極125c、第四柵電極125d、第五柵電極125e和第六柵電極125f。第一柵電極125a可以形成為包括與柵極線121、前一柵極線122、第二柵電極125b、第三柵電極125c、第四柵電極125d和第二電容器集電板127相同的材料，并且可以與它們形成在同一層。
[0044]各個晶體管可以包括第一源電極176a、第二源電極176b、第三源電極176c、第四源電極176d、第五源電極176e和第六源電極176f。這些電極分別連接到半導(dǎo)體131a至131f的源極區(qū)域。第一漏電極177a、第二漏電極177b、第三漏電極177c、第四漏電極177d、第五漏電極177e和第六漏電極177f分別連接到半導(dǎo)體131a至131f的漏極區(qū)域
[0045]第一源電極至第六源電極和第一漏電極至第六漏電極可以由與半導(dǎo)體不同的金屬制成并且可以形成在與半導(dǎo)體不同的層。源極區(qū)域和漏極區(qū)域的每個可以通過接觸孔連接。在其它實(shí)施例中，源極區(qū)域和漏極區(qū)域可以由相同的金屬制成。
[0046]第一晶體管Tl包括第一半導(dǎo)體131a、第一柵電極125a、第一源電極176a和第一漏電極177a。第一源電極176a對應(yīng)于第一半導(dǎo)體131a中的源極區(qū)域,第一漏電極177a對應(yīng)于第一半導(dǎo)體131a中的漏極區(qū)域。
[0047]第二晶體管T2包括第二半導(dǎo)體131b、第二柵電極125b、第二源電極176b和第二漏電極177b。第二源電極176b從數(shù)據(jù)線171延伸，第二漏電極177b對應(yīng)于第二半導(dǎo)體131b中的漏極區(qū)域。
[0048]第三晶體管T3包括第三半導(dǎo)體131c、第三柵電極125c、第三源電極176c和第三漏電極177c。第三源電極176c對應(yīng)于第三半導(dǎo)體131c中的源極區(qū)域，第三漏電極177c連接到連接構(gòu)件74。
[0049]第四晶體管T4包括第四半導(dǎo)體131d、第四柵電極125d、第四源電極176d和第四漏電極177d。第四源電極176d連接到第四半導(dǎo)體131d的源極區(qū)域。第四漏電極177d連接到第四半導(dǎo)體131d的漏極區(qū)域。
[0050]第四源電極176d可以形成在第一柵絕緣層、第二柵絕緣層和層間絕緣層中。第四源電極176d可以通過同時暴露初始化電壓線124和第四半導(dǎo)體131d的接觸孔61同時連接到初始化電壓線124和第四半導(dǎo)體131d的源極區(qū)域。第四漏電極177d連接到連接構(gòu)件74。第四漏電極177d通過在第一柵絕緣層、第二柵絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔63連接到第四半導(dǎo)體131d。
[0051]第五晶體管T5包括第五半導(dǎo)體131e、第五柵電極125e、第五源電極176e和第五漏電極177e。作為驅(qū)動電壓線172的一部分的第五源電極176e通過第一柵絕緣層、第二柵絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔71連接到第五半導(dǎo)體131e的源極區(qū)域。第五漏電極177e與第五半導(dǎo)體131e的漏極區(qū)域?qū)?yīng)。
[0052]第六晶體管T6包括第六半導(dǎo)體131f、第六柵電極125f、第六源電極176f和第六漏電極177f。第六源電極176f與第六半導(dǎo)體131f的源極區(qū)域?qū)?yīng)。第六漏電極177f通過第一柵絕緣層、第二柵絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔72連接到第六半導(dǎo)體I3If的漏極區(qū)域。
[0053]第一半導(dǎo)體131a的一端連接到第二半導(dǎo)體131b和第五半導(dǎo)體131e，并且共用作為高濃度摻雜區(qū)域的源極區(qū)域或漏極區(qū)域。第一半導(dǎo)體131a的另一端連接到第三半導(dǎo)體131c和第六半導(dǎo)體131f，并且共用作為高濃度摻雜區(qū)域的源極區(qū)域或漏極區(qū)域。
[0054]因此,第一源電極176a連接到第二漏電極177b和第五漏電極177e。第一漏電極177a連接到第三源電極176c和第六源電極176f。
[0055]存儲電容器80包括設(shè)置為在它們之間具有第一柵絕緣層或第二柵絕緣層中的至少一個絕緣層的第一電容器集電板126和第二電容器集電板127。第一柵絕緣層和第二柵絕緣層可以包括介電材料。存儲電容器80的電容由集電板126和127之間的電壓和積聚在存儲電容器80中的電荷來確定。
[0056]第一電容器集電板126可以包括與發(fā)光控制線123、初始化電壓線124、第五柵電極125e和第六柵電極125f相同的材料，并且可以與它們形成在同一層。第二電容器集電板127可以包括與柵極線121、前一柵極線122、第一柵電極125a、第二柵電極125b、第三柵電極125c和第四柵電極125d相同的材料，并且可以與它們形成在同一層。第一電容器集電板126和第二電容器集電板127可以由包括鋁(Al)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、Al-N1-La合金或Al-Nd合金中的至少一種的柵極布線形成。與其中存儲電容器80的僅一個集電板由半導(dǎo)體形成的結(jié)構(gòu)相比，采用這種結(jié)構(gòu)可以提高存儲電容。
[0057]在一個實(shí)施例中，存儲電容器的第二電容器集電板可以與數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172形成在同一層上，并且可與柵極線121和前一柵極線122形成在同一層上。
[0058]驅(qū)動電壓線172與存儲電容器80疊置并且延伸以與初始化電壓線124、前一柵極線122和第四晶體管T4交叉。驅(qū)動電壓線172的一部分與第五源電極176e對應(yīng)并且通過接觸孔71連接到第五半導(dǎo)體的源極區(qū)域。驅(qū)動電壓線172的另一部分通過層間絕緣層中的接觸孔66連接到第二電容器集電板127。
[0059]連接構(gòu)件74可以與驅(qū)動電壓線172形成在同一層并且與它平行地形成。連接構(gòu)件74的一端通過在層間絕緣層中的接觸孔67連接到第一柵電極125a。連接構(gòu)件74的另一端連接到第四漏電極177d。連接構(gòu)件74的一部分通過暴露第三漏電極177c和第一電容器集電板126的接觸孔68連接到第一電容器集電板126和第三半導(dǎo)體131c的漏極區(qū)域。
[0060]因此,與通過驅(qū)動電壓線172傳輸?shù)尿?qū)動電壓ELVDD和第一柵電極125a的柵電壓之間的差對應(yīng)的電容被存儲在存儲電容器80中。
[0061]第二晶體管T2被用作用于選擇將要發(fā)光的像素的開關(guān)元件。第二柵電極125b連接到柵極線121，第二源電極176b通過第一柵絕緣層、第二柵絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔69連接到數(shù)據(jù)線171。第二漏電極177b連接到第一晶體管Tl和第五晶體管T5。此夕卜，第六晶體管T6的第六漏電極177f通過保護(hù)層中的接觸孔181直接連接到OLED 70的第一電極710。
[0062]圖3和圖4以剖視圖示出了像素的結(jié)構(gòu)。在這些圖中，主要示出了第一晶體管Tl、第二晶體管T2和第六晶體管T6。第三晶體管T3和第四晶體管T4的堆疊結(jié)構(gòu)可以與第一晶體管Tl與第二晶體管T2的堆疊結(jié)構(gòu)相似。另外，第五晶體管T5的堆疊結(jié)構(gòu)可以與第六晶體管T6的堆疊結(jié)構(gòu)相似。
[0063]參照圖3和圖4，緩沖層120形成在基底110上?；?10可以是例如由玻璃、石英或聚合物材料等制成的透明絕緣基底?？蛇x擇地，基底110可以是由例如不銹鋼制成的金屬基底。聚合物材料可以是從作為絕緣有機(jī)材料的聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化合物、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PO、三乙酸纖維素(TAC)和乙酸丙酸纖維素(CAP)組成的組中選擇的有機(jī)材料。
[0064]緩沖層120可以是氮化硅(SiNx)的單層結(jié)構(gòu)，或者包括堆疊的氮化硅(SiNx)和氧化硅(S1x)的雙層結(jié)構(gòu)。緩沖層120用于使表面平坦，同時防止不必要的組分(諸如雜質(zhì)或水)侵入。
[0065]第一半導(dǎo)體131a、第二半導(dǎo)體131b和第六半導(dǎo)體131f可以由多晶娃制成并且可以形成在緩沖層120上。第一半導(dǎo)體131a可以包括設(shè)置在溝道區(qū)域131al的對應(yīng)側(cè)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。源極區(qū)域和漏極區(qū)域可以分別用作第一源電極176a和第一漏電極177a。
[0066]第二半導(dǎo)體131b包括設(shè)置在溝道區(qū)域131bl的對應(yīng)側(cè)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。漏極區(qū)域可以用作第二漏電極177b，源極區(qū)域131b2連接到第二源電極176b。第六半導(dǎo)體131f包括設(shè)置在溝道區(qū)域131Π的對應(yīng)側(cè)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。源極區(qū)域可以用作第六源電極176f，漏極區(qū)域131f2連接到第六漏電極177f。
[0067]第一柵絕緣層141可以形成在第一半導(dǎo)體131a、第二半導(dǎo)體131b和第六半導(dǎo)體131f上，第一柵絕緣層141可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)制成。
[0068]包括第五柵電極125e和第六柵電極125f的發(fā)光控制線123與包括初始化電壓線124和第一電容器集電板126的第一柵極布線(123、125e、125f、124和126)形成在第一柵絕緣層141上。
[0069]第二柵絕緣層142形成在第一柵極布線(123、125e、125f、124和126)和第一柵絕緣層141上。第二柵絕緣層142由例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)制成。
[0070]包括第一柵電極125a、第二柵電極125b和第三柵電極125c的柵極線121與包括前一柵極線122和第二電容器集電板127的第二柵極布線(125a、125b、125c、121、122和127)形成在第二柵絕緣層142上。
[0071]如上所述，因?yàn)榈谝粬沤^緣層141和第二柵絕緣層142形成在第一半導(dǎo)體131a和第一柵電極125a之間，所以第一半導(dǎo)體131a和第一柵電極125a之間的間隔(或間距)變寬。因此，施加到第一柵電極125a的柵電壓的驅(qū)動范圍增大以允許表現(xiàn)所有的灰階值。
[0072]層間絕緣層160形成在第二柵極布線(125a、125b、125c、121、122和127)和第二柵絕緣層142上。與第一柵絕緣層141和第二柵絕緣層142相似，層間絕緣層160可以由例如陶瓷系材料(諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x))制成。
[0073]包括第二源電極176b的數(shù)據(jù)線171、第四漏電極177d和第三漏電極177c、連接到第四漏電極177d和第三漏電極177c的連接構(gòu)件74以及包括驅(qū)動電壓線172和第六漏電極177f的數(shù)據(jù)布線形成在層間絕緣層160上，驅(qū)動電壓線172包括第五源電極176e。
[0074]第二源電極176b和第六漏電極177f通過第一柵絕緣層141、第二柵絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔69和72連接到第二半導(dǎo)體131b的源極區(qū)域131b2和第六半導(dǎo)體131f的漏極區(qū)域131f2。此外，連接構(gòu)件74和驅(qū)動電壓線172通過層間絕緣層160中的對應(yīng)的接觸孔67和66連接到第一柵電極125a和第二電容器集電板127。
[0075]覆蓋數(shù)據(jù)布線(171、172、74和177f)的保護(hù)層180形成在層間絕緣層160上。第一電極710形成在保護(hù)層180上。第一電極710通過形成在保護(hù)層180中的接觸孔181連接到第六漏電極177f。
[0076]具有暴露第一電極710的開口 95的像素限定層190形成在保護(hù)層180和第一電極710上。像素限定層190可以由樹脂(例如，聚丙烯酸酯樹脂、聚酰亞胺樹脂等)或二氧化娃系無機(jī)材料制成。
[0077]有機(jī)發(fā)射層720在開口 95中形成在第一電極710上。第二電極730形成在有機(jī)發(fā)射層720上。如上所述，第一電極710、有機(jī)發(fā)射層720和第二電極730可以被用于構(gòu)造OLED 70。
[0078]在一個實(shí)施例中，第一電極710是陽極，S卩，空穴注入電極。第二電極730是陰極，即，電子注入電極?？蛇x擇地，第一電極710可以是陰極并且第二電極730可以是陽極?？昭ê碗娮訌牡谝浑姌O710和第二電極730被分別注入到有機(jī)發(fā)射層720，并且當(dāng)激子(空穴和電子的結(jié)合物)從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時發(fā)射光。
[0079]有機(jī)發(fā)射層720可以由例如諸如聚(3，4-乙撐二氧噻吩)(PEDOT)的小分子有機(jī)材料或聚合物有機(jī)材料制成。此外，有機(jī)發(fā)射層720可以由包括額外層中的至少一個的多層與發(fā)射層一起形成，所述額外層有諸如空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)或電子注入層(EIL)。當(dāng)有機(jī)發(fā)射層720包括多層時，空穴注入層(HIL)可以設(shè)置在作為陽極的第一電極710上,然后空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)可以順序地堆疊在空穴注入層上。
[0080]有機(jī)發(fā)射層720可以包括發(fā)射紅光的紅色有機(jī)發(fā)射層、發(fā)射綠光的綠色有機(jī)發(fā)射層或發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層。紅色有機(jī)發(fā)射層、綠色有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層分別形成在紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中以顯示彩色圖像。
[0081]此外，有機(jī)發(fā)射層720可以在紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中堆疊紅色有機(jī)發(fā)射層、綠色有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層中的所有層。對于各像素，可以設(shè)置紅色濾色器、綠色濾色器和藍(lán)色濾色器，從而實(shí)現(xiàn)彩色圖像。
[0082]作為另一個示例，有機(jī)發(fā)射層720可以在紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中的所有像素中堆疊發(fā)射白光的白色有機(jī)發(fā)射層。對于各像素，可以設(shè)置紅色濾色器、綠色濾色器和藍(lán)色濾色器，從而實(shí)現(xiàn)彩色圖像。
[0083]當(dāng)利用白色有機(jī)發(fā)光層和濾色器實(shí)現(xiàn)彩色圖像時，沒有必要使用用于在單獨(dú)的像素(即，紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素)的各像素中沉積紅色有機(jī)發(fā)射層、綠色有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層的沉積掩模。
[0084]白色有機(jī)發(fā)射層可以由單個有機(jī)發(fā)射層形成，并且可以包括通過堆疊多個有機(jī)發(fā)射層而發(fā)射白光的構(gòu)造。例如，白色有機(jī)發(fā)射層可以包括通過結(jié)合至少一個黃色有機(jī)發(fā)射層和至少一個藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層，結(jié)合至少一個青色有機(jī)發(fā)射層和至少一個紅色有機(jī)發(fā)射層和/或結(jié)合至少一個品紅色有機(jī)發(fā)射層和至少一個綠色有機(jī)發(fā)射層而發(fā)射白光的構(gòu)造。
[0085]第二電極730可以由反射導(dǎo)電材料形成，從而實(shí)現(xiàn)背部發(fā)射型OLED顯示器。反射導(dǎo)電材料可以包括鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或金(Au)中的一種或多種。
[0086]覆蓋層260可以設(shè)置在第二電極730上以保護(hù)OLED 70。覆蓋層260可以由包括具有不同折射率的材料的多層形成，從而使從有機(jī)發(fā)射層720產(chǎn)生的光可以被有效地發(fā)射。覆蓋層可以由在 S1x、SiNx、S1N, Zn02、Ti02、Zr02、Alq3、CuPc, CBP、a_NPB、ITO、IZO 和 Z12中選擇的至少一種有機(jī)材料或無機(jī)材料制成。
[0087]間隔物310可以形成在覆蓋層260下。間隔物310防止OLED顯示器由于外部沖擊或壓力等受到損壞。間隔物310可以形成包封基底210和基底110之間的特定空間。因此，可以吸收外部沖擊，因此，間隔物310可以防止OLED顯示器受到損壞。
[0088]在一個實(shí)施例中，間隔物310設(shè)置在開口 95的邊界線內(nèi)并且與存儲電容器80處于疊置關(guān)系。間隔物310可以由與像素限定層190相同的材料制成，并且可以例如在2000A至5000A的厚度范圍內(nèi)形成，該厚度大于像素限定層190的厚度。當(dāng)像素限定層的高度超過5000人時，可能不能執(zhí)行轉(zhuǎn)印。這是因?yàn)樵谶M(jìn)行轉(zhuǎn)印工藝時供體膜夾層的膨脹的程度低于像素限定層的臺階。當(dāng)像素限定層的高度低于2000A時，因?yàn)橄袼叵薅▽拥母叨鹊?，所以可能難以實(shí)現(xiàn)均勻性。
[0089]當(dāng)OLED顯示器的間隔物310在開口內(nèi)時，與間隔物形成在像素限定層上的情況相t匕，由其中形成有機(jī)發(fā)射層的第一電極引起的臺階可以被減小得更多。
[0090]與沒有設(shè)置金屬層的區(qū)域相比，設(shè)置存儲電容器80的區(qū)域可以由于形成存儲電容器80的第一電容器集電板126和第二電容器集電板127而突出。
[0091]包括柵電極的柵極布線(形成在與第一電容器集電板126和第二電容器集電板127所設(shè)置的層相同的層)所處的區(qū)域也可以突出。然而，在一些情況下，該區(qū)域可能不夠大以在其上形成間隔物。因此，間隔物可以被形成為與存儲電容器疊置。
[0092]包封基底210設(shè)置在間隔物310上。包封基底210 (為例如由玻璃、石英、陶瓷或聚合物材料制成的透明絕緣基底)可以由與基底110相同的材料制成。包封基底210通過與基底110結(jié)合而密封以保護(hù)OLED 70。包封基底210和基底110可以通過密封材料密封。
[0093]空氣間隙300可以形成在包封基底210和覆蓋層260之間的空間中。此外，在包封基底210和覆蓋層260之間的空的空間可以填充有有機(jī)材料，從而提高OLED的強(qiáng)度和耐久性。
[0094]圖5和圖6示出了描述根據(jù)OLED顯示器的制造方法的一個實(shí)施例的利用供體膜的有機(jī)發(fā)射層的轉(zhuǎn)印的剖視圖。如在圖5中所示，在絕緣基底110上形成晶體管Q。在晶體管Q上形成具有多個接觸孔181的保護(hù)層180。晶體管Q可以是例如圖2中的第六晶體管。在至少一個實(shí)施例中，第一晶體管和第一電極可以彼此連接而無需第六晶體管。
[0095]此外，在保護(hù)層180上形成第一電極710。接下來，在第一電極710上形成像素限定層190和間隔物310。在這種情況下，像素限定層190和間隔物310可以由相同的材料形成。
[0096]根據(jù)一個實(shí)施例，當(dāng)間隔物310形成為與存儲電容器疊置時，即使當(dāng)間隔物310具有與像素限定層190相同的厚度，間隔物310也由于存儲電容器的厚度而比像素限定層突出更多。因此，可以省略將像素限定層190和間隔物310形成為具有不同厚度的單獨(dú)的工藝。
[0097]然后，在基底110的開口 95上設(shè)置供體膜500，其中，第一電極710形成在基底110上。供體膜500具有基體膜10和轉(zhuǎn)印層20堆疊的結(jié)構(gòu)?；w膜10可以由透明材料例如從由聚酯、聚丙烯?；衔?、聚環(huán)氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯和聚對苯二甲酸乙二醇酯組成的組中選擇的至少一種聚合物材料或玻璃制成，以將光透射到熱轉(zhuǎn)換層。
[0098]在基體膜10和轉(zhuǎn)印層20之間可以不形成熱轉(zhuǎn)換層。此外，熱轉(zhuǎn)換層(將紅外線和可見光的一部分或更多轉(zhuǎn)換為熱的層)具有合適的光學(xué)密度并且可以包括用于吸收光的光吸收材料。熱轉(zhuǎn)換層可以例如由包括Al、Ag和它們的氧化物和硫化物的金屬層制成，或者由包括炭黑、石墨或紅外染料的聚合物制成的有機(jī)層制成。
[0099]如圖6中所示，通過將激光照射到供體膜500而分離基體膜10和轉(zhuǎn)印層20。然后，通過去除供體膜，在第一電極710上形成有機(jī)發(fā)射層。根據(jù)該實(shí)施例，通過減小間隔物的厚度來減小或最小化臺階的形成，從而可以減小或最小化在激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)工藝時的未轉(zhuǎn)印區(qū)域。
[0100]圖7和圖8示出了用于描述一種類型的激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)工藝的OLED顯示器的示意性剖視圖。圖9和圖10示出了用于描述激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)工藝的一個實(shí)施例的OLED顯示器的示意性剖視圖。
[0101]為了如圖6中所示在基底上形成有機(jī)發(fā)射層，首先，在基底上設(shè)置供體膜500，如圖7和圖9中所示。供體膜500沒有完全靠近基底110。另外，從基底110相對突出的間隔物310和供體膜500以臨時對準(zhǔn)狀態(tài)彼此連接。
[0102]在下文中，如圖8和圖10中所示，供體膜500通過真空結(jié)合非?？拷?10。另夕卜，有機(jī)發(fā)射層通過照射激光形成在開口內(nèi)。在這種情況下，在靠近地結(jié)合到基底的同時，與臨時對準(zhǔn)狀態(tài)(例如，區(qū)域A的供體膜與間隔物310對應(yīng))不同的位置的供體膜500在靠近地結(jié)合到基底的同時可以移動到發(fā)光區(qū)域B。
[0103]設(shè)置在與間隔物對應(yīng)的區(qū)域A處的供體膜的轉(zhuǎn)印層連接到間隔物310，并且被轉(zhuǎn)印在間隔物310上以形成第一轉(zhuǎn)印層11。當(dāng)供體膜移動時，去除的區(qū)域F由于形成第一轉(zhuǎn)印層11而被設(shè)置在發(fā)光區(qū)域B處。
[0104]同時，在真空結(jié)合時，供體膜可以根據(jù)第一電極710和間隔物310之間的臺階而變化。在這種情況下，雖然間隔物310由于被設(shè)置在像素限定層190上而與開口 95分隔開，但是第一電極710和間隔物310之間的臺階Hl高。另外，供體膜的變化量Ml大，如圖8中所示。
[0105]參照圖9，與前述情況相比，當(dāng)間隔物310形成在開口 95內(nèi)時，間隔物310和第一電極710之間的臺階H2降低。因此，可以減小供體膜的變化量M2。
[0106]因此，區(qū)域F(即圖8中在開口 95中被去除的轉(zhuǎn)印層)是未轉(zhuǎn)印區(qū)域的發(fā)光區(qū)域。然而，在本實(shí)施例中，形成了間隔物310，從而使得開口 95內(nèi)的未轉(zhuǎn)印區(qū)域減小。
[0107]再次參照圖4，第二電極730順序地堆疊在有機(jī)發(fā)射層720上，覆蓋層形成在第二電極730上，然后通過密封包封基底來完成OLED。
[0108]這里已經(jīng)公開了示例實(shí)施例，雖然使用了特定術(shù)語，但是它們僅以一般性和描述性的意義來使用和解釋，而不是出于限制的目的。在某些情況下，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說明顯的是，自提交本申請之時起，結(jié)合具體的實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件可以單獨(dú)使用，或者與結(jié)合其它實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件組合使用，除非另外指出。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如在權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出形式和細(xì)節(jié)方面的各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括: 基底； 第一晶體管，位于基底上； 第一電極，連接到第一晶體管； 像素限定層，位于第一電極上并且具有暴露第一電極的開口 ； 間隔物，位于開口處； 有機(jī)發(fā)射層，位于暴露的第一電極上；以及 第二電極，位于有機(jī)發(fā)射層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括: 存儲電容器，位于基底上并與開口疊置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中，間隔物與存儲電容器疊置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，間隔物在存儲電容器的邊界線內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，間隔物包括與像素限定層相同的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，有機(jī)發(fā)射層通過轉(zhuǎn)印方法形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括: 包封基底，面向基底并且包封有機(jī)發(fā)射層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括: 掃描信號線，位于基底上； 數(shù)據(jù)線，與掃描信號線絕緣并且與掃描信號線交叉；以及 第二晶體管，連接到掃描信號線、數(shù)據(jù)線和第一晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中， 第一晶體管的源電極連接到驅(qū)動電壓線，以及 第一晶體管的源電極連接到第二晶體管的漏電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括: 第三晶體管，位于基底上， 其中，第一晶體管的漏電極連接到第三晶體管的源電極，第一電極連接到第一晶體管的漏電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中， 第三晶體管包括在半導(dǎo)體和第三晶體管的柵電極之間的第一柵絕緣層，以及第一晶體管包括在半導(dǎo)體和第一晶體管的柵電極之間的第一柵絕緣層和位于所述第一柵絕緣層上的第二柵絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第二柵絕緣層覆蓋第三晶體管的柵電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括: 存儲電容器，包括位于第一柵絕緣層上的第一電容器集電板和位于第二柵絕緣層上并且與第一電容器集電板疊置的第二電容器集電板。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中， 第一電容器集電板包括與第三晶體管的柵電極相同的材料，以及 第二電容器集電板包括與第一晶體管的柵電極相同的材料。
15.一種像素，所述像素包括: 像素限定層，具有開口 ； 有機(jī)發(fā)光器件，位于開口中；以及 間隔物，位于開口中并與有機(jī)發(fā)光器件相鄰， 其中，間隔物的上表面在有機(jī)發(fā)光器件的上表面的上方。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素，所述像素還包括: 存儲電容器， 其中，所述開口與存儲電容器疊置。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的像素，其中，有機(jī)發(fā)光器件與存儲電容器疊置。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素，其中，有機(jī)發(fā)光器件包括位于第一電極和第二電極之間的有機(jī)發(fā)射層。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素，其中， 像素限定層和間隔物具有基本上相同的厚度，以及 間隔物的上表面在像素限定層的上表面的上方。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素，其中，間隔物與像素限定層分隔開。
【文檔編號】H01L27/32GK104183623SQ201410225027
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年5月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月27日
【發(fā)明者】趙泳敏 申請人:三星顯示有限公司