功率為2瓦20dB高效衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種功率為2瓦20dB高效衰減片，所述衰減片由氧化鋁基板印刷各種漿料而成，所述氧化鋁基板的尺寸為5.0*6.0*0.635MM，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及膜狀電阻，所述導(dǎo)線連接所述膜狀電阻連接形成π型衰減電路，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個(gè)焊盤沿所述氧化鋁基板的中心線對(duì)稱,所述衰減電路采用輸入、輸出無差別設(shè)計(jì)。該衰減片在案設(shè)計(jì)上充分考慮了各項(xiàng)性能指標(biāo),高頻無感,打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面,能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求，同時(shí)延伸了2瓦固定膜狀電阻式衰減片的系列產(chǎn)品線。
【專利說明】功率為2瓦20dB局效哀減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種衰減片，特別涉及一種功率為2瓦20dB高效衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]目前集成了五個(gè)膜狀電阻設(shè)計(jì)的衰減片廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域。使用負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時(shí)還能抽取需要的信號(hào)進(jìn)行分析，并在高頻電路上調(diào)整功率電平，去耦，對(duì)相關(guān)設(shè)備起到了保護(hù)作用。
[0003]由于國(guó)外對(duì)同類產(chǎn)品的研發(fā)與制造比國(guó)內(nèi)起步早，無論在產(chǎn)品系列還是產(chǎn)品特性上都處于優(yōu)勢(shì)地位。同時(shí)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上現(xiàn)有的衰減片衰減精度低，且能使用的頻段相對(duì)較窄。我們希望的衰減器是一個(gè)功率消耗元件，不能對(duì)兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達(dá)不到要求時(shí)，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻抗?jié)M足51±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為20±0.8dB，駐波要求輸入、輸出端在1.2以內(nèi)，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的功率為2瓦20dB高效衰減片，取代國(guó)外同類產(chǎn)品，并在特性上填補(bǔ)國(guó)內(nèi)產(chǎn)品的空白。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種功率為2瓦20dB高效衰減片，所述衰減片由氧化鋁基板印刷各種漿料而成，所述氧化鋁基板的尺寸為5.0*6.0*0.635MM，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及膜狀電阻，所述導(dǎo)線連接所述膜狀電阻連接形成η型衰減電路，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個(gè)焊盤沿所述氧化鋁基板的中心線對(duì)稱，所述衰減電路采用輸入、輸出無差別設(shè)計(jì)。
[0007]優(yōu)選的，所述膜狀電阻上印刷有高溫電阻保護(hù)膜。
[0008]優(yōu)選的，所述導(dǎo)線由抗銀離子遷移的高溫銀漿印刷而成。
[0009]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該功率為2瓦20dB高效衰減片，抗銀離子遷移性好，電阻值穩(wěn)定，所以衰減值精度高。對(duì)稱形電阻設(shè)計(jì)，電性能穩(wěn)定性好。使用頻率寬，體積小，成本低，可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。
[0010]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0013]如圖1所示，該功率為2瓦20dB高效衰減片包括一 5.0*6.0*0.635MM的氧化鋁基板1，氧化鋁基板I的背面印刷有背導(dǎo)層，氧化鋁基板I的正面印刷有導(dǎo)線2及膜狀電阻R1、R2、R3、R4、R5，膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5通過導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過銀漿與背導(dǎo)層電連接，從而使衰減電路接地導(dǎo)通。該衰減電路沿氧化鋁基板的中心線對(duì)稱，膜狀電阻R1、R2、R3、R4、R5上印刷有高溫電阻保護(hù)膜3，導(dǎo)線2及高溫電阻保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜4，這樣可對(duì)導(dǎo)線2及膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5形成保護(hù)。
[0014]該功率為2瓦20dB高效衰減片要求輸入端和接地的阻抗為51 ±3% Ω，輸出端和接地端的阻抗為51±3% Ω。信號(hào)輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過膜狀電阻R1、R2、R5、R3、R4對(duì)功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。
[0015]該功率為2瓦20dB高效衰減片，抗銀離子遷移性好，電阻值穩(wěn)定，所以衰減值精度高。對(duì)稱形電阻設(shè)計(jì)，電性能穩(wěn)定性好。使用頻率寬，體積小，成本低，可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。
[0016]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種功率為2瓦20dB高效衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種功率為2瓦20dB高效衰減片，其特征在于:所述衰減片由氧化鋁基板印刷各種漿料而成，所述氧化鋁基板的尺寸為5.0*6.0*0.635MM，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及膜狀電阻，所述導(dǎo)線連接所述膜狀電阻連接形成η型衰減電路，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個(gè)焊盤沿所述氧化鋁基板的中心線對(duì)稱，所述衰減電路采用輸入、輸出無差別設(shè)計(jì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率為2瓦20dB高效衰減片，其特征在于:所述膜狀電阻上印刷有高溫電阻保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率為2瓦20dB高效衰減片，其特征在于:所述導(dǎo)線由抗銀離子遷移的高溫銀漿印刷而成。
【文檔編號(hào)】H01P1/22GK104241766SQ201410232035
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月28日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:蘇州市新誠氏電子有限公司