功率容量為100瓦的4dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種功率容量為100瓦的4dB衰減片，其包括一氮化鋁陶瓷基片，所述氮化鋁基片的尺寸為長8.9mm、寬5.7mm、厚1.0mm，所述氮化鋁基片的背面印刷有銀漿背導層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導線，所述銀漿導線通過印刷5個黑色電阻連通整個電路，所述5個黑色電阻的面積根據(jù)吸收功率的不同大小不一，所述5個黑色電阻采用兩次絲網(wǎng)印刷而成，所述背導層和所述銀漿導線采用端接地漿料導通，所述端接地漿料為銀漿。該衰減片在設計思路上考慮了衰減片從輸入到輸出衰減各個電阻對功率的吸收，定義了各個電阻的面積，同時優(yōu)化了銀漿導線的走向，改善了電路的駐波，同時通過電阻值的精確修改，得到高精度的衰減值。該功率容量為100瓦的4dB衰減片，各項指標優(yōu)良，滿足了目前4G網(wǎng)絡的使用要求。
【專利說明】功率容量為100瓦的4dB衰減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種功率衰減片，特別涉及一種功率容量為100瓦的4dB衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前大多數(shù)通訊基站都是應用大功率陶瓷負載片來吸收通信部件中反向輸入功 率，大功率陶瓷負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實時 的監(jiān)控，當基站工作發(fā)生故障時無法及時地做出判斷，對設備沒有保護作用。而衰減片不但 能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號， 對基站進行實時監(jiān)控，從而對設備形成有效保護。
[0003] 衰減片作為一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說其應與兩端電 路都是匹配的。目前國內(nèi)100W-4dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到1G 頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設備配備的VSWR較難控制，輸出端得到的信號不 符合實際要求。特別是在衰減片使用頻段高于2G時，其衰減精度往往達不到要求，回波損 耗變大，滿足不了 2G以上的頻段應用要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻值滿 足116·1±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為4±0.5dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足 1. 20: lmax，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡的應用要求的功率容量為1〇〇瓦的4dB衰減片。
[0005] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
[0006] 其包括一氮化鋁陶瓷基片，所述氮化鋁基片的尺寸為長8.9腕1、寬5. 7咖1、厚 1. 0mm,所述氮化鋁基片的背面印刷有銀漿背導層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿 導線，所述銀漿導線通過印刷5個黑色電阻連通整個電路，所述 5個黑色電阻的面積根據(jù)吸 收功率的不同大小不一，所述5個黑色電阻采用兩次絲網(wǎng)印刷而成，所述背導層和所述銀 漿導線采用端接地漿料導通，所述端接地漿料為銀漿。
[0007] 優(yōu)選的，所述衰減電路的電阻由需要高溫燒結(jié)的電阻漿料印刷而成。
[0008] 優(yōu)選的，所述銀楽背導層由高純度銀菜印刷而成。
[0009] 上述技術(shù)方案具有如下有益效果：該衰減片以8. 9*5. 7*1MM的氮化鋁基板作為基 準，在設計思路上充分考慮了各個電阻對功率的吸收狀況，根據(jù)吸收功率的不同設計了不 同的電阻面積，最大程度地優(yōu)化了產(chǎn)品的功率容量，同時改善了電路結(jié)構(gòu)，改善了電路的駐 波，并且通過電阻值的精確修改，得到了高精度的衰減值。同時該衰減片在上述氮化鋁基板 的尺寸規(guī)格下可到達阻值116. 1 土3% Ω ,在3G頻段以內(nèi)衰減精度為4±0. 5dB，駐波要求 在3G頻段內(nèi)滿足1. 20: lmax，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡的應用要求且能夠承受100瓦的功率的 技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應用于低頻的局面，使得衰減片能應用于4G的網(wǎng)絡。 [0010]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。 本發(fā)明的【具體實施方式】由以下實施例及其附圖詳細給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 圖1為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0012] 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。 t〇〇13] 如圖1所示，該功率容量為100瓦的4dB衰減片包括一氮化鋁基板1，氮化鋁基板 1的背面印刷有導體層，導體層由印刷銀漿印刷而成。氮化鋁基板1的正面印刷有電阻R1、 R2、R3、R4、R5及銀漿導線2,電阻Rl、R2、R3、R4、R 5將銀漿導線2連接起來形成衰減電路， 電阻Rl、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保護膜3,玻璃保護膜3用于保護電阻Ri、R2、R3、 R4、R5。在整個電路即銀漿導線2及玻璃保護膜3的上表面還印刷有一層保護膜4,保護膜 4上再印刷有一層保護膜5,這樣可對整個電路進行包括，保護膜5上還可印刷品牌和型號。 [00 14] 該衰減片輸入端和接地的阻值為II6· 1±3% Ω,輸出端和接地端的阻值為 116·1±3% Ω。信號從輸入端進入衰減片，從輸出端經(jīng)過R1、R2、R5、R3、R4對功率的逐步 吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。
[0015] 該衰減片以8.9*5. 7*1眶的氮化鋁基板作為基準，在設計思路上充分考慮了各 個電阻對功率的吸收狀況，根據(jù)吸收功率的不同設計了不同的電阻面積，最大程度地優(yōu) 化了產(chǎn)品的功率容量，同時改善了電路結(jié)構(gòu)，改善了電路的駐波，并且通過電阻值的精 確修改，得到了高精度的衰減值。同時該衰減片在上述氮化錯基板的尺寸規(guī)格下可到達 阻值11 6·1±3% Ω,在3G頻段以內(nèi)衰減精度為4±0_5dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足 1. 20: lmax，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡的應用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了 原來衰減片只能應用于低頻的局面，使得衰減片能應用于4G的網(wǎng)絡。
[0016]以上對本發(fā)明實施例所提供的一種功率容量為100瓦的4dB衰減片進行了詳細介 紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在【具體實施方式】及應用范圍上 均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設計思 想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。 ~
【權(quán)利要求】
1. 一種功率容量為100瓦的4dB衰減片，其特征在于：其包括一氮化鋁陶瓷基片，所述 氮化鋁基片的尺寸為長8. 9mm、寬5. 7mm、厚〇· 1mm，所述氮化鋁基片的背面印刷有銀漿背導 層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導線，所述銀漿導線通過印刷5個黑色電阻連 通整個電路，所述5個黑色電阻的面積根據(jù)吸收功率的不同大小不一，所述5個黑色電阻采 用兩次絲網(wǎng)印刷而成，所述背導層和所述銀漿導線采用端接地漿料導通，所述端接地漿料 為銀漿。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率容量為100瓦的4dB衰減片，其特征在于：所述衰減電 路的電阻由需要高溫燒結(jié)的電阻漿料印刷而成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率容量為100瓦的4dB衰減片，其特征在于：所述銀裝背 導層由高純度銀漿印刷而成。
【文檔編號】H01P1/22GK104218289SQ201410234175
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司