通過功能調(diào)阻實現(xiàn)高穩(wěn)定性陶瓷10W-5dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種通過功能調(diào)阻實現(xiàn)高穩(wěn)定性陶瓷10W-5dB衰減片，其包括氮化鋁陶瓷基片，氮化紹陶瓷基片的尺寸為5mmX2.5nunXlmm，氮化鋁陶瓷基片的背面印刷有銀漿，氮化鋁陶瓷基片的正面印刷有5個電阻及氮化鋁銀漿導線，銀漿導線兩端分別連接兩個長方形的焊盤，銀漿導線之間的5個電阻形成衰減電路。通過改變衰減電路中阻值的尺寸大小和電阻值來獲得需要的衰減值，通過優(yōu)化電路結(jié)構(gòu)設計提高了高穩(wěn)定性陶瓷10W-5dB衰減片衰減精度以及更小的駐波比，獲得了穩(wěn)定的RF性能，通過功能調(diào)阻來提供穩(wěn)定性。通過功能調(diào)阻實現(xiàn)高穩(wěn)定性陶瓷10W-5dB衰減片，使用頻率高、衰減精度高，駐波比小，RF性能穩(wěn)定，可達到目前的4G網(wǎng)絡的應用要求。
【專利說明】通過功能調(diào)阻實現(xiàn)高穩(wěn)定性陶瓷1〇W-5dB衰減片

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種陶瓷衰減片，特別涉及一種通過功能調(diào)阻實現(xiàn)高穩(wěn)定性陶瓷 10W-5dB衰減片。

【背景技術】
[0002]目前集成了多個膜狀電阻為一體，通過電阻及線路不同設計的衰減片廣泛應用于 雷達，衛(wèi)星通訊，電子對抗等軍事工業(yè)和移動電話、PCS和商用基站市場領域。是隔離器、合 路器、功率放大器中不可或缺的元器件，使用負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使 用衰減片在吸收反向輸入的功率同時還能抽取需要的信號進行分析，并在高頻電路上調(diào)整 功率電平，去耦，對相關設備起到了保護作用。
[0003]在國外，特別是歐美國家，對衰減片和負載片研發(fā)生產(chǎn)都要比國內(nèi)起步早很多，無 論在產(chǎn)品的豐富性還是產(chǎn)品微波特性上都處于比較優(yōu)勢地位。同時國內(nèi)市場上現(xiàn)有的衰 減片系列少，衰減精度低，且能使用的頻段相對較窄。我們希望的衰減器是一個功率消耗 元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。在實際的應用中，各項 RF性能指標保持穩(wěn)定，當衰減精度或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要 求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 針對上述現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種阻值滿足 96. 2 Ω ±3%，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為5±0. 5dB，駐波要求輸入、輸出端在1. 2以內(nèi)，能 夠滿足目前4G網(wǎng)絡的應用要求的高穩(wěn)定性陶瓷l〇W-5dB衰減片，取代國外同類產(chǎn)品，并在 特性上填補國內(nèi)產(chǎn)品的空白。
[0005] 為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案：
[0006] -種高穩(wěn)定性陶瓷10W-5dB衰減片，其包括氮化鋁陶瓷基片，氮化鋁陶瓷基片的 尺寸為5mmX2. 5mraX Iran，氮化鋁陶瓷基片的背面印刷有銀漿，氮化鋁陶瓷基片的正面印 刷有5個電阻及氮化鋁銀漿導線，銀漿導線兩端分別連接兩個長方形的焊盤，銀漿導線之 間的5個電阻形成衰減電路。
[0007]優(yōu)選的，所述電路中的銀漿和電阻采用低溫共燒技術。
[0008]優(yōu)選的，所述電路中的導線由高純度環(huán)保型銀漿印刷而成。
[0009]優(yōu)選的，改變原有傳統(tǒng)的阻值調(diào)阻方式使用功能調(diào)阻方式。
[0010]上述p術方案具有如下有益效果：高穩(wěn)定性陶瓷10W-5dB衰減片，采用了氮化鋁 陶瓷基板，其高導熱率特性增強了高功率下的產(chǎn)品性能穩(wěn)定性，同時銀漿和電阻采用了低 ，共燒技術，提高了生產(chǎn)效率和多次燒結(jié)多產(chǎn)品產(chǎn)生傷害的風險，電路結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設計提 高了產(chǎn)^的各項微波性能，使產(chǎn)品性能指標得到提高，駐波比更小，在微波性能提高的同時 滿足了產(chǎn)品的功率容量要求，該產(chǎn)品的衰減精度達到了 3G以內(nèi)5±0· 5dB,駐波滿足市場要 求，從而使得產(chǎn)品可以應用于4G網(wǎng)絡。
[0011]上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段， 并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。 本發(fā)明的【具體實施方式】由以下實施例及其附圖詳細給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】 t〇〇13]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。 _4] 如圖1所示,高穩(wěn)定性陶瓷10W-5dB衰減片，包括氮化鋁陶瓷基片1，氮化鋁陶瓷 基片1的背面印刷有銀漿，氮化鋁陶瓷基片1的正面印刷有銀漿導線2及膜狀電阻R1、R2、 1?3，1?4、1?5，膜狀電阻1?1、1?2、1?3、1?4、1?通過銀漿導線連接形成衰減電路，衰減電路通過端涂 銀漿與背部銀漿層連接，從而使衰減電路形成通路。該衰減電路沿陶瓷基板的中心線對稱， 膜狀電阻R1、R2、R3、R4、R5上印刷有玻璃保護膜3,銀漿導線2及玻璃保護膜3的上表面還 印刷有一層黑色保護膜4,這樣可對銀漿導線 2及膜狀電阻ri、R2、R3、R4、R5形成保護。 [0015]高穩(wěn)定性陶瓷l〇W- 5dB衰減片要求輸入端和接地的阻值為96· 2 Ω ±3%，輸出端 和接地端的阻值為96· 2 Ω ±3%。信號從輸入端進入衰減片，經(jīng)過5個黑色膜狀電阻Ri、R2、 R5、R3、R4對功率的逐步衰減，從輸出端輸出實際所需要的信號。
[0016] 髙穩(wěn)定性陶瓷10W_5dB衰減片，采用了氮化鋁陶瓷基板，其高導熱率特性增強了 高功率下的產(chǎn)品性能穩(wěn)定性，同時銀漿和電阻采用了低溫共燒技術以及新型功能性調(diào)阻方 式，提高了生產(chǎn)效率和多次燒結(jié)多產(chǎn)品產(chǎn)生傷害的風險，電路結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設計提高了產(chǎn)品 的各項微波性能，使產(chǎn)品性能$標得到提高，駐波比更小，在微波性能提高的同時滿足了產(chǎn) 品的功率容量要求，該產(chǎn)品的衰減精度達到了 3G以內(nèi)5±〇.5dB，駐波滿足市場要求，從而 使得產(chǎn)品可以應用于4G網(wǎng)絡。 ^
[0017]以上對本發(fā)明實施例所提供的一種高穩(wěn)定性陶瓷10W-5dB衰減片進行了詳細介 紹，對于本領域的一般技術人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在【具體實施方式】及應用范圍上 均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設計思 想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1. 一種通過功能調(diào)阻實現(xiàn)高穩(wěn)定性陶瓷10W-5dB衰減片，其特征在于：其包括氮化鋁 陶瓷基片，氮化鋁陶瓷基片的尺寸為5mmX2. 5mmX 1mm，氮化鋁陶瓷基片的背面印刷有銀 漿，氮化鋁陶瓷基片的正面印刷有5個電阻及氮化鋁銀漿導線，銀漿導線兩端分別連接兩 個長方形的焊盤，銀漿導線之間的5個電阻形成衰減電路。
2·根據(jù)權利要求1所述的通過功能調(diào)阻實現(xiàn)高穩(wěn)定性陶瓷10W-5dB衰減片，其特征在 于：所述電路中的銀漿和電阻采用低溫共燒技術。
3.根據(jù)權利要求1所述的通過功能調(diào)阻實現(xiàn)髙穩(wěn)定性陶瓷lOW-MB衰減片，其特征于： 所述電路中的導線由高純度環(huán)保型銀漿印刷而成并通過功能性調(diào)阻制成工藝完成。
【文檔編號】H01P1/22GK104218285SQ201410231287
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年5月28日 優(yōu)先權日:2014年5月28日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司