陣列基板配線及其制造、修復(fù)方法以及陣列基板、顯示面板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種陣列基板配線及其制造、修復(fù)方法以及陣列基板、顯示面板、顯示裝置，其中所述陣列基板配線包括：第一配線，形成在基板上，用于傳輸電信號(hào)；絕緣層，形成在所述第一配線上；第二配線，形成在所述絕緣層上，與所述第一配線相對(duì)，并且所述第二配線處于懸空狀態(tài)，不傳輸電信號(hào)。
【專利說明】陣列基板配線及其制造、修復(fù)方法以及陣列基板、顯示面板、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板配線及其制造、修復(fù)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)或者有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLED)的外圍存在與柵極金屬層同步形成的掃描配線區(qū)和與源漏極金屬層同步形成的數(shù)據(jù)配線區(qū)，如圖1所示，掃描線配線用實(shí)線表示，數(shù)據(jù)線配線用空心線表示，即掃描線配線與數(shù)據(jù)線配線并非同步形成，位于不同層中。
[0003]在制造工藝流程中經(jīng)常會(huì)有配線刮傷和腐蝕不良，刮傷一般出現(xiàn)在顯示單元切割工藝中，由于配線區(qū)裸露，特別容易受到玻璃屑或其他異物刮傷；而腐蝕一般是因?yàn)楣蝹斐山^緣層破壞或者絕緣層在爬坡處膜質(zhì)不夠致密、有孔洞，容易造成線路腐蝕，如圖2和圖3所示，在掃描線配線區(qū)，基板11上形成有掃描配線12，掃描配線12上覆蓋有柵極絕緣層13和鈍化層14，柵極絕緣層13和鈍化層14的爬坡處因?yàn)槟べ|(zhì)不夠致密存在空洞16 ;在數(shù)據(jù)線配線區(qū)，基板11上形成有柵極絕緣層13，柵極絕緣層13上形成有數(shù)據(jù)線配線15，且其上覆蓋有鈍化層14，在鈍化層14的爬坡處因?yàn)槟べ|(zhì)不夠致密同樣存在空洞16，這樣，水汽等通過空洞16的進(jìn)入迅速產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生線路腐蝕開路，導(dǎo)致亮線產(chǎn)生。
[0004]如果刮傷或者腐蝕導(dǎo)致線路開路的話，將直接導(dǎo)致顯示面板在點(diǎn)亮?xí)r產(chǎn)生亮線而造成基板報(bào)廢，如果以上配線不良在工廠端時(shí)只是損傷，并沒有造成線路開路，那么這些不良將在客戶端惡化，尤其是在高溫高濕的環(huán)境中帶電工作的情況下，由于水汽等通過空洞的進(jìn)入迅速產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生線路腐蝕開路，導(dǎo)致亮線產(chǎn)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是陣列基板配線容易發(fā)生刮傷和腐蝕不良的問題。
[0006]為此目的，本發(fā)明的第一方面提出了一種陣列基板配線，包括:第一配線，形成在基板上，用于傳輸電信號(hào)；絕緣層，形成在所述第一配線上；第二配線，形成在所述絕緣層上，與所述第一配線相對(duì)，并且所述第二配線處于懸空狀態(tài)，不傳輸電信號(hào)。
[0007]優(yōu)選地，所述第二配線的線寬大于所述第一配線的線寬。
[0008]優(yōu)選地，所述第一配線與柵極金屬層同步形成，所述第二配線與源漏極金屬層同步形成；或者所述第一配線與柵極金屬層同步形成，所述第二配線與透明電極層同步形成；或者所述第一配線與源漏極金屬層同步形成，所述第二配線與透明電極層同步形成。
[0009]優(yōu)選地，所述第一配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線配線，且所述掃描線配線和所述數(shù)據(jù)線配線與柵極金屬層同步形成；并且所述第二配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線保護(hù)配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線保護(hù)配線，且所述掃描線保護(hù)配線和所述數(shù)據(jù)線保護(hù)配線與源漏極金屬層同步形成；或者所述第一配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線配線，且所述掃描線配線和所述數(shù)據(jù)線配線與柵極金屬層同步形成；并且所述第二配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線保護(hù)配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線保護(hù)配線，且所述掃描線保護(hù)配線和所述數(shù)據(jù)線保護(hù)配線與透明電極層同步形成；或者所述第一配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線配線，且所述掃描線配線和所述數(shù)據(jù)線配線與源漏極金屬層同步形成；并且所述第二配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線保護(hù)配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線保護(hù)配線，且所述掃描線保護(hù)配線和所述數(shù)據(jù)線保護(hù)配線與透明電極層同步形成；或者所述第一配線包括分別與柵極金屬層和源漏極金屬層同步形成的所述掃描線配線和所述數(shù)據(jù)線配線；并且所述第二配線包括與源漏極金屬層同步形成的所述掃描線保護(hù)配線和與透明電極層同步形成所述數(shù)據(jù)線保護(hù)配線。
[0010]優(yōu)選地，所述陣列基板配線還包括至少一個(gè)保護(hù)配線，形成在所述第一配線上、與所述第一配線相對(duì)且與所述第一配線電絕緣，所述至少一個(gè)保護(hù)配線處于懸空狀態(tài)，不傳輸電信號(hào)。
[0011]優(yōu)選地，所述至少一個(gè)保護(hù)配線與透明電極層同步形成，且所述至少一個(gè)保護(hù)配線的線寬大于所述第一配線的線寬。
[0012]優(yōu)選地，所述位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線配線與所述源漏極金屬層電連接。
[0013]優(yōu)選地，所述位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線配線通過所述絕緣層上的過孔與所述源漏極金屬層連接，或者所述位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線配線通過透明電極層與所述源漏極金屬層連接。
[0014]本發(fā)明的第二方面提出了一種陣列基板配線的制造方法，包括:在基板上形成第一配線；在所述第一配線上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成第二配線，所述第二配線與所述第一配線相對(duì)，且處于懸空狀態(tài)，不傳輸電信號(hào)。
[0015]優(yōu)選地，所述方法還包括形成至少一個(gè)保護(hù)配線，所述至少一個(gè)保護(hù)配線形成在所述第一配線上、與所述第一配線相對(duì)且與所述第一配線電絕緣，所述至少一個(gè)保護(hù)配線處于懸空狀態(tài)，不傳輸電信號(hào)。
[0016]本發(fā)明的第三方面提出了一種根據(jù)上述陣列基板配線的修復(fù)方法，包括:當(dāng)所述第一配線開路時(shí)，使所述第一配線與所述第二配線導(dǎo)通，以使第二配線傳輸電信號(hào)。
[0017]本發(fā)明的第四方面提出了一種陣列基板，其包括上述陣列基板配線。
[0018]本發(fā)明的第五方面提出了一種顯示面板，其包括上述陣列基板。
[0019]本發(fā)明的第六方面提出了一種顯示裝置，其包括上述顯示面板。
[0020]通過采用本發(fā)明所公開的陣列基板配線及其制造、修復(fù)方法以及陣列基板、顯示面板、顯示裝置，通過多層配線結(jié)構(gòu)，利用上層配線阻斷外界的水汽經(jīng)由絕緣層中的孔洞到達(dá)信號(hào)傳輸線從而減少甚至避免其對(duì)信號(hào)傳輸線的腐蝕，并且能避免信號(hào)傳輸線受到刮傷的影響，并且當(dāng)信號(hào)傳輸線發(fā)生開路時(shí)，還能方便地修復(fù)信號(hào)線路。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]通過參考附圖會(huì)更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中:
[0022]圖1示出了現(xiàn)有陣列基板的平面示意圖；
[0023]圖2示出了現(xiàn)有陣列基板的掃描線配線區(qū)的截面圖；[0024]圖3示出了現(xiàn)有陣列基板的數(shù)據(jù)線配線區(qū)的截面圖；
[0025]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的平面示意圖；
[0026]圖5A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的掃描線配線區(qū)的平面圖；
[0027]圖5B示出了沿圖5A中的線A-A截面圖；
[0028]圖5C示出了沿圖5A中的線B-B截面圖
[0029]圖6A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的數(shù)據(jù)線配線區(qū)的平面圖；
[0030]圖6B示出了沿圖6A中的線A-A截面圖；
[0031]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的陣列基板的數(shù)據(jù)線配線區(qū)的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]根據(jù)本發(fā)明的陣列基板配線包括:第一配線，形成在基板上，用于傳輸電信號(hào)；絕緣層，形成在所述第一配線上；第二配線，形成在所述絕緣層上，與所述第一配線相對(duì)，并且所述第二配線處于懸空狀態(tài)，不傳輸電信號(hào)。由此，通過這樣的雙層配線結(jié)構(gòu)，利用上層的第二配線阻斷絕緣層中產(chǎn)生的孔洞，使外界的水汽不能經(jīng)由絕緣層中的孔洞到達(dá)第一配線，進(jìn)而避免傳輸電信號(hào)的第一配線受到腐蝕。為使第二配線的保護(hù)效果更好，可以使第二配線的線寬大于第一配線的線寬。本領(lǐng)域技術(shù)人員也能夠想到制作更多的配線，以更好地保護(hù)傳輸電信號(hào)的第一配線。
[0033]下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行具體描述。在以下具體實(shí)施例中，傳輸電信號(hào)的掃描線配線和數(shù)據(jù)線配線相當(dāng)于第一配線，掃描線保護(hù)配線和數(shù)據(jù)線保護(hù)配線相當(dāng)于第二配線。
[0034]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的平面示意圖，與現(xiàn)有陣列基板的不同之處在于，其掃描線配線與數(shù)據(jù)線配線同步形成，在圖4中掃描線配線和數(shù)據(jù)線配線都采用實(shí)線表示。在下文中，為了使得表述清楚，同一金屬層用相同的數(shù)字來表示，而對(duì)于同一金屬層所形成的不同的元件則用a、b來區(qū)分，例如掃描線配線和數(shù)據(jù)線配線都是在形成柵極金屬層的步驟中形成的，則用22表示柵極金屬層，用22a表示掃描線配線，用22b表示數(shù)據(jù)線配線，保護(hù)配線是在形成源漏極金屬層的步驟中形成的，則用25表示源漏極金屬層，用25a表示掃描線配線區(qū)中的掃描線保護(hù)配線，用25b表示數(shù)據(jù)線配線區(qū)中的數(shù)據(jù)線保護(hù)配線。
[0035]如圖5A和5B所示，在掃描線配線區(qū)中，由于與現(xiàn)有技術(shù)相同，掃描線配線與柵極金屬層同步形成，因此掃描線配線與柵極金屬層的結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)相同，掃描線配線22a形成在基板21上，柵極絕緣層23形成在掃描線配線22a上，鈍化層24形成在柵極絕緣層23上，透明電極層27在鍵合區(qū)通過過孔與掃描線配線22a連接。不同之處在于，在配線區(qū)的掃描線配線22a上方還存在有與源漏極金屬層25同步形成的掃描線保護(hù)配線25a，且掃描線保護(hù)配線25a的線寬大于掃描線配線22a的線寬，從而能夠完全覆蓋掃描線配線22a。掃描線保護(hù)配線25a為懸空狀態(tài)，不會(huì)傳輸電信號(hào)。從圖5C中可以清楚地看出，與源漏極金屬層同步形成的掃描線保護(hù)配線25a完全覆蓋掃描線配線22a，由于金屬材料相當(dāng)致密，從而阻斷了柵極絕緣層23和鈍化層24中產(chǎn)生的孔洞，外界的水汽不能經(jīng)由柵極絕緣層23和鈍化層24中產(chǎn)生的孔洞到達(dá)掃描線配線22a，進(jìn)而避免掃描線配線22a受到腐蝕。
[0036]如圖6A和6B所示，在數(shù)據(jù)線配線區(qū)中，數(shù)據(jù)線配線22b與柵極金屬層22同步形成，為了將數(shù)據(jù)線配線22b與源漏極金屬層25連接以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線配線的功能，需要在數(shù)據(jù)線配線22b靠近陣列基板區(qū)域的一端上的柵極絕緣層23中形成過孔，從而將數(shù)據(jù)線配線22b與源漏極金屬層25電連接。在形成源漏極金屬層25的同時(shí)，在配線區(qū)的數(shù)據(jù)線配線22b上方形成數(shù)據(jù)線保護(hù)配線25b。同樣地，數(shù)據(jù)線保護(hù)配線25b為懸空狀態(tài)，且其線寬大于數(shù)據(jù)線配線22b的線寬，從而能夠完全覆蓋數(shù)據(jù)線配線22b，避免數(shù)據(jù)線配線22b受到腐蝕。
[0037]本發(fā)明還公開了一種陣列基板配線的制造方法，包括:在基板上形成第一配線；在所述第一配線上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成第二配線，所述第二配線與所述第一配線相對(duì)，且處于懸空狀態(tài)，不傳輸電信號(hào)。
[0038]下面將具體說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的配線區(qū)的制造方法，該方法包括如下步驟:
[0039]步驟S1:沉積柵極金屬層22。
[0040]步驟S2:對(duì)柵極金屬層22進(jìn)行構(gòu)圖，以在掃描線配線區(qū)形成掃描線配線22a，在數(shù)據(jù)線配線區(qū)形成數(shù)據(jù)線配線22b。
[0041]步驟S3:在柵極金屬層22上形成柵極絕緣層23，并對(duì)柵極絕緣層23進(jìn)行構(gòu)圖。
[0042]步驟S4:在柵極絕緣層23上形成有源層，其中有源層僅存在于陣列基板區(qū)內(nèi)。
[0043]步驟S5:在數(shù)據(jù)線配線區(qū)內(nèi)的柵極絕緣層23上形成過孔。
[0044]步驟S6:在柵極絕緣層23上形成源漏極金屬層25。
[0045]步驟S7:對(duì)源漏極金屬層25進(jìn)行構(gòu)圖，以在掃描線配線區(qū)形成掃描線保護(hù)配線25a，在數(shù)據(jù)線配線區(qū)形成數(shù)據(jù)線保護(hù)配線25b。
[0046]步驟S8:在源漏極金屬層25上形成鈍化層24。
[0047]步驟S9:在鈍化層24上形成透明電極層27。
[0048]由此完成了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的配線區(qū)的制造工藝。
[0049]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的陣列基板的數(shù)據(jù)線配線區(qū)的截面圖。與圖6B中的數(shù)據(jù)線配線區(qū)的截面圖不同，在本實(shí)施例中是在制造透明電極層的同時(shí)，利用透明電極層將數(shù)據(jù)線配線22b與源漏極金屬層電連接在一起，從而無需單獨(dú)在數(shù)據(jù)線配線區(qū)內(nèi)柵極絕緣層上形成過孔的工藝，減少了一道掩膜工藝。
[0050]本發(fā)明還公開了一種陣列基板配線的修復(fù)方法，由于保護(hù)配線是相互獨(dú)立的，這樣當(dāng)下層的信號(hào)線路發(fā)生開路的時(shí)候，可以通過激光熔接技術(shù)將保護(hù)配線與其下層的信號(hào)線路接通，從而修復(fù)信號(hào)線路。
[0051]以上采用示例的方式描述了本發(fā)明的實(shí)施例，并非限制本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，將第一配線與柵極金屬層同步形成，將第二配線與透明電極層同步形成，或者是將第一配線與源漏極金屬層同步形成，將第二配線與透明電極層同步形成也是可行的。具體而言，使第一配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線配線，且使掃描線配線和數(shù)據(jù)線配線與柵極金屬層同步形成；并且使第二配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線保護(hù)配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線保護(hù)配線，且使掃描線保護(hù)配線和數(shù)據(jù)線保護(hù)配線與透明電極層同步形成；或者是使第一配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線配線，且使掃描線配線和所述數(shù)據(jù)線配線與源漏極金屬層同步形成；并且使第二配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線保護(hù)配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線保護(hù)配線，且使掃描線保護(hù)配線和數(shù)據(jù)線保護(hù)配線與透明電極層同步形成也是可行的。對(duì)于第一配線與柵極金屬層同步形成且第二配線與源漏極金屬層同步形成的情況，柵極絕緣層作為兩條配線之間的絕緣層；第一配線與源漏極金屬層同步形成且第二配線與透明電極層同步形成的情況，柵極金屬層與透明電極層之間的鈍化層之一或兩者來作為兩條配線之間的絕緣層；對(duì)于第一配線與柵極金屬層同步形成且第二配線與透明電極層同步形成的情況，可選擇柵極絕緣層和鈍化層之一或兩者來作為絕緣層。前述實(shí)施例都是基于掃描線配線區(qū)的掃描線配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線配線由同一金屬層制成的。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例不局限于掃描線配線和數(shù)據(jù)線配線由同一金屬層制成的情形，例如，掃描線配線可以與柵極金屬層同步形成而數(shù)據(jù)線配線與源漏極金屬層同步形成，二者各自為傳輸電信號(hào)的第一配線；對(duì)應(yīng)上述情形，掃描線保護(hù)配線可以與源漏金屬層同時(shí)形成或與透明電極層同時(shí)形成，數(shù)據(jù)線配線可以與透明電極層同時(shí)形成，二者作為第二配線。
[0052]本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，還可以想到直接對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板配線進(jìn)行改進(jìn)，將分別與柵極金屬層和源漏極金屬層同步形成的掃描線配線和數(shù)據(jù)線配線作為第一配線，即第一配線有兩條的情況，此時(shí)可在制作透明電極層的同時(shí)形成這兩條第一配線的保護(hù)配線。而對(duì)于具有兩層透明電極的IPS(平面切換)型和ADS(超維場(chǎng)切換)型顯示裝置而言，還可以將其中的一層透明電極層作為這兩條第一配線中的一條的保護(hù)配線，而將另一層透明電極層作為這兩條第一配線中的另一條的保護(hù)配線。
[0053]本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以想到，對(duì)于兩層配線結(jié)構(gòu)而言，還可以在配線區(qū)上再形成一層保護(hù)配線，從而形成三層配線結(jié)構(gòu)，以進(jìn)一步提高信號(hào)傳輸線的防刮傷和防腐蝕的能力。
[0054]本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以想到，對(duì)于IPS型和ADS型等具有兩層透明電極的顯示裝置而言，甚至可以形成四層配線結(jié)構(gòu)，以進(jìn)一步提高信號(hào)傳輸線的防刮傷和防腐蝕的能力，或者在柵極金屬層、源漏極金屬層、第一透明電極層、第二透明電極層中任意選擇兩層或更多層來作為信號(hào)傳輸配線和保護(hù)配線。本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以設(shè)想，對(duì)于具有更多導(dǎo)電層的情況，同樣也可以任意選擇兩層或更多層來作為信號(hào)傳輸配線和保護(hù)配線。
[0055]本發(fā)明進(jìn)一步提供了一種陣列基板，其包括如上文所述的陣列基板配線。
[0056]本發(fā)明進(jìn)一步提供了一種顯示面板，其包括如上文所述的陣列基板；并且本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，其包括如上所述的顯示面板，該顯示裝置可以為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0057]雖然結(jié)合附圖描述了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下作出各種修改和變型，這樣的修改和變型均落入由所附權(quán)利要求所限定的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板配線，包括: 第一配線，形成在基板上，用于傳輸電信號(hào)； 絕緣層，形成在所述第一配線上； 第二配線，形成在所述絕緣層上，與所述第一配線相對(duì)，并且所述第二配線處于懸空狀態(tài)，不傳輸電信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板配線，其中，所述第二配線的線寬大于所述第一配線的線寬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板配線，其中，所述第一配線與柵極金屬層同步形成，所述第二配線與源漏極金屬層同步形成；或者 所述第一配線與柵極金屬層同步形成，所述第二配線與透明電極層同步形成；或者 所述第一配線與源漏極金屬層同步形成，所述第二配線與透明電極層同步形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板配線，其中所述第一配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線配線，且所述掃描線配線和所述數(shù)據(jù)線配線與柵極金屬層同步形成；并且所述第二配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線保護(hù)配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線保護(hù)配線，且所述掃描線保護(hù)配線和所述數(shù)據(jù)線保護(hù)配線與源漏極金屬層同步形成；或者 所述第一配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線配線，且所述掃描線配線和所述數(shù)據(jù)線配線與柵極金屬層同步形成；并且所述第二配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線保護(hù)配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線保護(hù)配線，且所述掃描線保護(hù)配線和所述數(shù)據(jù)線保護(hù)配線與透明電極層同步形成；或者 所述第一配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線配線，且所述掃描線配 線和所述數(shù)據(jù)線配線與源漏極金屬層同步形成；并且所述第二配線包括位于掃描線配線區(qū)的掃描線保護(hù)配線和位于數(shù)據(jù)線配線區(qū)的數(shù)據(jù)線保護(hù)配線，且所述掃描線保護(hù)配線和所述數(shù)據(jù)線保護(hù)配線與透明電極層同步形成；或者 所述第一配線包括分別與柵極金屬層和源漏極金屬層同步形成的所述掃描線配線和所述數(shù)據(jù)線配線；并且所述第二配線包括與源漏極金屬層同步形成的所述掃描線保護(hù)配線和與透明電極層同步形成所述數(shù)據(jù)線保護(hù)配線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的陣列基板配線，還包括至少一個(gè)保護(hù)配線，形成在所述第一配線上、與所述第一配線相對(duì)且與所述第一配線電絕緣，所述至少一個(gè)保護(hù)配線處于懸空狀態(tài)，不傳輸電信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板配線，其中所述至少一個(gè)保護(hù)配線與透明電極層同步形成，且所述至少一個(gè)保護(hù)配線的線寬大于所述第一配線的線寬。
7.—種陣列基板配線的制造方法，包括: 在基板上形成第一配線； 在所述第一配線上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成第二配線，所述第二配線與所述第一配線相對(duì)，且處于懸空狀態(tài)，不傳輸電信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括形成至少一個(gè)保護(hù)配線，所述至少一個(gè)保護(hù)配線形成在所述第一配線上、與所述第一配線相對(duì)且與所述第一配線電絕緣，所述至少一個(gè)保護(hù)配線處于懸空狀態(tài)，不傳輸電信號(hào)。
9.一種根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的陣列基板配線的修復(fù)方法，包括: 當(dāng)所述第一配線開路時(shí)，使所述第一配線與所述第二配線導(dǎo)通，以使第二配線傳輸電信號(hào)。
10.一種陣列基板，其包括權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的陣列基板配線。
11.一種顯示面板，其包括權(quán)利要求10所述的陣列基板。
12.—種顯示裝置，其包括權(quán)利要求11所述的顯示面板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103995409SQ201410234264
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】劉超, 張玉軍, 賀增勝, 陳蕾 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司